Exercice 1

Partie A
 Partie B
B) Le bore est implanté dans du Si de type N (ND= 1016cm-3) formant une jonction de section
carrée (S=2.10-3 cm2). Si NA = 4. 1018cm-3) calculer VD, xn, xp, la charge Q+, et le champ électrique
Partie C
C) Soit une jonction N+P longue fortement dissymétrique, de section unité, en Silicium. On donne :
Région N+ : ND = 1019cm-3, µn = 1500cm2/V.s, µp = 500cm2/V.s, Pn = 1µs,
Région P : NA= 1016cm-3 , µn = 1000cm2/V.s, µp = 200cm2/V, np = 1µs,
Avec h = 6,62.10-34J.s; Eg = 1,12eV; c = 3.1010cm/s; ni = 1010cm-3. UT = 26mV = kT/q ; sc.0 = 10-12 F cm-1
La jonction est soumis à une polarisation directe de 0.55V
1) calculer la concentration des électrons np(-xp)
2) calculer le courant direct circulant dans le dispositif (on négligera les recombinaisons dans la ZCE)
Exercice 2

1) on considère une jonction longue au silicium avec les caractéristiques suivantes :

⦁ Aire de la jonction : 10-1 cm2
⦁ côté P+ : Na = 1019cm-3 , Dn = 30cm2/s, n = 1 µs,
⦁ côté N : Nd = 1016cm-3 , Dp = 15cm2/.s, p = 1 µs,
⦁ ni = 1,45.1010cm-3, UT = 26mV = kT/q
Jonction en équilibre

b) En se basant sur ce diagramme établir l’expression puis calculer le potentiel de diffusion VD

c) Donner l’expression et tracer l’allure du champ électrique dans la zone de charge d’espace

d) calculer la zone de charge d'espace

e) Calculer le champ électrique maximal dans la zone de charge d'espace

e) Tracer l’allure du potentiel dans la zone de charge d’espace

f) Calculer les concentrations np0 et pn0

Jonction polarisée en direct

2) on polarise cette jonction en direct avec une tension de 500mV.

a) donner l’allure de courbes pn(x) et np(x). Calculer pn(xn) et np(-xp) ?

b) donner l’origine puis calculer le courant de recombinaison
c) donner l’origine puis calculer le courant de diffusion
d) établir l’expression puis calculer la quantité de charge (trous) stockée dans la région N
e) donner le schéma équivalent en dynamique de la jonction ; donner l’expression puis les valeurs des
 Jonction polarisée en inverse
3) on polarise cette jonction en inverse avec une tension de -5V à 300°K.
a) calculer l'épaisseur de la zone de charge d'espace
b) calculer les composantes du courant inverse (Diffusion et génération)

c) calculer la capacité CZCE

d) faîtes le même calcul pour une jonction au Germanium avec les caractéristiques suivantes :
⦁ Aire de la jonction : 0.1 cm2
⦁ côté P+ : Na = 1019cm-3 , Dn = 70cm2/s, n = 10 µs,
⦁ côté N : Nd = 1016cm-3 , Dp = 44cm2/.s, p = 10 µs,
⦁ ni = 2,4.1013cm-3, UT = 26mV = kT/e, 0 = 8,85 10-14 Fcm-1, sc = 12 (Si) et sc = 16 (Ge)