ESIG GLOBAL SUCCESS

Composants actifs et récupération d’energie

M. D.TCHEKPASSI

Licence Pro GEII,Semestre5 MIGE

 Chapitre1:
Les composants de l’électronique de puissance

Contenu:
1. Introduction
2. Composants actifs:
❑ Diodes
❑Transistors(MOSFET et IGBT)

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 Dès qu’il s’agit de parler de composants de puissance, on s’attache
immédiatement au modèle externe de l’élément. La présentation du
composant réel évolue vers le modèle parfait pour évoquer la fonction
de l’élément.

Sous le point de vue de l’électronique de puissance, la diode est un

interrupteur non commandable. Reprenant le principe de la jonction PN de la
diode « signal », celle-ci utilise une jonction PIN (I comme Intrinsèque)
constituée d’un empilement P+/N–/N+ (Figure 1). La zone intermédiaire N–
assure une bonne tenue en tension.

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Pour les études des montages utilisant des diodes de puissance, on utilise les
modèles plus ou moins simplifiés indiqués dans le Tableau 1 s’ajoutent
progressivement les imperfections.

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TD :02H

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Transistors à effet de champ
Le transistor MOSFET

Principe du MOSFET canal N

Symboles schématique
Régime de déplétion

Régime d’enrichissement
Réseaux de caractéristique du MOSFET

Caractéristiques de transconductance

De la figure 1.13 on constate bien les deux régimes de fonctionnement

MOSFET en régime d’enrichissement ou TEC E
Fonctionnement

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Caractéristique de transconductance du TEC E
Etude statique d’un transistor à effet de champ

La polarisation automatique
Droite de charge statique
DISSIPATION DE L’ENERGIE
TD :02H

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3.2.

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Comparaison des interrupteurs commandables:

Composant Puissance d’utilisation Rapidité de

commutation

MOSFET Faible Rapide

IGBT Moyen Moyen

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