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Nous nous proposons d'estimer la valeur de la cission critique dans le cas d'un réseau
cubique simple et de l'exprimer en fonction des paramètres connus du métal. La déformation
plastique procède par le décalage x de la partie supérieure du cristal par rapport à la partie
inférieure, au-dessous du plan de glissement. L'expérience ne permet de saisir que l'état initial
et l'état final, la variation de x = 0 à x = a étant trop rapide (figure 7).
Soit W(x) l'énergie d'interaction de deux parties du cristal décalées de x ; cette énergie
est rapportée à l'unité de surface. La fonction W(x) est minimale chaque fois que le réseau
retrouve sa configuration normale, c'est-à-dire pour x = 0, a, 2a, 3a…. On peut également
prévoir que la fonction W(x) sera une fonction périodique, de période a, et, en premier
approximation, on la prendra sous la forme (figure 8) :
x
W(x) = W0 – W1 cos 2
a
La cission à appliquer pour maintenir le décalage des deux parties du cristal est donnée par :
dW 2 x
(x) = - = W1 sin 2
dx a a
Pour x petit, on peut appliquer la loi de Hooke de l'élasticité et obtient, étant le module de
cisaillement :
x
(x) =
a
μa
W1 =
4 π2
❑ x
Et (x) = 2 sin 2
a
La valeur maximale de (x) correspond à la valeur de la cission critique ; elle st obtenue pour
a
x=
4
a μ
c = ( ) = = 0,16
4 2π
On a obtenu une relation simple entre la valeur de la cission critique et celle du module de
cisaillement du métal.
Bien que les métaux ne cristallisent pas dans le système cubique simple et bien que la
fonction W(x) choisie pour représenter les variations de l'énergie d'interaction entre les deux
parties du cristal soit très approchée, on devrait s'attendre néanmoins à ce que le rapport de la
valeur de la cission critique à celle du module de cisaillement soit de l'ordre de 0,16 à un
facteur prés pouvant varier, disons, de 0,2 à 5.
Tableau II
Le modèle fondé sue le décalage d'une partie du cristal par rapport à l'autre doit être
remis en cause et par la-même l'hypothèse d'un réseau parfait dans lequel les atomes
occuperaient strictement les positions qui leur sont assignées par l'arrangement
cristallographique, au déplacement dû à l'agitation thermique près. On doit donc admettre
l'existence d'imperfections ou de défauts dans l'arrangement des atomes du cristal. Pour
imaginer le défaut qui est responsable de la faible valeur expérimentale de la cission critique,
On utilisera l'analogie du tapis proposée par Mott ; on peut déplacer un tapis sur le sol de deux
manières : on peut saisir le tapis à pleines mains et le tirer à soi, ou bien on peut faire à l'une
de ses extrémités un pli que l'on conduit jusqu'à l'autre (figure 9).
Fig. 9 - Les deux façons de faire glisser un tapis.
Pour un tapis grand et lourd, la seconde manière demande moins d'effort : elle permet à une
personne seule de déplacer le tapis sans excéder ses forces. On peut assimiler la première
manière au décalage progressif d'une partie du cristal par rapport à l'autre ; la seconde manière
requiert l'introduction d'un "pli" entre les deux moitiés du cristal. Ce pli "pli" se déplaçant
d'une extrémité à l'autre du cristal permettra de passer de l'état initial à l'état final sous l'action
d'une cission dont la valeur sera relativement faible.