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d'un transistor. Dans cette section, nous allons étudier ce qui se passe quand on place un signal alternatif sur
l'entrée d'un transistor. Pour être plus précis, nous allons étudier le fonctionnement d'un transistor soumis à
des petits signaux. Par "petits signaux", on veut dire les signaux de faible amplitude, qui sont des déviations
par rapport à une tension continue. Dans le reste du cours, nous allons décomposer les signaux en deux sous-
signaux : un signal continu qui sert à polariser le transistor, et un signal effectif, qui est amplifié par le
transistor. Le premier sera écrit en majuscules, alors que l'autre l'est en minuscules. Par exemple, la tension
se décompose comme suit :
, avec .
Précisons que la plupart des équations d'un transistor ne sont pas conservées quand on rentre dans le cadre
du "petit signal". A la place, elles sont remplacées par des équations en petits signaux, qui décrivent
comment un transistor réagit quand on lui envoie des signaux alternatifs de petite amplitude sur son entrée.
On peut les dériver des équations habituelles, en décomposant chaque variable entre composante alternative
et continue, avant de faire diverses manipulations algébriques. En règle générale, les équations en petits
signaux s'obtiennent en prenant la dérivée des équations normales. Une conséquence est que les équations
linéaires sont conservées telles qu’elles en petits signaux. Précisons que, par exemple, c'est le cas de
l'équation , qui devient :
L'analyse d'un circuit en petit signal demande de faire quelques manipulations, surtout s'il utilise des
transistors (bipolaire ou à effet de champ). Toutes ces manipulations doivent être faites sur le schéma
électrique du circuit. Rappelons que les circuits qui fonctionnent en petits signaux doivent être polarisés,
histoire de régler les entrées et sorties à des valeurs adéquates.
Premièrement, il faut remplacer le transistor par un modèle équivalent en petits signaux des
transistors utilisés. Et il faut calculer les différents paramètres de ce modèle équivalent à
partir des données du circuit.
Deuxièmement, il faut remplacer les sources de tension et de courant continu, qui
disparaissent du circuit. Les sources de tension sont remplacées par un court-circuit, et les
sources de courant par un circuit ouvert. De plus, la tension d'alimentation est remplacée par
la masse. Intuitivement, c'est lié au fait que l'on filtre les tensions/courants continus pour ne
garder que les signaux alternatifs. Pas besoin de tenir compte des tensions/courants
continus, ce qui fait que leurs sources disparaissent.
Dans ce qui suit, nous allons établir les différents modèles équivalents d'un transistor en petits signaux. Nous
allons commencer par voir les BJT, avant de passer aux FET (aux MOSFET pour être plus précis). Nous
allons d'abord voir les MOSFET avant de passer aux BJT. La raison à cela est que tout est plus simple avec
les MOSFETs, alors que l'étude est plus compliquée pour les BJTs.
En développant, on trouve :
Le premier terme est la composante continue et on peut l'éliminer pour ne garder que la composante
alternative. Ce qui donne :
Le second terme est une distortion qui ruine la linéarité de la relation entre et . Mais on peut la
négliger si la tension est assez faible. On a alors :
, avec : .
La conductance d'Early
Au modèle précédent, on peut rajouter une résistance pour modéliser l'effet Early et sa valeur est
d'ailleurs la suivante, avec Va la tension d'Early :
Un autre modèle équivalent est le modèle en T, qui ressemble beaucoup au modèle hybride-pi, mais avec un
placement différent des résistances. Encore une fois, on peut placer une résistance d'Early pour simuler la
tension d'Early. L'application de la loi des mailles et de la loi des nœuds donne les trois équations suivantes :
Modèle équivalent en T d'un BJT Modèle en T d'un NPN avec
NPN, sans résistance d'Early. résistance d'Early.
Pour commencer, calculons la transconductance du BJT en petits signaux, qui est définie par l'équation
suivante :
On développe l'exponentielle.
On voit que le gain du transistor dépend du courant de collecteur et donc de la polarisation du transistor.
Dans cette section, nous allons calculer la résistance base-émetteur en petits signaux, qui n'est autre que la
résistance du modèle hybride-pi.
Pour la calculer, nous avons besoin de calculer . Pour cela, on utilise l'équation : . On
a alors :
Dans cette section, nous allons calculer la résistance base-émetteur du modèle en T, définie par l'équation
suivante :
Pour la calculer, nous avons besoin de calculer . Pour cela, on utilise l'équation :
. On a alors :
On a vu plus haut que , ce qui simplifie l'équation précédente en :
Ce qui se simplifie en :
Dans cette section, nous allons calculer le courant d'émetteur en partant des données du modèle
hybride-pi, et montrer que l'on retombe bien sur la relation du modèle en T. Pour cela,
partons de l'équation qui définit le courant d'émetteur, à savoir :
Dans cette section, nous allons calculer le courant de base en partant des données du modèle en T, et
montrer que l'on retombe bien sur la relation du modèle hybride-pi. Pour cela, partons de
l'équation qui définit le courant de base dans le modèle en T, à savoir :
En injectant : et dans l'équation précédente, on trouve :
Factorisons :
Simplifions :
Vu que , on a :
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