MASTER de Physique 1

Propriétés électroniques du solide

TD N°5: Electrons s  liés dans une rangée d’atomes identiques
CORRECTION
Dans l’approximation des liaisons fortes l’énergie E des électrons s obéit à la relation :
E      e ik.rm
m
où  et  sont homogènes à des énergies positives,  est le vecteur d’onde des électrons et m représente les vecteurs
reliant l’atome situé à l’origine à chacun de ces plus proches voisins.

On considère une chaîne linéaire constituée de N atomes identiques équidistant de a = 3Å. L’élément constituant
la chaîne est considéré comme monovalent.

a a

1) En ne tenant compte que de l’influence des premiers voisins, exprimer la relation de dispersion E(k) en fonction
de a.
𝐸(𝑘) = −𝛼 − 𝛾(e−ika + e+ika ) = −𝛼 − 2𝛾𝑐𝑜𝑠𝑘𝑎

2) Soit dn(k), le nombre d’états k dont le module du vecteur d’onde  est compris entre k et k+dk .
Montrer que la densité d’états des états k, g(k), est définie par la relation différentielle :
D’après les conditions aux limites périodiques, les vecteurs d’ondes sont de la forme :
2𝜋
𝑘=𝑛 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑛 𝜖ℤ∗
𝑁𝑎
Dans l’espace des états {k}, un état occupe un segment égale 2/Na
Soit n(k), le nombre d’état k dont le module est compris entre 0 et k ;
𝑘 𝑁𝑎
𝑛(𝑘) = 2 × = 𝑘
2𝜋⁄ 𝜋
𝑁𝑎
x2 car les vecteurs  et – ont le même module. D’où ;

𝑁𝑎 𝑁𝑎
𝑑𝑛(𝑘) = 𝑑𝑘 = 𝑔(𝑘)𝑑𝑘 → 𝑔(𝑘) =
𝜋 𝜋

Soit dn(E) le nombre d’électrons dont l’énergie E est comprise entre E et E+dE. La densité d’état d’énergie g(E)
est définie par l’expression :
𝑑𝑛(𝐸) = 𝑔(𝐸)𝑑𝐸
2-1) Montrer que g(E) peut s’écrire sous la forme :

𝑑𝑛(𝐸) = 𝑔(𝐸)𝑑𝐸
𝑑𝑛(𝐸) 𝑑𝑛(𝑘) 𝑑𝑘
=2 × = 𝑔(𝐸)
𝑑𝐸 𝑑𝑘 𝑑𝐸
𝑑𝑛(𝐸) 𝑑𝑘
= 2𝑔(𝑘) × = 𝑔(𝐸)
𝑑𝐸 𝑑𝐸
𝑑𝑘 𝑁𝑎 𝑑𝑘
𝑔(𝐸) = 2𝑔(𝑘) = 2× ×
𝑑𝐸 𝜋 𝑑𝐸
𝑑𝐸
𝐸(𝑘) = −𝛼 − 2𝛾 cos(𝑘𝑎) → = 2𝑎𝛾𝑠𝑖𝑛(𝑘𝑎)
𝑑𝑘
Or
𝐸+𝛼 𝐸+𝛼 2
cos(𝑘𝑎) = − ( ) → sin(𝑘𝑎) = √1 − ( )
2𝛾 2𝛾

𝑑𝐸 𝐸 + 𝛼 2 𝑑𝑘 1
= 2𝑎𝛾𝑠𝑖𝑛(𝑘𝑎) = 2𝑎𝛾 √1 − ( ) → =
𝑑𝑘 2𝛾 𝑑𝐸
𝐸+𝛼 2
2𝑎𝛾 √1 − ( )
2𝛾
 𝑁𝑎 𝑑𝑘 𝑁𝑎 1 𝑁
𝑔(𝐸) = 2 × × =2× × =
𝜋 𝑑𝐸 𝜋
𝐸+𝛼 2 𝐸+𝛼 2
2𝑎𝛾 √1 − ( ) 𝜋𝛾 √1 − ( )
2𝛾 2𝛾

N
g E  
2
E 
 1   
 2 

2-2) En déduire l’expression de la masse effective m*.

1 1 𝜕2𝐸
=
𝑚∗ ℏ2 𝜕𝑘 2
𝜕𝐸
= 2𝑎𝛾sin(𝑘𝑎)
𝜕𝑘
2
𝜕 𝐸 𝐸+𝛼
2
= 2𝑎2 𝛾 cos(𝑘𝑎) = −2𝑎2 𝛾 ( ) = −2𝑎2 (𝐸 + 𝛼)
𝜕𝑘 2𝛾
ℏ2 ℏ2
𝑚∗ = 2 =− 2
2𝑎 𝛾 cos(𝑘𝑎) 2𝑎 (𝐸 + 𝛼)

3) Avec a= 0.3nm,  = 1eV et =0.5eV, représenter la courbe E(k) dans la première zone de Brillouin. Noter que
celle-ci représente une bande d’énergie et calculer sa largeur .
-0,5

 = 4
E(ka)[eV)

-1,0

-1,5

-/a k kF=/2a /a

3-1) L’énergie  est liée au recouvrement des orbitales s entre premiers voisins et sa valeur décroît rapidement
quand la distance qui les sépare augmente. Comment évolue la largeur de la bande quand on rapproche les atomes
initialement éloignés ? Quelle alors l’évolution de la masse effective ?
 = 4, la largeur de bande augmente quand on rapproche deux atomes tandis que la masse effective diminue.

3-2) Combien de niveaux d’énergies possède cette bande ?

On a N atomes. Une cellule unité contient 1 atome, donc on a N cellules unité et par conséquent N états k.
Puisqu’un état k peut accueillir 2 états électroniques donc il y 2N niveaux d’énergies/bande.

3-3) Dans le cas où les atomes sont monovalent, quelle est le nombre de niveaux rempli à T=0K ?
On a N atomes monovalent. Par conséquent, il y a N électrons libres à placer. La bande est donc à moitié remplie.

3-1) A T=0K, calculer le module kF du vecteur d’onde de Fermi F . En déduire la valeur de l’énergie de Fermi EF.
Le vecteur kF correspond au vecteur d’onde du dernier niveau remplie. Graphiquement cela correspond à l’abscisse
de E(kF)=EF=- 
𝜋
𝑘𝐹 =
2𝑎
3-4) Exprimer en fonction de la masse de l’électron libre ( m0  9.11 1031kg ) la masse effective m* des
électrons situés en bas de bande et aux sommets de la bande. Comment peut-on interpréter ces résultats ?
En bas de bande : ka 0
ℏ2 ℏ2
𝑚∗ = 2 → 2 >0
2𝑎 𝛾 cos(𝑘𝑎) 2𝑎 𝛾
Les électrons se comportent comme des électrons libres

Aux sommets de la bande : ka /a

ℏ2 ℏ2
𝑚∗ = 2 →− 2 <0
2𝑎 𝛾 cos(𝑘𝑎) 2𝑎 𝛾
Les électrons se comportent comme des porteurs de charges et de masses négatives. On parlera alors de trou,
porteurs de charges et de masses positives.

A.N.

|𝑚∗ | ℏ2 1 1
= × = 3.8𝑒𝑉. 𝐴̇2 = 0.84
𝑚0 2𝑚0 𝑎2 𝛾 (3)2 𝐴̇2 × 0.5𝑒𝑉