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SCIENCES SUP
Cours et exercices corrigs

Licence IUT
INTRODUCTION
LLECTRONIQUE
ANALOGIQUE
Tahar Neffati
INTRODUCTION
LLECTRONIQUE
ANALOGIQUE
Cours et exercices corrigs
Tahar Neffati
Matre de confrences
lUniversit de Cergy-Pontoise et au CNAM
DU MME AUTEUR
lectricit gnrale Analyse et synthse des circuits,

Dunod, 2003.
lectronique de A Z,
Dunod, 2006.
Exercices et problmes rsolus de traitement du signal analogique,
Ellipses, 2004.
Traitement du signal analogique,
Ellipses, 1999.
Illustration de couverture : Digitalvision
Dunod, Paris, 2008

ISBN 978-2-10-053956-7
Table des matires
CHAPITRE 1 JONCTION PN DIODE JONCTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.1 Notions de semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Introduction la thorie des bandes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.3 Conduction dans les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.5 Diode jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.6 La diode jonction en petits signaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.7 Diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
CHAPITRE 2 LES TRANSISTORS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

2.1 Les transistors bipolaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Dunod La photocopie non autorise est un dlit
2.2 Les transistors effet de champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
CHAPITRE 3 LES AMPLIFICATEURS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.2 Classification des amplificateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
3.3 Montages fondamentaux transistors bipolaires . . . . . . . . . . . . . . 92
3.4 tude dtaille dun metteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
3.5 Amplificateurs fondamentaux transistors FET . . . . . . . . . . . . . . . . 107
3.6 Les diffrentes classes des amplificateurs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
iv Table des matires
3.7 Amplificateur diffrentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
CHAPITRE 4 DIODES ET TRANSISTORS EN COMMUTATION. . . . . . . . . . . . . . . . . 139

4.1 Gnralits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
4.2 Diode en commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
4.3 Le transistor en commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
CHAPITRE 5 LAMPLIFICATEUR OPRATIONNEL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173

5.1 Gnralits et structure interne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.2 Caractristiques en continue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
5.3 Caractristiques en fonction de la frquence . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
5.4 Principaux montages. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
CHAPITRE 6 CIRCUITS INTGRS ANALOGIQUES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216

6.1 Rgulateurs de tensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
6.2 Les temporisateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
6.3 Les Multiplieurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
6.4 La boucle verrouillage de phase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
6.5 Gnrateurs de fonctions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
INDEX 251
Chapitre 1
Jonction PN Diode jonction
1.1 NOTIONS DE SEMI-CONDUCTEURS

Lappellation des matriaux semi-conducteurs provient de leurs conductivits lec-
triques, intermdiaires entre celles des conducteurs et des isolants. Une autre parti-
cularit importante, qui sera explique plus loin, est que cette conductivit, contrai-
rement aux conducteurs courants, dpend beaucoup de la temprature et augmente
avec celle-ci.
Ordres de grandeur.
Isolant s < 106 S/m (S = Siemens, cest--dire V1 )
Conducteur s 108 S/m
Semi-conducteur s 0,1 104 S/m
Les effets non linaires (dtection) associs lutilisation des semi-conducteurs

ainsi que leffet transistor furent dcouverts et utiliss avant que la physique du solide
nait pu les expliquer.
1.1.1 Historique
Lutilisation de semi-conducteur sous forme cristalline remonte au dbut du sicle
dernier. On constata que la galne (sulfure de plomb polycristallin) jouait le rle
dune diode lorsquon ralisait un contact entre une pointe mtallique et un de ses
cristaux. Les redresseurs loxyde de cuivre, puis au silicium ont t galement uti-
liss, grce leur caractre unidirectionnel.
Vers 1942-1945, on fabrique le premier monocristal de germanium.
Lquipe de la Bell, forme de Shockley, Bardeen et Brattain cre, en 1947, le
premier transistor bipolaire jonctions. En 1952, ce dernier publie la thorie du tran-
sistor effet de champ ; Dacey et Ross ralisent le premier lment en 1953, avec du
germanium.
2 1 Jonction PN Diode jonction
Puis le silicium prend peu peu lavantage sur le germanium, grce sa gamme
de temprature dutilisation plus large et son traitement plus facile.
En 1962, partir de la thorie labore deux ans auparavant par Kahng et Attala
(Bell), Hofstein et Heiman (RCA) ralisent le premier transistor MOS.
Vers la mme poque, en 1959, Texas brevte le circuit intgr et Fairchild, en
1960, met au point le procd planar. Lre du circuit intgr est commence !
1.1.2 Semi-conducteur intrinsque

a) Introduction
Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classifica-
tion priodique des lments (voir le tableau 1.1). Ce sont le germanium, et surtout
le silicium.
Tableau 1.1 Classification priodique de Mendeleiev
III IV V
5 6 7
B C N
(Bore) (Carbone) (Azote)
13 14 15 16
Al Si P S
(Aluminium) (Silicium) (Phosphore) (Soufre)
30 31 32 33 34
Zn Ga Ge As Se
(Zinc) (Gallium) (Germanium) (Arsenic) (Slnium)
48 49 50 51
Cd In Sn Sb
(Cadmium) (Indium) (Etain) (Antimoine)
Les corps simples semi-conducteurs ont la caractristique principale dtre ttra-

valent, cest--dire que leur couche extrieure comporte 4 lectrons. Ils cristallisent
dans le systme du carbone (diamant) qui est le systme cubique prsent la
figure 1.1. Chaque atome est au centre dun ttradre rgulier dont les 4 sommets
sont occups par les atomes voisins les plus proches.
Figure 1.1 Systme cubique

1.1 Notions de semi-conducteurs 3
Les liaisons entre atomes sont des liaisons de valence, trs stables, chaque atome
mettant un lectron priphrique en commun avec chaque proche voisin. Leur couche
priphrique se trouve ainsi complte huit lectrons, ce qui est une configuration
trs stable.
Au zro absolu, il ny a pas dagitation thermique et tous les lectrons priph-
riques participent aux liaisons covalentes ; aucun nest donc libre pour participer la
conduction lectrique : le corps est isolant.
Lorsquon lve la temprature, lagitation thermique permet quelques lectrons
de se librer de la liaison covalente, et dtre mobiles dans le cristal. Figure 1.2 (b).
Noyau atomique
Liaison covalente (2 lectrons en commun de spin oppos) Trou dans la liaison covalente Electron de conduction
(a) (b)
Figure 1.2 Liaison de covalence en (a) et cration dune paire lectron trou en (b).
b) Notion de trou
On voit que la perte de llectron a provoqu un site vacant, ou trou, dans le cristal.
Latome considr est ionis positivement, mais lensemble du cristal reste lectri-
quement neutre.
Le trou cr va participer la conduction lectrique. En effet, supposons que le

matriau semi-conducteur considr soit baign dans un champ lectrique E . Les

lectrons libres vont bien sr driver dans la direction oppose au champ, sous lac-

tion de la force F .

F = q E
Mais de plus, sous laction du champ lectrique et de la temprature, un lectron de
liaison voisin du trou va pouvoir le combler, laissant sa place un nouveau trou qui
pourra son tour tre combl par un autre lectron, etc. (Voir la figure 1.3). Tout se
passe donc comme si le trou progresse dans le sens du champ lectrique, et participe
la conduction dans le semi-conducteur, au mme titre que llectron libre.
On dfinit donc le trou comme un nouveau porteur de charge positive. Cela est
bien sr fictif, et seul est rel le dplacement des lectrons de valence, mais le ph-
nomne mis en jeu est fondamentalement diffrent de celui utilis par les lectrons
de conduction.
Sens du progression du trou Position d'origine du trou
saut
position
finale du
trou
Figure 1.3 Progression dun trou sous leffet dun champ lectrique.
c) Corps composs semi-conducteurs

Dans un cristal pur (semi-conducteur intrinsque), le nombre de paires lectron-trou
cres dpend beaucoup de la temprature, ainsi que de la cohsion des liaisons cova-
lentes (cest--dire de la difficult arracher un lectron au rseau cristallin) du corps
considr.
Dans, le diamant, temprature ambiante, la quantit de paires lectrons-trou
cres est ngligeable, et celui-ci est donc un isolant. Les seuls corps simples uti-
liss en tant que semi-conducteur sont donc le silicium et le germanium (ce dernier
nest pratiquement plus utilis).
Mais on utilise actuellement de plus en plus de composs, le plus souvent des
alliages binaires, de corps trivalents dune part (colonne III du tableau 1), et pentava-
lents dautre part (colonne V). LArsniure de Gallium (AsGa) prend ainsi une impor-
tance croissante dans les nouveaux dispositifs semi-conducteurs, principalement aux
frquences leves.
On peut citer encore, comme semi-conducteur compos le sulfure de Cadmium
(CdS) utilis dans les photorsistantes, lantimoniure dindium (InSb). Le cristal
form possde les mmes proprits que les corps simples semi-conducteurs, les
atomes trivalents et pentavalents tant en quantit identique (les couches externes
des atomes sont donc compltes 8 lectrons).
1.1.3 Semi-conducteur extrinsque

Lutilisation du semi-conducteur pur prsente assez peu dintrt. Lutilisation de
semi-conducteur dans la plupart des composants lectroniques se fait dans un tat dit
dop (semi-conducteur extrinsque), par opposition avec le semi-conducteur pur, ou
intrinsque.
1.1 Notions de semi-conducteurs 5
a) Semi-conducteur de type N
Supposons par exemple que dans un semi-conducteur trs pur, on introduise volon-
tairement un corps pentavalent (mtallode : phosphore, arsenic, antimoine) dans une
proportion (taux de dopage) dun atome dimpuret pour 105 108 atomes de semi-
conducteurs. On a alors, dans le cristal, la situation schmatise en figure 1.4.
Electron en surplus
As
Figure 1.4 Effet du dopage pour augmenter le nombre dlectrons libres.
Llectron en surplus nentrant pas dans une liaison covalente nest que faible-
ment li latome pentavalent. la temprature ambiante, il est libre dans le semi-
conducteur ( cause de lagitation thermique) et participe la conduction. Il en est
pratiquement ainsi de tous les lectrons en excs venant de limpuret pentavalente.
Le semi-conducteur extrinsque ainsi constitu est dit de type N. Limpuret dans ce
cas est appele donneur.
Remarque. La neutralit globale du semi-conducteur est bien sr conserve,
chaque lectron libre dans le cristal, correspondant un ion positif dimpuret dans
le mme cristal.
b) Semi-conducteur de type P
Introduisons maintenant dans le semi-conducteur intrinsque, en faible quantit, un
corps trivalent (par exemple Bore, Aluminium, Gallium ou Indium). Les atomes de
cette impuret vont se substituer, de place en place, ceux du semi-conducteur :
figure 1.5.
Une lacune apparat dans la liaison covalente, lendroit de chaque atome accep-
teur. la temprature ambiante, cette lacune est comble par un lectron voisin sous
leffet de lagitation thermique, formant un trou positif dans le cristal, libre de se
dplacer lintrieur de celui-ci. On trouve donc, temprature ambiante, pratique-
ment autant de trous libres que datomes accepteurs. Bien sr, la neutralit du cristal
est conserve globalement chaque atome accepteur tant ionis ngativement aprs
capture dun lectron. Le semi-conducteur extrinsque ainsi cre est dit de type P.
Trou (lectron manquant)
Ga
Figure 1.5 Effet du dopage pour augmenter le nombre des trous libres.
1.2 INTRODUCTION LA THORIE DES BANDES

On va prciser ici, de faon quantitative, les notions abordes au paragraphe prc-
dent.
1.2.1 Niveaux dnergie dun atome isol

Considrons un atome isol : les lectrons qui gravitent autour du noyau ne peuvent
occuper que certains niveaux dnergie autoriss, dfinis par la mcanique quantique.
Chacun de ces niveaux dnergie quantifis ne peut tre occup que par 2 lec-
trons de Spin opposs (principe dexclusion de Pauli). Le remplissage des lectrons
se fait donc par couches ; sur chacune de ces couches, les niveaux dnergie des lec-
trons sont trs proches les uns des autres. Dans la couche n, il existe ainsi n2 niveaux
dnergie possibles, pouvant recevoir chacun 2 lectrons sur lui-mme. Il peut donc y
avoir 2n2 lectrons par couche. Latome de silicium est ainsi reprsent en figure 1.6.
Noyau
n=1
n=2
n=3
Figure 1.6 Atome isol de silicium.

1.2 Introduction la thorie des bandes 7
1.2.2 difice cristallin

Lorsque lon rapproche une grande quantit datomes pour former un monocristal,
les niveaux dnergie de chaque atome se sparent en une multitude de niveaux
trs rapprochs qui pourront chacun tre occups par une paire dlectrons de Spin
oppos (ceci, toujours cause du principe dexclusion de Pauli appliqu au mono-
cristal considr).
Les bandes dnergie permises (pratiquement continues vus le grand nombre
dtats possibles pour un cristal de dimension utilisable : 1020 atomes par mm3 ),
ainsi obtenues sont spares par des bandes interdites, correspondant des niveaux
dnergies quaucun lectron ne peut avoir. La figure 1.7 illustre ce phnomne pour
le silicium.
W bande interdite bande autorise
Atome isol
niveau
123 123
d'nergie couche n3
des lectrons
couche n2
couche n1
Distance dans l'tat Distance entre

cristallis sans contrainte atomes voisins
Figure 1.7 Principe de la cration dune bande dnergie (bande interdite).

Considrant maintenant un cristal donn, essayons de dterminer quelles sont les

conditions runir pour obtenir un conducteur, un isolant, ou un semi-conducteur.
1.2.3 Niveau de Fermi

On sait que les lectrons occupent tous les niveaux dnergie permis partir du plus
bas. La valeur W F , reprsente la limite qui spare les places libres et les places occu-
pes.
W F est appele nergie ou niveau de Fermi (WF dpend de la temprature).
Tous les niveaux dnergie tels que : W < W F sont occups, et tels que W > W F
sont libres au zro absolu.
Lorsquon lve la temprature, lagitation thermique des atomes cde de lnergie
aux lectrons, leur permettant daccder des niveaux dnergie suprieure, libres
dans le cas du conducteur.
La rpartition des lectrons est alors dcrite par la statistique de Fermi-Dirac. La

fonction de Fermi-Dirac fournit la probabilit doccupation dun niveau W la tem-
prature T. On a, toutes les tempratures, la relation suivante :
1
fFD = , avec : K T = 26 103 eV 300 K
W WF
1 + exp
kT
a) Cas dun isolant

Dans le cas de lisolant, le niveau de Fermi se trouve dans une bande interdite, et la
largeur de cette bande est trop grande (6 7 eV pour le diamant par exemple) pour
tre franchie par un nombre apprciable dlectrons temprature ambiante. Cest le
cas de la figure 1.7. Si lon applique un champ lectrique, lnergie des lectrons ne
peut tre accrue : le matriau est isolant.
b) Cas dun conducteur

Dans le cas du conducteur la temprature T, les lectrons se rpartissent autour du
niveau de Fermi. Le niveau des lectrons peut saccrotre dans la bande autorise aux
dpens dun champ lectrique appliqu : le matriau est conducteur.
c) Cas dun semi-conducteur intrinsque

La largeur de la zone interdite est faible, de lordre de 1 eV (1,1 eV pour le silicium,
0,7 eV pour le germanium et 1,4 eV pour larsniure de gallium).
la temprature zro absolu, tous les lectrons sont dans la bande de valence,
et aucun ne peut participer la conduction. Ds que la temprature slve, certains
lectrons passent de la bande de valence la bande de conduction, laissant un trou
dans la bande de valence. La quantit de paires dlectrons-trous cres, et donc la
conductivit, augmente avec la temprature, au contraire des conducteurs. Pour un
semi-conducteur intrinsque, le niveau de Fermi se trouve au milieu de la bande
interdite.
Wc + Wv DW
WF = = Wv +
2 2
Avec : DW = W c W v qui reprsente la bande interdite (Gap).
Le nombre de paires lectrons-trous cres la temprature ambiante (300 K) est
relativement faible. La densit des lectrons de conduction n, est gale la densit
des trous p, soit :

DW
n = p = n i et np = n i = AT exp
2 3
kT
Valeur numrique. la temprature ambiante, il y a peu prs une paire lectron-
trou pour 3.1012 atomes de silicium, et une pour 2.109 atomes de germanium.
1.3 Conduction dans les semi-conducteurs 9
d) Cas dun semi-conducteur extrinsque

Cas dun matriau de type N
Une bande dnergie trs troite et lgrement en dessous de la bande de conduction
est cre. Au zro absolu, tous ces niveaux donneurs sont occups par les lectrons
en excs, mais la temprature ambiante, ces lectrons passent dans la bande de
conduction.
On a toujours : np = n i2 , la densit dlectrons n est voisine, la temprature
ambiante, de la densit des atomes donneurs N d , (Nd n i ). Les lectrons sont
appels porteurs majoritaires et les trous sont des porteurs minoritaires. Dans ce cas,
la densit de trous devient :
n2
p = i ni
Nd
Cas dun matriau de type P
Il y a cration, tout prs de la bande de valence de N a niveaux dnergie libres
(Na : densit datomes accepteurs). Ds que la temprature slve, ces niveaux se
comblent dlectrons sous leffet de lagitation thermique, provoquant ainsi la for-
mation de Na trous dans la bande de valence. Les trous sont les porteurs majoritaires
et les lectrons sont les minoritaires.
n2
n = i ni
Na
2
Remarques. n i double de valeur tous les 8 11 C pour le germanium, et tous les
5 7 C pour le silicium, ceci aux tempratures usuelles jusqu 100 C.
En-dessous dune temprature minimum, les porteurs majoritaires ne sont pas
librs.
Au-del de la temprature maximale dutilisation, le nombre de paires lectron-
trou gnres thermiquement ni devient du mme ordre de grandeur que la
concentration Na ou Nd en porteurs majoritaires (Tmax 200 C pour le sili-
cium).
1.3 CONDUCTION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

1.3.1 Mobilit
En labsence dun champ lectrique, le mouvement des porteurs de charge (lectrons
et trous) dans le semi-conducteur est erratique. En prsence dun champ lectrique

E , ce mouvement dsordonn sajoute une vitesse moyenne proportionnelle au
champ.

vn = mn E et pour les trous on a :
Pour les lectrons on a :

v p = m p E
m est la mobilit des porteurs de charges, plus faible pour les trous que pour les
lectrons.

Pour le silicium : mn = 0,14m p = 0,05 en m2 /Vs
Valeurs numriques.
Pour le germanium : mn = 0,38m p = 0,17 en m2 /Vs
Remarque. Le mouvement moyen des porteurs de charges est uniforme (vitesse

constante) et non pas uniformment acclr (cas de llectron dans le vide),
cause des collisions avec les atomes du cristal.
1.3.2 Loi dOhm

La densit de courant due n lectrons ou pour p trous par unit de volume vaut :

Jn = qn
vn = qnmn E = sn E

J = +q p
p

v = q pm E = s E
p p p
sn et s p sont les conductivits dues respectivement aux lectrons et aux trous. La
densit de courant totale vaut donc :

J = Jn + J p = sn + s p E = s E
Cette expression reprsente la loi dOhm gnralis. La quantit : s est la conduc-
tivit du semi-conducteur.
s = sn + s p
Pour un semi-conducteur extrinsque, le terme d aux porteurs majoritaires est
prpondrant, et leffet des porteurs minoritaires tant ngligeable.
1.3.3 Diffusion des porteurs dans les semi-conducteurs

a) Diffusion
Lorsque, dans un cristal, les lectrons et les trous ne sont pas uniformment rpartis,
ou si la temprature nest pas uniforme, lnergie cintique des porteurs par unit de
volume nest pas uniforme. Il apparat alors un phnomne de diffusion des porteurs,
des rgions de forte concentration aux rgions de faible concentration, ou des rgions
haute temprature vers celles basse temprature. Les courants de diffusion des
porteurs valent :

Jn = q Dn grad n et J p = q D p grad p
Dn , D p sont respectivement les coefficients de diffusion des lectrons et des trous.
On a :
KT KT
Dn = mn et D p = m p
q q
Si lon a, dans un cristal, un champ lectrique appliqu avec diffusion, les densits
de courants deviennent :

Jn = q nmn E + Dn grad n et J p = q pm p E D p grad p
Valeurs numriques. Pour le silicium on a : Dn = 0,003 m2 /s ; D p = 0,001 m2 /s.

1.4 La jonction PN 11
b) Dure de vie des porteurs et longueur de diffusion

Des transitions dun tat lautre se produisent sans cesse mme sil y a un quilibre
thermodynamique dans un semi-conducteur, cet quilibre traduit le rsultat global de
gnrations et recombinaisons dans les diffrentes bandes dnergie.
lquilibre, il y a autant de cration que de disparitions de porteurs. Si, locale-
ment, pour une raison quelconque (clairement, bombardement ionisant...) le nombre
de disparitions va scarter du nombre de crations, un retour lquilibre seffectue
selon une loi exponentielle :
n n 0 = (n n 0 ) et/tn

pour t=t0
tn est la dure de vie des lectrons dans le cristal. Cest le temps moyen dexis-
tence dun lectron en excs. Cette dure de vie dpend des impurets, des dfauts
cristallins...
Ordre de grandeur. 109 s < tn < 103 s
La concentration des porteurs le long de laxe de diffusion volue exponentiel-
lement
n n 0 = (n x=0 n 0 ) ex/L n et p p0 = ( px=0 p0 ) ex/L p

Avec : L n = Dn tn et L p = D p t p
Ln et LP sont la longueur de diffusion des lectrons et celle des trous. Un champ
lectrique superpos augmenterait ou diminuerait ces longueurs de diffusion, selon
quil acclrerait ou freinerait les porteurs.
1.4 LA JONCTION PN
Une jonction est constitue par la transition, dans un mme monocristal de semi-
conducteur, entre deux zones dont lune est de type N et lautre de type P. On se
limitera ici au cas de la transition brusque, avec une surface de sparation des deux
zones qui est plane. Figure 1.8 (a).
1.4.1 Jonction isole

a) Diffusion des majoritaires et zone de transition
Les porteurs majoritaires de la zone P diffusent vers la rgion N, o ils sont beaucoup
moins nombreux. De mme, les lectrons de la rgion N diffusent vers la zone P. Ce
phnomne de diffusion sarrte avant que la rpartition des trous et des lectrons
dans tout le cristal ne soit homogne. Un autre phnomne intervient.
Dans la zone P, au voisinage de la jonction, les trous et les lectrons sont en grande
quantit. Ces deux types de porteurs ont donc une forte probabilit de recombinai-
son, si bien que la concentration en porteurs mobiles dans la zone P au voisinage
de la jonction est trs faible. De mme, la zone N au voisinage de la jonction est

pratiquement dpourvue de porteurs. Une zone pratiquement dpourvue de porteurs
mobiles stend donc de part et dautre de la jonction (sur une paisseur de lordre du
micron). On lappelle zone de transition. figure 1.8 (b).
Zone de transition
N P N P
- - - - + + + + - - - + + +
- - - - + + + + - - - + + +
- - - - + + + + - - - + + +
(a) (b)
Figure 1.8 Principe de la cration dune zone de transition.
Les charges des porteurs fixes (ions dimpurets) ny sont plus compenses par
celles des porteurs mobiles. On trouve donc, dans la zone de transition :
en zone P une rgion charge ngativement par les atomes accepteurs ioniss ;
en zone N une rgion charge positivement par les atomes donneurs ioniss.
b) quilibre et conduction des porteurs minoritaires

Le champ lectrique interne prenant naissance cause de la charge despace en zone
de transition a pour premier effet de freiner la diffusion des porteurs majoritaires. De
plus, un courant d aux minoritaires (lectrons en zone P, trous en zone N) stablit,
le champ interne ainsi cre favorisant leur passage.
Le sens de ce courant est, bien sr, oppos au courant de diffusion des majoritaires.
lquilibre, le courant de diffusion des majoritaires est quilibr par le courant de
conduction des minoritaires (appel courant de saturation).
c) quations de la jonction lquilibre

La neutralit lectrique du cristal tant conserve, le nombre dions ngatifs en zone
de transition P est donc gal au nombre dions positifs en zone de transition cot N.
On suppose les densits de charge despace constantes en zone de transition, de part
et dautre de la jonction, ce qui reprsente une bonne approximation de la ralit. On
en dduit la relation :
q N A .x p = q N D xn
Avec : N A : densit datomes accepteurs en zone P

N D : densit datomes donneurs en zone N
xp et xn profondeur de la zone de transition en zone P et en zone N
Les caractristiques du champ et du potentiel internes sont donnes par lquation

de Poisson. r
DC + = 0 et E int = grad C

r reprsente la densit de charge despace et C est le potentiel interne. On
dmontre que la variation du potentiel interne Vb = C N C P , ou barrire de
potentiel, entre la zone N et la zone P vaut : Vb = 0,6 0,7 volt pour le silicium.
Cette barrire de potentiel reprsente lobstacle franchir par les porteurs majori-
taires diffusant travers la jonction. En appelant t la longueur totale de la zone de
transition, on a : t = x p + xn , le champ interne maximum se produit au niveau de la
jonction et vaut E0 :

KT ND NA Vb
Vb Ln 2
et E 0 = 2 grad C
q ni t
Valeur numrique. En supposant 2Vb 1 V et t = 1 m, on obtient : E 0 = 106 V/m.
Remarque. La zone de transition stend le plus profondment dans la zone la

moins dope. Dans le cas pratique dun transistor bipolaire, il sagit dune zone
appele metteur qui est 1 000 fois plus dope que lautre (appele base), la zone
de transition stend presque exclusivement dans la base.
d) Expression des courants de diffusion et de saturation

Pour franchir la barrire de potentiel Vb dfinie ci-dessus, on doit fournir aux trous
+q diffusant de la rgion P vers la rgion N, et aux lectrons q diffusant de N vers P
lnergie suivante :
DWb = q Vb
Lnergie ncessaire sera fournie par lagitation thermique. la temprature T , la

probabilit pour un porteur dacqurir lnergie DWb est dfinie par la loi de Fermi
dans lapproximation de Boltzmann, soit :
DWb qVb
PW >DWb = e kT = e kT
Le courant de diffusion des majoritaires associs sera donc de la forme :

qVb
I D = I0 e kT
Car le courant est proportionnel au nombre de porteurs franchissant la barrire de

potentiel tablie au niveau de la jonction. Par contre les minoritaires des deux rgions
sont acclrs par le champ interne, et traversent donc la jonction en cdant lnergie
DW b au cristal.
Concentration des porteurs (Echelle log)
REGION P
REGION N
zone de
transition
Potentiel lectrostatique
interne
Vb 0, 7 V
x
Champ lectrique
interne E int
-x p +x n
x
E0
Figure 1.9 Variation de la concentration, du potentiel lectrostatique et du champ lectrique

interne en fonction de x.
Ce double mouvement des minoritaires dfinit un courant I s ayant le sens inverse

du courant de diffusion des majoritaires. Ce courant de saturation est une fonction
croissante de la temprature, comme le nombre de porteurs minoritaires dans le cris-
tal. lquilibre, le courant global est nul, et les deux courants I D et Is .
qVb
I S = I D = f (T j, Vb ) = I0 e kT
Remarque. Lexistence dun potentiel interne pour une jonction isole ne signifie
nullement quune tension externe est mesurable aux bornes de la jonction PN.
1.4.2 Jonction PN polarise en direct

a) Principe dtude
Soit le dispositif de la figure 1.10, constitu dune jonction PN aux bornes de laquelle
on applique une tension extrieure V = V p Vn positive. Cela revient faire passer
la diffrence de potentiel entre les extrmits de la zone de transition de Vb Vb V .
IPD -IND
P N
-INS IPS
+ -
I V
Figure 1.10 Jonction PN polarise en direct.
Le courant de diffusion des majoritaires va donc se trouver augment, la probabi-

lit g de diffusion, et donc le courant associ est maintenant proportionnel g, par
contre, le courant de saturation d aux minoritaires se trouve pratiquement inchang
si la temprature de la jonction ne varie pas.
q(Vb V )
g = e kT
b) Relation courant-tension
Un courant prend naissance comme consquence de la tension directe applique,
ayant comme valeur : I = I D I S . Ce courant, principalement d aux majoritaires,
traverse la jonction dans le sens P vers N.
qVb
Pour V = 0, on a : I D = I S = I0 e kT
Pour V > 0, I S garde la mme valeur et ID augmente pour prendre la valeur :
q(Vb V ) qVb +qV
I D = I 0 e kT = I0 e kT e kT

Is
qV
Soit : I D = I S e kT
qV
Le courant total vaut donc : I = I S e kT 1
Cest une quation fondamentale dans la thorie des diodes et des transistors.
kT q
Valeurs numriques. = 26 mV donc : 39 V1 T 300 K
q kT
V
Do : I = I S e39V 1 = I S e 0,002 6 1

V = 0,1 Volt, le courant est : I = I S e3,9 1 = I S (49,4 1) = 48,4 I S
qV qV
Donc si V > 0,1 V, alors : I I S e kT car alors on a : e kT 1.
Le courant de saturation I S est la somme des courants dus aux porteurs minoritaires
(trous dans la rgion N et lectrons dans la rgion P) : I S = I P S + I N S
Ces courants sont proportionnels aux concentrations de minoritaires, donc ils sont
proportionnels aussi n i2 , qui ne dpendent que du matriau et de la temprature.
Valeurs numriques. Pour une jonction de 1 mm2 de section, ayant N D = 1022 m3 ,
on a, 300 K :
I S = 2 104 A pour le germanium et I S = 1012 A pour le silicium.
Remarque. en prsence dune tension externe applique, la barrire de potentiel

devient Vb V . La largeur t de la zone de transition varie proportionnellement

Vb V et diminue donc quand on applique une polarisation directe.
1.4.3 Jonction PN polarise en inverse

Cest le cas schmatis en figure 1.11, la diffrence de potentiel applique aux bornes
de la zone de transition atteint Vb V et le courant de diffusion des majoritaires est
proportionnel :
q(Vb V )
g = e kT
IPD -IND
P N
-INS IPS
+ -
V -I
Figure 1.11 Jonction PN polarise en inverse
Pour |V | > 0,1, le courant de diffusion des majoritaires devient ngligeable devant
le courant de saturation des minoritaires.
Exemple numrique. Pour une valeur V = 0,1 Volt, on a :

I = I S e390,1 1 I S 300 K.
Le courant de saturation est atteint 2 % prs.
Conclusion. En polarisation inverse, ds que |V | > 0,1 V, la jonction PN est bloque
et nest plus traverse que par le courant de saturation Is d aux porteurs minoritaires,
et traversant la jonction dans le sens N vers P.
Ce courant inverse est indpendant de la tension applique et ne dpend que de la
temprature. Il reste trs faible devant les courants directs ( 109 A pour Si).
1.5 Diode jonction 17
1.5 DIODE JONCTION

1.5.1 Diode jonction idale
La jonction PN tudie prcdemment prsente donc un effet unidirectionnel trs
marqu ; en polarisation directe, le courant croit trs rapidement (exponentiellement)
en fonction de la tension, alors quen polarisation inverse, le courant traversant la
jonction est pratiquement ngligeable.
Ce comportement est proche de celui dun composant lectronique idal, appel
diode, quivalent un court-circuit en polarisation directe (V > 0) et un circuit
ouvert en polarisation inverse (V < 0). La reprsentation symbolique de la diode est
donne en figure 1.12. Le comportement de la diode jonction idale est donn par
lquation avec les notations et les polarits de la figure 1.12.
I I
P N
Anode Cathode Anode Cathode
V V
(a) (b)
Figure 1.12 Reprsentation symbolique (a) de la diode jonction (b).
La caractristique courant tension dune diode jonction au silicium est donne

en figure 1.13 deux tempratures diffrentes.
I (ampre)
0,20
T1
0,15 T2 > T 1
0,10
0,05
0,00 V(volt)
-0,05
-0,10
-0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
Figure 1.13 Caractristique courant-tension dune diode idale.

1.5.2 Diode jonction relle

a) Diode polarise en inverse
Dans le cas du silicium o I S est thoriquement trs faible de lordre de 1012 A,
des courants parasites se superposent au courant de saturation (courants de surfaces,
contribution des dfauts cristallins...), si bien que le courant inverse nest pas constant
en fonction de la tension applique, et est beaucoup plus fort que prvu. Pratique-
ment, pour le silicium, le courant inverse est de lordre de 109 A par mm2 de jonc-
tion, et double tous les 12 15 C.
b) Diode polarise en directe

Pour les faibles tensions directes (V < 0,5 volt), le courant suit la loi :
qV
I = Is e 2kT 1
Pour les courants moyens on a :

qV
I = I S e nkT 1 , avec 1 < n < 1,5
Pour les forts courants (fortes injections) le courant est plus faible galement que
le courant thorique.
Le coefficient n est le coefficient de non-idalit de la diode. Certains auteurs lap-
pellent coefficient didalit.
1.5.3 Modles statiques de la diode jonction PN

a) Lutilit des modles
Un modle consiste en une reprsentation simplifie du fonctionnement de la diode
en vue de faciliter lanalyse dun phnomne ou ltude dun systme.
La diode est un lment non linaire, or lanalyse dun comportement non linaire
est assez difficile. On remplace donc les diodes par des modles linaires.
Il y a diffrents modles selon lanalyse ou ltude souhaite. Pour analyser un
circuit lectrique qui fonctionne en rgime continu (statique) on utilise :
b) Le modle idal
La reprsentation graphique du modle idal dune diode jonction PN est repr-
sente la figure 1.14 (a). Il sagit dun interrupteur ferm en polarisation directe (b)
et ouvert en polarisation inverse (c).
En direct, la diode est considre comme un court-circuit : VD = 0 pour I D 0.
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert : I D = 0 pour VD 0.
Ce modle est le plus simple, mais le moins prcis. Il est utilis pour des estima-
tions rapides et pour des analyses de circuits complexes.
1.5 Diode jonction 19
ID
K ferm K ouvert
VD
VD VD
(a) (b) (c)
Figure 1.14 Caractristique I D = f (VD ) dune diode idale (a), modlise en polarisation
directe (b) et en polarisation inverse (c).
c) Le modle seuil
On rajoute au modle prcdent la tension de seuil V 0 qui reprsente la tension du
coude de la diode. Cette tension correspond la barrire de potentiel vaincre de la
jonction PN, elle est appele aussi le potentiel de contact de la jonction PN.
En direct, on rajoute une force contre lectromotrice V 0 : VD = V0 pour I D 0.
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert : I D = 0 pour
VD V0 .
ID
K ferm V0 K ouvert V0
VD
V0
VD VD
(a) (b) (c)
Figure 1.15 Caractristique I D = f (VD ) dune diode seuil (a), modlise en polarisation
d) Le modle linaris
Dans ce modle, ds que la tension dpasse V 0 , on rajoute une rsistance rD qui
reflte une variation linaire du courant en fonction de la variation de la tension.
En direct, on rajoute V 0 et une rsistance dynamique moyenne r D : VD = V0 +r D I D
pour I D 0.
VD V0 .
ID
ID
Anode
K ferm V0 Cathode Anode K ouvert V0
Cathode
VD
V0 RD
VD
VD VD
(a) (b) (c)
Figure 1.16 Caractristique I D = f (VD ) dune diode linarise (a), modlise en polarisation
La rsistance dynamique moyenne rD est dtermine par la pente moyenne de la

partie utilise de la caractristique directe de la diode :
DVD
rD =
DI D
Ce dernier modle reprsente une trs bonne approximation linaire de la caract-
ristique dune diode relle. Il est plus prcis que le deuxime, mais plus complexe.
1.6 LA DIODE JONCTION EN PETITS SIGNAUX

1.6.1 Notion de schma quivalent
a) Polarisation directe
Supposons la diode jonction polarise en direct au point M par une tension V 0 ,
crant un courant I 0 travers la jonction. Le fait de dterminer le point de repos ou
point de polarisation (V0 , I0 ) est dsign par : tude en rgime statique. Superposons
cette tension une tension variable v de faible amplitude (tude en rgime dynamique).
Rsistance dynamique
Quelle est alors la variation de courant i travers la jonction, prenant naissance du
fait de cette variation de tension v ?
Si on suppose que le coefficient de non-idalit n est proche de lunit, le courant
devient : qV
I = I S e kT 1
Une faible variation v = d V de tension va crer une variation i = d I correspon-

dante, obtenue par diffrentiation de la relation prcdente :
qVo q
d I = I S e kT dV
kT
1.6 La diode jonction en petits signaux 21
I (ampre)
0,20
0,15
0,10
0,05
I M
0,00 V (volt)
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
Figure 1.17 Dtermination de la rsistance dynamique autour dun point.
qVo
Or, si V0 > 0,1 V, on a : e kT 1
q kT
Soit : d I I0 d V ou encore d V = dI
kT q I0
kT
On crit : v= i
q I0
Si lon crit la loi dOhm en petits signaux : v = rd i, on dfinit une rsistance
dynamique de la diode jonction, valable en petits signaux, au point de polarisation
(V0 , I0 ), de valeur :
kT
rd =
q I0
On voit que cette rsistance dynamique est inversement proportionnelle au courant
I0 traversant la jonction, et ne dpend pas du matriau courant identique. Cette
rsistance rd est linverse de la pente de la tangente la courbe I = f (V ) au point
(V0 , I0 ).
kT
Valeurs numriques : = 26 mV 300 K
q
26
Soit : rd = , I0 en mA et rd en Ohm
I0
Capacit de diffusion
La rsistance dynamique prcdente nest pas suffisante pour caractriser la diode
jonction au point (V0 , I0 ) pour des petites variations rapides (v, i) autour de ces
valeurs de repos. La relation liant les petites variations de courant i aux petites varia-
tions de tension v est en fait :
v dv
i= +C
Rd dt
C ayant les dimensions dune capacit, et tant la somme de deux composantes :
C = C j + Cdiff
C j est la capacit de jonction ou de transition et Cdiff est la capacit de diffusion.

Le deuxime terme est prpondrant en polarisation directe, et vaut :
q Io K .TF
Cdiff = K TF = , avec Cdiff C j
kT Rd
La capacit de diffusion Cdiff est donc proportionnelle au courant traversant la

jonction ; elle est due principalement aux variations de charges diffuses dans la
rgion la moins dope.
Schma quivalent
Autour du point de repos (V0 , I0 ), des petites variations de courant i et de tension v
sont responsables de Rd et de C. Ces deux quantits dpendent de la valeur de I 0 . On
en dduit donc un schma quivalent de la diode jonction pour des petits signaux
autour du point de polarisation (V0 , I0 ). Ce schma est un modle de la diode pour
des petits signaux.
Remarque. Ce schma nest pas applicable des grands signaux, et nest utilis
quafin de linariser le problme dans le cas de petits signaux. Les relations gn-
rales reliant courant et tension aux bornes dune diode sont en fait non linaires.
Rd Cd
Figure 1.18 Schma quivalent de la diode polarise en direct en petits signaux.

1.7 Diode Zener 23
b) Polarisation inverse
En polarisation inverse, la largeur de la zone de transition dpend de la tension
externe applique, elle est proportionnelle Vb V pour une jonction abrupte,
Vb tant la hauteur de la barrire de potentiel, et V la diffrence de potentiel externe
applique la jonction, ngative en polarisation inverse.
Si la tension inverse applique la diode V est augmente de d V , la zone de
charge despace (zone de transition) augmente de d x p ct P et de d xn ct N. La
charge despace augmente donc de d Q ct P et de +d Q ct N. On en dduit la
capacit de transition Cj :
dQ C j0
Cj = , avec |V | > 0, soit : C j (V0 ) =
d |V | V0
1+
Vb
Avec C j0 : capacit de transition pour V0 = 0 V.
C j0
Pour une jonction profil de dopage linaire, on a : C j (V0 ) = 1
V0 3
1+
Vb
En polarisation inverse, pour le silicium, on peut ngliger le courant inverse. La
capacit de diffusion est galement ngligeable devant la capacit de transition. Cest-
-dire quen polarisation inverse, le schma quivalent se rsume une capacit,
gale C j .
Le courant i et la tension v en rgime dynamique sont donc relis par la relation :
dv
i = Cj
dt
Cj variant en raison inverse de V 0 pour une jonction abrupte. On a donc ralis
lquivalent dune capacit (en petits signaux) lectriquement variable par une ten-
sion de commande V 0 . Une diode utilisant cette proprit est appele varicap ou
varactor selon lutilisation.
1.7 DIODE ZENER

1.7.1 Effet Zener
En polarisation inverse, dans certaines conditions, des lectrons dans la bande de
valence du ct P peuvent passer directement dans la bande de conduction du ct
N, par un processus quantique appel effet tunnel . Cet effet, donnant naissance
une augmentation du courant inverse, est appel effet Zener.
1.7.2 Avalanche
Leffet davalanche est le mode de claquage le plus courant dans les diodes et dans
les transistors.
Lorsquune forte tension inverse est applique aux bornes de la jonction, le champ
lectrique interne peut tre tel que lnergie cintique acquise par les porteurs mino-
ritaires soit suffisante pour crer des paires lectrons-trous dans la zone de transition.
Ces nouveaux porteurs, aprs acclration par le champ interne peuvent leur tour
crer de nouvelles paires lectrons-trous, do le nom davalanche donn au phno-
mne. Le courant peut alors augmenter rapidement, et provoquer la destruction de la
jonction par effet joule.
1.7.3 Diode Zener

Ces deux effets sont utiliss pour raliser des diodes de rfrence dites diodes Zener.
En fait, lorsque le claquage se produit pour |V | < 5 V, cest leffet Zener qui est
en cause, alors que pour |V | > 8 V, cest leffet davalanche. La caractristique
I D = f (VD ) dune diode Zener est donne la figure 1.19.
ID
VZ cathode
_V
Z
VD
V0
anode
ID
(a) (b)
Figure 1.19 Caractristique courant-tension (a) et symboles dune diode Zner (b).
On conoit des diodes Zener spciales pour obtenir, contrler et garantir les para-
mtres souhaits :
la tension de claquage appele souvent tension Zener Vz ;
la rsistance dynamique de claquage r z appele aussi rsistance Zner ;
le courant minimal de la zone de claquage Izmin ;
le courant maximal de claquage Izmax .
1.7 Diode Zener 25
Ce quil faut retenir
Diode jonction
Pour une diode polarise en direct, un courant prend naissance comme cons-
quence de la tension directe applique VD :
q(Vb V ) qVb +qV
qV
I D = I0 e kT = I0 e kT e kT soit : I = I S e kT 1

IS
Vb = 0,6 0,7 volt pour le silicium. Vb est la barrire de potentiel, entre la zone
N et la zone P.
Modle idal
En direct la diode est considre comme un court-circuit : VD = 0 pour I D 0.
VD 0.
Modle seuil
En direct, on rajoute une force contre lectromotrice V0 : VD = V0 pour I D 0.
VD V0 .
Modle linaris
En direct, on rajoute V0 et une rsistance dynamique moyenne r D : VD = V0 +r D I D
pourI D 0.
VD V0 .
La rsistance r D est linverse de la pente de la tangente la courbe I = f (V ) au
point (V0 , I0 ).
kT kT
rd = avec : = 26 mV 300 K .
q I0 q
La jonction PN se comporte aussi (modle en hautes frquences) comme tant
la somme de deux capacits : C = C j + Cdiff
C j est la capacit de jonction ou de transition et Cdiff est la capacit de diffusion.
Le deuxime terme est prpondrant en polarisation directe, et vaut :
q Io K .TF
Cdiff = K TF = , avec Cdiff C j
kT Rd
La capacit de diffusion Cdiff est donc proportionnelle au courant traversant la
jonction ; elle est due principalement aux variations de charges diffuses dans la
rgion la moins dope.
Diode Zener
En polarisation inverse, au-del dune certaine tension, un courant inverse impor-
tant peut se manifester cest leffet Zener.
On conoit des diodes Zener spciales pour obtenir, contrler et garantir les para-
mtres souhaits :
la tension de claquage appele souvent tension Zener Vz ;
la rsistance dynamique de claquage r z appele aussi rsistance Zner ;
le courant minimal de la zone de claquage Izmin ;
le courant maximal de claquage Izmax .
EXERCICES
Exercice 1.1 Application du modle linaris dune diode

On fait une approximation de la caractristique dune diode par la courbe
donne la figure 1.20 (a). Cette diode est utilise dans le circuit de la
figure 1.20 (b).
1. Tracer la droite de charge du circuit et dterminer le point de fonction-
nement de la diode. On donne R = 50 V et E = 12 V.
2. Comment varie la droite de charge si la tension E varie dune quan-
tit gale 2 V ? En dduire la rsistance dynamique au point de repos
choisi.
3. On laisse la tension continue E = 12 V laquelle on superpose une
tension alternative basse frquence v B F damplitude gale 100 mV ? Cal-
culer la tension alternative de sortie VS .
ID (mA)
2R D
25
E 2R R VS
VD (v)
0,6 0,8
(a) (b)
Figure 1.20 Caractristique de la diode (a) et circuit utilis (b)

Exercices 27
Solution
1. Droite de charge et point de fonctionnement
Pour tracer la droite de charge, on commence par transformer la partie du circuit
compose par la tension dentre E, et les rsistances 2R et 2R en un gnrateur de
Thvenin quivalent. On trouve :
2R E 2R 2R
E TH = E= et RTH = =R
2R + 2R 2 2R + 2R
La diode se trouve donc en srie avec une rsistance totale gale 2R et alimente
par une tension de Thvenin gale E/2. Lquation lectrique devient :
E
E TH = VD + RTH I soit : = VD + 2R I
2
Il sagit dune droite qui passe par les points :

E E
,0 et 0,
2 4R
E E
Application numrique. = 6 V; = 30 mA
2 4R
On peut dterminer graphiquement les coordonnes du point de fonctionnement,
mais on prfre utiliser la solution mathmatique qui consiste trouver lintersec-
tion de deux droites.
La premire droite est la droite de charge donne par :
VD 6
I =
+
100 100
La deuxime droite est la droite donne par la caractristique de la diode :
I = aVD + b
Par identification, on dtermine pour les deux points :
25 mA = a 0,7 + b et : 0 mA = a 0,6 + b
Soit : 25 mA = a 0,1 ou bien : a = 250 103 V1
et b = 250 mA 0,6 = 150 mA

I (mA)
60 Point de fonctionnement
R D Droite de charge
E R VS
2
V (v)
0,6 6
Figure 1.21 Gnrateur de Thvenin quivalent 1a et droite de charge 1b.
La deuxime droite a pour quation :

I = 250 103 VD 150 mA
Le point dintersection est obtenu en galisant les deux quations ce qui donne :
VD 6
250 103 VD 150 mA = +
100 100
V 6
250 103 VD +
D
On en dduit = + 150 mA
100 100
Les coordonnes du point de fonctionnement sont donc : (0,807 V ; 61,93 mA )
2. Calcul de la rsistance dynamique
Lorsque la tension E varie dune quantit gale 2 V, lquation de la droite de
charge reste la mme, il suffit de remplacer E par sa nouvelle valeur :
E 2
= VD + 2R I soit : 6 1 = VD + 2R I
2
La pente de la droite de charge reste la mme, ce qui se traduit par : la droite de

charge se dplace paralllement elle-mme.
I (mA)
V (v)
0,6 V 5 6 7
Figure 1.22 Variation de la droite de charge.
Exercices 29
On en dduit la rsistance dynamique au point de repos choisi. Il suffit de calculer

le rapport de la variation de tension sur la variation du courant. Or, le point de fonc-
tionnement se trouve sur la partie linaire de la caractristique courant-tension de la
diode.
DV 0,8 0,6
rD = = =8V
DI 25 103 0
3. Schma quivalent en dynamique et calcul de la sortie
Lorsquon laisse la tension continue E = 12 V laquelle on superpose une tension
alternative basse frquence damplitude gale 100 mV, il suffit de remplacer dans
le schma utilisant Thvenin, la diode par sa rsistance dynamique quivalente :
2R D R rD
E 2R R VS E R VS
2
Figure 1.23 Schma rel et schma quivalent en dynamique.
Il suffit donc dappliquer le diviseur de tension en dynamique pour trouver VS :

R 50
VS = vB F = 100 mV = 46,3 mV
R + rD + R 108
Exercice 1.2 Redressement et filtrage

On connat les dfinitions de la valeur moyenne dune tension priodique
quelconque ainsi que la dfinition de sa valeur efficace :

1 T
Valeur moyenne : U = u (t) dt et
T 0


1 T 2 2 1 T 2
Valeur efficace : Ueff = u (t) dt ou : Ueff = u (t) dt
T 0 T 0
On peut considrer quune tension priodique quelconque est la somme
dune composante continue note U= et dune composante alternative dont
la valeur efficace est note Ueff . La valeur efficace Ueff du signal est don-
ne par :
2 2 2
Ueff = U= + Ueff
Si on redresse une tension, cest souvent pour passer dune tension alterna-
tive une tension continue. Le taux dondulation caractrise lefficacit de
ce passage :
valeur efficace de la composante alternative Ueff
t= =
composante continue U=
Soit le montage redresseur double alternances de la figure 1.24 (a).

1. Expliquer le fonctionnement et calculer le taux dondulation dans le cas
du redressement double alternance de e(t).
On prend une tension dentre note : e (t) = E sin (vt).
2. Calculer le taux dondulation dans le cas dun redressement simple alter-
nance de e(t).
3. Dans ce dernier cas, le redressement est suivi dun filtrage par rsistance
et condensateur en parallle. On suppose que le temps de charge est nul et
que la constante de temps RC est trs grande par rapport la priode T de
e(t).
Calculer le taux dondulation pour RC = 20T .
D D
4 1 D
e(t)
R V e(t) C R V
D D R R
2 3
(a) (b)
Figure 1.24 Redressement double alternance (a)
et simple alternance avec filtrage (b).
Solution
1. Taux dondulation du redressement double alternance
On tudie le cas du redressement double alternance. On note la tension redresse :
u(t) = VR (t). Sachant que e(t) = E sin(vt), on fait un changement de variable :
vt = u.
Pendant lalternance positive, le courant dlivr par la source e(t) passe par la diode
D1 , la rsistance R et enfin la diode D2 . Pendant lalternance ngative, le courant
dlivr par la source e(t) passe par la diode D3 , la rsistance R et enfin la diode D4 .
La tension redresse tant identique la premire alternance de e(t) mais rpte
deux fois. La valeur moyenne devient :
p
1 T 2 E p
U= u (t) dt = E sin (u) du = cos (u) 0
T 0 2p 0 p
E 2E
U= cos (p) + cos (0) =
p p
De mme, le calcul de la valeur efficace sobtient en calculant :

2 1 T 2 E2 2 2 E 2 2 1 cos (2u)
Ueff = u (t) dt = p sin (u) du = p du
T 0 2p 0 2p 0 2
E2 2p E2
2
Ueff = (2p 0) sin (2u) 0 =
4p 2
Exercices 31
E E Max
On en dduit : Ueff = =
2 2
Le taux dondulation devient :
Ueff 2 2 2
t= avec : Ueff = U= + Ueff
U=
2
Ueff p2
Soit : t2 = 2
1 = 1 = 0,23, on trouve : t = 0,48 ou 48 %
U= 8
2. Taux dondulation du redressement simple alternance
On utilise le mme raisonnement. On a une alternance sur deux qui passe, lautre est
limine par la diode.
E E
U= [ cos (p) + cos (0)] =
2p p
2
E E2
2
Ueff = (p 0) [sin(2u)]p
0 =
4p 4
E E Max
On en dduit : Ueff = =
2 2
Ueff 2 2 2
Le taux dondulation devient : t= avec : Ueff = U= + Ueff
U=
2
Ueff p2
Soit : t2 = 2
1 = 1 = 1,46, on trouve : t = 1,21 ou 121 %.
U= 4
3. Taux dondulation du redressement simple alternance et filtrage
Dans le cas du redressement simple alternance suivi dun filtrage RC, on peut calcu-
ler londulation rsiduelle en faisant les hypothses suivantes :
la dcharge de la capacit C dans la rsistance R se fait courant constant (cest-
-dire lexponentielle est assimile une droite, ceci est vrai lorsque RC T ) ;
le temps de dcharge de la capacit est gale une priode T .

Le signal ainsi obtenu est un signal en dents de scies (charge rapide et dcharge trs
lente).
E
Si on suppose que le courant de dcharge est constant, sa valeur vaut : I = .
R
La variation de la tension est :
DQ I T E T ET
DU = DVR = = = =
C C R C RC
Or, la valeur efficace (une fois supprime la composante continue) dune tension en
dents de scie est :
DU ET
DUeff = avec : DU =
3 RC
u() u() u()
E E E

0 2 0 2 0 2
(a) (b) (c)
Figure 1.25 Reprsentation dun signal redress double alternance (a), simple alternance (b) et
simple alternance suivi dun filtrage RC (c).
La valeur moyenne de la tension en sortie est :
DV ET E (2RC T )
U= = E =E =
2 2RC 2RC
Le taux dondulation devient :

ET
DUeff 1 1 2T
t= = RC =
U= 3 2RC T 3 2RC T
E
2RC
1 2T 2
Application numrique. t = = 2,9 %
3 2 20 T T 39 3
Exercice 1.3 Limitations des tensions par diodes

Soit les montages de la figure 1.26.
R R R
+
U
D V D V 0 V
e D e D e
D
(a) (b) (c)
R R
+ '
U U U
0 V 0 0 V
e S e S
D D D
(d) (e)
Figure 1.26 Diffrents circuits tudier.

Exercices 33
Nous supposons que la tension dentre est de forme triangulaire et de

grande amplitude E. Expliquer le fonctionnement des montages et repr-
senter les tensions de sortie VD et VS en fonction du temps.
Application numrique. E = 10 V, U0 = 5 V et U0 = 5 V.
Solution
1. Cas des montages de la figure 1.26 (a) et (b)
Dans le cas du montage de la figure 1.26 (a), lorsque la tension dentre est posi-
tive mais infrieure 0,6 V, la diode ne laisse pas passer le courant (en ralit le
courant est trs faible), la chute de tension sur la rsistance R est nulle (en ralit
ngligeable). On retrouve pratiquement toute la tension dentre aux bornes de la
diode.
Ds que lentre dpasse 0,6 V, le courant devient important et la chute de tension sur
la rsistance R augmente, la tension aux bornes de la diode reste pratiquement gale
0,6 V.
Pour une tension dentre ngative, aucun courant ne circule dans la diode ce qui se
traduit par labsence de chute de tension sur R. Toute la tension dentre se trouve
applique sur la diode.
10 V 10 V
t t
-0,6 V
-10 V -10 V
(a) (b)
Figure 1.27 Allure de la tension dentre et de sortie pour les montages (a) et (b).
En ce qui concerne le montage de la figure 1.26 (b), la diode tant monte en inverse
par rapport au premier cas. Le rsonnement reste valable. Pour les tensions ngatives,
la diode limite la tension 0,6 V et pour les tensions positives, toute la tension est
Suivant le sens de la diode, on obtient soit un crteur 0,6, soit un baseur 0,6 V.
2. Cas des montages de la figure 1.26 (c) et (d)
Lorsque la tension dentre est positive mais infrieure U0 + 0,6 V, la diode ne
conduit pas (diode non passante), la chute de tension sur la rsistance R est ngli-
geable. On retrouve pratiquement toute la tension dentre aux bornes de la diode.
Ds que lentre dpasse U0 + 0,6 V, le courant devient important et la chute de ten-

sion sur la rsistance R augmente, VD reste pratiquement fige la valeur U0 + 0,6 V.
Pour une tension dentre ngative, aucun courant ne circule dans la diode ce qui se
traduit par labsence de chute de tension sur R. Toute la tension dentre se trouve
10 V 10 V
5,6 V
t t
-5,6 V
-10 V -10 V
(c) (d)
Figure 1.28 Allure de la tension dentre et de sortie pour les montages (c) et (d).
En ce qui concerne le montage de la figure 1.26 (d), la diode tant monte en inverse
par rapport au premier cas. Le rsonnement reste valable. Pour les tensions ngatives,
la diode limite la tension (U0 + 0,6 V) et pour les tensions positives, toute la
tension se trouve applique sur la diode.
Les montages prcdents sont des limiteurs de tensions.
3. Cas du montage de la figure 1.26 (e)
Le cas du montage de la figure 1.26 (e) combine les deux montages prcdents des
figures 1.26 (c) et (d). On obtient ainsi un circuit qui crte et base lentre deux
niveaux quelconques, le premier niveau est situ U0 + 0,6 V et lautre est situ
(U0 + 0,6 V).
10 V
5,6 V
-5,6 V
-10 V
(e)
Figure 1.29 Allure de la tension dentre et de sortie pour le montage (e).

Exercices 35
Exercice 1.4 Dtection crte et doubleur de tension

Soit les montages de la figure 1.30.
Dterminer pour chaque montage, dans le cas dune tension dentre tri-
angulaire et de forte amplitude (on nglige 0,6 V devant E) les diffrentes
tensions indiques.
VD VD VC1 V D2
D D C1 D2
C VC C VC D1 VD1 C2 VC2
e e e
(a) (b) (c)
Figure 1.30 Trois montages diodes condensateurs.
Solution
1. Cas des montages de la figure 1.30 (a) et de la figure 1.30 (b)
On suppose que le condensateur est initialement dcharg. Dans le cas du montage
de la figure 1.30 (a), lorsque la tension dentre est positive, la diode commence
conduire, le condensateur dcharg joue le rle dun court-circuit, le courant qui
passe commence charger le condensateur. Ce phnomne va durer jusqu linstant
T /4 pour laquelle la tension dentre arrive sa valeur maximale. cet instant, si on
nglige 0,6 V devant E, le condensateur est charg +E.
VC(t)
2E
E
VD(t)
e(t)
t E
T/4 T/2
e(t)
-E
t
T/2 3T/4
VD(t)
-E
-2E
VC(t)
(a) (b)
Figure 1.31 Allure de la tension dentre, de VD et de VC pour les montages (a) et (b).
Ds que la tension dentre commence baisser, la diode se trouve bloque et le

condensateur garde sa charge. Cet tat demeure, car mme au cours des alternances
positives suivantes, on a toujours la diode qui est bloque. La tension aux bornes de
la diode est :
U D = e(t) E
Si on met la diode dans le sens inverse (figure 1.30 (b)), entre les temps 0 et T /2, la
diode reste bloque, le condensateur ne se charge pas. Entre T /2 et 3T /4, la diode
conduit et le condensateur se charge jusqu atteindre la valeur E. Puis la diode se
bloque dfinitivement comme pour le premier montage et garde sa charge.
Les montages ainsi raliss reprsentent des dtecteurs de crtes lorsque la tension
considre est celle qui se trouve aux bornes du condensateur. Lorsquon choisit de
prendre la tension aux bornes de la diode, on obtient un verrouillage de cette tension
au-dessous (a) ou au-dessus (b) de zro.
2. Cas du montage de la figure 1.30 (c)
On suppose que le condensateur est initialement dcharg. Dans le cas du montage
de la figure 1.30 (c), on combine deux circuits analogues ceux utiliss pour le mon-
tage a et le montage b. En effet, le circuit form par la diode D1 et le condensateur
C1 permet de verrouiller la tension aux bornes de la diode au-dessus de zro.
Le condensateur C1 se charge donc : VC1 (t) = E
La tension aux bornes de D1 est : VD1 (t) = e(t) + E
Le condensateur C2 se charge donc : VC2 (t) = + 2E
La tension aux bornes de D2 est : VD2 (t) = e(t) E
En prenant la sortie aux bornes du condensateur C2 , Le montage ainsi ralis repr-
sente un doubleur (ou multiplicateur par deux) de la tension. On peut associer un
certain nombre de cellules pour obtenir un multiplicateur par 4 ou par 8 de la valeur
crte de la tension dentre.
VC2(t)
2E
VD1(t)
e(t)
t
T/2 3T/4
-E
VC1(t)
Figure 1.32 Principe de la multiplication de la tension par deux.
Exercice 1.5 Module dlvation au carr diodes

On dsire obtenir une caractristique courant tension I = f (E) de
forme parabolique comme indique la figure 1.33 (a). On se limite
une tension maximale de 4 volts. Le montage utilis est donn la
figure 1.33 (b). On suppose que les diodes sont idales (sans seuils) et
que E 1 < E 2 < E 3 < E 4 .
Exercices 37
Dterminer les valeurs des diffrentes tensions et des rsistances.

I (mA)
25
9 I
4 E R1 R
2 R3 R4
E1 E2 E3 E4
1 E
1 2 3 4
(a) (b)
Figure 1.33 Caractristique demande (a) et circuit utilis (b).
Solution
Il va de soi, quaucun courant ne peut circuler dans le montage lorsque la tension E
est ngative.
1. Calcul de E1 et R1
Pour une tension 0 E 1 V, la caractristique courant-tension est une droite qui
passe par lorigine. Autrement dit, ds que la tension E devient positive, la diode D1
devient passante et un courant I circule. Ceci est impossible si E 1 nest pas nulle.
En effet, lexpression du courant I est :
E E1
I = I1 =
R1
Pour une tension E = 0, le courant est :

E
I1 = = 0, ce qui impose : E 1 = 0
R1
Pour une tension E = 1 V, le courant est : I1 = 1 mA.
On en dduit la valeur de la rsistance R1 :
E 1V
R1 = = = 1 kV
I1 1 mA
Pour une tension 1 V E 2 V, la caractristique courant-tension devient une
droite qui passe par le point de coordonnes (1 mA, 1 V) et le point de coordonnes
(4 mA, 2 V). Autrement dit, ds que la tension E dpasse la valeur de E 1 , la diode
D2 devient passante et un courant I2 circule dans cette diode.
Les expressions des courants qui circulent sont : I = I1 + I2 .

E E1 E E2 E E1 E E2
Avec : I1 = ; I2 = ; I = +
R1 R2 R1 R2
Pour le point de coordonnes (1 mA, 1 V), on utilise ces valeurs dans lquation
prcdente :
1 0 1 E2 1 E2
103 = 3
+ = 103 + , on en dduit : E2 = 1 V
10 R2 R2
prcdente :
20 21 1
4 103 = + = 2 103 + , on en dduit : R2 = 500 V
103 R2 R2
(9 mA, 2 V). Autrement dit, ds que la tension E dpasse la valeur de E 2 , la diode
Les expressions des courants qui circulent sont : I = I1 + I2 + I3 .
E E1 E E2 E E3
Avec : I1 = ; I2 = ; I3 =
R1 R2 R3
E E1 E E2 E E3
Soit : I = + +
R1 R2 R3
prcdente :
2 0 2 1 2 E3
4 103 = + + , on en dduit : E3 = 2 V
103 500 R3
prcdente :
30 31 32 1
9 103 = 3
+ + = 7 103 + , on en dduit : R3 = 500 V
10 500 R3 R3
(16 mA, 4 V). Autrement dit, ds que la tension E dpasse la valeur deE 3 , la diode
Exercices 39
Les expressions des courants qui circulent sont : I = I1 + I2 + I3 + I4 .
E E1 E E2 E E3 E E4
Avec : I = + + +
R1 R2 R3 R4
prcdente :
3 0 3 1 3 2 3 E4
9 103 = + + + , on en dduit : E3 = 3 V
103 500 500 R4
prcdente :
40 41 42 43 1
16 103 = 3
+ + + = 18 103 + ,
10 500 500 R4 R4
on en dduit :
R4 = 500 V
Exercice 1.6 Dtection quadratique par diode capacit
La figure 1.34 reprsente le montage dune dtection quadratique. Soit une
diode jonction idale, dont la relation I = f (V ) est donne par lqua-
tion, utilise dans le montage prcdent.
KT
On pose : VT = = 26 mV la temprature ambiante
q
1
On suppose que :V VT et 0
Cv
i
v(t) = V cos(t) A C
Figure 1.34 Dtection quadratique par diode capacit.
Solution
La tension rsiduelle alternative aux bornes du condensateur C est ngligeable. Dans
ces conditions, on a : v(t)
i = I S e VT 1
Puisque E VT , le dveloppement limit de lexponentiel nous permet dcrire :

v(t) v (t) 1 (v (t))2
e VT 1 + + +
VT 2 VT2

v (t) 1 (v (t))2
Soit i IS + +
VT 2 VT2
Or, sachant que : v (t) = V cos (vt), le courant devient :

V cos (vt) 1 V 2 cos2 (vt)
i IS + +
VT 2 VT2
cos (2vt) + 1
On sait que cos2 (vt) =
2
En remplaant dans lexpression prcdente, on trouve :
2
V V V2
i = IS + cos (vt) + cos (2vt)
4VT2 VT 4VT2
Le micro-ampremtre va indiquer un courant continu gal i (les composantes alter-
natives tant supposes court-circuites par le condensateur C). On a donc :
V2
i = Is
4VT2
Le courant dtect par la diode est proportionnel au carr de la tension dattaque,
kT
pour les faibles valeurs de cette tension (V VT = 26 mV).
q
On a ralis une dtection quadratique, proportionnel la puissance (et non la
tension) du gnrateur dattaque.
Exercice 1.7 Rgulation dune tension par diode Zener

Soit le montage de la figure 1.35. Il sagit de la rgulation par diode Zener,
de la tension de sortie aux bornes de la rsistance dutilisation RU .
1. On suppose que la diode est idale, avec : VZ = 10 V et r Z = 0, La
tension dentre est une tension continue qui varie entre 15 et 20 V, la rsis-
tance dutilisation RU est une rsistance fixe de 200 V.
Le courant dans la diode Zener doit tre dintensit suprieure ou gale
5 mA. Calculer la valeur de la rsistance srie R S .
2. On garde la valeur de R S et on suppose maintenant que RU est une
rsistance qui varie de 200 V 2 kV.
Calculer les valeurs limites du courant I et du courant I Z . En dduire les
puissances dissipes dans la diode Zener et dans R S .
Exercices 41
3. La diode Zener possde maintenant une rsistance dynamique r z = 20 V

et une tension Zener de 10 V.
Donner le schma quivalent du circuit calculer les coefficients de rgula-
tion amont a et aval l.

DUU DUU
a= ; l=
DE IU =Cte DIU E=Cte
I RS IU
IZ
E RU
Figure 1.35 Rgulation par diode Zener.
Solution
1. Calcul de la valeur de la rsistance srie R S
Puisque le courant dans la diode Zener doit tre suprieur ou gal 3 mA et sachant
que la tension VZ = 10 V, On raisonne sur la valeur minimale E min de la tension E :
UU = U Z = 10 V = E min R S I = E min R S (I Z + IU )
Or, le courant dutilisation dans la charge est :

UU UZ 10
IU = = = = 50 103 = 50 mA
RU RU 200
E min U Z 15 10
On en dduit RS = = = 90,90 V
I Z + IU (5 + 50) 103
En ralit, il faut prendre une valeur normalise, mais pour cet exercice on garde cette
valeur pour les autres questions.
2. Calcul des valeurs limites de I et de I Z
Le courant maximal dlivr par la source de tension E est Imax :
E max U Z 20 10
Imax = = = 110 mA
RS 90,90
Le courant minimal dlivr par la source de tension E est Imin :

E min U Z 15 10
Imin = = = 55 mA
RS 90,90
Or, le courant dutilisation varie entre la valeur min IU min et la valeur max IU max :
UU 10
IU min = = = 5 103 = 5 mA
RU max 2 103
UU 10
IU max = = = 50 103 = 50 mA
RU min 200
On en dduit I Z min = Imin IU max = 55 103 50 103 = 5 mA et,

I Z max = Imax IU min = 110 103 5 103 = 105 mA
La puissance maximale dissipe par la diode Zener est :

PZ max = I Z max VZ = 105 103 10 = 1,05 W
Il faut choisir donc une diode Zener, qui supporte cette puissance et qui supporte le
courant maximal I Z max . La puissance maximale dissipe par la rsistance srie est :
2
2
PRmax = Imax R S = 110 103 90,9 = 1,1 W
Il faut choisir donc une rsistance, qui supporte cette puissance. Les rsistances habi-
tuelles sont souvent des rsistances qui supportent 0,5 watt.
3. Calcul des coefficients de rgulation amont a et aval l
Le schma quivalent du montage est :
I RS IU
IZ
RZ
E RU
VZ
Figure 1.36 Schma quivalent du montage de rgulation par diode Zener.
On peut crire les expressions suivantes :
E = R S I + R Z I Z + VZ ; IU = I I Z ; UU = R Z I Z + VZ
Exercices 43
UU VZ
On en dduit E = R S IU + R S I Z + UU ; IZ =
RZ

RS RS
Ce qui donne E = R S IU + 1 + UU VZ
RZ RZ
si E est une constante, toute variation de la charge RU (ce qui revient une variation
du courant IU ), saccompagne dune variation de la tension de sortie UU . Lexpres-
sion prcdente scrit :

RS RS
E R S IU = 1 + UU VZ
RZ RZ

RS
Ce qui donne 0 R S d IU = 1+ dUU 0
RZ
Finalement, on trouve :

dUU RS R Z 20 90,9
l= = = = 16,5 V = ri
d IU E=cte RS + R Z 110,9
Le signe signifie que les variations du courant et de la tension sont en sens

inverse. Lorsque lune augmente, lautre diminue et vice versa.
Avec ri qui reprsente la rsistance interne du rgulateur.
si I S est une constante, toute variation de la tension E saccompagne dune variation
de la tension de sortie UU . Lexpression prcdente scrit :

RS RS
E = 1+ UU VZ + R S IU
RZ RZ

RS
Ce qui donne d IU = 1+ dUU 0 + 0
RZ
Finalement, on trouve

dUU RZ 20
= = = 0,18.
d E IU =cte RS + R Z 90,90 + 20
Chapitre 2
Les transistors
Gnralement en lectronique, en lectrotechnique et en automatique, on est amen

utiliser des composants actifs en vue de raliser une fonction particulire telle
que lamplification ou ladaptation dimpdance. Pour tudier ce genre de circuit,
les composants actifs doivent tre remplacs par leurs modles quivalents, valables
souvent uniquement en dynamique petits signaux. On tudie dans ce chapitre les
transistors bipolaires, les transistors effet de champ et les transistors MOS.
2.1 LES TRANSISTORS BIPOLAIRES

2.1.1 Classification des transistors
Les transistors sont raliss par la jonction de diffrentes zones de semi-conducteurs
de types N et de type P. Il existe deux grandes classes de transistors.
(+) () (+)
B G (0) G (0) G
(++) (++)
S S
(++) (0) (+) D D
P SiO2 SiO2
E N P N C S N N D
P N N N N
(0) P P
substrat substrat
C D D D
B G G G
S S S
E
enrichissement enrichissement - appauvrissement
1444444444244444444443
Bipolaire J-FET MOS-FET
1444444444244444444443
Transistors FET
Figure 2.1 Aperu des diffrents types de transistors.

2.1 Les transistors bipolaires 45
Les transistors bipolaires sont constitus de trois zones de semi-conducteurs :

une zone N, une zone P et une zone N, pour un transistor NPN, (ou bien une
zone P, une zone N et une zone P, pour un transistor PNP).
Les transistors unipolaires dans lesquels un seul type de porteurs de charge est
responsable du passage du courant. Ce sont les transistors effet de champ ou
transistors F.E.T. (Field Effect Transistors). Ces transistors se rpartissent eux-
mmes en deux groupes : les JFET et les MOS.FET. Les MOS.FET se sub-
divisent encore en MOS.FET enrichissement et MOS.FET enrichissement-
appauvrissement.
2.1.2 Les transistors bipolaires

Un transistor bipolaire est constitu dun monocristal de semi-conducteur (principa-
lement le silicium) dop pour obtenir deux jonctions, disposes en srie et de sens
oppos. Il existe donc deux types fondamentaux de transistors bipolaires, dits com-
plmentaires :
les transistors NPN dans lesquels une mince couche de type P est comprise entre
deux zones de type N : figure 2.2 (a) ;
les transistors PNP dans lesquels une mince couche de type N est comprise entre
deux zones de type N : figure 2.2 (b).
Base Base
Emetteur Coll ecteur Emetteur Coll ecteur
N P N P N P
C C
B B
E E
(a) (b)
Figure 2.2 Reprsentations schmatiques et symboles des transistors bipolaires.

46 2 Les transistors
a) Dfinitions
La couche intermdiaire est appele base. Cette couche est trs mince et est
lgrement dope. Les porteurs majoritaires sont donc en quantit assez faible.
Lune des deux autres zones est appele metteur. Il sagit de la zone la plus
dope du transistor. Son rle consiste injecter des porteurs (lectrons dans le
cas dun transistor NPN) dans la base.
La dernire zone qui est de mme type que lmetteur est appele collecteur.
Son dopage est plus faible que celui de lmetteur et sa gomtrie est diffrente.
Le rle principal du collecteur est de recueillir les porteurs.
Le transistor est donc un composant trois bornes (triple) relies respectivement

lmetteur, la base et au collecteur. Sa reprsentation schmatique, ainsi que les
symboles normaliss sont donns la figure 2.2 pour les deux types.
b) Leffet transistor
Ltude sera mene sur un transistor bipolaire de type NPN qui est le plus utilis et
le plus facile raliser. Le fonctionnement dun transistor de type PNP se dduit en
changeant les rles des lectrons ainsi que des trous et en inversant les signes des
tensions dalimentation et des courants.
Le transistor non polaris

Prenons le cas de trois zones NPN mises cte cte mais lectriquement isoles
lune de lautre, nous aurons la situation de la figure 2.3 (a). Supposons maintenant
que ces zones ne sont plus isoles lune de lautre, les lectrons libres diffusent
travers les deux jonctions ce qui donne deux zones de dpltion (figure 2.3 (b)). Ces
zones de transition reprsentes en hachur sont dpourvues de porteurs majoritaires
et la barrire de potentiel pour chacune delles est denviron 0,6 0,7 volt.
Or, puisque les trois rgions dopes nont pas la mme concentration, la zone de
dpltion pntre peu dans lmetteur qui est fortement dop mais profondment
dans la base qui est trs peu dope. Du ct du collecteur, la pntration de la zone
de dpltion sera moyenne.
Zone de dpltion
Emetteur Base Collecteur
----- ++-------- ---- -------
----- ++-------- ---- -------
----- ++-------- ---- -------
(a) (b)
Figure 2.3 Transistor bipolaire NPN non polaris.

Leffet transistor : gain en courant b

Parmi les diffrentes faons de polariser un transistor de type NPN, une seulement,
prsente un intrt primordial. Si nous polarisons la jonction metteur-base en direct
et la jonction collecteur-base en inverse, nous obtenons la configuration visible sur la
figure 2.4.
Em ette ur Ba se Co llec teur
N P N
Flu x
d' lect rons
- + - +
V EE V CC
Figure 2.4 Polarisation directe et principe de leffet transistor.
En premier lieu, supposons que seule la jonction BC soit polarise et quelle le soit
en inverse. Elle est traverse par un courant trs faible d aux porteurs minoritaires
appel IC B0 .
Polarisons maintenant la jonction base-metteur en direct. Les lectrons qui sont
majoritaires dans la rgion de lmetteur (type N) diffusent en grande quantit tra-
vers la jonction metteur-base, polarise en direct, crant ainsi un courant metteur
I E . Les lectrons de lmetteur traversent en majorit la base et arrivent jusquau
collecteur. Ainsi lmetteur injecte ou met des porteurs majoritaires et le
collecteur les collecte.
Nous appelons a la proportion des lectrons dans le cas du transistor NPN mis
par lmetteur, qui parviennent jusquau collecteur ; a est gnralement proche de
lunit. Le courant total devient :
IC = aI E + IC B0 aI E I E
lquilibre, nous navons pas de variation de charges lintrieur du transistor.
En choisissant les sens des courants conformment la convention des rseaux (tout
courant qui arrive un nud est positif et tout courant qui en sort est ngatif), nous
pouvons crire la loi de Kirchhoff :
I E + I B + IC = 0,
En liminant I E on obtient :
IC = a(I B + IC ) + IC B0
aCC 1
Do : IC = IB + IC B0
1 aCC 1 aCC
aCC
On pose : b=
1 aCC
1
Soit : IC = bCC I B + IC B0 bCC I B
1a
Cette dernire relation caractrise leffet transistor : en injectant un courant I B trs
faible dans la base, nous commandons un courant de collecteur IC beaucoup plus
intense. b varie dans de grandes proportions dun transistor lautre. En effet, b
dpend surtout de la diffrence de dopage entre lmetteur et la base ainsi que de
celle-ci. Mais une temprature fixe, b reste peu prs constant pour un transistor
donn et pour une large variation du courant IC .
c) Fonctionnement en statique en metteur commun

Gnralement, le transistor qui est un composant trois bornes est utilis en tant que
quadriple amplificateur. Dans la plupart des applications, une des bornes est com-
mune lentre et la sortie. On a donc trois possibilits de montage de transistor :
le montage metteur commun, le montage base commune et le montage collecteur
commun. Ltude sera aborde dans un premier temps en courant continu : cest le
rgime statique, ou de polarisation.
Parmi les trois montages fondamentaux, le montage dit en metteur commun est
de loin le plus utilis. Avec cette configuration, les grandeurs dentre sont le cou-
rant de base I B et le potentiel de celle-ci par rapport celui de lmetteur VB E . Les
variables de sortie sont le courant collecteur IC et le potentiel entre le collecteur et
lmetteur VC E .
Caractristique dentre IB = f(VBE ) UCE = Cte

Ds que la tension entre collecteur et metteur dpasse 0,7 volt, la jonction base-
collecteur devient polarise en inverse et le transistor est en fonctionnement normal.
La caractristique dentre est une caractristique de diode en direct allure expo-
nentielle. qVB E qVB E
I B = IS e K T 1 IS e K T
Le rseau dentre I B = f (VB E ) se rduit dans la pratique une seule courbe, toutes
les courbes tant confondues.
Caractristiques de transfert IC = f(IB ) VCE = Cte

On a vu que le courant collecteur scrit :
aCC 1
IC = IB + IC B0
1 aCC 1 aCC
1
Avec : IC E0 = IC B0
1 aCC
Le courant IC E0 peut tre mesur en dconnectant la base (I B = 0) avec une ten-
sion VC E positive de sorte que les jonctions soient normalement polarises. Cest un
courant de lordre dune centaine de mA. Ce courant est donc gnralement ngli-
geable devant IC qui est de lordre du mA.
La caractristique IC = f (I B ) ne passe pas par lorigine, mais par IC E0 , qui est trs
proche de lorigine. Elle prsente une lgre courbure pour des courants du collecteur
trs faibles et tend vers une droite ds que le courant IC dpasse quelques centaines
de mA.
En ralit, le gain en courant bCC croit lgrement avec la tension VC E car la lar-
geur de la zone de dpltion de la jonction base - collecteur augmente aussi. Dautre
part, le gain en courant augmente avec le courant IC avant de baisser de nouveau pour
des courants de collecteur assez levs.
IC
IB VCE
0
BVCE0
VBE
Figure 2.5 Rseau de caractristiques dun transistor bipolaire NPN.
Caractristiques de sortie IC = f(VCE ) IB = Cte

Ds que la tension VC E devient suffisamment positive pour que les deux jonctions
soient normalement polarises, on a :
IC = bCC I B + IC E0
Si le gain en courant tait rigoureusement constant, les caractristiques seraient des

droites horizontales et quidistantes pour des intervalles DI B gaux. En ralit on
retrouve les dfauts des caractristiques de transfert. Pour une tension entre le col-
lecteur et metteur gale une constante, il y a une courbure de la caractristique de
transfert et les caractristiques de sortie ne sont pas rigoureusement quidistantes. De
plus, elles montent lgrement avec la tension VC E , ce qui traduit la lgre croissance
de b avec VC E .
En effet lorsque la tension VC E augmente, tant donn que VB E est faible, VC B sui-
vra sensiblement les mmes variations. Or une augmentation de la tension collecteur-
base modifie les dimensions de la zone de charge despace et rduit par consquent
lpaisseur de la base, ce qui aura comme effet une diminution des recombinaisons
des porteurs dans la base. Ceci se traduit par une augmentation apparente de a et
de b avec VC E . Ce phnomne a t signal par Eurly en 1952 et porte son nom.
Les caractristiques IC = f (VC E ) sont limites par deux zones proches des axes
quil nest pas possible dutiliser (figure 2.5) :
une zone (ou caractristique) de saturation qui est proche de laxe des courants
IC . Cette zone correspond au cas ou les deux jonctions sont polarises en direct ;
une zone (ou caractristique) de blocage qui est proche de laxe des tensions
VC E et obtenue pour un courant de base nul I B . Il nest pas possible davoir I B
ngatif cause de la jonction base metteur.
Dans ces deux zones, on sort du rgime de fonctionnement normal du transistor et
il faut toujours vrifier (sauf dans le cas de la commutation), que lon est loign de
ces rgions dans le montage tudi.
Caractristiques V BE = f(VCE ) IB = Cte

Les caractristiques VB E = f (VC E ) I B = Cte prsentent peu dintrt et se pr-
sentent sous forme de droites pratiquement horizontales. La tension base-metteur
ne dpend pratiquement pas de la tension entre collecteur et metteur ds que cette
tension dpasse 1 volt.
d) Limites dutilisation dun transistor

Le transistor tant constitu de deux jonctions, il est possible de dterminer les limites
dutilisation de celui-ci partir de celle de la diode. Cest--dire le courant maximum
dans une jonction ainsi que la tension inverse maximale quon peut utiliser sans avoir
de claquage.
Tensions de claquage
Nous avons vu lexistence des courants de fuites IC E0 (en base commune et metteur
ouvert) et IC B0 (en metteur commun et base ouverte). Si on augmente exagrment
les tensions, les courants de fuites augmentent par effet avalanche et peuvent tre la
cause de la destruction de transistor par chauffement. Ces tensions ne pas dpasser
sont donnes par le constructeur et sont gnralement notes BVC E0 et BVC B0 (BV
est labrviation de Breakdown Voltage).
Courant maximum
Le courant maximum du collecteur doit rester infrieur une certaine valeur ICmax
sous peine de destruction du transistor.
Puissance maximum
La puissance dissipe par un transistor au repos est donne par la formule suivante :
P = VB E I B + VC E IC VC E IC < Pmax
Cette puissance est limite cause de lchauffement du transistor. La temprature

maximale de la jonction ne doit pas dpasser 200 C dans le cas du silicium.
IC
I B = const
I Cmax
P max
IB = 0
0 VCEmax VCE
Figure 2.6 Zone de fonctionnement dun transistor.
2.1.3 Polarisation dun transistor NPN

a) Gnralits
Mis part le cas particulier dun amplificateur continu, un transistor sert gnrale-
ment amplifier un petit signal de forme quelconque variable dans le temps. Or pour
pouvoir remplir son rle, le transistor doit tre polaris correctement et en plus le
transistor doit pouvoir rcuprer de lnergie. Cette nergie provient gnralement
dune source de tension continue.
Polariser un transistor cest lui fixer un ensemble de valeurs caractrisant son tat
de fonctionnement. Or ltat dun transistor sera dfini par la connaissance de trois
courants IC , I E et I B dune part, et de trois tensions VC E , VC B et VB E dautre part.
Ces six paramtres ne sont pas tous indpendants puisque :
IC + I B + I E = 0 et VC E + VE B + VBC = 0
Il ny a donc que 4 paramtres indpendants, mais le problme qui se pose est le sui-
vant : comment et suivant quels critres doit-on choisir un point de fonctionnement ?
Quel est le montage le mieux adapt ? Quelles sont alors les valeurs des composants ?
b) Polarisation dun transistor

On prend le montage de polarisation de la figure 2.7. On veut dterminer le point de
fonctionnement ou point de repos pour lequel on utilise la notation avec des indices
0 pour prciser quil sagit bien du point de repos. Pour cela on doit connatre
les quatre variables cites prcdemment : il sagit dune part des deux courants
IC0 et I B0 et dautre part des deux tensions VC E0 et VB E0 . Il faut donc dterminer
quatre quations :
IC0
RC
I B0 RB
+
_ VCC
+ VCE0
VBB _ VBE0
Figure 2.7 Polarisation dun transistor NPN par deux sources de tension.

IC = f (VC E , I B )
Le transistor nous permet de disposer de deux quations :
VB E = f (VC E , I B )
Les deux autres quations seront donnes par le circuit dentre et par le circuit de
sortie :
Lquation donne par le circuit dentre est lquation dune droite appele la
droite dattaque statique du transistor.
VB B = R B I B0 + VB E0
Cette droite permet de fixer le courant I B0 du transistor. Le point de fonctionnement

lentre (I B0 , VB E0 ) doit satisfaire la fois lquation du transistor et lquation
du circuit dentre ce qui nous permet de placer ce point lintersection des deux
caractristiques.
IC
VCC
RC
Droite de charge statique
I C0 A IB = IB0
VBB
RB IB = 0
IB
I B0 0 VCE0 VCC VCE
VBE0
Droite de commande statique

VBB
VBE
Figure 2.8 Effet de la polarisation sur le rseau de caractristiques du transistor NPN.
Le circuit de sortie fournit aussi lquation dune droite appele la droite de charge
statique :
VCC = RC IC0 + VC E0
Lintersection de cette droite avec la caractristique IC = f (VC E ) pour le courant

I B0 dtermin dj par le circuit dentre, donne le point de fonctionnement en sortie
(IC0 , VC E0 ).
2.1.4 Circuits de polarisation

Souvent, le point de fonctionnement du transistor doit tre plac dans la zone linaire
de ses caractristiques.
Cela peut tre fait en principe par deux sources de tension extrieures, mais en
ralit, la polarisation du transistor seffectue par une seule source de tension en
combinaison avec quelques rsistances. Deux exemples de circuits de polarisation
souvent tudis sont reprsents la figure 2.9 (a) et (b).
IC
IB IC R1 RC
RB RC IB
+
_ VCC
VCE
+ VBE
_ VCC
VCE R2 RE
VBE
IE
(a) (b)
Figure 2.9 Polarisation dun transistor NPN par rsistance de base (a) et par pont rsistif et
rsistance dmetteur.
a) Polarisation par rsistance de base

Pour le montage rsistance de base de la figure 2.9 (a), on peut crire les quations
des mailles dentre et de sortie :
VCC VB E
IB = ; VC E = VCC RC IC
RB
On utilise dans les deux cas, la droite de commande statique et la droite de charge
statique. Le courant de collecteur au point de fonctionnement de ce montage est
donn par :
VCC VB E0
IC0 bI B0 = b
RB
Les dispersions de b sont grandes (par exemple b varie entre 50 et 300 pour le tran-
sistor 2N2222). En plus, b dpend de la temprature. Le point de fonctionnement est
donc instable ce qui reprsente le principal inconvnient de ce montage.
b) Polarisation par pont rsistif et rsistance dmetteur

Le montage deux rsistances de base et rsistance dmetteur de la figure 2.9 (b)
permet dobtenir une meilleure stabilit du point de fonctionnement.
On utilise le thorme de Thvenin appliqu au pont diviseur de tension constitu
de R1 , de R2 et de la tension dalimentation continue VCC :
R2 R2
On note : ET H = VCC = kVCC avec : k =
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2
Et : RT H =
R1 + R2
IC0
RC
RTH=R B
+
VCE0 _ VCC
+ I B0
ETH=VBB _ VBE0
RE
Figure 2.10 Transformation par Thvenin de la polarisation par pont rsistif et rsistance
dmetteur.
Les quations des mailles sont :

E T H = I B O RT H + VB E O + I E0 R E et VC E0 = VCC IC O RC I E0 R E
On utilise les simplifications suivantes :
IC0
I B0 , I E0 = IC0 + IC B0 IC0
b
kVCC VB E0
Il vient : IC0 b et VC E0 VCC (RC + R E ) IC0
RT H + bR E
Contrairement la polarisation par une seule rsistance de base, pour cette polari-
sation, le courant IC0 dpend dautant moins de b et de ses variations que la rsistance
quivalente RT H est petite par rapport bR E . Il en est de mme pour la tension VC E0
qui dpend du courant IC0 .
Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :
RT H bR E
Remarque. Les circuits de polarisation du transistor sont les mmes pour les
trois montages fondamentaux (metteur commun, collecteur commun et base com-
mune).
2.1.5 Schma quivalent en petits signaux

a) Schma quivalent en basses frquences
Le transistor bipolaire sert souvent amplifier, un courant ou une tension variable
en fonction du temps (donc non continus) : pour simplifier ltude, cette tension (ou
courant) est souvent considre comme tant sinusodale. Le transistor doit tre pola-
ris correctement avec un point de fonctionnement (IC0 , VC E0 ), lindice 0 dsigne
le continu.
Pour un point de fonctionnement bien dtermin, lorsque nous superposons une

tension (ou un courant) alternative, le transistor peut tre modlis par un schma
quivalent sous forme dun quadriple valable en petits signaux. Ce schma est donn
la figure 2.11 (a). La matrice qui sy attache est la matrice hybride h.
h11 iC
B iB C B iB iC C
e rBE
h12S h21IB h22 S ve=vBE gmBE S
ou
S iB
E E
(a) (b)
Figure 2.11 Schma quivalent dun transistor en basses frquences en utilisant les paramtres
h (a) et en utilisant les paramtres universelles (b).
Ces paramtres permettent de calculer par exemple le gain en tension, limpdance

dentre et limpdance de sortie.

ve = v B E = h 11 i B + h 12 v S = h 11 i B + h 12 vC E
i 2 = i C = h 21 i B + h 22 v S = h 21 i B + h 22 vC E

v B E v B E i C i C
h 11 = ; h 12 = ; h 21 = ; h 22 =
iB vC E =0 i C E i B =0 i B vC E =0 vC E i B =0
Mais les paramtres universels sont plus signifiants en changeant juste les noms des
paramtres hybrides : figure 2.11 (b).
r B E = h 11 = rsistance dentre entre base et metteur sortie ferme.
m = h 12 = coefficient de raction interne, souvent ngligeable (m = 0).
b = h 21 = gain en courant sortie ferme.
gm = pente ou transconductance sortie ferme.
r = rC E = 1/h 22 = rsistance de sortie entre ferme.
b) Schma quivalent en hautes frquences

moins de les considrer comme grandeurs complexes, ces paramtres universels
ne sont valables quen basses frquences. Ce schma quivalent peut tre complt
en ajoutant les condensateurs internes qui correspondent aux diffrentes jonctions
du transistor.
rBB CBC iC C
B B iB
iB
ve=vBE gmvBE
vBE rBE CBE vS
ou
iB
Figure 2.12 Schma quivalent dun transistor bipolaire en hautes frquences.
Schma de Giacoletto
Le comportement du transistor en hautes frquences peut tre dcrit par son schma
quivalent en hautes frquences propos par Giacoletto (figure 2.12). Cest en effet
le schma quivalent de la figure 2.11 complt par les trois lments : C B E , C B C
et r B B .
RBB
B
B
Figure 2.13 Schma simplifi dun transistor bipolaire en hautes frquences.
Dans ce schma hautes frquences (HF) des transistors bipolaires, figurent les
capacits des 2 jonctions PN :

jonction polarise en direct Base-Emetteur ;
jonction polarise en inverse Base-Collecteur.
Ainsi que la rsistance de basse r B B . B tant la base dun transistor interne idal :
la capacit C B C est la capacit parasite dune jonction PN en inverse, cette capa-
cit est faible et varie en fonction de la tension VBC ses bornes. Sa valeur de
quelques pF est gnralement donne par le fabricant ;
la capacit C B E est (normalement) celle dune jonction polarise en direct. Elle
dpend du courant qui la travers et peut atteindre une valeur de quelques dizaines
quelques centaines de picofarad. La valeur de cette capacit nest pas en gn-
rale fournie directement par le fabricant mais sa valeur se rduit de celle de la
frquence de transition f T .
En effet, dans la documentation des transistors, on donne souvent la valeur de la

capacit C B E quand la jonction base - metteur est polaris en inverse VE B < 0
(transistor bloqu ou utilis en inverse).
On peut faire les approximations suivantes :
gm est la pente interne dont la valeur est de lordre : gm 38IC0 en Siemens ;
26 mV
r B E est la rsistance interne de la vraie jonction base-metteur : r B E
I B0
en Ohm ;
100
r est la rsistance interne en sortie : r en Ohm.
IC0
Frquence de coupure f b et frquence de transition fT

DIC
Par dfinition, le gain en courant b ou (h 21 ) est : b =
DI B VC E = cte
Si la tension VC E est constante en continu, il faut faire figurer un court-circuit sur
le schma quivalent de la figure 2.14 (a).
Or, en raison du court-circuit le collecteur et lmetteur sont confondus et les
2 condensateurs C B E et C B C se trouvent en parallles (figure 2.14 (b)).
La capacit totale est : C T = C B E + C B C .
En gnral, C B C C B E et C T C B E
Sachant que i c = gm v B E , on peut donc exprimer v B E en fonction de i B :
rBB CBC rBB

B iB B C B iB B C
iB iB
rBE CBE iB rBE CT iB
E E
(a) (b)
Figure 2.14 Schma quivalent avec court-circuit (a) et mme schma quivalent simplifi (b).

1 r B E gm r B E
vB E = i B r B E // = iB b =
jC T v 1 + jr B E C T v 1 + jr B E C T v
IC
On pose : b0 = gm r B E avec : b0 = qui reprsente le gain en courant statique
IB
v = 0.
1
fb =
2pr B E C T
f b est la frquence de coupure 3 dB du gain en courant b que lon peut se repr-

senter par un diagramme en utilisant des chelles logarithmiques.
log()
log(0)
log(f)
f fT
Figure 2.15 Variation du vrai gain en courant b en fonction de la frquence
On dfinit la frquence de transition f T telle qua cette frquence, le gain en cou-

rant vaut 1. La variation de b tant du premier ordre, il vient :
f T b0 f b
Cette frquence de transition figure dans les documentations. En gnral, il est donn
la valeur de f T pour 1 point de polarisation donn par exemple, le constructeur donne
pour IC = 10 mA et VC E = 5 V, une frquence de transition f T = 300 MHz. Plus
souvent, on donne la variation de f T avec IC pour une valeur de VC E .
On peut remarquer que f T et C B E sont lis par une relation permettant de dter-
miner la valeur de la seconde partir de la valeur de la premire :
fb
bo
1 gm gm
f T = (gm r B E ) =
2pr B E C T 2pC T 2p(C B E + C B C )
Les ordres de grandeur de C B C et C B E permettent dcrire :
gm
fT
2pC B E
Lexemple ci-dessus permet dobtenir une valeur de C B E 200 pF.
Il est remarquer que pour les transistors de puissance, les fabricants donnent par
exemple dans le cas du TIP30 :
|IC | = 0,2 A |VC E | = 10 V f T > 3 MHz
Soit : C B E < 400 nF

Remarque. Dans les documents des fabricants de composants, il est trs rare de
trouver les capacits parasites du schma de Giacolletto notes C B E et C B C .
On trouve souvent C B E not Cib condensateur dentre (in) pour le montage base
commune et C B C not Cob condensateur de sortie (out) du montage base com-
mune.
On trouve galement quelques fois C B C not C I C condensateur dentre pour le
montage collecteur commun.
2.2 LES TRANSISTORS EFFET DE CHAMP

2.2.1 Transistors effet de champ jonction (JFET)
Le transistor effet de champ jonction, abrg par la suite TEC ou JFET (Junc-
tion Field Effect Transistor) est un transistor spcifique qui prsente deux pro-
prits essentielles intressantes :
un courant dentre quasi-nul (rsistance dentre quasi infinie) ;
pour une tension continue de sortie nulle, le transistor peut tre assimil une
rsistance commande par la tension dentre.
D D
G G
S S
Figure 2.16 Symboles dun JFET canal N (a) et canal P (b).
a) Principe de fonctionnement
Considrons un transistor effet de champ jonction canal N (J.FET) tout fait sch-
matique, constitu dun barreau cylindrique de semi-conducteur de type N entour
dune zone de semi-conducteur de type P. Les extrmits de la zone centrale N sont
relies lune au drain, lautre la source. La zone P est relie la grille (figure 2.17).
Si toutes les lectrodes sont au mme potentiel, la zone N centrale et la zone P
priphrique forment une jonction PN non polarise et, au voisinage de la jonction,
il existe une zone de dpltion dpourvue de porteurs de charges : figure 2.17 (a).
Si la grille est au mme potentiel que la source (UG S = 0), et que lon porte le drain
un potentiel positif par rapport la source (U DS > 0), les lectrons sont attirs de la
source vers le drain, ils se dplacent dans la zone N en vitant la zone de dpltion et
en empruntant une sorte de canal constitu par la zone N au voisinage de laxe du
2.2 Les transistors effet de champ 61
barreau. Un courant I D circule du drain vers la source (sens inverse du dplacement

des lectrons).
Zne
depltion pincement
D D D
canal
G G +
G +
P N P P P P P
-
N
S S S
(a) (b) (c)
Figure 2.17 Principe de fonctionnement dun transistor effet de champ.
En augmentant la tension U DS , la largeur de la zone de dpltion au niveau du drain

atteint un maximum quelle ne dpasse plus. La section du canal devient minimum, le
canal est dit pinc : figure 2.17 (b). Ceci se produit pour une tension grille-drain,
particulire, appele tension de pincement U P , (U P < 0). Nous avons :
U DS = U DG + UG S = UG D + UG S
Ici, avec UG S = 0, U DS = U P + 0 = U P (U DS > 0)

Le courant I D devient maximal et prend la valeur particulire note I DSs .
Portons maintenant la grille un potentiel ngatif par rapport la source, en fixant
par exemple UG S = 1 V. La zone de dpltion au dpart, pour U DS = 0 est dj
plus large quelle ne ltait avec la caractristique prcdente UG S = 0. Lorsque

U DS crot, la zone de dpltion croit comme prcdemment, mais, comme on est
parti dune zone de dpltion dj plus large, on atteint plus rapidement la tension
qui provoque le pincement au niveau du drain : figure 2.17 (c).
Il suffit pour cela que :
U DS = UG D + UG S = U P 1 V
Lorsque la tension U DS dpasse la tension de pincement U P , lvolution du courant

I D est donne par lquation suivante :
2
UG S
I D = I DSs 1
Up
b) Rseau de caractristiques
On peut ainsi tracer plusieurs caractristiques I D = f (U DS ) UG S constante et pour
des intervalles de UG S gaux. On ne peut dpasser la valeur UG S = U p si on veut
que le courant reste positif, car cette valeur correspond au pincement initial du canal
au niveau de la source, et a fortiori du drain, ce qui fait que le canal est pinc sur
toute sa longueur.
Pour des tensions U DS nettement plus leves, la tension davalanche de la jonc-
tion PN polarise en inverse est alors atteinte et le JFET risque dtre dtruit par un
brusque accroissement du courant I D.
I D (mA.)
10
U GS = 0 V
I DSs 9
8 zne zne de pincement Avalanche

rsistive
7
p
U GS = -0,5 V
U
6
>-
5
ste
DS = c
4
U GS = - 1 V
3
U
2
U GS = - 1,5 V
1
U
GS -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 39 40 41 U DS (Volt)
UP
-U p -1 Up
Figure 2.18 Rseau de caractristiques dun JFET canal N.
Sur le rseau I D = f (U DS ) UG S constante, le lieu des coudes des diffrentes

caractristiques est une courbe dallure parabolique dont lquation est voisine de :
2
UG S
I D = I DSs 1 , valable pour : U DS > U p + UG S
Up
Dans la zone de pincement, les caractristiques I D = f (UG S ) pour des tensions U DS

qui restent constantes, se confondent en une parabole qui correspond la variation
du courant I D lorsque la largeur du canal varie au niveau de la source : le canal est
toujours pinc en haut, au niveau du drain, mais sa base est plus ou moins large et sa
forme varie avec UG S .
2.2.2 Transistors MOS-FET

Les transistors MOS.FET fonctionnent suivant un principe diffrent mais toujours
bas sur un effet de champ. Ils ont des caractristiques qui, part le signe de la
tension de commande, ressemblent beaucoup celles des J.FET.
On considre tout dabord un MOS.FET structures linaire schmatis
(figure 2.19). Le drain et la source sont relis des rgions N disposes aux
extrmits dun barreau de semi-conducteur P appel substrat. La grille est isole du
substrat par une couche de silice. Pour un MOS.FET enrichissement la couche de
silice est directement en contact avec le substrat. On relie le substrat la source.
D D D
G Substrat G Substrat G Substrat
S S S
(a1) (b1) (c1)
D D D
G Substrat G Substrat G Substrat
S S S
(a2) (b2) (c2)
Figure 2.19 Symboles dun MOSFET appauvrissement canal N (a1 ) et canal P (a2 ),
enrichissement (b1 ) et (b2 ) et appauvrissement - enrichissement (c1 ) et (c2 ).
Si la grille est aussi relie la source, (UG S = 0) et si la tension U DS est positive,

la jonction PN drain-substrat est polarise en inverse et aucun courant ne passe.
Portons la grille une tension positive par rapport la source. Le champ cr par
la grille positive repousse les porteurs majoritaires (trous +) de la zone P du substrat,
et les loigne de la couche de silice.
Il reste au contact de cette couche un troit canal N cest--dire une zone de pas-
sage que peuvent emprunter les lectrons. Le canal est plus large du ct de la source
que du ct du drain car : UG S > UG D (UG D < 0 si U DS > UG S ).
Pour quun canal soit ainsi induit par la tension grille, il faut que UG S soit au
moins gal une tension seuil UT . Le canal est alors tout juste form du ct drain
(UG S = U DS = UT , UG D = 0).
cet endroit le canal prsente lquivalent de la zone de pincement des JFET. De
la mme manire la tension UG S module la largeur du canal et le courant I D .
D D D P
N N
SiO 2 SiO 2 SiO 2 N N N
G can al
P P G
substrat G
N
S
can al
N N P
S S
V.M OS
(a) (b) (c)
Figure 2.20 Principe de fonctionnement dun transistor MOS.
Lallure des caractristiques dun VMOS est donne figure 2.21. En compa-
rant avec les caractristiques du transistor effet de champ jonction JFET de la
figure 2.18, remarquez que la tension UG S est toujours positive, ce qui est caract-
ristique dun MOS enrichissement. La tension seuil est 1,4 V pour lchantillon
tudi, le constructeur donne la valeur minimum : 0,8 V et la valeur typique : 1,7 V.
I D(A) U GS = 10 V
I D (A)
2 2
UGS = 9 V
8V
7V
1 1
6V
5V
4V
3V
0,2 0,2 2V
UGS (Volt) UDS (Volt)
0 2 4 6 0 10 20
Figure 2.21 Exemple de caractristiques dun transistor du type VMOS canal N.
Lordre de grandeur du courant I D est 10 fois plus lev, non pas parce que cest
un transistor MOS mais parce que cest un transistor de puissance, un VMOS. (Le
VN 46 AF peut dissiper 12 Watt 25 avec un radiateur appropri, soit 2 A sous 6 V

ou 300 mA sous 40 V, si on considre le courant ou la tension maximale admissible).
La caractristique I D = f (UG S ) na une allure parabolique que pour des courants
infrieurs 400 mA environ, ensuite, elle est linaire.
Pour les transistors MOS enrichissement-appauvrissement, qui ont un canal ini-
tial dj form par une mince couche N sous la couche de silice en labsence de
polarisation, les caractristiques ont encore mme allure mais UG S prend des valeurs
positives et ngatives.
2.2.3 Grandeurs caractristiques et schma quivalent

a) Grandeurs caractristiques
Dans la zone de pincement dun transistor effet de champ, on dfinit la transcon-
ductance ou pente gm et La rsistance drain - source rds :
La pente gm

DI D
Par dfinition, la pente est : gm =
DUG S U DS =cte
2
UG S
Pour un JFET, on a : I D = I DSs 1
Up

d ID 2I DSs UG S
En drivant on obtient : gm = = 1
dUG S Up Up
2I DSs
Cette pente est maximale lorsque UG S = 0, elle est alors gale : gmo =
Up

UG S ID
Do : gm = gmo 1 = gmo
Up I DSs
La rsistance drain-source rds

Par dfinition, cette rsistance est donne par :

DU DS
rds =
DI D UG S =cte
Cest linverse de la pente des caractristiques I D = f (U DS )|UG S | constant. Cest

donc une rsistance dynamique, autrement dit la rsistance du canal pinc une com-
posante alternative, i d , du courant drain. Les caractristiques dans la zone de pince-
ment tant presque horizontales, la rsistance drain-source rds est leve, de lordre
dune centaine de kilo-ohms. Elle diminue lorsque I D ou UG S croit. Pour des courbes
horizontales, rds est infinie et la conductance drain-source gds = 1/rds est nulle.
Cest peu prs le cas pour les VMOS mais pas pour lensemble des MOS.
Courant de grille
On peut stonner quaucune caractristique ne traduise les variations du courant
grille-canal ; on a utilis les trois variables I D , UG S et U DS et jamais IG S , pourquoi ?
Cest que ce courant est trs faible devant I D .
G iG= 0
iD
D
ve
gmvGS rds vS
Figure 2.22 Schma quivalent dun transistor effet de champ.
Pour un JFET la diode grille - canal est polarise en inverse et le courant dans
une diode polarise en inverse est de lordre dune dizaine de nano-ampres 25 C.
Cependant, il augmente rapidement (loi exponentielle) avec la temprature.
Pour un MOS le courant traversant la couche isolante de silice est minime et ce
sont les courants de fuite dans lair ou travers le botier ou encore dans le dispo-
sitif de protection destin viter la destruction de la couche de silice par claquage
dilectrique si elle est soumise une forte tension lectrostatique, qui interviennent
le plus.
2.2.4 FET utilis comme rsistance variable

a) Allure des caractristiques ID = f(UDS ) pour des tension UDS faibles
On a vu dans la premire partie lallure des caractristiques I D = f (U DS ) dans le cas
o le drain est positif par rapport la source, cest--dire avec U DS et I D positifs. On
sintresse ici la zone rsistive de ces caractristiques situe prs de lorigine.
Ces caractristiques passent rigoureusement par lorigine, (ce qui nest pas le cas
avec les caractristiques IC = f (UC E ) des transistors bipolaires), et ainsi, dans la
zone rsistive, lespace drain-source se comporte comme une rsistance passive dont
la valeur varie avec le potentiel UG S .
Ceci se produit dune part, lorsque la jonction grille-canal est bien polarise en
inverse tous les niveaux du canal et dautre part, lorsque le canal nest pas pinc.
Les deux courbes correspondant la limite dapparition de ces deux phnomnes
limitent la zone rsistive des caractristiques.
Avec UDS positif, on a UGD > UGS .

Dune part, la jonction grille-drain au niveau du drain est polarise plus ngativement
que la jonction grille-source au niveau de la source. La limite pour laquelle la jonction
grille-canal nest plus polarise en inverse est celle pour laquelle la jonction grille-
source est dbloque ce qui se produit pour UG S = 0. La caractristique UG S = 0
limite la zone de rsistive sur la gauche.
Dautre part, comme UG D > UG S , le pincement intervient au niveau du drain
lorsque UG D = U P et U DS = U P + UG S . La limite entre la zone rsistive et la zone
de pincement est la parabole I D = f (UG S ) dcale de U P .
Avec UDS ngatif, on a UGD < UGS

Dune part, la limite pour laquelle la jonction grille-canal nest plus polarise en
inverse est celle pour laquelle la jonction grille - drain est dbloque ce qui se produit
pour UG D = 0 soit :
U DS = U DG + UG S = UG D + UG S = 0 + UG S = UG S .
Dautre part, le pincement intervient au niveau de la source, lorsque UG S = U P . La
caractristique UG S = U P dans le quadrant ngatif limite la zone rsistive. Cest
encore la parabole I D = f (UG S ) mais inverse. Rien ne permet, en effet, de distin-
guer la source du drain en ce qui concerne la morphologie dun JFET. Les zones de
semi-conducteurs dops sont de mme dimension et on aurait trs bien pu appeler
drain ce quon a appel source et inversement.
I D (mA)
I D (mA)
dblocage 0
jonction. G-S 6 U GS = 0 -0,5 V
1
5
pinceme nt drain
4
U GS = -0,5 V -1
3 0, 8
2 U GS = - 1 V -1,5
1 U GS = -1,8 V -1,8
-3 -2 -1 U DS (Volt) U DS (Volt)
1 2 3 4 -1,8 0, 1 0,2
-1
pinceme nt
source -2 dblocage jonction
G-D -1,5
-2,8 -3
-1,8 -0,5 -1
-1 -4
-5 -0,5
0 -1
-6
(a) (b)
Figure 2.23 Rseau de caractristiques dun transistor effet de champ (a)

et mme rseau pour des faibles tensions (b).
On voit que les caractristiques ne sont pas linaires dans toute la zone rsistive
ainsi dlimite dans le quadrant positif et dans le quadrant ngatif. On les utilise
gnralement au voisinage immdiat de lorigine, de part et dautre de celle-ci.
b) Variation de la rsistance drain-source dans la zone rsistive

Les caractristiques peuvent tre assimiles des portions de droites sur une plage
denviron 100 mV de part et dautre de lorigine. La pente de la tangente aux caract-
ristiques est linverse de la rsistance drain-source rds une composante alternative :
1 id
=
rds u ds
Le constructeur indique gnralement la valeur minimale rdson de la rsistance drain
source que lon obtient pour UG S = 0 autour de U DS = 0. La rsistance rds , dans
cette zone rsistive varie donc de rdson linfini lorsque UG S passe de zro U P .
Comment varie rds entre ces deux valeurs extrmes ?
La loi de variation de I D dans la zone rsistive est la suivante :
2 2
UG D UG S UG D UG S
I D = I DSs 2 +
Up UP UP UP
Cette formule nest pas retenir, mais on pourra remarquer sa symtrie traduisant la
symtrie de morphologie du FET, symtrie qui apparat du fait que les tensions sont
prises partir de la grille. De plus, si on cherche les limites de la zone de pincement
en faisant UG D = U P (quadrant positif) ou UG S = U P (quadrant ngatif), on retrouve
les formules donnant I D en fonction de UG S dans la zone de pincement (quation de
la parabole).
Dans la zone rsistive, en faisant le changement de variables :
UG D = UG S + U S D = UG S U DS
On trouve :
2I DSs UG S I DSS 2
ID = 1 U DS 2 U DS
UP UP UP
I DSS 2
I D = gm U DS 2 U DS
UP
1 id 2I DSs
En drivant : = = gm U Ds
rds u ds U P2
1
Autour de U DS = 0, on trouve : rds
gm
Pour une polarisation UG S de grille donne, la rsistance drain - source autour de

lorigine est voisine de linverse de la pente de la caractristique I D = f (U G S ).
Dans la zone de pincement pour une mme polarisation UG S , On a :
1
rdson
gm0
La courbe de la figure 2.24 donnant rds en fonction de UG S autour de U DS = 0, a t

trace avec I DSs = 9 mA et U P = 2,8 V.
rds ()
1k
500
rdson
100
UP
U GS (volt)
-3 -2 -1 0
Figure 2.24 Variation de la rsistance rds en fonction de vGS .
Applications. En premier lieu, ils constituent les interrupteurs commands en ten-

sion. Si UG S > U P ils prsentent une rsistance infinie, comme un interrupteur ouvert
( off ), et si UG S = 0, ils prsentent une rsistance faible rdson , comme un interrup-

teur ferm ( on ). rdson peut descendre jusqu 50 V ou moins pour des FET prvus
pour fonctionner comme interrupteurs commands cest--dire en commutation.
Cette proprit trouve de nombreuses applications : dcoupage, modulation ou multi-
plexage. Lorsque le FET fonctionne ainsi en commutation, on passe trs rapidement
dune extrmit lautre de la courbe rds = f (UG S ). Lorsquil fonctionne en rsis-
tance variable, on nutilise gnralement quune portion de cette courbe, on va en
voir un exemple.
Exemple : Attnuateur variable. On connat le montage potentiomtrique (attnua-

teur ou diviseur de tension). Il peut tre ralis avec une rsistance variable rds . Celle-
ci est commande en tension par la tension continue UGC . Les tensions dentre et de
sortie sont alternatives pures, et U DS = 0. Il faut limiter la tension dentre pour que
la tension de sortie reste infrieure une centaine de mV, et ne soit pas dforme.
R R
ve ve ve
vS rDS vS rDS vS
uGS
Figure 2.25 Montages potentiomtriques.
Pour un transistor bipolaire, le gain en courant est : b : IC bCC I B

b varie dans de grandes proportions dun transistor lautre.
Les paramtres du schma quivalent dun transistor sont :
r B E = h 11 = rsistance dentre entre base et metteur sortie ferme.
m = h 12 = coefficient de raction interne, souvent ngligeable (m = 0).
b = h 21 = gain en courant sortie ferme.
gm = pente ou transconductance sortie ferme.
r = rC E = 1/h 22 = rsistance de sortie entre ferme.
Les ordres de grandeurs sont :
26mV 100
gm 38IC0 en Siemens ; r B E en Ohm ; r en Ohm.
I B0 IC0
Pour un transistor effet de champ, le courant drain est :
2
UG S
I D = I DSs 1
Up
U p est la tension de pincement et UG S est la tension de polarisation grille-source.
Les paramtres duschmaquivalent dun transistor effet de champ sont:
DI D dI D 2I DSs UG S
La pente gm : gm = ; gm = = 1
DUG S U DS =cte dUG S Up Up
2I DSs
Cette pente est maximale lorsque UG S = 0, elle est alors gale : gmo =
Up

UG S ID
do : gm = gmo 1 = gmo
Up I DSs
La rsistance drain-source rds : par dfinition, cette rsistance est donne par :

DU DS 1
rds = ; autour de U DS = 0, on trouve : rds
DI D UG S =cte gm
Exercices 71
EXERCICES
Exercice 2.1 Darlington deux transistors NPN

Le transistor dit Darlington est compos de deux transistors NPN, PNP
ou une combinaison des deux types de transistors. On donne la figure 2.26
lexemple dun transistor Darlington utilisant deux transistors NPN.
1. On nglige les courants de fuite, dterminer en continu le gain en cou-
rant b du transistor quivalent, la diffrence de potentiel entre base et met-
teur VB E0 .
On donne : b1 = 30 et b2 = 100, I B = 2 mA et VB E1 = VB E2 = 0,7 volt.
2. Donner le schma quivalent en petits signaux, basses frquences du
transistor Darlington quivalent.
3. En dduire les expressions des diffrents lments du schma quivalent.
C
I C1 IC
I B = I B1
T1 IC2
B
I E1
T2
IB2
Figure 2.26 Darlington deux transistors NPN.

Solution
1. Calcul du gain en courant
En continu, le courant qui circule dans le collecteur est :
IC = b2 I B2
Or, I B2 = I E1 = IC1 + I B1 = b1 I B1 + I B1
On dduit : IC = b2 I B2 = b2 (b1 + 1) I B1 b1 b2 I B1 = b1 b2 I B
Le gain en courant est donc : b b1 b2
Le gain statique en courant du transistor quivalent est approximativement gal au

produit des gains statiques en courant des deux transistors.
Remarque. Ce gain en courant reste valable pour lalternatif.

La diffrence de potentiel entre la base et lmetteur est : VB E = VB E1 + VB E2
Application numrique.
b b1 b2 = 30 100 = 3 000
IC bI B = 3 103 2 106 = 6 103 = 6 mA
VB E0 = 0,7 + 0,7 = 1,4 V
2. Schma quivalent en petits signaux
Le schma quivalent dynamique du montage en petits signaux et en basses fr-
quences est prsent figure 2.27.
iC1
iB B iB1 C iC2
rBE1 1IB1 rCE1
2IB2 rCE2 vCE

vBE iB2
rBE2
Figure 2.27 Schma quivalent du transistor Darlington constitu de deux transistors NPN.
3. Expressions des paramtres du shma quivalent

Rsistance dentre
La rsistance dentre r B E du transistor quivalent peut tre trouve partir du
schma quivalent. Par dfinition, on a :

v B E
rBE =
i B VC E =0
vC E i B2r B E2
Le courant i B2 scrit : i B2 = i B1 + b1 i B1 +
rC E1
Quand vC E = 0, sachant que r B E2 rC E1 , le courant i B2 devient :
r B E2
i B2 = i B1 + b1 i B1 i B2 i B1 + b1 i B1 b1 i B1
rC E1
Exercices 73
vB E r B1 i B + b1r B E2 i B
Alors, la rsistance r B E devient : r B E = = = r B1 + b1r B E2
iB iB
Cette rsistance est plus leve que la rsistance dun seul transistor.
Rsistance de sortie
La rsistance de sortie du transistor quivalent est dtermine selon la dfinition :

vC E
rC E =
i C i B =0
Or, quand i B = 0, le schma quivalent du montage devient celui reprsent

figure 2.28.
iC
rCE1
2IB2 rCE2 vCE
IB2 rBE2
Figure 2.28 Schma quivalent simplifi qui sert pour dterminer la rsistance de sortie.
vC E vC E
Il vient i C = b2 i B2 + ,i B2 =
rC E2 r B E2 + rC E1
On en dduit lexpression de la rsistance de sortie du transistor quivalent :

1 1
rC E =
1 + b2 1 b2 1
+ +
rC E1 + r B E2 rC E2 rC E1 rC E2
Ceci revient mettre en parallle rC E1 et rC E2 .
rC E1
rC E2
rC E1 b2
rC E //rC E2 = rC E1
b2 + rC E2
b2
La rsistance de sortie du transistor quivalent est infrieure la rsistance de sortie
du deuxime transistor et trs infrieure celle du premier transistor.
Application numrique. La rsistance dentre du transistor quivalent se calcule en

dterminant r B E1 et r B E2
26 103 26 103
r B E1 = = 13 103 = 13 kV
I B01 2 106
26 103 26 103 26 103
r B E2 = = = 433 V
I B02 b1 I B01 30 2 106
r B E r B1 + b1r B E2 = 13 103 + 30 433 = 26 000 = 26 kV
On en dduit la pente du transistor quivalent :
b 3 000
gm = 0,115 S
rBE 26 000
La rsistance de sortie du transistor quivalent se calcule en dterminant rC E1 et rC E2
100 100 100

rC E1 = = 1,66 106 V = 1,66 MV V
IC01 b1 I B01 30 2 106
100 100 100
rC E2 = = 16,6 103 V = 16,6 kV
IC02 b1 b2 I B01 30 100 2 106
rC E1
rC E2 16,6 106
b2 16,6 103
rC E rC E1 = 100 8,3 103 V = 8,3 kV
+ rC E2 16,6 106
b2 + rC E2
100
Exercice 2.2 Stabilisation du point de repos par rsistance base-
collecteur
La figure 2.29 reprsente un circuit de polarisation du transistor NPN par
rsistance base-collecteur.
1. Calculer les coordonnes IC0 et VC E0 du point de fonctionnement de
ce montage.
On donne : R1 = 27 kV, R2 = 3 kV, RC = 3 kV, VB E0 = 0,7 V
VCC = 12 V et b = 100.
2. Calculer les variations des coordonnes du point de fonctionnement
lorsque b varie de 100 200. En dduire les taux de stabilisation :
DIC0 DVC E0
I V
G = C0 ; C = C E0
Db Db
b b
Exercices 75
Comment faire pour diminuer linfluence des variations de b sur le point

de fonctionnement ?
I1 RC
VCE0
R1 IC0
I B0 +
_ VCC
R2 VBE0
Figure 2.29 Polarisation du transistor NPN par rsistance base-collecteur.
Solution
1. Calcul des coordonnes IC0 et VC E0
Les quations du circuit sont :
VC E0 = VCC (IC0 + I1 )RC , VB E0 = (I1 I B0 ) R2

VB E0 0,7 IC0
I2 = I1 I B0 = = = 0,233 mA, I B0 = , VC E0 VB E0 = I1 R1
R2 3 10 3 b

VCC = RC (b + 1) I B0 + I2 + R1 [I B0 + I2 ] + R2 I2

VCC = (RC + R1 + R2 ) I2 + (b + 1) RC + R1 I B0
On utilise les valeurs de lapplication numrique pour dterminer la valeur de I B0 :

12 = 33 103 0,233 103 + 101 3 103 + 27 103 I B0
12 7,689
On en dduit : I B0 = = 13,06 106 A = 13,06 mA
330 103
Le courant IC0 devient : IC0 = bI B0 = 100 13,06 106 A = 1,306 mA
Le courant I1 devient : I1 = I2 + I B0 = (0,233 +0,013 ) mA = 0,246 mA
On en dduit la diffrence de potentiel entre collecteur et metteur :
VC E0 = VCC (IC0 + I1 ) RC = 12(1,306 + 0,246)103 3103 = 7,344 volts
Les coordonnes du point de fonction sont : (1,306 mA, 7,344 V)

2. Taux de stabilisation
Le courant I2 qui passe dans la rsistance R2 reste une constante :
VB E0 0,7
I2 = I1 I B0 = = = 0,233 mA
R2 3 103
On refait le mme calcul pour une valeur de b = 200, on obtient en utilisant les
valeurs de lapplication numrique pour dterminer la valeur de I B0 :

12 = 33 103 0,233 103 + 201 3 103 + 27 103 I B02
12 7,689
On en dduit : I B02 = = 13,06 106 A = 6,84 mA
630 103
Le courant IC02 devient : IC02 = bI B02 = 200 6,84 106 A = 1,368 mA
Le courant I1 devient : I1 = I2 + I B02 = (0,233 + 0,0 068) mA = 0,2 398 mA

On en dduit la diffrence de potentiel entre collecteur et metteur :
VC E02 = VCC (IC02 + I1 )RC = 12(1,368 + 0,246)10 3 310 3 = 7,158 volts
Les coordonnes du point de fonction sont : (1,368 mA, 7,158 V)

Les taux de stabilisation deviennent :
DIC0 0,062
I 1,33 0,062 150
G = C0 = = = 6,99 %
Db 100 1,33 100
b 150
DVC E0 0,186
V 7,25 0,186 150
C = C E0 = = = 3,84 %
Db 100 7,25 100
b 150
On remarque que la stabilisation est bonne. Pour stabiliser IC0 et VC E0 , il faut

donc choisir :
R1 bRC
Exercices 77
Exercice 2.3 Stabilisation du point de repos par deux rsistances

de base
La figure 2.30 reprsente un circuit de polarisation du transistor NPN par
deux rsistances de base.
On suppose b = 100, VCC = 12 V, RC = 5 kV , R B1 = 10 kV et
VB E0 = 0, 7 V.
1. On dsire avoir un point de fonctionnement (VC E0 = 5 V, IC0 = 1 mA).
Calculer les valeurs des rsistances R E et R B2 .
Tracer la droite de charge statique et mettre le point de fonctionnement.
2. On garde les mmes valeurs des rsistances que prcdemment et on
change le transistor par un autre qui possde un b = 300. Calculer les
coordonnes du nouveau point de fonctionnement. Conclure.
VCC
RB2 RC
RB1 RE
Figure 2.30 Polarisation du transistor NPN par deux rsistances de base.
Solution
1. Calcul des valeurs de RE et RB2 et trac de la droite de charge statique

On applique le thorme de Thvenin lentre. Les expressions de la rsistance et
de la tension de Thvenin sont :
R B1 R B2 R B1
RT H = , E T H = VCC
R B1 + R B2 R B1 + R B2
Si on nglige le courant I B0 devant le courant IC0 , la loi des mailles en sortie donne :
VCC = RC IC0 + VC E0 + R E IC0 , soit : 12 = 5 103 103 + 5 + R E IC0
On en dduit : R E IC0 = 12 5 103 103 5 = 2 V

2 2
On trouve : RE = = = 2 103 = 2 kV
IC0 103
IC(mA)
1,71
P
1
VCE(V)
5 12
Figure 2.31 Droite de charge statique.
Or, la maille en entre donne :

R B1 R B1 R B2 IC0
E T H = VCC = + VB E0 + R E IC0
R B1 + R B2 R B1 + R B2 b
R B1 R B1 R B2 103
E T H = 12 = 2,7 V
R B1 + R B2 R B1 + R B2 100
104 101 R B2
Soit : 12 = 2,7 V
104 + R B2 104 + R B2
9,7
On trouve donc : (12 2,7) 104 = 2,8 R B2 soit : R B2 = 104 = 34,6 kV.
2,8
Lquation de la droite de charge est : VCC = RC IC0 + VC E0 + R E IC0
La droite passe par point de coordonnes : (VC E = VCC = 12 V, IC = 0 mA),

VCC 12
et le point de coordonnes : VC E = 0, IC = = = 1,76 mA .
RC + R E 7 103
2. Effet de b sur le point de fonctionnement
On applique toujours le thorme de Thvenin lentre et on nglige le courant I B0
devant le courant IC0 :
R B1 R B1 R B2 IC0
E T H = VCC = + VB E0 + R E IC0
R B1 + R B2 R B1 + R B2 b
10 10 34,6 IC0
ET H = 12 = 103 + 0,7 + 2 103 IC0
10 + 34,6 10 + 34,6 300
E T H 2,69 = 25,86 IC0 + 0,7 + 2 103 IC0
Exercices 79
On en dduit la valeur du courant IC0 :
2,69 0,7
IC0 0,982
2 025,86
La diffrence de potentiel entre le collecteur et lmetteur est :
VC E0 VCC RC IC0 R E IC0 = 12 (5 + 2) 103 0,982 103 5,12 V
Les coordonnes du point de fonctionnement varient trs peu. Ceci tait prvisible,
puisque la condition de stabilit du point de fonctionnement est satisfaite :
R B1 //R B2 = RT H = 7,75 kV bR E = 200 kV
Exercice 2.4 Polarisation automatique dun FET par rsistance de

source
Soit le montage de la figure 2.32. On donne le courant : I DSS = 12 mA, la
pente : gm0 = 8 mS, la rsistance : RG = 1 MV et R D = 3 kV.
1. On dsire polariser le transistor la valeur UG S = U P /2. Donner la
valeur de la rsistance R S qui permet davoir cette polarisation.
2. Pour la valeur trouve de R S , dterminer la valeur du courant I D qui
circule dans le drain ainsi que la tension U DS .
3. Tracer la droite de charge statique et placer le point de repos P.
RD
VDD=30 V
RG RS
Figure 2.32 Polarisation par rsistance de grille et par rsistance de source.

Solution
1. Calcul de la valeur de la rsistance R S
On commence par dterminer la valeur de la tension de pincement U P . On connat
lexpression de la pente gm0 :
2IDSS 2IDSS 24 103

gm0 = , soit : U P = = = 3 V
UP gm0 8 103
La rsistance de la grille RG sert uniquement pour mettre le potentiel de la grille la

masse et dviter les charges lectrostatiques. Sa valeur est leve afin de garder une
rsistance dentre du montage leve.
Le courant qui circule dans la grille dun transistor effet de champ est pratiquement
nul. Le potentiel de la grille est donc zro volt. Il vient :
3
UG S = = 1,5 V
2
Or, UG S = U SG = U Smasse = R S I S = R S I D
En remplaant I D par son expression, on obtient :

2 2
UG S 3 1,5
UG S = 1,5 V = R S I DSS 1 = R S 24 10 1
UP 3
On en dduit la valeur de la rsistance R S :
1,5 V 1,5 4
RS = 2 = = 250 V
1,5 24 103
24 103 1
3
2. Calcul de la valeur du courant ID et de la tension VDS

Le courant I D qui circule dans le drain est :
2 2
UG S 3 1,5 1
I D = I DSS 1 = 24 10 1 = 24 103 = 6 mA
UP 3 4
La maille de sortie nous permet de dterminer la diffrence de potentiel entre le drain

et la source U DS :

VDS = VD D I D (R D + R S ) = 30 6 103 3 103 + 250 = 10,5 V
Exercices 81
3. Trac de la droite de charge statique

Lquation de la droite de charge scrit :

VDS = VD D I D (R D + R S ) = 30 I D 3 103 + 250
La droite passe par le point de

coordonnes : (VDS = VD D = 30 V, I D = 0 mA),

VD D 30
et le point de coordonnes : VDS = 0, I D = = = 9,23 mA .
R D + RS 3 250
ID(mA)
9,23
6 P
VDS(V)
10,5 VDD= 30
Figure 2.33 Droite de charge statique.

Exercice 2.5 Amplificateur couplage direct NPN - PNP

La figure 2.34 reprsente un circuit de polarisation dun amplificateur
deux transistors, lun est du type NPN et lautre du type PNP.
On suppose b1 = b2 = 100 et VB E01 = VB E02 = 0,7 V.
On donne : VCC = 12 V, RC2 = 3 kV, R E1 = 30 kV.
1. On dsire avoir le potentiel du collecteur du deuxime transistor nul et
VEC2 = 10 V, lorsque le potentiel de la base du premier transistor est forc
la masse. Calculer les valeurs du courant IC2 et en dduire la valeur de la
rsistance R E2 .
2. Dterminer le point de fonctionnement du premier transistor. Calcu-
ler les valeurs de la rsistance R1 et de la rsistance R2 si on suppose
R1 //R2 = bR E1 /50.
V CC
I1
R1 RC1 RE2
I B1
T1 T2
R2 RE1 RC2
I C2
-VCC
Figure 2.34 Amplificateur transistors NPN et PNP.
Solution
1. Calcul de la valeur de IC2 et de R E2
On commence par dterminer les potentiels connus :
VB1 = 0, VE1 = VB1 0,7 V = 0,7 V, VC2 = 0

VE2 = VEC2 VC2 = 10 V,
Puisque le potentiel du collecteur du deuxime transistor est nul, le courant IC2

devient :
VC2 (VCC ) VCC 12
IC2 = = = = 4 mA
RC2 RC2 3 103
Puisque la diffrence de potentiel entre metteur et collecteur doit tre gale 10
volts, la rsistance R E2 doit tre gale :
VCC VEC2 VCC VEC2 12 10
R E2 = = = 500 V
I E2 IC2 4 103
2. Coordonnes du point de fonctionnement

Le potentiel du collecteur du premier transistor est :
VC1 = VCC R E2 (IC2 + I B2 ) VE B02

= 12 500 4 103 + 0,04 103 0,7 = 9,28 V
VCC VC1 12 9,28

Le courant qui circule dans RC1 est : I1 = = = 0,272 mA
RC1 10 103
Exercices 83
On en dduit le courant IC1 qui entre dans le collecteur du premier transistor :
IC2 4 mA
IC1 = I1 + I B2 = I1 + = 0,272 mA + = 0,312 mA
b 100
Pour dterminer le point de fonctionnement, on commence par calculer le cou-

rant I E1 :
VE1 (VCC ) 0,7 (12)
I E1 = = = 0,376 mA
R E1 30 103
Ce courant est gal aussi : I E1 = (b1 + 1) I B1 , on en dduit :
I E1 0,3766 mA
I B1 = = = 3,729 mA
b1 + 1 101
R1 R2 bR E1 100 30 kV
Enfin sachant que : R B = R1 //R2 = = = = 60 kV
R1 + R2 50 50
En plus, le potentiel de la base est nul (VB1 = 0 volt), or ce potentiel est obtenu en
appliquant le thorme de superposition :
R2 R1
VB1 = 0 = VCC + (VCC )
R1 + R2 R1 + R2
R2 R1
Soit : VCC = VCC ce qui donne : R1 = R2 .
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2 R12 R1
Puisque, = = = 60 kV, on en dduit :
R1 + R2 2R1 2 2
R1 = R2 = 120 kV
Exercice 2.6 Miroirs de courants sans (et avec) rsistance RE

La figure 2.35 reprsente un miroir de courant deux transistors NPN. On
suppose que les deux transistors sont identiques :
b1 = b2 = 100 et VB E1 = VB E2 = 0,7 V
On suppose aussi que la tension de saturation du transistor est
VC E(saturation) = 0, 3 V et on donne : VCC = 12 V.
1. Donner pour le montage de la figure 2.35 (a), lexpression du courant
IC2 en fonction de I1 .
2. Calculer la valeur de R1 pour obtenir un courant IC2 = 30 mA et dter-
miner la valeur maximale de RU .
3. On prend maintenant le montage de la figure 2.35 (b) et on suppose
b1 = b2 = 200, VB E1 = 0, 7 V et on fixe R1 = 10 kV.
Calculer la valeur de R E2 pour obtenir un courant IC2 = 30 mA.
I1 I C2 I1 I C2
R1 RU R1 RU
+ +
T1 T2 _ VCC T1 T2 _ VCC
VBE1 VBE2 VBE1 VBE2 RE2
I E1 I E2
I E1 I E2
(a) (b)
Figure 2.35 Miroir de courant sans rsistance RE (a) et avec rsistance RE (b).
Solution
1. Expression du courant IC2 en fonction de I1
Puisque b1 = b2 = 100 et VB E1 = VB E2 = VB E = 0,7 V, les courants de base sont
donc identiques I B1 = I B2 = I B .
Le courant I1 devient : I1 = IC1 + I B1 + I B2 = IC1 + 2I B = (b + 2) I B
Or, IC2 = bI B1 = bI B
b 100
On en dduit : IC2 = I1 = I1 0,98I1
b+2 102
Le courant IC2 est pratiquement identique au courant I1 . Cest cette proprit qui
justifie le nom donn ce circuit : miroir de courant.
2. Calcul de la valeur de R1 et de la valeur maximale de RU
Puisque le courant IC2 est : IC2 = 30 mA I1 , on peut crire : I1 R = VCC VB E
VCC VB E 12 0,7
Soit : R1 = = 376,666 kV
I1 30 106
Cette valeur est trs leve et prend beaucoup de place (surface) dans un circuit int-
gr.
Il va de soi que la rsistance RU ne peut pas prendre nimporte quelle valeur. La
valeur limite est impose par la tension dalimentation et la tension de saturation du
transistor T2 .
VCC VC E(saturation) 12 0,3
RU max = = 390 kV
I1 30 106
Exercices 85
3. Calcul de la valeur de R E2 pour obtenir IC2 = 30 m A

Puisque b1 = b2 = 200 et VB E1 = 0,7 V, on peut lgitimement ngliger les courants
des bases devant les courants des collecteurs : I B1 IC1 et I B2 IC2 .
On peut crire : I1 = IC1 + I B1 + I B2 IC1 I E1 ; IC2 I E2

VB E
Or, IC = bI B = bI S e VT
KT
Avec : VT = 26 mV la temprature ambiante T = 300 K
q

IC1 IC2
On en dduit : VB E1 = VT ln ; VB E2 = VT ln
bI S bI S
Or, VB E1 = VB E2 + R E I E2 VB E2 + R E IC2
Puisque les deux transistors sont identiques, on peut crire :

IC1 IC2
VT ln = VT ln + R E2 IC2
bI S bI S

IC1 IC2
VT ln VT ln
bI S bI S VT IC1
On en dduit : R E2 = = ln
IC2 IC2 IC2
VCC VB E 12 0,7
On dtermine : I1 IC1 = = 1,13 mA
R1 10 103
Pour obtenir un courant IC2 de 30 mA, la rsistance R E2 doit tre gale :

VT IC1
R E2 = ln = 866,66 ln (37,66) 3 144,76 V
IC2 IC2
Cette valeur est faible et la surface totale occupe par les deux rsistances dans le
circuit intgr est moins importante que le cas dtermin la premire question.
Exercice 2.7 Polarisation dun FET par pont rsistif

Soit le montage de la figure 2.36. On donne : V P = 4 V , I DSS = 10 mA,
VD D = 10 V et RG1 = 100 kV.
1. crire lquation de la droite de charge du transistor I D = f (VG S ), tracer
la droite de charge et choisir un point au milieu de cette droite.
2. En dduire la valeur de VG S et calculer la valeur de RG2 .
RG2
VDD=10 V
RG1 RS
Figure 2.36 Polarisation dun JFET canal N par deux rsistances de grilles.
Solution
1. quation de la droite de charge
Lquation de la droite de charge est :
VDS = VD D R S I S = VD D R S I D
ID(mA)
10
P
5
VDS(V)
5 VDD= 10
Figure 2.37 Droite de charge statique et point de fonctionnement.
Cette droite passe par les deux points de coordonnes successifs :

(10 V , 0 mA) et (0 V, 10 mA)
Exercices 87
Le point de fonctionnement situ au milieu de la droite de charge est le point P de

coordonnes :
(VDS = 5 V, I D = 5 mA).
Le potentiel de la source devient donc : VS = VD D VDS = 10 5 = 5 V.
2. Calcul de la valeur de V GS et calcul de la valeur de RG2
Puisque le courant I D = 5 mA, on peut dterminer la tension VG S . En effet, on
connat : 2
VG S
I D = I DSS 1
VP

VG S ID 5
On en dduit : 1 = = 0,707.
VP I DSS 10
Ce qui donne :
VG S = V P (1 0,707) = 1,172 V.
Connaissant la diffrence de potentiel entre la grille et la source et sachant quaucun
courant nentre dans la grille, le potentiel de la grille devient :
VG = VS + VG S = 5 + (1,172) = 3,828
Ce potentiel est donn par le diviseur de tension :
RG1 100 103

VG = 3,828 = VD D = 10
RG1 + RG2 100 103 + RG2
On en dduit donc :
61,72
RG2 = 103 = 161,233 kV.
0,3 828
Chapitre 3
Les amplificateurs
3.1 INTRODUCTION
3.1.1 Gnralits
Dans beaucoup de domaines, on veut obtenir partir dun signal dentre de faible
amplitude ou de faible puissance (issu par exemple dun capteur ou dune antenne),
un signal de mme forme capable de dlivrer un rcepteur (haut parleur, moteur)
une tension ou un courant de mme forme (une rplique exacte) et damplitude plus
grande. La puissance dlivre par le signal de sortie est aussi plus importante que
celle dlivre par le signal dentre.
Le dispositif de liaison qui permet ce gain (en tension, en courant ou en puissance)
est un amplificateur. Les amplificateurs lectroniques sont utiliss dans plusieurs cir-
cuits lectroniques (instrumentation, radio et tlvision, sonorisation, contrle...)
La structure gnrale dun circuit damplification est donne la figure 3.1.
source de tension
continue
signal de
signal dentre sortie s(t)
amplificateur Charge
e(t)
Figure 3.1 Schma bloc dun amplificateur.
La source de tension continue (alimentation) fourni la puissance ncessaire lam-

plificateur pour polariser les composants (point de repos) : montages transistors,
amplificateurs oprationnels ou amplificateurs spcifiques. Le signal dentre est sou-
vent un signal bas niveau et le signal de sortie est un signal haut niveau. Lamplifi-
cation ne concerne souvent que le signal alternatif (point de fonctionnement qui se
dplace autour de sa position de repos).
3.1 Introduction 89
Lamplification est linaire si le gain de lamplificateur reste constant lorsque lam-

plitude de lentre varie. On parle de saturation si, lorsque lentre augmente mais la
sortie reste constante.
Lamplificateur le plus simple et le plus lmentaire est constitu dun transis-
tor (bipolaire, FET ou MOSFET) polaris par une source de tension continue, est
attaqu son entre par le signal alternatif amplifier. Les grandeurs lectriques le
rgissant peuvent tre considres comme la superposition de grandeurs continues et
alternatives.
Or, le transistor est un lment non linaire et il faut linariser les caractristiques
du transistor, pour cela, on pratique ce quon appelle lamplification petits signaux :
on polarise lentre avec un niveau continu et le signal amplifier se superpose ce
niveau.
En sortie, on doit dduire le niveau continu, pour ne garder que le niveau alternatif,
rsultant de lamplification petit signal.
VCE
VCC
IC0+DIC
RC VCE0 temps
IB0+DIB RB
VCE0+DVCE VBE0
VBE0+DVBE VBE
temps
(a) (b)
Figure 3.2 Principe dune amplification transistor (a) et caractristique non linaire de la
tension de sortie en fonction de la tension dentre (b).
3.1.2 Notations et hypothses de travail

a) Notation
Une grandeur continue est souvent note par une majuscule affecte dun indice
majuscule : cest ainsi que VB E dsigne la composante continue de la tension base
metteur.
Une grandeur alternative est note par une minuscule affecte dun indice
minuscule : cest ainsi que vbe dsigne la composante alternative de la tension
base metteur.
Une grandeur instantane, constitue par la superposition dune composante
continue et dune composante alternative, est note par une minuscule affecte
dun indice majuscule : cest ainsi que v B E = VB E + vbe dsigne la valeur instan-
tane de la tension base metteur.
90 3 Les amplificateurs
b) Hypothses
Afin de faciliter ltude des amplificateurs transistor, nous adoptons les hypothses
de travail suivantes :
le signal alternatif amplifier est de faible amplitude par rapport au signal
continu de polarisation ;
le fonctionnement du circuit est linaire ce qui nous permet dappliquer le tho-
rme de superposition ;
les condensateurs utiliss dans le montage se comportent dune part comme des
courts-circuits en rgime alternatif, et dautre part comme des circuits ouverts en
rgime continu.
c) Mthodologie
Afin dtudier les amplificateurs transistors linaires, on adopte la mthodologie
suivante base sur lexploitation du thorme de superposition :
on tudie tout dabord le comportement de lamplificateur en continu en annulant
toutes les sources alternatives (choix du point de fonctionnement du transistor) ;
on annule par la suite toutes les sources continues pour tudier le comportement
en rgime alternatif ;
on considre enfin le transistor comme un quadriple linaire reprsent par ses
paramtres hybrides ;
Les caractristiques fonctionnelles dun amplificateur en rgime alternatif sont
celles dun quadriple : gain en tension vide (gain en courant), impdance
dentre et impdance de sortie.
3.2 CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS

Il existe une multitude de mthodes pour la classification damplificateurs, on peut
citer par exemple :
3.2.1 Classification par mthode de couplage

Les amplificateurs sont parfois classs par leur mthode de couplage entre lentre
et la sortie ou entre les diffrents tages de lamplificateur. Ces diffrentes mthodes
incluent les couplages capacitifs, inductifs (transformateurs) et les couplages directs.
Lutilisation dun couplage direct permet de se passer des condensateurs de liaisons
mais implique souvent lutilisation dune alimentation symtrique. Il est noter que
la plupart des amplificateurs intgrs utilisent un couplage direct entre leurs tages.
3.2.2 Classification par leur lectrode relie la masse

Une autre classification se rfre llectrode relie directement ou travers une
rsistance la masse : le schma de lamplificateur est alors dcrit par llectrode
3.2 Classification des amplificateurs 91
du composant actif qui est mis en commun entre lentre et la sortie. Ainsi, on parle
damplificateur metteur commun, plaque commune ou drain commun. Ces
noms renseignent aussi sur le type de technologie utilise. Par exemple, un amplifi-
cateur metteur commun utilise un transistor bipolaire, celui plaque commune un
tube tandis quun amplificateur drain commun utilise un MOSFET ou un JFET.
3.2.3 Classification par angle de conduction

Le systme de lettres, ou classes, utilis pour caractriser les amplificateurs assigne
une lettre pour chaque amplificateur. Ces schmas sont caractriss par la dure a
pendant laquelle un composant actif est utilis lors de lamplification dun signal
sinusodal appliqu lentre de lamplificateur. 2p reprsente un cycle complet.
En pratique cette classification revient dterminer la polarisation des transistors de
lamplificateur (emplacement sur la droite de charge) du point de repos.
Les circuits amplificateurs sont classs dans les catgories A, B, AB et C pour les
amplificateurs analogiques, et D, E et F pour les amplificateurs dcoupage. Pour
les amplificateurs analogiques, chaque classe dfinit la proportion du signal dentre
qui est utilise par chaque composant actif pour arriver au signal amplifi, ce qui est
aussi donn par langle de conduction a :
Classe A : la totalit du signal dentre (100 %) est utilise : a = 360.
Classe B : la moiti du signal (50 %) est utilise : a = 180.
Classe AB : plus de la moiti mais pas la totalit du signal (50100 %) est utilise
ce qui revient dire : 180 < a < 360.
Classe C : moins de la moiti (050%) du signal est utilise : 0 < a < 180.
3.2.4 Classification par gamme de frquences

On peut aussi dcrire les amplificateurs en fonction de leur bande passante. Par
exemple, les amplificateurs audiofrquences sont conus pour amplifier les signaux
des frquences sonores audibles (20 Hz 20 kHz) tandis que les amplificateurs
radiofrquences peuvent amplifier des frquences allant bien au-del des 20 kHz.
Les amplificateurs dondes radio peuvent aussi tre classs suivant la largeur de
leur bande passante. On parle alors damplificateurs bande troite (Narrowband en
anglais) ou large bande (wideband en anglais). Les amplificateurs bande troite ne
travaillent que sur une faible gamme de frquences (par exemple de 450 460 kHz)
tandis que les amplificateurs large bande peuvent amplifier une grande gamme de
frquences.
3.2.5 Classification par grandeur dentre et grandeur de sortie

Si on prend la nature de lentre et de la sortie comme critre. On se trouve avec
quatre types damplificateurs :
Amplificateur de courant : lentre e(t) est un courant et la sortie s(t) est un
courant. Lamplification qui est sans dimensions est Ai .
Amplificateur transconductance : lentre e(t) est une tension et la sortie s(t)

est un courant. Le rapport entre la sortie et lentre, exprim en siemens est :
A = gm .
Amplificateur transrsistance : lentre e(t) est un courant et la sortie s(t) est
une tension. Le rapport entre la sortie et lentre, exprim en ohms est : A = Rm .
Amplificateur de tension : cet amplificateur est le plus utilis en lectronique.
Lentre e(t) est une tension modlise par une source de Thvenin, s(t) est
la tension obtenue aux bornes de la rsistance dutilisation RU . Lamplifica-
teur de tension dont le rapport entre la sortie et lentre est not A V est idal
si : s (t) = A V e (t) , mais en gnral, lamplificateur reprsent par son schma
quivalent dun quadriple prsente une rsistance dentre Re et une rsistance
de sortie R S . Le gain se trouve diminu en appliquant un diviseur de tension en
entre et un diviseur de tension en sortie :
Re RU
v S (t) = A V vg (t)
Re + R g RU + R S
Rg RS
v1(t) Re RU vs(t)
vg(t) AVv1
Figure 3.3 Schma quivalent dun amplificateur en tension.
3.3 MONTAGES FONDAMENTAUX TRANSISTORS

BIPOLAIRES
Le transistor bipolaire est le composant le plus utilis en lectronique. Ce composant
de base, est utilis dans les circuits discrets mais surtout en circuits intgrs. Les trois
montages fondamentaux sont lmetteur commun, le collecteur commun et la base
commune.
3.3.1 Amplificateur en metteur commun

Considrons le montage metteur commun de la figure 3.4.
On suppose que le transistor est polaris correctement (voir tude en statique du
chapitre 2) avec un point de fonctionnement de coordonnes : (VC E0 , IC E0 ). On sup-
pose que la rsistance rC E = r = .
Pour dterminer les caractristiques de lamplificateur, on commence par dtermi-
ner le schma quivalent en petits signaux et en basses frquences.
3.3 Montages fondamentaux transistors bipolaires 93
R2 RC
Rg C1 vS
V CC
ve
R1 RE CE
Figure 3.4 Montage metteur commun dcoupl.
RE R1 R2
On note : ZE = et R P = R1 //R2 =
1 + jR E C E v R1 + R2
a) Schma quivalent
Notons Z E limpdance quivalente vue ct metteur (Z E = R E //C E ), le schma
quivalent est obtenu en appliquant le thorme de superposition. En effet pour lal-
ternatif petits signaux, on passive la source de tension continue VCC , ce qui revient
la remplacer par un court-circuit. Le thorme de Thvenin nous permet de simplifier
le schma quivalent de la figure 3.5 (a) pour obtenir la figure 3.5 (b). Les expres-
sions suivantes permettent de passer de la figure gnrale la figure simplifie.
R1 R2 26 103 26 103
R P = R1 //R2 = ; gm 38IC0 ; r B E = b
R1 + R2 I B0 IC0
RP R P Rg
e = e = ve ,
Rq =
et Rq = Rq + rBE
R P + Rg R P + Rg
Une tude dtaille de ce montage sera prsente au 3.4. Pour le moment, on peut
supposer que r g = 0.
Si, r g = 0, on obtient : Rq = r B E et ve = e
Rg iB
iB B C B C
rBE iB Rq iB
ve R2 R1 E RC vS e E RC vS
ZE ZE
(a) (b)
Figure 3.5 Schma quivalent (a) et schma quivalent simplifi (b).
b) Gain en tension
Sur le schma de la figure 3.5 (b), on a :
ve = Rq i B + (b + 1)i B Z E ; v S = bi B RC
vs bi B RC bRC
AV = = =
ve Rq i B + (b + 1)i B Z E r B E + (b + 1)Z E
Le signe montre une opposition de phase entre la sortie et lentre.
c) Impdance dentre
Si on note i P le courant qui passe dans la rsistance quivalente R P , limpdance
dentre devient :
ve ve
Z e = Re = =
ie iP + iB

Or, ve = i B r B E + Z E (b + 1) i B = r B E + Z E (b + 1) i B
iP iB 1 1
Soit : Ye = + = +
ve ve R P r B E + Z E (b + 1)

On en dduit : Z e = Re = R P // r B E + Z E (b + 1)
d) Impdance de sortie
Si on nglige la rsistance interne du transistor r, la rsistance de sortie devient :

v S
Z S = RS = = RC //r = RC
i S ve =0
Deux cas se prsentent :
metteur non dcoupl (condensateur de dcouplage inexistant)

Les ordres de grandeurs montrent que lamplification, limpdance dentre et lim-
pdance de sortie deviennent :
vs bi B RC bRC bRC RC
AV = = =
ve r B E i B + (b + 1)i B R E r B E + (b + 1)R E r B E + (b + 1)R E RE
Z e = Re = R P // (r B E + Z E (b + 1)) = R P // (r B E + R E (b + 1)) R P

v S
Z S = RS = = RC //r RC
i S ve =0
metteur dcoupl (condensateur de dcouplage de forte valeur)

Les condensateurs sont considrs comme des courts-circuits. Les ordres de gran-
deurs montrent que lamplification, limpdance dentre et limpdance de sortie
deviennent :
vs bi B RC bRC
AV = = = gm RC
ve r B E i B + (b + 1)i B Z E rBE
Z e = Re = R P // (r B E + Z E (b + 1)) R P //r B E r B E

v S
Z S = RS = = RC //r = RC
i S ve =0
La pente gm est : gm 38IC0
3.3.2 Amplificateur en collecteur commun

On considre le montage collecteur commun de la figure 3.6. On suppose que le
transistor est polaris correctement avec un point de fonctionnement de coordonnes :
(VC E0 , IC E0 ). On suppose que la rsistance rC E = r = .
Le signal dentre est inject sur la base et le signal de sortie est prlev sur lmet-
teur. Cest le collecteur qui sert comme point commun en alternatif entre lentre et
la sortie. On polarise le transistor par pont de base.
Pour dterminer les caractristiques de lamplificateur, on commence par dtermi-
ner le schma quivalent en petits signaux et en basses frquences.
R1 R2
On pose : R P = R1 //R2 =
R1 + R2
VCC
IC
R2
C1
C2
S
ve R1 RE RU v
Figure 3.6 Montage collecteur commun dcoupl.
a) Schma quivalent en petits signaux

Le schma quivalent est donn la figure 3.7. On remarque que lentre et la sortie
ne sont pas spares. La charge influe sur limpdance dentre et limpdance interne
du gnrateur dattaque influe sur limpdance de sortie.
Rg rBE iS
iB B E
eg R2 R1 ve RE iB vS
Figure 3.7 Schma quivalent du montage collecteur commun.
b) Gain en tension
Sur le schma quivalent de la figure 3.7, on a :
ve = r B E i B + (b + 1)i B R E ;
v S = (b + 1)i B R E
vS (b + 1)R E
Le gain vide dun collecteur commun est : A V = =
ve r B E + (b + 1)R E
On remarque que la sortie et lentre sont en phase et que le gain est lgrement
infrieur 1.
c) Impdance dentre
Si on note iP le courant qui passe dans la rsistance quivalente RP , limpdance
dentre devient : ve ve
Z e = Re = =
ie iP + iB
Or, ve = i B r B E + R E (b + 1) i B = (r B E + R E (b + 1)) i B
iP iB 1 1
Soit : Ye = + = +
ve ve R P r B E + R E (b + 1)
On en dduit : Z e = Re = R P // (r B E + R E (b + 1))
Remarque. toute rsistance de charge RU est obligatoirement en parallle avec
R E . La rsistance dentre devient :

Z e = Re = R P // r B E + (b + 1) R E //RU
d) Impdance de sortie
Si on nglige la rsistance interne du transistor r, la rsistance de sortie est obtenue
en annulant la tension dentre et en dbranchant la rsistance dutilisation RU :

v S
Z S = RS =
iS ve =0
IS
On calcule le rapport : Y S = G S =
VS
rBE iS
iB B E
Rg R2 R1 RE iB vS
Figure 3.8 Schma quivalent servant dterminer la rsistance de sortie.
On voit que le courant I B circule dans la rsistance :

Rq = Rg //R1 //R2 + r B E ; si Rg = 0, alors : Rq = r B E
VS VS
Or, I S = (b + 1) I B + et IB =
RE Rq
IS 1 b+1
On en dduit : YS = G S = = +
VS RE Rq
Souvent, si r g = 0, on a :
IS 1 b+1 b
GS = = + = gm
VS RE rBE rBE
VS rBE 1
La rsistance de sortie devient : R S =
IS b gm
Le montage collecteur commun prsente donc les caractristiques suivantes :
gain en tension quasiment gal lunit ;
impdance dentre leve (plusieurs dizaines plusieurs centaines de kV) ;
impdance de sortie faible (sa valeur est de lordre de quelques dizaines V).
Il est vident que ce montage ne sert pas pour amplifier un signal, mais il est utilis
comme adaptateur dimpdance.
Situ en amont dun vrai montage amplificateur, il permet daugmenter son imp-
dance dentre, situ en aval dun vrai montage amplificateur, il permet de linterfacer
avec une faible charge, et ceci, sans modifier le gain en tension de ltage.
3.3.3 Amplificateur base commune

Lamplificateur de tension dit base commune est un amplificateur transistor bipo-
laire qui fournit une amplification en tension leve. Limpdance dentre tant
faible, ce genre damplificateur relativement peu utilis sert pratiquement exclusi-
vement en hautes frquences lorsque la source de tension possde une rsistance de
sortie faible et lorsquon cherche avoir une adaptation dimpdance pour viter les
rflexions multiples.
Pour raliser lamplificateur base commune, on utilise le montage illustr la
figure 3.9. Le transistor NPN est polaris par une alimentation +VCC . Le signal den-
tre est inject lmetteur travers un condensateur de liaison et la sortie est pr-
leve travers un condensateur de liaison sur le collecteur du transistor. La base
qui nest pas utilise ni en entre, ni en sortie, joue en alternatif le rle dune borne
commune relie la masse.
Lamplification en tension est la mme que celle obtenue pour un metteur com-
mun, mais sans linversion de la phase.
Souvent, R E r B E avec :
K T /q 26 mV
rBE = =
I B0 I B0
VS VC i C RC R
Le gain en tension devient : Av = = = C
Ve VE RE rB E rBE
ie
RE + rB E
La rsistance dentre Re , la rsistance de sortie R S , lamplification en tension,
lamplification en courant et lamplification en puissance sont :
Ve VS iC
Re = rBE ; RS = RC ; Ai = 1 et A P = A V Ai A V
ie iC ie
VCC
IC
R2 RC
C3
C1
vS
R1 C2
RE ve
Figure 3.9 Montage dun amplificateur en base commune.

3.4 tude dtaille dun metteur commun 99
3.4 TUDE DTAILLE DUN METTEUR COMMUN

Considrons le montage metteur commun de la figure 3.10.
R2 RC
Rg C1 vS
V CC
ve
R1 RE CE
Figure 3.10 Montage metteur commun dcoupl.
On suppose que le transistor est polaris correctement et on commence par dter-

miner les droites de charge.
3.4.1 Droites de charge

Dans un montage transistors, la droite de charge en sortie est donne par lquation
qui rgit les deux grandeurs en sortie du transistor : courant et tension. On distingue
donc deux types de droites de charge : droite de charge statique et droite de charge
dynamique. tudions le cas typique du montage transistor bipolaire en metteur
commun dcoupl.
a) Droite de charge statique

En continu, lquation qui relie le courant IC la tension VC E est donne par la loi
dohm :
VCC VC E

VCC = RC IC + VC E + R E IC soit : IC =
RC + R E RC + R E
Il sagit dune droite de pente ngative (1/ (RC + R E )), appele droite de charge
statique. Cette droite est le lieu de tous les points de fonctionnement du montage.
Pour un courant de base I B0 impose par le circuit form par : VCC , R1 et R2 , le
point de fonctionnement N est le point qui se trouve lintersection entre la droite
de charge statique et la caractristique de sortie du transistor donne pour I B0 .
b) Droite de charge dynamique

En alternatif, le condensateur de dcouplage C E , annule leffet de la rsistance R E ,
lquation qui relie le courant i C du transistor la tension vC E est donc donne par la
loi dohm :
vC E (RC + RU )
vC E = RC //RU i C soit : i C = = vC E
RC //RU RC RU

Il sagit dune droite de pente ngative 1/ RC //RU appele droite de charge dyna-
mique. Cette droite doit passer par le point de fonctionnement du montage.
VCC
IC
IC droite de charge dynamique
VCC
R2 RC RC+RE
C2 variation de IC
IC0 N
C1 pour IB =IB0
vS droite de charge statique

ve R1 RE CE RU
VCE
VCE0 VCEMax VCC
(a) (b)
Figure 3.11 Montage metteur commun dcoupl (a) et caractristiques de sortie (b).
3.4.2 Schma quivalent

RE R1 R2
On pose : ZE = et R P = R1 //R2 =
1 + jR E C E v R1 + R2
Z E est limpdance quivalente vue ct metteur (Z E = R E //C E ), le schma

quivalent est obtenu en appliquant le thorme de superposition. En effet pour lal-
ternatif petits signaux, on passive la source de tension continue VCC , ce qui revient
la remplacer par un court-circuit. Le thorme de Thvenin nous permet de sim-
plifier le schma quivalent de la figure 3.12 (a) pour obtenir la figure 3.12 (b). Les
expressions suivantes permettent de passer de la figure gnrale la figure simplifie.
RP R P Rg
e = e = ve ,
Rq = et
Rq = Rq + rBE
R P + Rg R P + Rg
Rg iB
iB B C B C
rBE iB Rq iB
ve R2 R1 E RC vS e E RC vS
ZE ZE
(a) (b)
Figure 3.12 Schma quivalent (a) et schma quivalent simplifi (b).
3.4.3 Gain en tension

Sur le schma de la figure 3.12 (b), nous avons :
vs bRC bRC
= =
e Rq + (b + 1) Z E RE
Rq + (b + 1)
1 + j RE CE v
vs bRC 1 + j RE CE v
=
e Rq + (b + 1) R E Rq
1 + ( j R E C E v)
Rq + (b + 1) R E
v
1+ j
bRC v1
= v
Rq + (b + 1) R E 1+ j
v2
Les deux pulsations caractristiques v1 et v2 sont :
1 1 Rq + (b + 1) R E
v1 = 2p f 1 = et v2 = 2p f 2 =
RE CE R C R
E E q
(b + 1) R E
v2 = v1 1 +
Rq
En tenant compte de lexpression de la tension e en fonction de lentre ve , on

obtient :
f
1+ j
vs RP bRC f1
= avec : f 2 > f 1
ve R P + Rg Rq + (b + 1)R E f
1+ j
f2
f
1+ j
vs f1
Le gain peut donc se mettre sous la forme : A V = = Am
ve f
1+ j
f2
3.4.4 Diagramme de Bode du gain

Pour tracer le diagramme asymptotique, on distingue trois zones (figure 3.13).
vs
f f1 Am , la phase est de (1), donc : w = p
eg
vs f
f1 f f2 Am j , la phase est de ( j), donc : w = p/2
eg f1
vs f2
f f2 Am = A M , la phase est de (1) : w = p, avec :
eg f1
A M > Am .
G(dB)
AM
Am
20dB/dec
log(f)
f1 f0 f2
Figure 3.13 Diagramme du gain en basses frquences de lamplificateur en metteur commun.
La courbe croise lasymptote pour : f 0 = f 1 f 2 .

Dans le cas o f 2 f 1 (au moins un rapport 10 ce qui revient une dcade), pour
f = f 1 , la courbe est environ 3 dB au-dessus de lasymptote et 3 dB au dessous
pour f f 2 .

-90 (ou + 270)
-180 (ou +180) log(f)

f1 f0 f2
Figure 3.14 Diagramme de phase en basses frquences de lamplificateur en metteur

commun.
3.4.5 Impdance dentre et impdance de sortie

Le calcul de limpdance dentre et de limpdance de sortie a t donn dans le
3.3.1.
Z e = Re = R P // (r B E + Z E (b + 1)) R P //r B E r B E

v S
Z S = RS = = RC //r = RC
i S ve =0
La pente gm est : gm 38IC0
3.4.6 Rponse en frquences des montages amplificateurs

Dune manire schmatique il convient de retenir que le comportement vers les
basses frquences dun tage damplification est li la prsence de condensateurs
de liaisons ou de dcouplages tandis que le comportement en haute frquence est li
aux capacits parasites des composants actifs (transistors).
a) Effet Miller
Soit un circuit complexe, et une impdance Z entre les nuds (1) et (2) de ce circuit.
Vue du nud (1), limpdance Z qui est parcourue par le courant i est quivalente
une impdance Z 1 , situe entre ce nud (1) et la masse et dont la valeur est :

v2
1
v1 v2 v1 v1 Z
i= ; i = v1 = ; Z1 =
Z Z Z v2
1
v2 v1
1
v1
i (1) (2)
(1) (2)
Z
v1
Z1 Z2 v2
v1 v2
Figure 3.15 Circuit servant expliquer Figure 3.16 Transformation du Circuit

leffet Miller. servant expliquer leffet Miller.
De mme, pour le nud (2), Z est quivalente une impdance Z 2 situe entre ce
nud (2) et la masse dont la valeur est :
Z
Z2 =
v1
1
v2
b) Effet Miller (proprement dit)

On rserve le nom deffet Miller, au cas particulier o Z est un condensateur et (1) et
(2) lentre et la sortie, respectivement, dun montage dfini par un gain Av (ngatif).
1
Limpdance Z est de la forme : Z =
jCv
1
lentre, on a : Z 1 =
v2
jCv 1
v1
1 v2
Soit : Z1 = avec : C1 = C 1 ; C1 = C (1 A V )
jC1 v v1
(1) (2)
Av
v1 v2
Figure 3.17 Circuit utilis pour calculer leffet Miller.

Si A V est un rel ngatif, A V = |A V | on a : C1 = C 1 + |A V |
Av
v 1 C1 C2
v2
Figure 3.18 Effet Miller appliqu au circuit utilis.
Le condensateur C, plac en contre raction, (entre sortie et entre) se comporte :

comme un condensateur en entre de valeur C1 = C 1 + |A V | ;

comme un condensateur en sortie de valeur C2 = C 1 + 1/ |A V | .

C1 C A V
Si |A V | 1 effet Miller
C2 C
c) Rponse en hautes frquences du montage metteur commun

Puisquon travaille en hautes frquences, on peut lgitimement considrer que tous
les condensateurs externes (condensateurs de liaisons et condensateur de dcouplage)
se comportent comme des courts-circuits.
On pose : R p = R1 //R2 , le schma quivalent en hautes frquences du montage
devient celui reprsent figure 3.19.
Rp
On pose : e = eg ; r = R P //r g , le schma quivalent devient celui
R p + rg
reprsent en figure 3.20.
r B B
On pose : r = r + r B B et e = e , le schma quivalent devient celui
r B B + r
reprsent figure 3.21.
Rg rBB CBC
B iB B C
ve RP rBE CBE gmv RC vS
Figure 3.19 Schma quivalent en hautes frquences de lamplificateur en metteur commun.
"
rBB CBC
B iB B C
e rBE CBE gmv RC vS
Figure 3.20 Transformation du schma quivalent prcdent.
CBC
B C
e CBE gmv RC vS
Figure 3.21 Simplification du schma quivalent prcdent.

En appliquant les rsultats sur leffet Miller, le schma se transforme en le schma

de la figure 3.22.
gmv RC C2 vS
Figure 3.22 Effet Miller appliqu au schma quivalent prcdent.

vS 1
Avec : C1 = C B C 1 et C2 = C B C 1 v
v s
v
Pour dterminer une valeur approche de la frquence de coupure haute, on
approche le rapport v S /ve par sa valeur en basses frquences. Cest--dire lorsquon
nglige les condensateurs :
vS
gm RC
v
On pose : C T = C B E + C1 C B E + C B C (1 + gm RC )

1
C2 C B C 1+
gm R C
On a deux filtres RC, passe bas du premier ordre, un lentre constitu de r et
de C T , un deuxime la sortie , constitu de RC et de C2 , la frquence de coupure
( 3 dB) de chacun de ces deux filtres est respectivement :
1 1
lentre, f Ce =
2prC T 2pr [C B E + C B C (1 + gm RC )]
1
la sortie, f Cs =
1
2prRC C B C 1 +
gm R C
La frquence de coupure haute ( 3 dB) du montage est la plus petite des deux
frquences de coupure ci-dessus.
Remarque. En gnral, les valeurs numriques sont telles que :
C2 C B C ; f Ce f Cs si bien que, f C H f Ce
3.5 Amplificateurs fondamentaux transistors FET 107
G(dB)
AM
20dB/dec
40dB/dec
log(f)
f Ce f Cs
Figure 3.23 Courbe asymptotique du gain en hautes frquences dun montage en metteur
commun.
3.5 AMPLIFICATEURS FONDAMENTAUX TRANSISTORS FET

Le transistor effet de champ peut tre utilis en lectronique car il prsente une
rsistance dentre leve. Ce composant de base peut aussi tre utilis comme rsis-
tance variable.
Les trois montages fondamentaux sont la source commune, le drain commun et la
grille commune.
3.5.1 Amplificateur source commune

Soit le montage de la figure 3.24, on suppose que les condensateurs de liaison C1 et
C2 ont des valeurs de capacits trs leves, et se comportent de ce fait comme des
courts-circuits la frquence de travail considre.
RD
Rg C1 D C2
G
S
VDD
eg RU
vS
RG RS CS
Figure 3.24 Amplificateur transistor FET en source commune.

On cherche dterminer le gain en tension vide A V 0 , le gain en tension en charge

A V , limpdance dentre Z e et limpdance de sortie Z S .
a) Schma quivalent
La source se trouve la masse en alternatif. On suppose que la valeur de la rsistance
RG est trs leve devant la valeur de Rg , on obtient le schma quivalent suivant :
Rg
G D
eg e eg RG gmuGS rDS RD RU vS
Figure 3.25 Schma quivalent de lamplificateur transistor FET en source commune.
b) Gain en tension vide

vide, on dbranche la rsistance RU . On suppose que la source est relie la masse
en alternatif (C S de forte valeur).
La rsistance RG tant souvent leve, lamplification vide A V 0 devient :

vS gm u G S R D //r DS
AV 0 = = = gm R D //r DS
ve uGS
Gnralement, r DS est nettement plus leve que R D , lamplification A V 0 devient :
vS
AV 0 = gm R D
ve
c) Impdance dentre et impdance de sortie

Limpdance dentre du transistor seul tant considre comme infinie, limpdance
dentre du montage est simplement gale RG .
La rsistance entre G et S tant infinie, il ny a aucune raction de la sortie sur
lentre.
Ladmittance de sortie est :
is
Ys = = G D + g DS
u sd
Souvent la valeur de la rsistance R D est beaucoup plus faible que la valeur de r DS ,
la rsistance de sortie devient :
R S = R D //r DS R D
3.5 Amplificateurs fondamentaux transistors FET 109
3.5.2 Amplificateur drain commun

Soit le montage de la figure 3.26, on suppose que les condensateurs de liaison C1 et
C2 ont des valeurs de capacits trs leves, et se comportent de ce fait comme des
courts-circuits la frquence de travail considre. On cherche dterminer le gain
en tension vide A V 0 , le gain en tension en charge A V , limpdance dentre Z e et
limpdance de sortie Z S .
Rg C1 D
G
C2 VDD
S
eg
RG RS RU vS
Figure 3.26 Transistor FET en drain commun.
a) Schma quivalent
Le drain qui tant reli la borne positive (+) de lalimentation, se trouve la masse
en alternatif. On obtient le schma quivalent suivant :
Rg G iD
S
uGS
eg RG gmuGS rDS RS RU vS
D
Figure 3.27 Schma quivalent du montage drain commun.
b) Gain en tension vide

On note la conductance de source G S et la conductance drain - source g DS :
1 1
GS = ; gds =
RS rds
vide, la rsistance dutilisation RU est infinie, la rsistance RG tant souvent leve,
lamplification vide A V 0 devient :
vS u sd gm gm R S
Av0 = = = =
ve u gd G S + gm + g DS 1 + (gm + g DS )R S
Gnralement, g DS est nettement plus petit que gm et que G S , lamplification A V 0

devient :
gm gm R S
A V0 = =
G S + gm 1 + gm R S
c) Impdance dentre et impdance de sortie

Limpdance dentre du transistor seul tant considre comme infinie, limpdance
dentre du montage est simplement gale RG .
La rsistance entre G et S tant infinie, il ny a aucune raction de la sortie sur
lentre et la tension entre la grille et le drain est nulle : u G D = 0, ce qui fait que :
u G S = u S D .
Ladmittance de sortie est :
is
Ys = = G S + gds + gm G S + gm
u sd
Dans le cas particulier : gm R S 1, alors, Ys gm .

u sd 1
La rsistance de sortie devient : R S =
is gm
d) Gain en charge
Lamplificateur se met sous la forme dun quadriple avec une impdance dentre
Z e , une impdance de sortie Z S et une source de tension commande en tension
A V 0 u G S . Le gain en charge devient :
vS uGS RU Ze
AV = = AV 0
uGS eg RU + Z S Z e + Rg
RU Ze gm R S
AV =
RU + Z S Z e + Rg 1 + gm R S
3.5.3 Amplificateur Grille commune

Soit le montage grille commune de la figure 3.28. Si on suppose que les condensa-
teurs sont des courts-circuits la frquence de travail, les principaux rsultats de ce
montage sont :
RS
Impdance dentre : Ze =
1 + gm R S
Impdance de sortie :
Z S = RD
VS
Amplification en tension vide : A V = = gm R D
Ve
3.6 Les diffrentes classes des amplificateurs 111
VDD
ID
RD
C2
vS
C1
RS ve
Figure 3.28 Montage grille commune.
3.6 LES DIFFRENTES CLASSES DES AMPLIFICATEURS

3.6.1 Amplificateur en classe A
Un amplificateur de tension dit classe A est souvent un amplificateur transistors
bipolaires, transistors effets de champs (FET) ou des MOSFETs. Ce genre dam-
plificateur est le plus utilis en lectronique analogique transistors. Lentre e(t) et
la sortie s(t) sont des tensions. Le point de repos (point de polarisation) de chaque
transistor doit tre situ sur la droite de charges, dans la partie centrale (loin des
points caractristiques qui sont la saturation et le blocage).
Lamplificateur reprsent la figure 3.29 est un montage en metteur commun
non dcoupl.
VCC
IC
IC
VCC
R2 RC RC+RE
N
vS IC0
ve R1 RE
VCE
VCE0 VCC
(a) (b)
Figure 3.29 Montage en classe A : metteur commun non dcoupl (a) et Droite de charge
statique et point de fonctionnement (b).
a) Exemple dun metteur commun

La polarisation impose par les rsistances R1 et R2 donne un point de repos N situ
vers le milieu de la droite de charge statique du montage (figure 3.29 (b)).
La tension de sortie est : v S (t) = VC E0 + VS sin (vt)
VC E0 VS
Le courant qui circule dans la rsistance RC est : i S (t) = + sin (vt)
RC RC
b) Rendement de lamplificateur
Si on prend le cas simple avec R E nulle, la puissance dissipe dans la rsistance RC
qui est suppose ici comme tant la rsistance de charge :

1 T
PU = v S (t) i S (t) dt
T 0

1 T VC E0 VS
= [VC E0 + VS sin (vt)] + sin (vt) dt
T 0 RC RC
VC2 E0 V2
PU = + S
RC 2RC
Le premier terme est une constante, seul le deuxime terme contient le signal utile
(information). La puissance utile qui est dissipe dans RC est donc :
VS2
PU =
2RC
La puissance fournie par lalimentation est :

1 T 1 T VC E0 VS
Pf = VCC i S (t) dt = VCC + sin (vt) dt
T 0 T 0 RC RC
Aprs simplification, la puissance fournie par lalimentation devient :
VCC VC E0
Pf =
RC
VS2
2RC VS2
Le rendement est donn par : h = =
VCC VC E0 2VCC VC E0
RC
Le rendement est maximal lorsque la tension de sortie atteint la valeur maximale :
VS = VCC /2. Dans ce cas, la polarisation est gale aussi VC E0 = VCC /2 :
2
2
VS(max) VCC /2 1
hmax = 2
= 2
= = 0,25 = 25 %
VCC VCC 4
Remarque. On a suppos un cas idal avec une rsistance dutilisation dans le

collecteur (en ralit, cette rsistance se trouve en parallle avec RC ) et un point
de fonctionnement situ au milieu de la droite de charge statique.
Le rendement dun amplificateur classe A est donc obligatoirement infrieur

25 %. On utilise souvent ce genre damplificateur pour les faibles puissances.
3.6.2 Amplificateur en classe B

Un amplificateur de tension en classe B est souvent un amplificateur transistors qui
sert souvent comme dernier tage dune chane en vue dobtenir une puissance en
sortie leve.
Pour raliser un amplificateur en classe B, on utilise une paire de transistors com-
plmentaires. Il sagit dun transistor NPN et dun transistor PNP, qui ont tous les
deux les mmes caractristiques. La polarisation des transistors est fournie par une
alimentation +VCC et VCC .
Le transistor T1 nest conducteur que pendant lalternance positive de la tension
dentre (une demi-priode), le point de repos situ sur la droite de charge est le
point B (point de blocage) tel que IC = 0 et VC E = VCC . Ce montage est connu sous
le nom de montage en push-pull .
Chaque transistor fonctionne pour lalternance qui le concerne comme un mon-
tage collecteur commun, avec une impdance de sortie trs faible. Lamplification en
tension, limpdance dentre et le rendement sont :
PUtile p
Av 1 ; Z e bRU et hMax = = 78,5 %
Pfournie 4
VCC
iC1
T1
RU VCC IC1
RU
point AB
ve vS point B
T2
iC2 VCE1
VCC
_V
CC
(a) (b)
Figure 3.30 Montage simple dun amplificateur en classe B (a) et Droite de charge dynamique
du transistor T1 et point de polarisation (b).
Le rendement en puissance est relativement lev puisquon peut atteindre 78,5 %

lorsque lamplitude maximale de la tension dentre est gale VCC . Mais le pro-
blme essentiel de ce montage est son taux de distorsion lev. En effet lorsque la
tension dentre est infrieure 0,6 ou 0,7 volt, la jonction base metteur nest pas
polarise et pratiquement aucun courant ne circule en sortie. On a donc une distorsion
de croisement (la sortie ne reproduit pas lentre).
La solution consiste prpolariser les transistors en prenant sur la droite de charge
pour le transistor NPN, le point AB au lieu du point B. De cette faon, on limine la
distorsion de croisement, mais les transistors vont consommer de la puissance et les
rsistances des bases dissipent aussi une partie de la puissance. Le rendement devient
donc infrieur celui obtenu avec un montage en classe B.
distorsion de
VS croisement
VCC
t
_V
CC
Figure 3.31 Mise en vidence de la distorsion de croisement.
Plusieurs solutions se prsentent pour la polarisation. On peut utiliser par exemple,

deux rsistances et deux diodes qui doivent avoir thoriquement les mmes tensions
seuils VB E0 que les jonctions bases - metteurs des transistors.
VCC
iC1
T1
RU
ve vS
T2
iC2
_V
CC
Figure 3.32 Exemple dun amplificateur en classe AB.

3.6.3 Amplificateur en classe C

Un amplificateur de tension en classe C est un amplificateur transistors bipolaires
( effet de champs : FET ou des MOSFETs) qui sert souvent amplifier une bande
troite de frquences. Cest le cas par exemple dun metteur radio qui met sur la
frquence de la porteuse entoure dune bande plus ou moins large selon le type de
la modulation utilise.
On dfinit souvent dans ce cas le coefficient de qualit et la bande passante du
montage. Le rendement est trs lev (suprieur 90 %) ce qui permet de travailler
avec des puissances relativement leves.
On donne un exemple dun amplificateur classe C simple la figure 3.33 (a).
Le transistor nest conducteur que pendant un cycle rduit de sa priode positive de
la tension dentre. La dure de conduction qui dpend dans le cas de notre montage,
de la valeur de E B , est remplace par langle de conduction et, est note souvent u0 .
La forme du courant du collecteur IC est une forme impulsionnelle la frquence
f 0 (figure 3.33 (b)). Ce courant se dcompose en srie de Fourier.
VCC
ic
RP L C ic
ve 2
vCE=vS icmax
EB -
+
t
0
(a) (b)
Figure 3.33 Amplificateur en classe C transistor bipolaire (a) et allure du courant

collecteur (b).
Le fondamental de ce courant est la frquence f 0 . Lorsque le fondamental passe

par le circuit rsonant, il donne une tension sinusodale la frquence f 0 .
Les autres harmoniques, sont des frquences multiples ( f = n f 0 ) et ne donnent,
si le coefficient de qualit du circuit rsonant est trs lev, aucune tension dans le
circuit rsonant.
Lamplification en tension est leve, et le rendement est excellent puisquon peut
sapprocher thoriquement de 100 %.
3.7 AMPLIFICATEUR DIFFRENTIEL

3.7.1 Gnralits
Il est souvent ncessaire damplifier la diffrence de deux potentiels non nuls, ce
signal utile est porteur de linformation (sortie dun capteur de pression ou diffrence
entre les potentiels des deux soudures dun thermocouple par exemple).
Pour raliser cette amplification, on utilise un amplificateur diffrentiel transis-
tors bipolaires, des transistors effet de champ ou des combinaisons de ces deux
types de transistors.
3.7.2 Caractristiques
Une structure diffrentielle permet cette amplification, mais permet aussi :
dobtenir un amplificateur large bande ;
damplifier une tension continue ;
dtre la base des amplificateurs oprationnels ;
de raliser des circuits multiplicateurs (modulation).
Un amplificateur diffrentiel possde deux entres distinctes, aucune de ces entres
ntant la masse. On porte le potentiel Ve+ sur lentre + et le potentiel Ve , sur
lentre avec (Ve+ > Ve ). La tension de sortie est fonction de la diffrence des
deux tensions : VE+ VE .
+
+ + +
+ Ve A Ve U
S
- -
+ - VS Ve- A- V -e
Ve Ve
Figure 3.34 Reprsentation schmatique de lamplificateur diffrentiel.
3.7.3 Dfinitions
La tension de sortie peut tre rfrence la masse ou ne pas ltre, on dit alors que la
sortie est flottante. De mme lentre peut tre diffrentielle ou rfrence par rapport
la masse.
La diffrence de potentiels en sortie est : U S = AC VC + A D U D

AC : gain en mode commun et VC = Ve+ + Ve /2 : tension dentre en mode
commun.
A D : gain en mode diffrentiel et U D = Ve+ Ve : tension dentre en mode
diffrentiel.
3.7 Amplificateur diffrentiel 117
Puisquon sintresse la diffrence des potentiels dentre le terme Ac Vc de la

tension de sortie est un terme parasite, on cherche le rejeter. On crit :

Ac Vc 1 VC
US = A D U D 1 + = A DUD 1 +
A DUD r UD
Le taux (ou rapport) de rjection en mode commun (TRMC) exprime la qualit de
lamplificateur diffrentiel. Plus le taux de rjection est lev, meilleur est lampli-
ficateur. Ce taux sexprime souvent en dcibels (dB). Le taux de rjection de mode
commun est :
AD AD
TRMC = ou (TRMC)dB = 20 log
AC AC
3.7.4 Montage avec transistors NPN

Le montage de la figure 3.35 prsente un amplificateur diffrentiel simple transis-
tors bipolaires. On entre sur les bases B1 et B2 des transistors T1 et T2 . La sortie est
dite diffrentielle (ou flottante) si on la prend entre les deux collecteurs C1 et C2 des
deux transistors : U S = VC1 VC2 , elle est dite rfrence (ou asymtrique) si on la
prend entre un collecteur et la masse (gnralement entre C2 et la masse) : U S = VC2 .
Les metteurs sont relis une vraie source de courant ralise par un transistor
bipolaire polaris par deux rsistances de base R1 et R2 . On peut aussi utiliser un
transistor effet de champ ou un miroir de courant.
On voit quil ny a pas de condensateur de liaison lentre. Ce type damplifica-
teur peut tre utilis aussi bien en alternatif quen continu.
VCC
IC
IC
RC RC
B1
T1 T2
B2
VCC
IE
R2
T3
R1 RE
VEE
Figure 3.35 Amplificateur diffrentiel trois transistors NPN.

Fonctionnement. Les tensions +VCC et VE E sont souvent symtriques. Quand

V1 = V2 = 0, le potentiel VE de lmetteur est voisin de 0,6 V. Un courant continu
I E = IC1 + IC2 est impos par la source de courant. IC1 et IC2 qui passent respective-
ment dans les rsistances des collecteurs RC1 et RC2 sont gaux si les transistors sont
identiques.
Toute variation du potentiel de lune ou lautre des bases, provoque une variation
du courant collecteur du transistor concern.
Or, la source de courant donne un courant constant, il sensuit quobligatoirement,
le courant de lautre collecteur va varier pour garder toujours :
I E = IC3 = IC1 + IC2 = constante
Ltude est similaire celle faite pour un metteur commun et on peut distinguer
plusieurs cas selon quon injecte une tension diffrentielle ou une tension rfrence,
et selon la sortie choisie : diffrentielle ou rfrence. Le tableau suivant donne un
rcapitulatif des diffrents modes de fonctionnement :
Tension dentre Ve+ = Ve = Vc : Ve+ = Ve = U D /2

mode commun mode diffrentiel
R c gm R c gm
Sortie rfrence : Vs = Vc Vs = + UD
1 + 2R E gm 2
U S = VC2
Acr ADR
TRMC
Impdance dentre R E gm
Rc Dgm
Sortie flottante : Us = Vc Us = R c gm U D
1 + 2R E gm
U S = VC1 VC2 AD
Acr
2
2R E gm
TRMC
Dgm
3.7 Amplificateur diffrentiel 119
Pour un transistor bipolaire, les caractristiques des trois montages fondamen-

taux sont :
metteur commun Base commune Collecteur commun
gm R C RC
Amplification vide A V = Av gm R C A v 1
1 + gm Z E rBE
Z e = Re Ve Z e = Re
Rsistance dentre Re = rBE
= R P // (r B E + R E (b + 1)) ie = R P // (r B E + R E (b + 1))
VS VS rBE 1
Rsistance de sortie Z S = R S = RC //r = RC RS = RC RS =
iC IS b gm
Pour un amplificateur en classe A, le point de fonctionnement est situ vers le

milieu de la droite de charge statique. Le rendement est faible :
2
2
VS(max) VCC /2 1
hmax = 2
= 2
= = 0,25 = 25 %
VCC VCC 4
Pour un amplificateur en classe B, le point de fonctionnement se trouve sur la

droite de charge statique et sur laxe des abscisses. Le rendement est lev :
PUtile p
Av 1 ; Z e bRU et hmax = = 78,5 %
Pfournie 4
Pour un amplificateur en classe C, la conduction se fait avec un angle infrieur
p. Le rendement est trs lev :
PUtile
hmax = peut atteindre les 90 % et mme plus.
Pfournie
Pour lamplificateur diffrentiel, les diffrentes caractristiques sont donnes
dans le tableau suivant :
Tension dentre Ve+ = Ve = Vc : Ve+ = Ve = U D /2 :
mode commun mode diffrentiel
R c gm R c gm
Sortie rfrence Vs = Vc Vs = + UD
1 + 2R E gm 2
VS = VC2
Acr ADR
Rc Dgm
Sortie flottante Us = Vc Us = R c gm U D
1 + 2R E gm
U S = VC1 VC2 AD
Acr
EXERCICES
Exercice 3.1 Amplificateur en base commune

Soit le montage de la figure 3.36, reprsentant un transistor bipolaire qui
fonctionne en montage base commune :
Le signal dentre eg attaque lmetteur du transistor, la sortie du montage
se trouve au niveau du collecteur. Nous supposons que tous les condensa-
teurs se comportent comme des courts-circuits la frquence de travail.
Nous donnons : VCC = 15 V, VB E0 = 0,7 V, b = 100, R1 = 10 kV,
R2 = 40 kV, R E = 1 kV, RC = 2 kV, RU = 10 kV, Rg = 100 V.
1. Calculer le point de fonctionnement de coordonnes : (I C0 , VCE0 ).
2. Donner le schma quivalent en petits signaux.
3. Calculer la rsistance dentre en sortie ouverte, le gain en tension et la
rsistance de sortie.
R2 RC
C3
C1
C2 VCC
Rg RU vS
R1 RE eg
Figure 3.36 Montage base commune dun transistor bipolaire.
Solution
1. Calcul du point de fonctionnement
Pour dterminer le point de fonctionnement, on calcule en continu le gnrateur de
Thvenin au niveau de la base du transistor, on nglige le courant I B par rapport au
courant IC :
R1 R1 R2 IC0
VCC = + VB E0 + R E IC0
R1 + R2 R1 + R2 b
10 400 IC0
15 = 103 + 0,7 + 103 IC0 soit : IC0 = 2,13 mA
50 50 100
On dduit la tension VC E0 :
VCC = (RC + R E ) IC0 + VC E0 = 2,13 mA

soit : VC E0 = 15 3 103 2,13 103 = 5,61 V
Exercices 121
2. Schma quivalent
Le schma quivalent sobtient en faisant les remarques suivantes :
les condensateurs sont remplacs par des courts-circuits ;
le schma quivalent du transistor ne compte pas les condensateurs interlectrodes.
La rsistance de la jonction base-metteur est note r B E et rC E est la rsistance vue
entre le collecteur et lmetteur. La valeur de cette dernire rsistance est trs leve.
rCE
ie
Rg iB iB
ve R E rBE RC RU vS
eg
Figure 3.37 Schma quivalent du montage base commune.
3. Calcul des paramtres du quadriple quivalent lamplificateur

a) Gain en tension
On transforme le schma quivalent de la figure 3.37, en remplaant la source de cou-
rant par une source de tension. Le schma quivalent devient celui de la figure 3.38.
iB.rCE r
ie E CE C
Rg iB
ve RE rBE ve v RC RU vS
eg
Figure 3.38 Schma quivalent modifi.
On crit les quations suivantes :

RU //RC
ve = i B r B E et vS = v
RU //RC + rC E

RU //RC
ve = (bi B rC E ) + v soit : v S = (ve (bi B rC E ))
RU //RC + rC E

RU //RC b rC E
vS = ve + ve
RU //RC + rC E rBE
Le gain en tension devient dans ce cas :

vS RU //RC b rC E
AV = = 1+
ve RU //RC + rC E rBE
Les ordres de grandeurs donnent une valeur de rC E trs leve (on suppose sa valeur
infinie), lexpression prcdente du gain se simplifie pour donner :

vS RC //RU b rC E RC b rC E b
AV = . . .RC
ve rC E rBE rC E rBE rBE
Sachant que la valeur approche de la rsistance de la jonction r B E est :
26 mV 26 mV
rBE = b
I B0 IC0
ce qui donne :
1
AV IC0 RC 38 IC0 RC
26 103
Lexpression du gain est identique celle trouve pour un metteur commun, mais la
tension de sortie et la tension dentre sont en phase.
b) Rsistance dentre
On commence par transformer le gnrateur de courant bi B et la rsistance rC E
en un gnrateur quivalent de tension. Lorsquon applique une tension dentre
entre lmetteur et la masse, en sortie ouverte, le schma quivalent est celui de la
figure 3.39 (a).
ie E iB.rCE rCE C ie E
iB iB
ve RE rBE RC ve RE rBE iq Rq
M M
(a) (b)
Figure 3.39 Transformation du gnrateur de courant et Schma quivalent simplifi.
On transforme de nouveau le gnrateur de Thvenin form par la source idale de

tension bi B .rC E et sa rsistance interne forme par la mise en srie de rC E et RC en
un nouveau gnrateur de courant comme indiqu la figure 3.39 (b).
bi B .rC E
i q = et Rq = rC E + RC
r C E + RC
Exercices 123
La tension qui apparat aux bornes du gnrateur de courant est : v M E = r B E .i B ce

qui revient remplacer ce gnrateur par une rsistance :
r B E (rC E + RC )
R=
brC E
La rsistance dentre rsulte de la mise en parallle de quatre rsistances : R E , r B E ,
Rq et R :
r B E (rC E + RC )
Re = R E //r B E // (rC E + RC ) //
brC E
Les ordres de grandeur sont : rC E trs leve (on la suppose infinie), si on considre
la valeur de b trs suprieure 1, lexpression de la rsistance dentre se simplifie :

rBE rBE
Re R E //r B E //
b b
Lordre de grandeur de la rsistance dentre est de quelques dizaines dohm. Ce
montage ne peut tre utilis que pour avoir une adaptation dimpdance et sert pour
la haute frquence. Dans ce cas le gain total en tenant compte de la rsistance Rg
devient :
Re
A V (total) 38 IC0 RC //RU
Re + R g
c) Rsistance de sortie
On commence par transformer le schma quivalent en court-circuitant la source eg
et en dconnectant la charge RU . Le schma est donn la figure 3.40.
iB.rCE rCE iS
E
iB
Rg v RE rBE RC vS
Figure 3.40 Mthode de calcul de la rsistance de sortie en court-circuitant lentre.
La tension v peut scrire de diffrentes faons, ce qui nous permet de dterminer les
diffrents courants qui circulent dans R E et dans Rg .
v = r B E .i B = R E .i E = Rg .i g
rBE rBE
Ce qui donne : iE = .i B et ig = .i B
RE Rg
iq iB.rCE rCE iS
Rq RC vS
Figure 3.41 Schma quivalent simplifi de sortie en court-circuitant lentre du montage

aprs transformation.
Le schma quivalent se simplifie davantage pour donner le schma de la figure 3.41.

1 1 1
Rq = r B E //R E //Rg et i q = r B E .i B . + +
r B E R E Rg
On peut maintenant remplacer le gnrateur de tension bi B .rC E . Ce gnrateur qui

est parcouru par le courant i q , peut tre remplac par une rsistance R :

b.rC E r B E //R E //Rg
R= . r B E //R E //Rg = b.rC E .
rBE rBE
r B E , R E et Rg sont des rsistances de faibles valeurs compares la valeur de brC E .

La rsistance R est donc trs leve dordre de grandeur brC E . La rsistance vue en
sortie est :
R S = b.rC E //RC RC
Exercice 3.2 Amplificateur couplage direct deux transistors

Soit le schma dun amplificateur deux transistors de la figure 3.42. On
donne :
VCC = 12 volts, R1 = 50 kV, R2 = 100 kV, R E1 = 0,5 kV,
R E2 = 1 kV , RU = R E = 3 kV, Rg = 5 kV, RC = 3 kV, b = 100,
VB E1 = VB E2 = 0,7 V et VC Esat = 0,3 V.
On suppose que C1 , C2 et C E sont les quivalents de courts-circuits pour
la frquence utilise.
1. Calculer les coordonnes des points de repos du transistor T1 et du tran-
sistor T2 .
2. Tracer les deux droites de charges de chaque transistor. En dduire lam-
plitude maximale en sortie de chaque transistor avant crtage.
Exercices 125
3. Calculer la rsistance dentre vue par le gnrateur et la rsistance de

sortie vue par la charge.
4. Calculer pour chaque tage, puis pour lamplificateur complet le gain en
tension (amplification) intrinsque puis le gain en tension (amplification)
composite.
V CC
I C1 I C2
R2 RC
C1
T1 T2 C 2
Rg R E1
R1 RE R U vS
v e
R E2 CE
Gnrateur Charge
Figure 3.42 Schma de lamplificateur deux transistors tudier.
Solution
1. Coordonnes des points de repos
On commence par le premier transistor et on applique le thorme de Thvenin
lentre.
VCC VCC
IC01 IC02
RC
IB01 RTH
VCE01 VCE02
ETH
RE1+ RE2 RE
Figure 3.43 Schma simplifi du montage en continu.
R1 50 103
ET H = VCC = 12 = 4 V
R1 + R2 50 103 + 100 103
R1 R2 50 103 100 103

RT H = = = 33,33 103 = 33,33 kV ;
R1 + R2 50 103 + 100 103
R E1 + R E2 = 1,5 kV
IC0
On applique la loi des mailles lentre : E T H = RT H +VB E01 +(R E1 + R E2 )IC0
b
On en dduit :
E T H VB E01 4 0,7
IC01 = = 103 = 1,755 mA
RT H /b + (R E1 + R E2 ) 0,33 + 1,5
Le potentiel du collecteur du premier transistor est :

VC1 = VCC RC IC01 = 12 3 103 1,75 103 = 6,73 V
Le potentiel de lmetteur du premier transistor est :

VE1 = (R E1 + R E2 ) IC01 = 0,5 103 + 10 3 1,75 103 = 2,63 V
La diffrence de potentiel entre le collecteur et lmetteur du premier transistor est :
VC E1 = VC1 VE1 = 6,73 2,63 = 4,1 V
La base du deuxime transistor est relie au collecteur du premier transistor, il vient :
VC1 = VB2 = 6,73 V ; VE2 = VB2 VB E2 = 6,73 0,7 6 V
Le courant de lmetteur du deuxime transistor devient :

VE2 6V
I E2 = = = 2 103 = 2 mA
RE 3 103
On en dduit la diffrence de potentiel entre le collecteur et lmetteur :
VC E2 = VCC VE2 = 12 6 = 6 V
2. Droites de charge
Pour le premier transistor, on a :
VCC = (IC01 + I B02 )RC +(R E1 + R E2 )IC01 +VC E1 (R E1 + R E2 + RC )IC01 +VC E1
La droite de charge statique passe donc par les deux points de coordonnes :
(0 V , ICmax ) ; (VCC , 0 mA)

Exercices 127
VCC 12
Avec : ICmax = = 103 = 2,66 mA
R E1 + R E2 + RC 0,5 + 1 + 3

En alternatif, on a : vC E = RC //RU 1 + R E1 i C
Il sagit dune droite qui passe par le point de repos (point de fonctionnement) et qui
a une pente ngative. On a :
1 1 1
tg (a1 ) = =
RC //RU 1 + R E1 RC //bR E + R E1 RC + R E1
Lapproximation faite est justifie puisque la rsistance dutilisation du premier tran-

sistor, nest autre que la rsistance dentre du deuxime transistor. Cette rsistance
est de lordre de bR E .
La droite de charge dynamique coupe laxe des abscisses en un point dtermin de la
faon suivante :
1 1 1,75 103
tg (a1 ) = = =
RC + R E1 3,5 103 X
On en dduit X : X = 1,75 103 3,5 103 = 6,12 V
I (mA)
2,66 droite de charge dynamique
N
1,75
droite de charge statique
1
VCE (V)
3,43 X = 6,12 12
Figure 3.44 Droite de charge statique et droite de charge dynamique du premier transistor.
On remarque que le signal de sortie ne doit pas avoir une amplitude qui dpasser :
VSmax = Inf (X , VC E0 VC Esat ) = VC E0 VC Esat = 3,43 0,3 = 3,13 V
Pour le deuxime transistor, on a : VCC = R E IC02 + VC E2

La droite de charge statique passe donc par les deux points de coordonnes :
(0 V , ICmax ) ; (VCC , 0 mA)
VCC 12
Avec : ICmax = = 103 = 4 mA
RE 3

En alternatif, on a : vC E = R E //RU i C
Il sagit dune droite qui passe par le point de repos (point de fonctionnement) et qui
a une pente ngative. On a :
1
tg (a2 ) =
RU //R E
La droite de charge dynamique coupe laxe des abscisses en un point dtermin de la
faon suivante :
1 1 2 103
tg (a2 ) = = =
R E //RU 1,5 103 X
On en dduit X : X = 1,5 103 2 103 = 3 V
I (mA)
4 droite de charge dynamique
N droite de charge statique

2
2
VCE (V)
6 X=3 12
Figure 3.45 Droite de charge statique et droite de charge dynamique du deuxime transistor.
On remarque que le signal de sortie ne doit pas avoir une amplitude qui dpasse :
VSmax = Inf (X , VC E0 VC Esat ) = X = 3 V
Or, ce montage namplifie pas. Lamplitude du signal de sortie du premier montage
ne doit pas dpasser elle aussi 3 V.
Exercices 129
3. Calcul des rsistances dentre et de sortie

La rsistance vue par le gnrateur est la rsistance dentre. Cette rsistance repr-
sente aussi la rsistance dentre du premier transistor.
Sachant que la rsistance R E2 est dcouple par le condensateur, la rsistance den-
tre devient :
Rentre = R1 //R2 // (r B E1 + bR E1 )

On connat : R1 //R2 = 33,3 kV, bR E1 = 50 kV
26 103 26 103 26 103

On calcule r B E : r B E = b = 100 = 1,48 kV
I B01 IC01 1,75 103

Rentre = 33,33 103 // 51,48 103 = 20,2 kV
La rsistance vue par la charge est la rsistance de sortie. Cette rsistance reprsente
aussi la rsistance de sortie du deuxime montage.
Or, ce dernier est un collecteur commun dont la rsistance de sortie est :
1 1 1
Rsortie = = 13 V
gm2 38 IC02 38 2 103
4. Calcul des gains en tension

On calcule le gain en tension en charge du premier montage. On sait que R E2 est
dcouple et que la rsistance de charge du premier montage est bR E .
RC //RU 1 RC 3 103
AV 1 = = 6
R E1 R E1 0,5 103
Le deuxime montage est un collecteur commun, son gain est pratiquement gal 1.
Le gain total devient donc :
A V = A V 1 A V 2 A V 1 = 6
Le gain composite est donn en tenant compte de la charge RU et de la rsistance

interne du gnrateur Rg .
Rentre RU
A V composite = AV
Rg + Rentre RU + Rsortie
20 103 3 103
A V composite = (6) 4,8
5 103 + 20 103 3 103 + 13
Exercice 3.3 Amplificateur slectif

On dispose dune bobine relle dont la valeur de la self est : L = 30 mH et
dont le fil de bobinage possde une rsistance srie r S = 5 V.
1. On souhaite travailler la frquence f 0 = 1 MHz. Calculer cette fr-
quence le coefficient de qualit Q L . En dduire la valeur de la rsistance
parallle R P de la bobine qui donne le mme coefficient de qualit.
2. On donne le schma de lamplificateur slectif transistor bipolaire la
figure 3.46. On utilise le modle de la bobine avec la rsistance en parallle,
calculer la valeur de condensateur pour avoir une rsonance la frquence
f 0 = 1 MHz.
3. Calculer les coordonnes du point de fonctionnement (IC E0 , VC E0 ).
4. Donner le schma quivalent du montage complet. En dduire le gain de
lamplificateur la frquence f 0 = 1 MHz.
5. On fait varier la frquence du signal dentre autour de la frquence
f 0 = 1 MHz. On pose :
v RP
x= ; Q= = RCv0
v0 Lv0
Dterminer les frquences de coupures de lamplificateur.
On donne :
VCC = 12 volts, R B1 = 100 kV , R B2 = 100 kV, R E = 10 kV,
VB E = 0,7 volts.
On suppose que Cl1 , Cl2 et C E sont les quivalents de courts-circuits la
frquence f 0 .
VCC
RB2 RP L C
Cl1
Cl2
ve vS
RB1 RE CE
Figure 3.46 Amplificateur slectif transistor bipolaire.

Exercices 131
Solution
1. Calcul du coefficient de qualit et de la rsistance parallle
On sait que le passage dun modle srie en un modle parallle se fait de la faon
suivante :
|X srie |
Z = Rsrie + j X srie ; Q srie =
Rsrie
|Bparallle |
Lorsque Q srie 1, on a : Y = G parallle + j Bparallle ; Q parallle =
G paralllee
Rsrie 1
Avec : G parallle = 2
et Bparallle =
X srie X srie
Gp Bp
RS XS
(a) (b)
Figure 3.47 Impdance srie (a) et son quivalent parallle (b).
Le coefficient de qualit de la bobine devient :

|X srie | Lv0 30 106 2p 106
Q L = Q srie = = = = 37,68
Rsrie rS 5
Or, le coefficient de qualit de la bobine reste le mme lorsquon utilise la configura-
tion parallle, il vient :

|Bparallle | 1 Rparallle
Q L = Q srie = Q parallle = = Rparallle = = 37,68
G parallle |X srie | Lv0
On en dduit : Rparallle = Q L Lv0 = 37,68 30 106 2p 106 = 7,1 kV.

2. Calcul de la capacit C du condensateur

Lamplificateur slectif doit fonctionner une seule frquence (en ralit, il sagit
dune bande troite de frquence). La rsonance doit donc tre la frquence f 0 .
Or, la rsonance dun circuit bouchon est obtenue lorsque la partie imaginaire de
ladmittance quivalente est nulle.

1 1
Yq = G P + jCv + = G P + j Cv
j Lv Lv
1 1
la frquence de rsonance on a : Cv = 0, soit : f = f 0 =
Lv 2p LC
1 1
On en dduit : C = = = 845 1012 = 845 pF.
4p2 L f 02 4p2 30 106 1012
3. Calcul des coordonnes du point de fonctionnement

Pour calculer le point de fonctionnement, on commence par transformer le schma
de lamplificateur. En continu, on obtient le schma simplifi de la figure 3.48.
VCC
RTH I IC0
B0
VCE0
ETH RE
Figure 3.48 Schma simplifi en continu de lamplificateur slectif.
On remarque, que le collecteur est reli directement VCC (bobine remplace par
un court-circuit) et on transforme le circuit de polarisation en entre en utilisant le
modle de Thvenin quivalent.
R B1 100 103
ET H = VCC = 12 = 6 V
R B1 + R B2 100 103 + 100 103
R B1 R B2 100 103 100 103
RT H = = = 50 103 = 50 kV
R B1 + R B2 100 103 + 100 103
IC0
On applique la loi des mailles lentre : E T H = RT H + VB E0 + R E IC0
b
E T H VB E0 6 0,7
On en dduit : IC0 = = 103 = 0,504 mA
RT H /b + R E 0,5 + 10
Le potentiel du collecteur du transistor est : VC = VCC = 12 V
Le potentiel de lmetteur du transistor est :

0,504 103
VE = E T H RT H I B0 VB E0 = 6 50 10 3
0,7 = 5,04 V
100
La diffrence de potentiel entre le collecteur et lmetteur du transistor est :
VC E = VC VE = 12 5,04 = 6,95 V
4. Calcul du gain en tension de lamplificateur

Le schma quivalent en petits signaux du montage, la frquence f 0 , est dtermin
en remplaant le circuit bouchon compos de la bobine et du condensateur par la
rsistance parallle R P . En effet, comme on la vue la deuxime question, seule la
rsistance parallle persiste cette frquence.
Exercices 133
B C
ve RTH rBE gmve rCE RP vS
Figure 3.49 Schma quivalent la frquence f 0 de lamplificateur slectif.
Nous pouvons dduire le gain en tension du montage :

vS gm rC E //R P ve
AV = = = gm rC E //R P
ve ve
100 100
Or, rC E = 200 kV
IC0 0,504 103
200 103 7,1 103

Soit : rC E //R P = = 6,86 kV
200 103 + 7,1 103
Finalement, on trouve :

A V 38IC0 rC E //R P = 38 0,504 103 6,86 103 = 131
5. Calcul des frquences de coupures

On note Z limpdance du circuit bouchon.
B C
ve RTH rBE gmve RP L C vS
Figure 3.50 Schma quivalent autour de la frquence f 0 de lamplificateur slectif.
La valeur de la rsistance rC E est leve devant R P , nous pouvons ngliger son effet
et nous pouvons dduire le gain en tension du montage :
vS R
AV = gm Z = gm P
ve 1
1 + j R P Cv
Lv
Cette expression se met aussi sous la forme :

vS R RP
AV = gm P = gm
ve v v0 1
1 + jQ 1 + jQ x
v0 v x
Le gain passe par sa valeur maximale pour x = 1, cest--dire pour v = v0 .
vS
A V max = gm R P
ve
A V max
Les frquences de coupures sont obtenues lorsque le gain devient : A V = .
2
Le module du gain en tension est :
vS |gm R P | A V max
|A V | = =
2
ve 1 + j Q x 1
1
x 1+ Q x
2
x
Les frquences de coupures sont obtenues lorsque :

2
1
1+ Q x
2 = 2,
x
2
1 1 1
soit : Q 2
x =1 ou bien : x =
x x Q
On a donc une quation de second degr : Qx 2 x Q = 0

On trouve donc mathmatiquement quatre solutions de cette quation :

1 1 + 4Q 2
x=
2Q
Il va de soi quon ne garde que les valeurs positives :

f C1 +1 + 1 + 4Q 2
x1 = = 1,01335
f0 2Q

f C2 1 + 1 + 4Q 2
x2 = = 0,9868
f0 2Q
Finalement, on trouve les deux frquences de coupures :
f C1 = 1,01335 MHZ et f C2 = 0,9868 MHZ
Soit une bande passante : D f = f C2 f C1 = 26,5 5 kHz
Exercices 135
Exercice 3.4 Amplificateur Bootstrap

On donne la figure 3.51 le schma dun amplificateur dit montage
Bootstrap . On donne :
VCC = 12 volts, R B1 = 50 kV, R B2 = 100 kV, R E = 3 kV, R = 50 kV,
RU = 3 kV, Rg = 5 kV, b = 100, VB E = 0,7 V
On suppose que Cl1 , Cl2 et C sont les quivalents de courts-circuits pour la
frquence utilise.
1. Calculer les coordonnes du point de repos du transistor.
2. Donner le schma quivalent du montage entier.
3. On suppose que la rsistance de sortie du transistor rC E est infinie, cal-
culer le gain en tension, la rsistance dentre vue par le gnrateur et la
rsistance de sortie vue par la charge.
VCC
RB2
Rg Cl1
Cl2
R
eg
C vS
RB1 RE RU
Figure 3.51 Montage amplificateur dit Bootstrap .
Solution
1. Calcul des coordonnes du point de fonctionnement

Pour calculer le point de fonctionnement, on commence par transformer le schma
de lamplificateur. En continu, on obtient le schma simplifi de la figure 3.52.
Le collecteur est reli directement VCC , on transforme le circuit de polarisation en
entre en utilisant le modle de Thvenin quivalent.
R B1 100 103
ET H = VCC = 12 = 6 V
R B1 + R B2 100 103 + 100 103
R B1 R B2 100 103 100 103
RT H = = = 50 103 = 50 kV
R B1 + R B2 100 103 + 100 103
On nglige I B devant IC et on applique la loi des mailles lentre :
IC0
E T H = (RT H + R) + VB E0 + R E IC0
b
V CC
V CC
I C0
I C0
RB2
I B0 R I B0 R
R TH
R B1 RE RE
E TH
(a) (b)
Figure 3.52 Montage en continu (a) et simplification de se schma (b).
E T H VB E0 6 0,7
On en dduit : IC0 = = 103 = 1,325 mA
RT H + R 1+3
+ RE
b
La diffrence de potentiel entre le collecteur et lmetteur est :
VC E0 = VCC R E I E0 VCC R E IC0 = 12 (3 1,325) = 8,025 V
Les coordonnes du point de fonctionnement sont : (1,325 mA, 8,025 V).

2. Schma quivalent en petits signaux
Le schma quivalent en petits signaux du montage est dtermin en remplaant le
transistor par son modle quivalent (figure 3.53).
ie B iB C
Rg rBE IB
R rCE
E
e
eg
RTH RE RU vS
Figure 3.53 Schma quivalent en petits signaux.

Exercices 137
3. Calcul des paramtres de lamplificateur

Amplification
Si on nglige leffet de la rsistance rC E en la supposant infinie, et on note :
Rq1 = RT H //R E //RU ; Rq2 = R//r B E
On a :
v S = Rq1 (b + 1) i B et r B E i B = R i = R (i e i B )
On crit la maille dentre :

rBE
eg = Rg i e + r B E i B + Rq1 (b + 1) i B = Rg + Rg + r B E + Rq1 (b + 1) i B
R
Lamplification devient :
vS Rq1 (b + 1) 1 1
= rBE = rBE = 1 + k
ve Rg + r B E + Rg + Rq1 (b + 1) Rg + r B E + Rg
R 1+ R
Rq1 (b + 1)
Application numrique :
26 103 26 103 26 103
rBE = b= 100 = 1,923 kV
I B0 IC0 1,325 103

Rq1 = RT H //R E //RU = 50//3//3 103 = 1,456 103 V
rBE 1,923
Rg + r B E + Rg 6,923 + 5
k= R = 50 0,0483
Rq1 (b + 1) 1,456 101
Lamplification devient :
vS
1 1
= = 0,954
ve 1+k 1 + 0,0483
Impdance dentre

Sachant que : Rq2 = R//r B E = 10//1,923 103 = 1,61 kV et r B E i B = Rq2 i e
Rq2
e = Rq2 i e + Rq1 (b + 1) i B = Rq2 i e + Rq1 (b + 1) ie
rBE
Limpdance dentre est donne par :
e Rq2
Z e = = Rq2 + Rq1 (b + 1)
ie rBE
1,6
= 1,61 10 + 1,456 101
3
103 = 125,4 kV
1,9
Impdance de sortie
Le schma quivalent prcdent se simplifie et devient celui de la figure 3.54.
Rg B rBE
E
eg R IB vS
Rq1
Figure 3.54 Schma quivalent simplifi en petits signaux.
On court-circuite eg et on calcule la rsistance quivalente vue par la sortie :

Z S = Rq1 // r B E //R + Rg = Rq1 // Rq2 + Rg

Soit : Z S = 1,456 103 // 6,61 103 = 1,19 103 = 1,19 kV.
Chapitre 4
Diodes et transistors
en commutation
4.1 GNRALITS
Mis part le cas assez exceptionnel de la sinusode, les signaux utiliss en lectro-
nique comportent souvent une variation assez brusque.
Du circuit de balayage linaire pour oscilloscope ou pour tlviseur, au circuit qui
fournit un signal dhorloge ncessaire dans la quasi-totalit des montages logiques, en
passant par les gnrateurs de signaux en marche descaliers, les composants actifs
(transistors, amplificateurs oprationnels) doivent passer dun tat correspondant
une tension de sortie nulle un tat pour laquelle la tension de sortie est diffrente de
zro et dont la valeur sera dtermine pralablement.
Cest pour tenir compte de la limitation intrinsque commuter instantanment
quon va prsenter les phnomnes qui sont lorigine des diffrents temps de com-
mutation et ce pour les deux composants de base : la diode et le transistor bipolaire.
Il va de soi que cette tude doit servir non seulement pour comprendre les limi-
tations physiques des composants lors de la gnration des signaux, mais aussi au
moment de traitement de ces signaux tel que lamplification dune impulsion.
La commutation lectronique dans les composants semi-conducteurs sagit essen-
tiellement dinterruptions ou de rtablissement des courants qui peuvent tre com-
mands des instants arbitraires ou priodiques. Les composants utiliss en commu-
tation sont de divers types : diodes, transistors bipolaires, transistors effet de champ,
transistors MOS ou thyristors. Les principales caractristiques sont :
la rapidit, autrement dit la frquence maximale laquelle on peut considrer la
commutation acceptable ;
la tension et la puissance maximale que le composant peut supporter sans dt-
rioration.
140 4 Diodes et transistors en commutation
Un commutateur idal prsente :

une impdance nulle pour la phase de conduction ;
une impdance infinie lorsque la liaison est coupe (blocage) ;
un temps de rponse nul.
4.2 DIODE EN COMMUTATION

La diode jonction prsente une caractristique courant-tension donne par lqua-
tion suivante : qV
I = IS e m K T 1
I S : courant de saturation en polarisation inverse en ampre,

q : charge dun lectron, q = 1.6 1019 coulombs,
K : constante de Boltzmann, K = 1.38 1023 J/C ,
T : temprature en degr Kelvin,
V : tension applique aux bornes de la diode en volt,
m : coefficient didalit ou de non-idalit : m est compris entre 1 et 2, on suppose
par la suite que m = 1.
KT
est gale 26 mV la temprature ambiante T = 300 K.
q
Afin de comprendre les phnomnes qui sont lorigine des diffrents temps de
commutation on va tudier les deux cas concernant la diode en rgime de blocage et
la diode en rgime de saturation.
4.2.1 Diode bloque

Lorsquune jonction est polarise en inverse, un courant inverse trs faible I R circule
travers cette jonction. Ce courant est d au dplacement des porteurs minoritaires
et la zone de charge despace de largeur se comporte dans ce cas comme une zone
de dpltion dpourvue de charges mobiles puisque le nombre volumique de ces
derniers peut tre considr comme ngligeable devant le nombre volumique des
charges fixes. On peut donc assimiler cette zone de dpltion un condensateur dont
les armatures porteraient les charges positives et les charges ngatives, figure 4.1.
Lexpression de la capacit de transition C T sera donne par la formule applicable
dans le cas dun condensateur plan dont les armatures de surfaces S sont spares par
une distance . Puisque la largeur de la zone de charge despace varie en fonction
de la tension applique la jonction VR , la capacit de transition varie galement en
fonction de cette tension selon la relation :
S 1 1
CT = m = C T 0 m
0 VR VR
1 1
V0 V0
4.2 Diode en commutation 141
Anode l
Cathode
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
- +
Figure 4.1 Jonction PN polarise en inverse.
C T 0 est la capacit de transition lquilibre (V R = 0) ;

0 est la largeur de la zone de dpltion lquilibre ;
m est un paramtre compris entre 0,5 (cas dune jonction abrupte) et 0,3 (cas
dune jonction progressive linaire ou graduelle) ;
V0 reprsente la diffrence de potentiel de contact de la jonction (0,6 0,7 V).
Nous avons reprsent la figure 4.2, la variation de la capacit de transition en

fonction de la tension externe applique VR .
CT
CT0
VR
-3 -2 -1
VC
Figure 4.2 Variation de la capacit de transition en fonction de la tension externe.
On rappelle que la tension inverse applique ne doit pas dpasser la valeur VC qui
correspond la tension de claquage de la diode polarise en inverse. Le schma qui-
valent peut tre reprsent par une rsistance R R de trs grande valeur en parallle
une capacit C T . Le tout est en srie avec la rsistance du semi-conducteur r S comme
indiqu la figure 4.3.
RR
rS
CT
Figure 4.3 Schma quivalent de la jonction polarise en inverse.
Remarques.
La valeur de R R est de lordre de quelques centaines de kilo-ohms.
La valeur de C T est de lordre de la dizaine (voire quelques dizaines) de picofa-
rads et r S ne dpasse pas quelques units.
Le fait que la capacit varie avec la tension peut tre exploit pour la ralisation
de diodes dites varicap qui sont des diodes capacit variables.
4.2.2 Diode polarise en direct

Si on polarise la diode en direct en appliquant une tension VF , un courant I F circule
de la zone P vers la zone N. Ce courant est d la diffusion des porteurs majoritaires :
Les lectrons qui sont majoritaires dans la zone N vont diffuser dans la zone P
o ils deviennent minoritaires, puis se recombinent.
Les trous qui sont majoritaires dans la zone P vont diffuser dans la zone N o ils
deviennent minoritaires, puis se recombinent.
Or, la recombinaison ne seffectue pas instantanment et on peut considrer que
les majoritaires qui sont devenues des minoritaires, forment une charge stocke Q S
quon peut estimer en connaissant leur dure de vie moyenne t.
Laccroissement de charge dans la zone de charge despace revient introduire un
effet capacitif qui sajoute la capacit C T . La diode peut tre remplace par son
schma quivalent constitu de la mise en parallle dune rsistance R F , dune capa-
cit C D et de la capacit C T le tout en srie avec la rsistance r S du semi-conducteur
(figure 4.4).
RF
rS
CD
CT
Figure 4.4 Schma quivalent de la jonction polarise en directe
R F est la rsistance diffrentielle de la diode gale :
KT 1
RF
q IF
Les ordres de grandeurs sont quelques dizaines dohms jusqu quelques kV.
C D est la capacit de diffusion gale :
CD = t IF
Les ordres de grandeurs sont quelques dizaines de picofarads jusqu quelques
centaines de nanofarads.
t est la dure de vie moyenne des minoritaires. Sa valeur varie en fonction des
matriaux utiliss, du dopage, des imperfections et de la temprature.
Remarque. Les constructeurs donnent souvent le temps de recouvrement direct
t f r (forward recovery time).
t f r = 2,2 t
Puisque C D est souvent trs suprieure C T , on peut lgitimement supposer que
la charge est stocke dans C D ; elle peut tre estime :
Q S = t IF
4.2.3 Rgime transitoire

a) Fonctionnement
On considre le montage de la figure 4.5, qui permet de polariser la diode en direct ou
en inverse travers une rsistance externe R de trs forte valeur. Ce montage permet
de se rendre compte des diffrentes phases de la commutation.
R ID
VE(t) D VD
Figure 4.5 Schma de polarisation de la diode en rgime transitoire.
En ralit, deux cas sont possibles :

rgime de forte injection (courant dexcitation lev), dans ce cas, un effet induc-
tif apparat et devient prpondrant ;
cas de faible injection (courant dexcitation faible), leffet inductif est ngli-
geable et nous pouvons utiliser les schmas quivalents avec la capacit de tran-
sition et la capacit de diffusion.
Nous supposons par la suite que la diode fonctionne en rgime de faible injection.
Dans ce cas et en polarisation directe, le produit pn dans la zone de charge despace
est suprieur n i2 : il y a un excdent de recombinaisons. En polarisation inverse ce
produit devient infrieur n i2 : il y a excdent de gnrations.
n et p sont respectivement les nombres volumiques dlectrons et des trous avec :
n i = n 0 = p0 qui reprsente le nombre volumique des lectrons ou des trous dans le
cas dun semi-conducteur intrinsque.
On tudie lvolution dans le temps du courant parcourant la diode ainsi que de la
tension apparaissant aux bornes de cette diode (figure 4.6).
VE(t)
+VE+
t0 t2 t
-VE-
VD(t)
0,6 t1
t
t0 t2 t3 80%
-VE-
tS tr
ID(t)
IF
t
-0,1IR t0 t1 t2 t3
-0,9IR
-IR
tS tti
trr
Figure 4.6 Allures du courant et de la tension dans une jonction PN en rgime transitoire.
Avant linstant t = t0 , la diode est polarise en direct, le courant I F est produit

par des trous allant du matriau P dans le matriau N et des lectrons allant du
matriau N dans le matriau P. Il se produit un excs de porteurs minoritaires au
niveau de la jonction avec stockage dune charge lectrique Q S . La tension aux

bornes de la diode est faible (centaines de millivolts).
linstant t = t0 , la tension VE commute instantanment et passe une valeur
ngative VE qui tend bloquer la diode D. Entre les instants t0 et t1 et sous
linfluence de la tension externe applique, un certain nombre de porteurs mino-
ritaires peut traverser la jonction (le courant est invers).
La charge Q S est positive, ainsi la tension aux bornes de la diode reste galement
positive et par consquent le courant inverse galement positif.
Pendant cet intervalle de temps (plateau ou storage time), il y a une limination
des porteurs minoritaires stocks dans la jonction, ce qui revient une dcharge de la
capacit de diffusion.
Ds linstant t1 , la charge Q devient nulle (ou du moins ngligeable), le courant
d aux porteurs minoritaires cesse et le courant inverse d lloignement des
porteurs majoritaires de la jonction, permet de charger la capacit de transition
sous une tension VE . Le champ lectrique dans la zone de transition va aug-
menter et la barrire de potentiel va stablir progressivement. Cette phase est
appele le tranage (transition time).
linstant t2 , la tension VE fait un saut et devient positive +VE+ . Un courant
direct I F stablit et permet de charger la capacit de transition C T sous une
tension +VE+ . Or, puisque C T tait charge ngativement, un pic de courant I F
est observ et le courant diminue ensuite progressivement jusqu t3 , instant pour
lequel on obtient le rgime permanent.
b) Dfinitions
On appelle temps de monte ou temps de croissance de la tension VD , le temps

tr mesur entre les instants o la tension passe de 10 % 90 % de son excursion
maximale.
Le temps de dsaturation ou de dstockage (certains lappellent temps de sto-
ckage) t S est lintervalle de temps correspondant au plateau.
Le temps ttv correspond lintervalle que met la tension aux bornes de la diode
pour passer de la valeur zro la valeur 90 % de sa valeur inverse finale VE .
De mme, on peut dfinir le temps tti pour le courant en mesurant lintervalle du
temps que mette I D pour passer de 100 % 10 % de sa valeur inverse maximale.
Le temps de recouvrement inverse est donn par : trr = t S + tti .
c) Estimation des diffrents temps

Daprs ltude prcdente, il sensuit que la frquence laquelle une diode pourra
fonctionner correctement en rgime de commutation est limite par tr et surtout par
trr temps pendant lequel la diode continue conduire au lieu dtre bloque.
Afin destimer les diffrents temps, on va dterminer une quation qui tient compte
de lvolution de la charge stocke. Cest lquation de la conservation de la charge
lectrique. On a vu, quen rgime de faible injection et en polarisation directe, il y
a excdent de recombinaison. Les charges injectes vont se recombiner et le semi-
conducteur aura tendance revenir lquilibre.
Lexcs de charges apportes va diminuer dautant plus vite que le nombre de por-
teurs libres susceptibles de se recombiner avec ces charges est important. La vitesse
de recombinaison est proportionnelle la charge prsente et lquation de la conser-
vation de la charge lectrique sera donne par :
Q(t) d Q(t)
i(t) = +a
T dt
Cette quation fait apparatre deux composantes du courant. Lune proportionnelle
la charge Q, rend compte du rgime permanent et lautre traduit lapport de charge
en rgime transitoire (dans la rgion neutre une partie a de la charge totale est
introduite).
Temps de dsaturation t S
Pendant le temps de dsaturation, la charge totale existante dans les rgions neutres
passe sous linfluence du courant inverse I R , de sa valeur initiale qui est : Q = T0 I F
une valeur nulle. En supposant que la tension aux bornes de la diode reste constante,
le courant dans la diode devient :
Q(t) d Q(t)
I R = + a0
T0 dt
Avec comme condition initiale : t = 0, Q S (t) = t I F .
La solution gnrale de lquation diffrentielle sobtient en dterminant la solu-
tion de lquation sans second membre soit :
a t
Q(t) = K e 0 T0
Et une solution particulire : Q(t) = T0 I R

Remarque. Les rgions neutres sont les parties du semi-conducteur dans lesquelles
la neutralit lectrique est satisfaite. Par contre dans la rgion de zone de charge
despace cette neutralit nest pas respecte. La solution gnrale sera donc :

t t
Q(t) = T0 I R + K e a0 T0 = T0 (I R + I F ) e a0 T0 I R
Or, linstant t1 , Q sannule. En faisant un changement de la base de temps, on

dtermine t S .
IF
t S = a0 T0 Ln 1 +
IR
T0 est appel temps caractristique des minoritaires dans la rgion neutre. Ce temps
fait intervenir la dure de vie t ainsi que le temps de transit des porteurs dans la
zone neutre.
Le temps de palier ou de plateau ts croit avec le courant direct I F . Il croit aussi si
le courant inverse impos par le circuit dcrot en valeur absolue.
Une bonne approximation consiste remplacer a0 T0 par la dure de vie des por-
teurs minoritaires. Cette quantit t dpend du semi-conducteur, du dopage, des
imperfections et de la temprature.
Temps de tranage
Rappelons quau moment o la charge accumule sous forme de minoritaires san-
nule, la diode se bloque et son schma quivalent devient une grande rsistance R R
mise en parallle avec une capacit de transition C T . La valeur de la rsistance srie
r S est trs faible par rapport la rsistance du gnrateur R. Le courant inverse I R
existe tant que la capacit C T nest pas charge.
linstant t1 , le courant dans la diode est donn par :
VE 0,6 V VE
ID = si VE 0,6 V
R R
La rsistance R R qui se trouve en parallle sur le condensateur est trs grande et
par consquent on peut ngliger son effet.
d VD
VE R I D = VD avec : I D = C T
dt
On obtient une quation diffrentielle avec second membre :
d VD
RC T + VD = VE
dt
Les conditions initiales sont : VD = 0 linstant : t = t1 .
La solution gnrale peut tre dtermine en utilisant les conditions initiales :

tt
1
VD = VE 1 e RCT
La tension VD tend exponentiellement vers VE et le courant I D sera donn par :

VE tt
1
ID = e RCT
R
Le temps de tranage tti peut tre dduit en cherchant linstant pour laquelle le
courant de la diode atteint la dixime de sa valeur maximale, on trouve :
tti = RC T Ln(10) = 2.3 RC T
tti est directement proportionnel la rsistance externe du circuit.
Le temps de recouvrement inverse (recovery time) trr est : trr = t S + tti
Temps de monte tr
Si on nglige la tension seuil de la diode V0 (0,6 0,7 V) devant la tension dentre
VE , la tension aux bornes de la diode va passer de la valeur VE la valeur V0
suivant un rgime exponentiel qui fait tendre VD vers la valeur asymptotique +VE+ .
Dans ce cas la constante de temps t est gale : t = RC T .
tt
1
VD (t) = VE+ + VE 1 e RCT VE
En prenant la dfinition du temps de monte (variation entre 10 % et 90 %), nous

obtenons : +
VE + 0,9 VE
tr = RC T ln
VE+ + 0,1 VE
d) Amlioration du temps de dsaturation t S

Le temps de rponse de la diode prise isolment est gal la somme de tr , ts et tti .
Pour transmettre des trains dimpulsions de priode T travers une diode, il faut
respecter les conditions suivantes :
T1 > tr et T2 > trr
On a intrt minimiser les diffrents temps. Or tr et tti sont proportionnels la

rsistance externe R du circuit. On peut donc diminuer ces deux temps en prenant une
rsistance aussi faible que possible mais cette rsistance ne doit pas tre infrieure
une valeur minimale sous peine de dtruire la diode par une consommation de courant
exagre. Par contre pour le temps de dsaturation t S , on peut utiliser diffrentes
solutions :
un montage permettant de compenser linfluence de la charge stocke dans la
capacit C D . Le montage souvent utilis est le suivant : figure 4.7 ;
ID
VE(t) D
R C
Figure 4.7 Montage avec condensateur dacclration.
une diode Schottky, il sagit dune diode spciale jonction mtal-semi-

conducteur. La charge stocke en direct dans une telle diode est trs faible ce
qui donne un temps de dsaturation trs faible.
4.3 Le transistor en commutation 149
4.3 LE TRANSISTOR EN COMMUTATION

Aprs tre rest longtemps un composant rserv lapplication linaire, le transistor
est devenu un composant de commutation. Ce composant est utilis alors comme
interrupteur. Les paramtres importants pour les transistors en communication sont
diffrents de ceux qui sont utiliss dans le cas dun fonctionnement en rgime
linaire.
En rgime linaire, il y a peu prs proportionnalit entre IC et I B :
IC = bI B
En rgime non linaire (ou satur), IC est fix par le circuit collecteur. On utilise
cependant la proprit damplification :
IC = b f I B avec : b f < b, b f sappelle le gain forc.
4.3.1 Dfinitions des temps de commutation

Pour dfinir les diffrents temps de commutation on utilise le montage de la
figure 4.8 (a) pour lequel on peut tracer le rseau de caractristique ainsi que la
droite de charge, figure 4.8 (b). On obtient trois domaines de fonctionnement :
Domaine de fonctionnement normal direct. Le point de fonctionnement doit tre
situ sur le segment BC. La tension VC E tant suprieure la tension base-metteur,
on retrouve une jonction polarise en inverse qui est une condition ncessaire pour le
fonctionnement linaire du transistor.
Domaine du rgime bloqu. Pour les points de fonctionnement correspondant
la rgion AB du rseau de caractristiques, le courant IC se rduit au courant de
fuite IC B0 . Cette condition est obtenue en annulant (ou en polarisant ngativement)
la tension base-metteur.
IC
Lieu des points : VCB = 0

RC D C
RB IB
C
VCC
VCE
VE(t)
B IB = 0
VCC
(a) (b) A
Figure 4.8 Montage de polarisation (a) et rseau de caractristiques dun transistor NPN (b).
Domaine du rgime satur. Pour les points de fonctionnement situs entre C et

D, cest--dire la rgion des grands courants collecteurs, le transistor est dit satur.
Cette zone correspond des tensions VC E infrieures ou gales la tension base-
metteur VB E .
Si la tension dentre VE passe instantanment dune valeur positive +VE+ une

valeur ngative VE et inversement, on obtient les chronogrammes de la figure 4.9.
VE(t)
+VE+
t0 t3 t
-VE -
IB(t)
+VE+-0,6
RB
t
t0 t2 t3 t5
(VE--0,6)
-
RB
VBE(t)
0,6
t
t 0 t 1 t2 t5
-VE -
IC(t)
Icsat
0,9ICsat
0,1ICsat
t
t 0 t 1 t2 t3 t4 t5
Figure 4.9 Diffrentes allures pour un transistor NPN en commutation.
Avant linstant t0 , la tension de commande VE est ngative et gale VE , le

transistor est bloqu puisque la jonction base-metteur est polarise en inverse
et par consquent le courant I B est nul.
linstant t0 , le signal dentre monte instantanment jusqu la valeur maxi-
male +VE+ , le courant de base charge les capacits de transition ct metteur
C T E et ct collecteur C T C et la tension base-metteur VB E augmente de faon
exponentielle. partir de linstant t1 , la tension VB E devient positive et le cou-
rant IC augmente rapidement.
Lintervalle (t0 , t1 ) est appel temps de retard td (delay time). Cest le temps nces-
saire pour que le courant collecteur IC atteigne le dixime de sa valeur finale. Ce
temps est la somme du temps ncessaire pour que I B charge C T et le temps nces-
saire pour que les porteurs minoritaires ayant franchi la jonction du ct metteur,
arrivent la jonction du ct collecteur.
partir de linstant t1 et jusqu linstant t2 , le courant collecteur passe du
dixime aux neuf diximes de sa valeur finale. Lintervalle (t1 , t2 ) est appel
temps de monte du courant collecteur tr (rise time). Cet intervalle de temps
correspond au passage progressif de la jonction base-collecteur dune polarisa-
tion inverse pour devenir polarise en direct.
Remarque. On appelle temps denclenchement ou de fermeture ton , le temps :
ton = td + tr
Pendant lintervalle de temps (t2 , t3 ), le transistor fonctionne en rgime de satu-

ration et partir de linstant t3 , le signal dentre bascule instantanment pour
prendre la valeur ngative VE . On remarque pourtant que le courant collecteur
ne varie pas jusqu linstant t4 o IC diminue pour prendre la valeur 0,9 ICsat .
Lintervalle de temps (t3 , t4 ) est appel temps de dsaturation t S (storage time).
On trouve aussi dans la littrature : temps daccumulation, temps de restitution ou
temps de stockage. Quelle que soit lappellation donne t S , il sagit dun intervalle
de temps pendant lequel circule un courant de base inverse limit par la rsistance
R B . Ce courant permet dvacuer progressivement lexcs dlectrons injects dans
la base
En t4 , le transistor sort de la saturation et le courant de collecteur commence de
descendre jusqu ce quil atteigne la valeur 0,1 ICsat linstant t5 . Pendant
lintervalle de temps (t4 , t5 ), le courant de base inverse continue de circuler et
dcharge la capacit C T .
Lintervalle de temps (t4 , t5 ) sappelle temps de descente ou temps de chute t f ( fall
time).
Remarque. On appelle temps douverture ou de dclenchement to f f , le temps :
to f f = t S + t f
4.3.2 Estimation des temps de commutation

Afin de simplifier le calcul, on va tudier quantitativement les temps de commutation
dans le cas simple o le transistor est command en courant autrement dit une haute
impdance dattaque. On suppose aussi que le transistor est charg par une rsis-
tance trs faible devant limpdance interne de sortie du transistor. Pratiquement, ceci
revient choisir R B assez leve et RC assez faible. Dans ce cas, on peut ngliger la
raction interne du transistor.
Ebers et Moll ont montr quune bonne approximation de la commutation dun

transistor peut tre obtenue en utilisant les formules applicables en petits signaux
(schma quivalent en petits signaux). On a vu que tous les temps de commuta-
tion sont dus des charges (ou des dcharges) de condensateurs. On rappelle que
le schma quivalent dun transistor mont en metteur commun est reprsent la
figure 4.10.
CBC
RB B RBB B
C
RBC
gmVBE
VE(t) CBE RBE RCharge
Figure 4.10 Schma quivalent valable en rgime transitoire.
Ce schma se simplifie considrablement si on admet un fonctionnement par com-

mande en courant et que la charge est trs faible pour pouvoir utiliser le rgime de
court-circuit. Dans ce cas les paramtres RC B , C B B et r ninterviennent pas. Sachant
ainsi que R B B est trs faible devant R B , le schma quivalent devient celui donn
la figure 4.11.
IB RB B IB B
I IB I IB
VE(t) CBE RBE CBE RBE VB
IB(t)
Figure 4.11 Simplification du schma quivalent.
a) Temps de monte
Cas dune impulsion provoquant juste la saturation
La mise en quation de ce type de montage est assez simple et on trouve un courant
I B donn par la formule :

I B = I B 1 e t avec : t = R B E C B E
t
On voit donc que le courant utile I B volue dune faon exponentielle analogique
celui obtenu laide dun circuit intgrateur. Le courant IC sera dduit de lquation
prcdente en posant : IC = bI B

IC = bI B 1 e t
t
Par consquent, pour laisser passer un courant collecteur continu IC , si la base ne

reoit que le courant ncessaire pour avoir la saturation, on aura un temps de monte
(passage de 10 % 90 % de la valeur finale) :
tr = 2,2R B E C B E
Gnralement, les constructeurs donnent presque toujours la valeur de la frquence

de transition f T , comme ils donnent b pour le mme point de fonctionnement, il est
facile de dduire f b .
1
f T = b f B et v B =
R BC C B E
Le temps de monte devient :
2,2b
tr =
2p f T
Remarque. Ce raisonnement est vrai mme si I B ne provoque pas la saturation et
permet aux transistors dtre dans sa zone de fonctionnement linaire.
Cas dune impulsion provoquant une sursaturation

Les cas prcdemment envisags taient ceux pour lesquels I B prenait des valeurs
telles que le produit bI B permettait juste la saturation. Mais il peut aussi arriver
quon dsire surexciter le transistor ce qui permet comme on va le voir de diminuer
le temps de monte. Dans ce cas seule une portion de lexponentielle se trouve dcrite
et le temps de monte est bien plus court que celui tudi auparavant.
Prenons un exemple simple illustr par la figure 4.12. On suppose b gale 100,
et on nglige la tension de saturation VC E(sat) . Le courant de saturation est donn par :
VCC
IC(sat) = = 10 mA
RC
IC
RC = 1 k
VCC = 10 V
IB RB = 10 k C
B
E VCE
VE(t)
Figure 4.12 Montage de polarisation dun transistor NPN.

En ngligeant la tension VB E devant la tension VE (on suppose donc quil sagit

dune attaque en courant), le temps de monte dtermin prcdemment sil ny a pas
de sursaturation est donn par :
tr = 2,2R B E C B E
Pour le cas qui nous intresse, le courant de base ncessaire pour avoir la saturation
est :
I B(sat) = 0,1 mA
Supposons maintenant quon injecte un courant I B = 0,3 mA, qui est suprieur
I B(sat) . La relation IC = b I B ne sera plus satisfaite et il est vident que le courant
collecteur IC ne peut pas devenir suprieur IC(sat) (lgrement infrieur VCC /RC ).
On parle dans ce cas dun gain en courant forc b f tel que :
IC(sat) = b f I B
Le courant de collecteur IC croit exponentiellement selon lquation :

t
IC = bI B 1 e t = 30 1 e R B E C B E mA
t
IC atteint la valeur IC(sat) = 10 mA en un temps t donn par :

30
tr = R B E C B E ln = 0,4R B E C B E
30 10
On constate quil ny a absolument pas lieu ici de dfinir un temps de monte qui
passe de 10 % 90 % dune valeur correspondant un rgime permanent. Cependant,
on peut toujours calculer la variation entre 10 % et 90 %. Nous reprsentons la
figure 4.13 les deux cas tudis : cest--dire le cas dune surexcitation de transistor
avec I B = 0,1 mA et le cas o I B = I B(sat) .
Conclusion. Plus le gain forc est faible (taux de saturation le plus lev) plus le
temps de monte est rapide. Dans le cas gnral et en prenant la dfinition classique
du temps de monte (passage de 10 % 90 %), on obtient :

k 0,1 b k 0,1
tr = t ln = ln
k 0,9 2p f T k 0,9
k est le degr ou le taux de saturation du transistor (overdrive factor) dont la valeur

est donne par :
bI B
k=
IC(sat)
IC
30 mA
10 mA
t
0,4 = RBECBE 2,2
Figure 4.13 Amlioration du temps de monte par sursaturation.
b) Temps de descente t f
Prenons le cas simple dun transistor rendu conducteur la limite de la saturation.
Si lentre est soudainement ramene zro, le courant du collecteur ne peut pas
revenir instantanment zro. En effet les porteurs minoritaires injects dans la base
continuent diffuser vers le collecteur et ce en labsence dun champ acclrateur
(tension base-metteur rendue nulle).
Le courant deviendrait nul en suivant une dcroissance avec une constante de
temps :
t = R B E C B E
Le temps de descente td serait gal :

td = 2,2R B E C B E
Ce temps serait dans la plupart des cas beaucoup trop long. Par contre, en pr-
sence dun courant de base inverse I B R , le temps de chute devient plus petit que
2,2R B E C B E .
Lexpression du temps de chute est la diffrence dun terme qui traduit la dcrois-
sance pour un courant de base nul, et dun terme correspondant leffet de linverse :

IC = IC(sat) e t bI B R 1 e t mA
t t
La dcroissance du courant rsulte de la diffrence qui existe entre les deux expo-
nentielles de la figure 4.14.
IC
IC(sat)= e-t/
Courbe rsultante
IC(sat)= -IBR(1-e-t/)
Figure 4.14 Amlioration du temps de descente.
On prend le cas tudi de la figure 4.8 (a) et on suppose que le courant I B est :
I B = I B(sat) = 0,1 mA, le courant IC devient : IC = IC(sat) = 10 mA.
On a vu que le temps de descente est gal au temps de monte :
tr = td = 2,2 t = 2,2 R B E C B E
On examine le gain apport sur le temps de chute si on injecte un courant inverse
de 0,1 mA. On va chercher le temps au bout duquel le courant collecteur sannule.
Lquation prcdente devient :

IC = IC(sat) e t bI B R 1 e t mA
t t
Soit en remplaant par les valeurs numriques :

0 = 10 mA e t 100 (0,1 mA ) 1 e t
t t
Le temps de descente devient dans ce cas :

td = 0,69 R B E C B E
On remarque que le gain est apprciable puisque nous avons rduit le temps dans
un rapport suprieur 3.
c) Temps de restitution t S
Pour estimer ce temps de dsaturation, on va supposer le cas dun signal dentre
de forte amplitude pour que le point de fonctionnement se trouve dans la zone de
saturation (segment C,D). La jonction base-collecteur est polarise en directe dans le
cas dun transistor NPN. Le collecteur va se comporter comme lmetteur en injectant
dans la base des porteurs minoritaires. Le temps ncessaire pour vacuer ces charges
serait dautant plus lev que le taux de sursaturation k est grand (figure 4.15).
IC
t
tS
Figure 4.15 Temps de restitution.
Pour bloquer le transistor, il faut donc retirer tous les porteurs minoritaires injects
par lmetteur et par le collecteur. Lexpression pour ts sera donne par :

b bI B F
tS = ln
2p f T IC(sat)
On remarque que t S augmente avec le courant direct I B F inject la base, or laug-

mentation de I B F permettait de rduire le temps de monte tr . Plusieurs solutions
peuvent tre proposes et nous allons citer trois :
on utilise une surexcitation pour diminuer le temps de monte et une excitation
inverse (I B R ) pour minimiser le temps de dstockage ;
on place une diode Schottky (il sagit dune jonction mtal-semi-conducteur)
en parallle sur la diode collecteur-base. La diode Schottky tant trop rapide et
ayant une tension directe de lordre de 0,3 V, elle conduit avant que le transistor
ne soit entr en rgime de saturation, ce qui vite donc les charges stockes ;
on met un condensateur dacclration aux bornes de la rsistance R B .

Ce condensateur se comporte comme un court-circuit en rgime transitoire,
le courant direct I B F devient trop important lors de la commutation puis ce
courant tend vers le courant du rgime permanent qui doit tre bien calcul pour
ne pas provoquer une accumulation des charges au niveau de la base.
d) Temps de retard td
Avant linstant t = t0 , la tension de commande est ngative et le transistor est bloqu.
partir de t0 , la tension de commande passe instantanment la valeur positive gale
+VE+ . Le rle du courant I B est tout dabord dvacuer les charges de transition pour
dbloquer le transistor et ensuite damener le potentiel de la base tre positive. La
dure de cette phase est un temps de retard td . Ce temps est assez faible et cest leffet
des capacits parasites qui intervient.
On dfinit pour une diode en commutation les temps suivants :

temps de dsaturation t S :

IF
t S = a0 T0 Ln 1 +
IR
Ce temps de palier ou de plateau t S croit avec le courant direct I F .

temps de tranage tti peut tre dduit en cherchant linstant pour laquelle le
courant de la diode atteint la dixime de sa valeur maximale, on trouve :
tti = RC T Ln(10) = 2.3 RC T
tti est directement proportionnel la rsistance externe du circuit.

Le temps de recouvrement inverse est donn par : trr = t S + tti
On dfinit pour un transistor en commutation les temps suivants :
temps de monte (passage de 10 % 90 % de la valeur finale) :
tr = 2,2R B E C B E
temps de retard td : ce temps est assez faible et cest leffet des capacits para-
sites qui intervient.
temps de descente :
td = 2,2R B E C B E = tr
temps de restitution ts :

b bI B F
tS = ln
2p f T IC(sat)
On appelle temps denclenchement ou de fermeture ton , le temps :
ton = td + tr
On appelle temps douverture ou de dclenchement, to f f , le temps :
to f f = ts + t f
Exercices 159
EXERCICES
Exercice 4.1 Diode en commutation

On donne le montage de la figure 4.16. La tension VE (t) est une tension
qui commute instantanment entre + 20 V et 10 V. On suppose que la
tension seuil de la diode est de 0,6 V. On donne : R1 = 99 V et R2 = 1 V.
1. Donner lallure de la tension V R2 et de la tension VD . Indiquer les valeurs
maximales atteintes.
2. On mesure un temps de plateau t S de 0,7 mS. Calculer la charge stocke
par la diode lors de son fonctionnement en direct. En dduire la dure de
vie des porteurs.
3. La tension VE (t) commute maintenant entre + 20 V et 20 V. Repr-
senter lallure de la tension VR2 et de la tension VD en tenant compte des
donnes de la question 2.
R1 ID D
VE(t) VD R2 VR2
Solution
1. Allure de la tension VR2 et de la tension VD
tudions lvolution dans le temps de la tension VR2 qui est limage du courant du
courant parcourant la diode ainsi que de la tension apparaissant aux bornes de cette
diode (figure 4.19).
Avant linstant t0 , la diode est polarise en direct, VD vaut 0,6 V et le courant I F qui
circule dans la diode provoque le stockage dans la jonction dune charge lectrique Q.
R2 1
VR2 = VE+ VD = (20 0,6) = 194 mV
R1 + R2 100
linstant t0 , la tension VE commute instantanment et passe une valeur ngative
VE qui tend bloquer la diode D. Entre t0 et t1 , sous linfluence de VE , la charge
Q va tre vacue, VD reste positive gale 0,6 V et par consquent le courant inverse
est galement positif. Pendant cet intervalle de temps t S , il y a donc une limination
des charges stocks dans la jonction. On a la situation de la figure 4.17.
On applique la loi des mailles pour dterminer limage du courant :
R2 1
VR2 = VE VD = (10 0,6) = 106 mV
R1 + R2 100
R1 IR D
10 V 0,6 V R2 VR2
Figure 4.17 Configuration du circuit au moment de la commutation vers VE .
Ds linstant t1 , la charge Q devient nulle, le courant inverse permet de charger la

capacit de transition sous une tension VE . Le champ lectrique dans la zone de
transition va augmenter et la barrire de potentiel va stablir progressivement.
linstant t2 , la tension VE fait un saut et devient positive +VE+ . Un courant direct I F
stablit et permet de charger la capacit de transition C T sous une tension +VE+ . Or,
C T tait charge ngativement, un pic de courant I F est observ et le courant diminue
progressivement jusqu t3 instant pour laquelle on obtient le rgime permanent.
linstant t2 on a la configuration de la figure 4.18.
R1 IF D
20 V 10 V R2 VR2
Figure 4.18 Configuration du circuit au moment de la commutation vers +VE+ .
On applique la loi des mailles pour dterminer limage du courant :

R2 1
VR2 = VE+ + VE = (+20 + 10) = + 300 mV
R1 + R2 100
On donne la figure 4.19 les allures de la tension dentre, de VD et de VR2 .
2. Calcul de la charge stocke par la diode de la dure de vie des porteurs
La charge accumule Q accum lors du fonctionnement en direct grce au courant direct
I F est vacue aprs la commutation durant le temps du plateau t S . Lvacuation
seffectue sous un courant inverse I R .
Q accum = Q vacue
Or, Q vacue = I R TS = 106 103 0,7 106 = 74,2 109 C

Cette quantit de charges a t accumule en direct avec un temps qui reprsente la
dure de vie moyenne des charges t. Il en rsulte :
Q vacue = 74,2 109 C = Q accumule = I F t
Exercices 161
VE(t)
+20
t0 t2 t
-10
VD(t)
0,6 t1
t
t0 t2 t3
- 10
V R2 ( t ) tS
300 mV
194 mV
t
t0 t1 t2 t 3
-106 mV
tS
Figure 4.19 Allures de VE , VD et de VR2 .
On en dduit la dure de vie :

74,2 109 C
t= = 3,8 107 S
194 10
3. Cas dune commutation entre + 20 V et 20 V
Lorsque la tension commute entre + 20 V et 20 V. Le courant direct I F reste
inchang, la charge accumule Q accum lors du fonctionnement en direct reste inchan-
ge aussi. Mais le courant inverse devient :
R2 1
VR2 = VE VD = (20 0,6) = 206 mV
R1 + R2 100
soit : I R = 206 mA
Ce courant est pratiquement le double du courant trouv la premire question. Le
temps dvacuation des charges se trouve ainsi modifi et devient :
Q accumule = 74,2 109 C = Q vacue = I R t S
74,2 109 C
Soit : t S = = 3,6 106 S
206 103
VD(t)
0,6 t1
t
t0 t2 t3
- 20
tS
V R2 ( t )
400 mV
194 mV
t
t0 t1 t2 t 3
-206 mV
tS=3,6 S
Figure 4.20 Allures de VD et de VR2 en tenant compte de la deuxime question.
Limage du courant juste aprs la transition de VE +VE+ est :
R2 1
VR2 = VE+ + VE = (+ 20 + 20) = + 400 mV
R1 + R2 100
Exercice 4.2 Aide au blocage dune diode en commutation

On donne le montage de la figure 4.21 (a). La tension VE (t) commute entre
+ 20 V et 10 V et on donne la valeur de R = 100 V.
D D
I I
VD R VR VE(t) VD R C VR
VE(t)
(a) (b)
1. La visualisation de la tension VD donne la figure 4.22 montre quau

moment de la commutation entre + 20 V et 10 V, VD varie lgrement
de 0,1 V.
Exercices 163
Donner les schmas quivalents en inverse juste avant et aprs la commu-

tation. Expliquer le phnomne prcdent et calculer le paramtre quon
peut dduire.
2. On rajoute un condensateur daide au blocage : figure 4.21 (b). On
dsigne par t la dure de vie des porteurs minoritaires (t = 0,5 mS).
Donner lexpression de la charge stocke par la diode en fonctionnement
direct ainsi que la charge stocke par le condensateur C.
3. Au moment de la transition, Donner lexpression de la variation de
charges que subit le condensateur C. Trouver la condition ncessaire pour
vacuer instantanment toutes les charges accumules dans la jonction de
la diode.
VD(t)
0,6
0,5
t
t0
-10 V
Figure 4.22 Allure de VD (t) au moment de la commutation.
Solution
1. Schmas quivalents juste avant et aprs la commutation
La diode relle peut tre modlise par une jonction PN idale constitue dune rsis-
tance en parallle avec un condensateur de capacit de transition C T et un conden-
sateur de capacit de diffusion C D , le tout en srie avec une rsistance r S due au
semi-conducteur.
RF
IF CD rS
CT
VJ
VD
Figure 4.23 Schma quivalent de la jonction polarise en inverse.
Au dpart, en polarisation directe, on a un courant direct I F :

VE+ VD +20 0,6
IF = = = 194 mA
R 100
La diffrence de potentiel en direct VD F aux bornes de la diode relle est donc :
VD F = V J + r S I F = V J + r S 194 103
RR
IR CD rS
CT
VJ
VD
Figure 4.24 Schma quivalent de la jonction polarise en inverse juste aprs t0 .
Lvolution dans le temps de la tension VD montre un lger dcrochement. lins-

tant, t = t0 , la tension bascule et passe 10 V. Mais la jonction a accumul des
charges dans les condensateurs et ces charges doivent tre vacues sous leffet du
courant inverse I R .
Juste aprs t0 , en polarisation inverse, on a un courant inverse qui est cr, I R :
VE VD 10 VD
IR = = 106 mA
R 100
La diffrence de potentiel en inverse VD R aux bornes de la diode relle est donc :
VD = V J r S I R = V J r S 106 103
Au moment de la commutation, la diode relle va subir donc une variation de sa

diffrence de potentiel. Cette diffrence note DVD est :
DVD = VD F VD R = (V J + r S I F ) (V J r S I R ) = r S (I F I R )
On tire donc la valeur de la rsistance srie r S :

DVD 0,1V
rS = = 103 = 0,5 V
IF + IR 194 + 106
2. tude avec le condensateur daide au blocage

La charge accumule Q accum lors du fonctionnement en direct grce au courant direct
I F est :
20 0,6
Q accumule = I F t = t = 0,194 t = 97 109 C
R
Exercices 165
Aux bornes du condensateur C, on trouve une tension VC = VR = 19,4 V. Ce

condensateur va accumuler une charge Q C :
Q C = C 19,4 en coulombs
3. Calcul de la valeur de la capacit C

La tension commute entre + 20 V et 10 V. La tension aux bornes de la diode reste
inchange tant que lvacuation des charges accumule par la jonction nest pas ter-
mine. La tension aux bornes du condensateur C sinverse et la charge par celui-ci
devient Q C :
Q C = C (10 0,6) C = 10,6 C
La charge aux bornes du condensateur a vari dune quantit :
DQ C = Q C Q C = C (19,4 (10,6)) = C 30
Pour annuler le temps du plateau, il faut que la quantit de charge accumule par la
jonction soit aspire par le condensateur :
DQ C = C 30 = Q accumule
On en dduit donc la valeur du condensateur qui permet une vacuation instanta-

ne des charges :
70 109
C 30 = 70 109 C = = 2,33 109 F
30
Exercice 4.3 Transistor en commutation
On donne le montage de la figure 4.25 (a). La tension VE (t) est une ten-
sion carre qui commute entre +VE et 0 V. On suppose que b = 100
et on nglige la tension de saturation entre collecteur et metteur :

VC E(sat) = 0 V, la tension la saturation entre base et metteur est :
VB E(sat) = 0,6 V, R B = 10 kV, RC = 1 kV et VCC = 10 V.
1. On utilise une impulsion +VE qui provoque juste la saturation. Calculer
lamplitude de cette tension et montrer que le courant I B est :

I B = I B(sat) 1 et/t avec : t = R B C B
En dduire que le temps de monte du courant IC est :
tr = 2,2 t = 2,2 R B C B
2. On utilise maintenant une impulsion : +VE = 4VE(sat) . Calculer le temps

tr que laisse le courant IC pour atteindre la valeur : IC = 0,9IC(sat) .
3. Le constructeur donne souvent la frquence de transition du transistor et

son gain en courant :
1
f T = b f b et vb =
RB E C B E
Calculer les temps dtermins prcdemment dans le cas suivant :
f T = 300 MHz et b = 100.
VCC
IC
RC
RB IB
VCE(t) IB
VE(t) I B(t) RB CBE
(a) (b)
Figure 4.25 Montage de commutation (a) et schma quivalent du ct
base-metteur (b).
Solution
1. Cas dune impulsion +VE qui provoque juste la saturation
Lexpression du courant de saturation est :
VCC VC E(sat) VCC 10
IC(sat) = = = bI B(sat) = 3 = 10 103 A
RC RC 10
Or,
+VE VB E(sat) IC(sat) VCC
I B(sat) = = =
RB b b RC
Application numrique.
+VE 0,6 10
I B(sat) = = = 104 A,
10 4 100 103
on en dduit : +VE = 1,6 V
Lamplitude 1,6 V de la tension + VE donne un courant I B(sat) qui permet juste davoir
une saturation. On applique le diviseur de courant et on dduit :
1 1
I B = I B(sat) = I B(sat) avec : t = R B E C B E
1 + j R B E C B E v 1 + tp
Exercices 167
On retrouve la forme standard dun filtre passe-bas de premier ordre. La rsolution

de cette quation est simple (quation diffrentielle de premier ordre). On peut aussi
utiliser la table de Laplace et on dduit :

I B = I B(sat) 1 et/t avec : t = R B E C B E
Nous voyons donc que le courant utile I B volue dune faon exponentielle. Le cou-
rant IC sera dduit de lquation prcdente en posant : IC = bI B .

IC = bI B(sat) 1 et/t avec : t = R B E C B E
Par consquent, le temps de monte (passage de 10 % 90 % de la valeur finale) de

IC(sat) est dtermin par :

0,1 IC(sat) = bI B(sat) 1 et1 /t = IC(sat) 1 et1 /t

0,9 IC(sat) = bI B(sat) 1 et2 /t = IC(sat) 1 et2 /t
On en dduit :
0,1 IC(sat) 0,9 IC(sat)
1 = 0,9 = et1 /t et 1 = 0,1 = et2 /t
IC(sat) IC(sat)
Soit :
0,9 et1 /t
= 9 = t /t = e(t1 +t2 )/t = e(t2 t1 )/t = etr /t
0,1 e 2
On en dduit le temps de monte :
tr = t ln (9) 2,2t = 2,2R B E C B E

2. Cas dune impulsion +VE qui provoque la sursaturation

Lamplitude du signal carr est maintenant +VE = 4VE(sat) = 4 1,6 = 6,4 V . Le
courant de base devient :
VE+ VB E(sat) 6,4 0,6
IB = = = 5,8 104 A = 5,8 I B(sat)
RB 104
Ce courant est beaucoup plus lev que le courant ncessaire pour avoir juste la satu-
ration. La relation IC = bI B reste valable tant que le courant collecteur na pas
atteint le courant de saturation. Il en rsulte :

IC = bI B 1 et/t avec : I B = 5,8 104 A et t = R B E C B E
IC
58 mA
10 mA
t
0,16 = RBECBE 2,2
Figure 4.26 Variation du courant en fonction du temps dans les deux cas.
Le temps ncessaire pour atteindre 90 % de la valeur IC(sat) est dtermin par :

0, 9 IC(sat) = 9 103 = bI B 1 etr /t = 100 5,8 104 1 etr /t
On en dduit :
9 103
1 4
= 0,845 = etr /t
100 5,8 10
soit : tr = 0,1673 t = 0,1673 R B E C B E
Ce temps quon peut assimiler au temps de monte est trs infrieur au temps de
monte calcul la premire question. La sursaturation amliore donc tr . On retrouve
la conclusion qui stipule que plus le taux de saturation est lev, plus le temps de
monte est rapide .
3. Frquence de transition du transistor et temps de monte
Le constructeur donne la frquence de transition du transistor et son gain en courant :
1
f T = b f b et vb =
R B E C B E
Pour calculer le temps de monte, il suffit de remplacer t par sa valeur. En effet,

on a :
1 1
t = R B E C B E = =
vb 2p f b
Exercices 169
fT b
On sait aussi que : f b = . On en dduit donc : t =
b 2p f T
Le temps de monte devient dans le cas dune saturation :
2,2b 2,2 100

tr = 2,2t = = = 110 nS
2p f T 2p 300 106
Dans le cas dune sursaturation, on trouve :
b 100
tr = 0,167 t = 0,167 = 0,167 = 8,35 nS
2p f T 2p 300 106
Exercice 4.4 Puissances dissipes dun transistor en commutation

On donne le montage de la figure 4.27 (a) dun transistor qui fonctionne en
satur bloqu. La tension v E (t) est une tension carre de frquence f qui
commute entre +10 V et 0 V. On suppose que lallure du courant collecteur
i C(t) est celle donne la figure 4.27 (b).
VCC
iC(t)
iC
RC 15 mA
RB iB
VCE(t)
vE(t)
t
T1 T2
(a) (b)
Figure 4.27 Montage de commutation (a) et allure du courant i C (t).
On suppose que b = 100 et on nglige la tension de saturation entre collec-

teur et metteur : VC E(sat) = 0 V, On donne : VCC = 15 V et VB E = 0,6 V.
1. Tracer la variation de la tension entre collecteur et metteur vC E (t). En
dduire la valeur de la rsistance RC et la valeur limite de la rsistance R B
qui permet davoir juste la saturation.
2. Exprimer en fonction des lments du circuit lexpression de la puis-
sance instantane p(t) dissipe par le transistor. Expliquer pourquoi on peut
ngliger la puissance dissipe par la jonction base-metteur.
3. Donner lexpression de lnergie dissipe par le transistor durant la
priode T. En dduire la puissance moyenne dissipe si le transistor
fonctionne en commutation la frquence f.
Solution
1. Allure de la tension vC E (t)
VCE(t)
15 V
iC(t)
15 mA
satur T1 T2 satur
bloqu
Figure 4.28 Allures de i C (t) et de vC E (t).
Lallure du courant collecteur montre que le transistor fonctionne en commutation.

On a donc i C (t) qui varie entre 0 et IC(sat) . La tension entre collecteur et metteur est
donne par :
vC E (t) = VCC RC i C (t)
Cette tension doit varier entre VCC et 0 V, les coordonnes dun point quelconque
sont :
t VCC t
vC E (t) = VCC 1 et i C (t) =
T1 RC T2
On sait aussi que :
VCC VC E(sat) VCC

IC(MAX) = IC(sat) = = = 15 mA
RC RC
On en dduit la valeur de la rsistance du collecteur :

VCC 15
RC = = = 1 kV
IC(sat) 15 103
Or, pour obtenir juste la saturation, le courant I B doit tre :
IC(sat) 15 103
I B = I B(sat) = = = 15 105 A
b 100
Exercices 171
Lquation de la maille en entre donne :

10 0,6 9,4
IB = = 15 105 A, soit : RB = 103 = 62,66 kV
RB 15
Cette valeur de la rsistance constitue une limite suprieure ne pas dpasser. Sinon
on ne peut plus obtenir la saturation.
2. Expressions des puissances instantanes
tudions le cas du passage entre bloqu et satur. On fait un changement de lorigine
des temps.
La puissance instantane p1 (t) est donc :
2

t VCC t VCC t t2
p1 (t) = VCC 1 = 2
T1 RC T1 RC T1 T1
La puissance instantane p2 (t) est donc :

2

VCC t t VCC t t2
p2 (t) = VCC 1 = 2
RC T2 T2 RC T2 T2
3. nergie dissipe et puissance moyenne

La puissance instantane dissipe par le transistor est donne par :
p(t) = vC E (t) i C (t) + v B E (t) i B (t) vC E (t) i C (t)
La simplification prcdente sexplique dune part par le fait que le courant i C (t) est
trs lev par rapport i B (t) et dautre part que vC E (t) et aussi en moyenne plus
leve que v B E (t).
Nous pouvons dj affirmer que la puissance dissipe est nulle durant toute la phase
de saturation et durant la phase de blocage puisque lun des deux termes de lquation
est nul.
tudions le cas du passage entre satur et bloqu. On fait un changement de lorigine
des temps :

t VCC t
vC E (t) = VCC et i C (t) = 1
T1 RC T1
Lnergie dissipe par le transistor durant une priode est donne en intgrant sur
la priode la puissance instantane dissipe par le transistor. Puisque la puissance
instantane est nulle en dehors de T1 et de T2 , on ne garde que :
T T1 T2
W = p(t)dt = W1 + W2 = p1 (t)dt + p2 (t)dt
0 0 0
tudions le cas du passage entre satur et bloqu. On fait un changement de lorigine

des temps :
T1 T1 2 T1
VCC t t2 VCC2
t t2
W1 = p1 (t) dt = 2 dt = 2 dt
0 0 RC T1 T1 RC 0 T1 T1
Le calcul de lintgrale donne :

T1
V2 t t2 2
VCC
W1 = CC 2 dt = T1
RC 0 T1 T1 6RC
tudions le cas du passage entre bloqu et satur. On fait un changement de lorigine

des temps :
T2 T2 2 T2
VCC t t2 VCC2
t t2
W2 = p2 (t) dt = 2 dt = 2 dt
0 0 RC T2 T2 RC 0 T2 T2
Le calcul de lintgrale donne :

T2
V2 t t2 2
VCC
W2 = CC 2 dt = T2
RC 0 T2 T2 6RC
Lnergie totale fournie au transistor durant une priode T est donc :

2
VCC V2 V2
W = W1 + W2 = T1 + CC T2 = CC (T1 + T2 )
6RC 6RC 6RC
On en dduit la puissance moyenne dissipe par le transistor :

W V2 T1 + T2 V2
Pmoyenne = = CC = CC (T1 + T2 ) f
T 6RC T 6RC
La puissance moyenne dissipe par un transistor fonctionnant en commutation est

donc proportionnelle la frquence du signal. Cest ce qui explique laugmentation
de la consommation de puissance des circuits intgrs logiques.
Chapitre 5
Lamplificateur oprationnel
5.1 GNRALITS ET STRUCTURE INTERNE

Lamplificateur oprationnel est devenu un composant de base utilis pratiquement
partout en lectronique. Gnralement, en thorie, on utilise une description idalise
de lamplificateur oprationnel en le supposant parfait.
5.1.1 Structure dun amplificateur oprationnel

La structure interne de la plupart des amplificateurs oprationnels peut se ramener au
schma simplifi de la figure 5.1.
tage tage Amplificateur

diffrentiel amplificateur de sortie
V
VS
V+
Figure 5.1 Schma de principe dun amplificateur oprationnel.
Cette reprsentation va nous permettre de comprendre la signification physique

de certains paramtres qui permettent gnralement de caractriser les performances
dun amplificateur oprationnel. Citons par exemple :
lamplification en boucle ouverte Av0 ;
limpdance dentre Z e et limpdance de sortie Z s ;
le taux ou rapport de rjection en mode commun TRMC ;
la frquence de transition f T ;
le slew rate qui caractrise la vitesse maximale de lvolution de la sortie.
174 5 Lamplificateur oprationnel
Lamplificateur oprationnel se prsente, en gnral, sous la forme dun amplifica-

teur entre diffrentielle et sortie unique (figure 5.2).
V + V +
V+ VS V+ VS
Figure 5.2 Reprsentation dun amplificateur oprationnel.
Lentre note + sappelle lentre non inverseuse et lentre note est

lentre inverseuse qui provoque une opposition de phase entre la sortie et lentre.
Le schma de brochage le plus rencontr est donn la figure 5.3.
N.C + V cc Sortie off set nul
Am pli op
off set nul entre entre - V cc

"-" "+ "
Figure 5.3 Schma de cblage dun amplificateur oprationnel.
Lamplificateur oprationnel est un composant de llectronique qui rsulte de lin-

tgration de plusieurs tages amplificateurs dans un mme botier. Il comporte gn-
ralement deux entres, appeles respectivement entres inverseuse () et non inver-
seuse (+), et une seule sortie.
Du point de vue fonctionnel, la tension est proportionnelle la diffrence de poten-
tiel qui existe entre les deux bornes dentre, ce qui sexprime par la relation :

VS = A d V + V
Ad est appel amplification diffrentielle. En pratique la valeur de ce coefficient

multiplicatif est de plusieurs centaines de milliers.
Si lune des entres sert de rfrence de potentiel, la sortie est en phase (si
V = rfrence) ou en opposition de phase (si V + = rfrence). Le signe qui
peut affecter le gain indique une opposition de phase entre la sortie et lentre.
5.1 Gnralits et structure interne 175
Remarque. Afin de permettre lobtention des tensions de sortie positive et nga-

tive, lalimentation en nergie de lamplificateur oprationnel seffectue souvent
de faon symtrique (+VCC et VCC ).
Souvent, ltude des applications de lamplificateur se fait trs simplement partir
dun modle idalis. En cas de ncessit, des corrections peuvent ensuite tre appor-
tes afin de tenir compte des caractristiques relles de lamplificateur oprationnel.
5.1.2 tude des diffrents tages

Sur le schma simplifi de la figure 5.1, on distingue trois tages damplification.
On peut prendre par exemple la structure interne de la figure 5.4 de lamplificateur
oprationnel 741 pour comprendre le fonctionnement.
a) Premier tage
Il sagit dune paire diffrentielle (T1 et T2 ) alimente par une source de courant qui
dlivre un courant constant 2I C0 . La paire diffrentielle est charge par un miroir de
courant (T3 , T4 ). La sortie se trouve au collecteur 2 du transistor n 2 qui est reli
la base B5 du second tage.
Au repos, les courants collecteurs sont identiques IC1 = IC2 = IC0 = IC3 . Le
courant qui circule dans le transistor T4 est gal IC4 = IC0 I B5 . Ce courant
est trs proche du IC3 et on peut considrer ces deux courants comme identiques :
IC3 = IC4 .
Si on injecte maintenant une tension diffrentielle uD , les courants deviennent :
gm1 u D gm2 u D gm1 u D
IC1 = IC0 + ; IC2 = IC0 ; IC4 = IC1 = IC0 I B5 +
2 2 2
Le courant de commande du second tage est :
gm2 u D gm1 u D
IC2 IC4 = IC0 IC0 + I B5 = I B5 gm1 u D
2 2
Pour la dernire formule, on a suppos que les deux branches de la paire diffrentielle
sont identiques avec gm1 = gm2 = gm . Le premier tage agit comme une source de
courant commande en tension avec un coefficient de transfert gal gm .
b) Deuxime tage
Le second tage est un montage metteur commun en Darlington qui agit comme une
source de tension commande en courant. Le coefficient de transfert est rm .
v S = v6 = rm I B5
c) Troisime tage
Le troisime tage est ltage de sortie qui est un montage en push-pull . Les tran-
sistors T7 et T8 sont deux transistors complmentaires de type NPN et PNP. Ces deux
transistors fonctionnent alternativement en collecteur commun, adaptateur dimp-

dance dont lamplification en tension est pratiquement lunit. Il sagit dune source
de tension commande en tension.
La paire diffrentielle dentre est rarement constitue dun seul transistor de
chaque ct, la structure dun amplificateur oprationnel du type 741 qui est donne
la figure 5.4, montre que chaque branche de la paire diffrentielle est forme dun
transistor NPN et dun transistor PNP.
Etag e n 1 Etag e n 2 Etag e n 3

VCC
Sou rces d e cou rants
T1 0 T9
T7
en tre -
CC V
en tre + T1 T2 CC
S
T'1 T'2
T5
I B5
T6
T3 T4 T8
V
RB 6
-V CC
rgl age d u miroir
"offset"
Figure 5.4 Structure interne de lamplificateur oprationnel 741.
5.1.3 Schma quivalent en petits signaux

Lamplificateur oprationnel est assimil un quadriple, ce dernier tant intro-
duit dans un rseau linaire de prfrence (mais il nen va pas toujours ainsi). Les
mthodes gnrales dtudes des rseaux sappliquent donc.
Pour lamplificateur oprationnel idal les quations obtenues sont en gnral
simples du fait de ses proprits.
5.2 Caractristiques en continue 177
+ Vcc
ZS
I -
e Ze Ad e VS
V
I+
+
V+
Vcc
Figure 5.5 Amplificateur oprationnel sous forme dun quadriple.
Le modle de lamplificateur oprationnel idal se dcrit laide des relations. :

Ad ; Ze ; Z s 0 et une bande passante infinie.
Lamplification diffrentielle tant infinie (infiniment grande en ralit), si la
tension de sortie Vs reste dans la zone linaire de fonctionnement (V s comprise
entre les tensions dalimentation +Vcc et Vcc ), il en rsulte que la dif-
frence de potentiel lentre est pratiquement nulle : = 0. la limite, nous
supposons : V + = V .
Limpdance dentre Z e infinie, implique que les courants : I + = I = 0.
Une impdance de sortie nulle permet de placer en sortie une charge de valeur
quelconque sans que la tension Vs soit affecte par la valeur de la charge en
sortie.
5.2 CARACTRISTIQUES EN CONTINUE

5.2.1 Alimentation
Le constructeur indique souvent les tensions dalimentation supply voltage
+VCC et VCC et leur valeur maximum ne pas dpasser absolute maxi-
mum ratings +VCC(max) et VCC(max) . Gnralement aucune borne nest
relie la masse et lalimentation est de type symtrique, mme si on peut alimenter
lamplificateur oprationnel par une alimentation dissymtrique 0 et 30 V par
exemple. Dans ce cas les entres + et doivent permettre la polarisation
normale des transistors de ltage dentre.
Certains amplificateurs oprationnels sont conus pour pouvoir fonctionner aussi
bien en symtrique quen dissymtrique, cest le cas par exemple du LM 124 .
Le constructeur indique aussi dans la rubrique absolute maximum ratings , la
tension diffrentielle ne pas dpasser max input differential range ainsi que la
tension du mode commun ne pas dpasser max input common range .
Les transistors doivent rester normalement polariss, lexcursion maximum de la

tension de sortie output voltage swing est limite des valeurs Vsat , lgre-
ment infrieure VCC . ICC est le courant dbit par chaque source et la puissance
consomme par lamplificateur oprationnel devient 2 VCC ICC . Cette puissance est
par exemple gale 50 mW.
Lorsque lamplificateur est protg contre les courts-circuits, le constructeur
indique la valeur maximale du courant de sortie.
5.2.2 Courants dentres

Les entres + et sont les bases des transistors de la paire diffrentielle T1
et T2 . Les courants dentres sont les courants continus des bases qui permettent
la polarisation des transistors. Ces courants se ferment la masse directement ou
travers les rsistances du montage. Le constructeur indique la valeur moyenne du
courant de base input bias current lorsque la tension de sortie est nulle et la valeur
maximale.
Le constructeur indique toujours la diffrence entre les courants de base I 0S pour
une tension nulle sous la rubrique input offset current .
Les courants dentres doivent tre les plus faibles possible, cest pour cette raison
quon utilise une paire diffrentielle en Darlington ou mieux des transistors effet de
champ qui sont connus pour avoir des rsistances dentre trop leves et des courants
dentres quasi nuls.
Ces donnes sont importantes car les courants dentres peuvent fausser la valeur
de la tension de sortie comme indique sur les figures 5.6 (a) et 5.6 (b).
R2 IB2
R2 IB2
R1
I=0
R1 -
I=0
- IB1
+
IB1
+ VS VS
R1//R2
(a) (b)
Figure 5.6 Influence des courants de polarisation.
Dans le cas dun montage inverseur fonctionnant en alternatif, son schma en

continu se ramne celui de la figure 5.6 (a), si la sortie nest pas sature, la tension
diffrentielle dentre uD tant trs faible, les entres + et sont pratiquement
au mme potentiel qui est la masse. R1 ayant la masse ces deux extrmits nest par-
courue par aucun courant. Le courant IB2 traverse R2 et impose le potentiel de sortie.
Si ce courant vaut par exemple 200 nA et R2 vaut 1 MV, la tension en sortie devient
gale : VS = R2 I B2 = 200 mV.
5.3 Caractristiques en fonction de la frquence 179
Cette tension de sortie est une tension de dcalage offset qui est dautant plus
grande que R2 et (ou) IB2 sont levs. Pour remdier cet inconvnient et en suppo-
sant que les deux courants dentres IB1 et IB2 sont gaux, on peut ajouter entre la
masse et lentre + une rsistance de valeur gale la mise en parallle de R1 et
de R2 .
5.2.3 Tension de dcalage lentre

Il existe une autre source de dcalage continu en sortie. Ceci est d aux dissymtries
invitables entre les deux transistors de ltage dentre. En effet, V BE et b varient
dun transistor lautre. Pour obtenir une tension nulle avec une entre la masse, il
faudrait porter sur lautre une petite tension continue de dcalage dentre ou input
offset voltage Vio .
Pour pouvoir pallier cet inconvnient, la plupart des amplificateurs oprationnels
prsentent des bornes daccs aux metteurs. Ces bornes sont appeles balance
ou offset . On utilise un potentiomtre extrieur dont les deux extrmits sont
relies ces deux bornes et le curseur un potentiel fixe (le V CC par exemple). En
modifiant les valeurs des rsistances, on modifie la similitude des courants qui passent
dans chaque branche de la paire diffrentielle et par consquent une modification du
courant IB5 qui entre dans le transistor T 5 . La tension du collecteur V 6 sera modifie
aussi ce qui aura pour consquence une modification de la tension de sortie.
5.3 CARACTRISTIQUES EN FONCTION DE LA FRQUENCE

5.3.1 Amplification
On peut calculer lordre de grandeur du gain diffrentiel AD de lamplificateur op-
rationnel. Pour cela il faut connatre le schma exact de la structure interne. Ce gain
est assez lev puisque les transistors sont chargs par des charges actives consti-
tues de transistors. Les rsistances qui interviennent dans le calcul du gain sont en
ralit les rsistances internes des transistors et sont de ce fait assez leves. Ce gain
est de lordre de 106 . Le constructeur donne aussi le rapport de rjection en mode
commun souvent exprim en dcibel (dB).
La rsistance dentre diffrentielle est la rsistance vue du ct entre. Cette rsis-
tance est forme par la mise en srie de deux rsistances correspondant chacune
une branche de la paire diffrentielle. Vues les valeurs des courants de polarisation
dentre qui sont trs faibles, la rsistance dentre dun transistor est donne par la
formule approche 26 mV/I B est assez leve. Le constructeur donne la valeur de la
rsistance dentre diffrentielle (par exemple : rd = 2 MV). Une capacit parasite
se trouve aussi lentre et sa valeur est de lordre du picofarad.
Enfin la rsistance de sortie de lamplificateur oprationnel qui est la rsistance de
sortie du dernier tage peut aussi tre calcule puisquil sagit dun montage push-
pull qui joue le rle dun super collecteur commun. Cette rsistance de sortie est
de lordre de dizaines dohms.
5.3.2 Stabilit et compensation en frquence

Puisque lamplificateur oprationnel possde un gain assez lev, il est gnralement
utilis avec une contre raction. Une fraction de la tension de sortie est alors injecte
lentre. Ds que la frquence dutilisation (ou une frquence parasite d au bruit
par exemple) dpasse la frquence de coupure propre lamplificateur oprationnel,
lentre et la sortie deviennent dphases.
Or, lamplificateur oprationnel est constitu dau moins trois tages, le dphasage
maximal tend vers 270 et peut donc atteindre la valeur de 180. Le montage risque
dosciller.
Pour viter linstabilit, on modifie la courbe de rponse en introduisant un
condensateur CC lentre du premier tage, ou entre le premier et le second, cest
la compensation en frquence. Ceci revient introduire un ple une frquence
plus faible que la premire frquence de coupure de lamplificateur oprationnel, la
courbe de lamplification en fonction de la frquence coupe laxe des frquences
f T . Cette frquence pour laquelle lamplification devient gale lunit sappelle la
frquence de transition. Lamplificateur utilis avec une contre raction ne risque
plus dosciller, mais en contrepartie, on a rduit la bande passante cest--dire le gain
pour toutes les frquences suprieures f C .
La frquence de coupure devient gale quelques hertz. Quand la frquence de
transition f T elle est de lordre du MHz.
Ad (dB) avec compensation
sans compensation
gain avec
contre raction
f
fC f1 f2 fT f3
/2
3
2
dphasage
Figure 5.7 Rponse en frquences sans et avec compensation.

5.3 Caractristiques en fonction de la frquence 181
5.3.3 Rponse indicielle en petits signaux

Dune manire gnrale, la rponse indicielle dun filtre est reprsente la
figure 5.8, et est caractrise par :
VS (courbe normalise)
1,1
d
1,0
0,9
0,1
0 t
tr
tS
Figure 5.8 Rponse indicielle dun filtre.
le temps de monte tr rise time . Cest le temps pour que la tension de sortie
passe de 10 % 90 % de la valeur finale ;
le dpassement d overshoot que prend la sortie au-dessus de la valeur finale ;
le temps dtablissement tS settling time . Cest le temps ncessaire pour que
la tension reste dans lintervalle gal la tension finale 10 % par exemple.
Dans le cas de lamplificateur oprationnel, grce au condensateur de compensa-

tion on a un filtre du premier ordre. Le temps de monte devient :
2,2
tr = = 2,2 RC
2p f C0
f C0 est la frquence de coupure du montage avec contre raction. Pour un gain

gale 10 par exemple on obtient fC0 gale 100 kHz et le temps de monte est
3,5 mS.
5.3.4 Rponse indicielle en grands signaux

En grands signaux, la rponse indicielle est trs diffrente de lallure donne de
la courbe de la figure 5.8. La tension de sortie prsente des portions sensiblement
linaire dont la pente d VS /dt est indpendante du gain du montage, figure 5.9. La
caractristique la plus importante est la vitesse maximale de variation de la tension

de sortie en rponse un chelon de tension slew rate .
Ve
5
0 t
VS
0 t
-5
Figure 5.9 Rponse indicielle en grands signaux : cas dun montage inverseur.
La paire diffrentielle dentre est alimente par la source de courant qui dlivre un
courant constant gal 2I C . Le courant dans chaque branche ne peut dpasser donc
le courant dlivr par la source. La valeur maximum de la tension diffrentielle UDM
de UD fixe la limite au-del de laquelle le fonctionnement de la paire diffrentielle
nest plus linaire.
Si la tension diffrentielle dpasse U DM , le gnrateur de courant qui attaque le
second tage, a une valeur constante gale 2IC qui charge ou dcharge le condensa-
teur de compensation CC .
La vitesse de charge ou de dcharge du condensateur de compensation courant
constant dtermine le slew rate : S R = 2IC /CC = 0,67 V/mS pour lamplifica-
teur oprationnel 741.
5.3.5 Rapport de rjection en mode commun

Si lamplificateur tait parfait lorsque V + = V , la sortie devrait tre nulle.
- VS
Ve
Figure 5.10 Mthode de mesure de la rjection en mode commun.

5.4 Principaux montages 183
En pratique, si nous ralisons le montage Ve = V + = V , nous observons une

tension de sortie Vs proportionnelle Ve . On dfinit alors une amplification en mode
commun (puisque V + est commun V ).
En fonctionnement normal, la sortie Vs dpend donc de deux termes :
le terme diffrentiel Vs = Ad (V + V ) ;
le terme de mode commun Vs = Amc Ve .
Une caractristique importante de lamplificateur est le rapport de ces amplifica-

tions appel rapport ou taux de rjection en mode commun (RRMC). En pratique,
on exprime souvent ce rapport en dcibels soit :

Ad
R R MC = 20 log , lordre de grandeur est 100 dB.
Amc
5.4 PRINCIPAUX MONTAGES

On va tudier les principaux montages de base qui font appel un amplificateur
oprationnel. Ces montages qui utilisent un amplificateur oprationnel avec un rseau
de raction, illustrent des fonctions simples de llectronique telles que laddition de
deux signaux, lintgration ou le filtrage dun signal lectrique.
Pour cela, on considre souvent lamplificateur oprationnel comme idal qui se
caractrise par :
un gain en tension diffrentiel infini : A D = ;
une trs grande impdance dentre infinie : Z e = ;
une impdance de sortie nulle : Z S = 0 ;
une bande passante : B P = .
5.4.1 Montage inverseur

Pour commencer ltude des montages lectroniques qui utilisent des amplificateurs,
on va prendre le cas du montage inverseur de la figure 5.11.
Exceptionnellement, on va considrer le cas dun amplificateur oprationnel idal
mais aussi le cas dun amplificateur oprationnel non idal.
a) Cas dun amplificateur oprationnel idal

Pour le montage de la figure 5.11, le potentiel V + tant nul, comme = 0, le potentiel
V est galement nul (masse virtuelle). Le courant I 1 qui passe dans la rsistance R1
est gal au courant I 2 qui passe dans la rsistance R2 puisque le courant I qui entre
R2
R1
- Z0
Zi
A0
+ VS
Ve
Figure 5.11 Montage inverseur.
dans lentre de lamplificateur oprationnel est nul. Il vient :

V E = R1 I1 R2
AV =
VS = R2 I2 R1
On remarque que lamplification est fixe par un rapport de deux rsistances

externes dans le cas dun amplificateur oprationnel idal. Limpdance dentre est
donne par Z e = R1 et limpdance de sortie sera nulle.
On peut remarquer quil sagit dun montage avec contre raction de tension en
courant. En appliquant les rsultats de ce type de contre raction, on obtient :
VS R2
lamplification : A V = = ;
VE R1
Z 0 + R2
limpdance dentre : Z e = R1 + R1 ;
A0
A
limpdance de sortie : Z S = Z 0 , trs faible.
A0
Z 0 tant limpdance interne de sortie propre lamplificateur oprationnel.
Pour quilibrer les courants dentre, on place gnralement une rsistance R3 dans
lentre non inverseuse, de valeur telle que chaque entre soit attaque par la mme
impdance dynamique :
R1 R2
R3 = R1 //R2 =
R1 + R2
b) Influences dues aux paramtres non idaux

Influence de lamplification en boucle ouverte
On tient compte maintenant de linfluence de lamplification A0 en boucle ouverte
qui nest pas infinie et de valeur considre positive. La tension de sortie nest autre
que VS = A0 . On obtient :

Ve = R1 I1 +
VS R1 1 VS
VS = R2 I2 + soit : Ve = R1 I1 + = VS 1 +

V = A A0 R2 A0 A0
S 0
A A0 R2
Avec : A V = et : A =
A + A0 1 R1
tant donn les ordres de grandeur respectifs de A qui est de lordre de 10 100 et
de A0 qui de lordre de 106 , cette dernire valeur a assez peu dinfluence sur lampli-
fication relle.
Influence de la rsistance diffrentielle dentre

On considre maintenant le cas rel pour lequel limpdance diffrentielle dentre
Zi de lamplificateur oprationnel nest pas infinie. On obtient :
Ve VS
= +
R1 R1 R2
Do en utilisant la notation prcdente, on obtient :

1 Ve 1 1 1 R1
= = + 1+
AV VS A A A0 A0 Zi
On constate que linfluence de limpdance diffrentielle dentre est dautant plus

faible que R1 est petit devant Z i et que lamplification en boucle ouverte A0 est grande.
Influence de la rsistance interne de sortie

En supposant lentre au potentiel zro (masse virtuelle), la rsistance R1 se
trouve en parallle sur R et lensemble se trouve en srie avec limpdance interne de
sortie de lamplificateur oprationnel. La tension de sortie se trouve donc multiplie

par le rapport qui exprime le diviseur de tension :
R1 //R2
AV = AV 0
Z 0 + R1 //R2
5.4.2 Amplificateur non inverseur

Si on suppose le cas dun amplificateur oprationnel idal, puisque A0 = , = 0,
on a dans ce cas V + = V .
R1
Or V+ = VS i + = i = 0 et V = VE
R1 + R2
VS R2
Do : AV = =1+
VE R1
R2
R1
-
+ VS
Ve
Figure 5.12 Montage non inverseur.
On peut remarquer quil sagit dune contre raction de tension en tension. La

chane de raction contient le pont de rsistance R1 , R2 . On applique les proprits
dun montage avec une contre-raction et on obtient :
VS R2
lamplification : A V = =1+ ;
VE R1
A0
limpdance dentre : Z e = Z i , trs grande ;
A
A
limpdance de sortie : Z S = Z 0 , trs faible.
A0
On remarque que la tension de sortie et la tension dentre sont en phase et que
lamplification est toujours suprieure 1. Le montage se comporte donc comme un
vrai amplificateur.
Un cas particulier de ce montage consiste annuler la rsistance R2 ce qui per-
met davoir une amplification gale 1. Cest le montage suiveur qui est souvent
utilis comme adaptateur dimpdance avec une rsistance dentre trs leve et une
rsistance de sortie trs faible
5.4.3 Montage additionneur-soustracteur

On dispose de deux tensions V 1 et V 2 et considrons le montage de la figure 5.13. Le
thorme de superposition donne :
R2 R1
V = V1 + V2 = k1 V1 + k2 V2
R1 + R2 R1 + R2
V est la somme pondre des tensions V 1 et V 2 avec des coefficients de pondra-

tion k1 et k2 qui sont positifs.
R1
R2
V'
V1 V2
Figure 5.13 Montage qui sert pour raliser un additionneur-soustracteur.
a) Montage additionneur
En associant le montage prcdent un amplificateur oprationnel mont en non
inverseur damplification G comme indique la figure 5.14, la tension de sortie
devient :

R2 R1 R
VS = V1 + V2 1 + = G (k1 V1 + k2 V2 )
R1 + R2 R1 + R2 R
Cas particulier : R1 = R2 et R = R, nous avons : VS = V1 + V2
R'

R1 + VS
R2
V1 V2
Figure 5.14 Montage additionneur.
b) Montage soustracteur
Avec le mme montage que prcdemment, en injectant une tension travers R
comme indiqu sur la figure 5.15, et grce au thorme de superposition on peut
crire :

R2 R R
VS = 1 + V1 + V2 = k1 V1 k2 V2
R1 + R2 R R
La tension de sortie est gale la diffrence pondre de V1 et V 2 .
Cas particulier. R1 = R2 et R = R, nous avons : VS = V1 V2 .
R'

R1
+ VS
V2
V1 R2
Figure 5.15 Montage soustracteur.
5.4.4 Montage intgrateur

La figure 5.16 donne lexemple dun intgrateur pur. Le courant dentre de lampli-
ficateur oprationnel tant nul, le courant I qui passe dans la rsistance R est le mme
qui parcourt le condensateur. Il en rsulte :
R

Ve (t) d VS
I = = C
+
R dt
Ve
VS
t

1
VS (t) = Ve (t) dt
RC
Figure 5.16 Montage intgrateur.
La tension de sortie est proportionnelle lintgrale de la tension dentre. On

dit que le montage est un intgrateur pur. En rgime tabli, la fonction de transfert
devient :
VS 1
=
Ve j RCv
Le diagramme de Bode en amplitude est donn la figure 5.17.
Remarque. Ce montage est en boucle ouverte pour le continu et il risque de
ne pas fonctionner correctement. Gnralement on ajoute une rsistance de forte
valeur aux bornes du condensateur (R = 1 MV par exemple). Le diagramme de
Bode en amplitude devient comme indique la figure 5.18.
G (dB)
pente 20 dB/dcade
log()
1
RC
Figure 5.17 Diagramme de Bode en amplitude dun intgrateur.
G (dB)
20 log(R'/R)
pente 20 dB/dcade
log()
1 1
R'C RC
Figure 5.18 Diagramme de Bode dun pseudo-intgrateur.
5.4.5 Montage drivateur

Pour le montage drivateur on procde de la mme faon que pour le montage int-
grateur (figure 5.19), do :
d Ve
VS = RC
dt
+ VS
Ve
Figure 5.19 Montage drivateur.
5.4.6 Filtres actifs

Lune des applications les plus importantes des amplificateurs oprationnels consiste
raliser des filtres actifs en utilisant uniquement des rsistances et des condensa-
teurs. Cette faon de raliser permet dviter davoir recours des bobines qui sont
encombrantes, de prix de revient lev et qui rayonnent un champ magntique nui-
sible au circuit.
On va voir dans ce paragraphe quelques cas particuliers de filtres actifs dont on
tudiera uniquement le comportement du module de la fonction de transfert en fonc-
tion de la frquence.
Diffrentes structures permettent de raliser des filtres laide damplificateurs
oprationnels. On examine les plus courantes.
a) Association dimpdances
La mthode la plus simple, a priori, pour raliser un filtre, consiste remplacer les
rsistances du montage amplificateur inverseur par des impdances de faon
obtenir une amplification fonction de la frquence.
Vs Z2
=
Ve Z1
Dune manire gnrale, si lon place deux quadriples (ayant une mme rfrence
des potentiels pour lentre et la sortie) lun dans le circuit dentre et lautre dans le
circuit de retour comme indique la figure 5.20. On obtient partir des paramtres
Y de chaque quadriple :
VS Y21A
I = Y21A Ve et I = Y21B VS , do : =
Ve Y21B
QB
-
Ve QA
+
Vs
Figure 5.20 Structure dun filtre ralis par association dimpdances.
b) Circuit raction multiple ou structure de Rauch

Soit le montage de la figure 5.21. En appliquant le thorme de Millman au nud B,
on obtient :
Ve Y1 + VS Y4 + V A Y3 + 0 Y2
VB =
Y1 + Y2 + Y3 + Y4
Puisque lentre + de lamplificateur oprationnel est la masse, le potentiel
du point A qui est le mme potentiel que celui de lentre est donc nul.
VS Y5 + VB Y3
VA = 0 =
Y2 + Y5
Y4
Y5
Y1 Y3

B A
UB UA + VS
Ve Y2
Figure 5.21 Structure de Rauch.
En remplaant dans lquation prcdente, on trouve :

VS Y1 Y3
=
Ve Y5 (Y1 + Y2 + Y3 + Y4 ) + Y3 Y4
Cette formule est tout fait gnrale et on peut fixer les admittances suivant le
type de la fonction de transfert raliser. Si on dsire par exemple un filtre passe
bas du second ordre dont la fonction de transfert scrit sous la forme suivante une
constante multiplicatrice prs :
1
H ( p) =
ap 2 + bp + c
Le numrateur doit tre indpendant de p, ce qui revient imposer Y 1 et Y 3 comme

des conductances pures de valeurs Y1 = 1/R1 et Y3 = 1/R3 .
Pour le dnominateur, le terme en p2 ne peut tre Y 3 Y 4 puisque Y 3 est indpendant
de p. Les seuls produits qui restent font intervenir Y 5 qui doit tre forcment d un
condensateur. Dans ce cas, seul le produit Y 3 Y 4 permet de retrouver le terme c qui
reprsente une constante indpendante de p, Y 4 est forcment une conductance et on
peut dduire que Y 2 est d un condensateur.
On arrive Y 1 , Y 3 et Y 4 des conductances et Y2 = C2 p et Y5 = C5 p :
1 1 1
Y1 = G 1 = , Y3 = G 3 = , Y4 = G 4 = , Y2 = jC2 v et Y5 = jC5 v
R1 R3 R4
La fonction de transfert devient :

VS G1G3
=
Ve jC5 v (G 1 + G 3 + G 4 + jC2 v) + G 3 G 4
Cette expression scrit aussi sous la forme :

VS R4 1
=
Ve R1 R3 R4
1 + jC5 v + R3 + R4 + j 2 R3 R4 C2 C5 v2
R1
Cette expression est celle dun filtre passe bas du second ordre ayant :
une amplification dans la bande passante (basses frquences) gale :
R4
AV 0 = ;
R1
1
une frquence caractristique : f 0 = ;
2p R3 R4C2 C5
v0 R3 R4
un coefficient damortissement : m = C5 + R3 + R4 .
2 R1
c) Structure de Sallen et Key

Cette structure ncessite trs peu de composants. On utilise une source de tension
commande en tension et on suppose que le gain k est positif. Nous pouvons par
exemple choisir k gal lunit ce qui aura comme avantage une augmentation de la
frquence limite utilisable par lamplificateur oprationnel.
Dans le montage ci-dessous lamplificateur de gain k a une impdance dentre
infinie. Il est ralis par exemple avec un amplificateur oprationnel mont en ampli-
ficateur non inverseur (figure 5.22).
Y3
Y1 Y2 A
k
B
Ve UB UA
Y4 VS
Figure 5.22 Structure de Sallen-Key.
Les tensions au nud A et au nud B se calculent comme dans le montage prc-

dent laide du thorme de Millman ou en utilisant les lois des nuds.
En notant U A et U B les tensions par rapport la masse du nud A et du nud B,
puisque lamplificateur a un gain K et une impdance dentre infinie, il advient :

VS
au nud B : Y1 (Ve U B ) + Y2 U B + Y3 (VS U B ) = 0 ;
k

VS VS
au nud A : Y2 U B + Y4 0 = 0.
k k
VS Y1 Y2
Dont il rsulte : =k
Ve Y1 Y2 + Y2 Y4 + Y2 Y3 (1 k) + Y3 Y4 + Y1 Y4
5.4.7 Comparateur de tension

Loprateur comparateur de tension est dcrit par lquation suivante :
f (ve ) = Y pour ve < E et f (ve ) = X pour ve > E
Le signal utile dentre est ve , le comparateur doit prsenter une impdance den-
tre trs leve (infinie). Le signal utile de sortie est le signal vS , le comparateur
prsente donc une impdance de sortie trs faible (nulle). E constitue la tension de
rfrence et souvent on a X = Y .
a) Comparateur simple
Un amplificateur oprationnel qui fonctionne en boucle ouverte (figure 5.23), consti-
tue une bonne approximation de comparateur mais dans un domaine de frquence
assez limite. Des circuits intgrs spcifiques ont t dvelopps et certains peuvent
travailler mme des frquences de quelques dizaines de MHz.
+ VS
Ve
Vref
Figure 5.23 Comparateur simple amplificateur oprationnel.
b) Comparateur hystrsis : trigger de Schmitt

La figure 5.24 reprsente le schma du montage, appel comparateur Hystrisis ou
trigger de Schmitt. Le trigger de Schmitt permet de faire une comparaison entre une
tension dentre et une tension de sortie en fonction de la valeur dune tension de
rfrence V rf . Le montage donn la figure 5.24 montre un exemple de ralisation
en trigger inverseur.
+
Ve
R2 VS
R1
Vref
Figure 5.24 Exemple de ralisation dun trigger de Schmitt.
+
On note Vsat et Vsat , les tensions de saturation de lamplificateur oprationnel. Ces
tensions sont lgrement infrieures aux tensions de lalimentation.
Les tensions sur les entres et + sont supposes identiques puisquon
suppose lamplificateur oprationnel comme tant idal. Cette tension sera dtermi-
ne en appliquant le thorme de superposition et sera note soit V + si la sortie est
+
gale Vsat , soit V si la sortie est gale Vsat

.
+
Si la tension de sortie est VS = Vsat , cest le cas si la tension dentre Ve < V + ,
pour dterminer la tension V + , on applique le thorme de superposition et on
obtient la formule suivante :
R1 R2
V+ = +
VSat + Vrf
R1 + R2 R1 + R2
Supposons maintenant que la tension dentre augmente. Au moment o sa
valeur dpasse la tension V +, le trigger bascule et la tension de sortie devient

gale Vsat . Dans ce cas, la tension qui existe sur lentre + volue rapide-
ment et devient gale la valeur donne par la formule suivante :
R1 R2
V = VSat + Vrf
R1 + R2 R1 + R2
Si la tension dentre volue maintenant et sa valeur diminue jusqu atteindre
la valeur de V . Le trigger va de nouveau basculer et la sortie devient gale la
+
valeur de la tension de saturation positive Vsat .
On remarque sur la figure 5.25 (a), qui donne la tension de sortie en fonction de la
tension dentre, que le passage bas vers haut est diffrent du passage haut vers
bas . Ce phnomne est connu sous lappellation de cycle dhystrisis.
Le point A qui est le centre du cycle est donn par la formule suivante :
V+ + V R2
Ve = = Vrf
2 R1 + R2
Pour une tension de rfrence nulle (figure 5.25 (b)), le point A devient le point
dintersection des deux axes et le trigger est centr et symtrique.
Vs Vs
V e
- + - +
V A V V V
Ve Ve
(a) Tension de rfrence quelconque. (b) Tension de rfrence nulle.
Figure 5.25 Cycle dhystrisis associ un trigger de Schmitt.

5.4.8 Multivibrateur astable

Le trigger prcdent est modifi de faon effectuer une comparaison avec une ten-
sion dentre dpendant de la tension de sortie. Le montage de base est donn la
figure 5.26. Ce montage permet davoir des tensions de sortie sans avoir injecter
une tension entre Ve .
C +
Ve
R2 VS
R1
Figure 5.26 Exemple de ralisation dun montage astable.
Pour simplifier ltude, on va supposer que les tensions de saturation sont

+
Vsat = +VCC et Vsat = VCC . La tension dentre Ve est la diffrence de poten-
tiel aux bornes dun condensateur aliment par une source VCC travers une
rsistance R.
Si lon prend comme origine des temps le moment o VS passe +VCC par
exemple, Ve suit alors la loi dvolution suivante (en supposant que Ve (t = 0)) :
t
Ve (t) = VCC 1 exp
RC
Comme Ve est une tension croissante, elle va franchir le seuil de commutation V +
linstant t1 . En consquence la tension de sortie change de signe et le condensateur
tend se charger VCC . Ve suit alors la loi dvolution suivante :

t t1
Ve (t) = VCC + V + 1 exp + V+
RC
Le seuil de commutation qui est le reflet de la tension de sortie est maintenant gal
V . Comme Ve est dcroissante, il sera franchi linstant t2 tel que :

t2 t1 R1
Ve (t2 ) = VCC + V 1 exp + V = VCC
RC R1 + R2
La tension de sortie redevient positive et le processus de charge du condensateur

vers la valeur +VCC recommence comme au dbut (figure 5.27). Le phnomne est
donc priodique. La demi-priode est gale (t2 t1 ).
Ve
Vs
+Vcc
+Vcc R1
R1 + R2
t
R1
-V cc
R1 + R
2
-V cc
Figure 5.27 Allures des tensions Ve et VS dun multivibrateur astable.
5.4.9 Amplificateur logarithmique et antilogarithmique

Soit le montage de la figure 5.28 qui est driv de lamplificateur inverseur et qui
comporte une simple diode dans le circuit de raction. Ce montage reprsente un

amplificateur logarithmique. En effet, en petits signaux, le potentiel de la borne nga-
tive est pratiquement gal au potentiel de la borne positive qui est la masse. Le courant
Ie qui est inject par le signal dentre passe directement dans la diode. La tension de
sortie devient :
VS = Vdiode = VD
Or, le courant Ie (qui passe dans la diode) est donn par lexpression :
Ve qV D
qVS
Ie = = IS e KT 1 = IS e K T 1
R
Avec I S qui est le courant de saturation de la diode et non pas le courant de sortie.
Vd
R
-
Ve
+ Vs
Figure 5.28 Montage dun amplificateur logarithmique.
kT
On suppose maintenant que la tension Vs est suffisamment ngative : |VS | > ,
q
on peut ngliger le terme 1 devant le terme exponentiel et on obtient une tension
de sortie qui sera donne par la formule suivante :

KT Ve
VS = ln
q R IS
La tension de sortie est donc proportionnelle au logarithme de la tension dentre.

De ce fait, ce montage est appel amplificateur logarithmique .
Ce montage ne peut fonctionner correctement que dans une plage limite en ten-
sion. On trouve des variantes de ce montage qui font intervenir gnralement un
transistor pour jouer le rle de la diode.
Le fait de permuter la rsistance et la diode, permet davoir une tension de sortie
qui varie dune faon exponentielle. Il sagit dun amplificateur dit antilogarith-
mique .
5.4.10 Montage redresseur

Un exemple de montage redresseur est donn la figure 5.29.
Lorsque la tension dentre est positive, la diode D1 est bloque et le courant
dentre I1 passe par la rsistance R2 et par la diode D2 . La tension de sortie VS
est gale la tension de lentre multiplie par le rapport R2 /R1 .
Lorsque la tension dentre est ngative, la diode D1 conduit, elle est assimilable
un court-circuit. La diode D2 se comporte comme un circuit ouvert et la tension
de sortie devient nulle.
En fonction du rapport des rsistances et de la qualit des diodes, la tension de
sortie est une tension pratiquement sans seuil et on peut redresser des tensions de trs
faibles amplitudes.
R2
D1
R1
I1 D2
-
+
Ve V 'S VS
Figure 5.29 Exemple dun montage redresseur.
5.4.11 Amplificateur crteur

Si dans le montage amplificateur inverseur on place une diode Zener en parallle
avec la rsistance du circuit de raction comme indiqu la figure 5.30, leffet non
linaire introduit par la diode, produit galement un crtage.
R2
Vd
R1
-
Ve
+ Vs
Figure 5.30 Exemple dun montage crteur.
Lorsque la diode est bloque cest--dire Vd comprise entre Vz et V0

(V0 = 0,6 V pour une diode au silicium), le montage fonctionne en ampli-
ficateur de gain R2 /R1 .
Lorsque la diode conduit en inverse, elle est assimilable une source de tension
constante. Comme VS est gale Vd , alors VS = Vz .
Lorsque la diode conduit en direct, elle est assimilable un court-circuit. VS est
alors pratiquement gale 0.
Lamplificateur oprationnel est assimil un quadriple (figure 5.31).

Le modle de lamplificateur oprationnel idal se dcrit laide des relations. :
un gain en tension diffrentiel infini : A D = ;
une trs grande impdance dentre infinie : Z e = ;
une impdance de sortie nulle : Z S = 0 ;
une bande passante : B P = ;
la diffrence de potentiel : = 0. la limite, nous supposons : V + = V ;
nous supposons les courants : I + = I = 0.
En ralit, parfois, on doit tenir compte des imperfections :
amplification en boucle ouverte limite ( A V 0 = 106 par exemple) ;
impdance dentre Z e non infinie ;
impdance de sortie Z S non nulle ;
le temps de monte tr rise time pour les rponses indicielles en petits
signaux.
Cest le temps pour que la tension de sortie passe de 10 % 90 % de la valeur
finale ;
le slew rate ou vitesse maximale de variation de la tension de sortie pour les
rponses indicielles en grands signaux ;
la compensation en frquence qui donne une frquence de transition f T faible ;
le dcalage en tension ou offset en sortie d aux imperfections des composants :
soit un dcalage en tension en entre, soit une diffrence des courants dentre.
+ Vcc
ZS
I -
e Ze Ad e VS
V
I+
+
V+
Vcc
Figure 5.31 Schma quivalent en petits signaux.

Exercices 201
EXERCICES
Exercice 5.1 Filtre passe-bande amplificateur oprationnel

Lamplificateur oprationnel utilis dans cet exercice est suppos parfait et
fonctionne en rgime linaire non satur.
On suppose : C1 = 10C2 .
1. Expliquer sans faire de calcul le comportement du circuit en hautes fr-
quences et en basses frquences.
2. Dterminer lexpression de la fonction de transfert H ( jv) en fonction
de v1 et v2 .
VS 1 1
H ( jv) = , avec : v1 = et v2 =
Ve RC1 RC2
3. Donner le module de la fonction de transfert et dterminer les limites

lorsque la frquence tend vers linfini ou vers zro.
4. Tracer le diagramme asymptotique de Bode du module de la fonction de
transfert. Quelle est la fonction ralise par ce filtre ?
C1
R R
C2
-
ve
+
v
s
Figure 5.32 Filtre actif amplificateur oprationnel.
Solution
1. tude du comportement du filtre
Pour dterminer le comportement du circuit en hautes et en basses frquences, on fait
tendre les frquences vers et vers zro.
Lorsque la frquence tend vers , les condensateurs se comportent comme des

courts-circuits. On trouve donc :
VS = V = V + = 0
La sortie est nulle quelle que soit lentre. Ce filtre coupe les hautes frquences.
Lorsque la frquence tend vers zro, les condensateurs se comportent comme des
circuits ouverts. Aucun signal ne passe travers le condensateur C2 et on trouve
donc :
VS = V = V + = 0
La sortie est nulle quelle que soit lentre. Ce filtre coupe les basses frquences.
Conclusion. Puisque ce filtre coupe les basses et les hautes frquences, il sagit donc
dun passe-bande.
2. Fonction de transfert et pulsations caractristiques
Le montage donn est un montage inverseur. Sa fonction de transfert scrit :
VS ZP
H ( jv) = =
Ve ZS
1
R
jC1 v R 1 1 + j RC2 v
Avec : ZP = = et ZS = R + =
1 1 + j RC1 v jC2 v jC2 v
R+
jC1 v
R
1 + j RC1 v R jC2 v
Soit : H ( jv) = =
1 + j RC2 v 1 + j RC1 v 1 + j RC2 v
jC2 v
j RC2 v
=
(1 + j RC1 v) (1 + j RC2 v)
On dveloppe lexpression prcdente pour trouver :

j RC2 v
H ( jv) =
1 + j (RC1 v + RC2 v) + j 2 R 2 C1 C2 v2
v
j
v
= 2 2
v v v
1 +j +
v1 v2 v1 v2
Exercices 203
3. tude de la courbe du gain en fonction de la frquence

Le module de la fonction de transfert est :
v
v2
|H ( jv)| = 2 2
v2 v v
1 + +
v1 v2 v1 v2

v2
Le module passe par une valeur maximale lorsque : 1 =0
v1 v2

Soit : v = v0 = v1 v2 , cette pulsation on a :
v v1 v2 v1 C2 1
|H ( jv0 )|max = = = = = 0,1
v2 v (v1 + v2 ) v1 + v2 C1 + C2 10
Pour tracer les courbes asymptotiques, on sait que la fonction de transfert est :
v 1
H ( jv) = j 2
v2 v v v
1 +j +
H1 ( jv) v1 v2 v1 v2

H2 ( jv)
Pour tracer la courbe de Bode du gain, on fait ltude en faisant tendre la frquence
vers linfini et vers zro :


v

v1 |H ( jv)| on trouve une pente de + 20 dB/dcade

v2

v1
v1 |H ( jv)| on trouve une pente de 20 dB/dcade

v

v1
v = v0 |H ( jv0 )| = |H ( jv0 )|max =
v1 + v2
4. Courbe du gain en fonction de la frquence

On a le produit de deux fonctions de transfert, on additionne donc les courbes asymp-
totiques de Bode (figure 5.33).
Gain (dB)
|H1(j)|
0 log(f)
|H2(j)|
-10
-20
|H(j)|
-30
-40
0,01 0,1 1 10 100 1000
Frquence normalise
Figure 5.33 Courbes asymptotiques de Bode.
Exercice 5.2 Filtre passe-bas structure de Rauch

On considre le montage de la figure 5.34. Lamplificateur oprationnel est
idal. Y1 , Y2 , Y3 , Y4 , Y5 sont des admittances complexes des lments du
circuit.
1. crire le thorme de Millman au point A et au point B en utilisant les
admittances.
2. Dterminer la fonction de transfert :
VS
H ( jv) =
Ve
3. Y1 , Y3 , Y4 sont les admittances de trois condensateurs identiques de capa-

cit C, Y2 et Y5 sont les admittances de deux rsistances R4 et R5 .
En dduire lexpression de la fonction de transfert H ( jv). Montrer quelle
peut se mettre sous la forme
v2 1 v2 1
H ( jv) = A V 0 = AV 0
v20 v2
v v20 v 2
v
1 2
+j 1 2
+ 2 jm
v0 v1 v0 v0
Donner les expressions de v0 , v1 et m.

Exercices 205
4. Calculer le module de H ( jv). Quelles relations doivent satisfaire les

rsistances R4 et R5 pour que ce module se mette sous la forme :
v2 1
|H ( jv)| = 2
?
v0 v4
1+ 4
v0
Y4 Y5
Y1 Y3

B A
UB UA + VS
Ve Y2
Figure 5.34 Structure de Rauch en admittances.
Solution
1. Expressions des potentiels des points A et B avec Millman
Puisque lentre + de lamplificateur oprationnel est la masse, le potentiel du
point A qui est le mme potentiel que celui de lentre est donc nul. En appliquant
le thorme de Millman au nud A, on a :
VB Y3 + VS Y5
VA = = V = V+ = 0
Y2 + Y5 + Y4
Y5
On en dduit : VB = VS
Y3
En appliquant le thorme de Millman au nud B, on a :
Ve Y1 + VS Y4 + V A Y3 Ve Y1 + VS Y4
VB = =
Y1 + Y2 + Y3 + Y4 Y1 + Y2 + Y3 + Y4
2. Calcul de la fonction de transfert
En remplaant dans lquation prcdente, on obtient :
Y5 Ve Y1 + VS Y4
VS =
Y3 Y1 + Y2 + Y3 + Y4
(Y5 (Y1 + Y2 + Y3 + Y4 ) + Y3 Y4 ) VS = Ve Y1 Y3
VS Y1 Y3
H ( jv) = =
Ve Y5 (Y1 + Y2 + Y3 + Y4 ) + Y3 Y4
3. Expressions de v0 , v1 et m
La formule prcdente est tout fait gnrale. Puisque Y1 , Y3 , Y4 sont les admittances
de trois condensateurs identiques de capacit C ; Y2 et Y5 sont les admittances de deux
rsistances R2 et R5 .
1 1
On a donc : Y1 = Y3 = Y4 = jCv, Y2 = G 2 = et Y5 = G 5 =
R2 R5
VS j 2 C 2 v2 j 2 R2 R5 C 2 v2
H ( jv) = = =
Ve 1 1 (3 j R2 Cv + 1) + j 2 R2 R5 C 2 v2
3 jCv + + j 2 C 2 v2
R5 R2
Cette expression scrit aussi sous la forme :

v2 v2 v2
j2
VS v20 v20 v20
H ( jv) = = = =
Ve v v2 v2 v v2 v
1+ j + j2 2 1 2 + j 1 2 + 2 jm
v1 v0 v0 v1 v0 v0
Cette expression est celle dun filtre passe haut du second ordre ayant :
une amplification dans la bande passante (hautes frquences) gale : A V 0 = 1 ;
1
2pC R2 R5
1
2p 3R2 C

v0 R2
un coefficient damortissement : m = =6 .
2v1 R5
4. Calcul du module de la fonction de transfert
Le module de la fonction de transfert scrit :
v2
v20
|H ( jv)| = 2 2
v2 v
1 2 + 2m
v0 v0
v2 v2
v20 v20
Cas particulier : |H ( jv)| = 2 2 =
v2 v v4
1 2 + 2m 1+ 4
v0 v0 v0
Exercices 207
2 2
v2 v v4
Ce cas est obtenu si on a lgalit suivante : 1 2 + 2m = 1+ 4
v0 v0 v0
En dveloppant lexpression prcdente, on obtient :
v4 v2 v2 v4
1+ 2 + 4m 2
= 1 +
v40 v20 v20 v40
v2 v2
Soit : 2 + 4m 2
= 0,
v20 v20

2
on en dduit : m= .
2
Exercice 5.3 Influence des paramtres dun AOP

On considre le montage amplificateur non inverseur de la figure 5.35.
1. Mettre la fonction de transfert sous la forme :
VS A ( jv)
H ( jv) = =
Ve 1 + A ( jv) G ( jv)
A ( jv) reprsente le gain propre lamplificateur oprationnel.

2. Lamplificateur oprationnel possde un gain diffrentiel A ( jv) de pre-
mier ordre :
A0
A ( jv) = , avec : 20 log(A0 ) = 100 dB et f C0 = 10 Hz.
f
1+ j
f C0
Dduire des proprits de la contre raction la bande passante de lamplifi-

cateur dans les cas suivants : R2 = 9R1 et R2 = 99R1 .
R2
R1
-
+
Vs
Ve
Figure 5.35 Amplificateur non inverseur.

Solution
1. Expression de la fonction de transfert
La tension de sortie scrit :

R1
VS = A ( jv) = A ( jv) Ve VS
R1 + R2
R1
VS = A ( jv) Ve A ( jv) VS
R1 + R2

R1
On a donc : VS 1 + A ( jv) = A ( jv) Ve
R1 + R2
VS A ( jv)
La fonction de transfert scrit : H ( jv) = =
Ve 1 + A ( jv) G ( jv)
R1
Avec : G ( jv) =
R1 + R2
2. Calcul du gain rel
Puisque lamplificateur oprationnel possde un gain diffrentiel A ( jv) du premier
ordre :
A0
A ( jv) = , avec : 20 log(A0 ) = 100 dB et f C0 = 10 Hz.
f
1+ j
f C0
100
On en dduit : = 5 = log 105 = log (A0 ), soit : A0 = 105 .
20
R1 R1
Lorsque R2 = 9R1 , on a : G ( jv) = = = 0,1
R1 + R2 R1 + 9R1
La fonction de transfert scrit :
A0
f
1+ j
VS A ( jv) f C0 A0
H ( jv) = = = =
Ve 1 + 0,1 A ( jv) A0 f A0
1 + 0,1 1+ j +
f f C0 10
1+ j
f C0
5
VS A0 10
H ( jv) = =
Ve f A0 f
1+ j + 104 + j
f C0 10 10
Exercices 209
Le gain en basses frquences est donc :

VS 105 105
|H ( jv)|lim f 0 = 2 = = 10
Ve 2 f 104
104 +
10
La frquence de coupure f C est obtenue lorsque le module de la fonction de transfert

devient gal :

VS 105 10
|H ( jv)| = = =
Ve 2 fC
2 2
104 +
10
1010 102
On en dduit : 2 f C 10 2 108 108 105 Hz
2 fC 2
104 +
10
R1 R1
Lorsque R2 = 99R1 , on a : G ( jv) = = = 0,01
R1 + R2 R1 + 99R1
Le mme raisonnement nous permet de dduire : f C 104 Hz
Remarque. On retrouve avec ces deux exemples, ce qui est prvisible, savoir :
gain bande passante = constante = f T = 105 10 = 106 Hz

Exercice 5.4 Filtre de Wienn amlior AOP

Soit le montage dun filtre de Wienn donn la figure 5.36 (a) et le mon-
tage de la figure 5.36 (b) reprsentant un autre filtre de Wienn amlior
grce lutilisation dun amplificateur oprationnel.
1. Pour le montage de la figure 5.36 (a), calculer la fonction de transfert
du filtre. Tracer la courbe du gain en fonction de la frquence dans le cas
particulier : R1 = R2 = R et C1 = C2 = C
Dterminer le coefficient de qualit Q 1 .
2. Refaire le mme travail pour le montage de la figure 5.36 (b). Conclure.
R1 C1 R1 C1 R R
VE R2 C2 VS
VE R2 C2 VS
- +
(a) (b)
Figure 5.36 Filtre de Wienn (a) et filtre de Wienn amlior (b).
Solution
1 tude du premier filtre
On commence par tudier le premier montage et on note :
1 R2
Z 1 = R1 + ; Z2 =
jC1 v 1 + j R2 C 2 v
VS1 Z2 1 1
= = =
VE Z1 + Z2 1 + Z 1 Y2 1 1 + j R2 C 2 v
1+ R1 +
jC1 v R2
Expression de la fonction de transfert

En dveloppant le dnominateur, on obtient :
VS1 j R2 C 1 v
=
VE j R2 C1 v + (1 + j R1 C1 v) . (1 + j R2 C2 v)
VS1 j R2 C 1 v
=
VE 1 + jv (R2 C1 + R1 C1 + R2 C2 ) (R1 R2 C1 C2 ) v2
Il sagit dun filtre passe-bande (filtre de Wienn). Sa fonction de transfert peut se

mettre sous une forme standard :
v
j
VS1 v01
H1 ( jv) = =A 2
VE v v
1 + 2 jm
v02 v03
1 1 1
Avec : v01 = , v02 = et v03 =
R2 C 1 R2 C 1 + R1 C 1 + R2 C 2 R1 R2 C 1 C 2
Exercices 211
Cas particulier
1
R1 = R2 = R et C1 = C2 = C soit : v01 = v02 = v03 = v0 =
RC
v
j
VS1 j RCv v0
H1 ( jv) = = = 2
VE 1 + 3 j RCv (RCv)2 v v
1 + 3j
v0 v0
3
Par identification, on trouve : A = 1 et m = = 1,5.
2
VS1 j xv 1
H1 ( jv) = = =
VE 1 + 3 j x x2 1
3+ j x
x
v
Avec : x = qui reprsente la pulsation normalise.
v0
Trac de la courbe du gain en fonction de la frquence
Le module de la fonction de transfert est :

VS1 1
|H1 (v)| = =
2
VE1 1
9+ x
x
Ce rsultat montre que pour x = 1, le module est maximal et vaut |H1 |MAX = 1/3.
On a toujours un amortissement. On dtermine les courbes asymptotiques :

x 1 H1 (jx) j x
on trouve une pente de : + 20 dB/dcade

x 1 H1 (jx) 1/j x on trouve une pente de : 20 dB/dcade

x = 1 H (jx) = H
1 1MAX
Le trac de lamplitude en fonction de la frquence est donn la figure 5.37 (a).

Calcul du coefficient de qualit Q 1
Pour dterminer le coefficient de qualit Q 1 , on calcule les frquences de coupures
f C1 et f C2 pour lesquelles lamplitude est gale lamplitude maximale divise
par 2.
2
|H1MAX | 1 1 1
|H1 | = = = 2 , soit : 9 + x x = 18
2 3 2 1
9+ x
x
On obtient une quation de second degr : x 2 3x 1 = 0

Les deux racines de lquation prcdente sont x1 et x2 , avec :

+3 + 9 + 4 +3 + 9 + 4
x1 = ce qui donne la pulsation vC1 = v0
2 2

3 + 9 + 4 3 + 9 + 4
x2 = ce qui donne la pulsation vC2 = v0
2 2
v0 1
Le coefficient de qualit est : Q 1 = =
vC1 vC2 3
Remarque. Ce coefficient de qualit est trs faible pour assurer juste le passage
dune bande passante et couper le reste.
2. tude du deuxime montage
Expression de la fonction de transfert
Lamplificateur oprationnel est suppos idal, on a des courants entrants nuls.

V A = VB = VS2 = Z 2 I S
VE V A = VE VS2 = Z 1 I E

VE VS2 VS2 VE 1 1
Soit : = ce qui donne : = VS2
Z1 Z2 Z1 Z1 Z2
VS2 Z 1Z 2 Z2 1
H2 ( jv) = = = =
VE Z 1 (Z 2 Z 1 ) Z2 Z1 1 Z 1 Y2
VS2 1
H2 ( jv) = =
VE 1 + j R1 C 1 v 1 + j R2 C 2 v
1 .
jC1 v R2
j R2 C 1 v
H2 ( jv) =
1 + jv (R1 C1 + R2 C2 R2 C1 ) + j 2 R1 R2 C1 C2 v2
Trac de la courbe du gain en fonction de la frquence

Il sagit de la fonction de transfert dun filtre passe-bande dont le trac est donn la
figure 5.37 (b) dans le cas particulier R1 = R2 = R et C1 = C2 = C.
VS2 jx 1
H2 = = =
VE2 1 + jx x 2 1
1+ j x
x
1
Dont le module est : |H2 | = 2
1
1+ x
x
Exercices 213
Ce rsultat montre que pour x = 1, le module est maximal et vaut : |H1 | M AX = 1.

On a toujours un amortissement. On dtermine les mmes courbes asymptotiques :

x 1 H1 (jx) jx on trouve une pente de + 20 dB/dcade
x 1 H1 (jx) 1/jx on trouve une pente de 20 dB/dcade

x = 1 H (jx) = H
1 1M AX
Gain (dB) Gain (dB)
0 0
10 10
20 20
30 30
40 40
0,01 0,1 1 10 100 0,01 0,1 1 10 100
Frquence normalise (f0 /f ) Frquence normalise (f0 /f )
(a) (b)
Figure 5.37 Courbes du gain en fonction de la frquence.
Calcul du coefficient de qualit Q 2

On peut calculer le coefficient de qualit comme prcdemment, mais on peut aussi
identifier la fonction obtenue par lexpression standard dun filtre passe-bande.
VS2 1 1 1
H2 = = = =
VE2 1 1 v v0
1+j x 1 + jQ x 1 + jQ
x x v0 v
On trouve donc le coefficient de qualit : Q 2 = 1
Ce coefficient de qualit est plus lev que le coefficient dtermin prcdemment
(Q 2 = 3Q 1 ). Lintroduction de lamplificateur oprationnel permet damliorer la
slectivit du filtre.
Remarque. Le choix dune rsistance R1 < R2 et C1 > C2 permet damliorer
davantage la slectivit en augmentant davantage le coefficient de qualit.
Exercice 5.5 Source de courant commande en tension AOP

Soit le montage de la figure 5.38. On suppose que lamplificateur opra-
tionnel est idal.
Montrer que le courant de sortie dbit dans la charge RU est indpendant
de celle-ci, ce courant scrit sous la forme : i s = Y ve .
i1 kR1
ie R i-
- i2 R1
+
i
+ vS1 iS
Rg i3
ve
i4 R1 RU vS2
eg R
Figure 5.38 Exemple de ralisation dune source de courant commande en tension.
Solution
Expression du courant dbit dans la charge
v S1 v S2 v S2 v +
Le courant de sortie est donn par : i S = i 2 i 3 =
R1 R1
Lamplificateur oprationnel tant idal, les courants entrants sont nuls : i + = i = 0.
Les courants i 3 et i 4 sont identiques : i 3 = i 4 . On peut donc appliquer le diviseur de
tension :
R
v+ = v = v S2
R + R1
Le courant dentre i e et le courant i 1 sont identiques : i e = i 1 .
ve v v v S1 v + v S1
Or, ie = = =
R k R1 k R1
On peut donc dduire la tension de sortie :

v v ve R1 R1
v S1 = k R1 + = 1+k v k ve
kR R R R R
En remplaant v par son expression en fonction de v S1 , nous obtenons :

R1 R R1
v S1 = 1 + k v S2 k ve
R R + R1 R

R + k R1 R1
Soit : v S1 = v S2 k ve
R + R1 R
En utilisant les quations prcdentes, le courant de sortie devient :

R + k R1 (R + R1 ) R1 k
iS = v S2 ve
R1 . (R + R1 ) R
Exercices 215
Pour obtenir une source de courant commande en tension, la premire quantit entre
parenthses doit tre nulle. Nous obtenons :

k R + k R1 (R + R1 ) R1
i S = ve et v S2 = 0
R R1 (R + R1 )
2ve
Soit : k=2 et i s =
R
Le convertisseur tension-courant possde un coefficient de transfert gal :
Y = 2/R. Ce coefficient est indpendant de la rsistance de charge RU .
Chapitre 6
Circuits intgrs analogiques
Un circuit intgr (CI) est un composant lectronique capable de reproduire une (ou
plusieurs) fonction lectronique plus ou moins complexe, intgrant souvent plusieurs
types de composants lectroniques de base (surtout des transistors, quelques rsis-
tances mais rarement des condensateurs) dans un volume rduit, rendant ainsi le cir-
cuit facile mettre en uvre.
Il existe une trs grande varit de ces composants diviss en deux grandes cat-
gories : circuits intgrs analogiques et circuits intgrs numriques.
On a dj prsent le circuit intgr le plus utilis qui est lamplificateur opra-
tionnel. Le but de ce dernier chapitre est de sensibiliser le lecteur quelques circuits
intgrs de base. En effet, la conception de circuits base de composants discrets
devient exceptionnelle et le travail dun technicien consiste faire le bon choix entre
les circuits existants.
6.1 RGULATEURS DE TENSIONS

Un rgulateur intgr de tension est un composant lectronique souvent trois
broches, une pour lentre, une pour la masse et une pour la sortie. On trouve dans le
commerce des rgulateurs de tensions linaires, il sagit de circuits simples dutili-
sation. Gnralement, il est ncessaire dajouter quelques condensateurs lentre et
en sortie et quelquefois, il faut adjoindre un dissipateur thermique.
Un rgulateur de tension intgr est un composant semi-conducteur dont le rle
consiste rendre quasi continue et stabiliser la valeur dune tension dutilisation
VU . Le schma de principe est donn la figure 6.1. La tension VU agit sur la tension
V1 par la relation du pont diviseur de tension. On dispose dune tension de rfrence
V0 , lamplificateur derreur amplifie la diffrence entre la tension de rfrence V0 et
la tension V1 . Lamplificateur commande ensuite le bloc B, constitu essentiellement
par un transistor dit ballast . Celui-ci agit sur la tension de sortie en fonction de la
commande reue de lamplificateur derreur.
6.1 Rgulateurs de tensions 217
Ballast
amplificateur
rfrence
diffrentiel
V0 V1
Ve VS
Figure 6.1 Schma bloc dun rgulateur de tension linaire.
La tension de sortie ou dutilisation peut tre fixe (rgulateurs fixes) ou variable

(rgulateurs ajustables). Dans ce dernier cas, une boucle de raction externe est
utilise.
La stabilisation ou rgulation sopre en amont car la tension du dpart prsente
une ondulation : variation due au redressement par un pont redresseur suivit dun
filtrage, par exemple.
Mais la stabilisation peut aussi soprer en aval : variation de la charge, ce qui
entrane une variation du courant dbit.
Il existe pour lessentiel deux grandes familles de rgulateurs de tension :
rgulateur tension de sortie fixe positive ou ngative ;
rgulateur tension de sortie variable positive ou ngative.
On trouve aussi une autre distinction, il y a des rgulateurs linaires et des rgu-
lateurs dcoupage. Nous ntudions dans ce chapitre que les rgulateurs fixes et
linaires.
6.1.1 Rgulateur srie

a) Montage de base
Lexemple le plus simple dun rgulateur srie est celui donn la figure 6.2 :
T
R
DZ R U VU
VS
Figure 6.2 Exemple dun rgulateur srie transistor et diode Zener.

218 6 Circuits intgrs analogiques
Dans ce cas, le transistor est directement reli la rfrence de tension qui est
constitue simplement de la tension obtenue aux bornes dune diode Zener. Le tran-
sistor T fournit le courant de sortie I RU et absorbe les variations de VU . Cest le tran-
sistor appel Ballast . La rsistance R permet de polariser correctement la diode
Zener en fournissant le courant I Z .
Ce type de rgulateur est qualifi de srie, car le transistor T se trouve en srie avec
la charge RU .
La tension dutilisation est : VU = VB E + VZ .
b) Rgulateur srie avec asservissement de la tension de sortie

Lasservissement de la tension de sortie se fait par exemple grce un amplificateur
oprationnel et au diviseur de tension ralis par le pont rsistif constitu de R1 , R3
et R2 . Cette dernire rsistance peut ne pas exister, son rle est de pouvoir faire un
rglage prcis.
En fait, le pont diviseur de tension donne une image de la tension de sortie VU
qui est compare travers lamplificateur oprationnel avec la tension de rfrence
donne par la diode Zener. En fonction des valeurs obtenues, le transistor permet de
dbiter plus ou moins de courant et ajuster automatiquement la tension dutilisation.
Ce genre de montage offre dexcellentes performances de stabilisation amont et
aval.
T
RZ R1
+
- R2 RU VU
Ve
DZ
VZ V R3
Figure 6.3 Rgulateur linaire srie avec asservissement de tension.
R3
Si on annule R2 , La tension V est : V = VU
R1 + R3
R1 + R3
Or, V VZ ce qui donne : VU = VZ
R3
6.1.2 Rgulateur shunt

Ce circuit est appel rgulateur de tension shunt, tant donn que les lments du
rgulateur sont en parallle (ou en shunt) avec la charge.
6.1 Rgulateurs de tensions 219
Un exemple de rgulateur shunt est donn la figure 6.4. La rsistance srie R S

doit tre choisie de telle sorte que, lorsque la tension de sortie est au niveau dsir, le
produit R S par le courant consomm donne la chute de tension voulue.
RS
R1
R3
T RU VU
Ve
V R2
VZ DZ
Figure 6.4 Rgulateur linaire avec asservissement de tension.
Exemple. Ve = 20 V, VU = 12 V et Ie = 100 mA, la rsistance R S devient :

Ve VU 20 12
RS = = 103 = 80 V
Ie 100
Si on nglige leffet du courant base dans le transistor, la tension V devient :
R2
V = VU
R1 + R2
Or, V VZ + VB E ce qui donne :
R1 + R2
VU = (VZ + VB E )
R2
La diode Zener et le transistor permettent de maintenir lquilibre de la tension de

sortie. En effet, toute variation de courant dans le stabilisateur soppose la variation
du courant initial.
Supposons par exemple que la tension dutilisation VU augmente, le potentiel de
la base du transistor augmente, ce qui augmente le courant de base, et donc une
augmentation aussi du courant dmetteur. Le courant qui passe dans la rsistance
R S augmente aussi, ce qui provoque une chute de tension plus importante sur cette
rsistance.
Cette augmentation de la chute de tension dans R S limine en partie, laugmenta-
tion prvue au dpart sur la tension dutilisation VU et donc de rtablir lquilibre.
Remarque. Ce montage peut tre amlior notamment en optant pour une plus
forte contre-raction.
6.1.3 Caractristiques
On trouve plusieurs modles de rgulateurs de tensions. Des modles pour les
faibles courants et des modles qui sont plus puissants, capables de dbiter quelques
ampres. On trouve aussi, des rgulateurs qui sont capables de fournir des tensions
positives et dautres qui fournissent des tensions ngatives. Dans tous les cas, il faut
connatre :
la tension de sortie Vout : cest la tension dsire, par exemple + 5 V si on utilise
cette tension pour alimenter des circuits logiques en TTL ;
la tension maximale en entre Vin : cest la tension dentre quon dsire sta-
biliser et rguler. Elle va jusqu 25 V par exemple pour un rgulateur du type
7805 ;
le courant de sortie : cest le courant maximal que le rgulateur peut dbiter.
Souvent, les rgulateurs sont protgs contre le court-circuit et ne dpassent pas
cette valeur ;
la tolrance : elle est indique par une lettre et exprime les variations extrmes
garanties par le constructeur ;
le taux de rgulation amont (Input regulation) : ce taux exprime en mV les varia-
tions de la tension de sortie lorsque la tension dentre varie ;
le taux de rgulation en aval (Output regulation) : ce taux traduit linfluence des
variations du courant de sortie sur la valeur de la tension rgule.
6.2 LES TEMPORISATEURS

6.2.1 Description
Le circuit temporisateur ou circuit de minuterie 555 est un circuit qui introduit
un retard dans lexcution dune opration. Cest le premier circuit de base de temps
(Timer) qui fonctionne en mode monostable (un seul tat stable) ou en mode astable
(sans tat stable). Bien que la version CMOS de ce circuit soit employe, le type
standard mais amlior est toujours disponible.
Le schma interne du temporisateur 555 est complexe, mais pour comprendre le
fonctionnement, on prfre utiliser le schma bloc (fonctionnel), on trouve :
deux comparateurs ;
un pont diviseur trois rsistances permettant de dterminer un seuil haut et un
seuil bas ;
une bascule de type SET/RESET ;
un tage de sortie ;
un transistor NPN qui permet de dcharger un condensateur externe.
6.2 Les temporisateurs 221
VCC
8
7
5 k
6 +
_
SQ 3
5 5 k RQ
+
2 _
5 k
1 4
Figure 6.5 Schma de principe dun temporisateur 555.
Les rgles dutilisation du temporisateur sont dtermines en expliquant le rle de

chaque borne.
Borne 1 : elle est relie la masse.
Borne 2 : cest une borne de dclenchement (entre haute impdance), elle
est donc sensible aux parasites. Elle est relie au comparateur infrieur et se
dclenche sur front descendant avec un seuil de dclenchement gal VCC /3.
Borne 3 : cette borne reprsente la borne de sortie du dernier tage et permet
davoir des courants relativement levs (200 mA).
Borne 4 : cette broche permet de remettre zro la tension de sortie de la bascule

RS de la sortie (sortie ltat bas).
Borne 5 : cette broche est une broche de contrle qui permet dimposer la tension
de rfrence laide dune tension (issue ventuellement dun circuit) externe.
On peut ainsi modifier la frquence et ou la dure des impulsions (modulation
de largeur dimpulsions).
Borne 6 : relie lentre du comparateur suprieur, la tension sur cette broche
est appele tension seuil et, est fournie par des composants externes. Lorsque
cette tension dpasse 2VCC /3, le comparateur suprieur a une sortie ltat haut.
Borne 7 : cette broche permet la dcharge dun condensateur
Broche 8 : elle est relie lalimentation VCC (le circuit fonctionne entre 5 V et
15 V).
6.2.2 Fonctionnement en mode monostable

Le schma de la figure 6.6 reprsente le cblage simple en mode monostable. Le
montage comporte une rsistance et un condensateur externes. La tension aux bornes
du condensateur qui est applique sur la broche 6 sert de tension seuil.
+VCC
R1 8
4 RAZ
7 555 dure de
ltat haut
6
3 sortie
gchette 2
5 1
C1 C
Figure 6.6 Montage monostable utilisant un 555.
Au dpart, la sortie Q est ltat haut (Q est ltat bas), le transistor est satur et
le condensateur C1 se trouve dcharg.
Lorsquon applique une impulsion ngative de courte dure sur la gchette (son
niveau de repos est +VCC ), le potentiel de la broche 2 devient lgrement infrieur
VCC /3, le comparateur infrieur bascule, Q passe au niveau bas et Q ltat haut.
Le condensateur C1 commence se charger travers R1 .

VC1 = VCC 1 et/RC
Ds que la tension aux bornes du condensateur dpasse 2VCC /3, le comparateur sup-
rieur bascule la sortie Q passe ltat haut (Q passe ltat bas), le transistor est
satur et le condensateur C1 se trouve dcharg.
La dure du crneau de la sortie est dtermine par la constante de temps
t = R1 C1 . La tension de sortie est approximativement de 2/3VCC .
La largeur de limpulsion est :
W = RC ln (3) = 1,1 RC en secondes
Cette dure reste valable tant quaucune impulsion de remise zro nest applique
sur la borne 4.
6.2 Les temporisateurs 223
vgachette(t)
VCC
3
t
vC1(t)
W W
2VCC
3
t
vS(t)
W W
VCC
Figure 6.7 Allures des tensions de la gchette, aux bornes du condensateur C1 et de la tension
de sortie.
6.2.3 Fonctionnement en mode astable

La figure 6.8 montre le cas dun temporisateur configur en mode multivibrateur
astable. Utilis de la sorte, le temporisateur ne possde pas dtat stable et produit
des crneaux en continu. La frquence des crneaux est dtermine par R1 , R2 et C1 .
Les seuils de dclenchement sont identiques aux seuils du montage monostable,
autrement dit : VCC /3 et 2VCC /3.
+VCC
R1 8
4
7
555 1 1
R2 6
3 sortie
2
5 1 2
C1 C
Figure 6.8 Montage astable utilisant un 555.

Dans un premier temps, la broche Q est au niveau bas, le transistor est bloqu et
le condensateur C1 (qui tait dcharg) commence se charger travers la rsistance
forme par la somme des deux rsistances : R = R1 + R2 . Le condensateur se charge
jusqu la valeur 2VCC /3.
La constante de temps de charge est donc : t = (R1 + R2 ) C1
Ds que la tension aux bornes du condensateur C1 dpasse lgrement 2VCC /3,
le comparateur suprieur met la bascule au niveau haut, le transistor sature et le
condensateur se dcharge travers la rsistance R2 avec une constante de temps :
t = R 2 C 1
Lorsque la tension aux bornes du condensateur C1 devient lgrement infrieure
VCC /3, le comparateur infrieur met la bascule au niveau bas. Cest alors que le
cycle recommence.
T1 = 0,693 t = 0,693 (R1 + R2 ) C1

T2 = 0,693 t = 0,693 R2 C1
La priode totale du cycle sera donc :

T = T1 + T2 = 0,693 t + t = 0,693 (R1 + 2R2 ) C1
vS(t)
1 2 1
2VCC
3
vC1(t)
VCC
2VCC
3
VCC
3
t
Figure 6.9 Allures des tensions de sortie et aux bornes du condensateur C1 .
La frquence doscillation est linverse de la priode :
1 1 1,44
f = = =
T 0,693 (R1 + 2R2 ) C1 (R1 + 2R2 ) C1
6.3 Les Multiplieurs 225
6.3 LES MULTIPLIEURS

Les circuits intgrs appels multiplicateurs ou multiplieurs sont des circuits qui sont
souvent utiliss en synthse des signaux, contrle automatique, multiplication de fr-
quences, modulation...
6.3.1 Fonctionnement dun multiplieur
X
X 2 1
S Y
Y
3 4
Figure 6.10 Reprsentation symbolique et dfinition des quatre quadrants.
Un multiplieur idal doit prsenter des caractristiques prcises. Gnralement un

multiplieur permet la multiplication de deux tensions dentre notes respectivement
X et Y. La sortie est souvent une tension note S. Cette tension est donne par la
formule suivante :
S = K X Y, avec : K qui est en V1
Le fonctionnement en rgime continu doit tre possible. On trouve des multiplieurs

1, 2 ou 4 quadrants. Ceci traduit la possibilit de raliser des multiplications pour que
les tensions dentres X et Y soient toutes les deux positives, ngatives ou de signes
opposs. Il va de soi que le multiplieur quatre quadrants est le plus performant.
6.3.2 Diffrents types de multiplieurs analogiques

Diffrentes possibilits se prsentent pour la ralisation dun multiplieur. Citons-en
certaines :
a) Multiplieurs amplificateurs logarithmiques / antilogarithmiques

Dans cette mthode on applique les proprits des logarithmes et les proprits des
exponentielles puisque :
log (X ) + log (Y ) = log (X Y ) et exp (log (X Y )) = X Y
La figure 6.11 montre le schma fonctionnel de ce type de multiplieur.

log(X)
X log
log(XY)
sommateur antilog ou exp XY
Y log
log(Y)
Figure 6.11 Principe dun multiplieur utilisant des modules log et exp .
b) Multiplieurs utilisant des modules dlvation au carr

La relation algbrique utilise est la suivante :
2
(X + Y )2 (X Y )2 X + 2X Y + Y 2 X 2 2X Y + Y 2
= = XY
4 4 4
On retrouve des modules sommateurs, des modules de valeurs absolues et des

modules dlvation au carr. Notons que llvation au carr peut tre obtenue par
approximation en utilisant des diodes et des rsistances comme cest le cas pour un
conformateur diodes.
c) Multiplieur transconductance variable

La figure 6.12 reprsente le schma de principe du fonctionnement dun multiplieur
quatre quadrants de type transconductance variable. Lide de base est une amlio-
ration des performances du modulateur quilibr deux amplificateurs diffrentiels.
Dans ces circuits intgrs, la paire diffrentielle est remplace par une double paire
diffrentielle T7 , T8 et T14 , T15 . Les bases sont commandes, non pas directement par
la tension X , mais par cette tension amplifie par la paire diffrentielle T3 , T4 .
Les courants ainsi obtenus I1 et I2 sont proportionnels Y par lintermdiaire de
la paire diffrentielle T9 , T10 .
On cherche dterminer I3 et I4 en fonction de lentre X . Le raisonnement est
identique pour lentre Y . On obtient donc si on suppose U B E3 = U B E4 :
X = U B E3 + R X I U B E4 R X I
I = I3 I X = I X I4
X X 2X
Do : I3 = I X + ; I4 = I X ; I3 I4 =
RX RX RX
Y Y 2Y
Et : I1 = IY + ; I2 = IY ; I1 I2 =
RY RY RY
6.3 Les Multiplieurs 227
V CC
I9 I 10
RC RC
A
I8 B
I7 I5 I6
R T7 T8 T 14 T 15

D1 D2 I1 I2
I3 I4
X Y T 10
T3 T4 T9

I RX RY
IX IX IY IY
VCC
Figure 6.12 Principe dun multiplieur transconductance variable.
Dautre part, pour la paire diffrentielle T3 , T4 les collecteurs sont relis lali-
mentation positive par lintermdiaire des diodes D1 et D2 . Il en rsulte les relations
suivantes :
U B E5 + U D1 = U B E6 + U D2 ; U B E5 U B E6 = U D2 U D1
En ngligeant les courants de base qui passent dans les deux paires diffrentielles T7 ,
T8 et T14 , T15 devant les courants des collecteurs I3 et I4 , on trouve :

U D1 U D2 U B E5 U B E6

I3 = I S e UT
; I4 = I S e UT
; I5 = bI S e UT
; I6 = bI S e UT
b reprsente le gain en courant du transistor ;

KT
UT = = 26 mV la temprature ambiante : T = 300 K ;
q
I S est le courant de saturation dune diode :

U B E6 U B E5 U D1 U D2
I5 I4
=e UT
; = e UT
I6 I3
Si on considre la paire diffrentielle T7 et T8 , on obtient les galits suivantes :

I4 I5 I8
= =
I3 I6 I7
Pour calculer la diffrence de potentiel V A VB , on calcule les courants I5 , I6 , I7 et I8
en appliquant la relation ci-dessus et en la combinant avec les relations prcdentes.
On trouve par exemple pour le courant I5 lexpression suivante :
I4 I5 I5 I4 I2 I4
= et = soit : I5 =
I3 + I4 I6 + I5 I2 2I X 2I X
(I1 I3 + I2 I4 ) (I1 I4 + I2 I3 )
On en dduit : I9 = I7 + I5 = ; I10 = I8 + I6 =
2I X 2I X
Do : V A VB = VCC RC I9 VCC + RC I10 = RC (I10 I9 )

RC (I1 I4 + I2 I3 I1 I3 I2 I4 )
V A VB =
2I X
RC (I1 I2 ) (I4 I3 )
V A VB =
2I X
RC 2Y 2X 2RC (X ) (Y )
V A VB = =
2I X R X RY IX RX RY
2RC
V A VB = K X Y avec : K =
R X RY I X
La tension de sortie diffrentielle est proportionnelle au produit X Y .
6.4 LA BOUCLE VERROUILLAGE DE PHASE

6.4.1 Gnralits
a) Dfinition
Un oscillateur verrouillage de phase, appel boucle verrouillage de phase PLL
(Phase Locked Loop) est un systme boucl ou asservi qui travaille par asservisse-
ment de phase. Dans ce systme, la grandeur asservie est la phase dun signal alterna-
tif dlivr par un oscillateur interne (dit aussi local) sur la phase dun signal de rf-
rence externe. En effet, il est impossible de raliser deux signaux ayant des phases
instantanes rigoureusement identiques.
Rappelons quun signal sinusodal ve (t) scrit :
ve (t) = sin (ve t) ou ve (t) = cos (ve t)
La pulsation de ce signal, exprim en radian par seconde est ve , la frquence expri-

me en Hz est f e , avec : ve = 2p f e .
6.4 La boucle verrouillage de phase 229
Or, la pulsation reprsente en utilisant le diagramme de Fresnel, la vitesse angu-

laire avec laquelle tourne le vecteur tension. Il vient donc que la phase instantane
est : we (t) = ve t. Il sagit dune droite dont la pente est proportionnelle la pulsation
(donc la frquence) du signal ve (t). Si la frquence (donc la pulsation) du signal
varie, we (t) ne reprsente plus une pente constante.
Dans certains cas, les signaux utiliss sont transforms en signaux impulsionnels,
ou signaux reconstitus. Dans ce cas, mathmatiquement, on ne peut plus parler de
phases instantanes. Nanmoins, on continue dutiliser la notion de phases instanta-
nes en utilisant uniquement le fondamental de chaque signal dcompos en srie de
Fourier.
vS(t) ve(t)
v(t)
ve(t) et vS(t) sont en quadrature
le dphasage est de /2
t
Figure 6.13 Dphasage de deux signaux carrs.
Ce type de circuit a t imagin au dbut pour amliorer la dtection de signaux

noys dans le bruit en modulation damplitude. Actuellement, on trouve ces circuits
sous formes intgres et leur domaine dutilisation sest trouv considrablement
largi :
synthse, multiplication et division de frquences programmes ;
dtection synchrone en tlcommunications ;
dmodulation cohrente AM et dmodulation de frquence ;
asservissement de vitesse.
On trouve ce genre de circuit sous forme intgre. Il sagit soit dune PLL qualifie
danalogique (cas du circuit 4 046) soit dune PLL qualifie de numrique (cas du
74 297).
b) Aspect mathmatique
Pour un signal sinusodal, on dfinit la phase instantane w(t) et la pulsation instan-
tane v(t).
d
v(t) = w(t) soit : w(t)= v(t)dt
dt
Le dphasage instantan w(t) de deux signaux quelconques :
v1 (t) = V1 sin(v1 t + w1 ) et v2 (t) = V2 sin(v S t + w S )
w(t) = (v2 v1 )t + w2 w1 w(t) = w2 w1 pour v2 = v1
Soit le signal sinusodal ve (t) et le signal v S (t) :

ve (t) = Ve cos (ve t) et v S (t) = VS cos (v S t + w S )
we (t)reprsente la phase instantane du signal de rfrence ve (t) et w2 (t) reprsente
la phase du signal synchroniser v S (t). On veut :
dwe (t) dw2 (t)
Dw = we (t) w2 (t) = constante, soit : = ve (t) v S (t) = 0
dt dt
Avec ve (t) et v S (t) qui sont les pulsations instantanes. La formule prcdente
montre que les deux signaux sont synchrones. Autrement dit, la phase du signal de
sortie suit les variations de la phase du signal dentre.
Te=TS soit : fe=fS Te>TS soit : fe<fS

(t) 2(t) (t) 2(t)
2+0
e(t) e(t)
2 2
0 0
t t
Te=TS TS Te
Figure 6.14 Variations des phases instantanes dune PLL.
dwe (t)
On sait que : = ve (t) = 2p f e (t)
dt
t t
Soit : we (t) = ve (t) dt = 2p f e (t) dt = we (t) + constante
0 0
Lorsquon travaille en utilisant les transformes de Laplace, une drivation revient

une multiplication par p et une intgration revient une division par p. On peut
donc crire :
Ve ( p) 2pFe ( p)
pwe ( p) = Ve ( p) = 2pFe ( p) soit : we ( p) = =
p p
6.4.2 Constitution dune PLL analogique
Une boucle dasservissement en phase comporte essentiellement les trois lments
suivants :
comparateur (ou dtecteur) de phase ;
oscillateur command en tension ;
filtre passe-bas.
v (t)
ve(t) V (t)
Comparateur de phase Passe bas
vS(t)
Oscillateur command en tension
Figure 6.15 Schma synoptique simplifi dune PLL analogique.
a) Comparateur (ou dtecteur) de phase

Le comparateur de phase dlivre en temps rel dans une certaine plage, une tension
proportionnelle au dphasage existant entre les deux signaux dentres.
Solution analogique
Le comparateur de phase peut tre de type analogique form par exemple par un
multiplicateur de gain K exprim en V1 suivi du filtre passe bas. La sortie v(t) du
multiplicateur donne :
v (t) = K ve (t) v S (t) = K Ve VS cos (ve t) cos (v S t + w S )
K Ve VS K Ve VS
v (t) = cos ((ve + v S )t + w S ) + cos ((v S ve )t + w S )
2 2
V
Vmax

Figure 6.16 Tension aprs filtrage dun comparateur de phase multiplieur.
Le filtre passe-bas limine le premier terme de lquation prcdente, le deuxime

terme reprsente bien le dphasage instantan entre le signal dentre et le signal de
sortie. Le signal filtr v (t) devient :
K Ve VS
v (t) = cos ((v S ve )t + w S )
2
K Ve VS
si : v S = ve , v (t) = cos (w S )
2
Trois inconvnients limitent lintrt de cette solution :
la caractristique V en fonction du dphasage nest pas linaire. Il sera difficile
de modliser la boucle et de calculer ses performances ;
la tension de sortie V ne dpend pas uniquement du dphasage, mais aussi des

amplitudes des signaux utiliss ;
il est impossible de distinguer une avance dun retard de phase.
Solution numrique
Le comparateur de phase peut aussi tre de type numrique comme celui donn la
figure 6.17. Il est form dans ce cas par des circuits de mise en forme, un ou exclusif
et un filtre passe-bas.
ve(t) Mise en
forme
ou
Passe - bas Sortie
exclusif
vS(t) Mise en
forme
Figure 6.17 Principe dun comparateur de phase numrique ou exclusif.
Les circuits de mise en forme sont souvent des comparateurs sortie collec-
teurs ouverts .
La porte logique est du type ou exclusif qui donne un tat logique haut
lorsque les deux entres prsentent deux tats logiques diffrents.
ve(t) vS(t)
Caractristique du comparateur de phase

sorties des
comparateurs V(du filtre)
VDD
VDD
t
sortie
ou exclusif
t
sortie 2
du filtre
t
Figure 6.18 Diffrentes sorties du comparateur de phase et sa caractristique.

Autres solutions
Il en existe dautres : par exemple pont de phase, modulateur en anneau, bascule
RS ou intgrateur. Dans tous les cas, la caractristique de transfert du comparateur
peut souvent tre assimile une triangulaire, ce qui permet de dduire la pente ou
transmittance K p .
b) Le filtre passe-bas
Le filtre passe-bas donne la valeur moyenne du signal derreur. Il assure la stabilit
du systme et dfinit la zone de capture. En effet pour un fonctionnement normal, la
boucle asservit les deux phases du signal extrieur et du signal dlivr par loscilla-
teur command en tension. Les deux frquences tant de valeurs trs proches, le filtre
limine la composante qui est une frquence gale la somme des deux frquences
prcdentes.
Le filtre peut tre du type passif ou actif : dans ce dernier cas, on peut associer
une amplification avec le filtrage. Deux filtres lmentaires passifs sont donns la
figure 6.19.
R R1
R2
C
C
Figure 6.19 Principaux filtres lmentaires dune PLL.
1 1 + t2 p
H f1 ( jv) = H f 1 ( p) = , H f 2 ( jv) = H f2 ( p) =
1 + tp 1 + (t1 + t2 ) p
Avec : t = RC, t1 = R1 C, t2 = R2 C
La caractristique du comparateur de phase par exemple ou exclusif suivi

dun filtrage passe-bas est donc la suivante :
VS VD D
Kp = = en volts/radian
Dw p
On constate que la linarit nest respecte quentre 0 et p. En plus, les rapports
cycliques des signaux doivent tre tous les deux de 0,5.
c) Loscillateur command en tension

Loscillateur command en tension OCT ou VCO (Voltage Controlled Oscillator),
dont la frquence est proportionnelle la tension continue de sortie, obtenue par le
filtre passe-bas v S est llment essentiel de la boucle. La frquence dlivre par cet
oscillateur est fixe gnralement par un condensateur externe, mais cette frquence
peut tre lgrement modifie par lapplication dune tension de commande. Lorsque
lasservissement fonctionne, la frquence du VCO est gale la frquence du signal
dentre ve .
La transmittance K 0 de loscillateur est tel que :
v2 = v S + K 0 v S K 0 en radian/volt
On trouve plusieurs technologies qui correspondent gnralement diffrentes fr-

quences de travail. On rencontre le principe de multivibrateurs astables, de circuits
accords LC ou de sources de courant commandes en tension qui chargent et
dchargent un condensateur.
Remarque 1. Selon lapplication dsire (dmodulation, synchronisation...), le
signal utile en sortie peut-tre soit la tension de commande du VCO, soit sa sortie.
Remarque 2. Une boucle verrouillage de phase relle peut comporter en plus des
3 blocs prcdemment cits :
un amplificateur qui se charge damplifier la sortie du filtre passe bas ;
un diviseur de frquence situ aprs le VCO, la comparaison des phases se fait
entre lentre ve et la tension v2 divise en frquences par la valeur N.
6.4.3 Principe de fonctionnement dune PLL

a) Plage de capture et plage de poursuite
En labsence du signal dentre, loscillateur dlivre une tension de sortie, elle est
souvent sinusodale la pulsation v S . Cette pulsation est appele pulsation centrale.
Si on injecte lentre un signal sinusodal la pulsation ve , le comparateur dlivre
un signal complexe comprenant diffrentes pulsations. On trouve les frquences :
fe f S , fe + f S
Le filtre passe-bas ne laisse passer que le signal trs basse frquence f e f S .

La frquence du VCO varie et peut rejoindre f e , dans ce cas, il y a accrochage .
Le systme peut se verrouiller rapidement.
La diffrence maximale D f = | f e f S | pour laquelle laccrochage reste toujours
possible est appele bande de capture (capture range).
Plage de poursuite
Plage de capture
f
fBpoursuite fBcapture fHcapture fHpoursuite
Figure 6.20 Reprsentation des plages de capture et de poursuite

Si on suppose la boucle verrouille et si on modifie lentement la valeur de la fr-

quence dentre f e , la phase instantane varie ainsi que la frquence daccord du
VCO. Gnralement lexcursion de la tension la sortie du filtre est limite par la
saturation des circuits, ce qui limite la variation de la frquence du VCO. Le sys-
tme dcroche . La bande maximale de frquence dans laquelle la boucle reste
verrouille sappelle bande daccrochage ou gamme de poursuite (lock range).
Remarque. Les plages de capture et de verrouillage peuvent tre diffrentes, cest
le cas du comparateur de phases OU exclusif. Mais elles peuvent aussi tre iden-
tiques, cest le cas du comparateur de phases intgration.
b) Analyse linaire
Cette analyse nest valable que lorsque la boucle est verrouille. Supposons que le
systme est accroch, on obtient en sortie du comparateur de phase :
v S = K p Dw et v2 = v S + K 0 VS
Si en prenant comme grandeur dentre ve v S , on peut utiliser le schma fonction-
nel (en transforme de Laplace) de la figure 6.21.
+ Vs
1/p Kp H(p)

Ko
Figure 6.21 Schma fonctionnel dune PLL.
H ( p) est la fonction de transfert du filtre. Si on prend comme exemple dtude le

filtre avance de phase de la figure 6.19 :
1 + t2 p
H ( p) =
1 + (t1 + t2 ) p
La fonction de transfert vs /Dv est donne par :
vs K p H ( p) K p (1 + t2 p)
= =
Dv p + K 0 K H ( p) (t1 + t2 ) p 2 + 2mV0 p + V20

K0 K p 1 1
Avec : V0 = et m = t2 + V0
t1 + t2 2 K0 K p
Dans le cas particulier ou t1 t2 1/K 0 K p

K0 K p 1
V0 = et m = V0 t2
t1 2
Contrairement au filtre simple RC, on peut obtenir un bon amortissement et une large
gamme de poursuite. Ce qui prcde permet de dcrire le fonctionnement de la boucle
tant que laccrochage a lieu. Cest le cas, par exemple, de lutilisation de la boucle en
dmodulation.
6.5 GNRATEURS DE FONCTIONS

Il est souvent ncessaire de disposer dun gnrateur de fonctions capable de dli-
vrer un signal carr, triangulaire ou sinusodal frquence et amplitude variables.
Le dveloppement de la microlectronique permet la ralisation de circuits intgrs
sorties multiples.
Une solution simple consiste raliser un signal triangulaire, le signal sinusodal
est obtenu grce lemploi de conformateurs diodes. Ces montages permettent la
conversion triangle-sinus, le signal rectangulaire sobtient en utilisant une bascule.
6.5.1 Gnrateurs de tensions triangulaires

La solution la plus simple qui permet dobtenir une forme triangulaire, consiste ra-
liser deux sources de courants qui chargent et dchargent alternativement un conden-
sateur C. Le schma de principe est donn la figure 6.22.
On note I1 le courant de charge et I2 le courant de dcharge. Supposons linter-
rupteur K1 ferm, le courant I1 charge le condensateur, la tension v(t) ses bornes
croit linairement avec le temps. Lorsquelle atteint la valeur maximale Vm , linter-
rupteur K1 souvre et K2 se ferme, le condensateur se dcharge linairement courant
constant I2 . Lorsque la tension aux bornes du condensateur atteint la valeur minimale
Vm , K2 souvre et K1 se ferme et le processus continue.
So urce de K1 Bascul e S1
couran t 1
Co nformateur S2
K2
Source de
co urant 2 Amplificateur S3
Figure 6.22 Schma de principe dun gnrateur de fonctions.
La commande des interrupteurs K1 et K2 se fait en utilisant deux comparateurs de

tensions.
La tension v(t) ainsi obtenue est de forme triangulaire (figure 6.23). Cette ten-
sion est disponible la sortie dun tage tampon adaptateur dimpdance. Lutilisa-
tion dune bascule permet de disposer dun signal rectangulaire, lintroduction dun
conformateur diodes ralise la conversion triangle-sinus.
6.5 Gnrateurs de fonctions 237
La charge initiale du condensateur est :
Q m = C Vm
Le courant I1 charge le condensateur, au bout dun temps t, la charge devient :
q = C v (t) = Q m + I1 t = C Vm + I1 t
I1
Soit : v (t) = Vm + t
C
Les dures de charge et de dcharge sont donnes par :
C C
T1 = (VM Vm ) et T2 = (VM Vm )
I1 I2
Si les deux courants I1 et I2 ont la mme valeur, la tension triangulaire est symtrique.
v(t)
I1 I2
pente pente
C C
VM
Vm
t
T1 T2
Figure 6.23 Charge et dcharge dun condensateur courants constants.
6.5.2 Transformation triangulaire/sinusodal

Il existe plusieurs faons de transformer un signal triangulaire en un signal sinusodal.
Le principe dcoule de celui, plus gnral, qui consiste approcher une fonction
donne quelconque au moyen de petits segments.
La caractristique de transfert U S en fonction de Ue doit tre du type arcsinus .
Le schma de principe de lune des ralisations possibles est donn la figure 6.24.
On admet dans un premier temps, que les diodes sont idales et par consquent le
passage de ltat bloqu ltat passant se fait brutalement.
Faisons crotre linairement la tension dentre, tant que la tension U1 nest pas
atteinte, la tension de sortie reproduit la tension dentre : la pente numro un de la
caractristique de transfert se rduit lunit.
R VS
Rn U3
R1 R2
U2 pente 3
Ve U1 U2 Un VS
U1
D1 D2 Dn pente
1 Ve
Ve 1 Ve 2 Ve 3
(a) (b)
Figure 6.24 Conformateur diodes et caractristique de transfert VS = f (Ve ).
Si on suppose que U1 < U2 < U3 < < Un , pour une tension de sortie comprise
entre U1 et U2 , la diode D1 conduit. En appliquant le thorme de superposition, on
obtient :
R1 R1
Vs = Ve + U1
R + R1 R + R1
Le mme raisonnement sapplique pour une tension de sortie comprise entre U2 et
U3 . D2 entre en conduction et la tension de sortie devient :
R1 //R2 R2 //R R1 //R

Vs = Ve + U1 + U2
R + (R1 //R2 ) R1 + (R2 //R) R2 + (R1 //R)
On remarque que la pente change (diminue) chaque cassure (figure 6.24 (b)).
R1 R1 //R2
pente 1 = 1, pente 2 = , pente 3 =
R1 + R R + (R1 //R2 )
En ralit, la commutation bloque-passante dune diode ne peut se faire dune faon

brutale : cela a pour consquence de lisser les courbes aux nivaux des cassures.
Pour tenir compte des non-idalits des diodes, les fabricants de circuits intgrs
remplacent souvent une diode par une paire de transistors NPN et PNP (figure 6.25).
La tension de rfrence qui permet le changement de la pente est ralise par un
diviseur de tension R2i et R3i . La combinaison Ti et Ti permet damliorer le lissage
des cassures et dobtenir, de ce fait, une tension de sortie presque sinusodale en
amliorant le taux de distorsion harmonique.
Remarque. Il existe dautres mthodes qui permettent la transformation dun
signal triangulaire en un signal sinusodal. Gnralement, on trouve des circuits
intgrs qui sont capables de fournir une tension triangulaire, une tension sinu-
sodale et une tension rectangulaire avec possibilit de modifier la frquence, le
rapport cyclique et lamplitude.
6.5 Gnrateurs de fonctions 239
VCC
R0 i
R '2 i
R 1i
Ve VS T 'i
Ti
R '1 i R '3 i
Figure 6.25 Circuit transistors quivalents une diode.
Un rgulateur intgr linaire de tension est un composant trois broches, une

pour lentre, une pour la masse et une pour la sortie. On trouve par exemple :
un rgulateur tension de sortie V out fixe ou variable, positive ou ngative,
un rgulateur shunt simple concevoir mais avec un faible rendement,
un rgulateur srie avec un bon rendement.
Le temporisateur (timer) 555 est un VCC
circuit de minuterie qui introduit un
8
retard dans lexcution dune opra-

tion. 7
Il fonctionne en mode monostable (un 5 k
seul tat stable) ou en mode astable
(sans tat stable). Le schma bloc du 6 +
_
temporisateur 555 comprend :
SQ 3
deux comparateurs ; 5 5 k RQ
un pont diviseur permettant de dter- +
miner un seuil haut et un seuil bas 2 _
une bascule de type SET/RESET ; 5 k

un tage de sortie ;
un transistor NPN qui permet de
1 4
dcharger un condensateur externe.
Un multiplicateur ou multiplieur est un circuit qui permet la multiplication de

deux signaux nots respectivement X et Y. La sortie est une tension note S.
S = K X Y, avec : K qui est en V1
Une boucle verrouillage de phase PLL (Phase Locked Loop) est un systme
boucl qui travaille par asservissement de la phase dun signal alternatif dlivr
par un oscillateur interne sur la phase dun signal de rfrence externe. Une PLL
qualifie danalogique comporte essentiellement les trois lments suivants :
comparateur (ou dtecteur) de phase ;
oscillateur command en tension ;
filtre passe bas.
v (t)
ve(t) V (t)
Comparateur de phase Passe bas
vS(t)
Oscillateur command en tension
Un gnrateur de tension intgr est un circuit qui fonctionne comme indiqu

la figure ci-dessous. Deux sources de courants chargent et dchargent un conden-
sateur C.
On obtient ainsi un signal triangulaire qui peut tre transform, soit en un signal
carr en utilisant une bascule, soit en signal sinusodal en utilisant un conforma-
teur.
So urce de K1 B as cule S1
courant 1
C onformateur S2
K2
So urce de
courant 2 Amp lificateur S3
Exercices 241
EXERCICES
Exercice 6.1 Rgulateur de tension srie deux transistors

Soit le montage dun rgulateur de tension de la figure 6.26. On donne :
R1 = 1,5 kV, R2 = 2,7 kV, R3 = 2 kV, R Z = 1 kV, VZ = 7,5 V et
VB E = 0,7 V.
1. Expliquer le principe de la rgulation en tension de ce montage.
2. La tension dentre Ve est suppose continue de valeur 20 V. Calculer la
valeur de la tension de sortie VU .
3. La rsistance dutilisation est gale : RU = 50 V. Faites un bilan des
diffrentes puissances dissipes dans le circuit. En dduire le rendement.
T1
RZ R3 R1
T2 RU VU
Ve
DZ V R2
VZ
Figure 6.26 Montage dun rgulateur de tension deux transistors.
Solution
1. Principe de la rgulation
La tension dentre Ve est une tension redresse et filtre. Cette tension ondule donc
autour dune valeur moyenne. Supposons maintenant que la tension dutilisation VU
(qui est plus faible que la tension dentre) varie dans un sens quelconque (augmente
par exemple).
R2
La tension V de la base du transistor T2 augmente aussi : V = VU .
R1 + R2
Or, puisque le transistor T2 et R3 forment un montage en metteur commun, le cou-
rant de collecteur de T2 augmente aussi et par consquent le potentiel du collecteur
de T2 va dcrotre.
Or, la tension VC de T2 est gale aussi la tension de la base du transistor T1 , le
potentiel de lmetteur (qui est le potentiel de la sortie) va baisser. On a donc une
raction ngative (un asservissement).
2. Calcul de la tension de sortie VU
R2
La tension V de la base du transistor T2 est : V = VU
R1 + R2
Or, V = VB E + VZ ce qui donne :

R2
VB E + VZ = VU
R1 + R2
On en dduit :
R1 + R2 1,5 + 2,7
VU = (VB E + VZ ) = (0,7 + 7,5) = 12,75 V
R2 2,7
3. Bilan des puissances

Le courant qui circule dans RU est :
VU 12,75
IU = = = 255 mA
RU 50
Le courant qui circule dans R1 et R2 est :

VU 12,75
I = = = 3,64 mA
R1 + R2 3,5 103
Le courant qui circule dans R Z est :

Ve VZ 20 7,5
IZ = = = 12,5 mA
RZ 103
La puissance dissipe par la rsistance dutilisation est :
VU2 (12,75)2
PU = = = 3,254 watts
RU 50
La puissance dissipe dans le transistor ballast :
Pballast (Ve VU ) (IU + I ) = (20 12,75) (255 + 3,64) 103 = 1,875 watts
La puissance dissipe par la rsistance R Z et par la diode Zener est :
PZ = Ve I Z = 20 12, 5 103 = 0,25 watt
La puissance fournie par la tension dentre est :
Pe = Ve (I Z + I + IU ) = 20 (12,5 + 3,64 + 255) 103 = 5,422 watts
Le rendement est :
PU 3,254
h= = = 60 %
Pe 5,422
Exercices 243
Exercice 6.2 Temporisateur 555 en mode astable command en

tension
Le montage de la figure 6.27 utilise un temporisateur 555. On donne:
R1 = 68 kV, R2 = 33 kV, R3 = 20 kV, R4 10 kV, 80 kV kV,
C = 100 nF.
1. Expliquer le fonctionnement du montage.
2. Dterminer les expressions des diffrents temps, en dduire lexpression
de la frquence du signal de sortie.
3. Calculer les limites de la frquence du signal de sortie lorsque la rsis-
tance R4 varie de 10 kV 80 kV.
+VCC
R1 8
4
7
555 R3
R2 6
3 sortie
2
5 1
C
R4
Figure 6.27 Montage dun astable command en tension.
Solution
1. Principe de fonctionnement
La figure 6.27 montre le cas dun temporisateur configur en mode oscillateur
astable command en tension . En effet, la broche 5 est commande par le diviseur

de tension et reoit une tension V5 :
R4
V5 = VCC
R3 + R4
Le seuil de dclenchement du comparateur suprieur nest plus 2VCC /3 mais V5 .
Dans ce cas, le comparateur infrieur ne se dclenche plus VCC /3 mais V5 /2.
Le condensateur C se charge entre ces deux valeurs comme pour le multivibrateur
astable avec une constante de temps :
t1 = (R1 + R2 ) C
Le condensateur C se dcharge entre V5 et 0, 5 V5 avec une constante de temps t2 :
t2 = R 2 C
On obtient ainsi un signal rectangulaire en sortie.
2. Expressions des diffrents temps

La dure de ltat haut de limpulsion de sortie est T1 :
V
V5
1 et/t1 +
5
vC (t) = VCC
2 2
V
V5
1 eT1 /t1 +
5
linstant t = T1 , on a : vC (T1 ) = VCC = V5
2 2

V5 V5 V5
Soit : VCC VCC eT1 /t1 = +
2 2 2
Ce qui donne :

V5 V5 V5
VCC = VCC V5 = VCC eT1 /t1
2 2 2
Finalement on a :

VCC V5 T1 /t1 VCC V5
=e et on en dduit : T1 = t1 ln
VCC 0,5 V5 VCC 0,5 V5
Le condensateur C se dcharge entre V5 et 0,5 V5 avec une constante de temps t2 :
t2 = R 2 C
La dure de ltat bas de limpulsion de sortie est T2 : T2 = 0,693 R2 C
La priode totale du cycle sera donc :

VCC V5
T = T1 + T2 = (R1 + R2 ) C ln + 0,693 R2 C1
VCC 0,5 V5
On en dduit la frquence du signal :
1 1 1 VCC V5
f = = = , avec : a =
T T1 + T2 t1 ln (a) + 0,693t2 VCC 0,5 V5 1
3. Calcul des limites de la frquence de sortie
Lorsque la rsistance R4 varie de 10 kV 80 kV, la tension V5 varie entre :
10 80
V5(min) = 12 = 1,091 V et V5(max) = 12 = 5,333 V
100 + 10 100 + 80
Le coefficient a varie donc entre :
12 5,333 12 1,091
a(min) = = 0,714 et a(max) = = 0,9523
12 0,5 5,333 12 0,5 1,09110
Soit :

ln a(min) = ln (0,714) = 0,3368 et ln a(max) = ln (0,9523) = 0,0488
On calcule : t1 = (R1 + R2 ) C = 10,1 mS et t2 = R2 C = 3,3 mS.
Exercices 245
Finalement la frquence varie entre :
1
f (min) =
10,1 103 (0,3368) + 0,693 3,33 103
1
= 103 = 175,22 Hz
5,707
Et
1
f (max) =
10,1 103 (0,0488) + 0,693 3,33 103
1
= 103 = 357,27 Hz
2,799
Exercice 6.3 Synthtiseur de frquence deux PLL

Le montage de la figure 6.28 utilise deux boucles verrouillage de phase,
il dlivre un signal en sortie dont la frquence est rglable par lutilisateur
entre 1 kHz et 99 kHz par pas de 1 kHz. On suppose que le signal qui est
dlivr par le quartz est un signal sinusodal.
Remarque. Dans le schma-bloc, les divisions concernent les frquences
et les multiplications concernent la multiplication de deux signaux.
2 MHz
10
Filtre F1
200

f1
Comp-Phase P-bas VCO
f2
Nu f 2
Nu=180+u
Filtre F3 P-bande
10
Filtre F2 f3
f4
Comp-Phase P-bas VCO
f5
Nd f 5
Nd=180+d
Filtre F4 P-bande
f6 Filtre F5
f7
P-bas f8
f 7
Figure 6.28 Synthse de frquences PLL.
1 Exprimer les frquences f 1 , f 2 , f 2 , f 3 , f 4 , f 5 , f 5 , f 6 , f 7 , f 7 , et f 8 en

fonction de u et d en kHz. Avec u et d{0, 1, 2, . . . , 9}.
2. Discuter des frquences de coupures des diffrents filtres si on suppose
que F3 et F4 laissent passer les frquences sommes . Proposer une fr-
quence de coupure pour le filtre F1 et une frquence de coupure pour le
filtre F2.
Solution
1. Calcul des diffrentes frquences
La frquence dlivre par loscillateur quartz est gale 2 MHz, cette frquence
est divise par 200 et se trouve applique lentre du premier comparateur de
phases.
Cette frquence qui vaut 10 kHz se trouve accroche par la frquence issue du divi-
seur de frquence. On a donc :
f1 f1 f1
10 103 = = = avec : u [1, . . . , 9]
Nu 180 + u 18u
On en dduit donc : f 1 = [10 (180 + u)] 103 Hz = 18u0 103 Hz = 18u0 kHz.
La frquence dlivre par loscillateur quartz est divise par 10 et se trouve appli-
que lentre du premier multiplieur qui reoit aussi le signal de frquence f 1 .
1 1
On sait que : cos (2p f )cos 2p f = cos 2p f + f + cos 2p f f
2 2
la sortie du multiplieur, on a donc deux signaux de frquences :
2 MHz
f2 = f1 + = (18u0 + 200) kHz = 20u0 kHz
10
2 MHz
f 2 = f 1 = (18u0 200) kHz = 16u0 kHz
10
la sortie du filtre F3, seule la frquence somme passe. Cette frquence est
ensuite divise par 10 ce qui donne :
f2 20u0 kHz
f3 = = = 20u kHz
10 10
La frquence dlivre par loscillateur quartz est divise par 200 et se trouve
applique lentre du deuxime comparateur de phases. Cette frquence qui vaut
10 kHz se trouve accroche par la frquence issue du diviseur de frquence. On a
donc :
f1 f1 f1
10 103 = = = , avec : d [1, . . . , 9 ]
Nu 180 + d 18d
On en dduit donc : f 4 = [10 (180 + d)] 103 Hz = 18d0 103 Hz = 18d0 kHz.
Exercices 247
La f 3 se trouve applique lentre du deuxime multiplieur qui reoit aussi le

signal de frquence f 4 . la sortie du multiplieur, on a donc deux signaux de fr-
quences :
f 5 = f 4 + f 3 = (18d0 + 20u) kHz = 20du kHz
f 5 = f 4 f 3 = (18d0 20u) kHz
la sortie du filtre F4, seule la frquence somme passe.
f 6 = f 4 + f 3 = 20du kHz
La frquence dlivre par loscillateur quartz se trouve applique directement sur
lentre du troisime multiplieur qui reoit aussi le signal de frquence f 6 .
la sortie de ce multiplieur, on a donc deux signaux de frquences :
f 7 = f 6 + 2 MHz = (20du + 2 000) kHz = 40du kHz
f 7 = f 6 2 MHz = (20du 2 000) kHz = du kHz
la sortie du filtre F5, seule la frquence diffrence passe.
f 8 = f 7 = du kHz
2. Diffrentes frquences de coupure
La frquence qui vaut 10 kHz se trouve accroche par la frquence issue du diviseur
de frquence. Le filtre passe-bas F1 doit laisser passer la composante continue et
couper les frquences multiples de 10 kHZ.
On peut par exemple prendre une frquence de coupure du premier filtre gale
100 Hz. Dans ce cas, mme un filtre lmentaire dordre 1 coupe avec une attnuation
gale 100 la frquence de 10 kHz, et une attnuation suprieure 100 les autres
frquences.
Le mme raisonnement se fait pour le filtre F2.
Le filtre passe-bande F3 doit laisser passer le signal dont la frquence est la fr-
quence somme f 2 . Cette frquence varie entre :
f 2(min) = 2 000 kHz lorsque u = 0 et f 2(max) = 2 090 kHz lorsque u = 9

f 2
Ce filtre doit couper les frquences comprises entre 0 Hz et 1 690 kHz.
La coupure est assez raide. Pour une variation faible de frquence (mme pas une
octave), la coupure doit tre aux moins avec une attnuation 100.
Le mme raisonnement se fait avec le filtre F4 en remplaant la bande de frquence
qui passe :
f 5(min) = 2 000 kHz lorsque u = d = 0 et f 5(max) = 2 099 kHz lorsque u = d = 9
Le filtre passe-bas F5 doit laisser passer le signal dont la frquence varie entre :
f 7(min) = 00 kHz lorsque u = d = 0 et f 7(max) = 99 kHz lorsque u = d = 9
Ce filtre doit couper les frquences f 7 qui sont suprieures 4 000 kHz.
La frquence de coupure peut donc tre lgrement suprieure 99 kHz.
Exercice 6.4 Multiplieur en modulateur et en dmodulateur

On donne le montage de la figure 6.29 qui reprsente un modulateur utili-
sant un multiplieur analogique. On suppose K = 1 V1 .
1. On suppose que k = 1 en V1 , exprimer le signal de sortie s(t) sous la
forme standard dun signal modul en amplitude :
s(t) = A[1 + m cos(2p f t)] cos(2p f 0 t).
2. Dvelopper lexpression prcdente et en dduire les diffrentes fr-

quences prsentes dans le signal de sortie.
constante = C
V cos(2ft)
sommateur
+ multiplieur s(t)
V0 cos(2f0t)
Figure 6.29 Modulation en amplitude par circuit multiplieur
On donne maintenant le montage de la figure 6.30 qui reprsente la dmo-

dulation cohrente.
3. Donner lexpression de x(t) la sortie du multiplieur et en dduire les
diffrentes frquences prsentes dans le signal de sortie.
4. Expliquer le rle du filtre passe bas. On suppose que le gain dans la
bande passante est gal lunit et de frquence de coupure f C = 2 f .
Donner lexpression du signal de sortie.
s(t) = A[1 + m cos(2ft)] cos(2f0t)
E0 cos(2f0t)
multiplieur filtre
passe bas
u(t)
Figure 6.30 Dmodulation cohrente par circuit multiplieur.
Solution
1. Expression du signal de sortie
Pour calculer le signal de sortie, il suffit dadditionner la constante lexpression
du signal sinusodal (signal modulant) et de multiplier le tout par lexpression de la
porteuse :
s (t) = K [C + V cos (2p f t)] V0 cos (2p f 0 t)

V
s (t) = K C V0 1 + cos (2p f t) cos (2p f 0 t) = A [1 + m cos (2p f t)] cos (2p f 0 t)
C
V
Par identification, on trouve : m = et A = K C V0 .
C
Exercices 249
2. Frquences du signal de sortie

Pour dterminer les frquences disponibles dans le signal de sortie (il sagit de ce
quon appelle souvent, la reprsentation spectrale), il suffit de dvelopper lexpres-
sion prcdente.
s (t) = A [1 + m cos (2p f t)] cos (2p f 0 t)

= A cos (2p f 0 t) + Am cos (2p f t) cos (2p f 0 t)
Am Am
s (t) = A cos (2p f 0 t) + cos (2p ( f 0 f ) t) + cos (2p ( f 0 + f ) t)
2 2
Porteuse frquence latrale infrieure frquence latrale suprieure
On trouve trois frquences (trois raies). Lune correspond la frquence de la por-

teuse et les deux autres correspondent lune la frquence latrale suprieure f 0 + f
et lautre la frquence latrale infrieure f 0 f .
3. Expression du signal x(t)
la sortie du multiplieur, on obtient :
x (t) = K AE 0 [1 + m cos (2p f t)] cos2 (2p f 0 t)
1 + (2 2p f 0 t) 1 + (4p f 0 t)
Or, on sait que : cos2 (2p f 0 t) = =
2 2
On dveloppe lexpression de x(t) pour obtenir :
K AE 0
x (t) = [1 + m cos (2p f t)] [1 + cos (2p f 0 t)]
2
K AE 0
x (t) = [1 + cos (2p f 0 t) + m cos (2p f t) + m cos (2p f 0 t) cos (2p f t)]
2

K AE 0 m
x (t) = 1 + cos (2p f 0 t) + m cos (2p f t) + cos (2p (2 f 0 + f ) t)
2 2
m
+ cos (2p (2 f 0 f ) t)
2
En plus de la composante continue, on trouve limage du signal modulant qui est

la frquence basse f et trois raies situes beaucoup plus haut en frquences. Il sagit
des frquences 2 f 0 , 2 f 0 + f et 2 f 0 f .
4. Expression du signal u(t)
Lintrt de la dmodulation cohrente consiste isoler limage du signal modulant
qui reprsente le signal utile (message). Il est donc facile de filtrer cette frquence
(en ralit il sagit de la bande audible).
Pour retrouver limage du signal modulant, il suffit dutiliser un filtre passe bas qui
coupe une frquence lgrement suprieure la frquence du signal modulant.
Si on prend comme exemple la modulation en amplitude radio, toutes les frquences

audibles comprises entre 30 Hz et 4,5 kHz passent avec un gain unit (la frquence
de coupure tant dans notre cas gale 2 4,5 kHz = 9 kHz).
On souhaite couper les frquences 2 f 0 , 2 f 0 + f et 2 f 0 f . Ces frquences sont
beaucoup plus leves que les frquences audibles (4,5 kHz en radio) et seront prati-
quement coupes.
K AE 0 K AE 0 K AE 0
u (t) = [1 + m cos (2p f t)] = + m cos (2p f t)
2 2 2
On retrouve donc une composante continue et le signal modulant (audible).
Index
A circuit intgr, 216 E

coefficient de qualit, 131
accepteur, 5 baseur, 33
coefficient de rgulation, 42
amplificateur, 88 crteur, 33
Bootstrap, 135 commutation, 139
effet Miller, 103
diffrentiel, 116 diode en , 140 lectron, 3
drain commun, 109 transistor en , 149 metteur commun, 48
crteur, 199 comparateur de phase, 230,
en base commune, 98, 231
comparateur de tension, 193 F
120
en classe A, 111 hystrsis, 194 filtre
en classe B, 113 simple, 194 actif, 190
en classe C, 115 compensation en frquence, de Wienn, 209
en collecteur commun, 180 passe-bande, 201
95 conductivit, 8 passe-bas, 204, 230, 233
en metteur commun, 92 courant de diffusion, 13 frquence
grille commune, 110 courant de saturation, 14 de coupure f b , 58
logarithmique, 197 de transition, 166, 168,
non inverseur, 185, 207 D 180
oprationnel, 173 de transition f T , 58
rendement de l, 112 dtection crte, 35
slectif, 130 diffusion des porteurs, 10
G
source commune, 107 diode jonction, 17
amplification diffrentielle, relle, 18 gnrateur de fonctions, 236
174 diode jonction en petits de tensions triangulaires,

astable, 223 signaux, 20 236
capacit de transition, 23
B rsistance dynamique, 20 J
schma quivalent, 20
bande interdite, 8 jonction PN, 11, 14, 16
diode Schottky, 157
barrire de potentiel, 13
diode Zener, 23, 218, 219
boucle verrouillage de L
donneur, 5
phase, 228
doubleur de tension, 35, 36 limiteur de tensions, 34
boucle ouverte, 184
droite
de charge, 27
C de charge dynamique, 99
M
capacit de diffusion, 22, 143 de charge statique, 53, 99 minuterie, 220
capacit de transition, 140 dure de vie, 143, 160 miroir de courants, 83
charge stocke, 142, 159, 160 des porteurs, 11 mobilit, 9
252 Index
modle statique de la diode de poursuite, 234 intrinsque, 2, 8

jonction PN, 18 point de fonctionnement, 52 source de courant commande
modle seuil, 19 stabilisation du point de en tension, 213
modle idal, 18 repos, 74, 77 structure de Rauch, 191
modle linaris, 19 polarisation dun transistor, 52 structure de Sallen et Key, 192
module dlvation au carr par pont rsistif, 54 synthtiseur de frquence, 245
diodes, 36 par rsistance de base, 54
monostable, 222 puissance dissipe dun T
montage transistor en
additionneur, 187 commutation, 169 taux de rjection en mode
drivateur, 189 commun, 117, 183
intgrateur, 188 R temporisateur, 220
inverseur, 183 555 astable command
redressement, 29, 198 en tension, 243
redresseur, 198 taux dondulation du
soustracteur, 187 temps
double alternance, dtablissement, 181
multiplieur, 225 30
amplificateurs de dsaturation, 145,
taux dondulation du 146, 151
logarithmiques / simple alternance,
antilogarithmiques, de descente, 151, 155
31 de monte, 145, 148,
225 taux dondulation du
transconductance 151, 152, 181
simple alternance et de recouvrement inverse,
variable, 226 filtrage, 31
en modulateur et en 145
rgulateur de tension, 216 de restitution, 156
dmodulateur, 248 srie, 217, 241
utilisant des modules de retard, 150, 157
shunt, 218 de tranage, 147
dlvation au rgulation dune tension par
carr, 226 tension de pincement, 61
diode Zener, 40 transformation triangulaire/si-
multivibrateur astable, 196 rendement, 242 nusodal,
rponse indicielle, 181 237
N rsistance variable, 66 transistor effet de champ, 60
niveau dnergie polarisation automatique
bandes interdites, 7 S dun FET, 79
dun atome isol, 6 schma quivalent en hautes polarisation dun FET
niveau de Fermi, 7 frquences, 56 par pont rsistif, 85
schma quivalent en petits transistor bipolaire, 44, 218,
O signaux, 55, 92, 219
100, 108, 109 Darlington deux
oscillateur command en
basses frquences, 55 transistors NPN, 71
tension, 230, 233
hautes frquences, 56 gain en courant b, 47
semi-conducteur, 1 polarisation dun
P transistor NPN, 51
de type N, 5
plage de type P, 5 transistor MOS-FET, 63
de capture, 234 extrinsque, 4 trou, 3
SCIENCES SUP
Tahar Neffati
INTRODUCTION
LLECTRONIQUE
ANALOGIQUE
Concis et efficace, cet ouvrage est destin tout particulirement TAHAR NEFFATI
Matre de confrences
aux tudiants des IUT Gnie lectrique et des Licences luniversit de Cergy-
professionnelles EEA. Pontoise et au CNAM.
L'tudiant et futur technicien en lectronique trouvera dans cet

ouvrage les notions essentielles :
la diode jonction avec des applications (diode Zner, diodes
lectroluminescentes, photodiodes...) ;
les transistors, tudis en rgime statique puis modliss en
rgime harmonique ;
les diffrents types d'amplification ;
la commutation, qui dtermine la rapidit de chaque circuit
(donc la frquence de travail) ;
lamplificateur oprationnel ; MATHMATIQUES
les circuits intgrs analogiques. PHYSIQUE
Un chapitre est consacr l'tude des composants et circuits

intgrs spcifiques (opto-coupleurs, rgulateurs de tension, CHIMIE
buffer 555, gnrateurs de fonctions et boucle verrouillage

de phase). SCIENCES DE LINGNIEUR
Des exercices corrigs sont proposs la fin de chaque chapitre. INFORMATIQUE
SCIENCES DE LA VIE
SCIENCES DE LA TERRE
LICENCE MASTER DOCTORAT
1 2 3 4 5 6 7 8
ISBN 978-2-10-053956-7 www.dunod.com

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SCIENCES SUP

Cours et exercices corrigs

lectricit gnrale Analyse et synthse des circuits,

Illustration de couverture : Digitalvision

Dunod, Paris, 2008

CHAPITRE 1 JONCTION PN DIODE JONCTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

CHAPITRE 2 LES TRANSISTORS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

2.2 Les transistors effet de champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

CHAPITRE 3 LES AMPLIFICATEURS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

3.7 Amplificateur diffrentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

CHAPITRE 4 DIODES ET TRANSISTORS EN COMMUTATION. . . . . . . . . . . . . . . . . 139

CHAPITRE 5 LAMPLIFICATEUR OPRATIONNEL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173

CHAPITRE 6 CIRCUITS INTGRS ANALOGIQUES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216

Jonction PN Diode jonction

1.1 NOTIONS DE SEMI-CONDUCTEURS

Les effets non linaires (dtection) associs lutilisation des semi-conducteurs

1.1.2 Semi-conducteur intrinsque

Les corps simples semi-conducteurs ont la caractristique principale dtre ttra-

Figure 1.1 Systme cubique

matriau semi-conducteur considr soit baign dans un champ lectrique E . Les

Sens du progression du trou Position d'origine du trou

c) Corps composs semi-conducteurs

1.1.3 Semi-conducteur extrinsque

Figure 1.4 Effet du dopage pour augmenter le nombre dlectrons libres.

Trou (lectron manquant)

1.2 INTRODUCTION LA THORIE DES BANDES

1.2.1 Niveaux dnergie dun atome isol

Figure 1.6 Atome isol de silicium.

1.2.2 difice cristallin

W bande interdite bande autorise

Distance dans l'tat Distance entre

Figure 1.7 Principe de la cration dune bande dnergie (bande interdite).

Considrant maintenant un cristal donn, essayons de dterminer quelles sont les

1.2.3 Niveau de Fermi

La rpartition des lectrons est alors dcrite par la statistique de Fermi-Dirac. La

a) Cas dun isolant

b) Cas dun conducteur

c) Cas dun semi-conducteur intrinsque

d) Cas dun semi-conducteur extrinsque

1.3 CONDUCTION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

Remarque. Le mouvement moyen des porteurs de charges est uniforme (vitesse

1.3.2 Loi dOhm

1.3.3 Diffusion des porteurs dans les semi-conducteurs

Valeurs numriques. Pour le silicium on a : Dn = 0,003 m2 /s ; D p = 0,001 m2 /s.

b) Dure de vie des porteurs et longueur de diffusion

1.4.1 Jonction isole

de la jonction est trs faible. De mme, la zone N au voisinage de la jonction est

Figure 1.8 Principe de la cration dune zone de transition.

b) quilibre et conduction des porteurs minoritaires

c) quations de la jonction lquilibre

Avec : N A : densit datomes accepteurs en zone P

Les caractristiques du champ et du potentiel internes sont donnes par lquation

Valeur numrique. En supposant 2Vb 1 V et t = 1 m, on obtient : E 0 = 106 V/m.

Remarque. La zone de transition stend le plus profondment dans la zone la

d) Expression des courants de diffusion et de saturation

Lnergie ncessaire sera fournie par lagitation thermique. la temprature T , la

Le courant de diffusion des majoritaires associs sera donc de la forme :

Car le courant est proportionnel au nombre de porteurs franchissant la barrire de

Concentration des porteurs (Echelle log)

Figure 1.9 Variation de la concentration, du potentiel lectrostatique et du champ lectrique

Ce double mouvement des minoritaires dfinit un courant I s ayant le sens inverse

1.4.2 Jonction PN polarise en direct

Le courant de diffusion des majoritaires va donc se trouver augment, la probabi-

Puisque E VT , le dveloppement limit de lexponentiel nous permet dcrire :