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UNIVERSITE SULTAN MOULAY SLIMANE

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES


DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

Cours d’électronique analogique

Pour les parcours


GE-GM et MIPC

Responsable
Abdellah AOUAJ

1
Table de matière

CHAPITRE I : Les quadripôles

CHAPITRE II : Diodes et applications

CHAPITRE III : Transistor bipolaire (polarisation et amplification)

CHAPITRE IV : Amplificateur Opérationnel

2
CHAPITRE I

LES QUADRIPÔLES

3
I/ Définition
Un quadripôle est un système à quatre bornes (deux à l'entrée et deux à la sortie) dans lequel des courants électriques
peuvent circuler.
On s'intéresse exclusivement aux quadripôles linéaires, classe de multipôles la plus souvent rencontrée. Les valeurs des
éléments qui le composent sont constantes (éléments passifs, sources autonomes, coefficients des sources commandées)
c'est-à-dire indépendantes des tensions ou courants qui leur sont appliqués. (Pas de saturation)
On distingue deux types de quadripôles :
- Quadripôle passif : Il ne comporte pas de source d'énergie, il ne contient que des composants passifs (Ex: R, L, C …).
- Quadripôle actif : En plus des composants passifs il contient des éléments source d'énergie.
Une convention de signe est nécessaire pour normaliser les calculs indépendamment des sens des tensions et courants.
Trois conventions de signe sont rencontrées :

Convention Transmetteur Convention Récepteur Convention Générateur

i1 i2 i1 i2 i1 i2

v1 Q v2 v1 Q v2 v1 Q v2

Le quadripôle transmet l'énergie L'énergie est rentrante L'énergie est sortante

On utilisera la convention "récepteur". C'est la convention la plus généralement rencontrée.

II/ Grandeurs caractéristiques


II-1/ Impédances d'entrée et de sortie
II-1-a/ Impédance d'entrée Ze
C'est l'impédance équivalente à l'entrée du quadripôle, lorsqu'il débite sur une charge Z L.
i1
v1 v1 Ze
Ze = ZL
i1

Exemple: Circuit RC

i1

R
v  1 
v1 C Ze = 1 = R   // Z L 
i1  jC 

II-1-b/ Impédance de sortie Zs


C'est l'impédance interne du générateur de Thévenin (ou Norton) équivalente à la sortie du quadripôle lorsqu'il est excité
par un générateur eg d'impédance interne Zg.
i1 i2
v 
Zs =  2  Zg Zs
 i 2 eg 0 (eg en court -circuit ) eg eZ0e v2

Exemple: Circuit RC Zs   R  Zg  //
1
jC

4
Expérimentalement pour déterminer Zs, on peut aussi exciter par la sortie avec un générateur externe e d'impédance
interne Zg (eg = 0 : entrée en court-circuit).

II-2/ Impédances d'entrée et de sortie particulières

v 
- Impédance d'entrée à sortie ouverte (ZL infinie): Ze  =  1 
 i1 i 2 0
v 
- Impédance d'entrée à sortie en court-circuit (ZL = 0): Z e cc =  1 
 i1  v2 0
- Impédance de sortie à entrée ouverte (excitée par une source de courant (idéale): Zg infinie):
v  v 
Zs  =  2  = 2
 2 eg 0, Zg   i 2 i1 0
i
- Impédance de sortie à entrée en court-circuit (excitée par une source de tension (idéale): Zg = 0):
v 
Zs cc =  2 
 i 2 eg 0, Zg 0

II-3/ Paramètres
La structure quadripôle peut être mise en équations reliant les courants et les tensions d'entrée (I1,V1) et de sortie (I2,V2)
ou sous forme électrique c'est le schéma équivalent.
Exemple avec la matrice impédance [z], on a:
le schéma électrique (équivalent aux équations)

I1 z11 z22 I2
V1 = z11I1  z12 I2

V2 = z 21I1  z 22 I2
z z12  V1 z12I2 z21I1 V2
La matrice impédance :  z    11
 z21 z22 

Le quadripôle est ainsi modélisé par deux dipôles couplés. Ce couplage se traduit par l'intermédiaire des générateurs: Les
grandeurs V1, I1, V2 et I2 sont liées par des relations linéaires (Quadripôle linéaire). Il existe 6 possibilités d'exprimer deux
de ces grandeurs en fonction des deux autres:

Paramètres Equations Calcul Q passif Q symétrique


(notées aussi sous
forme matricielle)
V1 = z11I1  z12 I2 V  z12 = z21 z11 = z22
 z11   1  et
V2 = z 21I1  z 22 I2  I1 I2 0 (sortie ouverte) z12 = z21
Impédance En notation
V 
matricielle: z 22   2 
 V1   I1   I2 I1 0 (entrée ouverte)
   z 
 V2   I2  etc…
avec [z] : matrice
impédance
z z 
 z   z11 z12 
 21 22 

Admittance I1 = y11V1  y12 V2 I  y11 = y22


 y11 =  1  etc… y12 = y21 et
I2 = y21V1  y22 V2  V1 V2 =0 y12 = y21

5
Hybride V1 = h11I1  h12 V2 V  h11h22 - h12h21
 h11 =  1  etc… et
I2 = h 21I1  h 22 V2  I1 V2 =0 h12 = -h21 h12 = - h21

Hybride I1 = g11V1  g12 I 2 ' I  h11' ' ' '


h 22 - h12 h 21
inverse  h11 = 1 etc… '
= -h '21
V2 = g 21V1  g 22 I2
h12
 V1 I2 =0 et
'
h12 = - h '21

V1 = t11V2  t12 I2 V  1 t11 = - t 22


 t11 =  1  = t11t 22 - t12 t 21 = -1
I1 = t 21V2  t 22 I2
et
 V2 I2 =0 A v0
t11t 22 - t12 t 21 = -1
Transmittance Av0 Gain en tension à vide
I  1
t 22 =  1  =
 I2 V =0
2
Ai
Ai Gain en courant à sortie en
court-circuit
etc...

V = t ' V  t ' I '


t11 = - t '22
2 11 1 12 1
Transmittance  ' V  et
inverse I2 = t 21V1  t 22 I1
' ' t11 = 2 etc… ' ' ' '
t11t 22 - t12 t 21 = -1
 V1 I1 =0 ' '
t11 ' '
t 22 - t12 t 21 = -1

Remarque:
Le modèle paramétrique obtenu avec les impédances d'entrée et de sortie n'est pas à confondre avec celui fourni par la
matrice impédance (on n'a pas Ze ≡ z11):

II-4/ Modèles électriques correspondant aux matrices


- Matrice Impédance:
V  V   V2  V 
z11 =  1  Impédance, z12 =  1  Impédance, z 21 =   Impédance, z 22 =  2  Impédance
 1 I 2 0
I  I2 I1 0  I1 I2 0  I2 I1 0
le schéma électrique (équivalent aux équations)
I1 z11 z22 I2
V1 = z11I1  z12 I2

V2 = z 21I1  z 22 I2
z z12  V1 z12I2 z21I1 V2
La matrice impédance :  z    11
 z 21 z 22 

- Matrice Hybride:

V  V  I  I 
h11 =  1  impédance, h12 =  1  Gain en tension -1 , h21 =  2  Gain en courant, h 22 =  2  Admittance
 V2 0
I1  V2 I1 0  V2 0
I1  V2 I1 0

V1 = h11I1  h12 V2


 I1 h11 I2
I2 = h 21I1  h 22 V2

h h12 
La matrice hybride :  h    11 V1 h12I2 h21V1 h22 V2
 h 21 h 22 

6
- Matrice Hybride inverse:
I  I   V2  V 
g11 =  1  Admittance, g12 =  1   Gain en courant -1 , g21 =   Gain en tension, g 22 =  2  Impédance
 V1 I2 0  I2 V1 0  V1 I2 0  I2 V1 0

I1 = g11V1  g12 I 2


 I1 g22 I2
V2 = g 21V1  g 22 I2

g11 g12I2 g21V1


g g12  V1 V2
La matrice hybride inverse:  g    11 
g 21 g 22 

- etc…

Exemple: Circuit RC (Quadripôle passif)

- Avec les paramètres Impédances

V  1 V  1 V  1 V  1
z11 =  1  =R+ z12 =  1  = z21 =  2  = z22 =  2  =
 1 I 2 0
I jC  2 I1 0
I jC  1 I 2 0
I jC  2 I1 0
I jC

Impédance d'entrée à sortie Car V1=V2 du fait que I1=0 z21 = z12 du fait que I2=0 Impédance de sortie à entrée
ouverte du Quadripôle ouverte du Quadripôle

- Avec les paramètres Hybrides:

V  V  I  I 
h11 =  1  =R h12 =  1  =1 h 21 =  2  = -1 h 22 =  2  = jC
 I1 V2 0  V2 I1 0  I1 V2 0  V2 I1 0
Impédance d'entrée à sortie (Gain en tension)-1 Gain en courant = -1 Admittance de sortie
court-circuitée car V1 = V2 si I1=0 car V2=0 à entrée ouverte

III/ Association de Quadripôles


III-1/ En parallèle:
Q' et Q" sont soumis aux mêmes tensions d'entrée et de sortie → utilisation de la matrice admittance [y].

I1 I'1 I'2 I2
V1 V'1 Q' V'2 V2 I1 I2

V1 Q V2
I"1 I"2 ≡
V" Q" V"2
1

 ' ' ' '


 I = y11V11 + y12 V12
'  " " " "
 I = y11V11 + y12 V12
"
V1 = V1' = V1" I1 = I1' + I1"
Q'  1 Q"  1
' ' ' ' ' " " " " "
 I2 = y21V21 + y 22 V22
  I 2 = y 21V21 + y 22 V22
 V2 = V2' = V2" I 2 = I '2 + I"2

d'où: 
 11 1 
12 12 2 
I = y' + y" V + y' + y" V = y V + y V
1 11 11 1 12 2 
  
I2 = y'21 + y"21 V1 + y'22 + y"22 V2 = y 21V1 + y 22 V2
 
Lorsque deux (n) quadripôles sont montés en parallèle, leurs matrices admittances s'ajoutent pour représenter la matrice
admittance du quadripôle équivalent à la mise en parallèle des deux (n) quadripôles.

7
III-2/ En série:
Q' et Q" sont traversés par les mêmes courants d'entrée et de sortie → utilisation de la matrice impédance [z]

I1 I'1 I'2 I2

V'1 Q' V"1 I1 I2

V1
I"2 V2 ≡ V1 Q V2
I"2
V'2 Q" V"2

 ' ' ' ' '


 V = z11I11 + z12I12  " " " " "
 V = z11I11 + z12I12 I1 = I1' = I1" V1 = V1' + V1"
Q'  1 Q"  1
' ' ' ' ' " " " " "
 V2 = z 21I21 + z 22 I22
  V2 = z 21I21 + z 22 I 22
 I 2 = I '2 = I"2 V2 = V2' + V2"

 1 
V = z' + z" I +
11 11 1  z '
12
"
+ z12 
I2 = z11I1 + z12 I 2
d'où: 
 
V2 = z 21 + z"21 I1 +
'
 z '
22 
+ z"22 I 2 = z 21I1 + z 22 I 2

Pour deux (n) quadripôles montés en série, les matrices impédances s'ajoutent pour représenter la matrice impédance du
quadripôle équivalent à la mise en série des deux (n) quadripôles.

III-3/ En cascade:
Les grandeurs de sortie de Q' sont les grandeurs d'entrée de Q" → utilisation de la matrice transmittance [t].

I1=I'1 I'2 I"1 I2= I"2


I1 I2
I'1
V1=V'1 Q' V'2 V" Q V1=V"2 ≡
V1 Q V2
1 "

 '
I1 = I1  ' "
I2 = -I1  "
I2 = I2
 '
 ' "
 "
V1 = V1
 V2 = V1
 V2 = V2

 V'   t ' t12'  ' 


V  t' '  ' 
-t12 V
Q :  1  =  11
'
  2  =  11  2
 I1'   t12
'
t '22   I'2   t12
' '  ' 
-t 22   -I2 
 V"   t" t"   V"   t" -t12 "  "
V
Q" :   =  11 12   2  =  11  2
1
 I1"   t12
"
t"22   I"2   t12
"
-t"22  -I"2 
V   t11 t12   V2   t11 -t12   V2 
Q :  1 = t   =   
 I1   21 t 22   I2   t 21 -t 22   -I2 
 V1  V'   t ' -t12'  ' 
V  t' -t12'   "
V  t' '  "
-t12 t "  "
-t12 V  t' '  "
-t12 t " 
-t12 V 
   1  =  11   2  =  11   1  =  11   11   2  =  11   11  2
"   -I 
=
1
I  I1'   t12
'
-t '22  -I'2   t12
'
-t '22   I1"   t12
' '  "
-t 22   t12 -t"22  -I"2   t12
' '  "
-t 22   t12 -t 22   2 

t -t12   t11' '  "


-t12 t " 
-t12
D'où:  11  =    11 
 t 21 -t 22   t12
' '  "
-t 22   t12 -t"22 

Pour deux (n) quadripôles montés en cascade, les matrices transmittances se multiplient pour représenter la matrice
transmittance du quadripôle équivalent à la mise en cascade des deux (n) quadripôles.
8
III-4/ En série-parallèle :
Q' et Q" sont traversés par le même courant d'entrée (entrée: série) et sont soumis à la même tension de sortie (sortie:
parallèle) → utilisation de la matrice hybride [h].

I1 I'1 I'2 I2

V'1 Q' V'2 V2 I1 I2

V1 Q V2
V1 I"1 I"2 ≡
V"1 Q" V"2

 h  = h'  + h" 
Pour deux quadripôles montés en série-parallèle, les matrices hybrides s'ajoutent pour représenter la matrice hybride du
quadripôle équivalent à la mise en série-parallèle des deux quadripôles.

III-5/ En parallèle-série :
Q' et Q" sont soumis à la même tension d'entrée (entrée: parallèle) et sont traversés par le même courant de sortie (sortie:
série) → utilisation de la matrice hybride inverse [h'].

I1 I'1 I"1 I2

V1 V'1 Q' V"1


I1 I2

I'2 V2 ≡ V1 Q V2

V'2 Q" V"2

g = g'  + g" 


Pour deux quadripôles montés en parallèle-série, les matrices hybrides inverses s'ajoutent pour représenter la matrice
hybride inverse du quadripôle équivalent à la mise en parallèle-série des deux quadripôles.

IV/ Représentation des fonctions de transfert – Diagramme de Bode


IV-1/ Introduction
La fonction de transfert H( j) d’un système quelconque est un nombre complexe. Trois solutions sont utilisées en
pratique pour représenter ce nombre complexe graphiquement.
- Partie imaginaire en fonction de la partie réelle avec paramétrage en fréquence : plan de Nyquist.
- Module en fonction de la phase avec paramétrage en fréquence : plan de Black.
- Module en décibels en fonction de la fréquence et phase en fonction de la fréquence sur une échelle de fréquence
logarithmique : diagrammes de Bode.

Dans cette partie, nous décrivons la représentation par les diagrammes de Bode.
Pour la suite, on notera H, HdB et  le module linéaire, le module en décibels et la phase de la fonction de transfert
respectivement.

IV-2/ Diagrammes de Bode - Intérêt de l’échelle logarithmique


IV-2-1/ Le décibel
Le décibel (dB) est une échelle logarithmique définie à partir des puissances de la façon suivante :
PdB  10 log10 P

9
où : P est une puissance exprimée en Watts sur une échelle linéaire.
Pour les tensions, le facteur devant le log est 20 du fait que la puissance est proportionnelle au carré de la tension.
Le module de la fonction de transfert s’exprime comme le rapport du module de la tension de sortie sur le module de la
tension d’entrée du système considéré. En dB, on aura donc :
v 
H dB  20log10 H   20log10  s 
v 
 e 
Pour la suite, on utilisera "log" pour signifier le logarithme en base 10.

IV-2-2/ Représentation en échelle linéaire


Prenons l’exemple du circuit RC.

vs 1 1 R
On a: H   
v e 1  j 
1 j
0
C
où = RC et 0 = 1/RC ve vs
1
Soit pour le module : H 
2
 
1   

 0 
 1
En posant x  , on obtient : H 
0 1 x 2
Si l'on représente |H| sur une échelle linéaire, on obtient une courbe ne représentant pas d'asymptote lorsque x<<1 ou
x>>1. Le tracé de H nécessite donc le calcul d'un grand nombre de points.
Le tracé en échelle linéaire est long est fastidieux. Il ne permet pas de dégager des informations de façon rapide sur le
système (Fréquence de coupure, Bande passante, …)

IV-2-3/ Représentation en échelles logarithmiques


IV-2-3-a/ Echelle logarithmique
L'échelle des fréquences est logarithmique. On fait correspondre x à log (x). On peut indifféremment utiliser le log
népérien ou en base 10.
Trois points importants sont à retenir lorsque l'on utilise une échelle logarithmique:
- Une multiplication de la fréquence par un facteur constant se traduit par un décalage géométrique constant sur l'axe des
fréquences.
- L'échelle ne peut pas démarrer du point 0 (fréquence nulle) du fait que log (0) = – ∞.
- Une octave et une décade correspond respectivement à une multiplication par un facteur 2 et 10 de la fréquence.

IV-2-3-b/ Représentation du module


Le module est représenté en dB sur une échelle logarithmique. On peut tracer en premier temps les droites
asymptotiques limitant le diagramme de Bode. En reprenant l'exemple du circuit RC, on a:
 
H dB  20log H   20log   - 20log 1  x 2 
1
 2   
 1 x 
- Lorsque x>>1, on a: lim H dB  -20log x 2   -20logx  qui représente une droite de pente -20dB/décade (ou -
x 1  
6dB/octave)
- Lorsque x << 1, on a: lim H dB  0 qui représente une droite de pente nulle.
x 1

HdB
1
0dB x (log)

-20dB/décade

10
En échelle logarithmique, le module en dB présente donc deux asymptotes, pour x >> 1 et x << 1, soit pour les hautes
fréquences et les basses fréquences. Quelques points suffisent pour représenter le module de la fonction de transfert à partir
du tracé asymptotique.

IV-2-3-c/ Bande passante – Fréquence de coupure


En observant le tracé asymptotique, on remarque que le circuit RC laisse passer, sans trop les atténuer, les signaux de basse
fréquence et atténue fortement les signaux haute fréquence. De façon arbitraire on définit une limite entre les basses et les
hautes fréquences. Cette limite aboutit aux notions de fréquence de coupure et de Bande Passante.
H
Les fréquences de coupure du système sont les fréquences pour lesquelles on a: H  max . En dB, cela devient:
2
H 
H dB  20logH   20log max   H dB  - 3dB . On parlera dans ce cas de fréquences de coupure à -3 dB.

 2 
max

H
La bande passante est l'intervalle de fréquence f pour lequel : max  H  H max .
2

IV-2-3d/ Représentation de la phase


La phase est représentée en degrés ou en radians sur l'échelle logarithmique.
En reprenant l'exemple du circuit RC, on a:   - ArcTan x 

- Lorsque x >> 1, on a lim   - qui représente une droite de pente nulle.
x 1 2
- Lorsque x << 1, on a lim   0 qui représente une droite de pente nulle
x 1
En échelle logarithmique, la phase présente donc deux asymptotes, pour x >> 1 et x << 1, soit pour les "hautes"
fréquences et les "basses" fréquences. C'est évidemment le cas pour toutes les fonctions de transfert se présentant sous
forme polynomiale. Quelques points suffisent à représenter la phase de la fonction de transfert à partir du tracé
asymptotique.


0 1
x (log)

-2

IV-3/ Intérêt des diagrammes de Bode pour les systèmes en cascade


On considère n systèmes de fonctions de transfert H1, H2,…, Hn montés en cascade. La fonction de transfert globale H
n
s'écrit: H  H
i 1
i

E S
H1 Hi Hn

n n
Le module et la phase de H s'écrivent alors: H  H i 1
i et   
i 1
i

11
 n  n
Le module en dB s'écrit: H dB  20log   
Hi  

H dBi
 i 1  i 1
Le module en dB et la phase de la fonction de transfert globale H s'obtiennent en additionnant les modules en dB et les
phases des Hi. Il est alors aisé de tracer les diagrammes asymptotiques de H à partir des diagrammes asymptotiques des H i
en additionnant simplement les asymptotes.

Exemple: Cascade de deux systèmes du premier ordre


On considère deux systèmes du premier ordre définis par leurs fonctions de transfert respectives H1 et H2:
1 1
H1 = et H 2 =
 
1+j 1+j
1 2
On représente les diagrammes de Bode de H1 et H2 (en considérant 1 > 2 ), puis ceux de H = H1 H2.
Pour le module de H, on a une asymptote HdB = 0 pour  << 2, un "palier" de pente -20dB/décade entre 2 et 1 et une
asymptote de pente -40 dB/décade pour  >> 1.
Pour la phase de H, on a une asymptote  = 0 pour  << 2, un palier  = - /2 entre 2 et 1 et une asymptote  = - pour
>> 1. L'allure des courbes réelles se déduit ensuite très simplement à partir des tracés asymptotiques

module phase
     
0  (log) 0  (log)

-20dB/décade 

H2 -/2

H1

H 
    
0  (log) 0  (log)

-/2
–20dB/décade
–40dB/décade
-

V/ Adaptations d'impédance en tension, en courant et en puissance


Faire de l'électronique, c'est interconnecter des composants et des montages. On ne peut pas les interconnecter sans
effectuer certaines vérifications:
On considère en premier lieu une source de tension ou de courant (en amont) et une charge (en aval).
- il faut vérifier que les niveaux de tension, de courant et de puissance des deux parties du montage sont compatibles (sans
quoi on risque d'endommager un des deux parties).
- il faut vérifier si les impédances sont compatibles…
→ C'est la problématique d'adaptation d'impédance.

V-1/ Adaptation d'impédance en tension


Considérons un quadripôle amont Q' délivrant un signal de tension à un quadripôle aval Q". Chaque quadripôle peut être
représenté par son schéma équivalent (de Thévenin).
12
La sortie du quadripôle Q' est représentée par une f.e.m. eg et une résistance interne Zg.
L'entrée du quadripôle Q" est représentée par une impédance d'entrée Ze.

Q' Q"
i
Zg
eg v Ze

Ze
En connectant les deux quadripôles, la tension appliquée à Q" est v = eg . Cette tension n'est pas égale à la f.e.m eg
Ze +Zg
Ze
mais elle est atténuée d'un facteur . Cette atténuation constitue une dégradation du signal.
Ze +Zg
Lorsqu'on transmet un signal de tension entre deux quadripôles, il faut une impédance d'entrée élevée et une impédance de
sortie faible.

V-2/ Adaptation d'impédance en courant


Supposons que le quadripôle Q' se comporte davantage comme une source de courant. Sa sortie peut être représentée par le
schéma équivalent (de Norton).

Q' Q"
i

ig Zg v Ze

La sortie du quadripôle Q' est représentée par une source de courant i g et une résistance interne Zg.
En connectant les deux quadripôles, le courant i appliqué à Q" est également atténué et donc dégradé.
Zg
i= ig
Zg + Ze
Pour éviter une atténuation du courant transmis entre Q' et Q", il faut une impédance de sortie élevée (de Q') et une
impédance d'entrée faible (de Q").

V-3/ Adaptation d'impédance en puissance


Supposons qu'on veut transmettre un signal de puissance élevée entre Q' et Q".

Q' Q"
i
Zg
eg v Ze

2 Ze
La puissance reçue par la charge est P = Ze i = eg2 . Cette puissance est maximale pour Ze = Zg.
 Ze + Zg 
2

On obtient un maximum de puissance transmise entre deux quadripôles lorsque l'impédance d'entrée de Q" et l'impédance
de sortie de Q' sont égales.
13
CHAPITRE II

DIODE ET APPLICATIONS

14
I/ Diode à jonction
I-1/ Définition
La diode à jonction est un composant électronique de base. Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur
commandé par une tension Vd qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette propriété lui ouvre un champ d'application assez vaste en électronique dont les plus courants sont:
- Le redressement du courant alternatif issu du secteur
- La régulation des tensions à l'aide de la diode zener, qui ont un comportement de source de tension quasi idéale.

Structure Symbole

A K A K
P N

VD VD

L'application d'une tension VD < 0 a pour effet d'empêcher tout courant traversant la diode.
L'application d'une tension VD > 0 a pour effet de faire circuler un courant de l'anode à la cathode.

I-2/ Caractéristique courant tension


 VD 
L'analyse théorique d'une jonction PN donne l'équation qui lie le courant I D à la tension appliquée VD : ID = IS  e VT  1
 
 
Où :
- IS : courant de saturation inverse de la jonction
kT
- VT : potentiel thermique ( VT  )
q
-  : facteur technologique dépendant du type de semi-conducteur.

ID

VD

I-3/ Modélisation de la diode


15
La représentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour son utilisation. Plusieurs schémas
équivalents simplifiés peuvent être employés pour faciliter l'étude d'un circuit utilisant la diode. Pour établir ces schémas
on "linéarise" plus au moins grossièrement la caractéristique électrique de la diode, puis on cherche quels composants
simples permettent d'obtenir ces caractéristiques linéaires.

I-3-1/ Modèle 1: Diode idéale


Elle consiste à remplacer la caractéristique ID = f(VD) par des segments de droite

ID

VD

Polarisée en direct la diode conduit, elle se comporte comme un interrupteur fermé.


Polarisée en inverse la diode est bloquée, elle se comporte comme un interrupteur ouvert.

I-3-2/ Modèle 2 : Diode avec seuil


Dans ce modèle on tient compte de la tension seuil V (on négligera sa résistance dynamique). La diode ne conduit que si la
tension VD dépasse la tension seuil V.
ID

VD

16
I-3-3/ Modèle 3 : Diode avec seuil et résistance
Dans ce cas on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la diode en petits signaux
alternatifs et qu'on a besoin de sa résistance dynamique.
En polarisation direct la diode est équivalente à une résistance RB (résistance extrinsèque) en série avec V.
En polarisation inverse la diode est équivalente à une résistance Ri très grande (∞) en parallèle avec une source de courant
Ii très faible
Pour une diode de Silicium : V = 0.6-0.7 V, RB = 20  et Ri >> M.

I-3-4/ Résistance de la diode


I-3-4-a/ Résistance statique
VD
La résistance statique est définie par R D  : c'est un paramètre variable
ID
I-3-4-b/ Résistance dynamique
vd
La résistance dynamique est définie par rd  : c'est la dérivée de la caractéristique électrique en un point. On la
id
considère souvent constante si la variation du signal alternatif est très petite autour du point de polarisation en continu.

I-3-5/ Droite de charge et point de fonctionnement


On considère le circuit ci-dessous :
1 1
La droite de charge : ID   VD  V
R R
Le point de fonctionnement est défini par l'intersection de la droite de charge et la caractéristique électrique de la diode

R
ID

+ VD
V

17
I-4/ Limites de fonctionnement
I-4-1/ Zone de claquage inverse
La tension inverse ne doit pas dépasser Vmax (quelques dizaines de volts).
Elle peut conduire à la destruction de la diode

I-4-2/ Limitation en puissance


Le domaine de travail ne doit pas dépasser l'hyperbole P max = VD ID

I-4-3/ Influence de la température


Diode bloquée : le courant inverse Ii double tous les 10°C (pour le Si).
Diode passante : la tension VD diminue (à ID constant) de 2 mV/°C.

I-5/ Circuits à diode


Plusieurs classes de circuits utilisent le comportement des diodes (état passant – état bloqué) pour modifier sensiblement la
forme des signaux

I-5-1/ Redressement
Dans le montage suivant on suppose que la diode est équivalente au modèle 2.
On applique à l'entrée une tension sinusoïdale ve = Emax sin(t)
Avec: Emax = 2 V i
R = 1k
la tension seuil de la diode est V = 0.6 V

ve R vR

-ve(t) ≥ 0.6 V
La diode conduit et est remplacée par une source de tension V = 0.6 V
La tension aux bornes de R est vR(t) = ve(t) – 0.6

- ve(t) ≤ 0.6 V
La diode est bloquée et est remplacée par un interrupteur ouvert, le courant est donc nul
La tension aux bornes de R est nulle, vR(t) = 0

18
tension de la source ve(t)

tension aux bornes de la diode

tension aux bornes de R

I-5-2/ Redressement et filtrage

On insère une capacité C en parallèle à R

ve vR
C R

La courbe en pointillé est la tension aux bornes de R sans le condensateur C


La courbe en trait plein épais est la tension aux bornes de R avec C

I-5-3/ Doubleur de tension


Certaines applications nécessitent des tensions continues très élevées (quelques milliers de volts). On pourrait les obtenir
avec un transformateur élévateur et un redressement/filtrage classique. Il existe une solution moins onéreuse à base de
diodes et condensateurs : c'est le doubleur de tension.
Le montage suivant se décompose en deux : redressement / filtrage par la cellule D 1/C1, puis détecteur de crête D2/C2.

19
Aux bornes du C1, si la charge est infinie, la tension VC1 restera constante est égale à la tension crête du transformateur.
La diode D1 verra à ses bornes la tension Vt+VC1, dont la valeur crête est égale à deux fois la tension crête du
transformateur. Tout se passe comme si la tension du transformateur avait translatée d'une fois la valeur de la tension crête.
Il suffit de filtrer cette tension à sa valeur de crête avec D 2 et C2 : On obtient une tension continue égale à deux fois la
tension crête du transformateur.

II/ Diodes spéciales


II-1/ Diodes Zener
Elles se comportent comme des diodes classiques quand elles sont polarisées en direct (pas d'intérêt)
Elles ont un comportement spécial quand elles sont polarisées en inverse.

Les diodes zener sont utilisées en général en polarisation inverse dans la zone de claquage.
Le claquage n'est pas destructif si le courant inverse est limité par le circuit extérieur pour éviter un échauffement excessif.
Le courant inverse disparaît lorsque la tension inverse redevient inférieure à VZ.

VZ

Une première utilisation de la diode zener est la régulation de la tension dans les blocs d'alimentation

II-1-2/ Modèles de la diode zener I


Modèle 1 :

VZ
≡ – + V
V

VZ VZ

20
Modèle 2 :

RZ VZ
– + V
V

VZ VZ

II-1-3/ Applications
Les applications des diodes zener sont très nombreuses; elles se rapportent aux grandes catégories suivantes :
- Effet de régulation
- Tension constante servant de référence
- Effet de seuil et écrêtage
- Capacité de la jonction

Exemple : Effet de régulation


6.2V – 200mA
10
Un des plus importants est la réalisation d'alimentations stabilisées. +
Le schéma le plus simple est le suivant :
Lorsque la tension aux bornes d'entrée croît et dépasse la tension zener,
le courant dans la diode augmente, mais la tension de sortie reste constante + 1000µF
9V RL
et vaut la tension de zener de la diode choisie. Si la résistance –
en série est faible, le courant dans la diode devient rapidement important
et nécessite l'emploi d'une diode de puissance coûteuse montée sur un radiateur,
c'est pourquoi ce schéma est peu utilisé. –
Si on considère une diode zener avec Vz = 6.2 V,
alimentée par une source de 9V et de 0.6 de résistance interne,
à travers une résistance série de 10. On obtient en sortie une tension de 6.2V, entre 0 et 200mA.

II-2/ Autres diodes


II-2-1/ Diodes de Schottky
Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension directe
très bas et un temps de commutation très court. Ceci permet la détection
des signaux HF faibles et hyperfréquences, la rendant utile
par exemple en radioastronomie. On utilise aussi pour sa capacité à laisser
transiter de relativement fortes intensités pour le redressement de puissance.

II-2-2/ Diodes électroluminescentes

Une diode électroluminescente, couramment abrégé sous le sigle DEL (en anglais LED)
est un composant électronique capable d'émettre de la lumière lorsqu'elle est polarisée
en direct.
Une DEL produit un rayonnement monochromatique incohérent à partir d'une
transformation d'énergie. Elle fait partie des composants optoélectronique.

II-2-3/ Photodiodes
Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de détecter
un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique.

21
II-2-4/ Diode à effet tunnel
Une diode à effet tunnel est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où
un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu'à 5GHz).
Dans une diode classique réalisée avec des semi-conducteurs, la conduction se produit si la jonction est polarisée en direct,
et s'arrête dés la polarisation devient négative. La conduction étant bloquée jusqu'à la tension de claquage de la diode lors
d'une polarisation négative (dans cette zone une diode classique est détruite).
Dans la diode tunnel, le dopage des couches P et N est si important que la tension de claquage est égale à zéro volt. Cette
diode conduit donc en inverse (polarisée en inverse), mais lors de son utilisation en direct (sens positif), l'effet tunnel se
produit donnant à la caractéristique de cette diode une zone où l'augmentation de la tension aux bornes de la diode entraîne
une diminution du courant la traversant. Cela correspondant à une résistance négative.
La diode tunnel offre de grandes perspectives dans les domaines des oscillateurs HF, c'est-à-dire dans les gammes de
fréquences utilisées dans les fours à micro-ondes.

22
CHAPITRE III

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

POLARISATION ET AMPLIFICATION

23
I/ Introduction
Le Transistor bipolaire est l’élément “clef” de l’électronique. Il peut :
→ amplifier un signal
→ être utiliser comme amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
→ être utilisé comme une source de courant
→ agir comme un interrupteur commandé (= mémoire binaire)
→ Essentiel pour l’électronique numérique
→ ...

il existe :
→ soit comme composant discret
→ soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à
quelques millions de transistors par circuit (ex: microcontrôleurs, microprocesseurs,…).

II/ Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire


II-1/ Structure est symbole

Le transistor bipolaire, encore appelé transistor à jonctions, est formé par la succession de 3 semi-conducteurs,
respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP) à l’aide de 2 jonctions P-N.

Le transistor n'est pas symétrique : les jonctions Base-Emetteur et Base-Collecteur ne sont pas identiques (dopage
différent). (Les termes Emetteur et Collecteur s’entendent vis à vis des électrons (émission -collection d’e-)).
La flèche sur le symbole indique le sens passant (courant) de la jonction Emetteur-Base; elle repère en outre l’émetteur.
Le transistor est bipolaire, c’est-à-dire que 2 types de porteurs de charge (les porteurs majoritaires et les porteurs
minoritaires) participent à la conduction.

II-2/ Effet transistor

Conditions de polarisation : Jonction EB : directe - Jonction BC: inverse = MODE ACTIF du transistor.
Les 2 jonctions P-N du transistor ne constituent pas uniquement la juxtaposition de 2 diodes, car avec une tranche
centrale de faible épaisseur, lorsque la jonction Emetteur-Base est polarisée en direct et la jonction Collecteur-Base
polarisée en inverse, les charges libres de l’émetteur sont accélérées vers la base et, pour la plupart, la traversent
rapidement pour être captées par le potentiel de Collecteur : (une simple diode ferait que la base capte ces charges).

Cet effet Transistor a pour conséquence le fait de pouvoir contrôler à l'aide du courant de base I B relativement faible, un
courant de collecteur IC beaucoup plus important.

24
Exemple: Transistor NPN

- si VEE > ~ 0.7V, le courant circule entre l’émetteur et la base → VBE ~ 0.7V, IE >> 0
- VCC > 0, un champ électrique intense existe à l’interface Base/Collecteur
- La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ → IC ~IE et IB = IE -IC << IE
- La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E) → courant porté essentiellement par les électrons (peu de
trous circulent de B vers E).
- Le courant IC est contrôlé par IE , et non vice versa…
Premières différences entre le transistor bipolaire et la source commandée idéale...
- Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V
- IB non nul = fraction de IE ne participant pas à la commande de IC .

III/ Polarisation du transistor bipolaire

Selon la polarisation du transistor, il se comporte à de différentes manières. Ceci va donner des régimes de
fonctionnement.

Régime direct (normal) Régime saturé Régime bloqué Régime inverse

La jonction EB est polarisée La jonction EB est polarisée La jonction EB est polarisée La jonction EB est polarisée
en direct. en direct. en inverse. en inverse.
La jonction CB est polarisée La jonction CB est polarisée La jonction CB est polarisée La jonction CB est polarisée
en inverse. en direct. en inverse. en direct .

Utilisation en amplification Utilisation en commutation Peu utilisé

III-1/ Fonctionnement normal du transistor bipolaire

Lorsqu'un transistor (NPN) est utilisé en régime normal, trois montages sont donc possibles.

Base commune Emetteur commun Collecteur commun

veb<0 vcb>0 vce>0 vec<0


vbe>0 vbc<0

- Base commune
En régime normal la caractéristique la plus importante d'un transistor est son gain en courant statique s = IC/IE. Il
représente le rapport des e- injectés dans l'émetteur et ceux qui atteignent le collecteur. Comme le courant de base est faible
s ~ 98%.

- Emetteur commun
Pour ce type de montage, on définit le gain en courant statique s=IC/IB. Ce gain est très grand (s ~ 100).
On note parfois le gain en courant par hFE.

- Collecteur commun
Le gain en courant statique est IE/IC.

Quelque soit le type de montage (BC, EC et CC) on a toujours la relation : IE = IB + IC

On obtient donc une relation entre les gains en courant statique s et s :


s s
s = ou  s =
1+s 1-s

25
III-2/ Réseaux de caractéristiques du transistor (montage Emetteur commun)

III-2-1/ Types de réseaux

Considérons le montage d'un transistor bipolaire (NPN) monté en émetteur commun. Le circuit de polarisation est le
suivant :
VBB et VCC sont des tensions de polarisation
IC
RB et RC sont des résistances de polarisation.

Il existe quatre types de réseaux de caractéristiques du transistor RC


- Réseau d’entrée : IB = f(VBE)VCE=cste RB
- Réseau de sortie : IC = f(VCE)IB=cst IB
VCC
- Réseau de transfert de courant : IC = f(IB)VCE=cste VCE
- Réseau de contre réaction en tension : VBE = f(VCE)IB=cst VBB VBE

On peut regrouper ces réseaux sur un même graphe :

Ex: transistor 2N2222

Remarque:
On ne doit pas dépasser la puissance maximale (hyperbole de puissance donnée par le constructeur) sinon on risque de
détruire le transistor.

IV/ Polarisation du transistor

Le but de la polarisation est d'assurer un bon fonctionnement du transistor à partir d'une seule alimentation. Pour cela :
- Ne pas dépasser certaines contraintes technologiques V CEmax, ICmax et Pmax.
- Choisir le point de fonctionnement et assurer la stabilité thermique.
- Assurer une meilleure linéarité…

IV-1/ Point de fonctionnement

Choisir le point de fonctionnement nécessite la connaissance de I C, IB, VBE et VCE.


Prenant l'exemple du circuit de polarisation du transistor bipolaire monté en EC:
Le point de fonctionnement (ou de repos) se trouve à l'intersection du réseau de caractéristiques et des équations de
polarisation du montage.
26
Equations de polarisation :
VCE VCC
- VCC= RC IC + VCE Cette relation donne l'équation de la droite de charge statique : I C  - 
RC RC
VBE VBB
- VBB= RB IB + VBE Cette relation donne l'équation de la droite d'attaque statique : I B  - 
RB RB

La polarisation fixe les valeurs de IB, IC, VBE et VCE au point de fonctionnement P ( IB0, IC0, VBE0, VCE0) à l'aide de
l'alimentation et les résistances.
VBE0 = 0.65 V pour le Silicium
VBE0 = 0.3 V pour le Germanium

On distingue trois régimes de fonctionnement directement fixés par le réglage du point de fonctionnement :
- Fonctionnement en amplificateur (ou encore régime linéaire) → le point P est en (A)
- Fonctionnement en commutation de saturation → le point P est en (S)
- Fonctionnement en commutation de blocage → le point P est en (B)

- Remarque : Avec un transistor PNP, on a les mêmes relations, mais bien évidemment avec :
VBE < 0 (VBE0 = − 0.6 V en régime linéaire) et IB < 0.

IV-2/ Fonctionnement en amplification (régime linéaire) : Le point P est en (A)


Le point P est choisi dans la partie horizontale de la caractéristique IC = f(VCE). Le transistor est un amplificateur de
courant
(IC = IB) commandé par le courant IB. Ce régime est dit linéaire et la tension VBE =0.6 V pour le transistor NPN.

IV-3/ Fonctionnement en commutation


Saturation : le point P est en (S)
Le point P est choisi dans la partie verticale des caractéristiques IC =f(VCE) : tout accroissement de IB est sans effet sur IC.
Le transistor saturé est un interrupteur fermé entre collecteur et émetteur.
On a VCE = VCEsat ≈ 0.
Condition de saturation IC (=ICsat) < IB.
On a aussi (pour un transistor NPN) VBE > 0.6 V.

Blocage : le point P est en (B)


Le point P est choisi sur l'axe horizontal VCE
Le transistor bloqué est un interrupteur ouvert entre collecteur et émetteur.
On a IB ≈ 0 et IC ≈ 0
Pour un transistor NPN, IB ≈ 0 (ou IB < 0). On aussi VBE < 0 ; (VBE = 0.5 V suffit pour bloquer le transistor).
Pour un transistor PNP, le courant IB > 0.

27
Le tableau suivant regroupe trois montages de polarisation du transistor bipolaire (NPN). L'avantage de ces montages c'est
l'utilisation d'une seule alimentation.

Par résistance de Base Par le collecteur Par pont de résistance


VCC
VCC VCC
RB
RC R1
RB RC RC
IB IC
IC IC
IB
VCE VCE
VBE VCE VBE
VBE
R2
RE

VCC = RBIB +VBE VCC = RC (IC+IB) + VCE Le montage de polarisation par pont
VCC = RCIC + VCE IB<<IC → VCC = RCIC + VCE peut être remplacé par un schéma
VCC - VBE V équivalent (Thévenin)
IB =  CC
RB RB VCC = RC(IC+IB) + RB IB + VBE On suppose RE faible
VCC=15V et VBE=0.6V→ VBE <<VCC = (RC+RB) IB + IBE RB = R1//R2
IB est très stable, il ne dépend que des Sachant que IC =  IB VBB 
R2
VCC
éléments extérieurs. Si RB est très R1  R 2
grande → IB est constant. VBE = VBB - R BIB
L'entrée du transistor est polarisée par VCE = VCC   R C + R E  IC ; (IE ~IC)
un générateur de courant.

IV-4/ Stabilisation thermique


IV-4-1/ Influence de la température

En réalité le courant collecteur IC n'est pas proportionnel au courant IE mais un autre courant ICB0 vient s'ajouter.
ICB0 est le courant de saturation inverse de la jonction BC polarisée en inverse. Il dépend fortement de la température et
peut ainsi perturber la polarisation optimale d’un montage à transistor. Il existe une relation entre I CB0 est ICE0.
IC = αIE + ICB0 = α(IC + IB)+ ICB0
IC (1−α) = αIB + ICB0
IC = βIB + (β +1) ICB0 avec  =  / (1-)
On trouve alors : ICE0 = (β + 1)ICB0.

Ces relations rigoureuses ne sont utilisées que dans l’étude du comportement thermique des montages à transistor. On peut
s’en passer dans un premier temps, lorsqu’il s’agit de polariser par exemple de tels montages.

- Montage Base commune


Le courant ICB0 reste négligeable devant IC et IE.

- Montage Emetteur commun


Le terme (+1)ICB0 n'est plus négligeable. Quand T augmente → Risque de destruction du transistor.

IV-4-2/ Stabilisation thermique


- Par résistance de collecteur RC
La puissance dissipée en régime continu : P = VCE IC + VBE IB ≈ VCE IC = (VCC – RCIC) IC
VCC V V2
Pour IC = et VCE = CC , le puissance P est maximale: PMax = CC
2R C 2 4R C
La variation de IC (sous l'influence de T), la puissance dissipée dans le transistor ne dépasse pas P Max.

28
- Par résistance émetteur RE
On ajoute une résistance RE entre l'émetteur et la masse.
VBB = VBE + RBIB + RE IE = VBE + (RB+RE)IB + RE IC
VCC = VCE + RCIC + RE IE
IE = I C + IB
IC = IB + (+1)ICB0.

On note IC = S ICB0 + S' VBE


IC IC
S et S' sont définis comme facteurs de stabilisation : S= et S' =
ICB0 VBE Cst
VBE ICB0 Cst

IC =  IB + (+1)ICB0


0 = (RB + RE) IB + RE IC + VBE
 
 β+1   β 
IC =   ICB0 +  -  VBE
 1+ βR E   R B + β+1 R E 
 
 R R 
 E B 
 β 
Si on considère un montage sans RE, on a : IC = β+1 ICB0 +  -  VBE
 RB 
L'introduction de RE dans le montage réduit les facteurs de stabilisation.

V/ Transistor bipolaire en régime variable et faibles signaux

Après avoir déterminé l’état de fonctionnement du montage à transistor bipolaire en régime continu, on va mettre en
évidence dans cette partie les propriétés de ce montage en régime variable. On parle de l’amplification.

V-1/ Méthode d’analyse

Dans le montage à transistor en régime variable, on a ajouté à l’entrée une source variable (ex : une source de tension
variable e(t) = E sin(t)).
Si on considère l’exemple de montage émetteur commun, le point de repos est déterminé en mettant e(t)=0.
On obtient donc les coordonnées du point de repos P (I B0, IC0, VBE0, VCE0).

L’analyse du montage en régime variable peut être effectuée par deux méthodes :

V-1-1/ Méthode graphique


En régime dynamique, on prend le point de repos comme nouvelle origine.
On écrit les équations de la droite de charge dynamique et de la droite d'attaque dynamique

vce(t) = -RC ic(t) vCE(t) = VCC – RC iC(t)


vbe(t) = e(t) – RB ib(t) vBE(t) = e(t)+VBB – RB iB(t)

Le point P se déplace sur la droite de charge dynamique entre P 1 et P2. La droite de charge dynamique est confondue
avec celle en régime statique.
Le point E de la droite d'attaque dynamique se déplace entre E 1 et E2. La droite d'attaque dynamique se déplace
parallèlement à elle-même.
Le point T se déplace entre T 1 et T2 sur la courbe de la fonction de transfert ic=f(ib).

29
V-1-2/ Méthode analytique
Le transistor bipolaire monté en EC, BC ou CC peut être considéré comme un quadripôle caractérisé par la matrice
hybride [h]. Il est représenté, en régime variable faibles signaux et basses fréquences, par le schéma équivalent :

Montage émetteur commun Montage base commune Montage collecteur commun

ib h11e ic (-ie) h11b ic ib h11c (-ie)


h12evce h21eib h12bvcb h21b(-ie) h12cvec h21eib
vb h -1
22e vce ve h -1
22b vc vb h -1
22c vec
e b b c

vbe = h11e ib + h12e vce veb = h11b (-ie) + h12b vcb vbc = h11c ib + h12c vec
ic = h21e ib + h22e vce ic = h21b (-ie) + h22b vcb (-ie) = h21cib + h22c vec

Pour pouvoir analyser un transistor par le modèle hybride il faut que :


- Le signal d'entrée soit faible
- On détermine le point de fonctionnement (en statique)
- En régime dynamique on ne tient compte que des grandeurs variables dans le temps i b, ic, vce et vbe.

Les paramètres hybrides (hije), (hijb) et (hijc) ne sont pas indépendants mais sont liés entre eux par des relations qu’on
résume dans le tableau suivant :

NB : hije ≠ hijb ≠ hijc


30
EC BC CC
h11e h11e
h12e h12e
h21e h21e
h22e h22e
h11e
h11b  h12e  1  h11eh 22e h11b
h12b h11e h 22e h12b
 h12e  1  h11eh 22e
h21b h 21e + h11eh 22e h21b
-
 h12e  1  h11eh 22e
h22b h 22e h22b
 h12e  1  h11eh 22e
h11c h11e h11c
h12c 1-h12e h12c
h21c -(h21e + 1) h21c
h22c h22e h22c

On suppose : h12b << 1 et h11bh22b << 1+h21b

VI/ Transistor en amplification


VI-1/ Définition
Un amplificateur est un système qui pour de faibles signaux appliqués à l'entrée on obtient à la sortie des signaux assez
forts.

VI-2/ Caractéristiques d'un amplificateur à transistor


Les grandeurs qui peuvent caractériser un amplificateur sont:
- Amplification de tension Av
- Amplification de courant Ai
- Impédance d'entrée Re
- Impédance de sortie Rs

VI-3/ Exemple :
On considère un étage amplificateur à base de transistor bipolaire monté en EC. On applique à l'entrée une tension variable
(ex: sinusoïdale) de fréquence f et d'amplitude E, ve(t) = E sin (2f t). On insère dans le montage les capacités C1 et C2 dites
de couplage et CE dite de découplage. Travaillant avec de faibles signaux et basses fréquences, ces capacités sont
considérées comme des interrupteurs ouverts (en statique : f = 0) et comme des interrupteurs fermées en dynamique.
Les résistances R1, R2, RC et RE permettent de fixer le point de fonctionnement.
En statique : C1, C2 et CE sont des circuits ouverts. Elles isolent le montage de l'entrée et de la sortie. On détermine le point
de fonctionnement P (IB0, IC0, VBE0, VCE0).
En dynamique : C1, C2 et CE sont des circuits fermés. Elles permettent de connecter le montage au générateur (e g,rg) et à la
charge RL. Le transistor est caractérisé par la matrice hybride [h], on supposera h12e = 0.
On ne considère que les grandeurs variables autour du point de fonctionnement. On remplace le transistor par son schéma
équivalent et on cherche les grandeurs caractéristiques de l'étage amplificateur.

VCC
R1
RC ie is
C2 ib
C1 R1//R2 h11e h21eib
rg
ve vs
rg RL
RL RC
eg h -1
22e
R2 RE CE
eg

31
vs
- Gain en tension A v = :
ve
ve = (R1//R2//h11e)ie = h11e ib vs = -(RL//h22e-1 h21e)ib

Av = -
R 1
L // h 22e h 21e
si h22e-1>> RL : A v = -
R L h 21e
h11e h11e
is
- Gain en courant Ai = ie
:
ie et is sont respectivement courant d'entrée et courant de sortie
ve  h 
ie = i b + = 1+ 11e  i b
R1 // R 2  R1 // R 2 
vs -R L h 21e
is = h 21e i b + = h 21e i b + is → is = ib
-1
R C // h 22e R C // h -1
22e
 RL 
1+ 
 R C // h -1 
 22e 
h 21e
D'où : Ai =
 h11e   RL 
1+  1  -1 

 R 1 // R 2  R C // h 22e 
v
- Impédance d'entrée Ze = e = R1//R 2 //h11e
ie

vs
- Impédance de sortie Zs =
is eg = 0

Pour calculer l'impédance de sortie, on enlève la charge R L et on court-circuite eg tout en gardant la résistance interne du
GBF.
Le schéma électrique équivalent

On a: h11e ib = -  rg //R1//R 2   ib = 0 ib
is

vs R1//R2 h11e h21eib


D'où : Zs = = R C //h -1
22e
is eg = 0 rg vs
RC
h -1
22e

VI/ Transistor bipolaire en hautes fréquences

VI-1/ Rappel : Effet Miller


On considère un quadripôle Q de gain en tension Av. On lui ajoute un élément de réaction de la sortie à l'entrée.
Soit Zr l'impédance de l'élément de réaction et Yr son admittance.
On peut représenter le schéma précédent par un autre schéma équivalent.

Yr

i i'
i i'
v1 Av v2 RL v1 Ya Av v2 RL
Yb

32
i = Yr  v1 - v2  

A l'entrée : v   Ya = Yr 1 - A v 
Av = 2 
v1 
i' = Yr  v2 - v1  
  1 
A la sortie :   Yb = Yr 1 - 
A v 
v2
Av =  
v1 

Exemple :
Yr = C
Av = - Av et A v >>1


Ya = C 1  A v   C A v
 1 
Yb = C 1+   C
 Av 
La capacité injectée à l'entrée est multipliée par |Av|, elle devient très grande → Elle risque de court-circuiter le montage.
A la sortie la même capacité ne change pas.

VI-2/ Schéma naturel du transistor en HF


Quand on travaille en HF, les impédances des capacités de jonction ne sont plus négligeables. Cela entraîne une grande
influence sur le gain. Le transistor n'est plus représenté par son schéma électrique équivalent et ses paramètres hybrides
mais par son schéma naturel dit de "Giacoletto".

CC
rBB'
B B' C
rB'C
gmvb'e
vbe rB'E rCE vce
CE

rBB' : résistance due à l'existence d'un chemin ohmique dans le semi-conducteur entre B et B'.
gm : facteur de proportionnalité entre les porteurs injectés et vB'E.
rB'E : résistance entre B' et E qui représente les effets de recombinaison
rB'C : résistance due à l'effet de réaction de la sortie sur l'entrée (effet early)
rCE : résistance de sortie
Les capacités CC et CE sont des capacités des jonctions BC et BE.

Ordre de grandeur: gm = 50 mA/V, rBB' = 100, rB'E = 1 k, rCE = 80 k, rB'C = 4 M, CC = 3µF et CE = 100pF

VI-3/ Relation entre les paramètres hybrides et les paramètres du schéma naturel
En basses fréquences, le transistor bipolaire peut être représenté soit par le schéma équivalent ou par le schéma naturel
en supposant les capacités CE et CC comme des circuits ouverts.

ib h11e ic ib rBB' rB' ic


C gmvB'E
h12evc h21ei
b vb rB'E rCE
vb e h -1
22e vce vce
e
e

Schéma équivalent Schéma naturel

33
vbe = h11e ib + h12e vce
ic = h21e ib + h22e vce

On suppose rB'C >> rB'E et rB'C >> rBB'

vbe 
rB'C est très grande
h11e =   h11e = rBB' + rB'E
ib vce  0  v BE =  rBB' + rB'E  i b

ic 
 v b'e = rB'E i b
h 21e =   h 21e = g m rB'E
ib vce  0 ic  g m v b'e

v be v be rB'E rB'E
h12e = =  h12e =
vce ib 0
vce rB'E + rB'C rB'C

ic vce rB'E vce 1 rB'E 1


h 22e = ic = + gm vce +  h 22e = + gm +
vce ib 0
rCE rB'E + rB'C rB'E + rB'C rCE rB'E + rB'C rB'E + rB'C

VI-4/ Etude d'un amplificateur en HF


Dans le montage suivant on tient compte de la charge et la résistance interne du GBF

Rg rBB' CC
B B' i ic C

vg gmvB'E
rB'E RC vs
CE

On suppose rB'C >> rB'E et rCE >> rB'E


On note YC = jCC, YE = jCE , gB'E = rB'E-1 et G'g = (rg + rBB')-1
vs
Gain en tension A v =
vg
Au point B' :
ig = i1 + i

 vg - vb'e  Gg' = vb'e gB'E + YE  +  vb'e - vs  YC  


vg G g' = vb'e gB'E + Gg' + YE + YC - YC vs
Au point C :
1
g m vB'E = i + ic =  vB'E - vs  YC - vs
RC

vs G 'g  g m  YC  R C
D'où :
 
=-
vg YE YCR C +YE +YC +YCR C g m +g B'E  G g' +G g' +g B'E
On peut écrire ce gain sous la forme:
vs k  s  s0 
=
vg  s  s1  s  s2 
s0 = gm/CC et k = G'g/CE
s1 et s2 sont des racines du dénominateur (des pôles de vs/vg).

34
CHAPITERE VII

AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

35
I/ Introduction
L'amplificateur opérationnel est un composant actif (il est réalisé à partir de transistors). Pour fonctionner, il doit être
polarisé à l'aide de deux tensions opposées (+VCC et – VCC).
L'AO est un circuit intégré monolithique (homogène). Il est constitué de trois parties :
- Un amplificateur différentiel : il amplifie la différence des tensions d'entrées.
- Un amplificateur intermédiaire : c'est un amplificateur de tension dont le gain est assez important.
- Un amplificateur de sortie : c'est un amplificateur de puissance. Le signal amplifié à la sortie est sous une faible résistance

Suivant le montage réalisé, il peut fonctionner en amplificateur (zone linéaire) ou en comparateur (zone de saturation).
Le composant est symbolisé par :

Dans la pratique, l'amplificateur opérationnel utilisé comme amplificateur est toujours associé à d'autres composants
(résistances, capacités,…).

Remarque : Il arrive que l'AOP polarisé en zone linéaire, fonctionne en saturation, quand la tension d'entrée conduit à une
tension de sortie qui doit dépasser la tension de polarisation V CC en valeur absolue.

Un AOP idéal possède : Un AOP réel possède :


- Un gain A infini - Un gain A ~ 105 à 106
- Une résistance d'entrée Re infinie - Re ~ 100 k à 1 M
- Une résistance de sortie Rs nulle - Rs ~ 10  à 200 
- Un facteur de réjection  infini - Une bande passante ~ MHz (en petits signaux)
- Une bande passante infinie

Exemple : Le µA 741 : Il est sous forme d'un circuit intégré à 8 pattes.

36
II/ Etude statique
Trois défauts de l'AOP :
- Tension offset : tension de décalage
- Courant de polarisation
- Courant offset

On dit qu'un AOP est correctement polarisé si la tension de sortie Vs est statiquement nulle.

II-1/ Tension offset : Voffset

+

VE1 -
VE2 VS

Si VE1 = VE2 → VS = A (VE1 – VE2)


En réalité VS = A (VE1 – VE2 – Voffset)
La tension Voffset est la tension à appliquer entre les deux entrées pour obtenir une tension nulle à la sortie.

37
II-2/ Courant de polarisation IP et courant offset Ioff

On dispose à l'étage d'entrée de l'AOP de deux transistors donc de deux courants de base IB1 et IB2.
Ces deux courants sont égaux si les deux transistors sont identiques.
IB1  IB2
On appelle courant de polarisation la moyenne des deux courants de base à tension de sortie nulle, IP 
2
On appelle courant d'offset la différence entre ces deux courants de base à tension de sortie nulle, Ioffset  IB1  IB2

Ordres de grandeur : Voffset ~ 0.5 mV à 10 mV


IP ~ 10 nA à 10 µA
Ioffset ~ 20 nA à 500 nA

II-3/ Montage de polarisation

Le montage de base de polarisation d'un amplificateur opérationnel est le suivant :


IP1
+
VS  A    Voffset 

 = V + – V– -
IP2 I2 VS
V+ = – R1 IP1 V– = –R2 I1
I1 = IP2 – I2 I2 = (VS – V–)/R3 R1 R2
R3
 V V  R 2R 3 R2 I1
V   R 2  IP2  S   → V   IP2  VS
 R 3 R 3  R 2  R3 R 2  R3

A   R 2R 3  1  R 2R 3  
VS    R1  IP    R1  Ioffset  Voffset 
R 2   R 2  R 3  2  R 2  R3 

1 A  
R 2  R3

 R 3    R 2R 3  1  R 2R 3  
Si A est très grand, VS  1      R1  IP    R1  Ioffset  Voffset 
R 2    R 2  R3 2  R 2  R3 
   
Le décalage sera minimum en sortie si :
 R 2R 3 
  R1  → 0
 R 2  R3 
 R 2R 3 
  R1  Ioffset → 0
 R 2  R3 
Voffset → 0

III/ Etude dynamique


Le montage en régime dynamique : vs = f (ve1 , ve2)

R3
R1
-
R2
+
ve2 vs
ve1 R4

38
III-1/ Montage inverseur
On met ve1 = 0 et on cherche vs = f (0 , ve2) R3
R1
-
On suppose que l'AOP est idéal

R2 1 +
vs   ve2 ve2 vs
R1 1 R2 
1 1   R2 R4
A R1 
vs R
Si A est très grand Av   2
ve2 R1

III-2/ Montage non inverseur


On met ve2 = 0 et on cherche vs = f (ve1 , 0)

R3
R4  R2  1
vs  1   ve1 -
R 3  R 4  R 3  1  R2 
1  1   R2
A R1 
+
vs
vs R R1
Si A est très grand Av  1 2 R4
ve1 R1 ve1

Pour avoir un équilibre statique on prend R4=R1//R2

Le montage suiveur est un cas particulier du montage non inverseur


Il peut être utilisé comme adaptateur d'impédance
R1 = R4 = ∞
R2 = R3 = 0 -
Av = 1
+
vs
ve1

III-3/ Résistance d'entrée


III-3-a/ Montage inverseur

R2
R e  R1  si A est grand Re = R1
1 A

III-3-b/ Montage non inverseur

Re = R3 + R4

39
III-4/ Impédance de sortie
III-4-a/ Montage inverseur
R2 i
R2
R1 is
R1 is0
Rs0
- →
ve Re0 vs
 A
ve +
vs

Re0 est la résistance d'entrée de l'AOP


Rs0 est la résistance de sortie de l'AOP

vs
La résistance de sortie de l'étage inverseur est définie par : R s 
is ve  0
On pose R'1 = R1// Re0
R1' vs
 vs vs  A  Rs0is0 is = i + is0 i
R1'  R 2 R1'  R 2

1  R s0 R'  R s0
is   '  1  ' 1 A  vs → Rs 

R s0  R1  R 2 R1  R 2  R1' R s0
1 A 
R1'  R 2 R1'  R 2

R s0
Si Re0>>R1 et Rs0 petite → Rs 
R1
1 A
R1  R 2

Pour le LM741 Rs0 = 150  et A = 105 → Rs=0.003 .

III-5/ Limitation de L'AOP

III-5-a/ Limitation des tensions d'entrée

Si la tension d'entrée est forte on aura :


- Un effet de blocage
- Une détérioration de l'étage différentiel d'entrée
Les tensions d'entrée ne doivent jamais être supérieures à la tension d'alimentation de l'AOP

III-5-b/ Limitation du courant de sortie


Pour limiter les courants forts dans l'AOP, on peut utiliser le circuit suivant :

R2

R est faible et influe peu sur le gain R1


- R

ve +

R3 vs

40
IV/ Applications de l'AOP

On suppose que l'AOP est idéal A = ∞ et  = 0.

IV-1/ Additionneur

R1 R

R2
 R  ve1
R R -
vs    ve1  ve2  ve3  R3
 R1 R2 R3 
ve2
+
ve3 vs

IV-2/ Intégrateur u
C

ve(t) = R i(t) vs(t) = u(t) R i


-
dvs  t  t
it   C
 v   d + v 0
1
→ vs  t    e s ve
dt RC 0 +
vs

Le montage effectue l'intégration du signal à un facteur d'échelle (–1/RC) en fonction du temps avec condition initiale
vs(0).

IV-3/ Dérivateur
R
u
u(t) = ve (t) i
vs (t) = – R i(t) -
C
du  t  dve  t  ve
it  C → vs  t   RC +
dt dt vs

Le montage effectue donc une dérivation du signal à un facteur d'échelle (–RC).

41
Régime non Linéaire

L’A.O fonctionne en régime non linéaire ou en


commutation
│ │ > Vsat/A  l’A.O est saturé

Deux cas possibles:


 > Vsat/A  Vs = +Vsat

 < -Vsat/A  Vs = -Vsat

Caractéristique de transfert de l’a.o: Vs=


f()
• Cas idéal • Cas réel

42
Applications dans le régime non linéaire
Sans réaction, entrée négative
 = - (ve – vref)
Si  > 0 → ve < vref → vs = + vsat
Si  < 0 → ve > vref → vs = - vsat

Vref>0
- +vsat
ve
ve + vref
vref vs
-vsat

Applications dans le régime non linéaire

Sans réaction, entrée positive


 = ve – vref
Si  > 0 → ve > vref → vs = + vsat
Si  < 0 → ve < vref → vs = - vsat

Vref>0
-
ve +vsat
vref +
ve vs vref

-vsat

43
Application dans le régime non linéaire
Avec réaction positive

v = vs * R1/(R1 + R2)
 = v – ve
si  > 0 → v > ve → vs = + vsat → v = +vsat * R1/(R1 + R2)

si  < 0 → v < ve → vs = - vsat → v = -vsat * R1/(R1 + R2)

-
ve
+vsat
+
ve vs

v R2
R1 -vsat
Hystérésis

44