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II – MECANISME DE LA DEFORMATION PLASTIQUE

II – 1. – VALEUR ESTIMEE DE LA CISSION CRITIQUE POUR UN RESEAU


CUBIQUE SIMPLE

Nous nous proposons d'estimer la valeur de la cission critique dans le cas d'un réseau
cubique simple et de l'exprimer en fonction des paramètres connus du métal. La déformation
plastique procède par le décalage x de la partie supérieure du cristal par rapport à la partie
inférieure, au-dessous du plan de glissement. L'expérience ne permet de saisir que l'état initial
et l'état final, la variation de x = 0 à x = a étant trop rapide (figure 7).

Fig 7 – Déformation plastique du cristal parfait par cisaillement.

Soit W(x) l'énergie d'interaction de deux parties du cristal décalées de x ; cette énergie
est rapportée à l'unité de surface. La fonction W(x) est minimale chaque fois que le réseau
retrouve sa configuration normale, c'est-à-dire pour x = 0, a, 2a, 3a…. On peut également
prévoir que la fonction W(x) sera une fonction périodique, de période a, et, en premier
approximation, on la prendra sous la forme (figure 8) :

x
W(x) = W0 – W1 cos 2
a

W0 et W1 sont deux paramètres constants.


Fig 8 – Variation de l'énergie d'interaction entre les deux parties du cristal décalées de x.

La cission à appliquer pour maintenir le décalage des deux parties du cristal est donnée par :

dW 2 x
(x) = - = W1 sin 2
dx a a

Pour x petit, on peut appliquer la loi de Hooke de l'élasticité et obtient,  étant le module de
cisaillement :

x
(x) = 
a

D'où l'on déduit en remplaçant le sinus par son argument:

μa
W1 =
4 π2

❑ x
Et (x) = 2 sin 2
a

La valeur maximale de (x) correspond à la valeur de la cission critique ; elle st obtenue pour
a
x=
4

a μ
c = ( ) = = 0,16
4 2π

On a obtenu une relation simple entre la valeur de la cission critique et celle du module de
cisaillement du métal.

Bien que les métaux ne cristallisent pas dans le système cubique simple et bien que la
fonction W(x) choisie pour représenter les variations de l'énergie d'interaction entre les deux
parties du cristal soit très approchée, on devrait s'attendre néanmoins à ce que le rapport de la
valeur de la cission critique à celle du module de cisaillement soit de l'ordre de 0,16 à un
facteur prés pouvant varier, disons, de 0,2 à 5.

Tableau II

Métal (c)mes(Kg/mm2) (Kg/mm2) (c)mes/


Be 0,14 – 5,30 15,0.10-3 0,93 – 35.10-5
Mg 0,04 1,77.10-3 0,93 – 35.10-5
Al 0,01 – 0,1 2,77.10-3 0,93 – 35.10-5
Ti 1,40 4,06.10-3 0,93 – 35.10-5
Fe 2,80 8,47.10-3 0,93 – 35.10-5
Co 0,65 – 0,70 7,63.10-3 0,93 – 35.10-5
Ni 0,24 – 0,85 7,85.10-3 0,93 – 35.10-5
Cu 0,02 – 0,10 4,64.10-3 0,93 – 35.10-5
Zn 0,02 3,79.10-3 0,93 – 35.10-5
Ag 0,04 – 0,13 2,94.10-3 0,93 – 35.10-5
Au 0,05 – 0,13 2,82.10-3 0,93 – 35.10-5
Whisker W 2,8 15,1.10-3 0,18
Whisker Fe 1,1 8,47.10-3 0,13
Valeur théorique 0,16
On a indiqué au tableau II la valeur mesurée de cission critique (c)mes pour différents
métaux ; on a également indiqué la valeur du rapport (c)mes/µ. Pour les monocristaux de taille
ordinaire, il apparait un désaccord très important entre la valeur du rapport (c)mes/µ mesuré et
la valeur théorique estimée. Le désaccord est moins marqué pour les monocristaux
filamentaires, encore appelés whiskers, poils ou trichites, de très faible diamètre.

L’approximation du réseau cubique simple et celle de la loi d'interaction W(x) entre


les deux parties du cristal ne permettent pas d'expliquer le désaccord observé. Celui-ci est
essentiellement dû à l'insuffisance du modèle que nous avons construit pour rendre compte
des étapes intermédiaires du glissement. Il semble bien en effet qu'une cission beaucoup plus
faible que celle estimée permette d'amorcer le glissement et par conséquent la déformation
plastique. A la température ordinaire, l'expérience montre que la valeur de la cission critique
est de l'ordre de 10-5µ pour les métaux mous, métaux cubiques à faces centrées et métaux
hexagonaux se déformant par glissement sur le plan de base, et de l'ordre de 10 -4µ pour les
métaux durs, métaux cubiques à maille centrés et métaux hexagonaux se déformant par
glissement en dehors du plan de base.

II – 2. – INTRODUCTION DE LA NOTION DE DISLOCATION

Le modèle fondé sue le décalage d'une partie du cristal par rapport à l'autre doit être
remis en cause et par la-même l'hypothèse d'un réseau parfait dans lequel les atomes
occuperaient strictement les positions qui leur sont assignées par l'arrangement
cristallographique, au déplacement dû à l'agitation thermique près. On doit donc admettre
l'existence d'imperfections ou de défauts dans l'arrangement des atomes du cristal. Pour
imaginer le défaut qui est responsable de la faible valeur expérimentale de la cission critique,
On utilisera l'analogie du tapis proposée par Mott ; on peut déplacer un tapis sur le sol de deux
manières : on peut saisir le tapis à pleines mains et le tirer à soi, ou bien on peut faire à l'une
de ses extrémités un pli que l'on conduit jusqu'à l'autre (figure 9).
Fig. 9 - Les deux façons de faire glisser un tapis.

Pour un tapis grand et lourd, la seconde manière demande moins d'effort : elle permet à une
personne seule de déplacer le tapis sans excéder ses forces. On peut assimiler la première
manière au décalage progressif d'une partie du cristal par rapport à l'autre ; la seconde manière
requiert l'introduction d'un "pli" entre les deux moitiés du cristal. Ce pli "pli" se déplaçant
d'une extrémité à l'autre du cristal permettra de passer de l'état initial à l'état final sous l'action
d'une cission dont la valeur sera relativement faible.

La configuration des atomes analogues du "pli" constitue la dislocation et on vérifie


bien que le passage de la dislocation de gauche à droite produit bien la déformation plastique.
La dislocation est une imperfection linéaire ; en dehors de la zone qui entoure la dislocation
on retrouve l'arrangement normal des atomes prévu par la cristallographie (figure 10).

Fig. 10 – Déformation plastique du cristal par déplacement d'une dislocation.

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