Physique des composants Structure MOS

                                                                                          

Structure MOS
Métal Oxyde Semi-conducteur

Introduction

Considérons une structure MOS idéale composée d’un semi-conducteur dopé (P ou N) sur
lequel on a fait croître un oxyde. Cet oxyde est ensuite recouvert d’une électrode métallique.

Hypothèses d’étude :

- Il ne circule aucun courant à travers la couche d’oxyde.

- Les propriétés du semi-conducteur en volume restent valables à la surface en x=0.
- Les bandes d’énergie du semi-conducteur sont plates en l'absence de toute polarisation
appliquée à la structure.
- Etude d'une structure Métal-Oxyde-Semi-conducteur de type P.

Métal
Oxyde énergie
Semiconducteur
Ec
Ei
EFm
EFs
Ev

x : pronfondeur dans le SC

1. Compléter la figure ci-dessous pour les trois situations d’équilibre électrostatique

correspondant à différentes valeurs de la polarisation Vg appliquée à la structure entre métal
et semi-conducteur. Représenter les courbures des bandes d’énergie et indiquer en
particulier : la nature des porteurs présents à l’interface oxyde-semi-conducteur, la valeur du
potentiel de surface ψs définit comme étant la différence de potentiel entre le volume et la
surface du semi-conducteur. Donner l’expression du décalage du niveau de Fermi qψb
résultant du dopage du substrat en fonction du dopage NA et de la concentration intrinsèque
ni.

                                                                           
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Définitions : Pour éviter toutes ambiguïtés nous définirons les paramètres ni et Ei de la façon
suivante :
 E − EF   E − EF 
Ayant précédemment établit les relations n = Nc exp  − c  et p = Nv exp v  , nous
 kT   kT 
 E − EF 
définissons n i et E i Par les deux relations suivantes n = ni exp  − i  et
 kT 
 E − EF 
p = ni exp  i  . On voit facilement que : ni = Nv Nc exp(−EG / 2kT)et E i est une
 kT 
grandeur bien fixée par rapport aux énergies E c, Ev. On note aussi que dans un semi-
conducteur uniforme non-dopé (intrinsèque), du fait de l’égalité entre le nombre d’électrons de
la bande de conduction n et de trous de la bande de valence p, ce nombre vaut ni et le niveau de
Fermi EF se trouve à la valeur Ei.

énergie
Ec Ec
Ec
EFm
Ei Ei
qψs Ei
EFs EFm EFs
EFs
Ev Ev EFm
Ev

x : pronfondeur dans le SC

Diagramme énergétique de la structure MOS idéale polarisée

Si nous appliquons une différence de potentiel entre le métal et le semi-conducteur, l'absence de

toute migration de charges à travers la couche d'oxyde entraîne dans le semi-conducteur la
formation d'une charge Q sc au voisinage de l'interface oxyde-semi-conducteur. Lorsque
l'équilibre électrostatique est réalisé, cette charge Qsc est compensée par une charge Qg de valeur
opposée induite à l'interface oxyde-métal. Lorsque la différence de potentiel évolue, nous
distinguons trois régimes traduisant la courbure des bandes du semi-conducteur et
correspondant à des positions relatives différentes, à l'interface, du niveau intrinsèque Ei et du
niveau de Fermi ΕFs du semi-conducteur.

(i) Situation d'accumulation de porteurs majoritaires (trous)

Lorsque la tension Vg est négative, les niveaux de Fermi du métal et du semi-conducteur sont
décalés. Des trous (porteurs majoritaires) sont attirés vers la surface du semi-conducteur. Il y a
ACCUMULATION de ces trous à la surface du semi-conducteur provoquant une courbure des

                                                                           
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bandes d'énergie, à l'interface oxyde-semi-conducteur. Il apparaît à la surface du semi-

conducteur une charge Q sc positive et un champ électrique Es. Le système restant
électriquement neutre, il apparaît à la surface du métal une charge Qg égale en valeur absolue à
Qs et de signe opposé.

(ii) Situation de désertion

Lorsque Vg est positive, les trous sont repoussés vers l'intérieur du semi-conducteur alors que les
électrons sont attirés vers la surface. Il y a dépeuplement en trous majoritaires dans le volume du
semi-conducteur au voisinage de l’interface SC/Oxyde. L’éloignement des trous laissent
apparaître dans le volume du semi-conducteur une charge d’espace de densité volumique –qNA
sur une profondeur x s. La densité des électrons en surface reste négligeable dans la
concentration des charges à l’interface du semi-conducteur : Qsc=-qNA.

(iii) Situation d'inversion

Lorsque la tension Vg augmente encore, les électrons minoritaires qui se concentrent à la surface
du semi-conducteur commencent à constituer une charge globale non-négligeable par rapport à
la charge d’espace due à la désertion des trous. Cette charge électronique croit beaucoup plus
rapidement avec Vg (exponentiellement) que la charge d’espace. Nous définirons un seuil entre
les deux régimes (désertion et inversion) lorsque ψs > 2 ψb . Cette valeur correspond au point où
la densité volumique d’électrons à la surface devient égale à la densité de trous de SC dopé P à
l’équilibre.

- Valeur du "potentiel de substrat" ψb

Dans le volume du semi-conducteur, la neutralité électrique impose p = NA , ce qui permet

d'écrire :

 E - EFs  ψ 
p = N A = ni exp  i  = ni exp b 
 kT   Vth 

NA
ψ b = Vth ln
ni

                                                                           
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2. On donne l’expression de la densité surfacique de charge dans le semi-conducteur Qsc en

fonction de ψs. En déduire les expressions simplifiées de Qsc pour les trois situations
d’équilibre définies précédemment. On notera Qacc pour l’accumulation, Qd pour la désertion
et Qn pour l’inversion. Représenter qualitativement l’allure de Qsc = f(ψs). Compléter la figure
précédente en ajoutant la répartition de la densité volumique de charge ρ(x) pour chaque cas, on
considérera un profil de dopage abrupte dans le semi-conducteur.

- Expression de Qsc

 ψ - 2 ψ   − ψ 
Qsc = m γ C′o x ψ s + Vth  exp s b 
 + Vth exp s

  Vth  V
 th 

avec :

2 q NA εs εo x
γ = et Co′ x =  : capacité surfacique
Co′ x To x

ε s et ε o x sont respectivement les permittivités diélectriques du semi-conducteur et de l'oxyde.

On note l'expression ci-dessus délimite trois régimes la tension de surface ψs pour lesquelles un
des termes sous la racine est très grand devant les duex autres. Ces trois régions correspondent
clairement aux trois situations décrites précédemment. Dans chaque zone nous pouvons
exprimé la charge Qsc en négligent deux des contributions :

- Situation d'accumulation telle que Qacc >> Qd et Qn correspondant à l'accumulation de

porteurs majoritaires à l'interface :

 −ψ   −ψ 
Qacc ≈ γCo′ x Vth exp s
 ≈ γ C′
ox Vth exp s

 Vth   2Vth 

- Situation de désertion telle que Qn >> Qacc et Qn correspondant à l'apparition d'une zone
de charge d'espace due aux atomes accepteurs ionisés :

Qd ≈ −γCo′ x ψ s

                                                                           
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- Situation d'inversion telle que Qn >> Qacc et Qn correspondant à l'apparition des porteurs
minoritaires à l'interface :

 ψ − 2ψ   ψ − 2ψ 
Qacc ≈ −γCo′ x Vth exp s b
 ≈ −γCo′ x Vth exp  s b

 Vth   2Vth 

La variation de la concentration des électrons dans la couche d'inversion est une fonction
exponentielle du potentiel de surface ψs, alors que la variation de Qd évolue comme la racine
carrée de ψs, ce qui nous permet d'admettre que lorsque le seuil de l'inversion forte est atteint,
l'augmentation de la charge Qsc côté semi-conducteur est principalement due à l'augmentation de
la concentration électronique Qn . Il faut noter que contrairement à Qd , due principalement à des
charges ioniques fixes, Qn est constituée de charges mobiles (électrons) qui permettront dans
certains dispositifs une conduction électrique parallèlement à la surface.

- Allure de Qsc = f(ψs)

| Qsc | en Cb cm-2

Accumulation
Forte inversion
10 - 5

Inversion faible
-7
10
Désertion

-9 ψs = 2 ψb
10
0 0.5 1.0 ψs en V

- Répartition de la densité volumique de charge ρ(x)

ρ(x) ρ(x) ρ(x)

Qsc = Qacc
(trous en surface)
Qsc = Qacc
x
(trous en surface) xs x x
− qNA
Qm Qsc = Qd = −qN A x s
(dopants ionisés Qn (électrons en surface )
Qsc = Qacc
                                                                           
sur une profondeur x s )
-5- (trous en surface)
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3. En régime de désertion, représenter les profils du champ électrique et du potentiel dans la

structure. Calculer la largeur de la zone de charge d’espace xs en fonction de ψs et de Na. En
déduire l’expression de ψs. Retrouver ce résultat en utilisant la résolution de l’équation de
Poisson.

- Profil du champ électrique et du potentiel en régime de désertion

La continuité du vecteur induction électrique impose :

ε o x 3.9
ε o xEo x = ε sEs avec =
εs 11.9

ρ(x) E(x) V(x)

Qg
Eox Vox

Es Vg ψs
Tox 0 xs Tox Tox
x x x
0 xs 0 xs
- q Na Qd

- Calculer la largeur de la zone de charge d'espace xs

En régime de désertion Qn < Q d , on peut donc admettre qu'entre les abscisses (0, xs) la charge
d'espace est due principalement aux impuretés ionisées NA :

Qsc = Qd + Qn ≈ Qd = −qN A xs

soit en remplaçant Qd par son expression :

1
 2ε ψ  2

xs =  s s 
 qN A 

- Expression de ψs

                                                                           
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De la relation précédente, il est facile d'extraire la valeur de ψs :

q N A xs 2
ψs =
2 εs 2

Ce dernier résultat peut se retrouver en utilisant l'équation de Poisson telle que :

d 2ψ qN A
= pour 0 < x < xs
dx 2 εs

avec comme conditions aux limites ψ(x=0) = ψs et ψ(x=xs) = 0, ce qui nous donne :

2
 x  q N A xs 2

ψ (x) = ψ s  1 −  avec ψ s =
 xs  2 εs 2

4. La tension de seuil est définie comme étant la valeur particulière de Vg pour laquelle le régime
d'inversion forte est atteint et correspond pratiquement à l'apparition du caractère conducteur de
la couche d'inversion. A partir de la relation Vg = f(ψs), en déduire l’expression de VT en fonction
de γ et ψb .

- Relation entre Vg et ψs

Nous pouvons déterminer l'expression de cette tension de seuil de la manière suivante :

Vg = Vo x + ψ s

où Vox est la chute de potentiel aux bornes de la couche d'oxyde et ψs la chute de potentiel dans
le semi-conducteur. A l'amorce du régime de forte inversion, nous avons respectivement :

−QdT
Vo x = et ψs = 2ψb
Co′ x
où QdT = Qd au seuil (reste pratiquement inchangé ensuite quand la tension augmente)

donc

VT = 2ψ b + γ 2ψ b

                                                                           
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5. Déterminer le modèle capacitif de la structure MOS. On notera Co x la capacité de la couche

d’oxyde et Csc la capacité du semi-conducteur. Donner les expressions de ces deux capacités
ainsi que de la capacité totale C de la structure.

La capacité totale de la structure MOS idéale est un groupement en série de la capacité Csc et de
Co x comme indiqué sur la figure ci-dessous.

Co xCS C
C=
Co x + CS C

Cox

Csc

6. La mesure de la capacité C de la structure est réalisée par le montage ci-dessous. En déduire

qualitativement l’allure de C en fonction de la polarisation Vg en haute fréquence et en basse
fréquence.

La tension Vg appliquée à la structure est composée d'un signal variable (sinusoïdal de faible
amplitude) superposé à une polarisation continue telle que :

e M
O
Vg S

La capacité différentielle de la zone de charge d'espace du semi-conducteur est donnée par :

                                                                           
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dQsc
Csc =
dψs

Seule la capacité Csc dépend de la polarisation appliquée à la structure MOS, nous allons donc
distinguer les différents cas de polarisation en prenant comme exemple un semi-conducteur de
type P pour lequel NA >> ND et p = NA.

(i) régime d'accumulation pour ψs < 0

Les charges s’accumulent aux bornes de l’oxyde et il n’y a pas de champ à

l’intérieur du SC. Donc C=Co x

(ii) régimes de désertion et d'inversion

Tant que 0 < ψs < 2 ψb

1
 q2 ε N  2

Csc =  s A 
 2ψ S 

Cette expression de Csc a été obtenue pour l'approximation "semi-conducteur complètement

dépeuplé". La capacité totale va diminuer.

L'inversion forte se produit pour ψs > 2 ψ b . Ceci entraîne une importante concentration de
porteurs minoritaires à l'interface oxyde-semi-conducteur. La réponse de la structure MOS va
dépendre de l'aptitude des porteurs minoritaires à suivre les variations de potentiel imposées par
le signal variable. Ils doivent en effet traverser la zone de charge d’espace pour venir se
« coller » à l’interface. Si la modulation est lente cette transition peut avoir lieu et la capacité
totale rejoint la valeur de Cox (car l’excédent de charge se place aux borne de l’oxyde). Mais si
la modulation est trop rapide alors les électrons n’interviennent plus et l’excédent de charge
correspond à une variation en profondeur. La figure ci-dessous présente la caractéristique
capacité-tension pour lesquelles nous avons considéré deux cas limites (H.F. : hautes fréquences
et B.F. : basses fréquences).

                                                                           
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C
C. accumulation C. inversion BF

C. inversion HF

V
0

                                                                           
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En complément :
Calcul de la densité surfacique de charge Qsc en fonction de ψs

La figure ci-dessous représente le diagramme énergétique de la structure MOS idéale polarisée

par une tension Vg positive ainsi que la répartition de la densité volumique de charge, les
notations utilisées sont :

q ψ(x) = Ei(x) - EFs

q ψb = Ei - EFs
- q ψs = Eis - Ei

où ψ(x) est le potentiel à l'abscisse x, ψs est le potentiel de surface et qψb est l'écart énergétique
entre le niveau d'énergie intrinsèque Wi dans le volume du semi-conducteur et le niveau de
Fermi EFs. Le calcul du champ électrique est effectué à partir de la résolution de l’équation de
Poisson après avoir exprimé la densité volumique de charge ρ(x) sous la forme :

ρ(x) = q ( p(x) - n(x) + Nd - Na )

où n(x) est la concentration des électrons dans la bande de conduction du semi-conducteur à

l'abscisse x et p(x) la concentration des trous dans la bande de valence du semi-conducteur à
l'abscisse x, dont les expressions sont les suivantes :

Φs - Wi(x)
n(x) = ni exp = ni exp u(x)
kT

Wi(x) - Φs
p(x) = ni exp = ni exp -u(x)
kT

en posant u(x) = EFs - Wi(x), ce qui nous permet d'écrire la densité volumique de charge de la
manière suivante :

ρ(x) = - 2 q ni shu(x) - Nd - Na
2 ni

                                                                           
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Energie

Wc

Wi
Wcs - qψs qψb EFs
Wv
- qVg Wis

Wvs
EFm
x
xs
0
métal oxyde semi-conducteur

ρ(x)

Qm

xs
x
0

Qd

Qn

Dans le volume du semi-conducteur et à l'équilibre thermodynamique ρ(∞) = 0, de sorte que :

shu(∞) = Nd - Na = shu∞
2 ni

ρ(x) = - 2 ni q shu(x) - shu∞

Le potentiel V(x) est relié à la densité volumique de charge ρ(x) par l'équation de Poisson (dans
un repère orthonormé) :

ρ(x)
∇ V(x) + =0
εs

                                                                           
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en effectuant un changement de variable et en posant :

L2D = εs k T
2 ni q2

nous obtenons :

∂2 u(x)
= 1 shu(x) - shu∞
∂x2 L2D

La résolution de cette équation peut s'effectuer de la manière suivante, en posant :

∂2 u(x) ∂u 2
∂u = 1 ∂
∂x 2 2 ∂x

∂u 2
= 2 chu(x) - u(x) shu∞ + Cste
∂x L2D

La valeur de la constante Cste est déterminée pour x -> ∞ et à la condition d'équilibre :

∂u
= ± 1 G(u(x), u∞)
∂x LD

avec :

1
G(u(x), u∞) = 2 chu(x) - chu∞ - (u(x) - u∞) shu∞ 2

L'expression du champ électrique dans le semi-conducteur est :

∂u
E(x) = - kqT = ± - k T G(u(x), u∞)
∂x q LD

de laquelle nous pouvons en déduire le champ Es à la surface du semi-conducteur :

Es = ± - k T G(us , u∞)
q LD

- Densité surfacique de charge Qsc

                                                                           
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Nous utilisons le théorème de Gauss pour obtenir la densité surfacique de charge Qsc :

Qsc = ρ(x) dx = D(∞) - D(0) = - εs E(0) = - εs Es

0

Qsc = ± - k T εs G(us , u∞)

q LD

De cette dernière relation, nous en déduisons l'expression approchée suivante :

  ψs - 2 ψb    − ψs
Qsc = m γ C' ox ψs + Vth  exp   + Vth exp 
 Vth   Vth 

L'étude analytique de cette dernière relation permet de distinguer les comportements suivants (le
signe α signifie proportionnel à) :

(i) régime d'accumulation pour ψs < 0

q ψs
Qsc α exp
2kT

(ii) régimes de désertion et d'inversion faible pour 0 < ψs < 2 ψb

Qsc α ψs

(iii) régime de forte inversion pour ψs > 2 ψb

q ψs
Qsc α exp
2kT

                                                                           
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