Matière 

: Electronique des impulsions AU : 2016/2017

Filière : L3

Série de TD No 02

Exercice 1
Pour le montage de la figure ci-dessous :

1- Expression de la tension aux bornes du condensateur :

−t
τ
v c ( t )= A e + B

 Pourt ∈ [ 0 , t 1 ] :
àt=0 v c ( 0 ) =V cmin ⇒ A+ B=V cmin
lorsque à t → ∞ v c ( ∞ )=V H ⇒ B=V H
−t
τ
⇒ v c ( t )=V H −( V H −V cmin ) e

Expression de la tension aux bornes de la résistance :

−t
d vc ( t )
v R ( t ) =τ =( V H −V cmin ) e τ
t
 Pourt ∈ [ t 1 , t 2 ] :
On peut choisir une nouvelle origine des temps en posant t ' =t−t 1
àt ' =0 v c ( 0 )=V cmax ⇒ A+ B=V cmax
lorsque à t ' → ∞ v c ( ∞ )=V L ⇒ B=V L
−t
τ
⇒ v c ( t )=V L− ( V L −V cmax ) e

Expression de la tension aux bornes de la résistance :

−t
d vc ( t )
v R ( t ) =τ =( V L −V cmax ) e τ
dt

1
 2- Tracer les signaux v c (t )et V R (t).
3- Expressions de V cmax et V cmin en fonction deτ , V L, V H , δ et T .
à t=t 1:
−t 1

v c ( t 1 )=V H −( V H −V cmin ) e =V cmax τ

à t =t 2:
−t 2

v c ( t 2 )=V L− ( V L −V cmax ) e =V cmin τ

{
−t1

V cmax =V H −( V H −V cmin ) e τ
(1)
−t 2

V cmin =V L −( V L−V cmax ) e τ

( 2)

Calcul de V cmin

( )V
−t 1 −t 1
A partir de l’équation (1), V
cmax = 1−e H +V cmin e (3)
τ τ

En remplaçant l’équation (3) dans l’équation (2), on obtient :

( ) V +[( 1−e ) V ]e
−t 2 −t 1 −t 1 −t 2
τ τ τ τ
V cmin= 1−e L H +V cmin e

⇒ (1−e . e ) V =( 1−e ) V + ( 1−e ) e

−t 1 −t 2 −t 2 −t 1 −t 2
τ τ
cmin
τ
L
τ τ
VH

(1−e ) V +( 1−e ) e V
−t2 −t 1 −t 2
τ τ τ
L H
⇒V =
(1−e e )
cmin −t 1 −t2
τ τ

−t 1 −t 2
En posant λ =e τ et λ =e τ
1 2

( 1−λ2 ) V L+ ( 1− λ1 ) λ2 V H
⇒ V cmin =
( 1−λ1 λ2 )

Calcul de V cmax

( ) V +V
−t 2 −t 2
A partir de l’équation (2), V = 1−e τ
e τ
(4 )
cmin L cmax

En remplaçant l’équation (4) dans l’équation (1), on obtient :

2
 ( )+V
−t 1 −t 1

V cmax =V H 1−e τ
cmin e τ

( 1−e )+[( 1−e ) V + V ]e

−t 1 −t 2 −t 2 −t 1
τ τ τ τ
⇒ V cmax =V H L cmax e

( 1−e ) V =(1−e ) V +(1−e ) e

−t1 −t 2 −t 1 −t 2 −t 1
τ
.e τ
cmax
τ
H
τ τ
VL

(1−e ) V +(1−e ) e V
−t 1 −t 2 −t 1
τ τ τ
H L
⇒V cmax =
(1−e e )
−t1 −t 2
τ τ

−t 1 −t 2
En remplaçant λ 1 et λ 2 par e τ et e τ respectivement , on obtient :

( 1−λ1 ) V H + ( 1−λ2 ) λ1 V L
⇒V cmax =
( 1− λ1 λ2 )

E
4- Calcul de t 1 et t 2 pour que si V H =−V L=E , V cmax =−V cmin= , en déduire T et δ .
2

{
−E ( 1−λ 2 ) (−E )+ ( 1−λ 1 ) λ 2 E
V cmin= =
2 ( 1−λ 1 λ 2)
+ E ( 1−λ 1) E+ ( 1−λ 2) λ 1 (−E )
V cmax = =
2 ( 1−λ1 λ2 )

⇒
{
3 λ1 λ2−4 λ 2+ 1=0(5)
3 λ1 λ2−4 λ 1+1=0(6)

En soustrayant l’équation (6) de (5) on obtient :

T
4 ( λ1 −λ2 ) =0 ⇒ λ1= λ2 ⇒t 1 =t 2= ⇒ δ=0.5
2
En remplaçant λ 1=λ2 =λ, L’équation (5) devient :

{
−T
1
λ= =e 2 τ ⇒ T =2 τ ln 3
2 3
3 λ −4 λ +1=0 ⇒
4
λ ' = (solutionà rejeter car t <0)
3
Exercice 2
Dans le montage de la figure ci-contre, le signal d’entrée est une tension rectangulaire de
fréquence f =1 KHz et qui commute entre V H =+10 V et
V L=−15V . V 0=0.6 V , R=10Ω.

3
1- La forme des différents signaux :

Calcul de I F

V H −V 0 10−0.6
I F= = =94 mA
R 100

Calcul de I R

V L −15
I R= = =−150 mA
R 100

Calcul de I max

I max=I F−I R=94 +150=244 mA

2- Calcul de la charge stockée en fonctionnement direct

−3 −6 −9
QS =τ I F =94 × 10 ×0.5 ×10 =47 ×10 C=47 nC

Calcul du temps de plateau

4
 τ IF 47× 10
−9
QS =τ I F =t S|I R|⇒t S = = =0.31 μs
|I R| 150 × 10
−3

3- Calcul la fréquence maximale à laquelle on peut utiliser cette diode en régime

commutation :
T min =t on +t off =2 τ +2 t s=2 ×0.5+2 × 0.31=1.62 μs
1 1
⇒ f max = = =617 KHz
T min 1.62 ×10−6

Exercice3
V CC =4.8 V , I C =0.1 A , R P 1=100 Ω, R P 2=7.5 KΩ, β=300 .
1- Calcul de R pour provoquer le blocage du transistor sous
éclairement ambiant :
Pour que le transistor soit bloqué il faut que le courant I B soit

nul :
I B=0⇒ V cc=I ( R+ R P 1)
Le transistor bloqué ⇒ V BE <V BEsat =0.6 V
RP1
V BE< V BEsat ⇒ V <V
R P 1+ R cc BEsat
⇒ R P 1 V cc <V BEsat (R P 1 + R)
⇒ R P 1 ( V cc−V BEsat ) <V BEsat R
R P 1( V cc−V BEsat )
⇒ R>
V BEsat
AN :
RP 1 (V cc−V BEsat ) 100(4.8−0.6)
R> =
V BEsat 0.6
2- Calcul de R pour provoquer la saturation du transistor à l’obscurité:
Le transistor saturé⇒V BE >V BEsat =0.6 V et I B > I Bmin
De la maille de sortie :
I c 0.1
I Bmin = = =0.33 mA
β 300
A partir du nœud de l’entrée :
'
I =I B + I
Des mailles d’entrée :
RI =V cc +V CBsat

5
 V cc +V CBsat (V ¿ ¿ CEsat −V BEsat )
⇒ I= =V cc + ¿
R R

' ' V BEsat

R P 2 I =V BEsat ⇒ I =
RP2
Pour que le transistor soit saturé :
V cc +(V CEsat −V BEsat ) V BEsat
I B > I Bmin ⇒ − > I Bmin
R RP2
Or V CEsat =0
V cc −V BEsat V BEsat
⇒ − > I Bmin
R RP2
V cc −V BEsat V BEsat
⇒ > I Bmin +
R RP2
V cc −V BEsat
⇒ R<

( I Bmin +
V BEsat
RP 2 )
AN :
4.8−0.6
⇒ R<
( 0.33× 10 −3
+
0.6
7.5× 10
3 )
3
⇒ R<10.24 × 10 Ω
La résistance R peut prendre n’importe quelle valeur compris entre 700 Ωet 10 KΩ, on peut
choisir R=2.2 KΩ.

Exercice 4
β=100 , V CEsat =0,V BEsat=0.6 V , R B=10 KΩ, RC =1 KΩ et
V CC =10 V .
1- Calcul de l’amplitude de +V E=V Esat qui provoque

juste la saturation :
De la maille de sortie :
V cc −V CEsat 10−0
I Csat= = =10 mA
RC 1 ×103
I Csat 10 ×10−3
⇒ I Bmin = = =0.1mA
β 100

6
De la maille d’entrée :
V Esat =RB I Bmin +V BEsat =10 ×103 +0.6=1.6 V

2- Calculer l’amplitude de cette tension et montrer que le courant :

( )
−t
' τ
I Bsat =I Bsat 1−e
Avec τ =RB E C B E. En déduire le temps de montée t r du courant I C.
' '

3- On utilise maintenant une impulsion : +V E' =4 V Esat . Calculer le nouveau temps de

montée t 'r .
4- Le constructeur donne souvent la fréquence de transition et son gain en courant :
1
f T= β f β ωβ =
RB E CB E
' '

Calculer les temps déterminés précédemment dans le cas suivant : f T =300 MHz et β=100
.