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Dans le cas d’un hacheur 4 quadrants dont la stratégie de pilotage est la commande bipolaire, les
interrupteurs {K1, K4} commutent de façon complémentaire avec les interrupteurs {K2, K3}.
On reconnaît dans cette expression qu’en fonction de la valeur du rapport cyclique, la puissance peut être
positive ou négative, traduisant l’inversion du sens de transfert de l’énergie
B. Hacheur entrelacé
B.1. Problématique
Les puissances transitant dans les composants d’un hacheur peuvent amener à surdimensionner
cescomposants.
Par ailleurs, l’ondulation de courant étant inversement proportionnelle à la fréquence de
découpage, il serait intéressant de multiplier cette fréquence.
Les hacheurs entrelacés permettent de résoudre cette problématique.
B.2. Principe
Les courants dans chacun des hacheurs élémentaires sont représentés ci-dessous :
Le rapport cyclique est le même pour chaque hacheur, mais les déclenchements sont décalés de T/n
entre chaque hacheur
Le signal résultat vu par la charge est alors la somme de ces signaux élémentaires :
L’ensemble se comporte comme un hacheur série classique, mais dont la fréquence de découpage
estmultipliée par n, le nombre de hacheurs entrelacés.
C : Hacheur Boost
C.1. Préambule
Certaines applications peuvent nécessiter une tension à délivrer à une charge supérieure à la
tensiond’alimentation du système.
Il est alors nécessaire d’élever la tension, contrairement au rôle classique des hacheurs série. Le
hacheur parallèle, ou hacheur boost, permet de réaliser cette fonction.
Le hacheur étant parallèle, il faudra veiller au respect des règles de connexion des sources.
La charge est alimentée par la tension de sortie Vs que nous cherchons à déterminer
K est un transistor (MOSFET dans ce cas) qui sera piloté à l’amorçage et au blocage, avec un
rapport cyclique α et une fréquence de découpage f.
A t=0, le transistor est amorcé et se comporte en interrupteur fermé. Ayant posé l’hypothèse
de conduction continue, le courant dans l’inductance ne s’est pas annulé et vaut IL0
L’étude au C.3.1 permet d’établir que le courant maximal, à la fin de la phase de commutation
du transistor, vaut :
L’ondulation de courant a alors pour expression :
Plus l’inductance est grande, ou la fréquence de découpage élevée, plus l’ondulation est faible
C.3.5. Ondulation de la tension aux bornes de la charge
La tension VS étant un signal de nature périodique, alors il en est de même pour VC , et par
conséquent
< IC> = 0
Par ailleurs, on a :
ID=IC+ IS (loi des nœuds)
et <ID >= (1- α) < I >
On obtient rapidement la relation donnant l’ondulation de la tension