Resume R

Bibliographie!
PHYSIQUE DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES!
!! Rappels de Physique du Semi-conducteur! !! H. MATHIEU & H. FANET!

!! Structure cristalline et bandes d’énergie!
«"Physique des semiconducteurs et des composants électroniques"» 6ème
!! S.C. à l’équilibre! édition (Dunod)!
!! S.C. hors équilibre!
!! P. LETURCQ et G. REY!
!! Diode : Jonction P/N! «"Physique des composants actifs à semiconducteurs"» (Dunod)!
!! Transistors! !! S.M. SZE!

!! Bipolaire! «"Physics of semiconductor devices"» (Wiley)!
!! MOS!
! !
http://icube-macepv.unistra.fr/fr/index.php/MATHIOT_Daniel ! "enseignements"!
D.Mathiot - Institut d’Électronique du Solide et des Systèmes - ULP & CNRS Physique des Composants - 1 D.Mathiot - Institut d’Électronique du Solide et des Systèmes - ULP & CNRS Physique des Composants - 2
Structure Cristalline! Notations cristallographiques!

!! Directions :!
Ordre!
! !Gaz!
! ! !Liquide!
! ! ! ! Solide!
!Amorphe ! ! ! !Cristal!
! Pas d"’ordre à longue distance ! Répétition périodique d’un motif!
!! Plans :!
t = n.a + m.b!
b! a!
Les réseaux cristallins cubiques! États d’Énergie des Électrons : Atome isolé!
Cubique simple ! Cubique centré ! Cubique faces centrées

Approche «"classique"»!
Atome H!
E!
r!
1/r!
2p! E!1!= Ry = 13,6 eV!

n = 2!
2s!
Cubique diamant! 8 atomes par
maille élémentaire! n = 1!
(C, Si, Ge)! 1s!
Approche «"quantique"»!
États d’Énergie des Électrons : Molécule! États d’Énergie des Électrons : vers le Solide Cristallin!
Dédoublement des niveaux!
Arrangement périodique de N atomes!
N ==> !E!
La largeur de l’éclatement liant / anti-liant

augmente si la distance inter-atomique diminue!
Cristal : Structure de «"Bandes"»! Métal / Isolant / Semi-conducteur!
La conduction électrique implique que les e- puissent avoir accès à des états
etc...! d'énergie infiniment proches du dernier état occupé à l’équilibre!
Solide : N " #$
(Si : N = 5x1022 cm-3)!
!E " 0!
Continuum d’énergie!
Alternance de bandes!
permises et interdites!
Définitions :!
•! Les bandes d’énergie indiquent les états possibles d’énergie des e- dans le cristal.! !! Bande de valence (B.V.) : dernière B.P. (presque) entièrement pleine !
•! Pour minimiser l’énergie totale du système, à l’équilibre, les bandes permises sont occupées !! Bande de conduction (B.C.) : première B.P. (presque) entièrement vide!
par les e- du solide en commençant le «"remplissage"» par les bandes les plus «"profondes"».! !! «"Gap"» : B.I. séparant la bande de valence et la bande de conduction, largeur Eg!
Niveaux d"’Impuretés (Défauts)! Gap Direct / Gap Indirect!
!! Toute rupture de périodicité (surface, défauts cristallins,

impuretés) entraîne une perturbation dans la structure de bandes.! La périodicité apparente dépend de
la direction de déplacement des e!-
!! Apparition de niveaux d’énergie possibles à l’intérieur de la bande
!! Structure de bandes dépend de k!
interdite!
!! Relations de dispersion Ec(k), Ev(k)!
!! Confinés dans l’espace au voisinage du défaut!
!! Niveaux discrets si les concentrations de défauts sont faibles!
!! Mini-bande possible si grande concentration de défauts!
Masse effective - Trous! Statistique d"’Occupation des États Électroniques!
!! Masse effective des électrons:!
Influence du réseau cristallin ==> les électrons «"libres"» de la bande de !! Électrons = fermions!
conduction se comportent comme des particules de masse me* différente de !! Principe d’exclusion de Pauli!
m0 (masse des e- dans le vide), et bien sûr de charge - q!
!! Statistique de Fermi - Dirac!
!! Trous :!
!! La probabilité d’occupation d’un état d’énergie E est donnée par la
fonction de Fermi :!
f (E) = 1
E! EF
1+ exp( )
kT
!! EF = niveau de Fermi! " %
!! EF est le «"potentiel chimique"» des électrons : ! EF = $$$ !G '''

Dans la B.V. tout se passe comme si on avait le déplacement d’une quasi-particule de # !Ne & T,P,V
charge positive + q , de masse effective m* !

h
Conduction par «"Trous"»! À L’ÉQUILIBRE EF EST CONSTANT EN TOUT POINT DU MATÉRIAU!
Fonction et Niveau de Fermi! Approximation pour S.C. «"non dégénéré"»!
!! Ordres de grandeur à 300 K!

!! kT # 0,025 eV!
!! Gap Si : Eg = 1,12 eV!
!! Pour les états possibles pour les e- libres (dans B.C.) :!

!! (E-EF) >> kT ==> exp >> 1!
!! f(E) # exp[-(E-EF)/kT] !Approximation par statistique de Boltzmann!
Les propriétés électroniques d"’un !! Probabilité d’avoir un état vide (un trou dans B.V.)!
S.C. sont contrôlées par la f p(E) = 1! f(E)= 1 " exp(
E! EF
)
position du niveau de Fermi EF ! E) kT
1+exp(
kT
dans le gap!
Densités de porteurs libres! n et p dans S.C. non dégénéré!
!! Approximation de Boltzmann entraîne :!
Porteurs libres = électrons dans B.C. et trous dans B.V.!
1/2 ! ! ! ! !Densités équivalentes d’états:!
!! M.Q. --> densité d"’états dans B.C. et B.V.! Nc(E) !(E " Ec )
Ec ! EF
Nv (E) !(Ev " E)1/2 n = Nc exp(! ) " 2 !m* kT % 3 / 2
kT e, h
Nc,v = 2$$ 2
'
'
E ! Ev h
p = Nv exp(! F ) # &
!! D"’où :! kT
! ! ! !
! ! ! ! ! Si à 300 K : ! Nc = 2,7.1019 cm-3!
Ecmax #
! ! ! ! ! ! ! Nv = 1,1.1019 cm-3!
n= ! Nc (E) f (E)dE " ! Nc (E) f (E)dE
Ec Ec
Ev Ev !! Relation fondamentale :!
p= " Nv (E)[1 ! f (E)]dE # " Nc (E)[1 ! f (E)]dE
min
Ev !$ E ! Ev Eg
n.p = Nc Nv exp(! c ) = Nc Nv exp(! ) = ni2
kT kT
S.C. intrinsèque! Liaisons Covalentes et Dopage!

Si pur !!!
!! Densité de porteurs intrinsèques!

Eg Si à 300 K!
n = p = ni = Nc Nv exp(! )
2kT ni # 1,5.1010 cm-3!
!! Niveau de Fermi intrinsèque!
Ec + Ev 1 N E + Ev
Ei = + kT.Ln( v ) " c
2 2 Nc 2
!
Liaisons Covalentes et Dopage! S.C. Dopé!
!Donneur ! !Accepteur!
Equation de neutralité : n + Na! = p + Nd+ !; ! n - p = Nd - Na!
!X0 --> X+ + e- !X0 --> X- + h+! ! !!
Relation fondamentale :! n.p = ni2 Équation du 2nd d°!
! !Type N !Type P!
!Nd >> Na ! !!!Na >> Nd!
1
n=
1
[
N + Nd2 + 4ni2
2 d
] p=
2
[
Na + Na2 + 4ni2 ]
p = ni2 / n n= ni2 /p
! !si Nd >> ni : n # Nd ! si Na >> ni : p # Na!
!
"#
Maj $%& = DopageNet = Nd ' Na
!P, As, Sb !B, (Al, In)!
!
"#
Min$%& = ni2/!"# Maj$%&
Position de EF! Influence de la Température!

! !Type N, Nd fixé!
! !Type N !Type P!
! Densité de porteurs libres ! !Niveau de Fermi !
N N N N
E F = E c " kT.Ln c # E c " kT.Ln c E F = E v + kT.Ln v " E v + kT.Ln v
n Nd p Na
! !
# q"
% kT.Ln(N /n ) % n = ni exp( F )
' d i % kT
q"F = E F # E i $ & $ 1) : gel des porteurs!
'#kT.Ln(N /n ) % q" F
% p = ni exp(! ) 2) : épuisement, ionisation totale (ni << Nd)!
( a i & kT 3) : régime intrinsèque (ni > Nd)!
!
Travail de Sortie et Affinité Électronique! Génération de Porteurs!
Travail de Sortie ! ! !Affinité Électronique!
Hauteur de Barrière!
!! Génération de paires électrons / trous!
!! n = n0 + $n ! n0 . p0 = ni2
$n = $p!
!! p = p0 + $p! n.p ! ni2
!! Faible injection : $n, $p << [Maj.]0!
!! [Maj.] # [Maj.]0!
!! [Min.] = [Min.]0 + $[Min.] (souvent # $[Min.] )!
Recombinaison des Porteurs! Durée de Vie des Porteurs Minoritaires!
!! On suppose S.C. type N, régime de faible injection!

!! n # n0 = Nd!
!! p = p0 + $p!
Recombinaison directe!
!! Vitesse de variation de la concentration des trous (minoritaires)!
dp d!p !p
= = G" R = G"
dt dt #p
!! L"’ordre de grandeur de %p dépend du mécanisme mis en jeu!

!! Radiatif : %p < µs!
Recombinaison indirecte! !! Non radiatif : dépend fortement de la qualité! 1 1 1 1

= + + + .....
du matériau (centres de recombinaison).! ! !1 !2 !3
Typiquement pour Si : %p # 1 µs - 50 ms!
Vitesse Instantanée / Vitesse de Dérive! Courants de Conduction!
Mouvement des e- soumis à E seul :! dv i !! Électrons :!
"qE = m*e
dt Jn,c = -q.n.vn = + q.n.µn.E!
qE Jn,c = &nE!
v i (t) = " * (t " t 0 )
Interactions avec le réseau :! me ! !&n = q.n.µn!
! ! !(relaxation)!
!! Trous :!
1 "c q"
vn = $ v i (t)dt = # c* E Jp,c = + q.p.vp = + q.p.µp.E!
! "c 0 2me !Q = ±qC.(v!t).S Jp,c = &pE!
! !&p = q.p.µp!
v n = #µn .E 1 !Q
Jc = !! Total (loi d’Ohm microscopique):!
S !t
µn : mobilité des électrons (cm2 V-1 s-1)! ! !Jc = &.E!
! !& = q.(n.µn + p.µp)!
! avec -q ---> +q :
Trous dans B.V. : idem ! vp = + µp.E!
Courants de Diffusion! Courants Globaux!
Distribution inhomogène induit une «"diffusion"» des particules!

(transport des particules tendant à uniformiser les concentrations)! !! Électrons :!
J n = J n,C + J n,D
$
Flux (Loi de Fick) : ! ! = "D # C
# q #
J n = µn (q.n.E + kT " n) = q.Dn ( n.E + " n)
kT
! ! ! ! !D : coefficient de diffusion (cm2s-1) ! !! Trous :!
J p = J p,C + J p,D
Courants de Diffusion :!
$
$ q $
J n, D = (!q)." n = +q.Dn # n ! J p = µ p (q.p.E " kT # p) = q.Dp ( p.E " # p)

Électrons : ! kT
$
!! Total :!
Trous :! J p, D = (+q).! p = "q.D p # p J tot = J n + J p
Total :!
" " J tot = J n, C + Jn, D + J p,C + J p, D
J D = q.(Dn ! n # Dp ! p) !
Dn D p kT J tot = J Ctot + J D
tot
! ! ! ! !Relation d’Einstein : ! = =
µn µp q
Équations de Continuité.! Longueur de Diffusion!
!!Problème :!
Bilan de conservation des espèces : ! !C On considère un barreau S.C. de type P, faiblement excité en surface par un
= "div( J) + G " R
!t rayonnement maintenant un excès superficiel constant de paires électrons / trous. Quels
!n 1 " sont les profils de porteurs dans le barreau en régime stationnaire ?!
!! Électrons :! = div(Jn ) + Gn # Rn
!t q !!Solution :!
!!Faible excitation : $n = $p << [Maj.]0 ==> p # p0 = Na!
!p 1 # !!E = 0 ==> uniquement courant de diffusion des minoritaires!
!! Trous : ! = " div( J p ) + G p " R p
!t q !!Équation de continuité :!
!"n ! 2 "n "n

= Dn + Gn #
!t !x $n
!! Régime de faible injection (en 1D) :!
!!Régime stationnaire : %($n)/%t = 0!
"n " 2n "E "n n # n0
= Dn 2 + n.µn + µn E + Gn # !!Condition limite : $n(x=0) = Cte = $nsurf.!
"t "x "x "x $n !!Solution:!
!n = !nsurf . exp(" x / Ln )
"p " p "E
2
"p p # p0
= Dp 2 # p.µ p # µpE + Gp # !!Avec : !
"t "x "x "x $p Ln = Dn !n
Modélisation des Composants! Équations Fondamentales (1)!

$ qn #n
!! Données technologiques :! && J n = qDn ( kT E + #x )
!! Courants : ! %
!! Géométrie (on fait hypothèse 1 D)!
& J = qD ( qp E " #p )
!! Profils de dopants Na(x) et Nd(x).! &' p p
kT #x
Jonction xj = zone où Na(xj) = Nd(xj)! !! Continuité : !
$ !n 1 ! J n n " n0
!! Paramètres «"utilisateur"» :! & = + Gn "
& ! t q ! x #n n0 - p0 = Nd - Na!
!! Tensions appliquées aux bornes des différentes régions! ! %
! !Hypothèse : contacts parfaitement ohmiques : VS.C. = Vmétal! & !p 1 !Jp p " p0 n0 p0 = ni2!
& =" + Gp "
&' !t q !x #p
!! État du composant caractérisé par :!
4 équations, 5 inconnues!
!! Profils de porteurs n(x,t) et p(x,t)! ???? !
!! Champ électrique E(x,t)!
!! Caractéristique (réponse) du composant :!

!! Courant total : J(t)!
Équations Fondamentales (2)! Jonction P/N à l"’Équilibre : Répartition des Charges!
$ qn #n
&& J n = qDn ( kT E + #x )
!! Courants : ! % Type P :!
& J = qD ( qp E " #p ) Neutre P!
&' p p p 0P = Na!
kT #x ! !Contact :!
!! Continuité : ! ni2
n 0P = !! Diff. des porteurs!
$ !n 1 ! J n n " n0
& = + Gn " p P0 !! Recombinaisons!
& ! t q ! x #n Z.C.E.!
! %
& !p 1 !Jp p " p0 n = p = 0!
& =" + Gp "
&' !t q !x #p Type N :!
!! Électrostatique! n 0N = Nd+
#V Neutre N!
E =" n2
!! Champ : ! p 0N = i0
#x nN
!2V q
!! Poisson! = " ( p " n + Nd+ " Na" )
!x 2 # 6 équations, 6 inconnues !
!
Jonction P/N à l"’Équilibre : Structure de Bandes! Potentiel de diffusion!

Équilibre!
!Courants e- et h+ nuls Niveau de Fermi constant

! !! !!
Définition :! dV dn Ec N ! EF
"qn + kT =0 n 0N = Nc exp(! )
kT
Vd : potentiel de diffusion! dx dx
Ec ! E F
soit : n 0P = Nc exp(! P )
kT
n N0 q
Ln( 0
) = (VN " VP ) 1
nP kT Vd = VN ! VP = (Ec P ! Ec N )
q
kT N N
Vd = Ln( d 2 a )
q ni
!
!
Calcul du Champ et du Potentiel! Répartition du Champ et du Potentiel!
!! Équation de Poisson avec hypothèse

!! Variations linéaires de E!
jonction abrupte!
!! Zones neutres : E = 0!
!! Zones neutres P et N : '(x) = 0!
!! xP< x < 0 : '(x) = -qNa! !! xP < x < 0 : E = -(qNa/().(x-xP)!
!! 0 < x < xN : '(x) = qNd! !! 0 < x < xN : E = (qNd/().(x-xN)!
2
dV dE #(x) !! Champ max. : E = (qNa/()Wp = (qNd/()WN!
2
=" ="
dx dx $
!! 1ère intégration donne E(x)! !! Variations paraboliques de V!
!! Zones neutres : V = Cte!
2ème intégration donne V(x)!
!!! !! xP < x < 0 : V = VP + (qNa/2().(x-xP)2!
!! 0 < x < xN : V = VN - (qNd/2().(x-xN)2!
!! Neutralité globale : NaWP = NdWN!
Largeur Z.C.E.! Longueur de Debye!

En supposant que les conc. d’e- et h+
pénétrant la ZCE n’altèrent pas la
!! Principe du calcul :! distribution de potentiel on obtient :!
!! Continuité de V à la jonction!
!! Neutralité globale NaWP = NdWN! ( " x ! x % 2+
N
n(x) = Nd exp *!$ ' -
*) # LDn & -,
!! Résultat :! 2! 1 ( " 2+
WN = V x ! x P %' -
qN d 1 + Nd / Na d 2 ! Na + Nd p(x) = Na exp **! $$ ' -
2! 1
W = WN + WP =
q Na Nd d
V ) # L Dp & ,
WP = V
qNa 1 + Na / Nd d
2 !kT
!! Jonction P+/N :! LDn, p =
q 2 Nd,a
Na >> Nd! 2" 1
W ! WN ! Vd
q Nd
Jonction P/N Polarisée!
Z.C.E. d’une jonction polarisée!
P N •! VN -VP = Vd - V!
Vp VN
•! Énergie potentielle des e- 2! N a + N d 2 ! Na + Nd
V P/N à l’équilibre :! W= V = (VN " VP )
décalée de -qV! q Na Nd d q Na Nd
De même sous polarisation :!

Polarisation directe !V > 0 ! ! !Polarisation inverse V < 0!
2! N a + N d 2! N a + N d
W= (VN " VP ) = (Vd " V)
q Na Nd q Na Nd
!Polarisation directe : ! ! !Polarisation inverse : V = -Vi!

Largeur Z.C.E diminue quand!
V augmente, tant que la barrière résiduelle! Augmentation de W avec V!i
q(Vd -V) est > kT!
A forte polarisation :!
Au delà, prédominance de Rsérie!
W # k.(Vi)1/2!
2 !.kT Na + Nd
Wmin =
q2 Na Nd
Profils de Porteurs! Jonctions Courtes / Longues!
Hypothèse : Faible injection!

!! Porteurs majoritaires dans zones quasi-neutres = dopage!
!! pP # pP0 = Na!
" (#pN ) " 2 (#pN ) #pN " 2 (#pN ) #pN
!! nN # nN = Nd! 0 = Dp $ =0 & $ 2 =0
"t "x 2 %p "x 2 Lp
!! Porteurs minoritaires!
!Jonction courte : !Jonction longue :!
!! Z.C.E. : n(x).p(x) = ni2.exp(qV/kT) (Approximation de Boltzmann)!
!! D’où en limite de Z.C.E. :!
LP = D p !P
!Lp >> dN ! Lp << dN!
ni2 !
n P (x P ) = exp(qV / kT) Profil linéaire !Profil exponentiel!
Na x" x N
"
ni2 x "x L
p N (x N ) =
Nd
exp(qV / kT) !pN (x) = c
dN
[0
p N (x N ) " p N ] [
!pN (x) = p N (x N ) " p 0N . ]e P
p 0N qV / kT x" x N
!! Zones quasi-neutres : diffusion / recombinaison! !pN (x) =
dN
( e " 1).(xc " x) "
L
!pN (x) = p 0N ( qV / kT " 1).
e e P
Distribution des porteurs! Courants de minoritaires!
Zones quasi-neutres (E = 0) : Courants de diffusion uniquement!

Zone quasi neutre! Zone quasi neutre!
ZCE!
P longue! N courte!
dp
x > x N Jp = !qD p région N
dx
pP! !# p!P0! != Na! ! dn
nN! !# n!N!0!= Nd
!! x < x P J N = !qDn région P
dx
nP! (! x!P)! = ! ! !exp(qV/kT)!
nP0
Jonction longue! Jonction courte!
pN! !(x!N!) = pN! !0!exp(qV/kT)!
x! x N
! qni2 Dp " qV / kT %
qni2 D p " qV / kT % LP JP = e ! 1'
nP! (! x)! pN! !(x)! x > xN JP =
Nd L p #
$ ! 1' .
&
e e Nd d N #
$
&
pN! !0!= ni!!2/!Nd! ! xP ! x

qn 2 D " qV / kT %
! qni2 Dn " qV / kT %
! ! != ni!!2/!N!a!
nP0 x < xP JN = i n $ ! 1' . e e LP JN = e
$
Na d P #
! 1' .
Na Ln # & &
xc’! x!P! xN! ! xc!
Courant Total! Répartition des Courants!

!! Système conservatif ==> Jtot(x) = Jn(x) + Jp(x) = cte = J!
!! En particulier :!
!! J = Jn(xN) + Jp(xN)!
! ! ! ! !courants de majoritaires ????!
!! J = Jn(xP) + Jp(xP)!
!! Jonction «"idéale"» (pas de G/R dans ZCE)!

!! Jn(xN) = Jn(xP)!
! ! ! !J = Jn(xP) + Jp(xN)! Les courants de majoritaires!
!! Jp(xP) = Jp(xN)!
s’ajustent pour assurer!
! qni2 D p $
qni2 Dn &.(* qV / kT ' 1+-
Jtot = Jn + Jp = Cte!
J =# +
#" Nd min( L p , d N ) Na min(Ln , d P ) &% ) ,
e
( qV / kT +
J = Js *
)
e ' 1-
,
Caractéristique J(V) d’une Jonction Idéale! Jonction Réelle : Courants de G/R!
J/Js
4
échelle linéaire !Jonctions réelles : impuretés et défauts dans Z.C.E.!
3
!!V > 0 : direct! !! Centres de génération ou recombinaison thermique!
2 !! Non conservation de Jn et Jp dans Z.C.E.!
qV >> kT : croissance exponentielle!
1 !! Faible injection : Théorie de Schockley, Read et Hall (SRH)!
qV
J ! Js exp( ) 0 1 n.p ! n2i
kT -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 Dans ZCE :! (G ! R) th = ! . %m = K.[XG/R]-1!
-1 "m 2n i + p + n
-2
V (Volt) !Polarisation inverse !Polarisation directe!
!!V > 0 : inverse! J/Js ! !n = p = 0 !n et p & 0!
1.E+03
échelle logaritmique
q|V| >> kT : J = -Js! ! !Courant de génération !Courant de recombinaison!
1.E+02
Direct : 60 mV / déc.!
! !Courant de saturation! qni qV qni qV
1.E+01 Ji = ! Js ! W J d = Js . exp( ) + W . exp( )
Inverse! 2"m kT 2 !m eff 2kT
1.E+00
J i # ! Js ! K Vi Dominant à V faible!
1.E-01
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
V (Volt) >> JS!
Effets de Forte Polarisation Directe! Forte Polarisation Inverse : Claquage!

!! Forte injection (exemple P+/N) :! !Effet Zener ! ! !Avalanche (ionisation par
2kT " N d % impact)!
V >> Ln$ ' ( pN (x N ) >> N d
q # ni & Vi tel que Fe-> Fliaison!
!! Neutralité de la zone N nécessite l’apport d’électrons depuis le contact!
!! Très forte injection : pN = nN (>> Nd)!
2qni qV
! Jd = exp( )
min(L p , d N ) 2kT
!! Résistance série!
!! Vj = V - RsI : !
" q(V ! Rs I) %
I = Is exp$ '& avec I s = A.J s
# kT
!! Pour V > V* tel que Vd - (V*-RsI) # kT/q :!
•! disparition de la barrière! Ionisation directe par effet tunnel
•! WZCE = Wmin , Rjct << Rs! bande à bande assisté par E!
•! Dominance de la résistance série : V-Vd # RsI!
Caractéristique J(V) d"’une Jonction Réelle! Capacité de Transition!
!! Z.C.E. = «"isolant"» (pas de porteurs libres)!
!! Zones neutres = conducteurs!
==> Condensateur plan !
!! En direct :!
!! a) courant de recombinaison!
Capacité de transition : ! Ct = !.S
WZCE
!! b) courant de diffusion (P/N idéale)!
!! c) forte injection! Pour P+/N :!
!! d) influence Rs! Polarisation inverse Vi!
q! Nd
Ct = S. .
!! En inverse :! 2 Vd + Vi
!! e) courant de génération (fuite)! Application :!
!! f) claquage! Détermination du dopage!
C = Ct / S
2 1
1 / C2 = . (V + Vi )
q! N d d
Charge Stockée! P/N en Régime alternatif (petits signaux)!

Qs = charge totale (en valeur absolue) associée aux minoritaires en V = V * + v 0e j"t
excès dans les zones quasi-neutres! kT
xp v 0 << V * et v 0 <<
Qn, P = q "x 'c !n P dx q
!! Conductance dynamique :!
xc
Qp, N = q "x N !pN dx ( q
* J en faible injection
Jonction courte ! ! !Jonction longue ! " dJ % * kT
gd = $ ! ' =)
Qn, P = tn, P Jn # dV &V * * q
Qn, P = !n, P J n, x P
*+ 2kT J en forte injection
Qp, N = t p, N J p Qp, N = ! p, N J p, x N
!! Capacité de diffusion :!
1 d2
tn, P = . P dQs
temps de 2 Dn " Qn, P Qp,N % Cd =
dV
transit :! 1 d2 J = $$ + ' !
t p, N = . N # !n ! p '& qt p, N
2 Dp Cd = J = t p, N .g d
kT
P/N en Commutation : Temps de Recouvrement! Transistor Bipolaire : Structure!
!! t = 0 : V= + --> V = - V+ V-! Bipolaire = 2 jonctions P/N tête-bêche reliées par une base très fine!
!! mais : nécessité d"’évacuer la charge stockée !
!! transitoire de courant important !
+! +!
+! +! +! +!
[XG/R] ==> %r!
Bipolaire : Principe de Fonctionnement! Bipolaire : Diagramme de Bande et Courants!

!! Jonction B/C en inverse : normalement JC # 0!
!! Mais : Jonction E/B en direct :! Équilibre ! ! ! ! !Polarisé !

!! Injection de minoritaires dans la base!
!! Base très fine : les minoritaires atteignent la jonction B/C sans recombinaison!
!! E dans Z.C.E. de la jonction B/C !

!! Collecte des minoritaires dans le collecteur (deviennent majoritaires en excès)!
!! Diffusion vers le contact ==> JC important!
Entrée (E/B) Sortie (B/C)!

! ! Vdir faible Vinv fort!
P = V.I
IE! IC # IE!
Psortie > Pentrée!
Amplificateur de puissance!
Courant d’Émetteur - Efficacité d’injection! Courant de Collecteur!
!! Courant d’électrons ( J n,C = M .B.J n, E ) :!
0
!! Composantes du courant d’émetteur (NPN):! !! A la limite de la Z.C.E. B/C, côté base : ! J n,C = B.Jn,C
!! Injection e- de E vers B (par construction, base «"fine"») :! e- en provenance de l’émetteur, avec pertes dans la base (recombinaisons)!
qni2 Dn, B Facteur de transport :!
qVBE t WB2
J n, E = exp( ) B = 1! B = 1!
Na, B WB kT "n, B 2L2n, B
!! Injection h+ de B vers E! B ! 1 " WB ! 0
qni2 Dp , E qVBE WB2
J p ,E ! exp( ) avec t B = (temps de transit)
Nd , E min(L p, E , WE ) kT 2Dn, B
!! Efficacité d’injection :! !! Multiplication (ionisation par impact dans Z.C.E. B/C)!

Facteur de multiplication :! 0 1
J n,C = M .Jn,C M= VBC 3
J n, E J n, E 1
! = = = 1!( )
JE J n, E + J p, E Na , B WB Dp , E Vclaq.
1+
Nd , E WE Dn, B !! Courant de trous (fuite) :! qni2 Dp ,C
! " 1 # Nd , E >> Na, B 0
J CB = J p, C =
Nd , C min(L p,C , WC )
Courant de Base! Courants : Récapitulatif!

E! !! Émetteur (IE) :!
N! P! N! !+In,E (e- injectés E --> B)!
Emett.! Z.C.E!
Base! Coll.!
!! Trous injectés de B vers E : Jp,E! !+Ip,E (h+ injectés B --> E)!
B.In! ,E! B.IM !
IE! ! In! ,E! !n,E! IC! !
!! Courant de recombinaison dans B : JBR = (1-B).Jn,E! !! Collecteur (IC) :!
(M-1) !
(compensation des h+ consommés par la rec. avec e-)! B.In! !,E!
!-M.B. In,E (e- collectés et multipliés
Ip! ,E! dans ZCE de la jct. B/C)!
!! Trous générés dans Z.C.E. de jct. B/C (ionisation par impact)! +! +! !-I0CB (fuite jct. B/C) = Ip,C!
! !
I0! CB
! ! !(M-1).B.Jn,E!
! R!
IB !! Base (IB) :!
+!
!! Courant de fuite de la jonction B/C : J0CB! !-Ip,E (h+ injectés B --> E)!
IC = -a.IE - I0CB! !-IBR (recomb. dans B) = (1-B).In,E!
a = ).B.M! !+(M-1).B. In,E (h+ dûs à multiplica-
IB = -(1-a).IE + I0CB! tion dans Z.C.E. de la jct. B/C)!
IE + IB + IC = 0! ) = In,E / IE! !+I0CB (fuite jct. B/C) !
Gain en Base Commune! Gain en Émetteur Commun!
IB < 0
VBE > 0
E (N) B (P) C (N)
VCE > VBE > 0

IC < 0
I I0
! = C = a + CB
IE IE
0
IC aI E + I CB
!= = 0
0 I B (1 " a )I E " I CB
I E >> ICB ! " # a = $ .B.M
#
!=
1"#
Le gain en base commune est inférieur à 1, mais proche de 1!
(typiquement 0,99 pour un bon bipolaire)! Pour * = 0,99 le gain en émetteur commun vaut + = 100!
Gain en Collecteur Commun! Régimes Normal et Inversé!

!! Régime normal :!
qVBE
!! E/B en direct! I E = I Es [exp( ) ! 1]
kT
!! B/C en inverse! qV
IC = !" .I Es [exp( BE ) ! 1]
kT
!i .I Cs = !.I Es
!! Régime inversé :!
qVBC
IE IE I E = !"i .ICs [exp( ) ! 1]
!' = = !! E/B en inverse! kT
0
I B ( 1 " a)IE " I CB qVBC
!! B/C en directe!
IC = I Cs [exp( ) ! 1]
kT
1
!' = $! (# $ 1)
1"#
!! Remarque :!
Nd , E >> Nd ,C ! " C # B < " E # B
! $i < $
Régimes Saturé et Bloqué! Équations d’Ebers-Moll!
Cas général : superposition des courants en provenance de chacune
des jonctions (au gain près)!
!! Régime saturé :! qVBE qV
I E = I Es [exp( ) ! 1] ! "i .ICs [exp( BC ) ! 1]
!! E/B en direct! NPN :! kT kT
IE + IB + IC = 0
!! B/C en direct! qVBE qVBC
IC = !" .I Es [exp( ) ! 1] + ICs [exp( ) ! 1]
kT kT
!! Régime bloqué :!
PNP : inversion des conventions de signe (I et V)!
!! E/B en inverse!
!! B/C en inverse!
Effet Early (1)! Effet Early (2)!
1
Caractéristiques de sortie!
B.M ! 1 " # ! $ =
Na , BWB Dp , E !Base commune !Émetteur commun!
1+
Nd , E WE Dn, B !IC " I 1 "WB !IC " I
$ = (1 % & ) C ' 0 (Va )!1 = $ = C
!VCB # I Va WB "VCB !VCE # I Va
E B
Donc :!
&( $!
VCB ! " '
()# = $ /(1 % $ ) !!
Courbes de Gummel! Origine des Effets «Parasites»!
!! Faibles VBE : fuite de la jonction E/B!

!Centres de recombinaison dans Z.C.E. jonction E/B!
!Cf. jonction P/N : théorie S.R.H. ==> variation en exp(qVBE/2kT)!
!! Forts VBE : Forte Injection (nP,B >> Na,B)!

!! Courant collecteur varie en exp(qVBE/2kT)!
!! Effet «"Kirk"» :!
Neutralité ==> pP,B = nP,B !
==> augmentation du dopage «"apparent"» (pP,B >> Na,B)!
==> rétrécissement de la Z.C.E. de la jonction B/C côté B!
==> élargissement de WB!
==> diminution de IC!
Structure M.O.S. Idéale! Régime de Bandes Plates!
VG = 0!
!! ,ms = ,m - ,s = 0! Comme ,ms = 0, les niveaux de Fermi du
métal et du S.C. sont naturellement
!! Pas d’états d’interface! alignés.!
Aucun transfert d’électron n’est
!! Pas de charges dans l’isolant! nécessaire au moment de la mise en
contact électrique.!
!! Isolant parfait (J = 0)! Pas de courbure de bande induite!
MOS Polarisé! Régime d’Accumulation!
VG & 0! Variation linéaire de V dans l’oxyde!
(Qox =0)!
Équivalent à condensateur plan! VG < 0!
VG = -Vox + Vs!
!• Des charges apparaissent côté métal.! Variation des densités de porteur libres! !• Des charges «"-"» apparaissent côté
!• Des charges opposées apparaissent métal (excès d"’e-).!
côté S.C.! q(Vs ! " F i ) !• Des charges «"+"» doivent donc se
kT
nsurf = ni .e former dans le S.C. à l"’interface avec
J = 0 ==> EF = ct. dans S.C.! l’isolant.!
!q(Vs ! "F i )
kT
psurf = n i .e Accumulation de h+ à l"’interface S.C./
Courbure des bandes!
isolant!
Régime de Déplétion! Régime d’Inversion!

VG >> 0
M O S (P)
VG > 0! VG >> 0!
• charges «"+"» côté métal (déficit d"’e-)!

EF > EFi en surface!
• charges «"-"» nécessaires côté S.C.!
Mais pas d"’e- libres! !Matériau de type n en surface!
déplétion de trous! -q."n !(x)

• nsurf < Na : faible inversion!
accepteurs ionisés non compensés!
Z.C.E. analogue à jct. P/N!
• nsurf > Na : forte inversion! !
-q.Na
-q.n
Condition d’Inversion! Tension de Seuil (structure MOS idéale)!
q(Vs ! " F i ) q"Fi VT est la tension à appliquer à la grille (VG)!
nsurf = ni .e kT région neutre : p0 = Na = n i .exp( )
kT pour obtenir la forte inversion!
!q(Vs ! "F i ) kT Na VT = 2,Fi + -Vox!
psurf = n i .e kT # "Fi = Ln( )
q ni
-Vox est la chute de potentiel dans l’oxyde : -Vox = |QSC| / Cox!
!! Inversion ==> nsurf > psurf! Remarque!
! ! !Cox = capacité de l"’oxyde = (ox.S/dox!
! En forte inversion , la couche conductrice ! !QSC = Charge stockée # Qdep pour Vs = 2,Fi!
! !Vs > ,Fi! d’inversion écrante (cage de Faraday) le
volume du S.C. , d’où :!
!! Forte Inversion : nsurf > Na!
Vs reste constant à 2,Fi! 1
VT = 2"Fi + 4.q.N a#s"Fi
! !Vs > 2.,Fi! Cox
2!S
Wdép = Wmax = 2"Fi kT N
qN a avec : "Fi = Ln( a )
! !Vs ' 2(kT/q).Ln(Na/ni)!
q ni
! !!
Capacité! Structure M.O.S. Réelle!

!! ,ms & 0 !
!! VFB1 = ,ms pour mettre en bande plate!
!! ==> translation de ,ms!
!! Charges dans l’oxyde!

!! Charge équivalente Qox à l’interface Métal / Oxyde!
!! VFB2 = -Qox/Cox !
!! États d’interface!
!! VFB2 = -Qss/Cox!
!! déformation de la courbe C(V)!
!! Tension de seuil :!
VT = VT* + VFB = VT* + ,ms - Qox/Cox - Qss/Cox!
T- MOS à Enrichissement! Régime Linéaire!
Remarque!
Les charges mobiles du canal sont
créées par la tension de grille en
excédent de VT, pour VG < VT
création essentiellement de charges
de déplétion (fixes)!
Cox!
V V Z.e Q /q #
I D = DS ! DS n = mob %
R canal ".L Z.L.e % !
$ q.n.e = ( ox ).(VG " VT )
Z !ox Z.L % d ox
ID ! µ V (q.n.e) Q mob = (VG " VT )%
N-MOS : canal à électrons (substrat P)! L DS dox &
P-MOS : canal à trous (substrat N)! Z Z V
ID ! µ Cox (VG "V T ).VDS en fait : ID = µ Cox (VG "VT " DS ).VDS
L L 2
Pincement - Régime de Saturation! Caractéristiques (T-MOS Long)!
ID (VG) ! ! ! !ID (VD)!
!! VDsat # VG - VT!
!! VD > VDsat ==> longueur du canal = L--L!
!! T-MOS « long"» : -L << L ==> ID = IDsat # (Z.µnCox/2L).(VDsat)2!
!! T-MOS «"court"» : ID # IDsat (1+-L/L)!
Effets Canaux Courts!
Variation IDsat ! ! !Diminution de VT!
0,6
0,5
0,4
Variante 1
0,3
Variante 2
0,2
0,1
0
0,01 0,1 1 10 100
Longueur du canal (µm)
• Influence de la Z.C.E. des jonctions S / D :

diminution de VT à cause de la diminution des
conc. de porteurs dans la zone de canal à cause
Déplacement du pincement! de la déplétion par S / D.!
ID # IDsat (1+-L/L)! • Effet canal court inverse : influence techno.!
D.Mathiot - Institut d’Électronique du Solide et des Systèmes - ULP & CNRS Physique des Composants - 93

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Bibliographie!

PHYSIQUE DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES!

!! Rappels de Physique du Semi-conducteur! !! H. MATHIEU & H. FANET!

!! Transistors! !! S.M. SZE!

Structure Cristalline! Notations cristallographiques!

Cubique simple ! Cubique centré ! Cubique faces centrées

2p! E!1!= Ry = 13,6 eV!

Dédoublement des niveaux!

Arrangement périodique de N atomes!

La largeur de l’éclatement liant / anti-liant

Niveaux d"’Impuretés (Défauts)! Gap Direct / Gap Indirect!

!! Toute rupture de périodicité (surface, défauts cristallins,

!! EF = niveau de Fermi! " %

!! EF est le «"potentiel chimique"» des électrons : ! EF = $$$ !G '''

charge positive + q , de masse effective m* !

Fonction et Niveau de Fermi! Approximation pour S.C. «"non dégénéré"»!

!! Ordres de grandeur à 300 K!

!! Pour les états possibles pour les e- libres (dans B.C.) :!

S.C. intrinsèque! Liaisons Covalentes et Dopage!

!! Densité de porteurs intrinsèques!

!! Niveau de Fermi intrinsèque!

! !si Nd >> ni : n # Nd ! si Na >> ni : p # Na!

Position de EF! Influence de la Température!

Recombinaison des Porteurs! Durée de Vie des Porteurs Minoritaires!

!! On suppose S.C. type N, régime de faible injection!

!! L"’ordre de grandeur de %p dépend du mécanisme mis en jeu!

Recombinaison indirecte! !! Non radiatif : dépend fortement de la qualité! 1 1 1 1

Courants de Diffusion! Courants Globaux!

Distribution inhomogène induit une «"diffusion"» des particules!

J n, D = (!q)." n = +q.Dn # n ! J p = µ p (q.p.E " kT # p) = q.Dp ( p.E " # p)

!"n ! 2 "n "n

Modélisation des Composants! Équations Fondamentales (1)!

!! Caractéristique (réponse) du composant :!

Jonction P/N à l"’Équilibre : Structure de Bandes! Potentiel de diffusion!

!Courants e- et h+ nuls Niveau de Fermi constant

!! Équation de Poisson avec hypothèse

Largeur Z.C.E.! Longueur de Debye!

De même sous polarisation :!

!Polarisation directe : ! ! !Polarisation inverse : V = -Vi!

Profils de Porteurs! Jonctions Courtes / Longues!

Hypothèse : Faible injection!

Zones quasi-neutres (E = 0) : Courants de diffusion uniquement!

pN! !0!= ni!!2/!Nd! ! xP ! x

Courant Total! Répartition des Courants!

!! Jonction «"idéale"» (pas de G/R dans ZCE)!

Effets de Forte Polarisation Directe! Forte Polarisation Inverse : Claquage!

Charge Stockée! P/N en Régime alternatif (petits signaux)!

[XG/R] ==> %r!

Bipolaire : Principe de Fonctionnement! Bipolaire : Diagramme de Bande et Courants!

!! Mais : Jonction E/B en direct :! Équilibre ! ! ! ! !Polarisé !

!! E dans Z.C.E. de la jonction B/C !

Entrée (E/B) Sortie (B/C)!

!! Efficacité d’injection :! !! Multiplication (ionisation par impact dans Z.C.E. B/C)!

Courant de Base! Courants : Récapitulatif!

E (N) B (P) C (N)

VCE > VBE > 0

Gain en Collecteur Commun! Régimes Normal et Inversé!

Effet Early (1)! Effet Early (2)!

!! Faibles VBE : fuite de la jonction E/B!

!! Forts VBE : Forte Injection (nP,B >> Na,B)!

Structure M.O.S. Idéale! Régime de Bandes Plates!

Régime de Déplétion! Régime d’Inversion!

• charges «"+"» côté métal (déficit d"’e-)!