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MOSFET Et IGBT - Circuits de Commande
MOSFET Et IGBT - Circuits de Commande
circuits de commande
1. Dimensionnement.................................................................................... D 3 233 - 2
2. Protection contre les courts-circuits ................................................. — 3
2.1 Détection par mesure de la désaturation .................................................. — 4
2.2 Détection par mesure du courant............................................................... — 4
2.3 Mise en œuvre d’une protection ................................................................ — 4
3. Transistors low side ................................................................................ — 5
3.1 Principe......................................................................................................... — 5
3.2 Circuits intégrés de commande.................................................................. — 6
4. Transistors high side ............................................................................... — 7
4.1 Problématique.............................................................................................. — 7
4.2 Transmission des impulsions de commande............................................ — 7
4.3 Alimentations............................................................................................... — 10
4.4 Isolation simultanée de la commande et des alimentations
par transformateur d’impulsion ................................................................. — 13
5. IGBT de forte puissance......................................................................... — 14
5.1 Principes de commande.............................................................................. — 14
5.2 Circuits hybrides de commande................................................................. — 15
Références bibliographiques ......................................................................... — 16
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plusieurs ampères) et de très courtes durées (quelques 10 ns) lors temps de commutation sont inversement proportionnels à IGM. La
des phases de commutation pour assurer la charge et la décharge valeur de courant commuté I0 influe assez peu car le temps de pas-
de sa capacité d’entrée. Ainsi, le dimensionnement et le câblage du sage de VT (tension de seuil de commande) à V0 (proche de la ten-
circuit de commande doivent être étudiés et réalisés avec soin. sion de plateau de commande) est généralement très faible (cf.
Exemple : les relevés expérimentaux de la figure 1 sur un transis- [D 3 231, figure 37]. En revanche, la tension commutée joue un rôle
tor MOSFET 600 V, 21 A inséré dans un hacheur série (I0 = 8 A, un peu plus important. Évidemment, la tension maximale de com-
UDC = 400 V) montrent les grandeurs de commande (VGS et IG) et les mande VGS joue un rôle majeur (figure 3).
grandeurs commutées (VDS, ID) lors des phases de mise en conduction
et de blocage. L’énergie WG fournie par le circuit de commande pour assurer la
commutation de mise en conduction s’écrit :
La figure 2 montre un circuit de commande unipolaire élémen-
taire, constitué essentiellement d’un push-pull à deux transistors
∫
bipolaires complémentaires, et d’une résistance RG de limitation du WG = u S i G dt = V CC Q G
courant maximal de grille. Les formes d’ondes simplifiées sont tra-
cées en négligeant l’effet de l’inductance totale de grille. T
1 15 1 20
Courant (A)
Tension (V)
Courant (A)
Tension (V)
0,75 VGS VGS 15
10
IG
0,5 0,5 10
5
0,25 5
0 0 0 0
– 0,25 –5
–5
IG
– 0,5 – 0,5 – 10
– 10
– 0,75 – 15
–1 – 15 –1 – 20
0 0,5 1 1,5 2 0 0,5 1 1,5 2
Temps (µs) Temps (µs)
500 50 10 500
Courant (A)
Tension (V)
Courant (A)
Tension (V)
400 40 8 400
VDS VDS
ID
300 30 6 300
200 20 4 200
100 ID 10 2 100
0 0 0 0
– 100 – 10 –2 – 100
0 0,5 1 1,5 2 0 0,5 1 1,5 2
Temps (µs) Temps (µs)
Figure 1 – Relevés expérimentaux, mise en conduction et blocage d’un transistor MOSFET (APT6030BVR, 600 V, 21 A) avec une tension de grille
bipolaire
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IG t QG = 22 µC (VGE = − 15 V à 15 V)
6
2. Protection
contre les courts-circuits
4
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Défaut de VCC
court-circuit
T1 T2 T3
D
+
UDC M Tinhibition
–
Vref
T4 T5 T6
&
Inhibition C
G
Entrée
IC Régime de Commande E
court-circuit grille
ICC VGE = 15 V
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IC ∆V IC
ICC ICC
∆V
VCE ∆V
UDC UDC UDC
VCE VCE
IC
I0
t t t
VGE
+ 15 V + 15 V + 15 V
VT VT VT
VGE VGE
t t t
a phase de blocage en fonctionnement b blocage d'un courant de court-circuit sans c blocage d'un courant de court-circuit
normal, surtension acceptable précaution particulière, risque de claquage à travers une résistance de grille élevée
en tension
Figure 7 – Blocage d’un courant de court-circuit, effet de la résistance de grille sur la surtension
+ 15 V VCC
DZ VCC
TC
off TA
on
D C 0V RGon
D
Entrée G
TP G
RG TP
E
S
RC RGoff
TB
– 15 V
– VCC
Figure 8 – Schéma de principe d’un écrêteur actif
l’IGBT fonctionne en régime linéaire (désaturation) et la tension VGE Figure 9 – Exemple d’un circuit de commande sans isolation
s’adapte au courant devant traverser l’IGBT. Le courant traversant
DZ restant négligeable devant IC, toute l’énergie est dissipée dans
l’IGBT. En dehors des circuits de commande pour IGBT de très forte complémentaire (inverseur) et un circuit de commande bipolaire
puissance (cf. § 5), ce procédé est également utilisé dans les alluma- dont l’étage de sortie est constitué d’un push-pull à deux transistors
ges électroniques automobiles.
bipolaires NPN et PNP.
Par low side, on qualifie les transistors dont l’électrode de Le transistor MOSFET TC assure le décalage du niveau des ten-
source pour les MOSFET ou d’émetteur pour les IGBT est placée sions de commande et permet de commander le transistor TP entre
au même potentiel que celui de référence du circuit de commande. ± VCC ici. À noter que la polarisation négative de grille (habituelle-
ment choisie entre − 5 et − 15 V pour les transistors à commande
standard) améliore considérablement l’immunité du circuit de com-
3.1 Principe mande aux perturbations. Elle est indispensable pour les transistors
utilisés dans les bras de pont à cause des dV/dt très élevés que
La figure 9 montre un circuit de commande unipolaire élémen- subissent les transistors, mais est également fortement conseillée
taire, constitué d’un push-pull à deux transistors MOSFET de signal dans toutes les autres applications.
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3.2 Circuits intégrés de commande ces circuits une diode haute tension pour la détection de la désa-
turation, mais parfois elle est déjà intégrée dans le circuit de com-
mande qui se trouve alors spécifié en tension).
De nombreux circuits intégrés de commande sont également dis-
ponibles, ils comprennent tous un étage de sortie se comportant Exemple : la figure 10 montre le schéma de principe du circuit inté-
comme une interface de puissance à transistors bipolaires ou à tran- gré MIC4451 (Micrel), capable de fournir des courants crêtes de 12 A
sistors MOSFET capables de délivrer ou de laisser transiter les pics (les deux diodes à l’entrée du circuit intégré de commande sont des
de courant nécessaires à la charge et à la décharge de la grille lors diodes d’écrêtage, pour la protection du circuit de commande, mais en
des commutations. aucun cas pour la protection du transistor de puissance).
L’entrée est généralement compatible avec des circuits logiques.
Certains circuits intègrent également la fonction de protection Le tableau 1 décrit les principales spécificités de quelques circuits
contre les régimes de court-circuit (généralement, il faut associer à intégrés de commande de grille.
(0)
Vs
0,3 mA MIC4451
inverseur
0,1 mA
Out
2 kΩ
In
MIC4452
non inverseur
GND
GND ground
Figure 10 – Schéma de principe des circuits MIC4451 (inverseur) et MIC4452 (non inverseur) Micrel
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Alimentations isolées,
autoalimentation
4.1 Problématique
flottantes ou
Transistor
Commande high side
Dans de nombreux cas, une isolation entre les circuits logiques de rapprochée
commande et le circuit de commande rapprochée est nécessaire
(figure 11). Notamment, la commande d’un bras d’onduleur sou-
lève le problème de la commande de l’interrupteur high side, la
source de ce dernier se trouvant à un potentiel qui varie entre 0 V et Potentiel
UDC. Par high side (haut niveau de tension), on qualifie les transis- flottant
tors dont l’électrode de source pour les MOSFET ou d’émetteur pour Isolation ou décalage
les IGBT est placée à un potentiel flottant pouvant être élevé, et pou- des niveaux logiques
vant varier rapidement par rapport à celui de référence du circuit de
commande. 5 V ou 15 V VCC
Transistor
Il faut donc créer une alimentation du circuit de commande high Logique de Commande low side
side pouvant suivre ces variations de potentiel très rapides, et éga- commande rapprochée
lement isoler ou décaler le potentiel des ordres logiques de com-
mande au potentiel du circuit de commande rapprochée de
l’interrupteur high side. Les tableaux 2 et 3 comparent les différents VEE
modes d’isolation de la logique de commande et les alimentations,
sur la base de circuits existants. Figure 11 – Principe de commande d’un bras de pont
(0)
4.2 Transmission des impulsions Toutefois, certains fabricants proposent notamment des circuits
de commande intégrés de commande dédiés à la commande de bras d’onduleur
avec isolation des impulsions de commande par transformateurs
d’impulsion spécifiés.
4.2.1 Transformateur d’impulsion
Exemple : on peut citer le circuit de commande IXBD4411 (IXYS),
Le transformateur d’impulsion peut permettre le décalage des dédié à la commande de transistor high side ou de bras de pont (asso-
niveaux de la partie logique vers le circuit de commande rapprochée cié au circuit IXBD4410), prévu pour être associé à un transformateur
de l’interrupteur high side. Cette solution simple permet des temps d’impulsion. Ce circuit fonctionne jusqu’à 1 200 V, est capable de four-
de transit extrêmement brefs, mais ne peut être intégrée économi- nir des courants crêtes de 2 A et permet d’assurer la protection des
quement dans des circuits intégrés spécialisés, exception faite de transistors contre les courts-circuits (par sense ou par mesure de ten-
circuits hybrides de commande, dédiés aux commandes de transis- sion à l’aide d’un pont diviseur résistif à câbler entre collecteur et émet-
tors de forte puissance, et qui seront détaillés par la suite (cf. § 5). teur) [6].
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RL
LED Photodiode C
Circuit de G
commande
de grille
E
Opto-coupleur
Figure 12 – Écran électrostatique interne d’un opto-coupleur Figure 13 – Utilisation d’un opto-coupleur pour la commande d’un
pour l’amélioration du taux de tenue aux dV/dt (réjection du mode composant à grille isolée
commun)
VCC2
Signal de commande
IdC Sortie
de la photodiode
Désaturation
Désaturation
VCC
VEE
Détection de Défaut VE
court-circuit
Figure 14 – Opto-coupleur intégrant les fonctions d’amplification et de protection contre les courts-circuits (Agilent HCPL 316J)
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Conditionnement
[9], et la figure 17 à titre indicatif, le schéma complet du circuit de R R
commande IR2113 (International Rectifier). Deux transistors MOS-
FET haute tension sont utilisés pour la génération des sources de
courant impulsionnelles et sont commandés par impulsion de très MOSFET HT
courte durée. Une impulsion pour la mise en conduction du transis- VCC VCC
tor high side et une pour son blocage. MOSFET HT
0V 0V
Exemple : le tableau 5 présente les principales caractéristiques de VS
quelques circuits de commande dédiés à la commande de bras d’ondu-
leur, ou d’onduleurs triphasés, et utilisant un level shifter pour décaler
le niveau logique de commande vers le potentiel flottant des interrup-
teurs high side. Commande
high side
Pour tous les circuits présentés, l’alimentation du circuit de com- VCC
mande high side s’effectue à l’aide d’une capacité de bootstrap,
dont le principe est détaillé au (§ 4.3.2). 0V
t
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VB
VDD Détection des
sous-tensions
d'alimentation
HV
R Q R Q
S level
shift Filtre R
VDD /VCC
HIN d'impulsions S
level shift
HO
Générateur
d'impulsions
SD VS
Détection des
sous-tensions VCC
d'alimentation
LO
VDD /VCC
LIN
level shift
Retard
S COM
R Q
VSS
UDC
4.3.2 Bootstrap
C2
La technique de bootstrap permet de créer une alimentation flot-
tante pour le circuit de commande de l’interrupteur high side, à partir VCC
de l’alimentation du circuit de commande du transistor low side [8]. D2 UDC + VCC
VCC
Le principe (figure 20) consiste à profiter de la conduction de
l’interrupteur low side pour charger une capacité de bootstrap CB Circuit de 0V
sous la tension VCC à travers la diode DB. Lorsque l’interrupteur low contrôle
C1 D1
side se bloque et que la tension réapparaît à ses bornes, la diode DB
se bloque à son tour, et elle doit donc être capable de supporter la Pompe à charges
« haute tension » UDC. La charge alors portée par CB sert à l’alimen-
tation du circuit de commande de l’interrupteur high side, à charger
sa capacité d’entrée et à la maintenir chargée pendant toute la durée Figure 18 – Fonction d’une pompe à charges pour la commande
de conduction désirée. d’un bras de pont et exemple de réalisation
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Batterie +
OSC
UVLO/OVLO
VBATT
5V VOUT CB1
Régulateur 5 V
RESET H1
RESET
CWD
S1
Chien de garde
WD Oscillateur
CB2
microcontrôleur
Pompe à charges Q2H Q1H
STBY H2
STBY
TEMP S2
T°C TDS340
M
–
IN1 + L2 Q2L Q1L
1,2 V
Mer
+
–
IN2 L1
3,6 V
CF GND
Batterie –
Le pont à quatre transistors n'est pas utilisé en hacheur
Figure 19 – Schéma Block du circuit de commande TDS340 à pompe à charges pour l’alimentation d’un moteur à courant continu dans les deux
sens de rotations
(0)
Tension maximale
Référence Fonction Alimentation et transmission Spécificités intégrées
Courant maximal
Micrel Commande high side UDC = 32 V Pompe à charge (60 µs de temps de Capacités de pompe à charges
MIC50H commutation pour charger 1 nF, Zener de protection de grille
moins en rajoutant des capacités de
pompe à charge externes)
NS Commande high side UDC = 60 V Pompe à charge (1,5 ms de durée Capacités de pompe à charges
LM9061 de commutation pour charger un Zener de protection de grille
condensateur de 25 nF) Protection des courts-circuits
ST Circuit de commande UDC = 60 V Pompe à charge Capacités de pompe à charges
TDS340 pour hacheur 4 quadrants pour les transistors high side
Zener de protection de grille
Infineon Circuit de commande UDC = 55 V Pompes à charges pour transistors Capacités de pompe à charges
TLE6280GP pour onduleur triphasé Iout = + 0,6 A, low side Protection des courts-circuits
− 0,85 A Bootstrap pour transistors high side Contrôle des dI/dt lors des commutations
Contrôle des temps morts
Diode de bootstrap intégrée
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UDC
UDC
Alimentation
DB flottante
Commande
CB VCC high side
Level
shift
C
VCC VCC G
Commande de grille
(protection)
VCC Commande
low side E
0V
Opto-coupleur
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N1
------- R D I µm < V T
N2 t
Iµ
V CC T I
avec I µm = ---------------- , Iµm
Lµ
Les exemples de circuits de commande à rétention de charge pré- 5. IGBT de forte puissance
sentés précédemment sont bien adaptés pour des transistors de fai-
ble puissance (faible CISS) lorsque les durées de conduction sont
courtes (fréquences de découpage de quelques kilohertzs). Pour de
plus faibles fréquences, le risque de décharge de la capacité
d’entrée oblige à choisir d’autres structures. C’est également vrai 5.1 Principes de commande
pour des composants de forte puissance possédant une capacité
d’entrée élevée qui peut être difficilement chargée par une seule
impulsion à travers un transformateur d’impulsion de petite taille. Les circuits de commande de transistors de très forte puissance
L’idée est ici de moduler par un signal haute fréquence (plusieurs (VBR > 1 700 V) nécessitent quasi systématiquement une alimenta-
mégahertzs) le signal de commande de l’interrupteur, pour conser- tion isolée, même pour les transistors low side, notamment pour
ver un faible produit ET au niveau du transformateur (faibles dimen- des questions de sécurité.
sions et faible capacité parasite primaire-secondaire). À la sortie du
transformateur d’impulsion, le signal est démodulé (par l’intermé- L’isolation de l’alimentation des circuits de commande rappro-
diaire d’un pont de diodes dans l’exemple suivant). Le redresseur chée est assurée par des transformateurs (alimentation à
s’opposant aux courants négatifs, un circuit de décharge de la capa- découpage) et celle de la logique de commande (impulsions logi-
cité d’entrée du transistor à commander est à prévoir. Ce peut être ques de commande et les retours de diagnostic) par des transforma-
un circuit de décharge rapide comme indiqué sur la figure 25. teurs d’impulsion ou par fibre optique (figure 26).
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VCC
C
Tl
TA TC G
TP
On M1 S
Off M2
Tl
TB TD
VCC
C
G
TP
& RG
E
Oscillateur HF H Q
D Q VCC
Circuit de
décharge
rapide
&
Commande
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RTH
IGD
VDD
RG
LDI Viso 1
RTH
GND
IGD
RG
Viso 2
VDC
Viso 1
Oscillateur
PWM
Viso 2
GND
Figure 27 – Schéma de principe d’une commande SCALE (CT Concept) et photographie du circuit de commande SCALE HVI à commande par fibres
optiques
Références bibliographiques
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Application note, Infineon. module Gate drive, PCIM conf. 99. électronique de puissance No 37.
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