Institut privé Polytechnique des Sciences

Avancées de Sfax

Pour la discipline Génie Energétique

(Niveau : 1ére année)

Préparé par : Imen BARRAJ

2014/2015
PLAN DU COURS

Chapitre 1 : Le transistor à jonction bipolaire

Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires : Petits signaux,

Basse fréquence

2
 CHAPITRE Le transistor
O
1 bipolaire à jonction

TABLE DES MATIERES

1. Introduction ....................................................................................................... 4
2. Effet transistor................................................................................................... 5
3. Courants électriques ......................................................................................... 6
4. Caractéristiques Statique des Transistors Bipolaires ........................................ 7
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire à jonction

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À JONCTION

1. INTRODUCTION

Le transistor bipolaire à jonction (ou BJT, pour « Bipolar Junction Transistor ») est un
composant électronique actif, constitué de deux jonctions P.N montées en tête bêche. Il est
constitué donc par un cristal semi-conducteur (germanium (Ge) ou silicium (Si)) comportant
trois zones dopées différemment de façon à former :

- Soit deux zones N séparées par une zone P : c’est le transistor NPN
- Soit deux zones P séparées par une zone N : c’est le transistor PNP

Figure 1.1. Structure et symboles des transistors NPN et PNP

Pour qu’il puisse fonctionner il faut que :

- La zone intermédiaire soit très mince : on l’appelle la base (B)
- L’une des deux zones extrêmes soit fortement dopée : on l’appelle l’émetteur (E)
- L’autre zone extrême soit faiblement dopée : on l’appelle le collecteur (C)

4
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire à jonction

La figure ci-dessous montre les structures et les symboles des transistors NPN et PNP. La flèche
sur l’émetteur indique le sens du courant et permet de connaitre le type de transistor. Elle est
orientée de la région P vers la région N.

2. EFFET TRANSISTOR

On prend le transistor NPN comme exemple.

Figure 1.2. Principe de l'effet transistor

En fonctionnement normal direct, un transistor bipolaire s'utilise de telle façon que :

- La jonction base-émetteur soit polarisée en direct (conductrice)
- La jonction base-collecteur soit polarisée en inverse (bloquée).

Processus principaux :

- La jonction BE, polarisée en direct, injecte des électrons de l’émetteur vers la base.
- Les électrons injectés diffusent dans la base, où ils sont minoritaires. Quelques-uns de
ces électrons subissent des recombinaisons avec les trous, majoritaires dans la base.
- Les électrons qui ont traversé la base sans avoir subi de recombinaison parviennent à la
jonction BC, polarisée en inverse. Le champ électrique qui y règne les entraîne vers le
collecteur : il en résulte, sous l'effet d'avalanche, un important courant de collecteur, Ic.
C'est ce qu'on appelle l'effet transistor.

Pour un transistor NPN, les électrons majoritaires de l'émetteur diffusent à travers la base et
atteignent le collecteur et pour le transistor PNP les trous majoritaires de l'émetteur diffusent à
travers la base et atteignent le collecteur.

5
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire à jonction

3. COURANTS ELECTRIQUES

La relation générale entre les courants du transistor bipolaire est :

= +

Deux gains en courant caractérisent la qualité d’un transistor. Le premier, appelé rapport de
transfert du courant ou gain alpha (ou encore gain en courant en configuration de base
commune), est donné par l’expression :

=α

= 1−α

Avec α ≈ 1 L’écart par rapport à l’unité est une mesure de l’importance de l’effet
transistor.
En effet, le bon fonctionnement du transistor requiert deux conditions :

- Les électrons subissent peu de recombinaisons dans la base

- L’injection de trous dans l’émetteur est négligeable, ce qui se traduit par un facteur
proche de l’unité.
Par conséquent, un transistor correctement dimensionné comporte une base qui est faiblement
dopée par rapport à l’émetteur (cela a le double avantage de rapprocher de l’unité et de diminuer
le taux des recombinaisons dans la base).
Le deuxième gain en courant est le rapport d’amplification de courant entre base et collecteur
ou gain bêta (ou encore gain en courant en configuration d’émetteur commun). Il s’écrit :

=β

Avec :

=
1−

Ainsi, comme α ≃ 1, le gain β est un nombre très grand devant l’unité.

Pour un transistor de faible puissance (inferieure au watt), on rencontre typiquement des valeurs
de β ≥ 100, ce qui correspond à α ≥ 0.99. Pour un transistor de haute puissance (supérieure au
watt), on a β ∈ [20, 100] et α ∈ [0.95 ; 0.99].

Calcul rigoureux :

6
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire à jonction

On devrait donc avoir la relation =α , mais lorsque IE = 0 (émetteur en l'air) il existe un

petit courant collecteur ICB0 qui est le courant inverse de la jonction collecteur base donc :

=α +

On devrait donc avoir la relation =β , mais lorque IB = 0 (base en l'air) il existe un petit
courant collecteur ICE0 qui est le courant de fuite entre le collecteur et l'émetteur donc :

=β +

On a : = + , ce qui donne : =α + +

1− =α + = +

=β + +1 et = +1

4. CARACTERISTIQUES STATIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

Afin d'étudier la mode de fonctionnement du transistor, on utilise un montage émetteur

commun. Le schéma est donné par la figure suivante :

Figure 1.3. Montage émetteur commun

VBB et VCC sont des sources de tension continue variables

7
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire à jonction

Dans ce montage, la base est polarisée par la résistance désignée RB. Le potentiel de la base est
d'environ 0,7 V, car l'émetteur est à la masse et la jonction base-émetteur équivaut à une diode
passante.

Le collecteur est polarisé par la résistance désignée RC, de telle manière que la tension du
collecteur soit supérieure à la tension de la base (VCE > VBE) la jonction base-collecteur est
alors polarisée en inverse.

Figure 1. 4. Caractéristique statique d’un transistor bipolaire

Caractéristiques à IB constant : Si, pour différentes valeurs du courant IB (fixé par VBB et
RB) on représente les variations du courant IC et de la tension VBE en fonction de VCE, on
obtient les deux réseaux de caractéristiques dont l'allure est représentée dans les premiers et
quatrièmes quadrants de la figure ci-dessus.
• Pour un courant IB >0 et des tensions VCE de quelques dixièmes de volts :
- La jonction B-E est polarisée en directe.
- Pour une valeur donnée de IB, on a IC < β IB (le courant IC n’est pas proportionnel à IB).
On est dans la zone de saturation

8
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire à jonction

• Pour un courant IB > 0 et des tensions VCE supérieure à des dixièmes de volts :
- La jonction B-E est polarisée en directe (VBE = 0.6 à 0.7V pour le silicium), et la jonction
B-C est polarisée en inverse.
- Dans ce cas, pour une valeur fixe de IB, le courant IC est indépendant de VCE et
pratiquement constant : IC = β.IB
On est dans la zone de fonctionnement linéaire

Le basculement entre le fonctionnement en régime de saturation et en régime linéaire se produit

à la tension de saturation VCEsat .
• Pour un courant IB = 0, IC = 0 (la région des faibles courants IB et IC.)
- La tension VBE est inférieure à 0.7V, la jonction B-E est bloquée.
On est dans la zone de blocage

Caractéristiques à VCE constant : La tension VCE étant constante, nous donnons à IB (pris
comme variable) une suite de valeurs pour lesquelles nous relevons Ic et VBE. On obtient les
deux réseaux de caractéristiques dont l'allure est représentée dans les deuxièmes et
troisièmes quadrants.
- La tension VCE influe peu sur la caractéristique IB = f(VBE).
- IB = f(VBE) ≡ caractéristique de la jonction PN
- Les caractéristiques IC = f(IB) sont des droites passant pratiquement par l'origine. On
retrouve bien la relation IC = β.IB caractéristique du fonctionnement linéaire.

La table ci-dessous résume les différents régimes de fonctionnement du transistor Bipolaire à

jonction.

Mode de Polarisation de la jonction B-E Polarisation de la jonction B-C

fonctionnement
Linéaire Directe Inverse
Saturation Directe Directe
Blocage Inverse Inverse

9
 CHAPITRE Polarisation du
2 transistor bipolaire

TABLE DES MATIERES

1. Introduction ....................................................................................................... 11
2. Polarisation par résistance de base .................................................................. 11
3. Polarisation par pont de résistances sur la base .............................................. 13
4. Polarisation par résistance d'émetteur .............................................................. 15
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

POLARISATION DU TRANSISTOR
BIPOLAIRE

1. INTRODUCTION

La polarisation permet de fixer le point de repos du transistor P0 (IC0, IB0, VBE0, VCE0) (point de
fonctionnement statique). Suivant les valeurs d’IC0, IB0, VBE0, VCE0, le transistor va fonctionner
en régime linéaire, bloqué ou saturé. Ces grandeurs vont être imposées par les éléments
extérieurs au transistor.

2. POLARISATION PAR RESISTANCE DE BASE

La figure 2.1 présente le schéma du circuit de polarisation par résistance de base.

Figure 2.1. Polarisation par résistance de base

Droite d’attaque statique-droite de charge statique

D'après la loi des mailles appliquée sur le circuit, nous avons :

11
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Equation de la maille d’entrée (maille 1) : = +

D’où :

= − ! ∶ É$%&'()* +, -& +.)(', +’&''&$%, 0'&'($%,

Ainsi, la droite d’attaque est exprimée par la relation =1

L’intersection de cette droite avec la caractéristique d’entrée du transistor donne le point
(VBE0, IB0)
Equation de la maille de sortie (maille 2) : = +

D’où :

= − ! ∶ É$%&'()* +, -& +.)(', +, 23&.4, 0'&'($%,

Ainsi, la droite de charge est exprimée par la relation =1 .

L’intersection de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor donne le point
(VCE0, IC0)

On a : = β d’où :
−
= 5 6

12
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Figure 2.2. Détermination du point de fonctionnement statique

Sur la caractéristique IC = f(VCE) du transistor, on trace la droite de charge statique.

Le point d'intersection entre la droite de charge statique et les caractéristiques du transistor nous
donne le point de fonctionnement P0, P1 ou P2 du montage ou point de polarisation.
Ce sont les éléments extérieurs au transistor qui vont fixer ce point de fonctionnement :
Si le point de fonctionnement est en P0 alors le transistor fonctionne dans la zone
linéaire.
Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor est bloqué.
Si le point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est saturé.

3. POLARISATION PAR PONT DE RESISTANCES SUR LA BASE

La figure 2.2 présente le schéma du circuit de polarisation par résistance de base.

Figure 2.3. Polarisation par pont des résistances sur la base

On applique the théorème de Thévenin entre les ponts A et B, le montage équivalent est le
suivant :

13
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Avec :

7
=
+ 7

= // 7

La droite de charge statique est donnée par :

1
= −

La droite d’attaque est donnée par :

1
= −

Typiquement, pour un transistor au silicium, β passe de 55 à 25°C à 100 à 175°C.

La tension VBE diminue d'environ 2,2 mV par °C. Ainsi, la température peut jouer sur la stabilité
du montage à transistor.

Dans notre cas, on voit que si β varie (changement de transistor ou variation due à la
température), alors le courant IC varie fortement (IC = β.IB), ce qui déplace le point de
fonctionnement. Ce montage et le montage précèdent ne sont donc pas très stable : ils dépendent
énormément de la température de fonctionnement !

Figure 2.4. Caractéristique iC − VBE et effets de la température

14
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Exemple :

Données :

à T= 25°C on a β = 100 et VBE = 0.7V

à T= 75°C on a β = 150 et VBE = 0.6V
Rc = 0.56 KΩ
RB = 100 KΩ

- Variation relative de β :

∆ >?° − 7?°
= = 50%
25°= 7?°

D’où

∆ 150 − 100
= = 50%
25°= 100

On a
−
= 5 6

Et

= −

Pour T= 25°C : Ic = 11.3mA et VCE = 5.7V

Pour T= 25°C : Ic = 17.1mA et VCE = 2.4V

∆ ∆
= 51% BC = −57%
25°= 25°=

Pour le fonctionnement linéaire, nous allons utiliser un autre montage qui permettra d'obtenir
un point de fonctionnement indépendant du β du transistor et donc indépendant de la
température.

4. POLARISATION PAR RESISTANCE D'EMETTEUR

La figure 2.5 présente le schéma du circuit de polarisation par résistance de base.

15
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Figure 2.5. Polarisation résistance d’émetteur

Equation de la maille d’entrée (maille 1) :

= + +

Or : = + = 1+ = + + 1+

D’où la droite d’attaque est donnée par :

1
= −
+ +1 + +1

Equation de la maille de sortie (maille 2) : = + +

On a ≈

D’où la droite de charge statique est donnée par :

1
= −
+ +

Si β augmente, alors IC augmente. Ceci provoque l'augmentation du potentiel d'émetteur VE =

RE.IC. Or Vcc - VBE - VE = RB.IB On a alors la tension RB.IB qui diminue et donc IB diminue, ce
qui provoque la diminution de IC : RE permet alors de contrebalancer partiellement
l'augmentation de β.

Indépendance de la variation de la température :

EF
On a : = + + = + + ≈ BC =
G

16
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

−
=
+

IJ −
Si ≫ , alors : ≈ , qui est indépendant de β.
G

Exemple :

Données :

à T= 25°C on a β = 100 et VBE = 0.7V

à T= 75°C on a β = 150 et VBE = 0.6V
R1 = 110 KΩ, R2 = 10 KΩ, RC = 10 KΩ, RE = 1 KΩ
Vcc=20V

LM = // 7 → LM = 9.17 QΩ
7
LM = → LM = 1.67
+ 7

On a
LM −
= 5 6
LM + 1 +

Et

1+
= − 5 +5 6 6

Pour T= 25°C : Ic = 0.88mA et VCE = 10.3V

Pour T= 25°C : Ic = 1mA et VCE = 9V

∆ ∆
= 14% BC = −13%
25°= 25°=

17
CHAPITRE Amplificateurs à transistors
bipolaires : Petits signaux,
3 Basse fréquence

TABLE DES MATIERES

1. Introduction ..................................................................................................................19
2. Régime dynamique : approche graphique ....................................................................19
3. Modèle équivalent du transistor en dynamique petits signaux: paramètres hybrides ....21
3.1. paramètres hybrides ...........................................................................................21
3.2. Modélisation du transistor : modèle hybride ........................................................22
4. Montages amplificateur de tension ...............................................................................23
4.1. Montage émetteur commun ................................................................................24
4.2. Montage base commune ....................................................................................27
4.3. Montage collecteur commun ...............................................................................29

18
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS
BIPOLAIRES : PETITS SIGNAUX,
BASSE FREQUENCE

1. INTRODUCTION

Le régime alternatif représente le régime dynamique qui va être superposé au régime statique
(polarisation). L’objectif recherché est la fonction amplification.
Amplifier un signal : c’est augmenter son amplitude sans toucher à sa forme (linéaire). Pour
garantir une fonction linéaire de l’amplification, on se place dans des conditions du régime
petit signaux. Le point de fonctionnement se trouve dans la zone dite linéaire.
Petits signaux : les signaux sont de faible amplitude autour du point de fonctionnement de
manière à ce que le transistor travaille toujours en régime linéaire (il n’est ni bloqué, ni
saturé).

2. REGIME DYNAMIQUE : APPROCHE GRAPHIQUE

Soit le montage amplificateur à liaison capacitive :

Les condensateurs C1 et C2 sont des condensateurs dits de liaison. Ils évitent que les courants
continus de polarisation circulent éventuellement dans les parties qui précèdent ou suivent
l’amplificateur. Ils sont choisis de façon à ce que :
• Leur impédance soit très faible à la fréquence de travail (en régime dynamique) : on les
assimile alors à des court-circuit.

19
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

• En continu, ils ont une très grande impédance : on les assimile alors à des circuits
ouverts.
Ces condensateurs n’affectent donc pas le point de fonctionnement statique (point de
polarisation).
RL : résistance d’entrée de l’étage suivant

Le transistor va donc pouvoir être modélisé par un système linéaire dans ce cas bien précis, et
on peut parler de superposition de deux régimes :
• Un régime continu qui sert à fixer le point de polarisation Po du montage.
• Un régime sinusoïdal (petits signaux) qui représente le signal utile à amplifier.
On peut donc en déduire les deux circuits équivalents suivant :

Le schéma équivalent en dynamique est valable au voisinage du point de fonctionnement est le

suivant :

C = V C

W C =− // X Y C

Y C = −I W C : Equation de la droite de charge en dynamique

Z //I[

20
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Etude de l’amplificateur : cas où Ve(t) est une tension sinusoïdale. Graphiquement, on

obtient :

3. MODELE EQUIVALENT DU TRANSISTOR EN DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX:

PARAMETRES HYBRIDES

En régime alternatif petits signaux autour du point de fonctionnement Po, le transistor peut être
vu comme un quadripôle actif. On va donc établir un schéma équivalent petits signaux. Ainsi,
on utilisera les lois générales des circuits électriques plutôt que d’utiliser un raisonnement
graphique qui peut être assez lourd.
Pour modéliser le transistor en petits signaux basse fréquence, nous utiliserons les paramètres
hybrides (paramètres « h »), modèle le plus utilisé.

3.1. PARAMETRES HYBRIDES

21
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Lorsque les grandeurs caractéristiques choisies sont la tension d’entrée V1 et le courant de sortie
i2, les paramètres qui les lient au courant d’entrée i1 et à la tension de sortie V2 sont appelés
paramètres hybrides et sont notés hij.
Nous avons :
V1 = h11.i1 + h12.V2
i2 = h21.i1 + h22.V2

Le terme « hybride » vient du fait que les paramètres hij ne possèdent pas tous la même
dimension. Ces paramètres « h » sont bien adaptés à la description des transistors bipolaires
fonctionnant à faible fréquence et dans l’approximation des faibles signaux.

3.2. MODELISATION DU TRANSISTOR : MODELE HYBRIDE

Le schéma équivalent est établi pour le montage émetteur commun, c’est à dire que c’est l’émetteur qui
est la référence commune.

≡
Y ≡Y

7 ≡
Y7 ≡ Y

D’où : VBE = h11.iB + h12.VCE

IC = h21.iB + h22.VCE

Ces relations conduisent au schéma équivalent suivant :

22
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Signification des paramètres hybrides :

]
• ℎ = 5 6
]Y ^ : C’est la pente de la caractéristique VBE = f(IB)
F_`Zabc, de

h11 est de l’ordre du kilo ohm

]
• ℎ 7 = 5
]
6 : C’est la pente de la caractéristique VBE = f(VCE) ;
fJ`Zabc, de

h12 est de l’ordre de 10-4 à 10-5. On pourra donc considérer que h12
est nul.

]Y
• ℎ7 = 5]Y 6 = : C’est la pente de la caractéristique IC = f(IB)
^ F_`Zabc, de
qui est sensiblement une droite d’équation IC = β.IB

]
• ℎ77 = 5 ]Y 6 : Si les caractéristiques IC = f(VCE) sont bien
f J`Zabc, de
horizontales, alors h22 = 0.

Ainsi, plus h22 est faible, meilleur est le transistor. En réalité h22 est de l’ordre de 10-5 s. On a donc 1/h22
qui est très élevé.

23
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Schéma simplifié du transistor en dynamique : Le schéma équivalent du transistor en petits signaux

en basse fréquence que nous utiliserons sera donc:

ℎ 7≈0
ℎ77 ≈ 0

4. MONTAGES AMPLIFICATEUR DE TENSION

On distingue trois montages de base :

• Emetteur commun
• Collecteur commun
• Base commune
L’étude de l’amplificateur consiste à déterminer :
• L’impédance d’entrée
• L’impédance de sortie
• Le gain en tension
• Le gain en courant

4.1. MONTAGE EMETTEUR COMMUN

Pour ce montage, le signal d’entrée est appliqué sur la base du transistor alors que la sortie est prise sur
le collecteur, l’émetteur reste commun aux mailles d’entrée et de sortie comme le montre la figure ci-
dessous.

24
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Schéma électrique équivalent :

is

ie Rg

RE RL Vs
eg R1//R2
Ve

Schéma équivalent en dynamique

Impédance d’entrée : (Impédance vue du générateur)

V
g = = // 7 //ℎ
YV

En général, RB est très grande devant h11. On a donc Ze ≈ h11 qui est de l’ordre du kilo Ohm.
L’impédance d’entrée du montage émetteur commun est relativement faible (Moyenne).

Impédance de sortie : (Impédance vue de la charge)

Pour déterminer l’impédance de sortie, on doit court-circuter toutes les sources de tensions, débrancher
la charge et la remplacer par une source idéale V0 qui débite dans le reste du circuit un courant i0,
l’impédance de sorte Zs est donnée par la relation qui suit :

gW =
Y

25
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Le schéma équivalent devient :

On a : Ve = 0 ib =0 , d’où
gW =
Zs est de l’ordre du kilo ohm. L’impédance de sortie du montage est relativement élevée.

Gain en tension

Le gain en tension est définit par la relation :

W
hi =
V

On a :

W = − // X ℎ7 Yj

V = ℎ Yj
ℎ7
hi = − // X
ℎ

Le gain est négatif. Le montage émetteur commun est un amplificateur inverseur.

|lm | > L’amplificateur a donc un fort gain en tension.

Gain en courant

Le gain en tension est définit par la relation :

YW
hf =
YV

On a :

YW YW W V 1
hf = = = − hi gV
YV W V YV X

26
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

ℎ21
→ hf = = // o // 7 //ℎ
o ℎ11

|lp | > Amplification en courant

Le montage émetteur commun (le plus utilisé) permet une amplification en courant et en tension

4.2. MONTAGE BASE COMMUNE

Dans ce montage, le signal d’entrée est appliqué sur l’émetteur du transistor alors que la sortie est prise
sur le collecteur, la base reste commune aux mailles d’entrée et de sortie.

Schéma électrique équivalent

RB = R1//R2 est parfaitement découplée par CB.

Schéma équivalent en dynamique

27
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Impédance d’entrée

On a :

V
g = //
Yq

V = −ℎ Yj V ℎ11
=
Yq ℎ21 + 1
Yq = −ℎ7 Yj − Yj = − 1 + ℎ7 Yj

ℎ11
g = //
ℎ21 + 1

L’impédance d’entrée est de l’ordre d’une dizaine d’ohms. L’impédance d’entrée du montage base
commune est donc relativement faible.

Impédance de sortie

Le schéma équivalent devient (on applique Thevenin):

gW = = //
Y Y

D’après le schéma on a : i1 = h21 ib

D’après la loi des mailles on a :

ℎ Yj = −r // st ℎ7 + 1 Yj uℎ +r // st ℎ7 + 1 vYj = 0

Yj = 0
gW =

28
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Zs est de l’ordre du kilo Ohm. L’impédance de sortie du montage peut donc être relativement élevée.

Gain en tension

D’après le schéma équivalent, on a :

W = − // X ℎ7 Yj

V = − ℎ Yj
ℎ7
hi = // X
ℎ

Le gain est positif. Le montage base commune est un amplificateur non inverseur.

|lm | > Amplification en tension.

Gain en courant

On a :

YW YW W V ℎ21 ℎ11
hf = = = − = // o
YV W V YV o ℎ11 ℎ21 + 1
// X
hf = −
w

|lp | < Pas d’amplification en courant

Le montage base commun permet une amplification en tension et n’amplifie pas en courant, mais
présente une faible impédance d’entrée. Son utilisation se limite à l’emploi en haute fréquence.

4.3. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN

Dans ce montage, le signal d’entrée est appliqué sur la base du transistor mais la sortie est prise
de l’émetteur alors que le collecteur reste commun aux deux mailles d’entrée et de sortie.

29
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

Schéma électrique équivalent

Schéma équivalent en dynamique

Impédance d’entrée
V V
g = = // 7 //
YV Yj
On a :

V = // X ℎ7 + 1 Yj + ℎ Yj = y // X ℎ7 + 1 + ℎ zYj

V
= // X ℎ21 + 1 + ℎ11
Yj

g = // 7 //yℎ11 + // X ℎ21 + 1 z

L’impédance d’entrée du montage est de l’ordre de plusieurs centaines de KW. Le collecteur

commun a donc une très forte impédance d’entrée.

Impédance de sortie
Le schéma équivalent devient :

30
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

gW = = //
Y Y

D’après le schéma on a :

Y = ℎ7 + 1 Yj
r { // 1 // 2 t + ℎ11
=
= − |r Y ℎ21 + 1
s // // 7t + ℎ } Yj

ℎ11 + r { // 1 // 2 t
gW = //
ℎ21 + 1

L’impédance de sortie du montage est très faible.

Gain en tension

On a :

W = − // X ℎ7 + 1 Yj

W ℎ
V = W + ℎ Yj V = W +ℎ V = 51 + 6 W
// X ℎ7 + 1 // X ℎ7 + 1

ℎ
hi = 51 + 6
// X ℎ7 + 1

|lm | ≈ Le gain est égal à l’unité. Le montage collecteur commun est tel que
Vs = Ve (pas d’amplification en tension).

Gain en courant

On a :
1 ℎ21 + 1 ~ // o
hf = − 1 // 2 //rℎ11 + ℎ21 + 1 ~ // o t
o ℎ11 + ℎ21 + 1 ~ // o

h11<<1

31
Chapitre 3 : Amplificateurs à transistors bipolaires

// 7
hf =
o

RL est faible |lp | > Amplification en courant

Le montage collecteur commun est un suiveur

Le montage collecteur commun amplifie en courant et n’amplifie pas en tension, présente

une très grande impédance d’entrée et une très faible impédance de sortie, d’où son emploi
fréquent en étage adaptateur en tension.

32