TRAVAUX DIRIGÉS

ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

(Série 2)

EXERCICE 1 (Montages écrêteurs)

Les diodes seront considérées dans cet exercice comme étant idéales.
Pour chacun des montages qui suivent nous essaierons d’établir la caractéristique de
transfert 𝑉𝑆= 𝑓(𝑉𝑒 ) et tracer les graphes de 𝑉𝑆 (𝑡) et 𝑉𝑒 (𝑡), pour 𝑉𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑒𝑚 sin(𝜔𝑡), avec
𝑉𝑒𝑚 = 15 𝑉 et 𝐸 = 5𝑉.
a)-

Figure a.
1- Pour D bloquée, le courant dans la résistance R reste nul et l’on aura 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 .
D reste bloquée tant que le potentiel de cathode par rapport à la référence est supérieur au
potentiel d’anode. Dans notre cas tant que 𝑉𝑒 > 𝐸, D reste bloquée.
Si à partir de l’état bloqué on diminue progressivement 𝑉𝑒 , D deviendra passante pour
𝑉𝑒 ≤ 𝐸 et on aura 𝑉𝑆 = 𝐸, car D sera polarisée en direct avec un seuil nul (diode idéalisée).
En résumé on aura :
- 𝑉𝑒 ≤ 𝐸 => D passante et 𝑉𝑆 = 𝐸.
- 𝑉𝑒 > 𝐸 => D bloquée et 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 .
D’où la caractéristique 𝑉𝑆= 𝑓(𝑉𝑒 ) représentée par la figure ci-dessous.

1
 Figure a1.
2- Graphes de 𝑉𝑒 (𝑡) et 𝑉𝑆 (𝑡) :

Figure a2.

2
b)-

Figure b.
1- Supposons D bloquée. On aura alors 𝑉𝑆 = 0 et 𝑉𝑒 − 𝐸 > 0 (potentiel de cathode
supérieur à celui d’anode).
𝑉𝑒 − 𝐸 > 0 => 𝑉𝑒 > 𝐸.
Pour 𝑉𝑒 − 𝐸 ≤ 0, c-à-d 𝑉𝑒 ≤ 𝐸, la diode D devient passante et on aura 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 − 𝐸
(diode idéalisée avec une tension de seuil en direct nulle).
En résumé :
- 𝑉𝑒 > 𝐸 => D bloquée et 𝑉𝑆 = 0.
- 𝑉𝑒 ≤ 𝐸 => D passante et 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 − 𝐸.
La caractéristique 𝑉𝑆= 𝑓(𝑉𝑒 ) :

Figure b1.

2- Graphes de 𝑉𝑒 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑉𝑆 (𝑡) :

3
 Figure b2.

c)-

Figure c.
1- Lorsque Dest bloquée on n’a pas de courant dans R et 𝑉𝑆 est nulle. Le potentiel de
cathode est nul par rapport à la référence (ligne du bas).
D reste bloquée tant que 𝑉𝑒 − 𝐸 < 0, c-à-d 𝑉𝑒 < 𝐸.
Pour 𝑉𝑒 ≥ 𝐸, D devient passante et on aura 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 − 𝐸.
En résumé :
- 𝑉𝑒 < 𝐸 => D bloquée et 𝑉𝑆 = 0.
- 𝑉𝑒 ≥ 𝐸 => D passante et 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 − 𝐸.
D’où la caractéristique :

4
 Figure c1.

2- Graphes de 𝑉𝑒 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑉𝑆 (𝑡) :

Figure c2.

d)-

Figure d.
5
 1- Pour D bloquée on aura 𝑉𝑆 = 𝐸. La diode restera bloquée tant que 𝑉𝑒 > 𝐸.
Pour 𝑉𝑒 ≤ 𝐸, D deviendra passante et on aura 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 .
En résumé :
- 𝑉𝑒 > 𝐸 => D bloquée et 𝑉𝑆 = 𝐸.
- 𝑉𝑒 ≤ 𝐸 => D passante et 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 .
On en déduit la caractéristique :

Figure d1.
2- Les graphes correspondants sont les suivants :

Figure d2.

6
e)-

Figure e.

1- Si D est bloquée, le même courant traverse les deux résistances R et on pourra

𝑉𝑒
Appliquer le diviseur de tension ce qui donne 𝑉𝑆 = .
2

D’autre part D reste bloquée tant que 𝑉𝑆 < 𝐸, c-à-d 𝑉𝑒 < 2𝐸.
Pour 𝑉𝑒 ≥ 2𝐸, D devient passante est on a 𝑉𝑆 = 𝐸.
En résumé :
𝑉𝑒
- 𝑉𝑒 < 2𝐸 => D bloquée et 𝑉𝑆 = .
2
- 𝑉𝑒 ≥ 2𝐸 => D passante et 𝑉𝑆 = 𝐸.
La caractéristique 𝑉𝑆 = 𝑓(𝑉𝑒 ) est donnée par:

Figure e1.

2- Graphes de 𝑉𝑒 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑉𝑆 (𝑡) :

7
 Figure e2.

f)-

Figure f.

1- Lorsque D1 et D2 sont toutes les deux bloquées, le diviseur de tension nous permet de
𝑉𝑒
déduire que 𝑉𝑆 = .
2

D1 reste bloquée tant que 𝑉𝑆 < 𝐸 et D2 reste bloquée tant que 𝑉𝑆 > −𝐸.
Les deux diodes resteront donc simultanément bloquées tant que −𝐸 < 𝑉𝑆 < 𝐸, c-à-d
−2𝐸 < 𝑉𝑒 < 2𝐸.
À partir de cette situation de blocage D1 ne sera passante que si 𝑉𝑆 tend à devenir ≥ à 𝐸,
c-à-d 𝑉𝑒 ≥ 2𝐸. À ce moment-là 𝑉𝑆 = 𝐸, puisque la diode est idéalisée avec un seuil direct
nul.
Pour 𝑉𝑒 ≤ −2𝐸, c’est D2 qui devient passante et on aura 𝑉𝑆 = −𝐸.

8
En résumé :
- 𝑉𝑒 ≤ −2𝐸 => D2 passante, D1 bloquée et 𝑉𝑆 = −𝐸.
𝑉𝑒
- −2𝐸 < 𝑉𝑒 < 2𝐸 => D1 et D2 bloquées et 𝑉𝑆 = .
2
- 𝑉𝑒 ≥ 2𝐸 => D1 passante, D2 bloquée et 𝑉𝑆 = 𝐸.
La caractéristique 𝑉𝑆 = 𝑓(𝑉𝑒 ) correspondante :

Figure f1.

2- Graphes de 𝑉𝑒 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑉𝑆 (𝑡) :

Figure f2.

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EXERCICE2 (Redresseur double alternance en pont)
Les diodes sont supposées idéales et la tension 𝑒(𝑡) est de la forme 𝑒(𝑡) = 𝐸𝑚 sin 𝜔𝑡.

Figure 2.
1- État électrique des diodes :
𝑇
Pendant l’alternance positive de la sinusoïde (𝑡 ∈ [0 , 2]), D2 et D4 sont passantes et D1 et D3
bloquées.
𝑇
Durant l’alternance négative (𝑡 ∈ [2 , 𝑇]), D1 et D3 sont passantes et D2 et D4 bloquées.

Les diodes étant idéalisées, elles pourront être assimilées à un court-circuit lorsqu’elles sont
passantes. Ainsi, durant l’alternance positive les diodes D2 et D4 seront « équivalentes à deux
fils » et D3 subira en inverse la tension 𝑒(𝑡) avec 𝑢𝐷 3 = −𝑒(𝑡).
La tension inverse maximale supportée par D3 est égale à −𝐸𝑚 = 15 𝑉 (en valeur absolue,
𝐸𝑚 ).
C’est le même cas pour les autres diodes durant leurs alternances de blocage.

2- Graphes de 𝑒(𝑡), 𝑢𝐷 2 (𝑡), 𝑢𝐷 3 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑣𝑅 (𝑡).

10
 Figure 2a.

3- Valeurs moyennes et efficaces de 𝑣𝑅 (𝑡).

La figure 2a montre bien que la périodicité de 𝑣𝑅 (𝑡) est de 𝑇⁄2.

L’application des formules (déjà données dans le cours) permettent de calculer sans
difficulté ces valeurs moyenne et efficace.
𝑇
1 2 𝐸𝑚
𝑣𝑅 𝑚𝑜𝑦 = ̅̅̅
𝑣𝑅 = 𝑇⁄ ∫02 𝑣𝑅 (𝑡) 𝑑𝑡 = 𝜋
.
2

11
 𝑇
1 𝐸𝑚
𝑣𝑅 𝑒𝑓𝑓 = √𝑇⁄ ∫02 𝑣𝑅2 (𝑡) 𝑑𝑡 = .
2 √2

EXERCICE3 (Redresseur de crête)

Pour le montage de la figure 3 on considère la diode idéalisée et le condensateur
initialement déchargé.
La tension 𝑒(𝑡) est de la forme 𝑒(𝑡) = 𝐸𝑚 sin 𝜔𝑡.

Figure 3.
1- Graphes de 𝑒(𝑡), 𝑢𝐷 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑢(𝑡).

12
 Figure 3a.

Entre l’instant 0 et 𝑇⁄4 le condensateur se charge jusqu’à la valeur 𝐸𝑚 . Quand 𝑒(𝑡) diminue,
la diode D se bloque et le condensateur C, n’ayant pas de chemin de décharge, garde la
tension 𝐸𝑚 à ses bornes.

2- Quand on place une résistance en parallèle avec le condensateur initialement

déchargé, au début ce dernier se charge avec la montée de la tension sinusoïdale 𝑒(𝑡)
jusqu’à la valeur maximale 𝐸𝑚 . Ensuite 𝑒(𝑡) redescend. Au moment où elle devient
inférieure à la tension aux bornes du condensateur, la diode D se bloque (le potentiel
d’anode devient inférieur au potentiel de cathode) et c’est le condensateur qui fournit seul
maintenant le courant à la résistance R en se déchargeant exponentiellement.

13
Lors de la période suivante, quand 𝑒(𝑡) remonte à nouveau et devient supérieure à la
tension aux bornes du condensateur, D redevient passante permettant de recharger le
condensateur et le cycle recommence.
Le montage et l’allure des graphes de 𝑒(𝑡) et 𝑢(𝑡) sont esquissés sur les figure suivantes :

Figure 3b.

Figure 3c.

EXERCICE4 (Doubleur de tension)

Figure 4.

14
Les diodes sont idéalisées et 𝑒(𝑡) sinusoïdale de la forme 𝑒(𝑡) = 𝐸𝑚 sin 𝜔𝑡.
Le même type de raisonnement que pour l’exercice 3 permet de tracer les graphes de 𝑒(𝑡),
𝑢1 (𝑡), 𝑢2 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑢(𝑡) suivants.

Figure 4a.

EXERCICE 5 (Stabilisateur de tension)

La caractéristique de la diode Zener en polarisation inverse (après claquage) est assimilée à
une demi-droite passant par les points (𝐼𝑍 = 20 𝑚𝐴 ; 𝑉𝑍 = 6,2 𝑉) et (𝐼𝑍 = 100 𝑚𝐴 ; 𝑉𝑍 =

15
7 𝑉). On admet que la diode fonctionne en stabilisateur de tension pour 𝐼𝑍 compris entre
5 𝑚𝐴 et 100 𝑚𝐴.

Figure 5.
1- Équation de la caractéristique utile de la diode Zener.
Puisque la caractéristique a été linéarisée, en étant assimilée après claquage à une demi-
droite, son équation est du type 𝑦 = 𝑎 𝑥 + 𝑏, soit en adoptant les notations de tension et de
courant utilisées pour la diode Zener en inverse :
𝑉𝑍 = 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍0.
En injectant les valeurs des deux points (𝐼𝑍 = 20 𝑚𝐴 ; 𝑉𝑍 = 6,2 𝑉) et (𝐼𝑍 = 100 𝑚𝐴 ; 𝑉𝑍 =
7 𝑉), on obtient après calcul :
𝑟𝑑 𝑍 = 10 𝛺 et 𝑉𝑍0 = 6 𝑉.

2- Étude à vide (RL infinie)

À vide et après claquage le montage peut être représenté par la figure suivante :

Figure 5a.
a)- Valeurs de 𝑉𝑍 et 𝐼𝑍 pour 𝑒 = 12 𝑉 et 𝑅𝑆 = 190 𝛺.
𝐼𝐿 étant nul, on aura 𝐼𝑆 = 𝐼𝑍 .
 𝑒 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍 0
𝑒− 𝑉𝑍 0
D’où 𝐼𝑍 = et 𝑉𝑍 = 𝑒 − 𝑅𝑆 𝐼𝑍 .
𝑅𝑆 + 𝑟𝑑 𝑍

16
On donne 𝑒 = 12 𝑉 et 𝑅𝑆 = 190 𝛺.
Le calcul donne alors : 𝐼𝑍 = 30 𝑚𝐴 et 𝑉𝑍 = 6,3 𝑉.
b)- Limites de variation pour 𝑒.

𝑒 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍 0
Dans la zone utile 𝐼𝑍 peut aller de 5 𝑚𝐴 à 100 𝑚𝐴.
Pour 𝐼𝑍 = 5 𝑚𝐴 𝑒 = 𝑒𝑚𝑖𝑛 = 𝑒 = 7 𝑉.

Pour 𝐼𝑍 = 100 𝑚𝐴 𝑒 = 26 𝑉.
∆𝑉𝑅𝐿
c)- Facteur de stabilisation 𝐹 = ( )| .
∆𝑒 𝐼𝐿 =𝑐𝑠𝑡𝑒

∆𝑒
Une variation = 50 % autour de 12 𝑉 correspond à une plage de ±6 𝑉 autour de 12 𝑉, c-
𝑒
à-d que 𝑒 peut varier de 6 𝑉 à 18 𝑉.
Ces valeurs indiquent qu’on est toujours dans la zone après claquage, ce qui permet
d’utiliser le montage de la figure 5a.
𝑒− 𝑉𝑍 0
On a 𝑉𝑅𝐿 = 𝑉𝑍 = 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍 0 et 𝐼𝑍 = .
𝑅𝑆 + 𝑟𝑑 𝑍

En remplaçant 𝐼𝑍 dans la première équation on obtient :

𝑟𝑑 𝑍 𝑒+ 𝑅𝑆 𝑉𝑧0
𝑉𝑅𝐿 = 𝑉𝑍 =
𝑅𝑆+ 𝑟𝑑 𝑍

∆𝑉𝑅𝐿 𝑟𝑑 𝑍
 𝐹=( )| =
∆𝑒 𝐼𝐿 =𝑐𝑠𝑡𝑒 𝑅𝑆+ 𝑟𝑑 𝑍

Le calcul donne 𝐹 = 0,05 = 5%.

1
Dans certains ouvrages on considère le rapport inverse, c-à-d 𝐹 −1 = = 20.
0,05

3- Étude en charge (𝑅𝐿 = 100 𝛺)

𝑒 = 18 𝑉 𝑅𝑆 = 10 𝛺

Figure 5b.

17
 𝑟𝑑 𝑍 𝑒+ 𝑅𝑆 𝑉𝑧0 𝑅𝑆 𝑟𝑑 𝑍
a)- On a 𝑉𝑅𝐿 = − 𝐼𝐿 (Voir démonstration du cours).
𝑅𝑆+ 𝑟𝑑 𝑍 𝑅𝑆+ 𝑟𝑑 𝑍

𝑉𝑅𝐿 𝑅𝑆 𝑟𝑑 𝑍 𝑟𝑑 𝑍 𝑒+ 𝑅𝑆 𝑉𝑧0
Et 𝐼𝐿 = => 𝑉𝑅𝐿 (1 + (𝑅𝑆 +𝑟𝑑 𝑍 ) 𝑅𝐿
) =
𝑅𝐿 𝑅𝑆+ 𝑟𝑑 𝑍
𝑟𝑑 𝑍 𝑒+ 𝑅𝑆 𝑉𝑧0 𝑅𝑆 𝑟𝑑 𝑍
=> 𝑉𝑅𝐿 = × (1 + (𝑅𝑆 +𝑟𝑑 𝑍 ) 𝑅𝐿
)−1
𝑅𝑆+ 𝑟𝑑 𝑍

𝑉𝑅𝐿
AN : 𝑉𝑅𝐿 = 6,5 𝑉 𝐼𝐿 = = 65 𝑚𝐴.
𝑅𝐿

𝑉𝑅𝐿 − 𝑉𝑍 0
𝐼𝑍 = = 50 𝑚𝐴.
𝑟𝑑 𝑍

𝐼𝑆 = 𝐼𝐿 + 𝐼𝑍 = 115 𝑚𝐴.

b)- Valeurs limites pour 𝑅𝐿 .

Les limites sont définies pour 𝐼𝑍 entre 5 𝑚𝐴 et 100 𝑚𝐴.
𝑉𝑅𝐿 𝑉𝑍0 + 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍
𝑅𝐿 = =
𝐼𝐿 𝐼𝐿
𝑒 − (𝑉𝑍0 + 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍 )
Et 𝐼𝐿 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝑍 avec 𝐼𝑆 =
𝑅𝑆
𝑉𝑍0 + 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍
=> 𝑅𝐿 = 𝑒− (𝑉𝑍0 + 𝑟𝑑 𝑍 𝐼𝑍 )
− 𝐼𝑍
𝑅𝑆

AN :
Pour 𝐼𝑍 = 5 𝑚𝐴, 𝑅𝐿 ≈ 52,838 𝛺.
Pour 𝐼𝑍 = 100 𝑚𝐴, 𝑅𝐿 = 700 𝛺.

Qui sont les valeurs limites de 𝑅𝐿 pour que la diode Zener fonctionne dans sa zone utile.

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