Compte rendu du TP3 :

Electronique de puissance

Département Electronique et Systèmes Robotisés

Année : 2021-2022

Georges FANSI, Sangaran SIVAKUMARAN

 Table des matières
Introduction .................................................................................................................... 3
I) Simulation 1 ............................................................................................................. 4
II) Simulation 2 ........................................................................................................... 15
Conclusion ................................................................................................................... 19

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 Introduction

Le but de ce TP et de chaque simulation est d’une part de déterminer un modèle

mathématique pour le convertisseur et d’autre part étudier le convertisseur à partir de
ce modèle et comparer avec le cours et TD.

L'ensemble du TP s'effectue sur ordinateur avec le logiciel 𝑀𝑎𝑡𝑙𝑎𝑏𝑇𝑀/

𝑆𝑖𝑚𝑢𝑙𝑖𝑛𝑘𝑇𝑀 et l’outil Simscape.

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 I) Simulation 1

Nous allons tout d’abord réaliser un signal de commande, pour cela nous allons créer
un signal rectangulaire à rapport cyclique variable.

Afin de réaliser ce signal, on se propose de combiner un signal triangulaire et un

signal constant au sein d’un comparateur supérieur ou égale. Le signal triangulairea
une fréquence de 1khz. Le principe est qu’à chaque fois que le signal triangulaire
obtiendra une valeur égale ou supérieur au signal constant, le comparateur stabilisera
sa valeur de sortie à une valeur donnée auquel cas sinon la valeur de sortie du
comparateur sera 0. La valeur constante comprise entre 0 et1 du signal constant est
également le rapport cyclique de la commande, augmenterou diminuer cette valeur
influe sur l’état actif et la période de la commande.

Figure 1 : Schéma bloc Simulink d’un signal rectangulaire à rapport cyclique variable

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 Figure 2 : Graphique Simulink d’un signal rectangulaire à rapport cyclique variable

Ainsi on constate grâce à notre montage que l’état haut du signal triangulaire est
maintenue, nous avons ainsi modulé la largeur d’impulsion du signal comme
demandé dans l’énoncé (le signal rouge est le signal modulé).

On se propose à présent de mettre en place le montage d’un hacheur élévateur de

tension avec une source de tension E = 15 V mis en parallèle à un transistor MOSFET
dont le GATE est relié à la commande au signal rectangulaire à rapport cyclique
effectuer précédemment, une diode, une bobine de 20 mH et une résistancede R de 10
ohms disposer comme sur le schéma ci-dessous :

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 Figure 3 : Schéma bloc Simulink d’un Hacheur élévateur de tension

Figure 4 : Schéma d’un Hacheur élévateur de tension

Dans le cas où l’interrupteur T est fermé nous obtenons (0 – T1) :

𝑈𝐿 = E
Dans le cas où l’interrupteur T est ouvert nous obtenons (T1 - T) :

𝑈𝐿 = E - 𝑈𝑠

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La forme d’onde de la tension 𝑈𝐿 se met donc sous la forme :

𝑈𝐿 (t)

T1 T t

E - 𝑈𝑠

Quant au courant présent dans la charge nous sommes censés trouver une ondulation
du courant exponentielle, or via Simulink nous obtenons :

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 Figure 5 : schéma ondulation du courant

La haute fréquence fournie par la commande du transistor nous donne une

approximation linéaire des ondulations du courant ce qui explique la forme linéaire
emprunter par le courant sur la figure ci-dessus. Nous obtenons comme convenue
une courbe d’ondulation du courant exponentielle. Cependant lors de mesure de base
nous n’atteignions pas les 3A, ceci était due à la résistance interne du transistor qui
n’agissait pas comme un fil conducteur en mode fermée mais également à la
fréquence de la commande du transistor qui causait de trop grosses variations de la
valeur de la tension, l’effet de cette mauvaise approximation est visible ci-dessous :

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 Figure 6 : schéma ondulation de la tension de base

Après avoir réglé la résistance interne du transistor à une valeur de 0.001 ohms,
valeur équivalente à un fil conducteur et le passage de la fréquence de la commande
du transistor à 10 kHz, nous obtenons le graphique suivant :

Figure 7 : schéma ondulation de la tension après correction du transistor

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Ainsi nous obtenons bien une valeur de 30V de tension aux bornes du transistor
pour des ondulations beaucoup plus faibles.

Soit la tension U𝑑, la tension de la diode comprise dans la même maille que 𝑈𝑠 pour
le transistor fermé nous obtenons par loi des mailles 𝑈𝑑 = - 𝑈𝑠 en effectuant le même
procédé pour 𝑈𝑇 nous obtenons 𝑈𝑇 = 𝑈𝑠

Soit le graphique de 𝑈𝑇 et 𝑈𝑑 en fonction du signal de commande, nous obtenons

grâce aux voltmètres disponible sur Simulink les valeurs de U𝑇 et de U𝑑, vérifiant
nos calculs :

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Figure 8 : Graphique Simulink du signal de U𝑇(t)

Figure 9 : Graphique Simulink du signal de U𝐷(t)

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Graphiquement, en régime permanent, nous observons que les valeurs de U𝑇 (t)
varient bien entre la valeur de Us et une valeur nulle en opposition aux variations
du courant ce qui correspond bien aux valeurs attendues. Pour les valeurs de UD(t)
nous obtenons bien des variations entre une valeur négative constante
correspondant à – Us et 0 tel que prédit précédemment.

Il est possible de visualiser iE(t) en branchant un ampèremètre en série entre la

source de tension E et la bobine. Par nos mesures nous obtenons le graphique ci-
dessous :

Figure 10 : Graphique Simulink du signal de iE(t)

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Nous avons ensuite visualisé la puissance instantanée fournie par la batterie.

On sait que 𝑝(𝑡) = 𝑢(𝑡) ∗ 𝑖(𝑡). Voici donc ci-dessous la figure obtenue.

Figure 11 : Puissance instantanée fournie par la batterie.

On trouve une valeur d’environ 88 W, ce qui est cohérent car théoriquement on

est censé retrouver 90 W (15*6), or comme on l’a vu précédemment à cause des
hypothèses faites. Nous avons ensuite fait de même maiscette fois du côté de la
charge. On obtient la figure suivante.

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 Figure 12 : Puissance instantanée fournie par la charge.

On remarque qu’on trouve la même valeur (en valeur absolue), cela veut dire que
dans notre modèle toute la puissance générée par la batterie est consommée par la
charge.

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 II) Simulation 2

Figure 13 : Circuit de la simulation 2.

Les transistors sont commandés par un signal de commande de fréquence 1kHz. On

a donc réalisé le schéma bloc suivant.

Figure 14 : Schéma bloc du circuit de la simulation.

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On a ensuite mis en place une commande en MLI.

Figure 15 : Commande en MLI.

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Une fois la commande prête, nous avons étudier l’influence de la fréquence sur la
forme d’onde du courant i(𝑡). Pour cela nous avons d’abord observer la forme d’onde
du courant pour la fréquence de base, c’est-à-dire de 1kHz. Nous obtenons la figure
suivante :

Figure 16 : Forme d’onde du courant avec une frequence de 1 kHz.

On remarque que la forme d’onde est bien sinusoïdale, cependant il n’est pas bien
lisse, il est en dents de scie, cela est due à la fréquence du signal triangulaire qui est
trop faible. Nous avons donc augmenté la fréquence du signal triangulaire jusqu’à 10
kHz. Nous obtenons la figure suivante :

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 Figure 17 : Forme d’onde du courant avec une frequence de 10 kHz.

On remarque qu’en faisant ce changement la forme d’onde est bien sinusoïdale et

bien lisse. On constate donc l’importance de la fréquence sur la forme d’onde du
courant i(𝑡). Donc une fréquence importante est essentielle pour avoir une forme
d’onde sinusoïdale stable.

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Conclusion

Pour conclure, à l’aide du logiciel 𝑀𝑎𝑡𝑙𝑎𝑏𝑇𝑀/𝑆𝑖𝑚𝑢𝑙𝑖𝑛𝑘𝑇𝑀 et l’outil Simscape,

nous avons au cours de ce TP réaliser 2 simulations portant sur un hacheur
élévateur de tension et un onduleur, nous avons pu étudier l’évolution des
différentes grandeurs électriques du système.

Grâce à ce TP, nous avons pu mettre en pratique nos connaissances acquises et

tester les différentes méthodes et procédés vus en cours, dans un cas concret.

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