II.1.

Le dopage

Le dopage aux impuretés est l'introduction de quantités contrôlées de dopants

d'impureté dans les matériaux semi-conducteurs. L'utilisation pratique du dopage par
impuretés consiste principalement à modifier les propriétés électriques des semi-conducteurs.

La diffusion et l'implantation ionique sont les deux principales méthodes de dopage

par impuretés. Ceci, peuvent être introduits lors de la phase de fabrication des plaquettes ou
dans les différentes étapes de fabrication du composant.

II.1.1. La diffusion

Le phénomène de diffusion est un phénomène très général dans la nature, qui

correspond à la tendance à l'étalement d'espèces, particules, atomes ou molécules grâce à une
excitation énergétique apportée par la chaleur. Suivant le milieu dans lequel se déplacent ces
espèces, l'étalement sera plus ou moins grand. À la température ambiante le phénomène de
diffusion sera très important dans un milieu gazeux, plus faible dans un milieu liquide et
pratiquement nul dans un milieu solide.

Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un solide ou un cristal, il faudra chauffer

le matériau à des températures généralement élevées (voisines de 1200°C pour le Si).

III.4.1.1. Processus de diffusion

La diffusion des impuretés se fait généralement en plaçant des plaquettes semi-

conductrices dans une température du four à tubes de quartz et faire passer un mélange gazeux
contenant le dopant souhaité.

La température varie généralement entre 800 et 1200 °C pour le silicium et 600 et

1000°C pour l'arséniure de gallium. Le nombre d'atomes dopants qui diffusent dans le semi-
conducteur est lié à la pression partielle de l'impureté dopante dans le mélange gazeux.

Pour la diffusion dans le silicium, le bore est le dopant le plus populaire pour
introduire une impureté de type p , tandis que l'arsenic et le phosphore sont largement
utilisés comme dopants de type n . Ces trois éléments sont très solubles dans le silicium, car
ils ont des solubilités supérieures à 5 1020 cm-3 dans la plage de température de diffusion.
Ces dopants peuvent être introduits de plusieurs manières, y compris des sources solides (par
exemple, BN pour le bore, As2O3 pour l'arsenic et P2O5 pour le phosphore), des sources
liquides (BBr3 AsCl3 et POCl3) et des sources gazeuses (B2H6, AsH3 et PH3). Cependant, les
sources liquides sont les plus couramment utilisées.

La figure III.6, représente le schéma typique d'un système de diffusion « four et une
source de liquide d'écoulement de gaz ».

Four électrique

tube en quartz
fente

Four électrique
Source des
impuretés
liquides

Figure II.1. Schéma d'un système typique de diffusion à tube ouvert.

Un exemple de réaction chimique pour le phosphore, la diffusion à l'aide d'une source

liquide est :

4POCl3 + 3O2 → 2P2O5 + 6Cl2↑ (II. 1).

Le P2O5 forme un verre sur une plaquette de silicium puis est réduit en phosphore par du
silicium,

2P2O5 + 5Si → 4P + 5SiO2 (II. 2).

Le phosphore est libéré et diffusé dans le silicium, alors que le « Cl2 » est évacué.

II.1.1.2. Mécanisme de diffusion

La diffusion dans un semi-conducteur peut être visualisée comme un mouvement

atomique du diffusant (atomes dopants) dans le réseau cristallin par des lacunes ou des
interstitiels.
 La figure. II.2, montre les deux modèles de base de diffusion atomique dans un solide.
À des températures élevées, les atomes du réseau vibrent autour de la position d'équilibre. Il y
a une probabilité finie qu'un atome hôte acquiert suffisamment d'énergie pour quitter le site du
réseau et devenir un atome interstitiel, créant ainsi une lacune. Lorsqu'un atome d'impureté
voisin migre vers le site vacant comme illustré sur la figure. II.2a, le mécanisme est appelé
mécanisme lacunaire. Si un atome interstitiel se déplace d'un endroit à un autre sans occuper
un site de réseau, voire la figure. II. 2b, le mécanisme est la diffusion interstitielle.

Figure II.2. Mécanismes de diffusion atomique pour un réseau bidimensionnel.

(a) Mécanisme lacunaire ; (b) Mécanisme interstitiel.

Un atome plus petit que l'atome hôte se déplace souvent de manière interstitielle.

Le mécanisme lacunaire, correspondant à l'occupation d'une lacune laissée par un

atome du réseau cristallin qui peut, lui aussi se mouvoir en laissant des lacunes.
Le mécanisme interstitiel, correspondant au déplacement des atomes entre les sites
cristallins. Ce mécanisme sera prépondérant pour les petits atomes.

II.1.1.3. Équations de diffusion

La première loi de Fick traduit la tendance à l’étalement ; le flux d'atomes est

proportionnel au gradient de concentration de ces atomes et s'exprime par l`équation (II. 3) :
 Dans laquelle D est le coefficient de diffusion qui dépend fortement de la
température.

Notez que la force motrice de base du processus de diffusion est le gradient de

concentration ∂C/∂x.

Le flux est proportionnel au gradient de concentration et les atomes de dopant se

déplaceront (diffuseront) d'une région à haute concentration vers la région à faible
concentration.

La deuxième loi à prendre en compte est l'équation de continuité. Dans un élément de

volume donné, d'épaisseur « ∂x », si le flux entrant est supérieur au flux sortant, la
concentration de l'espèce considérée augmente.

L’équation (II. 4) est aussi utilisée pour les porteurs électrons et trous dans un semi-
conducteur mais dans le cas des atomes il n'y a ni génération, ni recombinaison.

La combinaison des deux équations précédentes (II. 3) et (II. 4) permet d'aboutir à la

deuxième loi de Fick:

Pour intégrer cette équation différentielle qui comporte une dérivation par rapport au
temps et une double dérivation par rapport à l'espace, il faut déterminer 3 conditions
particulières (ou conditions aux limites).

La figure II.3, montre les coefficients de diffusion mesurés pour de faibles

concentrations de diverses impuretés dopantes dans le silicium.

Le logarithme du coefficient de diffusion tracé par rapport à l'inverse de la température

absolue donne une ligne droite dans la plupart des cas. Cela implique que sur la plage de
température, les coefficients de diffusions peuvent être exprimés comme :
 Où D0 est le coefficient de diffusion en « cm2/s » extrapolé à la température infinie et
Ea est l'énergie d'activation en « eV°».

Figure II.3. Coefficient de diffusion (également appelé diffusivité) en fonction de l'inverse de

température pour le silicium.

Dans cette sous-section nous considérons deux cas importants, à savoir la diffusion à
concentration constante en surface « constant-surface-concentration diffusion » et la diffusion
totale constante de dopant « constant-total-dopant diffusion. ».

Dans le premier cas, les atomes d'impuretés sont transportés d'une source de vapeur
sur la surface du semi-conducteur et diffusent dans les plaquettes semi-conductrices.
La source de vapeur maintient un niveau constant de concentration de surface pendant
toute la période de diffusion.
 Dans le second cas, une quantité fixe de dopant est déposée sur la surface semi-
conductrice et est ensuite diffusée dans les plaquettes.

II.1.1.3.1. diffusion à concentration constante en surface

Dans le cas des sources gazeuses, la concentration en surface dans le milieu ambiant
est constante ce qui signifie qu'en phase solide, en surface la concentration, Cs est aussi
constante.

La condition limite s'écrira donc :

C (0, t) = Cs (quel que soit le temps en x = 0 ).

La deuxième condition est une condition initiale, qui suppose que la concentration de
l'espèce à diffuser est initialement nulle (ou négligeable) dans le substrat. Cette
condition s'écrit donc :
C (x, 0) = 0 (quel que soit x à t = 0 ).

La dernière condition, postule qu'à une distance infinie, la concentration est nulle quel
que soit le temps. Cela se conçoit bien si l'on se rappelle que pour que la diffusion se
produise, il faut un gradient non nul de concentration :

C (∞, t) = 0 (quel que soit le temps t ).

À partir de ces conditions aux limites, la résolution de l'équation différentielle (2ème loi de
Fick) donne :

Où :

erfc est la fonction complémentaire d'erreur et Dt1/2 est la profondeur de diffusion.

Une représentation graphique de ce profil de diffusion est illustrée sur la figure II.4.
Les courbes sont généralement tracées en échelle logarithmique afin de bien apprécier
le domaine de variation de concentration. Celle-là est normalisée en fonction de la profondeur
pour trois valeurs de la longueur de diffusion Dt correspondant à trois temps de diffusion
consécutifs et un D fixe pour une température de diffusion donnée.

Notez qu'au fur et à mesure que le temps avance, le dopant pénètre plus profondément
dans le semi-conducteur.

Profondeur de diffusion x (μm)

Profondeur de diffusion x (μm)

Figure II.4. Fonction d'erreur complémentaire normalisée en fonction de la distance

pour des temps de diffusion successifs : Profils de diffusion échelle linéaire (à gauche) échelle
semi-logarithmique (à droite).

Le nombre total d'atomes de dopant par unité de surface du semi-conducteur est donné
par l`équation (II. 8):

On substituant l`équation. (II. 7) dans l'équation. (II. 8), on trouve :

 Cette expression peut être interprétée comme suit. La quantité Q(t) représente l'aire
sous l'un des profils de diffusion du graphique linéaire de la figure II.4.

II.1.1.3.2. diffusion à concentration totale de dopant constante

Dans ce cas, une quantité fixe (ou constante) de dopant est déposée sur la surface du
semi-conducteur en couche mince et le dopant se diffuse ensuite dans le semi-conducteur.
C'est aussi le cas lorsque le dopant a été introduit en surface par implantation ionique. La
quantité totale (ou dose) est constante.

La condition initiale est la même (en cas précédent) :

C (x, 0) = 0. (S : dose totale constante)

Et les conditions aux limites sont :

Où « S » est la quantité totale de dopant par unité de surface.

Et C (∞, t) = 0

L'intégration de l'équation différentielle donne :

La forme du profil obtenu est gaussienne comme représentée sur la figure II.5.

Pour une distribution gaussienne où nous traçons la concentration normalisée C/S en

fonction de la distance pour trois longueurs (profondeurs) de diffusion croissantes.

Comme la dose totale est constante, lorsqu'il y a un étalement, la concentration maximale

diminue. C'est bien le cas, puisque la concentration en surface est donnée par équation (II.
11).

Avec x = 0:
 Evolution du profil de dopage en fonction du temps pour une diffusion à partir d'une
dose en surface. Les profils sont gaussiens. L'intégrale sous la courbe (en échelle linéaire) est
constante.

Profondeur de diffusion x (μm)

Profondeur de diffusion x (μm)

Figure II.5. Fonction gaussienne normalisée en fonction de la distance.