Université Mohammed Saddik ben Yahia de Jijel 3me année licence en Electromécanique

Faculté des sciences et de la technologie

Département d’électrotechnique Chapitre 1. Introduction à l’électronique de puissance

Introduction :

L’électronique de puissance est une nouvelle technologie issue de l’électronique et l’électrotechnique.

On appelle électronique de puissance, à cause de courant fort (important) qui est contrôlé à partir de semi-
conducteurs, diodes, thyristors et transistors.

Dans un montage de l’électronique de puissance (EDP), la puissance qui sort est celle qui fournit la source
reliée à l’entrée. Les interrupteurs (diodes, thyristors et transistors) permettent de modifier la représentation
de cette puissance. Cela explique les principales transformations rencontrées en EDP.

1- EDP et la technique des modifications de la présentation de l’énergie électrique

On rencontre en électronique de puissance ces types de transformations :
1-1.1 Redresseurs à diodes :
Permettent, à partir d’un ensemble de tensions alternatives, d’obtenir une tension continu ou redressée,
le rapport de transformation alternative-continue est constante, de plus ces montages sont irréversibles.

1-1.2 Redresseurs à thyristors :

Utilisent les mêmes principes et les mêmes schémas que les redresseurs à diodes. On peut faire varier le
rapport de transformation alternative-continue. En outre ces montages deviennent réversibles. Ils
peuvent prendre de la puissance du coté continu et l’injecter dans le réseau alternatif ; ils fonctionnent
alors en onduleurs non autonomes.

1-2 Gradateurs et cyclo-convertisseurs :

-1- Boulassel Ammar

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Permettent de faire varier l’intensité de courant débité par une source alternative donnée dans un
récepteur donné à la limite, quand ils maintiennent ce courant nul, ils jouent le rôle d’un interrupteur
statique. On distingue deux paramètres, l’amplitude et la fréquence de signale convertis ; pour le
gradateur, l’amplitude est variable mais la fréquence reste constante ; pour le cyclo-convertisseur,
l’amplitude et la fréquence sont variables.

1-3 Hacheurs :
Placés entre une source de courant continu et un récepteur de courant continu, permettent de faire varier
la valeur moyenne de la tension aux bornes de récepteur entre la tension de la source et le zéro, ils
peuvent être réversibles, c'est-à-dire permettre l’inversion du sens d’écoulement de la puissance.

1-4 Onduleurs autonomes :

Sont alimentés par une source à courant continu et ils délivrent une ou plusieurs tensions alternatives.
On peut varier la fréquence des tensions alternatives et le rapport de transformations continue-alternative
(modulation de largeur d’impulsions M.L.I).

Les convertisseurs qui permettre de réaliser ces quatre fonctions sont réalisés à base d’une multitude de
semi-conducteurs de puissance, les plus utilisés sont : la diode, le thyristor, le triac et le transistor de
puissance.

2- Descriptions et mode de fonctionnement des interrupteurs :

2-1 Diode :

La diode est constituée d’une jonction PN, la diode conduite dans le sens anode-cathode, quand elle est
polarisé en direct (le circuit dans lequel elle est placée tend à faire déplacer le courant dans le sens A-K. en
fonctionnement normal, la diode provoque une chute de tension direct VA − VK > 0 de l’ordre d’un volt.

-2- Boulassel Ammar

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Si VAK > 0 , sens direct, la diode se conduite (passante).

Si VAK < 0 , sens inverse, la diode ne conduite pas (bloquée).

La caractéristique statique théorique de la diode est :

2-2 Thyristor :

Le thyristor est un semi-conducteur à fermeture commandée par la gâchette. Plus l’anode A et la cathode
K, il possède une électrode de commande qui est la gâchette G.

Si VAK < 0 , le thyristor est bloqué (ne conduire pas)

Si V AK devient positive, il reste bloqué.

Si VAK > 0 plus une impulsion positive de courant de gâchette, le thyristor devient passant (se conduit).

Quand le thyristor est conducteur, il se comporte comme une diode.

Le thyristor ne se bloque que lorsque le courant direct i s’annule.

-3- Boulassel Ammar

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2-2-a Thyristor « GTO »

Le thyristor GTO (Gate Turn Off) est un semi-conducteur dont la fermeture et l’ouverture sont commandés
par le courant de gâchette G.

Si VAK < 0 , le thyristor est bloqué (ne conduire pas)

Si VAK > 0 plus une impulsion positive de courant de gâchette, le thyristor devient passant (se conduit), il

ne se bloque que lorsque le courant de circuit i s’annule.

Une forte impulsion de courant de négatif de courant de gâchette permet de commander son ouverture
(passage directe de OA → OB ).

2-3 Transistor :

Le transistor bipolaire à jonction est commandé en courant par le courant de base iB injecté dans le circuit

B-E, il est équivalent à une diode. Le courant iB est nécessaire pour obtenir la saturation il représente une

fraction notable du courant commandé i .

-4- Boulassel Ammar

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Le segment OB correspond à l’état bloqué (isolant), le courant (la tension) du commande nul ou négatif
rend négligeable le courant i traversant la composante ( iB ≪ i ).

Le segment OA correspond à l’état conducteur (saturée), quand le courant de base iB augmente, le courant

i augmente jusqu’à la saturation.

Le courant (la tension) de commande de la fermeture doit être maintenu pendant toute la durée de celle-ci.

2-3-a Transistor MOSFET :

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) se compose de 3 bornes D
(drain), la source S et la grille G qui constitue l’électrode de commande. Celle-ci est isolée du reste de la
composante par une couche d’oxyde.

Il est commandé en tension par la tension vGS appliquée entre grille et source, il équivaut à une capacité

qu’on charge en appliquant la tension vGS positive de fermeture, et qu’on décharge en ramenant vGS à zéro
pour provoquer l’ouverture.

Le transistor MOSFET est unipolaire (le courant n’y est dû qu’a un déplacement d’électrons).

2-3-b Transistor IGBT

Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est un transistor bipolaire à commande pour effet
du champ.

-5- Boulassel Ammar

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Il réunit les avantages :

- Du transistor bipolaire : (chute de tension faible à l’état passant, tension directe blocable élevée)
- Du MOSFET : (commande en tension, vitesse de commutation élevée).

La commande entre G et E, il équivaut à un MOSFET. Il est commandé entre C et E, il équivaut à un

bipolaire à jonction.

o On voir plusieurs semi-conducteurs permettent de jouer le même rôle dans un circuit, suivant la
puissance et la fréquence de fonctionnement, on choisit celui qui est le mieux adapté :
a. Diode : assuré par un interrupteur non commandé.
b. Thyristor : assuré par un interrupteur à fermeture commandée.
c. Transistor : assuré par un interrupteur à fermeture et ouverture commandées.
o Ils existent aussi les interrupteurs à plusieurs semi-conducteurs (interrupteurs réversibles en tension
ou en courant, interrupteurs quatre segments).

-6- Boulassel Ammar

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3 ETUDE DES TENSIONS

3-1 Tension moyenne aux bornes de la charge

Si la tension redressée U d est périodique de période T, sa valeur moyenne U d 0 est :

T
Ud0 = 1
T U
0
d dωt

3-2 Tension efficace U deff (SRM)

La tension efficace est donnée par :

T
U deff = U dωt
1 2
T d
0

3-2 Facteur d’ondulation K ud

Il définit l’écart entre la tension redressée maximale U d max et celle minimale U d min :

U d max − U d min
K ud =
2U d 0

La tension redressée est meilleur quand K ud tend vers 0 (petit).

3-3 Facteur de forme FFud

Il exprime l’ondulation de la tension :

U deff
FFud =
Ud0

La tension redressée est meilleur moyenne d’ondulation quand FFud tend vers 1.

Le facteur de forme est surtout utilisé pour calculer le taux harmonique τud .

3-4 Taux harmonique τud

Le taux harmonique τud est définit par :

Un =1
2
hn
τ ud =
Ud0

U hn : Valeur efficace de l’harmonique d’ordre n

-7- Boulassel Ammar

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∞
Le développement de U d en série de Fourier donne : U d = U d 0 +  U hn
n =1



 U hn = A n cos(nωt ) + Bn sin(nωt )
 T
 2
Avec: A n =
 T0 
U d cos(nωt ) dωt

 T
B = 2 U sin(nωt ) dωt
 n T 
d
 0

∞ ∞
2
Un théorème mathématique montre que : U deff = U d2 0 +  U 2hn D’où : U deff
2
− U d2 0 =  U 2hn
n =1 n =1

2
U deff

− U d2 0 n =1
U 2hn
= = τ 2ud
U d2 0 U d2 0

2
U 
On aura alors : τ 2ud =  deff  −1

 Ud0 

2
 U deff 
Donc : τ ud =   − 1 = FFud − 1
2
U
 d0 

3-5 Facteur de puissance au secondaire de transfo Fs

Convertisseur

Ps
Le facteur de puissance au secondaire de transfo est : Fs = cos(ϕ) =
Ss

Ps et Ss sont la puissance active et apparente successivement au secondaire de transfo.

Si on a q phases (q transfos), alors : Ss = q ⋅ V Is

T
Pd est la puissance active coté charge, donc on a : Pd = 1
T U I
0
d d d ωt

Si on néglige les pertes dans les semi-conducteurs on aura alors : Ps = Pd

-8- Boulassel Ammar