Exemples de hamps 12

ele
 trostatiques

Les propriétés générales du champ électrostatique nous permettent d’étudier le champ créé
par des distributions modélisant par exemple un noyau atomique ou un condensateur.

1 Méthodes d’étude des champs et des potentiels

Quelles sont les méthodes dont on dispose pour calculer le champ et le potentiel créés par
une distribution de charges connue ?
• Calcul direct : on effectue le calcul du champ et du potentiel à partir de la loi de Coulomb.
Dans le cadre du programme, cette méthode ne sera utilisée que pour des distributions
discrètes.
• Utilisation du théorème de Gauss : si l’étude des symétries nous permet de connaître a
#»
priori la direction de E et de quelle(s) variable(s) il dépend, un choix judicieux d’une
#»
surface fermée à travers laquelle on peut facilement exprimer le flux de E nous permettra
#»
d’utiliser le théorème de Gauss pour déterminer E . On en déduira V .
Ces méthodes sont des méthodes globales. On verra dans le chapitre Équations de Maxwell
des méthodes basées sur les lois locales vérifiées par le champ et le potentiel.
Dans les deux cas, l’étude préalable des invariances et des symétries de la distribution et de
leurs conséquences sur le champ et le potentiel est indispensable. Elle permet de connaître
#»
a priori la direction de E et de quelle(s)variable(s) d’espace il dépend. Sans ces renseigne-
ments, aucune des méthodes présentées ne peut aboutir.

☞ • La surface de Gauss est choisie pour que le calcul du flux à travers elle soit im-
médiat. On choisira donc une surface composée de surfaces ou bien tangentes
au champ ou bien perpendiculaires au champ et telles que le champ électrosta-
tique soit uniforme sur ces surfaces. Dans le premier cas, le flux à travers la
surface sera nul. Dans le second, le produit scalaire entre vecteur surface orienté
et champ électrique est égal au produit de la norme du champ électrostatique en
tout point de cette surface multipliée par l’aire de celle-ci, en faisant attention au
signe (on remarquera qu’il s’agit d’une équipotentielle).
CHAPITRE 12 – E XEMPLES DE CHAMPS ÉLECTROSTATIQUES

On n’oubliera pas non plus la règle de base suivante : la surface de Gauss doit
passer par le point où on cherche à calculer le champ.
• Si on cherche la direction du champ en un point, les plans de symétrie ou d’anti-
symétrie considérés doivent passer par ce point.
• Un plan de symétrie ou d’antisymétrie nous donne des renseignements sur le
champ de part et d’autre de ce plan et sur le champ en un point de ce plan.

2 Exemple de problème à symétrie sphérique : sphère unifor-

mément chargée.
On considère une boule de rayon R portant la charge Q uniformément répartie dans son
volume. Nous allons utiliser le théorème de Gauss pour exprimer le champ créé par cette
distribution, aussi bien à l’intérieur qu’à l’extérieur.

2.1 Étude des symétries

z
ur
#»
M uϕ
#»

u
#»
θ
r

y
uϕ
#»

Figure 12.1 – Exemple de distribution de charges à symétrie sphérique.

La distribution D de charges ne dépend que de la distance r à un point fixe O. L’espace

est donc repéré par les coordonnées sphériques d’origine O. Le champ électrostatique en M
s’écrit a priori :
#» #»
E (M) = E (r, θ , ϕ ) = Er (r, θ , ϕ ) #»
u r + Eθ (r, θ , ϕ ) #»
u θ + Eϕ (r, θ , ϕ ) #»
uϕ.
#»
• Tout plan contenant la droite OM est plan de symétrie de D donc E (M) appartient à tous
#»
ces plans, il est porté par la droite OM : E (M) = Er (M) u r .
#»
• La distribution D est invariante par toute rotation autour de tout axe passant par O donc
Er (M) et V (M) ne dépendent que de r.
Conclusion :
#»
u r et V (M) = V (r).
E (M) = E(r) #»

366
 E XEMPLE DE PROBLÈME À SYMÉTRIE SPHÉRIQUE : SPHÈRE UNIFORMÉMENT CHARGÉE .

Remarque
#» # »
Si V (M) = V (r) alors E (M) = − gradV est porté par #»
ur

2.2 Application du théorème de Gauss

On applique alors le théorème de Gauss en prenant comme surface fermée la sphère S de
centre O passant par M.

z
ur
#»
M
uϕ
#»

u
#»
θ
r
y
uϕ
#»

Figure 12.2 – Choix de la surface de Gauss.

Le flux du champ électrostatique à travers S est :

‹ ‹
#» #»
ΦE = E (P) · dSP = E(r) × dSP,
P∈S P∈S

#» #»
puisque dSP = dSP #»
u r est colinéaire à E . On en déduit :
‹
ΦE = E(r) dSP = 4π r2E(r).
P∈S

Le théorème de Gauss s’écrit donc :

Qint
ΦE = 4π r2 E(r) =
ε0

On exprime la charge intérieure Qint en s’appuyant sur la figure 12.3 :

4
• pour r < R , Qint = ρ π r3 car la sphère S est entièrement remplie de charge,
3
4
• pour r > R, Qint = Q = π R3 ρ , car les charges n’occupent que la sphère de rayon R.
3

367
CHAPITRE 12 – E XEMPLES DE CHAMPS ÉLECTROSTATIQUES

R M
M R
r
r

r<R r>R
Figure 12.3 – Calcul de la charge intérieure.

Le théorème de Gauss s’écrit donc :


 4πρ r3

 si r < R,
4π r2E(r) = 3ε0
 4πρ R3

 si r > R.
3ε0

2.3 Champ et potentiel créés par la sphère.

L’application du théorème de Gauss donne E(r) ; on en déduit le potentiel V (r) par intégration
dV
de la formule : E(r) = − . On trouve ainsi :
dr

ρ r2

#» ρ r #»
 pour r < R : E (r) = ur et V (r) = − +A


3ε0 6ε0

 pour r > R : #» Q #» Q
et V (r) =

E (r) = ur +B
4πε0 r2 4πε0 r

où A et B sont deux constantes réelles qu’il faut déterminer.

La distribution est d’extension finie, on prendra donc le potentiel nul à l’infini, ce qui donne
B = 0. Le potentiel est une fonction continue dans tout l’espace, ce qui nous permet de
ρ R2 Q ρ R2
déterminer la constante A. En r = R : V (R− ) = − + A = V (R+ ) = = d’où
6ε0 4πε0 R 3ε0
ρ R2
A= .
2ε0
Finalement :
 ρ 2

2
 pour r < R : V (r) = − 6ε0 r − 3R



 Q
 pour r > R : V (r) =
 ,
4πε0 r

et :

368
 E XEMPLE DE PROBLÈME À SYMÉTRIE SPHÉRIQUE : SPHÈRE UNIFORMÉMENT CHARGÉE .


#» ρ r #» Qr #»
 pour r < R : E (r) = ur = ur


3ε0 4πε0 R3

 pour r > R :
 #» ρ R3 #» Q #»
E (r) = 2
ur = u r.
3ε0 r 4πε0 r2

On peut représenter graphiquement ces résultats :

E(r) V (r)
E(R) V (R)
1, 5 1, 5

1 1
0, 5 0, 5
r r
0 0
0 1 2 3 4 R 0 1 2 3 4 R

Figure 12.4 – Champ et potentiel créés par une sphère uniformément chargée en
volume.

Le champ électrostatique ne subit pas de discontinuité en r = R, cela se traduit par un raccord

continu et dérivable (pas de point anguleux) pour le potentiel en r = R.

Tout problème à symétrie sphérique se traitera de la même façon. L’étude des symé-
☞ tries et des invariances et le choix de la surface de Gauss sont identiques. La seule
chose qui change, c’est le calcul de la charge intérieure à la surface de Gauss qu’il
faut adapter à chaque situation.

L’expression du champ électrique pour r > R est identique à celle du champ d’une charge
ponctuelle Q placée en O. Ceci est une propriété générale :

Dans le cas d’une distribution à symétrie sphérique de centre O contenue dans une
sphère de rayon R, le champ électrostatique à l’extérieur de cette sphère, soit pour r > R
est identique au champ que crée une charge ponctuelle Q égale à la charge totale de la
distribution et placée en O.

369
CHAPITRE 12 – E XEMPLES DE CHAMPS ÉLECTROSTATIQUES

3 Exemple de problème à symétrie cylindrique : cylindre uni-

formément chargé
On considère un cylindre très long, de rayon a, uniformément chargé en volume. On étudie
ses effets à une distance du fil assez petite devant sa longueur pour pouvoir le supposer infini.

Π
uz
#»

Π′ uθ
#»

M ur
#»

Figure 12.5 – Distribution de charges à symétrie cylindrique.

3.1 Étude des symétries

La densité volumique de charge ne dépend que de la distance r à un axe fixe (Oz). L’espace
est donc repéré par les coordonnées cylindriques d’axe (Oz). Le champ électrostatique en M
s’écrit a priori :
#» #»
E (M) = E (r, θ , z) = Er (r, θ , z) #»
u r + Eθ (r, θ , z) #»
u θ + Ez (r, θ , z) #»
uz

On observe les propriétés de symétrie suivantes :

• Le plan Π = (M, #» u z ) est plan de symétrie de D. Le plan Π′ = (M, #»
u r , #» u θ ) est égale-
u r , #»
#»
ment plan de symétrie de D puisqu’on considère le cylindre infini. E (M) appartient à ces
#»
deux plans, il est donc porté par #» u r : E (M) = Er (M) #»
u r.
• La distribution D est invariante par toute rotation autour de l’axe (Oz) et par toute transla-
tion parallèlement à l’axe (Oz) donc Er (M) et V (M) ne dépendent que de r : Er (M) = E(r)
et V (M) = V (r).
Conclusion :
#»
E (M) = E(r) #» u et V (M) = V (r).
r

Remarque
#» # »
Si V (M) = V (r) alors E (M) = − gradV est porté par #»
u r.

3.2 Application du théorème de Gauss

On applique alors le théorème de Gauss en prenant comme surface fermée le cylindre C
d’axe (Oz), passant par M, de hauteur h arbitraire :

370
 E XEMPLE DE PROBLÈME À SYMÉTRIE CYLINDRIQUE : CYLINDRE UNIFORMÉMENT CHARGÉ

z
S1

r
h M ur
#»
Slat

S2
Figure 12.6 – Flux à travers un cylindre.

#» #» #»
Pour P ∈ S1 et pour P ∈ S2 , E (P) est orthogonal à dSP , le flux de E à travers les surfaces
#» #»
S1 et S2 est donc nul. Pour P ∈ Slat , E (P) et dSP sont colinéaires, donc :
‹ ¨ ¨
#» #»
ΦE = E (P) · dSP = E(r) × dSP = E(r) dSP = 2π rhE(r)
P∈S P∈Slat P∈Slat

Le théorème de Gauss s’écrit alors :

Qint
ΦE = 2π rhE(r) =
ε0

Il ne reste plus qu’à exprimer Qint . De manière analogue à ce qu’on a vu dans le cas de la
sphère :
• pour r < a, Qint = ρπ r2 h,
• pour r > a, Qint = ρπ a2 h.
Le théorème de Gauss s’écrit donc :

2
 πρ r h si r < a,


2π rhE(r) = ε0
 πρ a2 h

 si r > a.
ε0

3.3 Champ et potentiel électrostatiques créés par le cylindre

L’application du théorème de Gauss donne E(r) ; on en déduit le potentiel V (r) par intégration
dV
de la formule : E(r) = − . On trouve ainsi :
dr

#» ρ r #» ρ r2
 pour r < a : E (r) = u r et V (r) = − +A


2ε0 4ε0

 pour r > a : E#» ρ a2 #» ρ a2 r
u r et V (r) = − ln

(r) =
2ε0 r 2ε0 r0
où r0 et A sont des constantes d’intégration. Une relation entre les constantes A et r0 est don-
née par la continuité du potentiel en r = a. On ne peut pas aller plus loin dans la détermination

371
CHAPITRE 12 – E XEMPLES DE CHAMPS ÉLECTROSTATIQUES

des constantes d’intégration car il y a des charges à l’infini, ce qui empêche de prendre V = 0
à l’infini. Pour déterminer toutes les constantes, il faut se donner la valeur du potentiel en un
point donné.

Tout problème à symétrie cylindrique se traitera de la même façon. L’étude des

☞ symétries et des invariances et le choix de la surface de Gauss sont identiques. La
seule chose qui change, c’est le calcul de la charge intérieure à la surface de Gauss
qu’il faut adapter à chaque situation.

4 Exemples de problèmes à symétrie plane

On reprend une des distributions de charges étudiées au chapitre précédent : la distribution de
charges, infinie dans les directions parallèles à (Oy) et (Oz), définie par la densité volumique :

 ρ (x) = 0 pour x ∈] − ∞, −a[
ρ (x) = ρ0 pour x ∈ [−a, a]
ρ (x) = 0 pour x ∈]a, ∞[


4.1 Étude des symétries

L’espace est repéré par les coordonnées cartésiennes. Nous avons déjà étudié les symétries et
invariances de cette distribution de charges (voir chapitre 11) :
• La distribution est invariante par toute translation parallèlement à (Oy) ou à (Oz) donc
#» #»
E (M) = E (x) et V (M) = V (x).
• En un point M quelconque de l’espace, les plans Π1 = (M, #» u y ) et Π2 = (M, #»
u x , #» u x , #»
u z)
#»
sont des plans de symétrie de la distribution de charges, donc E (M) appartient à ces deux
#»
plans, il est porté par #»
u x : E (M) = E(M) #»
u x.
Conclusion :
#»
E (M) = E(x) #»
u x et V (M) = V (x).

D’autre part, le plan Π3 = (O, #» u z ) est également un plan de symétrie de la distribution

u y , #»
#»
de charges donc, si M est le symétrique de M par rapport à Π3 , E (M ′ ) est le symétrique de
′
#»
E (M) par rapport au plan vectoriel associé et V (M ′ ) = V (M).

#»
E (M)
M
Π3

M′
#»
E (M ′ )

Figure 12.7 – Symétrie du champ électrique.

372
 E XEMPLES DE PROBLÈMES À SYMÉTRIE PLANE

On en déduit que :
E(−x) = −E(x) et V (x) = V (−x).

La fonction E(x) est impaire et la fonction V (x) est paire.

4.2 Calcul du champ par le théorème de Gauss

On applique le théorème de Gauss en prenant comme surface fermée le cylindre C d’axe
(Ox), de section S arbitraire, situé entre les plans de cote x (point M) et −x (point M ′ ). La
cote x du point M est positive. Pour la lisibilité du dessin, on a choisi x > a mais le résultat
est valable également pour x < a.

#»
E (M)
S1
M

Slat

M′
S2 #»
E (M ′ )
Figure 12.8 – Surface de Gauss.

On a C = S1 ∪ Slat ∪ S2 . Le flux du champ électrique à travers C est :

‹ ¨ ¨ ¨
#» #» #» #» #» #» #» #»
ΦE = E (P) · dSP = E (P) · dSP + E (P) · dSP + E (P) · dSP
P∈C P∈S1 P∈Slat P∈S2

= E(x)S + 0 − E(−x)S = 2E(x)S,

car le champ électrique est tangent à Slat et uniforme sur S1 et S2 , et en utilisant la propriété
E(x) = −E(−x).
Il reste à exprimer Qint . Deux cas sont à distinguer :
• si x > a, Qint = 2aρ0S,
• si 0 < x < a, Qint = 2xρ0 S.

373
CHAPITRE 12 – E XEMPLES DE CHAMPS ÉLECTROSTATIQUES

Le théorème de Gauss s’écrit donc :


2xρ0 S

 pour 0 < x < a,
2SE(x) = ε0
2aρ0 S

 pour x > a,
ε0

On en déduit, en complétant en utilisant l’imparité de la fonction E(x) :

 ρ0

 E(x) = − a pour x ∈] − ∞, −a[
 ε
ρ00


E(x) = x pour x ∈ [−a, a]
 ε0
 ρ
 E(x) = 0 a

 pour x ∈]a, ∞[
ε0

4.3 Expression du potentiel

dV
Le potentiel vérifie E(x) = − d’où :
dx

 ρ0

 V (x) = ax + A′ pour x ∈] − ∞, −a[

 ε0
ρ 0 x2

V (x) = − + B′ pour x ∈ [−a, a]

 ε0 2
 V (x) = − ρ0 ax + C′


pour x ∈]a, ∞[
ε0

où A′ , B′ et C′ sont trois constantes d’intégration

La fonction V (x) est paire donc C′ = A′ . Il est continu en x = −a et en x = a, ce qui nous
donne deux fois la même relation. il reste deux constantes à déterminer et on ne dispose
que d’une relation : le potentiel ne tend pas vers zéro à l’infini, il diverge même quand on
s’éloigne de la distribution. C’est dû à la présence de charges à l’infini. On choisira donc
arbitrairement une origine des potentiels et le plus simple est de prendre V (0) = 0.
On en déduit :
  2

 V (x) = ρ0 ax + a

 pour x ∈] − ∞, −a[


 ε0 2

ρ 0 x2

V (x) = − pour x ∈ [−a, a]


 ε0 2
 
a2

 ρ
 V (x) = 0 −ax +

 pour x ∈]a, ∞[
ε0 2

Les courbes représentatives de E(x) et V (x) sont :

374
 E XEMPLES DE PROBLÈMES À SYMÉTRIE PLANE

E
1
E(a)

x/a
−3 −2 −1 1 2 3

−1
V
V (a)

Figure 12.9 – Champ et potentiel.

4.4 Modélisation surfacique

On suppose maintenant que la distance à laquelle on étudie le champ soit très grande devant
2a (tout en restant très petite devant les autres dimensions de la distribution, sinon on ne peut
plus faire l’approximation d’une distribution infinie).
Le cylindre d’axe (Ox), de surface de base dS et de hauteur 2a contient la charge
dq = ρ0 2adS. On peut définir la charge par unité de surface de la distribution par :

σ = 2aρ0,

de sorte que : dq = σ dS.

Si on considère dès le départ une distribution infiniment fine, on peut reprendre l’étude pré-
cédente. Les symétries sont exactement les mêmes.
On applique alors le théorème de Gauss comme précédemment, mais maintenant il n’y a plus
qu’un seul cas pour exprimer la charge contenue dans la surface de Gauss et : Qint = σ S. On
trouve ainsi :

#» σ #»
 E (M) =
 ux pour x > 0
2ε0
#» σ
 E (M) = −
 ux
#» pour x < 0
2ε0
ce que l’on peut résumer par :
#» σ #»
E (M) = n
2ε0
où #»
n est la normale au plan, fuyant le plan.
Il vient ensuite par intégration :
 σ
 V (M) = −
 x + A pour x > 0
2ε0
σ
 V (M) =
 x+B pour x < 0
2ε0

La continuité de V en x = 0 impose A = B. On ne peut pas en dire plus à cause de la présence

de charges à l’infini, sauf si on choisit V (0) = 0 comme précédemment.

375
CHAPITRE 12 – E XEMPLES DE CHAMPS ÉLECTROSTATIQUES

σ
E(x)
2ε0

σ
− V (x)
2ε0

Figure 12.10 – Champ et potentiel créés par un plan uniformément chargé.

On remarque que dans cette modélisation, le champ électrique n’est pas défini en x = 0.
Il subit une discontinuité à la traversée d’une surface chargée. Mais il ne faut pas oublier
que cette modélisation surfacique n’est qu’un cas limite de la modélisation volumique. En
σ σ
réalité, le champ varie de − à sur une épaisseur 2a, toute petite devant les distances
2ε0 2ε0
auxquelles on étudie le champ.

4.5 Application au condensateur plan

Un condensateur plan est constitué de deux armatures planes, parallèles, de même forme de
surface S et espacées d’une distance e. Ces deux armatures portent des charges opposées.
On suppose que e est très faible devant les dimensions des plaques ce qui nous permet de
les considérer comme « infinies ». L’état électrique ne dépend alors que de la coordonnée x le
long d’un axe perpendiculaire aux plaques et les densités surfaciques peuvent être considérées
comme uniformes. Ce modèle est convenable loin du bord des plaques : on néglige les effets
de bord.

P1 y P2

A1 A2
x
−e/2 z e/2

−σ σ

Figure 12.11 – Condensateur plan.

Afin de relier entre elles la charge et la différence de potentiel entre les deux armatures, il
faut calculer le champ électrostatique entre les armatures.
e
On appelle P1 le plan portant la densité surfacique de charge −σ , situé en x = − et P2 le
2
e
plan portant la densité surfacique de charge +σ , situé en x = . Le plan P1 porte la charge
2

376
 E XEMPLES DE PROBLÈMES À SYMÉTRIE PLANE

totale Q = σ S et le plan P2 la charge −Q.

Les résultats obtenus aux paragraphes précédents nous permettent d’exprimer le champ élec-
trostatique créé par le plan P1 est :
 σ e

 ux
#» si x ≤ −
#»
E1 = 2ε0 2
σ #» e
 −
 ux si x ≥ −
2ε0 2

et celui créé par P2 :  σ #» e

 −
 ux si x ≤
#»
E2 = 2 ε0 2
σ #» e

 ux si x ≥
2ε0 2
Le champ électrostatique créé par l’ensemble du condensateur est, par superposistion :
 #» e
 0
 si |x| ≥
#» 2
E= σ e
 − #»
 ux si |x| ≤
ε0 2

P1 y P2 E
#» #» #»
E2 E2 E2
e e
#» − x
E1
#»
E1
#»
E1 2 2
e e x
− z
2 2
#»
E σ
−
ε0
−σ σ

Figure 12.12 – Champ électrostatique créé par un condensateur plan.

La différence de potentiel U entre les armatures s’obtient en calculant la circulation du champ

électrostatique sur une ligne de champ reliant deux points A1 et A2 sur les armatures (voir
figure 12.11) :
ˆ A1 ˆ A1  
#» #» σ #» σ
U = V (A2 ) − V (A1 ) = E (M) · dl = u x · (dx #»
u x) = × e
A2 A2 ε0 ε0

Q Qe Q
Par ailleurs, σ = , donc U = = où C est la capacité du condensateur.
S ε0 S C

377
CHAPITRE 12 – E XEMPLES DE CHAMPS ÉLECTROSTATIQUES

La capacité du condensateur plan est :

ε0 S
C= (12.1)
e
Remarque
Si l’espace entre les armatures est un milieu de permittivité ε = εr ε0 , il suffit de rem-
placer ε0 par ε dans l’expression de la capacité. En pratique, on utilise un milieu de
permittivité comprise entre 2 et 3, ce qui permet, pour une géométrie identique, d’aug-
menter la capacité du condensateur.

SYNTHÈSE

SAVOIRS
• modéliser un condensateur plan
• exprimer la capacité d’un condensateur plan

SAVOIR-FAIRE
• étudier les symétries et les invariances des distributions de charges
• choisir la méthode d’étude du champ électrostatique d’une distribution donnée
• choisir une surface de Gauss adaptée aux symétries du champ
• utiliser le théorème de Gauss pour déterminer un champ électrostatique créé par une
distribution présentant un haut degré de symétrie
• établir et énoncer qu’à l’extérieur d’une distribution à symétrie sphérique, le champ est
le même que celui d’une charge ponctuelle concentrant toute la charge de la distribution
et placée au centre
• établir l’expression du champ créé par un plan uniformément chargé en surface
• établir l’expression du champ créé par un condensateur plan
• déterminer la capacité d’un condensateur plan
• utiliser le théorème de Gauss de la gravitation

MOTS-CLÉS
• symétrie • théorème de Gauss • capacité
• invariance • condensateur plan

378