Correction TD3

Exercice 1
1.1. Distance énergétique EC-EF
𝐸𝐶 − 𝐸𝐹
𝑛 = 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 − ( )
𝑘𝐵 𝑇 } ⟹ 𝑁 = 𝑁 𝑒𝑥𝑝 − (𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 ) ⟹ 𝐸 − 𝐸 = 𝑘 𝑇 𝐿𝑛 (𝑁𝐶 )
𝐷 𝐶 𝐶 𝐹 𝐵
à 𝑇 = 300 𝐾, 𝑛 = 𝑁𝐷 𝑘𝐵 𝑇 𝑁𝐷

𝑁𝐶 2.7 1019
𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝐵 𝑇 𝐿𝑛 ( ) = 1.38 10−23 . 300 𝐿𝑛 ( ) = 3.27 10−20 𝐽 = 0.20 𝑒𝑉
𝑁𝐷 1017

1.2. Distance énergétique EF-EV

𝐸𝑉 − 𝐸𝐹
𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑘𝐵 𝑇 } ⟹ 𝑁 = 𝑁 𝑒𝑥𝑝 (𝐸𝑉 − 𝐸𝐹 ) ⟹ 𝐸 − 𝐸 = 𝑘 𝑇 𝐿𝑛 (𝑁𝐴 )
𝐴 𝑉 𝑉 𝐹 𝐵
à 𝑇 = 300 𝐾, 𝑝 = 𝑁𝐴 𝑘𝐵 𝑇 𝑁𝑉

𝑁𝑉 1.2 1019
𝐸𝐹 − 𝐸𝑉 = 𝑘𝐵 𝑇 𝐿𝑛 ( ) = 1.38 10−23 . 300 𝐿𝑛 ( ) = 1.98 10−20 𝐽 = 0.124 𝑒𝑉
𝑁𝐴 1015

Exercice 2
2.1. Mobilité des électrons dans le cuivre et comparaison avec µSi
𝑒𝜏 1.6 10−19 2 10−14
µ𝐶𝑢 = = = 35.6 10−4 𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 = 35.6 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1
𝑚 9.1 10−31
µ𝐶𝑢 = 35.6 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1
} ⟹ µ𝐶𝑢 ≪ µ𝑆𝑖
µ𝑆𝑖 = 1400 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1
Commentaire : C’est l’énorme concentration en électrons libres qui explique la forte conductivité des
métaux, en particulier le cuivre.
2.2. Calculer la conductivité et la résistivité électriques du cuivre
𝜎 = 𝑒𝑛µ𝐶𝑢 = 1.6 10−19 10.5 1028 35.6 10−4 = 5.98 107 Ω−1 𝑚−1
1 1
𝜌= = = 1.67 10−8 Ω𝑚
𝜎 5.98 107
2.3. En déduire Emax et Vmax
𝐽𝑚𝑎𝑥 5 106
𝐽 = 𝜎𝐸 ⟹ 𝐽𝑚𝑎𝑥 = 𝜎𝐸𝑚𝑎𝑥 ⟹ 𝐸𝑚𝑎𝑥= ⟹ 𝐸𝑚𝑎𝑥= = 8.36 10−2 𝑉 𝑚−1
𝜎 5.98 107
𝑉 = µ𝐸 ⟹ 𝑉𝑚𝑎𝑥 = µ𝐸𝑚𝑎𝑥 = 3.56 10−3 8.36 10−2 = 2.98 10−4 𝑚 𝑠 −1
Commentaire : La vitesse de dérive des porteurs libres est très inférieure à la vitesse de propagation
du signal électrique (l’onde) qui est de l’ordre de 3 108 m/s.

Exercice 3
3.1. Calcul de la vitesse moyenne des électrons
𝑉𝑛 = µ𝑛 𝐸 𝑈 0.14 𝑥 500
} ⟹ 𝑉𝑛 = µ𝑛 = = 700 𝑚/𝑠
𝑈=𝐸𝑙 𝑙 0.1
3.2. Calcul de la vitesse moyenne des trous
𝑉𝑝 = µ𝑝 𝐸 𝑈 0.05 𝑥 500
} ⟹ 𝑉𝑝 = µ𝑝 = = 250 𝑚/𝑠
𝑈=𝐸𝑙 𝑙 0.1
3.3. Calcul de  et  pour le silicium intrinsèque

𝜎 = 𝑒𝑛µ𝑛 + 𝑒𝑝µ𝑝 = 𝑒𝑛𝑖 (µ𝑛 + µ𝑝 ) = 1.6 10−19 1.5 1016 (0.14 + 0.05) = 4.6 10−4 Ω−1 𝑚−1
1 1
𝜌= = −4
= 2.2 10−3 Ω. 𝑚
𝜎 4.6 10
𝜎𝑆𝑖−𝑖𝑛𝑡𝑟𝑖𝑛𝑠è𝑞𝑢𝑒 = 4.6 10−4 Ω−1 𝑚−1 𝐿𝑒 𝒔𝒊𝒍𝒊𝒄𝒊𝒖𝒎 𝒊𝒏𝒕𝒓𝒊𝒏𝒔è𝒒𝒖𝒆 𝑝𝑒𝑢𝑡 ê𝑡𝑟𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑖𝑑é𝑟é
7 −1 −1
} ⟹ ‖
𝜎𝐶𝑢 = 5.98 10 Ω 𝑚 𝑐𝑜𝑚𝑚𝑒 𝒊𝒔𝒐𝒍𝒂𝒏𝒕 à 𝑙𝑎 𝑡𝑒𝑚𝑝é𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑒 𝑎𝑚𝑏𝑖𝑎𝑛𝑡𝑒

Exercice 4
4.1. Comparer ND au nombre d’atomes de Si/cm3 et à ni et pi

𝑁𝐷 = 1016 𝑐𝑚−3
𝑁𝑎𝑡𝑜𝑚𝑒𝑠−𝑆𝑖 = 5 1022 } ⟹ 𝑛𝑖 = 𝑝𝑖 ≪ 𝑁𝐷 ≪ 𝑁𝑎𝑡𝑜𝑚𝑒𝑠−𝑆𝑖
𝑛𝑖 = 𝑝𝑖 = 1.5 1010 𝑐𝑚−3
Commentaire : La concentration des électrons provenant de la génération thermique est faible devant
la concentration des électrons provenant de l’ionisation des dopants.
4.2. Déterminer et comparer les concentrations n et p

𝑛2
à 𝑇 = 300 𝐾, 𝑛 = 𝑁𝐷 𝑒𝑡 𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 ⟹ 𝑝 = 𝑛𝑖 𝑛 = 𝑁𝐷 ≫ 𝑝
𝑛 = 𝑁𝐷 = 1016 𝑐𝑚−3 ⟹ 𝑛 = 𝑁𝐷 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟𝑠 𝑚𝑎𝑗𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑖𝑟𝑒𝑠
(1.5 1010 )2 𝑛𝑖2
𝑝= = 2.25 104 𝑐𝑚 −3
} { 𝑝 = 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒𝑢𝑟𝑠 𝑚𝑖𝑛𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑖𝑟𝑒𝑠
1016 𝑛
4.3. Calculer la résistivité et la comparer à celle du silicium intrinsèque

𝜎𝑆𝑖−𝑑𝑜𝑝é = 𝑒𝑛µ𝑛 + 𝑒𝑝µ𝑝 = 1.6 10−19 (1022 0.14 + 2.25 1010 0.05) = 224Ω−1 𝑚−1
1 1
𝜌𝑆𝑖−𝑑𝑜𝑝é = = = 4.5 10−3 Ω. 𝑚
𝜎𝑆𝑖−𝑑𝑜𝑝é 224

𝜌𝑆𝑖−𝑖𝑛𝑡𝑟𝑖𝑛𝑠è𝑞𝑢𝑒 = 2.2 103 Ω. m

}
𝜌𝑆𝑖 𝑑𝑜𝑝é = 4.5 10−3 Ω. 𝑚

Commentaire : Le silicium dopé est devenu conducteur, car sa résistivité a chuté de 2.2 103 .m (état
intrinsèque) à 4.5 10-3 .m
4.4. Déduire la résistance du barreau parallélépipédique

𝑙 4.5 10−3 . 10 10−6

𝑅=𝜌 = = 50 Ω
𝑠 30 10−6 . 30 10−6
Exercice 5
5.1. Constante de diffusion

𝐷 𝑘𝑇 𝑘𝑇 1.38 10−23 . 300

= ⟹𝐷=µ = 0.1 = 2.59 10−3 𝑚2 𝑠 −1
µ 𝑒 𝑒 1.6 10−19
5.2. Longueur de diffusion

𝐿 = √𝐷𝜏 = √2.59 10−3 . 100 10−6 = 5 10−4 𝑚

Exercice 6
6.1. Excès d’électrons et des trous
𝜎0 = 𝑒𝑛µ𝑛 + 𝑒𝑝µ𝑝 = 𝑒𝑛µ𝑛 + 0.3𝑒𝑝µ𝑛 = 𝑒µ𝑛 (𝑛 + 0.3𝑝) ≈ 𝑒𝑛µ𝑛 ≈ 𝑒µ𝑛 𝑁𝐷

𝜎 = 𝑒(𝑛+𝛿𝑛)µ𝑛 + 𝑒(𝑝 + 𝛿𝑝)0.3µ𝑛 = 𝑒µ𝑛 (𝑛 + 𝛿𝑛 + 0.3𝑝 + 0.3𝛿𝑝)

Pour une génération par paire, n = p
} ⟹ 𝜎 =≈ 𝑒µ𝑛 (𝑛 + 1.3𝛿𝑛)
Pour un semi − conducteur de type n, p << n
Par conséquent :
𝜎 𝑒µ𝑛 (𝑛 + 1.3𝛿𝑛) 𝛿𝑛
= = 1 + 1.3
𝜎0 𝑒µ𝑛 𝑛 𝑛
𝜎 − 𝜎0 𝛿𝑛 0.15 0.15 0.15 21
= 1.3 = 15% = 0.15 ⟹ 𝛿𝑛 = 𝑛= 𝑁𝐷 = 10 = 0.115 1021 𝑚−3
𝜎0 𝑛 1.3 1.3 1.3
𝛿𝑛 = 1.15 1014 𝑐𝑚−3
6.2. Vitesse de génération
Δ𝑝 0.125 1021
𝐺= = = 1.15 1026 𝑚−3 𝑠 −1 = 1.15 1020 𝑐𝑚−3 𝑠 −1
𝜏𝑝 10−6

Exercice 7
7.1. Calculer l’intervalle de temps
𝑛2 (2.5 1019 )
A l’équilibre thermodynamique :𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖2 ⟹ 𝑁𝐷 𝑝0 = 𝑛𝑖2 ⟹ 𝑝0 = 𝑁𝑖 = = 6.25 1016 𝑚−3
𝐷 1022

Sous éclairement et à t=t0=0, on a :

P1=2 p0=12.50 1016 m-3=1.25 1017 m-3
A t quelconque, p=1017 m-3
Appliquons l’équation de conservation des porteurs de charge en présence de la génération et la
recombinaison :
𝑑𝑝 𝑝 − 𝑝0
= 𝑔𝑝 −
𝑑𝑡 𝜏𝑝

Dans le régime transitoire (au cour du retour à l’équilibre), gp=0.

Par conséquent :
𝑡
𝑑𝑝 𝑝 − 𝑝0 𝑑𝑝 𝑑𝑡 𝑡
=− ⟹ = − ⟹ 𝐿𝑛(𝑝 − 𝑝0 ) |𝑡0 = − |
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑝 − 𝑝0 𝜏𝑝 𝜏𝑝 0

(𝑝 − 𝑝0 ) 𝑡 (𝑝 − 𝑝0 ) −3
1017 − 6.25 1016
𝐿𝑛 [ ] = − ⟹ 𝑡 = −𝜏𝑝 𝐿𝑛 [ ] = 10 𝐿𝑛 [ ] = 5.1 10−4 𝑠
(𝑝1 − 𝑝0 ) 𝜏𝑝 (𝑝1 − 𝑝0 ) 1.25 1017 − 6.25 1016