'Electronf4ue de yuissance

Rappel sur les composants actifs de l'electronique de puissance

I Diode
Le symbolc de la diode csl donne sur la ligure 1.1 .

Anode (A) C;ilho<J<.: (kl

+ ~
Vi:,
Figure I.I :Symbolc rcprcscntant unc diode

Quand la tension de son anode est superieure i1 celle de sa cathode (V 0> 0) la diode devient
conductrice el un courant 10 circule. Autrement si VO <O la diode est bloquee et le couranl lo esl
quasirnent nul.
Caracteristique statique d'une diode
Elle correspond a la variation de la lension aux bornes de la diode (Vn) en fonetion du eourant
traversant la diode ( l1>)

ID(A )

Ill: Courant 1raversan1 la diode

Vn: Ten sion aux born es de la di ode
VRM: Tension in verse que peut supporter la di ode
Vim: Tension in verse de claquagc
Vn,: Tension de seuil
Vn, Vo(V)

Figure 1.2: Caracteristique statique d'une diode

/\. panir de la courbc de la figure 1.2 on pcut deriver 3 modcles de la diode suscepti blcs d'clrc utilises
pour decrire son fonctionnement.

'o
ON

ON ON

O FF
OFF
OFF
Vrn-0 Vnr-,/O
R.-0 R.i=O VnqO
Ro,tO
ttat O N EtatON
Vrn ttatON

-
ID
VTH

V ll=O Vo
Vn=Vrn
Vo
V o= Vrn + R", ID avcc R = l!.V v
d !!.I p
 'EfectronUf_ue de puissance

Carnclfrisliqm• dynamit1u,• d'unc diode

Lors de la com mut ati on de l'ctat lcrmc :i l'c1a1 ouvert. l'annulati on du courant dans la diode durc un
temps t,m (Re verse-Rec ove ry time ou temps de recou vre111cn1 in verse) comrne indiquc sur la figure
1.3.

lo (A)

Ir

Ii:u,: Vo (V)

Figun· 1.3: C.irnc1fristi,111L' dyn;t miqm· d'tlllL' diode

Paramctrcs pour le choix cl'unc cliod,•.

11s exi stent scio n Jes bcsoi ns ct les applications, di vers types de diodes de pui ssance.
Les para rnctre s imporlant s pour le choix d'une diode s0111
V,n1 · Va leur 111axi111u111 de la tension inve rse ( Re verse-Max irnurn ) quc peu t supporter la diode
11 : Co urant nominal en direct (Forward ) qu e pcul support er la diode
V11 1: Tension de seuil (Threshold ) de la diode
t1rn. Temps de reco uvreme nt in verse ( Reverse-Recovery)

2 Le transistor bipolaire (BJT).

Le syrnb olc po ur un transistor bipolairc (NPN) est donne a la fi gure 1.4.

CoUemur (C)

Figure 1.4: Sy111holc rcpr~ scn1.1 111 un 1r:1 11 sisior hipol:1in: (N PN)
Avec une tension au co ll cc leur supcricurc ,i ce lle de l' cmcll cur (Vn >0) ii sul'iit c\'inj ccter un courant
de ba se ( lu) po ur que le tra nsistor co mmence a eo nduire et un co urant le co mmence a ci rcule r. Si on
supprime 18 le tra nsistor se bloqu e. Cepcndant lcs perforrnances d'un transistor bipolaire sonl limitees
par la ncccssitc d'un coura nt de base clcvc pour l'arnorccr ainsi qu'un temps de blocagc rclativemcnl
lent.
 'l/S'T<>-f G'E·'D1~I1artC'mC'11t rl'C'(C' r. t,-0 111 q t1 C' 'ElectroniqlU? ae _puissance

Carnctcristique statiquc d'un transistor bipolairc

En clcctroniquc de pui ssance le transistor bipol airc est utilise commc un intcrruplcur. Scs clals ON ct
OFF so nl geres par le co urant de base lu. Ce courant doit etre rnaintenu present pour qu e le transi stor
rcstc ,\ l'ctal ON . aulrcmcnl ii scra bl oquc (clat OFF). On dit quc le transistor bipolairc est un
comp osa nt comrnandc en co uranl.
La caractcrist ique statiquc lc =l(Vcc) d'un transistor bipolairc est dccritc sur la li gurc 1. 5. Co111111c le
montrc cette ligurc. 0 11 di stin gue 4 zo nes de fo ncti onn erncnt. La region de blocage, la region ac ti ve
(lincaire). la region de quasi-saturation cl la region de saturation dure.

i BS > 1 B5

J B5 > 1B4

~------r-- l 84 > I 8 3

I --------+-- 18 3 > ! s:
I B~ ::, 1Bl
n --------+--

Fii,!urr 1.5: Carartl·ristiqul' staliqul' d'1111 transistor hipohiirl'

- Rel:!ion de blocal:!e:
Dans cette region le co urant de base 18 est nul (1 8 = 0) et le co ura nt de co llec teur le es t egal au cou rant
de f'uitc in ve rse ( ic=lcrn ). La region so us la caractcri stique pour IB= 0 est la region de blocage . Dans
ccltc region , le transistor equi vaul ,\ un circ uit ouvert.
- Region act ive( linea ire) :
Dans celle region le transi stor fonc ti onn e commc amplificatcur. La resistance dynamique clans cetle
regio n es t irnportanlc . La dissipation de puissa ncc est max i111alc.
- Region de guasi-san1ration:
La regio n de quasi -sat uration se situc enlre la region de saturati on dure el la regio n acti ve. A haute
frequence le transisto r fonctionne clans celle region. II of'fre un e faible resistance pa r rapport a la regio n
acti ve. Ainsi , la perte de puissance est moindre. Dans celle region, le transistor n'entre pas en
saturation profoncle. Ai nsi , ii peut passer de l'elat ON a l'etat OFF plus rapidement.
- Region de saturati on dure (profoncle):
La resista nce offene par le tran sistor dans cellc region est minima le ain si la puissance di ssi pcc est
minimal c. La tensio n Vee es t ega le ii la tension de sat urati on (V,.,(,,,1) ) du transistor qui es t
l:!Cncralemenl de l'ordre de I a 2 V. Le courant du co ll ec teur( le ) reste presque constant el el!al au
~o uran l ck saturat ion le (sat). -
lc(sal)= [3,- .lu

oi, Br represen te le ga in statique force du tran sis tor qui est generalement de l'ordre de 5 a 20
A panir de Ia caracteristique statiquc de la figure 1.5 on peut deriver cleux modeles du transi~tor
bipolai re fonc ti on nanl en regime de comm utati on tels qu'indiquc su r Jes figures 1. 6 et I. 7. On ne
cons idcrc dan s ccs fig ures que la sort ie du transistor.
 Tf.ec trontqu.e c(e yu issa nce

A l'ctal OFF (l ll= 0) le tran sistor sc

comporle comme un circuit ouvcrt

,,~ L
lc=O
[ 1:11 OFF

'c
'cr A l'ctal 01\ (i u>0) le tran sistor sc comportc
Figur<' 1.6 : Carac tCnstiq uc sta 11 quc co 111111c u11 court circu it.
d'un transistor idCal en co mmutat ion

Vn = O
Elal 0 "1
lc= les,,

clc.i•-
•c
A l'etat OFF (l u=0) le trans istor se
comporte comme un circu it ou vcrt

t,
'
Ern1 O FF
le :,c() (lc= ln o)

Figure I. 7: CaractCris1iq uc sta liquc

d'un transi-aor rCC I en co nm1utation ce.,,,~, A l'cta1 ON ( lu>O) le tra nsistor sc

I C

I '6:
cornportc commc un ge ncratcu r de
tension.

Vn =Vet s,,
T~,~,r- le= !cs"'
'
EtatO"I

Ca racteristiqu es dynamiques d'un transistor bipolaire

11 est irnporta111 d'ctudicr le compo11emcnt d'un transistor !ors de so n passage de l'ctat bl oquc i1 l'ctat
passant et vice versa.
Quand on appli quc un coura nt lu a la base d'un transistor bipolaire le eoura nt le prcnd un certain
tem ps pour atteindrc 10% de sa valeur tinal c (! ,.,,,,).On appclk cc te mps l,1 (de lay time ou tcrnps de
retard ).
Le temps mi s par le pour passer de I 0% a 90% de le,.,, est appele Ill (r ising time ou te mps de montee1.
Le tcrnps total d'ctablisse rn cnt du co urant le est appclc to~ (turn -011 time ou temps d'arnon;:agc) ct est
egal a

()uand 011 annul e le couranl de base du tran sistor (Ill =0) afi 11 de le bloque r, le co urant du collecteur le
nc s'a nnule pas in stant ancment, ca r ii faut un certain temps pour cvac ucr lcs charges au nivcau de la
base du transistor. Ce temp s est appele Is (storage time ou temps de stoekage) . C';st le tem ps mis par
le pour passer de le"" a 90% de le,,, .
 'lf s-ru-:r (i'.£-·[}~par( (' /11('11( d 'e(t,c t /'(I/I 1!/II C 'ECectrvnique ae yuissance

Le temps de dcscente tr (l'alling time) co rrespo nd au passage de le de 90% a 10% de le, ... C'est le
temps ncccssa irc it la disparition cks portcurs minoritaircs.
Le temps tot al de clcc roissance du courant le est appele toi:1-· (turn-offtim e ou temps de b\ocage) ct es t
&ga l a
toF~ = t, + lr

Ces differenls temps ainsi que la va riation du courant de base 18 , du courant du col\ecteur le, de la
tension VcE et de la puissance dissipee clans le transistor sont representes sur la figure figure I 11.
la puissa ncc dissipcc (P(t)) est donn ee par la relation

P(t )=V CE(l). lr( l)

~~K l
\'('~,; .... t ~ - - -- - - - - - "~
c.· :.

' .

r-i-;~
:"' l ~J- ~

Figure 1.8: CaractC ristiq ucs dynamiqucs d'un transistor bipolairc

3 Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Principe de fonctionnement et symbole
Le symbole pour un MOS!:~ T canal _N est donne a la figure 1.9. Le courant principal (lo) ci rculant du
dra111 a la source est controle en mod1fiant la tension Yc;s app liquee sur la grille du transistor.

Fi):urc 1.9: Symbolc rcprcsenl ant till 1ransis1or :VIOSFET (cana l N 1

 '£/ectrcmi{jue tie _puissance
·u s·n >·:fCj'[ ·'D~p ,11 ·( i.! 111 17 111 ,t'Jfoc t /'1)/I ,,,,,e

Le MOSFET i.:st un transistor ii diet de champ .. C'cst aussi un composant unidirectionncl controlablc.
J\vcc unc tension au drain supcricurc a ccllc de la source (VL>s >0) ii suf'lit d'appliquer unc tension
entre la grille et la source (Vos> 0) pour que le transistor co111111ence a conduire et un courant IL>
commence acirculer. Si on suppri111e la tension Vos le transistor se bloque .

Caractcristiquc statique d'un transistor MOSFET

Tout commc le transistor bipolairc, le MOSFET en clcctronique de puissance est utilise commc un
interrupteur. Ses etats ON et OFF sont geres par la tension grille-source (Vos). Cette tension doit etre
maintenue presente pour que le transistor reste al'etat ON , autrement ii sera bloque (etat OFF). Le
MOSFET est done un composant commande en tension. On remarque sur la figure I. IO que tan! que la
tension grille-source (Vos) est inferieurc it une valeur Vc;s 11, de scuil (Threshold Voltage) de l'ordrc de
2 a SV le transistor reste bloque.

lo t I
I
/
I
/
/
I
0
0 VGS,, VGS

Figure t.10: Caractcristiquc lu c11 fo11ction de Vc;s

Les caracteristiques donnant le courant de drain( lo) en fonction de la tension drain-source (Yus).
pour di verses valeurs de la tension grille-source (V 0 s) ont !'allure representees sur la figure 1.1 I.
Pour VGs inferieurc a Vc;s.,.h le n-ansistor est bloque. On est clans la zone de blocage. Le transistor peut
ctre considere com me un intc1TUpteur ouvert. Lorsquc Vos depasse Vosr" le transistor dcvient passant
d'OLI apparition du courant 10 . On distingue deux zones de conduction. La zone d'amplification et Ia
zone ohmique. En electronique de puissance on s'interesse a cette deuxieme zone en plus de la zone de
blocage citee precedemment.

w.., Zof.~
Cffl'.?1i:i<.l!i~
ot,r.i'!"-'

'0,., :,. \~., I

.:r-- - - - -- - - \~:s ,
rr::.,_~=:::::::::;:::S:====:3.~ ,; Z<x.! <!? ~locig~ (',. c t <\"'Th,}

\'os
Fignrc 1.11: Caractfristiqu,' statique cl'uu transistor MOSFt::T

Dans
,· , la zone· d'
ohmique
· le transistor etant a l'etat
cl R . ON
. se comporte comi ne une 1es1stance
.. . appelee. Rns 1r,:
L ideal
. sera. 1t • avail' une va 1cur• c Dso:-s ega • le a zero car la 1rnissai ·
· ·' ice mstantanec. d1ss111e
. . ·.e cla11s le ·' ·
transistor a l'ctal 0 N est l 1on nee par la rclat1011 ·· ' ·
 'U S'TO·:r<,,i'I·'D~P" rt l'HH-' 111 d'c(ec t ru11 iq 11t' '.E(ectronique tfe yui.ssance

A partir de la caracteristique statique de la figure 1.11 on peul deriver deux modeles du tran sistor
MOSFET fonctionnant en regime de co111111utation tel s qu'indiqu e sur Jes figures 1. 12 et 1.13 .

D Dr.w

y-l'o A J'c tat OFF (V,,s < Vc. s11,} le transistor se

comporte comme un circuit ouvert
Io
lu=0
s~,
ON Etat OFF

OFF D:>ri1..1

A l'ctal ON (Vc;s > \/Gsn,) le tran sistor sc

~..rDS
comporte co mme un cou11 circuit.
Figure 1.12: ('3ractCristiquc stat iquc
d'un tra nsistor idCal en commut ati on
Vns=0
ln= lnsa1

[!al 0\

A l'etat OFF (Vc;s < Vc;s1o) le tran sistor

ON sc comportc commc un c ircuit ouvcl1
Io

Etat OFF

OFF
A l'etat ON (V Gs> VGSTh) le transistor
\'DS sc componc commc un c resistance
Rnsn, .
Fi g ure 1. 13: CaractCristiquc stati<.~u c
d'un tran sisto r r'Ccl en co111111utat1on \Ins= Rns, l~.l o
lu= lus,.,
Etal 0\

Caractt'risrhiu<.'S drnami<JU<.'S d'un transistor MOSFET

Les caractcristiqucs dynamiqucs d'un transistor MOSFET de co mmande 0 111 la mcme allure que ccllcs
d'un tran sistor bipolairc. Au lieu d'un courant de commandc lu on a unc tension de eonimandc \/c;s
Le co urant fu va rcmplaccr le ct la tension Vu, va rcmplacer VcE On rctrouve le temps de retard i1
l'amon;age (lJoi-: ). le temps de montee (t,.), le temps de retard au blocage (tJoFr) au li eu de ts(temps de
stockage) et en fin le temps de dcscenle (tr). De meme
lo~ = tJQl'C + t, et to1•F = tdoFF + Ir

JI est a noter qu c le transi stor MOS FFET e st beaucoup plus rap id e que le transistor bipolaire.
 'U SIO·:F<;i'E·V~p,1rt em e11t d 'eiec t ro11 iqu e 'Electronique ck puissance

4 Le transistor IGBT(lnsulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolaire a Grille lsolee ).

Principe de fonctionnement et symbole

Le symbolc de l'IGBT est donnc sur la figure I. I4a ct sa structure in1cmc en figure 1.14b.
Coll cc i«u ( C)

]Jic '
Gril dG
)~IJ;:~
"a~~
Emetteur (E)
(cl
Gnl le(G) '-"J J
·q·~'
f--
P D " o' I
'

Emctt,ur (E)

(a) (b)

Figure 1.14: Symbolc ct structure intcrnc de l'IGBT

Le Transistor Bipolaire a Grille lsolee ( IGBT) est un composanl de puissance qui rassemble les
avantages du transistor bipolaire (chute de tension faible en conduction , tension pou va nl elre bloquee
elevee,) el eeux du transistor MOSFET (commande en tension et vitessc elevee de commutation).
L'IGBT est done un transistor unidircctionncl conlnilab lc en tension . Avce unc tension au collcelcur
superieure it eelle de l'emelleur (VcE >0) ii suffil d'appliquer une tension entre la grille et l'emeneur
(VcE > 0) pour quc le transislor commence a conduirc ct un couranl le commence a circuler. Si on
supprimc la tension VGE le lrnnsislor sc bloquc.

Caracteristiques statiques d'un transistor IGBT

Puisquc l'IGBT est un MOSFET en entrce, sa commande est cffecrue par le biais de sa tension grille -
cmcl\cur (VcE ), Lorsque la tension Vc,E est inferieurc a une tension seui l (Vcn11), le transistor se
trou ve a l'etat bloque (OFF). Le courant le est quasiment nul et VcE egale ii sa va leur maximale
appliquee. Lorsque la tension Vc,Edepasse Vc;rn,, l'IGBT devient passant (ON) comme c'est indique
sur la figure 1.15. En commutat ion la tension collectcur-emclteur de l'IGBT (V cE) devicnt egalc it
VcEsa, ct le couranl Jc cgal lcs 01 . Commc le MOSFET la tension scuil (V Gu1,) est comprise entrc 2V ct
SV.

lcJ.
,
!
l
I

I
/
0 /
0 VGETh "oE

Figure 1.15: Caraetcristique le ('II function de Vr; ,

Sur la figure J .16 la caraclerislique statiquc d'un transistor IG BT est rep., :_ L d

1escn t ee. es eux zones de
blocagc ct de saturation v1s1blcs. Les courbcs son! scmblablcs accllcs d'
. . • •
. . . .
- . . _ un t1ans1stor b1polairc avcc
lcs:n cl VcEsa, en sortie cl la tension de comrnancle VGE en cntrec cornme un MOSFET.

J
 'U S'TO·_'F(jL·'D<'p<1 rt e111 e11t d'e(ec tron iqtt e 'E/ectronique de puissance

le .

/ VGE6 > \'GE 5

/ ,.- - - - - - V G E - >VGE
// ) -I
I/( ------ VGE 4 > VGE,
~I../ _____ \''GE3 >VG[
. ...

v~:~
)
J/1 \' . -
l_ i}[------ >,.GE1

VCE
Figure 1.16: Caracteristiquc statiquc d'un transistor IGBT

Alors que le transistor bipolairc eta it le plus utilise en elcctronique de puissance avec !es thyristors,
actucllcment ils sont de plus en plus rcmplace par !es MOSFET et !es IGBT.

5 Thyristor
Principe de fonctionnement et symbole
Le thyristor est le composant des irnutes ct tres hautes puissances par excellence. Son symbolc est
donne sur la figure l. l 7a et sa structure intcrnc en figure l . l 7b.

'lAl
Anode ( .\)
.

Gachette (G)
l O:ichette (0 )

- -'

Cathode (K)
C:1thodt!(h )
(a)
(b)

Figure 1.20: Symbolc ct structure intcrnc du thyristor

Le thyristor est un composant unidirectionnel controlable. 11 est !'element le plus utilise dans le domaine
des tres hautes puissanccs. En appliquant unc tension VAK positive aux bomes du thvristor celui ci rcste
bloque (Avec V AK< VBR)- Si on injecte dans la giichette un courant lG qui a une cer-taine amplitude et
une ccrtaine duree ( determines par le fabricant) le thyristor devient conductcur ct un courant I,\
commence acirculer avec unc chute de la tension VAK a une valeur egale a zero dans le cas ideal. Si on
supprime JG, le thyristor reste eonducteur a!'inverse des transistors. Pour le bloquer ii faut soit annuler
JA soit inverser YAK grace ii des circuits auxiliaires.

Caracteristiques statiques d'un thyristor

La figure J.18 represente les ca_racteristiqu~s staUques d'un thyristor. On peut voir que plus V AK est
grande et plus le eourant _de gache~te le, necessa tre pour l'amorcer est foible. De plus ces courbes
mcllent en evidence ccrtam paramctrcs du lhynstor.
 ·uS'T<J ·:FC:tE·'D~p, , rt t.> 111 e,11 d'Jh·c t , ·, ,1111111 r
'.Electroniqtu cu yuissance

IA•

,·;_\1
/
le_ / - •
I i,
• , , . ,( /
,t ,_ >::i; >I ;..~

r
IH _ . -') / ,...,

I \ 'a?.
\ -'.tr.

Figure 1.18: Caractcristiqucs statiqucs d'un thyristor

\1B11: Tension 111ax i111 ale positive qu e le composant peut supporter lorsqu 'il est a l'etat bloque, et au dela
de laqu cll e ii dcvicnt conductcur mcmc si aucun courant de commandc (le) n'cst injcctc dans la
giic helle

V1D1: Tension max imale negati ve quc le co111posan1 pcut su r110rt er au dclit de laq ucllc un courant
cl'a valanehc va appa ra itn:: pouva111 causer la clcs1ru c1ion du composa nl.

IH: C:ou ra111 de 111a i111i en (ll olclin g current ). II s'agit de la valeur du co uranl 1,, au-dcssous de laqucll c
un th yri stor qui ctait dans l'ctat p;ssant , va repas~er ii l'ctat bloquc.

IL: Co uranl d'accrocha ge ( Latching current). II s'ag it de la vak ur du couranl IA au-dcssus de laqucll c
un th yri stor passc a l' elat passanl ct quc le couranl de co mmande (le; ) peut etre supprimer sa ns causer le
blocage du th yristor

lcma.,: Co urant minimal de gdchcllc clcmandc pour qu c le thyri stor puissc c tre amorccr ( passage de
l'elal bloq ue a l'elal passanl).

A partir de la fi gure 1. 18 on peut deri ver des schemas simplifies representanl de s mocli:l es de
fo ncti onnemcnl du th yri stor comme illuslrc sur !es figures 1.20 ct 1. 2 1.
Anode (A)

1,J i\ l'ctal OFF (v . \K <O OU V ,1 K > 0

!.•.,.

ON y·, mais aucun signal le; ) le th yri stor sc

co mportc co111111c un circuit ouvcrl

1.,=0
Cathode (K )
OFF OFF Vu:: [lat OFF

Fi:411n· 1.20 :Cara ctC'risiiquc d'un Anode (A)

1h yris1or ideal A l'etat ON (lr,>0 et V ,,K >O) le
IA
comportc com mc un cow1
th yristor sc
circuit.
lv'JC
v ,,K=O

Cathode (K)
EtalO:\'
 ·u s n J-,'f(i'E·'Depart e111 e11t d'e(ec t /'VII iqu e 'EG!ctronup,u, de _puissance

Anode (A)

,. 1
?~
A l'etat OFF (V AK <O OU V AK > 0
mais aucun signal IG) le th yristor sc
comporte comme un circuit ouvcrt

ON

Cathode (K)
OFF OFF Vo.K Etat OFF

Figure 1.21: : Caracteristiquc d'un Anode (A)

A l'etat ON (lc;>O et V AK >OJ) le
thyristor reel
1, I d1yrisror se
comportc commc un
generateur de tension.
-¾i v\K
1
Cathode (K)
EtatON

Les th yristors s0111 des co mposanls rclati vc ment lcnt s.