Electronique des systèmes Master_GE 2022/2023

TP n°1 : Etude et réalisation d’oscillateurs

But: Etude de différents montages permettant de générer un signal périodique.

Oscillateur LC à transistor à effet de champ

L’un des montages utilisé pour générer un signal sinusoïdal est celui de la figure 1a utilisant
un transistor à effet de champ de type 2N3819 dont la documentation technique est donnée
dans l’annexe 1 (figure 3 ci-dessous). On prend VDD=15V ; RD=2.2kΩ ; RS=470Ω ;
RG=1MΩ ; C=2.2µF ; CS=100µF. Pour le circuit de réaction on choisit L=100µH et
C1=C2=1nF.

VD
D
RD C

vr(t)
v2(t)
L
v1(t) C2
C1
RG
RS CS

Figure 1b
Figure 1a

1. Etude théorique
1.1. Tracez le schéma équivalent en dynamique.
1.2. Déterminer la fréquence d’oscillation f0 et la condition sur gm.

2. Réalisation
2.1. Réalisez le montage statique de l’amplificateur et mesurer VGS et VDS. En déduire ID.
2.2. Complétez le montage de l’amplificateur en mettant en entrée un signal sinusoïdal
v1(t). on impose une amplitude de l'ordre de 0,1 V et de fréquence de l'ordre de 10 kHz,
visualiser et relever v1(t) et v2(t). Déterminez la valeur de Av, en déduire gm.
2.3. Ajoutez le circuit de réaction sans fermer la boucle. En imposant un signal v1
d’amplitude 0.1V. Noter la valeur de f0 pour laquelle ϕ(vr/v1)= 0; que vaut alors
T0=Vrm/V1m ? Conclure.
2.4. A la fréquence f0, tracer la courbe Vr=f(V1). En déduire graphiquement, la valeur de
V1: valeur efficace de l'oscillation auto-entretenue en boucle fermée. Vérifier la
correspondance avec le relevé précédent.
2.5. Enlever le générateur et fermer la boule. Visualiser et représenter v1(t) et v2(t).
2.6. Mesurez la fréquence d’oscillation f0 et l’amplitude V2m de v2(t) pour L=100 jusqu’à
10µH. Comparez avec la théorie.
L(µH) 100 80 70 60 50 40 30 20 10
f0(kHz)
V2m

Utilisation d'un Timer comme oscillateur

Pour la production de signaux non sinusoïdaux, on utilise souvent le circuit intégré NEE 555
dont on donne le schéma de principe sur la figure 2a. On y trouve : 3 résistances identiques
R=5 kΩ, 2 comparateurs CP1 et CP2, une bascule bistable de type RS et un transistor (Tr) à
collecteur ouvert. Le schéma de l'oscillateur est celui de la figure 2b. VCC=5V, R1=150 Ω,

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R2=RL=1kΩ, C1=1µF et C=10nF. La documentation technique du circuit intégré est donnée

en annexe 2.
VCC

R1 RL
8 4
7
R2 NE555 3
6
vc(t) 2 5 1 vs(t)
C1 C
Figure 2a

Figure
2b
1. Etude théorique
1.1. Indiquer le rôle des comparateurs CP1 et CP2 et exprimer leurs seuils de commutation
respectifs en fonction de VCC. (On notera VCP1 le seuil de commutation du comparateur
supérieur CP1 et VCP2 celui du comparateur inférieur CP2).
1.2. En utilisant la table de vérité de la bascule RS, compléter le tableau ci-dessous
donnant les valeurs prises par les signaux logiques R, S, Q, état du transistor et état du
condensateur.
Ve R S Q V3 Tr C
0<Ve<VCP2
VCP2<Ve<VCP1
VCP1<Ve<VCC
1.3. Ecrire les équations décrivant la charge et la décharge du condensateur soit Vc(t).
En déduire les durées t1 et t2 des deux phases du fonctionnement.
1.4. Tracer les chronogrammes des signaux Vc(t), S(t), R(t), Q(t) et V3(t).

2. Etude expérimentale
2.1. Réaliser le montage de la figure 3 en fixant R1=150 Ω et R2= kΩ.
2.2. Représenter, sur papier millimétré, Vs(t) et Vc(t) pour C=10 nF et C=100 nF.
Conclure.
2.3. Mesurer la période T de Vs(t) pour : C = 10; 22; 33; 47 et 100nF
2.4. Tracer la courbe T en fonction de C. En déduire la pente de cette courbe.
2.5. On fixe C = 10nF. On injecte, sur la borne 4, un signal TTL de fréquence f0 = 1kHz.
Visualiser et représenter V4(t) et Vs(t). Conclure. En déduire le rôle de la borne n°4.

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Annexe 1: Documentation du FET 2N3819

Figure 3

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Annexe 2 : Documentation technique du circuit 555

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