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Abdellah AOUAJ
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Table de matière
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CHAPITRE I
LES QUADRIPÔLES
3
I/ Définition
Un quadripôle est un système à quatre bornes (deux à l'entrée et deux à la sortie) dans lequel des courants électriques
peuvent circuler.
On s'intéresse exclusivement aux quadripôles linéaires, classe de multipôles la plus souvent rencontrée. Les valeurs des
éléments qui le composent sont constantes (éléments passifs, sources autonomes, coefficients des sources commandées)
c'est-à-dire indépendantes des tensions ou courants qui leur sont appliqués. (Pas de saturation)
On distingue deux types de quadripôles :
- Quadripôle passif : Il ne comporte pas de source d'énergie, il ne contient que des composants passifs (Ex: R, L, C …).
- Quadripôle actif : En plus des composants passifs il contient des éléments source d'énergie.
Une convention de signe est nécessaire pour normaliser les calculs indépendamment des sens des tensions et courants.
Trois conventions de signe sont rencontrées :
i1 i2 i1 i2 i1 i2
v1 Q v2 v1 Q v2 v1 Q v2
Exemple: Circuit RC
i1
R
v 1
v1 C Ze = 1 = R // Z L
i1 jC
Exemple: Circuit RC Zs R Zg //
1
jC
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Expérimentalement pour déterminer Zs, on peut aussi exciter par la sortie avec un générateur externe e d'impédance
interne Zg (eg = 0 : entrée en court-circuit).
v
- Impédance d'entrée à sortie ouverte (ZL infinie): Ze = 1
i1 i 2 0
v
- Impédance d'entrée à sortie en court-circuit (ZL = 0): Z e cc = 1
i1 v2 0
- Impédance de sortie à entrée ouverte (excitée par une source de courant (idéale): Zg infinie):
v v
Zs = 2 = 2
2 eg 0, Zg i 2 i1 0
i
- Impédance de sortie à entrée en court-circuit (excitée par une source de tension (idéale): Zg = 0):
v
Zs cc = 2
i 2 eg 0, Zg 0
II-3/ Paramètres
La structure quadripôle peut être mise en équations reliant les courants et les tensions d'entrée (I1,V1) et de sortie (I2,V2)
ou sous forme électrique c'est le schéma équivalent.
Exemple avec la matrice impédance [z], on a:
le schéma électrique (équivalent aux équations)
I1 z11 z22 I2
V1 = z11I1 z12 I2
V2 = z 21I1 z 22 I2
z z12 V1 z12I2 z21I1 V2
La matrice impédance : z 11
z21 z22
Le quadripôle est ainsi modélisé par deux dipôles couplés. Ce couplage se traduit par l'intermédiaire des générateurs: Les
grandeurs V1, I1, V2 et I2 sont liées par des relations linéaires (Quadripôle linéaire). Il existe 6 possibilités d'exprimer deux
de ces grandeurs en fonction des deux autres:
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Hybride V1 = h11I1 h12 V2 V h11h22 - h12h21
h11 = 1 etc… et
I2 = h 21I1 h 22 V2 I1 V2 =0 h12 = -h21 h12 = - h21
Remarque:
Le modèle paramétrique obtenu avec les impédances d'entrée et de sortie n'est pas à confondre avec celui fourni par la
matrice impédance (on n'a pas Ze ≡ z11):
- Matrice Hybride:
V V I I
h11 = 1 impédance, h12 = 1 Gain en tension -1 , h21 = 2 Gain en courant, h 22 = 2 Admittance
V2 0
I1 V2 I1 0 V2 0
I1 V2 I1 0
h h12
La matrice hybride : h 11 V1 h12I2 h21V1 h22 V2
h 21 h 22
6
- Matrice Hybride inverse:
I I V2 V
g11 = 1 Admittance, g12 = 1 Gain en courant -1 , g21 = Gain en tension, g 22 = 2 Impédance
V1 I2 0 I2 V1 0 V1 I2 0 I2 V1 0
- etc…
V 1 V 1 V 1 V 1
z11 = 1 =R+ z12 = 1 = z21 = 2 = z22 = 2 =
1 I 2 0
I jC 2 I1 0
I jC 1 I 2 0
I jC 2 I1 0
I jC
Impédance d'entrée à sortie Car V1=V2 du fait que I1=0 z21 = z12 du fait que I2=0 Impédance de sortie à entrée
ouverte du Quadripôle ouverte du Quadripôle
V V I I
h11 = 1 =R h12 = 1 =1 h 21 = 2 = -1 h 22 = 2 = jC
I1 V2 0 V2 I1 0 I1 V2 0 V2 I1 0
Impédance d'entrée à sortie (Gain en tension)-1 Gain en courant = -1 Admittance de sortie
court-circuitée car V1 = V2 si I1=0 car V2=0 à entrée ouverte
I1 I'1 I'2 I2
V1 V'1 Q' V'2 V2 I1 I2
V1 Q V2
I"1 I"2 ≡
V" Q" V"2
1
d'où:
11 1
12 12 2
I = y' + y" V + y' + y" V = y V + y V
1 11 11 1 12 2
I2 = y'21 + y"21 V1 + y'22 + y"22 V2 = y 21V1 + y 22 V2
Lorsque deux (n) quadripôles sont montés en parallèle, leurs matrices admittances s'ajoutent pour représenter la matrice
admittance du quadripôle équivalent à la mise en parallèle des deux (n) quadripôles.
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III-2/ En série:
Q' et Q" sont traversés par les mêmes courants d'entrée et de sortie → utilisation de la matrice impédance [z]
I1 I'1 I'2 I2
V1
I"2 V2 ≡ V1 Q V2
I"2
V'2 Q" V"2
1
V = z' + z" I +
11 11 1 z '
12
"
+ z12
I2 = z11I1 + z12 I 2
d'où:
V2 = z 21 + z"21 I1 +
'
z '
22
+ z"22 I 2 = z 21I1 + z 22 I 2
Pour deux (n) quadripôles montés en série, les matrices impédances s'ajoutent pour représenter la matrice impédance du
quadripôle équivalent à la mise en série des deux (n) quadripôles.
III-3/ En cascade:
Les grandeurs de sortie de Q' sont les grandeurs d'entrée de Q" → utilisation de la matrice transmittance [t].
'
I1 = I1 ' "
I2 = -I1 "
I2 = I2
'
' "
"
V1 = V1
V2 = V1
V2 = V2
Pour deux (n) quadripôles montés en cascade, les matrices transmittances se multiplient pour représenter la matrice
transmittance du quadripôle équivalent à la mise en cascade des deux (n) quadripôles.
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III-4/ En série-parallèle :
Q' et Q" sont traversés par le même courant d'entrée (entrée: série) et sont soumis à la même tension de sortie (sortie:
parallèle) → utilisation de la matrice hybride [h].
I1 I'1 I'2 I2
V1 Q V2
V1 I"1 I"2 ≡
V"1 Q" V"2
h = h' + h"
Pour deux quadripôles montés en série-parallèle, les matrices hybrides s'ajoutent pour représenter la matrice hybride du
quadripôle équivalent à la mise en série-parallèle des deux quadripôles.
III-5/ En parallèle-série :
Q' et Q" sont soumis à la même tension d'entrée (entrée: parallèle) et sont traversés par le même courant de sortie (sortie:
série) → utilisation de la matrice hybride inverse [h'].
I1 I'1 I"1 I2
I'2 V2 ≡ V1 Q V2
Dans cette partie, nous décrivons la représentation par les diagrammes de Bode.
Pour la suite, on notera H, HdB et le module linéaire, le module en décibels et la phase de la fonction de transfert
respectivement.
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où : P est une puissance exprimée en Watts sur une échelle linéaire.
Pour les tensions, le facteur devant le log est 20 du fait que la puissance est proportionnelle au carré de la tension.
Le module de la fonction de transfert s’exprime comme le rapport du module de la tension de sortie sur le module de la
tension d’entrée du système considéré. En dB, on aura donc :
v
H dB 20log10 H 20log10 s
v
e
Pour la suite, on utilisera "log" pour signifier le logarithme en base 10.
vs 1 1 R
On a: H
v e 1 j
1 j
0
C
où = RC et 0 = 1/RC ve vs
1
Soit pour le module : H
2
1
0
1
En posant x , on obtient : H
0 1 x 2
Si l'on représente |H| sur une échelle linéaire, on obtient une courbe ne représentant pas d'asymptote lorsque x<<1 ou
x>>1. Le tracé de H nécessite donc le calcul d'un grand nombre de points.
Le tracé en échelle linéaire est long est fastidieux. Il ne permet pas de dégager des informations de façon rapide sur le
système (Fréquence de coupure, Bande passante, …)
HdB
1
0dB x (log)
-20dB/décade
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En échelle logarithmique, le module en dB présente donc deux asymptotes, pour x >> 1 et x << 1, soit pour les hautes
fréquences et les basses fréquences. Quelques points suffisent pour représenter le module de la fonction de transfert à partir
du tracé asymptotique.
H
La bande passante est l'intervalle de fréquence f pour lequel : max H H max .
2
0 1
x (log)
-2
E S
H1 Hi Hn
n n
Le module et la phase de H s'écrivent alors: H H i 1
i et
i 1
i
11
n n
Le module en dB s'écrit: H dB 20log
Hi
H dBi
i 1 i 1
Le module en dB et la phase de la fonction de transfert globale H s'obtiennent en additionnant les modules en dB et les
phases des Hi. Il est alors aisé de tracer les diagrammes asymptotiques de H à partir des diagrammes asymptotiques des H i
en additionnant simplement les asymptotes.
module phase
0 (log) 0 (log)
-20dB/décade
H2 -/2
H1
H
0 (log) 0 (log)
-/2
–20dB/décade
–40dB/décade
-
Q' Q"
i
Zg
eg v Ze
Ze
En connectant les deux quadripôles, la tension appliquée à Q" est v = eg . Cette tension n'est pas égale à la f.e.m eg
Ze +Zg
Ze
mais elle est atténuée d'un facteur . Cette atténuation constitue une dégradation du signal.
Ze +Zg
Lorsqu'on transmet un signal de tension entre deux quadripôles, il faut une impédance d'entrée élevée et une impédance de
sortie faible.
Q' Q"
i
ig Zg v Ze
La sortie du quadripôle Q' est représentée par une source de courant i g et une résistance interne Zg.
En connectant les deux quadripôles, le courant i appliqué à Q" est également atténué et donc dégradé.
Zg
i= ig
Zg + Ze
Pour éviter une atténuation du courant transmis entre Q' et Q", il faut une impédance de sortie élevée (de Q') et une
impédance d'entrée faible (de Q").
Q' Q"
i
Zg
eg v Ze
2 Ze
La puissance reçue par la charge est P = Ze i = eg2 . Cette puissance est maximale pour Ze = Zg.
Ze + Zg
2
On obtient un maximum de puissance transmise entre deux quadripôles lorsque l'impédance d'entrée de Q" et l'impédance
de sortie de Q' sont égales.
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CHAPITRE II
DIODE ET APPLICATIONS
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I/ Diode à jonction
I-1/ Définition
La diode à jonction est un composant électronique de base. Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur
commandé par une tension Vd qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette propriété lui ouvre un champ d'application assez vaste en électronique dont les plus courants sont:
- Le redressement du courant alternatif issu du secteur
- La régulation des tensions à l'aide de la diode zener, qui ont un comportement de source de tension quasi idéale.
Structure Symbole
A K A K
P N
VD VD
L'application d'une tension VD < 0 a pour effet d'empêcher tout courant traversant la diode.
L'application d'une tension VD > 0 a pour effet de faire circuler un courant de l'anode à la cathode.
ID
VD
ID
VD
VD
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I-3-3/ Modèle 3 : Diode avec seuil et résistance
Dans ce cas on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la diode en petits signaux
alternatifs et qu'on a besoin de sa résistance dynamique.
En polarisation direct la diode est équivalente à une résistance RB (résistance extrinsèque) en série avec V.
En polarisation inverse la diode est équivalente à une résistance Ri très grande (∞) en parallèle avec une source de courant
Ii très faible
Pour une diode de Silicium : V = 0.6-0.7 V, RB = 20 et Ri >> M.
R
ID
+ VD
V
–
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I-4/ Limites de fonctionnement
I-4-1/ Zone de claquage inverse
La tension inverse ne doit pas dépasser Vmax (quelques dizaines de volts).
Elle peut conduire à la destruction de la diode
I-5-1/ Redressement
Dans le montage suivant on suppose que la diode est équivalente au modèle 2.
On applique à l'entrée une tension sinusoïdale ve = Emax sin(t)
Avec: Emax = 2 V i
R = 1k
la tension seuil de la diode est V = 0.6 V
ve R vR
-ve(t) ≥ 0.6 V
La diode conduit et est remplacée par une source de tension V = 0.6 V
La tension aux bornes de R est vR(t) = ve(t) – 0.6
- ve(t) ≤ 0.6 V
La diode est bloquée et est remplacée par un interrupteur ouvert, le courant est donc nul
La tension aux bornes de R est nulle, vR(t) = 0
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tension de la source ve(t)
ve vR
C R
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Aux bornes du C1, si la charge est infinie, la tension VC1 restera constante est égale à la tension crête du transformateur.
La diode D1 verra à ses bornes la tension Vt+VC1, dont la valeur crête est égale à deux fois la tension crête du
transformateur. Tout se passe comme si la tension du transformateur avait translatée d'une fois la valeur de la tension crête.
Il suffit de filtrer cette tension à sa valeur de crête avec D 2 et C2 : On obtient une tension continue égale à deux fois la
tension crête du transformateur.
Les diodes zener sont utilisées en général en polarisation inverse dans la zone de claquage.
Le claquage n'est pas destructif si le courant inverse est limité par le circuit extérieur pour éviter un échauffement excessif.
Le courant inverse disparaît lorsque la tension inverse redevient inférieure à VZ.
VZ
Une première utilisation de la diode zener est la régulation de la tension dans les blocs d'alimentation
VZ
≡ – + V
V
VZ VZ
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Modèle 2 :
RZ VZ
– + V
V
VZ VZ
II-1-3/ Applications
Les applications des diodes zener sont très nombreuses; elles se rapportent aux grandes catégories suivantes :
- Effet de régulation
- Tension constante servant de référence
- Effet de seuil et écrêtage
- Capacité de la jonction
Une diode électroluminescente, couramment abrégé sous le sigle DEL (en anglais LED)
est un composant électronique capable d'émettre de la lumière lorsqu'elle est polarisée
en direct.
Une DEL produit un rayonnement monochromatique incohérent à partir d'une
transformation d'énergie. Elle fait partie des composants optoélectronique.
II-2-3/ Photodiodes
Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de détecter
un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique.
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II-2-4/ Diode à effet tunnel
Une diode à effet tunnel est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où
un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu'à 5GHz).
Dans une diode classique réalisée avec des semi-conducteurs, la conduction se produit si la jonction est polarisée en direct,
et s'arrête dés la polarisation devient négative. La conduction étant bloquée jusqu'à la tension de claquage de la diode lors
d'une polarisation négative (dans cette zone une diode classique est détruite).
Dans la diode tunnel, le dopage des couches P et N est si important que la tension de claquage est égale à zéro volt. Cette
diode conduit donc en inverse (polarisée en inverse), mais lors de son utilisation en direct (sens positif), l'effet tunnel se
produit donnant à la caractéristique de cette diode une zone où l'augmentation de la tension aux bornes de la diode entraîne
une diminution du courant la traversant. Cela correspondant à une résistance négative.
La diode tunnel offre de grandes perspectives dans les domaines des oscillateurs HF, c'est-à-dire dans les gammes de
fréquences utilisées dans les fours à micro-ondes.
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CHAPITRE III
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
POLARISATION ET AMPLIFICATION
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I/ Introduction
Le Transistor bipolaire est l’élément “clef” de l’électronique. Il peut :
→ amplifier un signal
→ être utiliser comme amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
→ être utilisé comme une source de courant
→ agir comme un interrupteur commandé (= mémoire binaire)
→ Essentiel pour l’électronique numérique
→ ...
il existe :
→ soit comme composant discret
→ soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à
quelques millions de transistors par circuit (ex: microcontrôleurs, microprocesseurs,…).
Le transistor bipolaire, encore appelé transistor à jonctions, est formé par la succession de 3 semi-conducteurs,
respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP) à l’aide de 2 jonctions P-N.
Le transistor n'est pas symétrique : les jonctions Base-Emetteur et Base-Collecteur ne sont pas identiques (dopage
différent). (Les termes Emetteur et Collecteur s’entendent vis à vis des électrons (émission -collection d’e-)).
La flèche sur le symbole indique le sens passant (courant) de la jonction Emetteur-Base; elle repère en outre l’émetteur.
Le transistor est bipolaire, c’est-à-dire que 2 types de porteurs de charge (les porteurs majoritaires et les porteurs
minoritaires) participent à la conduction.
Conditions de polarisation : Jonction EB : directe - Jonction BC: inverse = MODE ACTIF du transistor.
Les 2 jonctions P-N du transistor ne constituent pas uniquement la juxtaposition de 2 diodes, car avec une tranche
centrale de faible épaisseur, lorsque la jonction Emetteur-Base est polarisée en direct et la jonction Collecteur-Base
polarisée en inverse, les charges libres de l’émetteur sont accélérées vers la base et, pour la plupart, la traversent
rapidement pour être captées par le potentiel de Collecteur : (une simple diode ferait que la base capte ces charges).
Cet effet Transistor a pour conséquence le fait de pouvoir contrôler à l'aide du courant de base I B relativement faible, un
courant de collecteur IC beaucoup plus important.
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Exemple: Transistor NPN
- si VEE > ~ 0.7V, le courant circule entre l’émetteur et la base → VBE ~ 0.7V, IE >> 0
- VCC > 0, un champ électrique intense existe à l’interface Base/Collecteur
- La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ → IC ~IE et IB = IE -IC << IE
- La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E) → courant porté essentiellement par les électrons (peu de
trous circulent de B vers E).
- Le courant IC est contrôlé par IE , et non vice versa…
Premières différences entre le transistor bipolaire et la source commandée idéale...
- Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V
- IB non nul = fraction de IE ne participant pas à la commande de IC .
Selon la polarisation du transistor, il se comporte à de différentes manières. Ceci va donner des régimes de
fonctionnement.
La jonction EB est polarisée La jonction EB est polarisée La jonction EB est polarisée La jonction EB est polarisée
en direct. en direct. en inverse. en inverse.
La jonction CB est polarisée La jonction CB est polarisée La jonction CB est polarisée La jonction CB est polarisée
en inverse. en direct. en inverse. en direct .
Lorsqu'un transistor (NPN) est utilisé en régime normal, trois montages sont donc possibles.
- Base commune
En régime normal la caractéristique la plus importante d'un transistor est son gain en courant statique s = IC/IE. Il
représente le rapport des e- injectés dans l'émetteur et ceux qui atteignent le collecteur. Comme le courant de base est faible
s ~ 98%.
- Emetteur commun
Pour ce type de montage, on définit le gain en courant statique s=IC/IB. Ce gain est très grand (s ~ 100).
On note parfois le gain en courant par hFE.
- Collecteur commun
Le gain en courant statique est IE/IC.
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III-2/ Réseaux de caractéristiques du transistor (montage Emetteur commun)
Considérons le montage d'un transistor bipolaire (NPN) monté en émetteur commun. Le circuit de polarisation est le
suivant :
VBB et VCC sont des tensions de polarisation
IC
RB et RC sont des résistances de polarisation.
Remarque:
On ne doit pas dépasser la puissance maximale (hyperbole de puissance donnée par le constructeur) sinon on risque de
détruire le transistor.
Le but de la polarisation est d'assurer un bon fonctionnement du transistor à partir d'une seule alimentation. Pour cela :
- Ne pas dépasser certaines contraintes technologiques V CEmax, ICmax et Pmax.
- Choisir le point de fonctionnement et assurer la stabilité thermique.
- Assurer une meilleure linéarité…
La polarisation fixe les valeurs de IB, IC, VBE et VCE au point de fonctionnement P ( IB0, IC0, VBE0, VCE0) à l'aide de
l'alimentation et les résistances.
VBE0 = 0.65 V pour le Silicium
VBE0 = 0.3 V pour le Germanium
On distingue trois régimes de fonctionnement directement fixés par le réglage du point de fonctionnement :
- Fonctionnement en amplificateur (ou encore régime linéaire) → le point P est en (A)
- Fonctionnement en commutation de saturation → le point P est en (S)
- Fonctionnement en commutation de blocage → le point P est en (B)
- Remarque : Avec un transistor PNP, on a les mêmes relations, mais bien évidemment avec :
VBE < 0 (VBE0 = − 0.6 V en régime linéaire) et IB < 0.
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Le tableau suivant regroupe trois montages de polarisation du transistor bipolaire (NPN). L'avantage de ces montages c'est
l'utilisation d'une seule alimentation.
VCC = RBIB +VBE VCC = RC (IC+IB) + VCE Le montage de polarisation par pont
VCC = RCIC + VCE IB<<IC → VCC = RCIC + VCE peut être remplacé par un schéma
VCC - VBE V équivalent (Thévenin)
IB = CC
RB RB VCC = RC(IC+IB) + RB IB + VBE On suppose RE faible
VCC=15V et VBE=0.6V→ VBE <<VCC = (RC+RB) IB + IBE RB = R1//R2
IB est très stable, il ne dépend que des Sachant que IC = IB VBB
R2
VCC
éléments extérieurs. Si RB est très R1 R 2
grande → IB est constant. VBE = VBB - R BIB
L'entrée du transistor est polarisée par VCE = VCC R C + R E IC ; (IE ~IC)
un générateur de courant.
En réalité le courant collecteur IC n'est pas proportionnel au courant IE mais un autre courant ICB0 vient s'ajouter.
ICB0 est le courant de saturation inverse de la jonction BC polarisée en inverse. Il dépend fortement de la température et
peut ainsi perturber la polarisation optimale d’un montage à transistor. Il existe une relation entre I CB0 est ICE0.
IC = αIE + ICB0 = α(IC + IB)+ ICB0
IC (1−α) = αIB + ICB0
IC = βIB + (β +1) ICB0 avec = / (1-)
On trouve alors : ICE0 = (β + 1)ICB0.
Ces relations rigoureuses ne sont utilisées que dans l’étude du comportement thermique des montages à transistor. On peut
s’en passer dans un premier temps, lorsqu’il s’agit de polariser par exemple de tels montages.
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- Par résistance émetteur RE
On ajoute une résistance RE entre l'émetteur et la masse.
VBB = VBE + RBIB + RE IE = VBE + (RB+RE)IB + RE IC
VCC = VCE + RCIC + RE IE
IE = I C + IB
IC = IB + (+1)ICB0.
Après avoir déterminé l’état de fonctionnement du montage à transistor bipolaire en régime continu, on va mettre en
évidence dans cette partie les propriétés de ce montage en régime variable. On parle de l’amplification.
Dans le montage à transistor en régime variable, on a ajouté à l’entrée une source variable (ex : une source de tension
variable e(t) = E sin(t)).
Si on considère l’exemple de montage émetteur commun, le point de repos est déterminé en mettant e(t)=0.
On obtient donc les coordonnées du point de repos P (I B0, IC0, VBE0, VCE0).
L’analyse du montage en régime variable peut être effectuée par deux méthodes :
Le point P se déplace sur la droite de charge dynamique entre P 1 et P2. La droite de charge dynamique est confondue
avec celle en régime statique.
Le point E de la droite d'attaque dynamique se déplace entre E 1 et E2. La droite d'attaque dynamique se déplace
parallèlement à elle-même.
Le point T se déplace entre T 1 et T2 sur la courbe de la fonction de transfert ic=f(ib).
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V-1-2/ Méthode analytique
Le transistor bipolaire monté en EC, BC ou CC peut être considéré comme un quadripôle caractérisé par la matrice
hybride [h]. Il est représenté, en régime variable faibles signaux et basses fréquences, par le schéma équivalent :
vbe = h11e ib + h12e vce veb = h11b (-ie) + h12b vcb vbc = h11c ib + h12c vec
ic = h21e ib + h22e vce ic = h21b (-ie) + h22b vcb (-ie) = h21cib + h22c vec
Les paramètres hybrides (hije), (hijb) et (hijc) ne sont pas indépendants mais sont liés entre eux par des relations qu’on
résume dans le tableau suivant :
VI-3/ Exemple :
On considère un étage amplificateur à base de transistor bipolaire monté en EC. On applique à l'entrée une tension variable
(ex: sinusoïdale) de fréquence f et d'amplitude E, ve(t) = E sin (2f t). On insère dans le montage les capacités C1 et C2 dites
de couplage et CE dite de découplage. Travaillant avec de faibles signaux et basses fréquences, ces capacités sont
considérées comme des interrupteurs ouverts (en statique : f = 0) et comme des interrupteurs fermées en dynamique.
Les résistances R1, R2, RC et RE permettent de fixer le point de fonctionnement.
En statique : C1, C2 et CE sont des circuits ouverts. Elles isolent le montage de l'entrée et de la sortie. On détermine le point
de fonctionnement P (IB0, IC0, VBE0, VCE0).
En dynamique : C1, C2 et CE sont des circuits fermés. Elles permettent de connecter le montage au générateur (e g,rg) et à la
charge RL. Le transistor est caractérisé par la matrice hybride [h], on supposera h12e = 0.
On ne considère que les grandeurs variables autour du point de fonctionnement. On remplace le transistor par son schéma
équivalent et on cherche les grandeurs caractéristiques de l'étage amplificateur.
VCC
R1
RC ie is
C2 ib
C1 R1//R2 h11e h21eib
rg
ve vs
rg RL
RL RC
eg h -1
22e
R2 RE CE
eg
31
vs
- Gain en tension A v = :
ve
ve = (R1//R2//h11e)ie = h11e ib vs = -(RL//h22e-1 h21e)ib
Av = -
R 1
L // h 22e h 21e
si h22e-1>> RL : A v = -
R L h 21e
h11e h11e
is
- Gain en courant Ai = ie
:
ie et is sont respectivement courant d'entrée et courant de sortie
ve h
ie = i b + = 1+ 11e i b
R1 // R 2 R1 // R 2
vs -R L h 21e
is = h 21e i b + = h 21e i b + is → is = ib
-1
R C // h 22e R C // h -1
22e
RL
1+
R C // h -1
22e
h 21e
D'où : Ai =
h11e RL
1+ 1 -1
R 1 // R 2 R C // h 22e
v
- Impédance d'entrée Ze = e = R1//R 2 //h11e
ie
vs
- Impédance de sortie Zs =
is eg = 0
Pour calculer l'impédance de sortie, on enlève la charge R L et on court-circuite eg tout en gardant la résistance interne du
GBF.
Le schéma électrique équivalent
On a: h11e ib = - rg //R1//R 2 ib = 0 ib
is
Yr
i i'
i i'
v1 Av v2 RL v1 Ya Av v2 RL
Yb
32
i = Yr v1 - v2
A l'entrée : v Ya = Yr 1 - A v
Av = 2
v1
i' = Yr v2 - v1
1
A la sortie : Yb = Yr 1 -
A v
v2
Av =
v1
Exemple :
Yr = C
Av = - Av et A v >>1
Ya = C 1 A v C A v
1
Yb = C 1+ C
Av
La capacité injectée à l'entrée est multipliée par |Av|, elle devient très grande → Elle risque de court-circuiter le montage.
A la sortie la même capacité ne change pas.
CC
rBB'
B B' C
rB'C
gmvb'e
vbe rB'E rCE vce
CE
rBB' : résistance due à l'existence d'un chemin ohmique dans le semi-conducteur entre B et B'.
gm : facteur de proportionnalité entre les porteurs injectés et vB'E.
rB'E : résistance entre B' et E qui représente les effets de recombinaison
rB'C : résistance due à l'effet de réaction de la sortie sur l'entrée (effet early)
rCE : résistance de sortie
Les capacités CC et CE sont des capacités des jonctions BC et BE.
Ordre de grandeur: gm = 50 mA/V, rBB' = 100, rB'E = 1 k, rCE = 80 k, rB'C = 4 M, CC = 3µF et CE = 100pF
VI-3/ Relation entre les paramètres hybrides et les paramètres du schéma naturel
En basses fréquences, le transistor bipolaire peut être représenté soit par le schéma équivalent ou par le schéma naturel
en supposant les capacités CE et CC comme des circuits ouverts.
33
vbe = h11e ib + h12e vce
ic = h21e ib + h22e vce
vbe
rB'C est très grande
h11e = h11e = rBB' + rB'E
ib vce 0 v BE = rBB' + rB'E i b
ic
v b'e = rB'E i b
h 21e = h 21e = g m rB'E
ib vce 0 ic g m v b'e
v be v be rB'E rB'E
h12e = = h12e =
vce ib 0
vce rB'E + rB'C rB'C
Rg rBB' CC
B B' i ic C
vg gmvB'E
rB'E RC vs
CE
vs G 'g g m YC R C
D'où :
=-
vg YE YCR C +YE +YC +YCR C g m +g B'E G g' +G g' +g B'E
On peut écrire ce gain sous la forme:
vs k s s0
=
vg s s1 s s2
s0 = gm/CC et k = G'g/CE
s1 et s2 sont des racines du dénominateur (des pôles de vs/vg).
34
CHAPITERE VII
AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
35
I/ Introduction
L'amplificateur opérationnel est un composant actif (il est réalisé à partir de transistors). Pour fonctionner, il doit être
polarisé à l'aide de deux tensions opposées (+VCC et – VCC).
L'AO est un circuit intégré monolithique (homogène). Il est constitué de trois parties :
- Un amplificateur différentiel : il amplifie la différence des tensions d'entrées.
- Un amplificateur intermédiaire : c'est un amplificateur de tension dont le gain est assez important.
- Un amplificateur de sortie : c'est un amplificateur de puissance. Le signal amplifié à la sortie est sous une faible résistance
Suivant le montage réalisé, il peut fonctionner en amplificateur (zone linéaire) ou en comparateur (zone de saturation).
Le composant est symbolisé par :
Dans la pratique, l'amplificateur opérationnel utilisé comme amplificateur est toujours associé à d'autres composants
(résistances, capacités,…).
Remarque : Il arrive que l'AOP polarisé en zone linéaire, fonctionne en saturation, quand la tension d'entrée conduit à une
tension de sortie qui doit dépasser la tension de polarisation V CC en valeur absolue.
36
II/ Etude statique
Trois défauts de l'AOP :
- Tension offset : tension de décalage
- Courant de polarisation
- Courant offset
On dit qu'un AOP est correctement polarisé si la tension de sortie Vs est statiquement nulle.
+
VE1 -
VE2 VS
37
II-2/ Courant de polarisation IP et courant offset Ioff
On dispose à l'étage d'entrée de l'AOP de deux transistors donc de deux courants de base IB1 et IB2.
Ces deux courants sont égaux si les deux transistors sont identiques.
IB1 IB2
On appelle courant de polarisation la moyenne des deux courants de base à tension de sortie nulle, IP
2
On appelle courant d'offset la différence entre ces deux courants de base à tension de sortie nulle, Ioffset IB1 IB2
R 3 R 2R 3 1 R 2R 3
Si A est très grand, VS 1 R1 IP R1 Ioffset Voffset
R 2 R 2 R3 2 R 2 R3
Le décalage sera minimum en sortie si :
R 2R 3
R1 → 0
R 2 R3
R 2R 3
R1 Ioffset → 0
R 2 R3
Voffset → 0
R3
R1
-
R2
+
ve2 vs
ve1 R4
38
III-1/ Montage inverseur
On met ve1 = 0 et on cherche vs = f (0 , ve2) R3
R1
-
On suppose que l'AOP est idéal
R2 1 +
vs ve2 ve2 vs
R1 1 R2
1 1 R2 R4
A R1
vs R
Si A est très grand Av 2
ve2 R1
R3
R4 R2 1
vs 1 ve1 -
R 3 R 4 R 3 1 R2
1 1 R2
A R1
+
vs
vs R R1
Si A est très grand Av 1 2 R4
ve1 R1 ve1
R2
R e R1 si A est grand Re = R1
1 A
Re = R3 + R4
39
III-4/ Impédance de sortie
III-4-a/ Montage inverseur
R2 i
R2
R1 is
R1 is0
Rs0
- →
ve Re0 vs
A
ve +
vs
vs
La résistance de sortie de l'étage inverseur est définie par : R s
is ve 0
On pose R'1 = R1// Re0
R1' vs
vs vs A Rs0is0 is = i + is0 i
R1' R 2 R1' R 2
1 R s0 R' R s0
is ' 1 ' 1 A vs → Rs
R s0 R1 R 2 R1 R 2 R1' R s0
1 A
R1' R 2 R1' R 2
R s0
Si Re0>>R1 et Rs0 petite → Rs
R1
1 A
R1 R 2
R2
ve +
R3 vs
40
IV/ Applications de l'AOP
IV-1/ Additionneur
R1 R
R2
R ve1
R R -
vs ve1 ve2 ve3 R3
R1 R2 R3
ve2
+
ve3 vs
IV-2/ Intégrateur u
C
Le montage effectue l'intégration du signal à un facteur d'échelle (–1/RC) en fonction du temps avec condition initiale
vs(0).
IV-3/ Dérivateur
R
u
u(t) = ve (t) i
vs (t) = – R i(t) -
C
du t dve t ve
it C → vs t RC +
dt dt vs
41
Régime non Linéaire
42
Applications dans le régime non linéaire
Sans réaction, entrée négative
= - (ve – vref)
Si > 0 → ve < vref → vs = + vsat
Si < 0 → ve > vref → vs = - vsat
Vref>0
- +vsat
ve
ve + vref
vref vs
-vsat
Vref>0
-
ve +vsat
vref +
ve vs vref
-vsat
43
Application dans le régime non linéaire
Avec réaction positive
v = vs * R1/(R1 + R2)
= v – ve
si > 0 → v > ve → vs = + vsat → v = +vsat * R1/(R1 + R2)
-
ve
+vsat
+
ve vs
v R2
R1 -vsat
Hystérésis
44