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Sommaire

Partie 1 : Circuits à courant continu

 Composants, grandeurs et unités


 Théorèmes de base

Partie 2 : Circuits à courant alternatif

 Grandeurs alternatifs
 Condensateurs et bobines en régime transitoire
 Quadripôles
 Diagramme de Bode
 Filtres
 Réponse à une impulsion
 Transformateurs d’alimentation

Partie 3 : Composants et fonctions électroniques

 Chapitre 1 : Diodes
 Chapitre 2 : Redressement
 Chapitre 3 : Filtrage
 Chapitre 4 : Régulateurs
 Chapitre 5 : Amplificateurs opérationnels
 Chapitre 6 : Transistors bipolaires
 Chapitre 7 : Transistors à effet de champ

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Partie 1 : Circuits à courant continu

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 Composants, grandeurs et unités

Grandeurs électriques :

Grandeur Symbole Unité Symbole


Capacité C Farad F
Charge Q Coulomb C
Conductance G Siemens S
Courant I Ampère A
Energie W Joule J
Fréquence F Hertz Hz
Impédance Z Ohm Ω
Inductance L Henry H
Puissance P Watt W
Réactance X Ohm Ω
Résistance R Ohm Ω
Temps t Seconde s
Tension V Volt V
Induction magnétique B Tesla T
Flux magnétique  Weber Wb
Force d’aimantation H Ampère-tour/mètre At/m
Force magnétomotrice Fm Ampère-tour At
Perméabilité 𝜇 Weber/Ampère-tour-mètre Wb/Atm
Reluctance R Ampère-tour/Weber At/Wb

Préfixe Symbole Puissance de dix


Téra T 𝟏𝟎𝟏𝟐
Giga G 𝟏𝟎𝟗
Méga M 𝟏𝟎𝟔
Kilo k 𝟏𝟎𝟑
Milli m 𝟏𝟎−𝟑
Micro 𝝁 𝟏𝟎−𝟔
Nano n 𝟏𝟎−𝟗
Pico p 𝟏𝟎−𝟏𝟐

Résistances :
Les résistances limitent ou freinent le passage d’un courant électrique dans un circuit.

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Symbole associé :

ou

Unité : Ohm (Ω)

Identification : code des couleurs

ppm : partie par million, correspond à un rapport de 10−6

Exemple de lecture pour une résistance à 4 anneaux :

Positionner la résistance de façon à avoir l'anneau le plus à l'extérieur du corps de la résistance sur sa
gauche (ou mettre la couleur dorée ou argentée sur sa droite)

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Exemple de lecture pour une résistance à 5 anneaux :

Positionner la résistance de façon à avoir l'anneau de couleur de la tolérance ou l'anneau du coefficient de


température sur sa droite. On pourra remarquer que cet anneau de couleur est souvent plus large que les autres.

Exemple de lecture pour une résistance à 6 anneaux :

Le coefficient de température est d’unité 1/Kelvin : la valeur 50ppm désignera donc 𝟓𝟎 × 𝟏𝟎−𝟔 /K

Valeurs normalisées :

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Une décade est un ensemble de valeurs comprises entre un multiple de 1 et un multiple de 10 de l'unité considérée.
Exemple : 1 à 10 ohms ; 10 à 100 ohms; 10 à 100 K ohms...
Une série représente le nombre de valeurs différentes que l'on dispose à l'intérieur d'une décade.
Exemples : Pour la série E3 nous avons trois valeurs possibles dans une décade : 1,0 ; 2,2 ; 4,7.
Soit : 1,0 ohm ; 2,2 ohms ; 4,7 ohms - 10 ohms ; 22 ohms; 47 ohms - 100 ohms - 220 ohms ...
Pour la série E12 nous avons 12 valeurs possibles par décade : 1,0 ; 1,2 ; 1,5 ; 1,8 ; 2,2 ; 2,7 ; 3,3 ; 3,9 ; 4,7 ; 5,6 ; 6,8 ;
8,2.
Dans la série E12 et pour les résistances dont la valeur est comprise entre 10k et 100k (décade 10k à 100k), nous
aurons : 10k ; 12k ; 15k ; 18k ; 22k ; 27k ; 33k ; 39k ; 47k ; 56k ; 68k ; 82k.
𝑛
La valeur de rang m de la série En est obtenue en posant : 10𝑚 −1
12
Par exemple, 5ème valeur de la série E12 : 104 ce qui donne 2.1544 arrondi à 2.2

Retrouver une valeur proche dans une série normalisée :

Exemple :
Le résultat d'un calcul donne 6,73 ohms comme valeur de résistance.
Quelle est la valeur la plus proche dans la série "n" E24 ?
Il faut d'abord retrouver à quel rang "m" proche appartient cette valeur dans la série E24.
avec :
x = 6,73
n = 24
m=?

calculons : 𝑚 = log 𝑥 𝑛 + 1 = 20.87 arrondi à 21


La valeur la plus proche appartient au rang 21 de la série E24.
24
Soit : 1020 = 6.81 Ω, soit 6.80 Ω

Association en série :

Association en parallèle :

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1 1 1 1
Avec 𝑅𝑒𝑞
= 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3

Loi d’ohm :

𝑈=𝑅𝐼

U : Tension aux bornes de la résistance

I : Courant traversant la résistance

Potentiomètre :
Un potentiomètre est un type de résistance variable à trois bornes, dont une est reliée à un curseur se
déplaçant sur une piste résistante terminée par les deux autres bornes.

Symbole :

Résistance d’une tige conductrice :


𝐿
𝑅=𝜌
𝑆
𝜌 ∶ Résistivité (Ω.m)

L : Longueur de la tige (𝑚)

S : Section de la tige ( 𝑚2 )

Photorésistance :
Une photorésistance est un composant électronique dont la résistivité varie (souvent une diminution) en
fonction de l'augmentation de lumière qui l'atteint. On peut également le nommer résistance photo-
dépendante ( light-dependent resistor (LDR) ) ou photoconducteur.

Symbole :

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Thermistance :
Une thermistance est un capteur de température passif. Elle est constituée d'un matériau semi-conducteur.
Sa résistance varie en fonction de la température.

On distingue deux types de thermistances : les CTN (Coefficient de Température Négatif) et les CTP
(Coefficient de Température Positif).

Symbole :

Varistance :

C’est une résistance qui varie en fonction de la tension appliquée. Principalement utilisées comme élément
de protection de composants ou d'équipements pouvant être soumis à des perturbations électriques. Les
VDR (Volt Dépendant Resistor) voient leurs impédances (normalement de plusieurs Mégohms) chuter très
fortement en présence d’une surtension (même très brève), créant ainsi un court circuit protégeant le
montage situé après.
Symbole :

Résistance et coefficient de température :


La résistance à T °C est obtenue de la formule :

𝑅𝑇 = 𝑅𝑇0 1 + 𝑎 𝑇 − 𝑇0

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Avec :
𝑅𝑇0 : La résistance à 𝑇0 °C, où 𝑇0 est une température de référence
𝑎 : Le coefficient de température, unité : 1/°C

Résistivité des divers matériaux :

Métal Résistivité à 300 K (Ω.m)


Argent 16 . 10-9
Cuivre 17 . 10-9
Or 22 . 10-9
Aluminium 27 . 10-9
Magnésium 46 . 10-9
Bronze 50 . 10-9
Zinc 60 . 10-9
Germanium 46 . 10-2

En raison de l’inaltérabilité et de la grande ductilité de l’or, il est utilisé pour réaliser des connexions, notamment
dans certains composants électroniques, comme les microprocesseurs.

Condensateurs :
Le condensateur est un dispositif électronique qui emmagasine une charge électrique en créant un champ
électrique qui à son tour accumule de l’énergie. La mesure de cette capacité à conserver de l’énergie a
reçu le nom de capacité.

Dans sa version la plus simple, un condensateur est un dispositif électrique constitué de deux plaques
(armatures) conductrices parallèles, séparées par un matériau isolant appelé diélectrique.

Symbole :

ou

Unité : Farad (F)

Capacité :
La quantité de charge qu’un condensateur peut accumuler par unité de volt sur ses armatures est sa
capacité, désignée par C.

𝑄
𝐶=
𝑉
Q : la charge en Coulomb
V : la tension aux bornes du condensateur en Volt
C : Capacité en Farad

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Energie :
L’énergie emmagasinée par un condensateur est donné par :
1
𝑊 = 𝐶 𝑉2
2
𝑄 𝑑𝑄
En effet, puisque 𝐶 = 𝑉 on écrit 𝐶𝑑𝑉 = 𝑑𝑄 or on a 𝐼 = donc 𝐶𝑑𝑉 = 𝐼𝑑𝑡 on obtient alors :
𝑑𝑡

𝒅𝑽
𝑰 = 𝑪 𝒅𝒕

D’autre part on a :
𝑡 𝑡 𝑡
𝑑𝑉 1
𝑊= 𝑃 𝑡 𝑑𝑡 = 𝑉𝐶 𝑑𝑡 = 𝑉 𝐶 𝑑𝑉 = 𝐶 𝑉2
0 0 𝑑𝑡 0 2

Unités énergétique : 1 h.p = 746 W (horse power)


1 c.v = 736 W (cheval vapeur)

Diélectriques :

Matériau 𝜺𝒓
Air (vide) 1
Téflon 2
Papier (ciré) 2.5
Huile 4
Mica 5
Verre 7.5
La constante diélectrique (permittivité relative) 𝜀𝑟 est une grandeur sans dimension :
𝜺
𝜀𝑟 =
𝜺𝟎

Avec 𝜺𝟎 = 8.85 10−12 𝐹/𝑚, 𝜺 étant la permittivité absolue du matériau

Formule de la capacité exprimée avec les paramètres physiques :


𝐴 𝜀𝑟 𝜀0
𝐶=
𝑑
A : L’aire d’armature
d : La distance entre les deux armatures

Association en parallèle :

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Avec 𝐶𝑒𝑞 = 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶3

Association en série :

1 1 1 1
Avec 𝐶𝑒𝑞
= 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶3

Caractéristique :
Le condensateur s’oppose aux variations de tension : 𝛥𝑉 brusque d’une armature appraît sur l’autre
armature.

Bobines :
Une bobine, self, solénoïde, ou auto-inductance est un composant courant en électrotechnique
et électronique. Une bobine est constituée d'un bobinage ou enroulement d'un fil conducteur
éventuellement autour d'un noyau en matériau ferromagnétique.

Symbole :

Unité : Henry (H)

Inductance :
L'inductance d’un circuit électrique est un coefficient qui traduit le fait qu’un courant le traversant crée un
champ magnétique à travers la section entourée par ce circuit. Il en résulte un flux du champ magnétique à
travers la section limitée par ce circuit.

L’inductance est égale au quotient du flux de ce champ magnétique par l’intensité du courant traversant le
circuit.

Formule de l’inductance exprimée avec les paramètres physiques :


𝑁2 𝜇 𝐴
𝐿=
𝑙
L : Inductance en Henry
N : Nombre de spires

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𝜇 : Perméabilité
A : Aire de la section transversale en m²
𝑙 : Longueur du noyau en m

Energie :
Une bobine d’inductance accumule de l’énergie dans le champ magnétique induit par le courant. L’énergie
1
emmagasinée est exprimée par 𝑊 = 2 𝐿 𝐼 2

Perméabilité magnétique :

Perméabilité magnétique relative des matériaux ferromagnétiques à 20 °C


Matériaux ferromagnétiques 𝜇𝑟
Cobalt 250
Fer 10 000
Mumetal 100 000
Nickel 600

La perméabilité magnétique du matériau (μ) s'exprime par le produit de la perméabilité du vide (μ0, exprimée en
Henry/mètre) et de la perméabilité relative (μr, sans dimension) :

μ = μ 0 μr

μ0 est une constante universelle, la constante magnétique, qui vaut 4 π 10−7 H/m

Association en série :

Avec Leq = L1 + L2 + L3

Association en parallèle :

1 1 1 1
Avec = + +
𝐿𝑒𝑞 𝐿1 𝐿2 𝐿3

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 Théorèmes de base

Diviseur de tension :

𝑅2
𝑈2 = 𝑈
𝑅2 + 𝑅1

Diviseur de courant :

𝑅2
𝐼1 = 𝐼
𝑅2 + 𝑅1

Loi de Kirchhoff :
Dans un circuit formé de plusieurs éléments, on définit les dispositions relatives suivantes :

Nœud : point de rencontre de plus de deux conducteurs


Branche : portion de circuit qui regroupe les éléments situés entre deux nœuds et traversés par un même courant
Maille : ensemble de branches parcourues en partant d’un nœud pour y revenir, sans passer deux fois par le même
nœud.

L’analyse du circuit consiste à déterminer les tensions et les courants des b branches

Afin de déterminer ces grandeurs, on écrit :

(n-1) équations indépendantes à l’aide de la loi des nœuds, si n est le nombre des nœuds dans le circuit.
(b-n+1) équations indépendantes à l’aide de la loi des mailles, si b est le nombre des branches dans le circuit.

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Théorème de Thévenin :

Afin de déterminer le courant parcourant la résistance R :

1/ Enlever la branche en question :

2/ Calculer la tension 𝐸𝑡𝑕

3/ Calculer la résistance 𝑅𝑡𝑕 vu entre les points A et B : pour cela on court-circuite toute source de tension et on
ouvre toute source de courant.

4/ Remettre la branche enlevée sur le générateur de Thévenin trouvé et déduire le courant 𝐼 :

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Equivalence entre Thévenin et Norton :

Avec 𝐸0 = 𝑅0 𝐼0

Principe de superposition :

Lorsqu'il ne contient que des dipôles linéaires, la réponse (courant et tension dans chaque branche) d'un réseau
comportant plusieurs sources indépendantes (de tension et/ou de courant) est égale à la somme des réponses que
l'on obtiendrait en considérant séparément chacune de ces sources.

Pour chacune des sources indépendantes, on étudie la réponse du circuit les autres sources indépendantes étant
"éteintes".

Exemple :

Soit le circuit suivant :

Avec 𝑒𝑠 = 10 𝑉𝑒𝑓𝑓 0°

1ère analyse : es est éteint, Es est allumé

𝐸𝑠
𝐼𝑠′ = = 6.667 𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅2

𝑈𝑅1 = 𝐼𝑠′ 𝑅1 = 6.667 𝑉

𝑈𝑅2 = 𝐼𝑠′ 𝑅2 = 13.334 𝑉

2ème analyse : es est allumé, Es est éteint


𝑒𝑠
𝐼𝑠′ = = 3.333 𝑚𝐴𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧
𝑅1 + 𝑅2

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′′
𝑈𝑅1 = 𝐼𝑠′′ 𝑅1 = 3.333 𝑉𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧

′′
𝑈𝑅2 = 𝐼𝑠′′ 𝑅2 = 6.667 𝑉𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧

Solution finale :

𝐼𝑠 = 𝐼𝑠′ + 𝐼𝑠′ = 3.333 𝑚𝐴𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑢𝑛𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑒 𝑑𝑒 6.667 𝑚𝐴

𝑈𝑅1 = 𝐼𝑠 𝑅1 = 3.333 𝑉𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑢𝑛𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑒 𝑑𝑒 6.667 𝑉

𝑈𝑅2 = 𝐼𝑠 𝑅2 = 6.667 𝑉𝑒𝑓𝑓 0° , 5𝑘𝐻𝑧 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑢𝑛𝑒 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑒 𝑑𝑒 13.334 𝑉

La tension aux bornes de R1

Théorème de Millman :

La tension 𝑉𝑚 est donnée par :

Démonstration :

On note 𝐼1 , 𝐼2 , … , 𝐼𝑛 les courants parcourant respectivement les impédances 𝑍1 , 𝑍2 , … , 𝑍𝑛

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Tel que 𝑉𝑚 = 𝐸1 − 𝑍1 𝐼1 = 𝐸2 − 𝑍2 𝐼2 = ⋯ alors on obtient :

𝐸1 𝑉𝑚 𝐸2 𝑉𝑚
𝐼1 = − ; 𝐼2 = − ;…
𝑍1 𝑍1 𝑍2 𝑍2
𝐸1 𝑉𝑚 𝐸2 𝑉𝑚 𝐸𝑛 𝑉
Or on a : 𝐼1 + 𝐼2 + ⋯ + 𝐼𝑛 = 0 ce qui donne : 𝑍1
− 𝑍1
+ 𝑍2
− 𝑍2
+ ⋯+ 𝑍𝑛
− 𝑍𝑚 = 0
𝑛

D’où le résultat.

Astuces pratiques :

Particulièrement si on choisit la masse comme point de référence, le théorème de Millman permettra de calculer le
potentiel en un nœud du circuit.

Si on connaît le courant dans une branche, on l’ajoute au nominateur sans rien rajouter au dénominateur.

Exemple d’utilisation du théorème :

D’après le théorème de Millman on a :

𝐸1 𝐸2 0 𝐸1 𝐸2
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅 + 𝐼 𝑅1 + 𝑅2 + 𝐼
𝑉𝐴𝐵 = =
1 1 1 1 1 1
+ + + +
𝑅1 𝑅2 𝑅 𝑅1 𝑅2 𝑅

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Partie 2 : Circuits à courant alternatif

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 Grandeurs alternatifs

Soit un signal périodique :

Phase :

Décalage normalement exprimé en degrés ou en radians, entre des ondes de même type qui ne passent pas par zéro
en même temps.

Amplitude :

Elle peut être définie crête à crête ou bien en valeur absolue.

Fréquence :

1
C’est le nombre de cycles par seconde : 𝑓 = 𝑇 (Hz : Hertz)

Valeur moyenne :

1
Elle est donnée par : 𝑈𝑚𝑜𝑦 = 𝑢 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 𝑇
Cette valeur moyenne est appelée aussi «niveau continu » ou « niveau DC », l’autre composante du signal est
quantifiée d’alternative.

Valeur efficace :

1
Elle est donnée par : 𝑈𝑒𝑓𝑓 = 𝑇 𝑇
𝑢2 𝑡 𝑑𝑡
Cette valeur efficace correspond au niveau d'un signal continu qui produirait la même dissipation par effet Joule. Par
exemple, si on devait calculer la dissipation thermique d'un élément sous l'effet d'un signal, la valeur efficace de ce
dernier serait la valeur la plus utile.

Puissance moyenne :

Un élément résistif dissipe toujours de la puissance : c'est sa caractéristique. Alors on a toujours une expression
positive de la puissance. Mais pour des éléments non-consommateurs comme l'inductance par exemple, la
puissance est parfois positive (l'inductance se charge en courant, donc soutire de l'énergie au circuit), parfois
négative (l'inductance restitue de l'énergie au circuit électrique).

Ce qui exprime la consommation ou non de puissance n'est donc pas sa valeur instantanée, mais sa valeur moyenne.

L'expression de la puissance moyenne est donnée en toute généralité par :

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1
𝑃𝑚𝑜𝑦 = 𝑢 𝑡 𝑖 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 𝑇

Régime sinusoïdal :
Pour un signal sinusoïdal exprimée par : 𝑢 𝑡 = 𝑈 sin (𝜔 𝑡 + 𝜑)

U : Amplitude

𝝎 : Pulsation (rd/s)

𝝋 : Phase à l’origine

(𝝎 𝒕 + 𝝋) : Phase instantanée

Puissance active et réactive :

Dans le cas où un récepteur consomme une puissance (moyenne), on parle de puissance active, c'est le cas de la
résistance. L'énergie entre dans le système sous forme électrique, et en sort sous forme de pertes ohmiques. Notons
que si le schéma électrique représente aussi en partie un système mécanique, la perte ohmique peut signifier des
frottements visqueux.

Dans le cas où l'on a une puissance moyenne nulle mais une puissance instantanée non nulle, on dit que la puissance
est réactive, c'est le cas des inductances et capacités, des bobines et condensateurs de bonne qualité. L'énergie
circule dans le circuit et se fait momentanément stocker (sous forme magnétique respectivement électrique pour
l'inductance et la capacité). Le récepteur ne consomme pas à proprement parler de l'énergie, mais cette fluctuation
de courant crée des pertes dans les lignes de transmission.

Notation de Fresnel :

En régime sinusoïdal, les courants et tensions sont des sinusoïdes déphasées l'une par rapport à l'autre, et ayant
chacune leur amplitude.

On représente les courants et tensions d'un dipôle par des vecteurs dits de Fresnel, où l'information de fréquence
est laissée de côté.

Vecteurs de Fresnel :

On ne garde dans cette représentation que la valeur efficace, image de l'amplitude et de déphasage entre
courant et tension.

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Ainsi, la puissance active devient le produit scalaire des deux vecteurs :

Le déphasage entre courant et tension d'un quart de tour correspond en régime sinusoïdal, à la relation de
dérivation ou d'intégration existant entre ces grandeurs pour la capacité et l'inductance. Remarquons encore que
dans cette notation, l'application des lois de Kirchhoff revient à fermer les polygones des tensions et courants.

L’impédance :

La représentation vectorielle des relations courant-tension en régime sinusoïdal est une manière de ne garder du
signal qu'un déphasage et une amplitude. Ce résultat peut aussi être obtenu grâce à l'utilisation de nombres
complexes :

Le signal :

Devient :

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 Condensateurs et bobines en régime transitoire

Le condensateur en régime transitoire :

Si on observe la progression de tension aux bornes du condensateur, on retrouve le graphique :

Charge et décharge d’un condensateur

On estime que le condensateur sera chargé après 5xRC. On parle ordinairement du produit RC comme étant la
constante du temps du circuit 
On estime aussi que le condensateur prendra 5 afin d’être déchargé.

La loi des mailles dans le circuit donne 𝑈𝐶 + 𝑅 𝐼𝐶 = 𝐸 ce qui donne l’équation différentielle
𝑑𝑈𝐶
𝑈𝐶 + 𝑅 𝐶 𝑑𝑡
= 𝐸 qui a pour solution, si on note 𝑈𝐶0 la tension aux bornes du condensateur à t=0 :

𝑡
𝑈𝐶 = 𝐸 + 𝑈𝐶0 − 𝐸 𝑒 − 𝑎𝑣𝑒𝑐  = 𝐑𝐂

Plus généralement on a :
𝒕
𝑼𝑪 = 𝑬∞ + 𝑬𝟎 − 𝑬∞ 𝒆− 𝒂𝒗𝒆𝒄  = 𝐑𝐂

Où :
𝐸∞ : La tension vers laquelle le condensateur tend
𝐸0 : La tension de départ aux bornes du condensateur

Cas spécial avec une source de courant constante :


Si l’intensité du courant qui traverse un condensateur est constante, alors la tension aux bornes de celui-ci répond à :

𝐼
∆𝑈𝐶 = ∆𝑡
𝐶
Le condensateur se charge alors de façon linéaire

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La bobine en régime transitoire :

Si on observe la progression du courant parcourant la bobine, on retrouve le graphique :

Charge et décharge d’une bobine


𝑑𝑖
La loi des mailles donne l’équation différentielle : 𝑅 𝑖 + 𝐿 = 𝐸 , dont la résolution s’écrit sous la forme :
𝑑𝑡

𝐸 𝑡
𝑖= 1 − 𝑒 −𝜏
𝑅
𝐿
Avec 𝜏 = 𝑅 ∶ 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑢 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑠 𝑑𝑢 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡

 Quadripôles

C’est un système électronique possédant deux bornes d’entrés (E1, E2) et deux bornes de sorties (S1, S2)

Le quadripôle est en régime linéaire si et seulement si les grandeurs de sortie 𝐼𝑠 ; 𝑉𝑠 dépend linéairement des
grandeurs d’entrée 𝐼𝑒 ; 𝑉𝑒

Exemple :

𝑉𝑠 = 𝐾1 𝑉𝑒 + 𝐾2 𝐼𝑒
𝐼𝑠 = 𝐾3 𝑉𝑒 + 𝐾4 𝐼𝑒

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Convention :

Convention générateur en entrée Convention générateur en sortie

Modélisation des quadripôles :


Paramètre impédance :

𝑉𝑒 = 𝑍11 𝐼𝑒 + 𝑍12 𝐼𝑠
𝑉𝑠 = 𝑍21 𝐼𝑒 + 𝑍22 𝐼𝑠

𝑉𝑒 𝑍 𝑍12 𝐼𝑒
= 11
𝑉𝑠 𝑍21 𝑍22 𝐼𝑠

Schéma équivalent :

Signification physique :
𝑉𝑒
𝑍11 = | 𝐼𝑠 = 0 : Impédance d’entrée à vide
𝐼𝑒

𝑉𝑒
𝑍12 = | 𝐼𝑒 = 0 : Impédance de réaction à vide
𝐼𝑠

𝑉𝑠
𝑍21 = | 𝐼𝑠 = 0 : Impédance de transfert à vide
𝐼𝑒

𝑉𝑠
𝑍22 = | 𝐼𝑒 = 0 : Impédance de sortie à vide
𝐼𝑠

Paramètre admittance :

𝐼𝑒 = 𝑌11 𝑉𝑒 + 𝑌12 𝑉𝑠
𝐼𝑠 = 𝑌21 𝑉𝑒 + 𝑌22 𝑉𝑠

𝐼𝑒 𝑌 𝑌12 𝑉𝑒
= 11
𝐼𝑠 𝑌21 𝑌22 𝑉𝑠

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Schéma équivalent :

Signification physique
𝐼
𝑌11 = 𝑉𝑒 | 𝑉𝑠 = 0 : Admittance d’entrée en court-circuit
𝑒

𝐼
𝑌12 = 𝑉𝑒 | 𝑉𝑒 = 0 : Admittance de réaction en court-circuit
𝑠

𝐼
𝑌21 = 𝑉𝑠 | 𝑉𝑠 = 0 : Admittance de transfert en court-circuit
𝑒

𝐼
𝑌22 = 𝑉𝑠 | 𝑉𝑒 = 0 : Admittance de sortie en court-circuit
𝑠

Paramètre hybride :

𝑉𝑒 = 𝐻11 𝐼𝑒 + 𝐻12 𝑉𝑠
𝐼𝑠 = 𝐻21 𝐼𝑒 + 𝐻22 𝑉𝑠

𝑉𝑒 𝐻 𝐻12 𝐼𝑒
= 11
𝐼𝑠 𝐻21 𝐻22 𝑉𝑠

Schéma équivalent :

Signification physique

𝐻11 : Impédance d’entrée en court-circuit

𝐻12 : Coefficient de transfert à vide

𝐻21 : Coefficient d’amplification du courant

𝐻22 : Admittance de sortie à vide

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Impédances particulières :

Impédance d’entrée :

𝑉𝑒
𝑍𝑒 =
𝐼𝑒
𝑉𝑒
𝑍𝑒0 = | 𝐼𝑠 = 0 : Impédance d’entrée à vide
𝐼𝑒

𝑉𝑒
𝑍𝑒𝑐𝑐 = | 𝑉𝑠 = 0 : Impédance d’entrée en c.c
𝐼𝑒

Impédance de sortie :

𝑉𝑠
𝑍𝑠 = | 𝐸𝑔 = 0 ; 𝑍𝐿 → ∞
𝐼𝑠
𝑉𝑠
𝑍𝑠0 = | 𝑍𝑔 → ∞ : Attaque en courant
𝐼𝑠

𝑉𝑠
𝑍𝑠𝑐𝑐 = | 𝑍𝑔 → 0 : Attaque en tension
𝐼𝑠

Association des quadripôles :


Association en parallèle :

On a : 𝐼𝑒1 = 𝑌11/1 𝑉𝑒 + 𝑌12/1 𝑉𝑠 et 𝐼𝑠1 = 𝑌21/1 𝑉𝑒 + 𝑌22/1 𝑉𝑠

Et : 𝐼𝑒2 = 𝑌11/2 𝑉𝑒 + 𝑌12/2 𝑉𝑠 et 𝐼𝑠2 = 𝑌21/2 𝑉𝑒 + 𝑌22/2 𝑉𝑠

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Quadripôle équivalent :

𝐼𝑒 = 𝑌11 𝑉𝑒 + 𝑌12 𝑉𝑠 et 𝐼𝑠 = 𝑌21 𝑉𝑒 + 𝑌22 𝑉𝑠

Or : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑒1 + 𝐼𝑒2 = (𝑌11/1 + 𝑌11/2 )𝑉𝑒 + (𝑌12/1 + 𝑌12/2 )𝑉𝑠

Et : 𝐼𝑠 = 𝐼𝑠1 + 𝐼𝑠2 = (𝑌21/1 + 𝑌21/2 )𝑉𝑒 + (𝑌22/1 + 𝑌22/2 )𝑉𝑠

Donc : 𝑌11 = 𝑌11/1 + 𝑌11/2 et 𝑌12 = 𝑌12/1 + 𝑌12/2

Généralisation :

Pour N quadripôles en parallèle :


𝑁
𝑌𝑖𝑗 = 𝑌𝑖𝑗 /𝑘
𝑘=1

Association en série :

On utilisant les paramètres impédance on trouve que :

Pour N quadripôles en série :


𝑁

𝑍𝑖𝑗 = 𝑍𝑖𝑗 /𝑘
𝑘=1

Association en cascade :

Quadripôle équivalent :
𝑉𝑒
𝑍𝑒 = = 𝑍𝑒1
𝐼𝑒

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𝑉𝑠
𝑍𝑠 = = 𝑍𝑠𝑛
𝐼𝑠

𝑉 𝑉 𝑉𝑒𝑛 𝑉𝑒2 𝑛
𝐴𝑣 = 𝑉𝑠 = 𝑉 𝑠 … = 𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
𝑒 𝑒𝑛 𝑉𝑒 𝑛 −1 𝑉𝑒1

𝐼 𝐼 𝐼𝑒𝑛 𝐼𝑒2 𝐼𝑠1 𝑛


𝐴𝑖 = 𝐼𝑠 = 𝐼 𝑠 … = (−1)𝑛−1 𝑘=1 𝐴𝑖 𝑘
𝑒 𝑒 𝑛 𝐼𝑠 𝑛 −1 𝐼𝑠1 𝐼𝑒1

 Diagramme de Bode

L’étude de la réponse en fréquence d’un quadripôle revient à étudier l’évolution de la fonction de transfert
désirée en fonction de la fréquence.
𝑋
La fonction de transfert est généralement écrite : 𝑇 = 𝑋𝑠 = 𝑓(𝜔)
𝑒

L’étude de 𝑇 revient à représenter graphiquement l’évolution de ses paramètres (module et argument) en


fonction de la fréquence.

𝑋𝑠
𝑇 =
𝑋𝑒

𝐴𝑟𝑔 𝑇 = 𝐴𝑟𝑔 𝑋𝑠 − 𝐴𝑟𝑔 𝑋𝑒

Cette étude peut être réalisée au moyen d’outils graphiques tel que le diagramme de Bode.

On définit le gain par : 𝐺 = 20 𝐿𝑜𝑔 𝑇 ( en dB : décibel )

𝐺 > 0 ∶ 𝐴𝑚𝑝𝑙𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛

𝐺 < 0 ∶ 𝐴𝑡𝑡é𝑛𝑢𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛

Si 𝑇 = 𝑇1 𝑇2 … 𝑇𝑛 alors 𝐺 = 𝐺1 + 𝐺2 + ⋯ + 𝐺𝑛

Echelle logarithmique :

Echelle linéaire :

Echelle logarithmique :

Entre 𝜔1 et 𝜔2 il y a une décade si et seulement si 𝜔2 = 10 𝜔1

Entre 𝜔1 et 𝜔2 il y a une octave si et seulement si 𝜔2 = 2 𝜔1

𝜔0 milieu de 𝜔1 et 𝜔2 si 𝜔0 2 = 𝜔1 𝜔2
𝝎
 𝑻𝟎 = 𝒋 𝝎
𝟎

28
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𝝎
On a 𝐺0 = 20 𝐿𝑜𝑔 = 20 𝐿𝑜𝑔 𝜔 − 20 𝐿𝑜𝑔(𝜔0 )
𝝎𝟎

Si 𝜔 = 𝜔0 alors 𝐺0 = 0

Si 𝜔 = 10 𝜔0 alors 𝐺0 = 20 𝑑𝐵

Alors :

𝟏 𝟏
 𝑻𝟏 = 𝝎 =𝑻
𝒋 𝟎
𝝎𝟎

𝐺1 = −20 𝐿𝑜𝑔 𝑇0 = −𝐺0

29
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𝝎 𝒏
 𝑻𝟐 = 𝒋 𝝎 = 𝑻𝟎 𝒏
𝟎

𝐺2 = 20 𝑛 𝐿𝑜𝑔 𝑇0 : C’est une droite de pente 20n dB/décade


𝜋
𝐴𝑟𝑔 𝑇2 = 𝑛 𝐴𝑟𝑔 𝑇0 = 𝑛 2

𝝎
 𝑻𝟑 = 𝟏 + 𝒋 𝝎 = 𝟏 + 𝑻𝟎
𝟎

Si 𝜔 ≪ 𝜔0 alors 𝑇3 ≈ 1 donc 𝐺3 ≈ 0 et 𝜑3 ≈ 0
𝜋
Si 𝜔 ≫ 𝜔0 alors 𝑇3 ≈ 𝑇0 donc 𝐺3 ≈ 𝐺0 et 𝜑3 ≈ 2

𝜋
Si 𝜔 = 𝜔0 alors 𝑇3 = 1 + 𝑗 donc 𝐺3 = 20 𝐿𝑜𝑔 2 ≈ 3 𝑑𝐵 et 𝜑3 = 4

𝜔
𝜑3 = 𝐴𝑟𝑐𝑡𝑎𝑛 𝜔0

30
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𝟏 𝟏
 𝑻𝟒 = 𝝎 =𝑻
𝟏+𝒋 𝟑
𝝎𝟎

𝐺4 = −20 𝐿𝑜𝑔 𝑇3 = −𝐺3

𝜑4 = −𝐴𝑟𝑔(𝑇3 )

31
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𝝎
𝒋
𝝎𝟎
 𝑻𝟓 = 𝝎 = 𝑻𝟎 × 𝑻𝟒
𝟏+𝒋
𝝎𝟎

𝐺5 = 𝐺0 + 𝐺4

𝜑5 = 𝜑0 + 𝜑4

 Filtres

Un filtre est un dispositif qui permet de transmettre une plage de fréquence de bloquer d’autres.
La plage transmise est appelé bande passante du filtre.
Un filtre est dit passif s’il ne comporte que des éléments passifs.
Il est actif s’il contient au moins un élément actif.

32
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Filtre passe-bas du 1er ordre :


𝑇0
𝑇= 𝜔
1+𝑗𝜔
0

Bande passante :

Elle est définie par :

𝑇 𝑚𝑎𝑥
𝐵 = 𝜔 𝑡𝑒𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝑇 𝜔 ≥
2

𝐵 = 𝜔 𝑡𝑒𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝐺 𝜔 ≥ 𝐺𝑚𝑎𝑥 − 3 𝑑𝐵

Pour notre filtre on écrit :


𝑇 𝑚𝑎𝑥 |𝑇0 | |𝑇0 |
𝑇 𝜔 ≥  ≥
2 2
𝜔 2
1+
𝜔0

𝜔 2
Ce qui donne : 1 + ≤ 2 d’où : 𝜔 ≤ 𝜔0
𝜔0

Donc : 𝑩 = [𝟎, 𝝎𝟎 ]

𝜔0 est la pulsation de coupure à -3 dB

Exemples :

*/ Circuit RC :

Le diviseur de tension donne :

1
𝑈0 𝑗𝐶𝜔 1
𝑇= = =
𝐸𝑖𝑛 1
𝑅 + 𝑗𝐶𝜔 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔

1
On pose donc : 𝜔0 = 𝑅𝐶

𝑈 1
Alors : 𝑇 = 𝐸 0 = 𝜔
𝑖𝑛 1+𝑗
𝜔0

𝑈 1 𝑈0 1
A la fréquence de coupure on a 𝐸 0 = 1+𝑗 donc =
𝑖𝑛 𝐸𝑖𝑛 2

33
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𝑈0 2 1 𝐸 2 1
Alors la puissance à la charge 𝑃𝑐𝑕𝑎𝑟𝑔𝑒 = 𝑅 = 2 𝑅 𝑖𝑛 = 2 𝑃𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑎𝑙𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑜𝑛𝑖𝑏𝑙𝑒
𝐿𝑜𝑎𝑑 𝐿𝑜𝑎𝑑

*/ Circuit RL :

𝑈 1 𝑅
On obtient de même : 𝑇 = 𝐸 0 = 𝜔 avec 𝜔0 =
𝑖𝑛 1+𝑗 𝐿
𝜔0

Filtre passe-haut du 1er ordre :


𝜔
𝑗𝜔
0
𝑇 = 𝑇0 𝜔
1+𝑗𝜔
0

Bande passante :
𝜔
𝑇 𝑚𝑎𝑥 |𝑇0 | |𝑇0 |
𝜔0
𝑇 𝜔 ≥  ≥
2 2 2
𝜔
1+
𝜔0

𝜔 2 𝜔 2
Ce qui donne : 2 ≥1+ d’où : 𝜔 ≥ 𝜔0
𝜔0 𝜔0

Alors 𝑩 = [𝝎𝟎 , +∞[

Exemples :

*/ Circuit RC :

𝜔
𝑈𝑜 𝑅 𝑗𝑅𝐶𝜔 𝑗 1
𝜔0
On a : 𝑇 = 𝐸 = 1 = 1+𝑗𝑅𝐶𝜔 = 𝜔 en posant 𝜔0 = 𝑅𝐶
𝑖𝑛 𝑅+ 1+𝑗
𝑗𝐶𝜔 𝜔0

*/ Circuit RL :

34
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𝜔
𝑈𝑜 𝑗 𝑅
𝜔0
De même on trouve : 𝑇 = 𝐸 = 𝜔 avec 𝜔0 =
𝑖𝑛 1+𝑗 𝐿
𝜔0

Filtre passe-bas du second ordre :


1
𝑇 = 𝑇0 2
𝜔 𝜔
1 + 2𝑗𝑚 𝜔 + 𝑗 𝜔
0 0

1
𝑚 ∶ 𝑓𝑎𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑑′ 𝑎𝑚𝑜𝑟𝑡𝑖𝑠𝑠𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡 ; 𝑚 > 0 𝑡𝑒𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝑚 =
2 𝑄0

𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑄0 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑒 𝑓𝑎𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝑞𝑢𝑎𝑙𝑖𝑡é

Pour 𝝎 ≫ 𝝎𝟎 :

1 𝜔 2 𝜔
𝑇≈ 𝜔 2 donc 𝐺 ≈ −20 𝐿𝑜𝑔 = −40 𝐿𝑜𝑔
𝑗 𝜔0 𝜔0
𝜔0

Alors l’asymptote est la demi-droite de pente -40 dB/Dec passant par 𝜔0 , 0

Et 𝐴𝑟𝑔 |𝑇| ≈ −𝜋

Pour 𝝎 ≪ 𝝎𝟎 :

𝑇 ≈ 1 donc 𝐺 ≈ 0 et 𝐴𝑟𝑔 𝑇 ≈0

𝒎 n’a aucun effet qu’au voisinage de 𝝎𝟎

𝜔 𝜔 2 𝜔
Soit 𝐷 = 1 + 2𝑗𝑚 𝜔 + 𝑗 𝜔 et 𝑥 = 𝑗 𝜔
0 0 0

Donc 𝐷 = 1 + 2𝑚𝑥 + 𝑥 2

∆= 4(𝑚2 − 1)

*/ Si 𝒎 ≥ 𝟏 (∆≥ 𝟎)

On obtient : 𝐷 = 𝑥 − 𝑥1 (𝑥 − 𝑥2 )

Avec 𝑥1 = −𝑚 − 𝑚2 − 1 et 𝑥2 = −𝑚 + 𝑚2 − 1
𝜔 𝜔
D’où : 𝐷 = 𝑗 𝜔 + 𝑚 + 𝑚2 − 1 𝑗 𝜔 + 𝑚 − 𝑚2 − 1
0 0

35
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𝜔 𝜔
Donc : 𝐷 = 𝑚 + 𝑚2 − 1 𝑚 − 𝑚2 − 1 𝑗 +1 𝑗 +1
𝜔 0 𝑚+ 𝑚 2 −1 𝜔 0 𝑚− 𝑚 2 −1

𝜔 𝜔
Alors : 𝐷 = 1 + 𝑗 𝜔 1+𝑗𝜔 en posant : 𝜔1 = 𝜔0 𝑚 − 𝑚2 − 1 et 𝜔2 = 𝜔0 𝑚 + 𝑚2 − 1
1 2

On a donc 𝜔2 > 𝜔1 et on remarque que 𝜔1 𝜔2 = 𝜔0 2 𝑚2 − 𝑚2 + 1 = 𝜔0 2

Donc 𝜔0 est milieu de [𝜔1 , 𝜔2 ]


1 1
On déduit donc le tracé de Bode de la fonction de transfert 𝐻 = 𝜔 𝜔 2
= 𝜔 𝜔
1+2𝑗𝑚 + 𝑗 1+𝑗 1+𝑗
𝜔0 𝜔0 𝜔1 𝜔2

*/ Si 𝒎 < 1

𝜔 2 2 𝜔 2
𝐷 = 1− + 4𝑚2
𝜔0 𝜔0

𝜔 2
2
Soit 𝑌 = 𝐷 et 𝑥 = 𝜔0

Donc 𝑌 = (1 − 𝑥)2 + 4𝑚2 𝑥 = 1 + 4𝑚2 − 2 𝑥 + 𝑥 2

36
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Alors 𝑌 ′ = 2 2𝑚2 − 1 + 𝑥

𝑌 ′ = 0  𝑥 = 1 − 2𝑚2 , donc Y atteint un extremum en 1 − 2𝑚2


𝟏
Or 𝑥 ≥ 0 donc 𝒎 ∈ [𝟎, ]
𝟐

𝒙 𝟎 𝟏 − 𝟐𝒎𝟐 +∞
𝝎 0 𝜔0 1 − 2𝑚2 +∞
𝒀′ − 0 +
1 +∞
𝒀 2 2
4𝑚 1 − 𝑚
1 +∞
𝑫
2𝑚 1 − 𝑚2
1
𝑯 2𝑚 1−𝑚 2
1 0
−20 𝐿𝑜𝑔 2𝑚 1 − 𝑚2
𝑮
0 −∞

𝟏
*/ Si 𝒎 ∈ ] , 𝟏[ :
𝟐

Dans ce cas la fonction ne possède pas d’extremum :

37
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Filtre passe-haut du second ordre :


𝜔 2
𝑗𝜔
0
𝑇 = 𝑇0 2
𝜔 𝜔
1 + 2𝑗𝑚 𝜔 + 𝑗 𝜔
0 0

𝟏
De même on obtient pour 𝒎 ∈ [𝟎, ]
𝟐

Filtre passe bande du second ordre :


𝜔
2𝑗𝑚 𝜔
0
𝑇 = 𝑇0 2
𝜔 𝜔
1 + 2𝑗𝑚 + 𝑗
𝜔0 𝜔0

38
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On peut écrire encore :


𝜔
2𝑗𝑚 1 1 1
𝜔0
𝐻= 𝜔 𝜔 2
= 1 𝜔0 1 𝜔 = 1 𝜔 𝜔0 = 𝜔 𝜔0
1+2𝑗𝑚 + 𝑗 1−𝑗 +𝑗 1+𝑗 − 1+𝑗 𝑄0 −
𝜔0 𝜔0 2𝑚 𝜔 2𝑚 𝜔 0 2𝑚 𝜔 0 𝜔 𝜔0 𝜔

*/ pour 𝝎 ≫ 𝝎𝟎 :
𝜔
2𝑗𝑚 1 1 𝜔0
𝜔0
𝐻≈ 𝜔 2
= 1 𝜔 = 𝜔 en posant 𝜔1 = 2𝑚 𝜔0 =
𝑗 𝑗 𝑗 𝑄0
𝜔0 2𝑚 𝜔 0 𝜔1

L’asymptote est la demi-droite de −20 𝑑𝐵/𝐷𝑒𝑐 passant par (𝜔1 , 0)

*/ pour 𝝎 ≪ 𝝎𝟎 :
𝜔 𝜔 𝜔
𝐻 ≈ 2𝑗𝑚 𝜔 = 𝑗 𝑄 = 𝑗 𝜔 en posant 𝜔2 = 𝑄0 𝜔0
0 0 𝜔0 2

L’asymptote est la demi-droite de 20 𝑑𝐵/𝐷𝑒𝑐 passant par (𝜔2 , 0)

On remarque que 𝜔0 est milieu de {𝜔1 , 𝜔2 }

On a : 𝜔1 = 𝜔2  𝑄0 = 1

Si 𝑄0 > 1 alors 𝜔2 > 𝜔1

Si 𝑄0 < 1 alors 𝜔2 < 𝜔1

39
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Bande passante :
𝑇 𝑚𝑎𝑥 |𝑇0 | |𝑇0 |
𝑇 𝜔 ≥  ≥
2 2
𝜔 𝜔0 2
1+𝑄0 2 −
𝜔0 𝜔

𝜔 𝜔0 2 𝜔 𝜔0
On résous : 𝑄0 2 − = 1 alors 𝑄0 − = ±1
𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔

Donc : 𝑄0 𝜔2 ± 𝜔0 𝜔 − 𝑄0 𝜔0 2 = 0

1
Alors : ∆= 𝜔0 2 + 4𝑄0 2 𝜔0 2 donc ∆= 𝜔0 1 + 𝑚 2

Les solutions acceptables sont :

−𝜔 0 +𝜔 0 1+4𝑄0 2
𝜔1 = 2𝑄0

𝜔 0 +𝜔 0 1+4𝑄0 2
𝜔2 = 2𝑄0

40
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La bande passante est : 𝐵 = [𝜔1 , 𝜔2 ]


𝝎𝟎
La largeur de la bande passante est : ∆𝑩 = 𝝎𝟐 − 𝝎𝟏 = donc plus 𝑄0 augmente plus le filtre est sélectif
𝑸𝟎

𝜋
𝐴𝑟𝑔 𝐻 = 2 + 𝐴𝑟𝑔 𝐻𝑃𝑎𝑠𝑠𝑒 𝑏𝑎𝑠

Exemples :

*/ Circuit RLC série :

𝑈0 𝑅 1 1 1
On a : 𝑇 = = 1 = 𝐿 1 = 𝐿 𝐿𝐶 1
=
𝐸𝑖𝑛 𝑅+𝑗𝐿𝜔 + 1+𝑗 𝜔− 1+𝑗 𝐿𝐶𝜔− 1 𝐿 1 𝐿 1
𝑗𝐶𝜔 𝑅 𝑅𝐶𝜔 𝑅 𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝐿𝐶 𝜔 1+𝑗 𝐿𝐶𝜔−
𝑅 𝐶 𝑅 𝐶 𝐿𝐶 𝜔

1 1 𝐿 𝑋 𝐿 (à 𝑙𝑎 𝑓𝑟 é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑟é𝑠𝑜𝑛𝑛𝑎𝑐𝑒 ) 1
En posant 𝜔0 = et 𝑄0 = 𝑅 = on obtient : 𝑇 = 𝜔 𝜔0
𝐿𝐶 𝐶 𝑅 1+𝑗 𝑄0 −
𝜔0 𝜔

*/ Circuit RLC parallèle :

𝑈 1 1 𝐶 𝑅
De même on trouve que : 𝑇 = 𝐸 0 = 𝜔 𝜔0 avec 𝜔0 = et 𝑄0 = 𝑅 =𝑋
𝑖𝑛 1+𝑗 𝑄0 − 𝐿𝐶 𝐿 𝐿 (à 𝑙𝑎 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝜔 0 )
𝜔0 𝜔

Filtre coupe bande du second ordre :


𝜔 2
1+ 𝑗𝜔
0
𝑇 = 𝑇0 2
𝜔 𝜔
1 + 2𝑗𝑚 𝜔 + 𝑗 𝜔
0 0

𝜔 2 𝜔 2
1+ 𝑗 𝑗
𝜔0 𝜔0
Si 𝜔 ≫ 𝜔0 alors 𝐻 = 𝜔 𝜔 2
≈ 𝜔 2
= 1 donc 𝐺 = 0
1+2𝑗𝑚 + 𝑗 𝑗
𝜔0 𝜔0 𝜔0

Si 𝜔 ≪ 𝜔0 alors 𝐻 ≈ 1 donc 𝐺 = 0

Si 𝜔 = 𝜔0 alors 𝐻 = 0 donc 𝐺 → −∞

41
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Exemples :

*/ Circuit RLC série :

1 𝐿 𝜔 𝜔0
𝑈0 𝑗 𝐿𝜔 − 𝑗 − 1
𝐶𝜔 𝐶 𝜔0 𝜔
On a : 𝑇 = 𝐸 = 1 = avec 𝜔0 =
𝑖𝑛 𝑅+𝑗 𝐿𝜔 − 𝐿 𝜔 𝜔0 𝐿𝐶
𝐶𝜔 𝑅+𝑗 −
𝐶 𝜔0 𝜔

1 𝐿 𝜔 𝜔0 𝜔 𝜔0
𝑗 − 𝑗 𝑄0 − 1 𝐿
𝑅 𝐶 𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔
D’où : 𝑇 = = 𝜔 𝜔0 avec 𝑄0 = 𝑅
1 𝐿 𝜔 𝜔0 1+𝑗 𝑄0 − 𝐶
1+𝑗 − 𝜔0 𝜔
𝑅 𝐶 𝜔0 𝜔

𝜔 𝜔0 𝜔 𝜔 𝜔 𝜔0
𝑗 𝑄0 − 𝜔 𝜔0 2𝑗𝑚 − − 1
𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔0 𝜔0 𝜔
Donc : 𝑇 = 𝜔 𝜔0 = 𝑗𝑄0 − 𝜔 𝜔 2
= 𝜔 𝜔 2
avec 𝑚 = 2𝑄
1+𝑗 𝑄0 − 𝜔0 𝜔 1+2𝑗𝑚 + 𝑗 1+2𝑗𝑚 + 𝑗 0
𝜔0 𝜔 𝜔0 𝜔0 𝜔0 𝜔0

𝜔 2 𝜔 2
1− 1+ 𝑗
𝜔0 𝜔0
Alors : 𝑇 = 𝜔 𝜔 2
= 𝜔 𝜔 2
1+2𝑗𝑚 + 𝑗 1+2𝑗𝑚 + 𝑗
𝜔0 𝜔0 𝜔0 𝜔0

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*/ Circuit RLC parallèle :

𝜔 2
𝑈0 1+ 𝑗 1 1 𝐶
𝜔0
De même on trouve que : 𝑇 = 𝐸 = 𝜔 𝜔 2
avec 𝜔0 = et 𝑄0 = 2𝑚 = 𝑅
𝑖𝑛 1+2𝑗𝑚 + 𝑗 𝐿𝐶 𝐿
𝜔0 𝜔0

 Réponse à une impulsion :

Caractéristiques de l’onde rectangulaire :

PW : « Pulse Width » ou largeur d’impulsion. Cette valeur correspond à la durée de l’impulsion. Sa valeur
est donnée en temps (secondes).

SW : « Space Width » ou espace entre deux impulsions. Cette valeur correspond au temps entre deux
impulsions.

T : La période. Le temps que dure un cycle. Elle correspond à la somme de PW et SW.

Coefficient d’utilisation (rapport cyclique) :

Le coefficient d’utilisation d’une onde rectangulaire est :

𝑃𝑊
𝐶𝑜𝑒𝑓𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡 𝑑 ′ 𝑢𝑡𝑖𝑙𝑖𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 % = × 100
𝑇

43
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Circuit intégrateur :

Un intégrateur est un circuit électronique permettant d’obtenir à sa sortie la valeur moyenne de l’onde
𝐸𝑚𝑜𝑦.

La condition à respecter pour obtenir un bon intégrateur est que la constante de temps du réseau soit au
moins 10 fois supérieure à la largeur d’impulsion PW de l’onde traitée.

Circuit différentiateur (dérivateur) :

Un différentiateur est un réseau électronique permettant d’obtenir à sa sortie des impulsions lors des
fronts de montée et de descente de l’onde rectangulaire appliquée à l’entrée de celui-ci.

La condition à respecter pour obtenir les résultats désirés est que la constante de temps du réseau soit au
moins 10 fois plus petite que la largeur d’impulsion PW de l’onde traitée.

44
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 Transformateurs d’alimentation :

Le transformateur est constitué de deux bobines positionnées de telle sorte que le champ
magnétique, produit par l’une, parcourt les enroulements de l’autre. Pour repérer ces
dernières, on appelle primaire la bobine alimentée par la source CA et secondaire, la bobine
raccordée à la charge.

Symbole :

Rapport de transformation :

𝑁𝑠𝑒𝑐 𝑈𝑠𝑒𝑐 𝐼𝑝𝑟𝑖


𝑛= = =
𝑁𝑝𝑟𝑖 𝑈𝑝𝑟𝑖 𝐼𝑠𝑒𝑐

Cette relation montre lorsqu’un transformateur est dévolteur (n<1), le courant du secondaire est supérieur
à celui du primaire, et lorsqu’un transformateur est survolteur (n>1), le courant au secondaire sera
inférieur à celui du primaire. Ceci explique aussi les différences de grosseur des fils observées entre le
primaire et le secondaire d’un transformateur.

Comportement en courant :

Un transformateur ne dépense ni ne fournit d’énergie (transformateur idéal), c'est-à-dire que toute


l’énergie qui y entre doit forcément en sortir :

𝑃𝑒𝑛𝑡𝑟 é𝑒 = 𝑃𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒

𝑈𝑝 𝐼𝑝 = 𝑈𝑠 𝐼𝑠

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Résistance interne au secondaire :

La tension de secondaire est différente avec et sans charge. Ceci est causé par la résistance interne. Elle
provient de la résistance des fils utilisés pour les enroulements et de diverses pertes du transformateur.

𝐸𝑠𝑁𝐿 − 𝐸𝑠𝐹𝐿
𝑅𝑖𝑛𝑡 =
𝐼𝑠𝐹𝐿
Autres types de transformateurs :

Transformateur à point milieu :

C’est un transformateur délivrant à sa sortie deux tensions d’amplitudes identiques en opposition de phase.

Symbole :

Transformateur à secondaire multiples :

On peut bobiner plus d’un enroulement secondaire autour d’un même noyau.

Symbole :

Autotransformateur :

Le primaire et le secondaire partagent ensemble une partie de leur enroulement. Toutes les règles vues
précédemment concernant les transformateurs s’appliquent à ce type de transformateur.

Symbole :

46
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Partie 3 : Composants et fonctions électroniques

47
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Chapitre 1 : Diodes
Les semi-conducteurs :
Les semi-conducteurs sont des corps dont la résistivité est intermédiaire entre celle des conducteurs et
celle des isolants. Parmi les corps simples utilisés en électronique, le germanium et le silicium sont des
semi-conducteurs. Leur résistivité est plusieurs centaines de milliers de fois plus grande que le cuivre. Le
silicium est le corps le plus abondant dans la nature puisqu'il est à la base de la plupart des roches. Sa
température de fusion est de l'ordre de 2000 °C. L'arséniure de gallium, alliage d'arsenic (5 électrons sur la
couche externe) et de gallium (3 électrons), se comporte comme un corps qui aurait 4 électrons sur sa
couche externe, comme le germanium ou le silicium. Il est principalement utilisé en très hautes fréquences.

Un semi-conducteur dont la conductivité ne doit rien à des impuretés est dit intrinsèque.
Dopage :

Dopage type P

Lors de la formation du cristal de silicium il suffit d'introduire une infime quantité d'impuretés sous la
forme d'atomes d'aluminium (possédant seulement 3 électrons sur leur couche externe) pour que le
nombre de trous dans le cristal augmente considérablement. Le cristal est dit dopé et comme les porteurs
de charges majoritaires sont des trous, positifs, le cristal est dit dopé P. Les électrons libres qui
correspondent à la conductivité intrinsèque sont appelés porteurs minoritaires.
Si un électron est arraché d'un atome voisin et vient combler le trou, tout se passe comme si c'était le trou
qui s'était déplacé.
On peut également doper le cristal avec des impuretés pentavalentes (atomes possédant 5 électrons sur
leur couche externe), comme l'arsenic ou l'antimoine. On se retrouve alors avec un électron
supplémentaire, donc libre. Les porteurs de charges majoritaires sont alors de polarité négative, le cristal
est dit dopé N. Les porteurs de charge minoritaires sont dans ce cas les trous (positifs) de la conductivité
intrinsèque.

Le niveau habituel de dopage va d’un atome d’impureté par 106 à 108 .

48
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Dopage type N

La jonction PN :

Une jonction est constituée par la réunion de deux morceaux de semi-conducteurs dopés P et N. Les
connexions avec le milieu extérieur sont réalisées par des contacts métalliques.

En pratique, on part d’une plaque de silicium dopée N sur laquelle on crée en général par diffusion une
zone dopée P. On sait donner à la zone de séparation entre les deux matériaux nommée la zone de
transition (déplétion), une épaisseur très faible (typiquement 0.5 μm).

Par effet de diffusion, les électrons du coté N traversent du côté P et remplissent les trous. Les atomes du
coté P, ayant besoin d’électrons pour compléter leurs liens covalents les prennent. Ces atomes, étant
évidemment près de a jonction, deviennent des ions négatifs à cause de l’électron de trop dans leur
structure. De l’autre coté, les atomes ayant un électron de trop pour compléter leurs liaisons covalentes
perdent cet électron et deviennent des ions positifs. On a alors autour de la jonction l’apparition de ce
qu’on appelle un dipôle. Ce processus va se continuer jusqu’à ce que le champ électrique crée par le dipôle
soit assez puissant pour empêcher d’autres électrons de traverser la jonction ; on aura alors l’équilibre. Cet
équilibre se fait jusqu’à environ 0.7 v.

49
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Schéma et construction d’une diode :

La diode est un composant passif qui fait partie de la famille des semi-conducteurs, il en constitue
d’ailleurs le plus simple élément.

La diode se compose d’une jonction PN, généralement en germanium ou en silicium. La première ne


résistant pas à plus de 75°, la seconde à 200° environ, détrône ainsi le germanium plus spécialement
employé dans les récepteurs hyperfréquences.

L’anode est la zone P de la jonction, et la cathode est la zone de type N.

Polarisation en directe :

Tout le matériel est conducteur, autant du côté P que du côté N, sauf dans la zone de déplétion où il n’y a
pas de porteurs majoritaires. Le champ électrique causé par la pile va s’opposer à celui du dipôle et, par
surcroît, l’annuler.

Les électrons entrent du côté N et pénètrent ensuite dans la zone de déplétion comme électrons libres en
annulant les ions positifs. Ceux qui quittent, du coté P, laissent des trous qui atteignent la zone de
déplétion annulant les ions négatifs. A la jonction, les électrons du côté N tombent dans les trous du côté P
et atteignent la sortie du bloc P par courant de trous. La zone de déplétion n’existe donc plus et toute la
diode est conductrice.

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Polarisation en inverse :

Le champ électrique causé par la source s’additionne à celui du dipôle. La zone de déplétion s’épaissit
jusqu’à ce que son potentiel soit égal à celui de la source. La zone de déplétion n’étant pas conductrice, la
diode est bloquée, c'est-à-dire plus un courant ne le traverse.

Caractéristique courant-tension :
Diode idéale :

En polarisation directe : la résistance de la diode est nulle. Elle se comporte comme un interrupteur fermé.

En polarisation inverse : la diode est équivalente à un interrupteur ouvert.

Diode réelle :

En polarisation inverse : le courant inverse est très faible mais il croît rapidement avec la température de la
jonction.

En polarisation directe : au-delà de la tension de seuil (0.6 v pour le silicium), la diode est conductrice, on
𝑑𝑈
peut définir la résistance dynamique 𝑅𝐷 = (trait vert)
𝑑𝐼

Point de fonctionnement d’une diode :


On utilise la droite de charge du générateur. L’intersection de cette droite avec la caractéristique de la
diode donne le point de fonctionnement.

51
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Principe de fonctionnement :

Si 𝑉𝐴𝐾 > 0 la diode est passante

Si 𝑉𝐴𝐾 < 0 la diode est bloquée

Relation entre courant et tension pour une diode :


𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼0 𝑒 𝑉𝑇
𝐼𝑑 ∶ Le courant parcourant la diode

𝑉𝑑 ∶ La tension aux bornes de la diode

𝐼0 ∶ Le courant de polarisation (de l’ordre de 𝜇𝐴)

𝑉𝑇 ∶ Tension thermique ≈ 25𝑚𝑉 à 𝑇 = 25°𝐶

Diode électroluminescente :

Une diode électroluminescente, couramment abrégée sous le sigle DEL, et de plus en plus souvent sous
l'anglicisme LED (pour light-emitting diode), est un composant électronique, une diode, capable d'émettre
de la lumière lorsqu'il est parcouru par un courant électrique.

Une DEL produit un rayonnement monochromatique incohérent à partir d'une transformation d'énergie.
Elle fait partie de la famille des composants optoélectroniques.

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Diode Zener :
C’est une diode conçu pour fonctionner en polarisation inverse.

Lorsqu’elle est polarisée en inverse elle génère sa propre tension VZ.

Lorsqu’elle est polarisée en directe elle se comporte comme une diode à jonction.

Symbole :

Caractéristique courant tension :

La diode Zener génère sa propre tension lorsqu’elle est polarisé en inverse à condition que sa tension de
polarisation soit supérieure à sa tension propre VZ, sinon elle génère la tension d’alimentation.

Exemple :

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Chapitre 2 : Redressement
Le redressement est la conversion d’une tension alternative en une tension continue.

Symbole synoptique :

Redressement demi-onde (simple alternance) :

On a 𝑢 = 𝑣 − 𝑢𝐷

Dans l’alternance positive : La diode est passante, par suite 𝒖𝑫 = 𝑽𝑺 = 𝟎. 𝟕 𝑽 donc 𝒖 = 𝒗 − 𝟎. 𝟕 𝑽

Dans l’alternance négative : La diode est bloquée, par suite 𝑖 = 0 donc 𝒖 = 𝟎 et 𝒖𝑫 = 𝒗

Calcul de 𝒖𝒎𝒐𝒚 :

Pour 𝑣 = 𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡 on trouve :

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𝑇/2
1 𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑇/2 2 𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑢𝑚𝑜𝑦 = 𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡 𝑑𝑡 = − 𝐶𝑜𝑠 𝜔𝑡 0 = =
𝑇 0 𝑇𝜔 𝑇𝜔 𝜋

Redressement double alternance (transformateur à prise médiane) :

Si 𝑒1 > 0 alors 𝑒2 < 0 : La diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée, d’où 𝑼 = 𝒆𝟏 − 𝟎. 𝟕𝑽 et


𝑽𝑨𝑲𝟐 = 𝒆𝟐 − 𝑼 = 𝟐 𝒆𝟐 + 𝟎. 𝟕𝑽

Lors de la demi-alternance suivante, la situation est inversée.

2 𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑚𝑜𝑦 =
𝜋
On voit donc que 𝑃𝐼𝑉 (Peak Inverse Voltage) des diodes est : −𝟐 𝒆𝒄𝒓ê𝒕𝒆 + 𝟎. 𝟕𝑽

Redressement double alternance (pont de Graëtz) :

Durant l’alternance positive de 𝑣 : les diodes D1 et D3 sont passantes, et les diodes D2 et D4 sont bloquées,
donc on obtient par la loi des mailles 𝒖 = 𝒗 − 𝟐𝑽𝒔 = 𝒗 − 𝟏. 𝟒 𝑽 et 𝑼𝑫𝟐 = 𝑼𝑫𝟏 − 𝒗 = 𝟎. 𝟕𝑽 − 𝒗

Durant l’alternance négative de 𝑣 : la situation est inversée

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2 𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑚𝑜𝑦 =
𝜋

On voit donc que 𝑃𝐼𝑉 (Peak Inverse Voltage) des diodes est : −𝒗𝒄𝒓ê𝒕𝒆 + 𝟎. 𝟕𝑽

Redressement pleine onde bipolaire :

Ceci est une répétition du redressement pleine onde avec un transformateur à prise médiane. On utilise en
parallèle, deux circuits de ce genre.

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Le 𝑃𝐼𝑉 des diodes est : −𝟐 𝒆𝒄𝒓ê𝒕𝒆 + 𝟎. 𝟕𝑽

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Chapitre 3 : Filtrage
Le circuit de filtrage le plus répandu est celui utilisant un condensateur. Ce dernier est branché à la suite du
redressement. Grace au condensateur, on retrouve une tension CC fixe à la sortie du bloc d’alimentation.

Dès que 𝑉𝐴 > 𝑉𝐾 la diode est passante : le condensateur se charge rapidement via la résistance interne de
la diode jusqu’à la tension 𝑉 − 0.7𝑉

Dès que 𝑉𝐴 < 𝑉𝐾 la diode est bloquée : le condensateur se décharge dans 𝑅𝑢 avec une constante de temps
𝜏 = 𝑅𝑢 𝐶 et 𝑉𝐴𝐾 = 𝑒 − 𝑈 donc le PIV de la diode peut atteindre −𝟐 𝒆𝒄𝒓ê𝒕𝒆 + 𝟎. 𝟕𝑽

Ronflement :

C’est la variation 𝒆𝒓 de tension aux bornes du condensateur causée par la charge et la décharge :

𝑒𝑟
𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 𝐶𝐶 = 𝑈𝑚𝑜𝑦 = 𝑒𝑐𝑟ê𝑡𝑒 − 0.7𝑉 − 2

𝑒𝑟
On définit l’indice de ronflement (Ripple Index) par 𝜂 = 𝑈
𝑚𝑎𝑥

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Calcul du condensateur :
𝐼
On a montré que : ∆𝑈𝐶 = 𝐶 ∆𝑡 pour un courant demandé par la charge constant (ce qui est vrai dans les appareils
pratiques)

1
En prenant ∆𝑡 la période entre deux recharges ∆𝑡 = 𝑓 on obtient donc ∆𝑈𝐶 = 𝑒𝑟 et 𝐼 = 𝐼𝑚𝑜𝑦 alors :
𝑟𝑜𝑛𝑓𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡

𝑰𝒎𝒐𝒚
𝑪=
𝒆𝒓 𝒇𝒓𝒐𝒏𝒇𝒍𝒆𝒎𝒆𝒏𝒕

Courant de mise en fonction :

Au moment où l’alimentation est mise en fonction, la première charge du condensateur va demander un


courant intense. Ce courant momentané est appelé « 𝐼 𝑠𝑢𝑟𝑔𝑒 ». Durant les premiers cycles d’opération de
l’alimentation, un effort important est demandé au transformateur afin d’amener rapidement la tension
aux bornes du condensateur à 𝑈𝑚𝑎𝑥

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Le courant 𝐼 𝑠𝑢𝑟𝑔𝑒 sera déterminé ainsi :

Il s’agit de faire un circuit de Thévenin de tout cela (on isole le condensateur) :


𝑅
𝐸𝑡𝑕 = 𝑅+𝑅 𝑒𝑐𝑟ê𝑡𝑒 − 𝑈𝑑
𝑑 +𝑅𝑖𝑛𝑡

𝑅𝑡𝑕 = 𝑅//(𝑅𝑖𝑛𝑡 + 𝑅𝑑 )
𝐸
Donc : 𝐼𝑠𝑢𝑟𝑔𝑒 = 𝑅𝑡𝑕
𝑡𝑕

Filtrage en redressement pleine onde :

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Chapitre 4 : Régulateurs
Nous avons vu dans les chapitres précédents comment transformer une source d’énergie
alternative en une source d’énergie continue. Cependant, une telle alimentation est à la
merci des fluctuations de la tension du secteur, il est donc important d’obtenir une tension
stable à la sortie du bloc d’alimentation, indépendante des variations de son environnement.

Suite au redressement et au filtrage, on installera donc un régulateur de tension.

Le régulateur de tension positive à trois broches de la famille 7800 est un exemple de régulateur
monolithique :

Ce élimine l’effet inductif des longs conducteurs

Cs améliore la réponse en régime transitoire

Ces régulateurs sont préréglés à 5, 6, 8, 12, 18 ou 24 volts. Par exemple une 7805 est un régulateur à 5
volts et un 7824 est un régulateur à 24 volts.

Détermination de la tension d’entrée :

La figure est valable seulement pour la série 7800 (positifs) et 7900 (négatifs).

L’inscription 𝑇𝑗 signifie la température de jonction, c'est-à-dire la température à l’interne de la puce


atteinte lors de son fonctionnement.

Détermination du radiateur à installer :

Ces régulateurs se présentent installés dans plusieurs sortes de boîtiers différents. Les principaux boîtiers
dans lesquels on les retrouve sont le TO-220 et le TO-3 :

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La dimension physique du radiateur à employer est déterminée par la quantité de chaleur que le
régulateur aura à dégager ; il faut donc connaître la puissance à dissiper :

𝑃𝑑 = 𝑈𝑑𝑖𝑓𝑓 é𝑟𝑒𝑛𝑡𝑖𝑒𝑙𝑙𝑒 × 𝐼𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒

On doit ensuite consulter les caractéristiques du régulateur employé afin de trouver sa résistance
thermique 𝜃𝑗𝑐 . Celle-ci est exprimée en °C/W. Dans un boitier TO-220, elle vaut 5°C/W et dans un boitier
TO-3, elle vaut 5,5 °C/W.

Exemple :

Un régulateur installé dans un boitier TO-220 avait à dissiper 10W, quelle serait la résistance thermique du
radiateur à installer ?

𝑇𝑎 ∶ Température ambiante

𝜃𝑗𝑐 ∶ Résistance thermique de la puce au boitier

𝜃𝑠𝑎 ∶ Résistance thermique du boitier à l’ambiant (le radiateur)


100 °𝐶
La résistance thermique totale maximum sera : 𝜃𝑗𝑎 = = 10 °𝐶/𝑊
10 𝑊

Donc la résistance thermique du radiateur doit être au maximum : 𝜃𝑠𝑎 = 10°𝐶/𝑊 − 5°𝐶/𝑊 = 5°𝐶/𝑊

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Il est à remarquer que plus 𝜃𝑠𝑎 est grand, plus le radiateur est petit.

Exemple de conception complète d’une alimentation régulée :

Données :

𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 5𝑉

𝑈𝑑𝑖𝑓𝑓 é𝑟𝑒𝑛𝑡𝑖𝑒𝑙𝑙𝑒 = 9𝑉

𝑇𝑎 = 25 °𝐶

𝐼𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 750𝑚𝐴

𝑒𝑟 = 3.2𝑉 𝑐 − à − 𝑐 100𝐻𝑧

𝐵𝑜𝑖𝑡𝑖𝑒𝑟 𝑇𝑂 − 220

Solution :

On a 𝑃𝑑 = 9𝑉 × 750𝑚𝐴 = 6.75𝑊
100°𝐶
Donc 𝜃𝑠𝑎 = 6,75𝑊 − 5°𝐶/𝑊 = 9.8°𝐶/𝑊

On utilisera un redressement avec pont.


750𝑚𝐴
𝐶𝑓𝑖𝑙𝑡𝑟𝑎𝑔𝑒 = 3.2𝑉×100𝐻𝑧 = 2344 𝜇𝐹

𝑒𝑟 3.2
𝑈𝑚𝑎𝑥 = 𝑈𝑒𝑛𝑡𝑟 é𝑒 + = 9𝑉 + 5𝑉 + = 15.6𝑉
2 2

15.6𝑉+1.4𝑉
𝐸𝑠 (𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 ) = = 12𝑉 𝑟𝑚𝑠
2

𝑃𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 = 𝑃𝑡𝑜𝑡 𝑎𝑙 = 𝑃𝑑 + 𝑃𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 𝑈𝑒𝑛𝑡𝑟 é𝑒 − 𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 𝐼𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 + 𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 𝐼𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒

= 𝑈𝑒𝑛𝑡𝑟 é𝑒 𝐼𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 10.5 𝑉𝐴

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Régulateur monolithique ajustable :

Il existe une solution au désavantage des régulateurs fixes ; une famille de régulateurs ajustables existe. Le
LM317, un régulateur positif et le LM337, un régulateur négatif, ont cette propriété.

𝑅2
𝑈𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 = 1.25𝑉 1 + 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑅1 = 250 𝛺
𝑅1

Le choix de la valeur de R1 vient du fait que ce régulateur exige un courant minimum de sortie de 5mA
1.25𝑉
pour fonctionner : 𝑅1 = = 250 𝛺
5𝑚𝐴

La résistance thermique de cette puce est 2,3 °C/W pour le boitier TO-3 et 5°C/W pour le boitier TO-220

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Régulateur ajustable négatif :

Les tensions U entrée et U sortie sont négatives

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Chapitre 5 : Amplificateurs Opérationnels


L’amplification est une opération consistant à accroître l’amplitude à l’aide d’un amplificateur.

L’amplificateur opérationnel idéal fournit une tension de sortie analogique qui est proportionnelle à la
différence de tension entre ses bornes d’entrée.

Symbole de l’aop

L’amplificateur opérationnel idéal :

L’aop, sans circuit externe de contre-réaction de la sortie vers l’entrée inverseuse, est décrit comme étant
en boule ouverte. En boucle ouverte, les caractéristiques de l’aop idéal sont les suivantes :

Gain différentiel = ∞

Impédance d’entrée = ∞ Ω

Impédance de sortie = 0 Ω

Bande passante = ∞ Hz

Brochage du circuit intégré 𝝁𝑨 𝟕𝟒𝟏 :

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Schéma interne d’un μA 741

La contre-réaction négative :

La contre-réaction négative est la comparaison continuelle de U entrée avec U sortie en ramenant à


l’entrée inverseuse une portion du signal électrique présent à la sortie.

On utilise deux règles simples pour faire l’analyse du comportement des amplificateurs opérationnels.
Celles-ci découlent des caractéristiques idéales de l’aop :

Règle 1 : La sortie va tout tenter pour réduire la tension différentielle d’entrée à zéro.

Règle 2 : Les entrées ne demandent aucun courant.

Ce qui peut s’écrire ainsi :

𝑉+ = 𝑉−
𝐼 = 𝐼− = 0
+

Modélisation d’un aop :

𝑅𝑒 ∶ Impédance d’entrée, très élevée et permet de ne pas perturber la source de tension connectée à
l’entrée.

𝑅𝑠 ∶ Impédance de sortie, très faible et permet de rendre la tension de sortie quasiment indépendante de
la charge connectée à la sortie.

𝐺𝑣 ∶ Gain en tension à vide

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Montage non-inverseur :

L’amplificateur est en boucle fermée, en contre réaction négative, on utilisera donc :

𝑉+ = 𝑉−
𝐼 = 𝐼− = 0
+

𝑈 𝑅1+𝑅2 𝑅2
On voit que : 𝐴𝑉 = 𝑈𝑠 = = 1 + 𝑅1
𝑒 𝑅1

Donc la tension de sortie est en phase avec la tension d’entrée.

Montage non-inverseur avec boucle de contre-réaction complexe :

𝑅1+𝑅2 𝑅3
On note 𝑅𝑒𝑞 = (𝑅2 + 𝑅1)//𝑅3 = et 𝑈3 la tension aux bornes de R3 tel qu’on a :
𝑅1+𝑅2+𝑅3

𝑅1 𝑅2
𝑈𝑒 = 𝑅1+𝑅2 𝑈3 donc 𝑈3 = 1 + 𝑅1 𝑈𝑒

𝑅𝑒𝑞
En rassemblant les résistances R1, R2 et R3 on écrit : 𝑈3 = 𝑅 𝑈𝑠
𝑒𝑞 +𝑅4

𝑅4 𝑅2 𝑹𝟒 𝑹𝟏+𝑹𝟐+𝑹𝟑 𝑹𝟐
Donc : 𝑈𝑠 = 1 + 𝑅 1 + 𝑅1 𝑈𝑒 d’où : 𝑨𝑽 = 𝟏 + 𝟏+
𝑒𝑞 𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝑹𝟑 𝑹𝟏

Montage inverseur :

Par le théorème de Millman, on tire l’expression de U1 :

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𝑈𝑒 𝑈𝑠
+
𝑈1 = 𝑅1 𝑅2
1 1
𝑅1 + 𝑅2
𝑅2
Or U1=0, on déduit donc que : 𝐴𝑉 = − 𝑅1

On peut trouver ce résultat en considérant les courants I1 et I2.

On voit que la tension de sortie est en opposition de phase par rapport à la tension d’entrée.
𝑉𝑒
L’impédance d’entrée 𝑍𝑒 = = 𝑅1
𝐼𝑒

Montage inverseur avec circuit complexe :

Appliquons Millman au potentiel V1 :

𝑈𝑒 𝑉2
+
𝑉1 = 𝑅1 𝑅2
1 1
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1
Or V1=0, on déduit donc que : 𝑈𝑒 = − 𝑅2 𝑉2

On applique une 2ème fois Millman au potentiel V2 :

𝑉1 0 𝑈𝑠
+ + 𝑈𝑠 1
𝑉2 = 𝑅2 𝑅3 𝑅4 =
1 1 1 𝑅4 1 + 1 + 1
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 𝑅2 𝑅3 𝑅4
𝑅1 𝑅1 1 1
Donc : 𝑈𝑒 = − 𝑅2 𝑉2 = − 𝑅2 𝑅4 1 1 1 𝑈𝑠
+ +
𝑅2 𝑅3 𝑅4

𝟏 𝟏 𝟏
𝑹𝟐 𝑹𝟒 + +
𝑹𝟐 𝑹𝟑 𝑹𝟒
Alors : 𝑨𝑽 = −
𝑹𝟏

Montage suiveur :

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𝐴𝑉 = 1

Le rôle de circuit est de servir d’interface entre une source de signal et la charge.

Montage mélangeur (additionneur) :

Appliquons Millman au potentiel 𝑉 − :

𝑈1 𝑈2 𝑈𝑛 𝑈𝑠
+ + +
𝑉 = 𝑅1 𝑅2 𝑅𝑛 𝑅

1 1 1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝑛 + 𝑅
𝑼𝟏 𝑼𝟐 𝑼𝒏
Or 𝑉 − = 0 donc : 𝑼𝒔 = −𝑹 + +
𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝑹𝒏

Amplificateur de différence (soustracteur) :

𝑅3
Le diviseur de tension donne : 𝑉 − = 𝑈 = 𝑅3+𝑅4 𝑈2

𝑈 1 𝑈𝑠
+
Millman au potentiel 𝑉 − donne : 𝑉 − = 𝑅1 𝑅2
1 1
+
𝑅1 𝑅2

𝑈 1 𝑈𝑠
𝑅3 +
Donc : 𝑅3+𝑅4 𝑈2 = 𝑅1 𝑅2
1 1
+
𝑅1 𝑅2

𝑈𝑠 𝑅3 1 1 𝑈1
Alors : 𝑅2 = 𝑅3+𝑅4 + 𝑅2 𝑈2 − 𝑅1
𝑅1

𝑹𝟑 𝑹𝟐 𝟏 𝟏 𝑹𝟐
Enfin : 𝑼𝒔 = 𝑹𝟑+𝑹𝟒 + 𝑹𝟐 𝑼𝟐 − 𝑹𝟏 𝑼𝟏
𝑹𝟏

Si R1=R4 et R2=R3 on obtient :

𝑹𝟐
𝑼𝒔 = (𝑼𝟐 − 𝑼𝟏)
𝑹𝟏

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Chapitre 6 : Transistors bipolaires


Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des
transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur 2 jonctions PN, une en direct et une en inverse. La
polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) va
permettre de « commander » un courant beaucoup plus important. C'est le principe de l'amplification de
courant.

Le transistor a constitué une invention déterminante sans laquelle l’électronique et l’informatique ne


posséderait pas leurs formes actuelles.

Evolution du nombre de transistors dans les microprocesseurs Intel

 1971 : 4004 : 2 300 transistors


 1978 : 8086 : 29 000 transistors
 1982 : 80286 275 000 transistors
 1989 : 80486 : 1,16 million de transistors
 1993 : Pentium : 3,1 millions de transistors
 1995 : Pentium Pro : 5,5 millions de transistors
 1997 : Pentium II : 27 millions de transistors
 2001 : Pentium 4 : 42 millions de transistors
 2004 : Pentium Extreme Edition : 169 millions de transistors
 2006 : Core 2 Duo : 291 millions de transistors
 2006 : Core 2 Quad : 582 millions de transistors
 2007 : Dual-Core Itanium 2 : 1,7 milliards de transistors

Autre :

 2006 : G80 (Nvidia) : 681 millions de transistors


 2007 : POWER6 (IBM) : 291 millions de transistors
 2008 : RV770 (ATI) : 956 millions de transistors
 2008 : Sandisk 12 GB microSDHC : 50 milliards de transistors

Structure d’un transistor :

La juxtaposition de deux jonctions PN conduit au transistor dans lequel interviennent les deux types de
porteurs d’où l’appellation de transistor bipolaire.

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On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois électrodes d’un transistor bipolaire se nomment :
émetteur, base et collecteur.

Emetteur :

Il est fortement dopé afin d’être capable « d’émettre » aisément des porteurs et il est de dimension
moyenne.

Base :

Elle est légèrement dopée car elle se doit d’être résistive et sa dimension est mince.

Collecteur :

Il est moyennement dopé et de grande dimension car il a à supporter de grandes tensions en inverse et
c’est aussi lui qui a à dissiper la plus grande partie de la chaleur émise par le transistor.

Principe de fonctionnement (cas de transistor NPN) :

1/ Commutation :

Si on polarise les 2 jonctions BE et BC en inverse alors le transistor est bloqué. Aucun courant ne circule,
𝐼𝑐 = 0 et 𝐼𝑏 = 0

Si les 2 jonctions sont polarisés en directe alors le transistor est saturé. On aura un courant très important
entre E et B et entre C et B.

2/ Amplification (effet transistor) :

La jonction BE est polarisée en directe et la jonction BC est polarisée en inverse.

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La jonction BE étant passante les électrons libres de l’émetteur peuvent diffuser de E dans B.

La grande majorité de ces électrons peuvent atteindre et surpasser la jonction BC, ils sont collectés par le
champ intense E qui règne dans cette jonction.

Ces électrons arrivent dans C avec une vitesse importante donc une énergie cinétique importante, cette
énergie est transformé en chaleur dans C, d’où l’intérêt d’avoir un collecteur assez large.

NB : Pour le transistor PNP, le principe de fonctionnement reste le même sauf qu’il faut raisonner sur les
trous au lieu des électrons.

On a : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 + 𝐼𝑐

Généralement le courant de base est très faible, donc 𝐼𝑒 ≈ 𝐼𝑐

Plus Vce est grande plus le courant Ic est intense, car Vce=Vcb+Vbe ; et à une certaine tension Vce on
obtient : 𝐼𝑐 = 𝛽 𝐼𝑏 avec 𝛽 est le gain en courant. On dit que le transistor fonctionne en régime linéaire.

Résumé :

Pour le transistor NPN :

Si Vbe < 0.7V alors le transistor est bloqué

𝑉𝑏𝑒 ≈ 0.7𝑉
Si alors 𝐼𝑐 = 𝛽 𝐼𝑏
𝑉𝑐𝑒 > 1𝑉
Si Vce est très faible alors le transistor est saturé, il présentera alors entre le collecteur et l’émetteur une
résistance pratiquement nulle et le courant Ic tend vers la saturation.

Réseaux de caractéristiques :

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La courbe Ic=f(Vce) est paramétré par Ib, pour Ib=0 le transistor est bloqué.

Au-delà de 1v pour Vce, les caractéristiques deviennent des droites quasiment horizontales : donc tous les
porteurs injectés par l’émetteur sont collectés par le collecteur et Ic devient quasiment indépendant de
Vce.

La courbe Ic=f(Ib) représente le transfert en courant, elle est paramétrée par Vce.

La courbe Ib=f(Vbe) représente la caractéristique d’entrée, elle se confond avec la caractéristique d’une
diode à jonction.

Limitation des caractéristiques :

𝑃 = 𝑉𝑐𝑒 𝐼𝑐

Le constructeur donne un plafond à ne pas dépasser pour la puissance 𝑃𝑚 (Puissance maximal)

Egalement il affiche un courant et une tension maximale à ne pas dépasser 𝐼𝑐 𝑚𝑎𝑥 𝑒𝑡 𝑉𝑐𝑒 𝑚𝑎𝑥

𝑚 𝑃
𝑃 = 𝑉𝑐𝑒 𝐼𝑐 < 𝑃𝑚 donc 𝐼𝑐 < 𝑉𝑐𝑒

Le transistor en paramètres hybrides :

L’examen des caractéristiques du transistor montre qu’il existe des zones où son comportement est
pratiquement linéaire. On écrit donc :

𝑉𝑏𝑒 𝑕 𝑕12 𝐼𝑏
= 11
𝐼𝑐 𝑕21 𝑕22 𝑉𝑐𝑒

Interprétation des paramètres :


𝑽𝒃𝒆
𝒉𝟏𝟏 = à 𝑽𝒄𝒆 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 ∶ C’est la résistance d’entrée du transistor
𝑰𝒃

𝑉𝑏𝑒
On sait que BE est une jonction PN alors on peut écrire 𝐼𝑏 = 𝐼0 𝑒 26 𝑚𝑉 donc :
𝑉𝑏𝑒
ln 𝐼𝑏 = ln 𝐼0 + 26 𝑚𝑉 ce qui donne : 𝑉𝑏𝑒 = 26𝑚𝑉 ln 𝐼𝑏 − ln 𝐼0

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𝑑𝑉𝑏𝑒 1 𝛽
Alors : 𝑕11 = = 26𝑚𝑉 = 26𝑚𝑉
𝑑𝐼𝑏 𝐼𝑏 𝐼𝑐

𝑰𝒄
𝒉𝟐𝟏 = 𝑰𝒃 à 𝑽𝒄𝒆 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 ∶ C’est le gain en courant du transistor 𝛽.

𝑰𝒄
𝒉𝟐𝟐 = 𝑽𝒄𝒆 à 𝑰𝒃 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 ∶ C’est l’admittance de sortie du transistor, elle généralement faible et
correspond à la pente des caractéristiques de sortie.
𝑽𝒃𝒆
𝒉𝟏𝟐 = à 𝑰𝒃 = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 ∶ Ce paramètre étant voisin de 0 (typiquement 10−5 à 10−6 ) sera toujours
𝑽𝒄𝒆
négligé.

Schéma équivalent simplifié :

En utilisant les approximations appropriées, on retrouve ce schéma :

Montage Darlington :

Le transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou
tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces
deux transistors sont souvent intégrés dans un même boîtier. Le gain en courant du Darlington est égal au
produit des gains de chaque transistor.

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Ces deux transistors sont équivalents à un seul transistor T dont :

𝐼𝑐 = 𝐼𝑐1 + 𝐼𝑐2
𝐼𝑏 = 𝐼𝑏1
𝐼𝑒 = 𝐼𝑒2
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑒2
𝑉𝑐𝑏 = 𝑉𝑐𝑏 1
𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑏𝑒 1 + 𝑉𝑏𝑒 2

On a en effet : 𝐼𝑐 + 𝐼𝑏 = 𝐼𝑐1 + 𝐼𝑐2 + 𝐼𝑏1 = 𝐼𝑒1 + 𝐼𝑐2 = 𝐼𝑒2 = 𝐼𝑒

Et : 𝐼𝑐 = 𝐼𝑐1 + 𝐼𝑐2 = 𝛽1 𝐼𝑏1 + 𝛽2 𝐼𝑏2 = 𝛽1 𝐼𝑏 + 𝛽2 𝐼𝑐1 + 𝐼𝑏1 = 𝛽1 𝐼𝑏 + 𝛽2 𝛽1 𝐼𝑏 + 𝐼𝑏 = 𝛽1 + 𝛽2 + 𝛽2 𝛽1 𝐼𝑏

En posant 𝛽 = 𝛽1 + 𝛽2 + 𝛽2 𝛽1 on écrit : 𝑰𝒄 = 𝜷 𝑰𝒃
′ ′ ′ ′
En plus : 𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑏𝑒 1 + 𝑉𝑏𝑒 2 = 𝑕11 𝐼𝑏1 + 𝑕11 𝐼𝑏2 = 𝑕11 𝐼𝑏 + 𝑕11 𝛽1 𝐼𝑏 + 𝐼𝑏 = 𝑕11 + 𝑕11 + 𝛽1 𝑕11 𝐼𝑏
′ ′
En posant 𝐻11 = 𝑕11 + 𝑕11 + 𝛽1 𝑕11 on écrit : 𝑽𝒃𝒆 = 𝑯𝟏𝟏 𝑰𝒃

On déduit donc le schéma équivalent suivant :

Différent types d’amplificateurs :

Il existe 3 types d’amplificateurs :

i/ Amplificateur classe A : A base d’un seul transistor et traitant les deux alternances.

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ii/ Amplificateur classe A-B : C’est le classe A et suivie d’un étage collecteur commun pour avoir une
adaptation d’impédance.

Iii/ Amplificateur push-pull : Il génère en sa sortie une puissance assez importante, pour cela deux
transistors sont utilisés.

Polarisation du transistor :

Polariser un transistor c’est fixer son point de repos pour une application donnée. Ce point de repos est
représenté par 𝐼𝑏0 , 𝐼𝑐0 , 𝑉𝑏𝑒 0 , 𝑉𝑐𝑒0

Droite d’attaque et de charge statique :

𝑉𝑏𝑏 −𝑉𝑏𝑒
La loi des mailles donne 𝐼𝑏 = : c’est la droite d’attaque statique
𝑅𝑏

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𝑉𝑐𝑐 −𝑉𝑐𝑒
On trouve également 𝐼𝑐 = : c’est la droite de charge statique
𝑅𝑐

𝑉𝑐𝑐
On a une meilleur amplification pour 𝑉𝑐𝑒 = 2

Etude graphique :

On a 𝐼𝑏0 , 𝐼𝑐0 , 𝑉𝑏𝑒 0 , 𝑉𝑐𝑒0 sont les points de polarisation statique i.e pour Ve(t)=0

On a 𝑉𝑒 = 𝑉𝑚 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡 donc 𝑉𝑏𝑒 𝑡 = 𝑉𝑏𝑒 0 + 𝑉𝑏𝑒𝑚 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡

𝐼𝑐 𝑡 = 𝐼𝑐0 + 𝐼𝑐𝑚 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡


Et également : 𝐼𝑏 𝑡 = 𝐼𝑏0 + 𝐼𝑏𝑚 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡
𝑉𝑐𝑒 𝑡 = 𝑉𝑐𝑒0 + 𝑉𝑐𝑒𝑚 𝑆𝑖𝑛 𝜔𝑡

Le fonctionnement du transistor est composé d’une superposition d’un régime statique avec un autre
dynamique ceci peut être couplé par des condensateurs de liaisons pour les amplificateurs.

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Les différents montages de polarisation :

Montage émetteur commun :

Etude statique :

En régime statique les condensateurs se comportent généralement comme des circuits ouverts.

On applique Thévenin entre les points B et M :


𝑅2 𝑅1 𝑅2
Donc 𝐸𝑡𝑕 = 𝑅1+𝑅2 𝑉𝑐𝑐 et 𝑅𝑡𝑕 = 𝑅1//𝑅2 = 𝑅1+𝑅2

Donc le circuit est équivalent à :

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On déduit alors les équations statiques :

𝐸𝑡𝑕 − 𝑉𝑏𝑒
𝐼𝑏 =
𝑅𝑡𝑕
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 =
𝑅𝑐
Etude dynamique :

En régime dynamique les condensateurs se comportent comme des courts-circuits, et toutes les sources de
tensions continues seront court-circuités.

Ensuite, on remplace le transistor par son modèle équivalent :

𝑽𝒔
𝑨𝑽 = 𝑽𝒆

On a 𝑉𝑠 = −(𝑅𝐿 //𝑅𝐶 )𝛽 𝐼𝑏

Et 𝑉𝑒 = 𝑕11 𝐼𝑏 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏 = 𝑕11 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏
(𝑹𝑳 //𝑹𝑪 )𝜷
Donc 𝑨𝑽 = − 𝒉𝟏𝟏 +𝑹𝑬 𝟏+𝜷

𝑹
A circuit ouvert (pas de charge) on peut écrire 𝑨𝑽 ≈ − 𝑹𝑪
𝑬

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La résistance RE diminue certainement le gain en tension mais stabilise le 𝛽 contre les variations de
température.

Le cas où on n’a pas de résistance à l’émetteur (RE=0) on obtient :


𝑅𝐶 𝛽 𝛽 𝑅 𝑅
𝐴𝑉 = − or on a prouvé précédemment que 𝑕11 = 26𝑚𝑉 alors 𝐴𝑉 = − 26𝑚𝑉𝐶 /𝐼 = − 𝑟′𝐶 en posant
𝑕 11 𝐼𝑐 𝑐 𝑒
26𝑚𝑉
𝑟′𝑒 = 𝐼𝑐

𝑽𝒆
𝑹𝒆 = 𝑰𝒆

On a : 𝑉𝑒 = 𝑕11 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏

𝑒 𝑉 𝑕 11 +𝑅𝐸 1+𝛽 𝑅1//𝑅2 +𝑕 11 +𝑅𝐸 1+𝛽


Et : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 + (𝑅1//𝑅2) = 1+ 𝐼𝑏 = 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2 𝑅1//𝑅2

𝑅1//𝑅2 𝑕 11 +𝑅𝐸 1+𝛽


Donc 𝑹𝒆 = = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 // 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝑬 𝟏 + 𝜷
𝑅1//𝑅2 +𝑕 11 +𝑅𝐸 1+𝛽

𝑽𝒔
𝑹𝒔 = 𝑰𝒔

On a 𝑉𝑠 = −𝑅𝑐 𝐼𝑠 donc 𝑹𝒔 = −𝑹𝒄


𝑰𝒔
𝑨𝒊 = 𝑰𝒆

𝐼𝑠 𝐼𝑠 𝑉𝑠 𝑉𝑒 𝐴 𝑣 𝑅𝑒
𝐴𝑖 = 𝐼𝑒 = 𝑉𝑠 𝑉𝑒 =
𝐼𝑒 𝑅𝑠

Diagramme fonctionnelle de l’amplificateur :

𝑅𝑒 ∶ Impédance d’entrée

𝑅𝑠 ∶ Impédance de sortie

𝐺𝑣 ∶ Gain en tension à vide

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Montage collecteur commun :

Le montage équivalent en régime dynamique est :

𝑽𝒔
𝑨𝑽 = 𝑽𝒆

On a : 𝑉𝑠 = 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)𝐼𝑏

Et : 𝑉𝑒 = 𝑕11 𝐼𝑏 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏 = 𝑕11 + 𝑅𝐸 1 + 𝛽 𝐼𝑏
𝑹𝑬 (𝟏+𝜷)
Donc : 𝑨𝑽 = 𝒉 ≈𝟏
𝟏𝟏 +𝑹𝑬 𝟏+𝜷

𝑽𝒆
𝑹𝒆 = 𝑰𝒆

De même on trouve : 𝑹𝒆 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 // 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝑬 𝟏 + 𝜷

En notant 𝑍𝑏𝑎𝑠𝑒 = 𝛽 𝑅𝐸 on obtient : 𝑹𝒆 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 // 𝒁𝒃𝒂𝒔𝒆


𝜷
Dans le cas où 𝑅𝐸 = 0 on aura : 𝑹𝒆 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 // 𝒉𝟏𝟏 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 // 𝟐𝟔𝒎𝑽 𝑰𝒄

= 𝑹𝟏//𝑹𝟐 // 𝜷 𝒓′𝒆
𝑰𝒔
𝑨𝒊 = 𝑰𝒆

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On a : 𝐼𝑠 = (1 + 𝛽) 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2 +𝑕 11 +𝑅𝐸 1+𝛽
Et : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2

𝟏+𝜷 𝑹𝟏//𝑹𝟐
Alors : 𝑨𝒊 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 +𝒉𝟏𝟏 +𝑹𝑬 𝟏+𝜷

𝑽𝒔
𝑹𝒔 = = 𝑹𝑬
𝑰𝒔

Le montage collecteur commun est un adaptateur d’impédance.

Montage de polarisation d’un Darlington :

𝐶𝐸 ∶ Condensateur de découplage

On remplace tout le transistor Darlington par le modèle équivalent déjà démontré précédemment, on
retrouvera :

Avec :

𝛽 = 𝛽1 + 𝛽2 + 𝛽2 𝛽1
′ ′
𝐻11 = 𝑕11 + 𝑕11 + 𝛽1 𝑕11

𝛽1 , 𝑕11 𝑐𝑎𝑟𝑎𝑐𝑡é𝑟𝑖𝑠𝑒𝑛𝑡 𝑙𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝑇1 𝑒𝑡 𝛽2 , 𝑕′11 𝑐𝑎𝑟𝑎𝑐𝑡é𝑟𝑖𝑠𝑒𝑛𝑡 𝑙𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝑇2

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D’après les résultats qu’on a trouvé pour un transistor de classe A, on déduit :

𝑹𝑪 𝜷 𝑹 𝑪 𝜷𝟏 + 𝜷𝟐 + 𝜷𝟐 𝜷𝟏 𝑹𝑪 𝜷𝟐
𝑨𝑽 = − =− ′ ′ ≈− ′
𝑯𝟏𝟏 𝒉𝟏𝟏 + 𝒉𝟏𝟏 + 𝜷𝟏 𝒉𝟏𝟏 𝒉𝟏𝟏
𝑰
𝑨𝒊 = 𝑰𝒔
𝒆

On a : 𝐼𝑠 = 𝛽 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2 +𝐻11
Et : 𝐼𝑒 = 𝐼𝑏
𝑅1//𝑅2

𝑹𝟏//𝑹𝟐 𝜷
Alors : 𝑨𝒊 = 𝑹𝟏//𝑹𝟐 +𝑯𝟏𝟏

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Chapitre 7 : Transistors à effet de champ


Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur de la
famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la
conductivité d'un « canal » dans un matériau semi-conducteur.

Structure :

La construction d’un transistor à effet de champ de type N consiste en un barreau de semi-conducteur de


type N étranglé par un une région de type P.

La largeur du canal N est importante car c’est elle qui détermine le courant traversant le JFET (Junction
Field Effect Transistor)

Ce composant existe aussi avec le canal P. dans ce cas, les autre zones sont de types N.

Les symboles des ces deux modèles de transistor à effet de champ sont :

Principe de fonctionnement :

En fonctionnement normal, la jonction grille-canal est polarisée en inverse : le courant d’entrée IG est très
faible, et les courants drain et sources sont identiques.

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Le champ électrique produit par VGS produit un étranglement de canal en repoussant les porteurs de
charge vers son centre (les zones de déplétion s’élargissent). Il s’ensuit une diminution du courant de drain
ID.

A partir d’une certaine tension VGS, appelée tension de blocage (VGS off), le canal se ferme complètement, le
courant Id s’annule, le transistor est bloqué.

Donc le transistor à effet de champ permet la commande d’un courant I D par une tension VGS.

Réseau de caractéristiques (cas du canal N) :

Puisque le courant de grille IG est nulle, il n’y a pas de caractéristique d’entrée.

Caractéristique de transfert Id=f(Ugs) :

Cette une courbe paramétré par Uds, on appelle transconductance du transistor :

∆𝐼𝑑
𝑆= 𝑈𝑛𝑖𝑡é ∶ 𝑆𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠 𝑆
∆𝑈𝑔𝑠

L’équation de la courbe est donnée par :


𝟐
𝑼𝑮𝑺
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏−
𝑼𝑮𝑺 𝒐𝒇𝒇

𝑑𝐼𝑑 2 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑈𝐺𝑆 𝟐 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝑼𝑮𝑺


Donc 𝑆 = 𝑑𝑈𝑔𝑠 = − 𝑈 1−𝑈 =𝑼 −𝟏
𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓 𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓 𝑮𝑺 𝒐𝒇𝒇 𝑼𝑮𝑺 𝒐𝒇𝒇

Caractéristique de sortie Id=f(Uds) :

Cette une courbe paramétré par Ugs, elle comporte 4 zones :

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Zone résistive (ohmique) :

Pour les faibles valeurs de Uds, le courant Id est proportionnel à la tension Uds. Dans cette zone le dipôle
Drain-Source du transistor est équivalent à une résistance, dont la valeur varie en fonction de Ugs.

Zone du coude :

La largeur de la zone de déplétion est également influencée par la tension entre le drain et la source : du
côté de la source sa largeur est e1 (dû à la tension Ugs), et du côté du drain sa largeur est e2 (dû à la
tension Uds).

Zone de saturation :

Au-delà d’une certaine valeur de UDS appelée tension de pincement UP, la caractéristique est une droite
parallèle à l’axe horizontal. Dans cette zone, le courant ID est constant, quelle que soit la valeur de UDS. Le
courant ne dépend que de UGS.

La valeur maximum de ID pour UGS=0 est noté IDSS

Zone d’avalanche (claquage) :

Le calquage survient lorsque ID commence à augmenter très rapidement pour une augmentation de UDS. Le
claquage pourrait avoir des conséquences irréversibles pour le transistor

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Polarisation d’un JFET :

Polarisation simple :

Les équations statiques :

𝑉𝐺𝑆 = −𝑈𝐺𝐺
𝑈𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 =
𝑅𝐷
2
𝑉𝐺𝑆
Avec 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉
𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓

Polarisation automatique :

Le courant IG étant nul, on obtient donc les équations statiques suivantes :

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𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝑆 𝐼𝐷
𝑈𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 =
𝑅𝐷
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓

La résolution de ce système d’équations permettra de déterminer le point de fonctionnement

Schéma équivalent d’un JFET :

L’examen des caractéristiques d’un JFET polarisé dans la zone de saturation montre que les équations qui
régissent le fonctionnement sont :

En entrée : 𝐼𝐺 = 0
1
En sortie : 𝐼𝐷 = 𝑆 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐷𝑆
𝜌

Avec 𝜌 est une résistance très élevée

On trace donc le schéma équivalent d’un transistor à effet de champ :

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Les sources utilisées pour la construction de ce document

Livre Fondement d'électronique de Thomas L. Floyd

Site web du Laboratoire LSI-Ecole polytechnique fédérale de Lausanne

Site web de l’Université du Maine

Wikipédia

Site web : positron-libre.com

F5ZV Web site

Site web de l’Académie de limoges

Site Web : c.divoux.free.fr

Site Web : crteknologies.free.fr

Site Web : Bedwani.ch R&D

Daniel Robert Web site

Site web du l’EPFL Electronics Labs

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