Corrigé de l’EMD : Module physique des semi-conducteurs

Niveau L3 : PM Date : 24-05-2023

Exercice 01 : (09.50 points)

1- La condition de neutralité électrique du SC est régie par l’équation : 𝑛 + 𝑁𝑎 − = 𝑁𝑑 + + 𝑝 : où 𝑁𝑎 − et 𝑁𝑑 +
représentent la densité des accepteurs et donneurs ionisés respectivement. A température ambiante tous les donneurs et 01
accepteurs sont ionisés, la condition de neutralité électrique du semiconducteur s’écrit alors
1- 𝑛 + 𝑁𝑎 = 𝑁𝑑 + 𝑝 ⇒ 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 + 𝑝 − 𝑛 = 0--------- (1)
2- Compte tenu de la loi d’action de masse 𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖 2 ⇒ 𝑝 = 𝑛𝑖 2 /𝑛 ------- (2) 0.5
2 2
En remplaçant (2) dans (1) on trouve l’équation 𝑛 −(𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 )𝑛 − 𝑛𝑖 = 0 pour les (e ). De la même -

manière on trouve l'équation 𝑝2 +(𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 )𝑝 − 𝑛𝑖 2 = 0 pour les trous. 0.5

3- La solution de l’une des deux équations du deuxième ordre donne (on ne tient compte que de la racine positive)
(le développement des calculs est nécessaire) :
1 1
𝑛 = 2 [(𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 ) + √(𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 )2 + 4𝑛𝑖 2 ] et 𝑝 = 2 [(𝑁𝑎 − 𝑁𝑑 ) + √(𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 )2 + 4𝑛𝑖 2 ] . 02,00
4-a. Dans le cas où 𝑁𝑎 ≪ 𝑁𝑑 , on néglige 𝑁𝑎 devant 𝑁𝑑 puis 𝑛𝑖 devant 𝑁𝑑 (semiconducteur de type n pris à
1 4𝑛 2 1 4𝑛 2
température ambiante) : 𝑛 = 2 [𝑁𝑑 + 𝑁𝑑 √1 + 𝑁 𝑖2 ] ≈ 2 [𝑁𝑑 + 𝑁𝑑 (1 + 2𝑁 𝑖 2)] (on utilise le développement en série de
𝑑 𝑑
𝑛
Taylor (1 + 𝜀) ≈ (1 + 𝑛𝜀)), on trouve finalement
𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2 01.50
𝑛 = 𝑁𝑑 + ≈ 𝑁𝑑 𝑒𝑡 𝑝 ≈ 0
𝑁𝑑 𝑁𝑑
4-b. Dans le cas où 𝑁𝑑 ≪ 𝑁𝑎 , on néglige 𝑁𝑑 devant 𝑁𝑎 puis 𝑛𝑖 devant 𝑁𝑎 (semiconducteur de type p pris à 01.50
1 4𝑛𝑖 2 1 4𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2
température ambiante) : 𝑝 = [𝑁𝑎 + 𝑁𝑎 √1 + ] ≈ [𝑁𝑎 + 𝑁𝑎 (1 + )] = 𝑁𝑎 + ≈ 𝑁𝑎 𝑒𝑡 𝑛 ≈
2 𝑁𝑎 2 2 2𝑁𝑎 2 𝑁𝑎 𝑁𝑎

5.a. la résistivité électrique 𝜌𝑖 d’un semiconducteur intrinsèque dans lequel la densité des porteurs libres est est donnée
par n = p = ni
1 1 1 1 01.00
𝜌𝑖 = = = ⟹ 𝑛𝑖 =
𝜎𝑖 𝑛𝑒µ𝑛 + 𝑝𝑒µ𝑝 𝑛𝑖 𝑒(µ𝑛 + µ𝑝 ) 𝜌𝑖 𝑒(µ𝑛 + µ𝑝 )
A.N : 𝑛𝑖 = 1010 𝑐𝑚−3 .
5.b. La plaquette du silicium est dopée avec des atomes d’antimoine qui est un atome donneur, dont la densité par 0.75
22
cm3 est 𝑁𝑑 = (5. 10 ⁄ = 1017 cm-3. La densité des accepteurs est 𝑁𝑎 ≪ 𝑁𝑑 dans ce cas. Alors on a la
5. 105)
𝑛𝑖 2
densité des électrons 𝑛 = 𝑁𝑑 = 1017 cm-3 et la densité des trous 𝑝 = = 103cm-3.
𝑁𝑑
5.c. Dans le cas où le silicium est dopé avec des atomes d’indium qui est un atome accepteur, de densité 𝑁𝑎 = 0.75
22
(5. 10 ⁄4. 106 ) = 1,25.1016cm-3 et la densité des donneurs est 𝑁𝑑 ≪ 𝑁𝑎 . On obtient la densité des électrons 𝑝 =
𝑛𝑖 2
𝑁𝑎 = 1,25.1016cm-3 et 𝑛 = = 8.103cm-3.
𝑁𝑎
Exercice 01 : (10.50 points)

Selon les données de l’exercice on a 𝐸𝑣 = 0 ⇒ 𝐸𝑐 = 𝐸𝑔

1. a. La densité d’états d’un gaz d’électrons libres est
1 2𝑚𝑒 3/2 1/2 0.50
𝑔(𝐸) = 2 ( 2 ) 𝐸
2𝜋 ℏ
1 .b. La densité n des électrons dans la (BC) est donnée par : La densité des électrons
1
  E  Ef 
avec f n ( E , T )   1  exp 
∞
𝑛= ∫𝐸 𝑓𝑛 (𝐸, 𝑇). N c (E ) 𝑑𝐸 et la densité d’états dans la bande de
𝑐
  kT 
  
1 2𝑚𝑒 ∗ 3/2
conduction (par analogie à celle des électrons libres) 𝑁𝑐 (𝐸) = 2𝜋2 ( ) (𝐸 − 𝐸𝑐 )1/2. est ce qui donne
ℏ2

1
 3/ 2 ∞
1  2me*  1 01,50
𝑛= ∫ ( E  E c ) 1 / 2 𝑑𝐸
2 2   2  1 + 𝑒𝑥𝑝 [(
𝐸 − 𝐸𝑓
)]
𝐸𝑐
𝑘𝑇
∞ 1
2. Nous écrivons 𝑛 = 𝐴 ∫𝐸 𝐸 −𝐸𝑐 𝐸𝑓 −𝐸𝑐 ( E  Ec )1 / 2 𝑑𝐸. Pour le calcul de cette intégrale, on utilise le
𝑐 1+𝑒𝑥𝑝[( )−( )]
𝑘𝑇 𝑘𝑇
𝐸 −𝐸𝑐 𝐸𝑓 −𝐸𝑐
changement de variable suivant : 𝑥 = ( ) et 𝜀 = ( ) , l’intégrale devient de la forme
𝑘𝑇 𝑘𝑇
∞ 02,00
1
𝑛 = 𝐴. (𝑘𝑇)3/2 ∫ . 𝑥 1/2 𝑑𝑥
1 + 𝑒𝑥𝑝[𝑥 − 𝜀]
0
Dans le cas d’un SC non dégénéré (le niveau de Fermi est dans la bande interdite) ce qui veut dire (𝐸𝑓 < 𝐸𝑐 ) ⇒ 𝜀 < −1 et
3
√𝜋
𝑛 = 𝐴. (𝑘𝑇)2 . 𝑒𝑥𝑝(𝜀). La densité des électrons s’écrit finalement
2
3
2𝑚𝑡∗ 𝜋𝑘𝑇 2 𝐸𝐹 − 𝐸𝑐 𝐸𝐹 − 𝐸𝑔
𝑛 = 2( 2
) 𝑒𝑥𝑝 ( ) = 𝑁𝑐 . 𝑒𝑥𝑝 ( )
ℎ 𝑘𝑇 𝑘𝑇
3. La densité des trous, par analogie à la densité des électrons, est donnée par
3
𝐸𝑣 − 𝐸𝑓 −𝐸𝑓 2𝑚𝑡∗ 𝜋𝑘𝑇 2 0.50
𝑝 = 𝑁𝑣 . 𝑒𝑥𝑝 ( ) = 𝑁𝑣 . 𝑒𝑥𝑝 ( ) 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑁𝑣 = 2 ( )
𝑘𝑇 𝑘𝑇 ℎ2
4. a. Un semiconducteur intrinsèque est un SC dépourvu de toute impureté susceptible de modifier la densité
0.50
des porteurs de charges libres à l’équilibre.
4. b. Dans un tel semiconducteur on a n = p = ni. En utilisant la loi d’action de masse 𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖 2 nous
0.50
trouvons l’expression de la densité intrinsèque 𝑛𝑖 = (𝑁𝑣 ∙ 𝑁𝑐 )1/2𝑒𝑥𝑝(−𝐸𝑔 /2𝑘𝑇).

4.c. Détermination de Eg : en connaissant les valeurs de 𝑛𝑖 (250°𝐾) et 𝑛𝑖 (400°𝐾) et Sachant que les densités d’états 𝑁𝑣
et 𝑁𝑐 varient en (T3/2), comme le montrent les expressions de la réponse 1, on peut écrire :
−𝐸𝑔
𝑛𝑖 (𝑇) = 𝐴. 𝑇 3/2 𝑒𝑥𝑝 ( ) 1.00
2𝑘𝑇

Les masses effectives 𝑚𝑒∗ et 𝑚𝑡∗ étant constantes et ne dépendent pas de T.

Evaluant le rapport :
3 −𝐸𝑔 3 3
𝑛𝑖 (𝑇1 ) 𝑇1 2 𝑒𝑥𝑝 (2𝑘𝑇1 ) 𝑇1 2 𝐸𝑔 1 1 𝑇1 2 𝐸𝑔 𝑇1 − 𝑇2
=( ) = ( ) 𝑒𝑥𝑝 [ ( − )] = ( ) 𝑒𝑥𝑝 [ ( )] ⟹
𝑛𝑖 (𝑇2 ) 𝑇2 −𝐸𝑔 𝑇2 2𝑘 𝑇2 𝑇1 𝑇2 2𝑘 𝑇1 ∙ 𝑇2
𝑒𝑥𝑝 ( )
2𝑘𝑇2
3
𝑇1 ∙ 𝑇2 𝑛𝑖 (𝑇1 ) 𝑇2 2
𝐸𝑔 = 2𝑘 × ( ) 𝑙𝑛 [ ( ) ] ⟶ (𝟎𝟏. 𝟎𝟎)
𝑇1 − 𝑇2 𝑛𝑖 (𝑇2 ) 𝑇1
A.N : si 𝑇1 = 400°𝐾, 𝑇2 = 250°𝐾 et 𝑛𝑖 (400) = 2,38. 1012 𝑐𝑚−3 , 𝑛𝑖 (250) = 7. 107 𝑐𝑚−3 ⟹ 𝐸𝑔 = 1.12 𝑒𝑉
⟶ (0.50)
5. La position du niveau de Fermi peut être déduite en écrivant l’égalité 𝑛 = 𝑝
EC
−𝐸𝑓𝑖 𝐸𝑓𝑖 − 𝐸𝑐 𝐸𝑔 3 𝑚𝑣∗ 0.25 eV
𝑁𝑣 . 𝑒𝑥𝑝 ( ) = 𝑁𝑐 . 𝑒𝑥𝑝 ( ) ⟹ 𝐸𝑓𝑖 = + 𝑘𝑇𝑙𝑛 ( ∗ ) Efn
𝑘𝑇 𝑘𝑇 2 4 𝑚𝑐
1,12 0,56
1.12 eV
T=300°K 𝐸𝑓𝑖 = + 0.026 × 0.075. 𝑙𝑛 ( ) = 0.55𝑒𝑉.On constate que Efi
2 1,08
le niveau de Fermi du SC intrinsèque est presque au milieu de la B.I. ⟶ (1.00) EV
6. On utilise du semiconducteur un dopage par l’arséniure qui est un atome
donneur, pour q’à température ambiante nous aurons un semiconducteur de conductivité (par électrons) appréciable, suite
à l’augmentation de la densité des électrons libres (au dépens des trous), en densité égale à celle des donneurs à température
ambiante. Alors on a
𝐸𝐹 −𝐸𝑐 0,28
𝑁𝑑 = 𝑛 = 𝑁𝑐 ∙ 𝑒𝑥𝑝 (
𝑘𝑇
) = 2,8. 1019 𝑒𝑥𝑝 (− 26.10−3 ) ≈ 6. 1014 𝑐𝑚−3 ⟶ (01.00)