Les diodes jonction PN

Electronique

Les diodes jonction pn. pn.

I. Les semi-conducteurs. 1. Les semi-conducteurs intrinsques. Les semi-conducteurs sont des matriaux dont la conductivit est intermdiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants. Cette conductivit des semi-conducteurs, la diffrence de celle des conducteurs et des isolants, dpend fortement de leur puret, des irrgularits de leur structure, de la temprature et d'autres quantits physiques et chimique. Cette proprit reprsente leur avantage principal puisqu'elle permet la construction de la plupart des composants lectroniques ayant des caractristiques trs diversifies. 7 Matriaux conducteurs 7 Matriaux semi-conducteurs 7 Matriaux isolants Conductivit: 102 106 S/cm Conductivit: 10-6 102 S/cm Conductivit: 10-16 10-8 S/cm

Beaucoup de semi-conducteurs, comme le germanium (Ge), le silicium (Si), l'arsniure de gallium (GaAs) sont utiliss en lectronique, mais le rle du silicium est de loin prdominant. Le silicium pur (intrinsque) est un lment chimique de quatrime valence (quatre lectrons priphriques - groupe IV) qui a une structure cristalline.

Electronique

CLASSIFICATION PERIODIQUE DES ELEMENTS

I A IIA IIIA IV A V A VI A VIIA VIII I B IIB IIIB IVB VB VI B VII B O

A la temprature de 0 K (-273C) chaque atome de la grille cristalline est attach quatre atomes voisins par la mise en commun de leurs lectrons priphriques ( liaisons covalentes), assurant la cohsion du cristal. Les lectrons qui participent ces liaisons sont fortement lis aux atomes de silicium, aucune charge mobile susceptible d'assurer la circulation d'un courant lectrique n'existe. La conductivit du silicium est alors trs faible. Cependant l'lvation de la temprature permet la libration dans la structure, de certains lectrons priphriques, par apport d'nergie. De plus, la libration d'un lectron provoque l'apparition d'un trou dans la structure cristalline, soit la cration d'une paire lectron-trou. Par exemple, la temprature de 300 K (27C), il y a 1,45 1010 paires lectron-trou dans un centimtre cube de silicium. Ce phnomne est a l'origine de l'augmentation de la conductivit du semi-conducteur.

Si

Electrons de valence Liaison de valence

Si

Trou

Si

Si

Si
Noyaux

Si

Si

Si
Electron libre

Si Liaisons covalentes dans un cristal de silicium

Si Cration d'une paire lectron-trou

Les diodes jonction PN 2. Les semi-conducteurs extrinsques. Pour augmenter la conductivit des semi-conducteurs et les rendre utilisables, un certain nombre d'impurets (atomes trangers) sont introduits dans la structure cristalline. Le processus d'introduction d'impurets (par diffusion, pitaxie ou implantation ionique) s'appelle dopage, et donne naissance aux semi-conducteurs dops (ou extrinsques). L'ordre de grandeur pour le dopage est d'un atome d'impuret pour 106 109 atomes de semi-conducteur, soit une densit d'impuret de l'ordre de 1019 1022 m-3. Ainsi la conductivit du semi-conducteur dop est dtermine par la nature et la concentration en atomes d'impurets. Ces atomes d'impurets sont des lments chimiques de troisime valence (trois lectrons priphriques - groupe III: B, Bore; In, Indium) ou de cinquime valence (cinq lectrons priphriques - groupe V: P, Phosphore; As, Arsenic; Sb, Antimoine). 7 L'introduction d'un atome de cinquime valence (atome donneur), dans le cristal du silicium, provoque la libration d'un lectron. L'atome de l'impuret, pour sa part, devient un ion positif fixe. Le semi-conducteur ainsi dop est de type N ( porteurs majoritaires ngatifs). 7 L'introduction d'un atome de troisime valence (atome accepteur), dans le cristal du silicium, provoque la cration d'un trou, puisque sa liaison avec les quatre atomes de silicium est incomplte. L'atome de l'impuret, pour sa part, devient un ion ngatif fixe. Le semi-conducteur ainsi dop est de type P ( porteurs majoritaires positifs).

Si

Si

Trou

Si

Si
Electron libre

Si

Si

Si
Structure du silicium dop par un atome donneur: semi-conducteur de type N.

Si
Structure du silicium dop par un atome accepteur: semi-conducteur de type P.

II. La jonction PN. La jonction PN est la base de la plupart des applications des semi-conducteurs. Elle est cre par la mise en contact d'un semi-conducteur de type P et d'un semi-conducteur de type N. Dans la zone de contact, les lectrons libres du segment N pntrent dans le segment P et se recombinent avec les trous. De mme, les trous du segments P pntrent dans le segment N et se recombinent avec les lectrons. Ce phnomne est appel diffusion.

Les diodes jonction PN Il en rsulte, au niveau de la transition des segments, l'apparition d'une zone exempte de charges mobiles, o seuls demeurent les atomes d'impurets fixes (ions accepteurs dans le segment P, ions donneurs dans le segment N) et les atomes de semi-conducteur neutres. Les charges constitues par les ions fixes sont l'origine d'un champ lectrique E dans la zone de transition, et par la mme d'une diffrence de potentiel Vo (appele barrire de potentiel) aux bornes de cette zone. Le champ lectrique E tend maintenir les porteurs majoritaires dans leurs rgions respectives et s'oppose ainsi la cause qui lui donne naissance, ce qui conduit un tat d'quilibre.
Trou Vo Electron libre Zone de transition Courant de saturation Is d aux porteurs minoritaires

+ + + + + + +
E + + + + + + + Porteur minoritaire + + + + + + N (trou) Ions d'accepteur Ions de donneur

Courant d'quilibre d N aux porteurs majoritaires

Coupe transversale d'une jonction PN

Mouvement des porteurs travers la jonction PN

Cependant, le champ lectrique E n'interdit pas le passage des porteurs minoritaires prsents dans les segments de type P et N (courant de "saturation" Is). Ce mouvement est toutefois quilibr par les porteurs majoritaires qui possdent l'nergie Wo = eVo ncessaire au franchissement de la barrire de potentiel. Expression et ordre de grandeur de la barrire de potentiel: Vo = kT ln NAND q ni k (constante de Boltzman) = 1,38 10-23 J/K q (charge d'un lectron) = 1,6 10-19 C T: temprature en Kelvin NA: concentration en atome accepteur ND: concentration en atome donneur ni: concentration en paire lectron-trou intrinsque

Exemple: Jonction PN silicium 300 K (27C) ni = 1,45 1010 cm-3 NA = 7 1017 cm-3 ND = 8 1013 cm-3 Vo = kT ln NAND = 0,681 v q ni 4

Les diodes jonction PN

La valeur de la barrire de potentiel est trs dpendante de la temprature. La concentration intrinsque n i augmente trs rapidement avec la temprature (elle double tous les 7C pour le silicium et tous les 10C pour le germanium). C'est cette dpendance qui prdomine, dterminant un coefficient de temprature ngatif pour Vo, de l'ordre de -2,2 mV/K.

Calculez la valeur de la barrire de potentiel pour une jonction PN germanium 300 K. ni = 2,4 1013 cm-3 NA = 7 1017 cm-3 ND = 8 1013 cm-3

III. La diode jonction PN, principes gnraux. 1. Prsentation. La diode jonction PN est un composant form par la succession suivante de matriaux: mtal, semi-conducteur de type P, semi-conducteur de type N, mtal. L'lectrode mtallique en contact avec le semi-conducteur de type P s'appelle anode (A), celle au contact du semi-conducteur de type N, cathode (K).

Symboles normaliss
Couche mtallique de contact Vo ID A K VD Rgion neutre ID K A VD ID A VD K K

ID A

+ +
Rgion neutre

+ + + +
VD

2. Polarisation de la diode. Puisque la diode possde deux lectrodes, deux possibilits de polarisation existent. 7 Diode polarise en direct.

Les diodes jonction PN Une diode est polarise en direct lorsque la tension VD (impose par un circuit extrieur) applique entre l'anode et la cathode est positive (VD=VAK). Cette tension provoque une diminution de la barrire de potentiel de la jonction PN, favorisant une circulation des porteurs majoritaires travers la jonction: un courant ID positif apparat entre l'anode et la cathode, dpendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite passante. Par convention, la tension et le courant de diode sont qualifis de tension et courant direct (d) ou forward (F).

Polarisation d'une diode en direct

R A ID>0

Convention d'orientation
A Id Vd K VF K A IF

E E>0
0v

V D>0 K

7 Diode polarise en inverse. Une diode est polarise en inverse lorsque la tension VD (impose par un circuit extrieur) applique entre l'anode et la cathode est ngative. Cette tension provoque une augmentation de la barrire de potentiel de la jonction PN. La diffusion des porteurs majoritaires travers la jonction diminue trs fortement. Seule la circulation des porteurs minoritaires existe: le courant ID entre l'anode et la cathode devient ngatif et est presque indpendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite bloque. La valeur thorique du courant de diode ID est -Is (Is: courant de "saturation" de l'ordre de 10-12 A). En pratique, la valeur de I D est plus importante (-10-9 A -10-6 A) cause d'un courant de fuite d l'irrgularit surfacique de la jonction. En conclusion, dans ce mode de fonctionnement, la tension V D et le courant I D de diode sont ngatifs. C'est pourquoi, leurs grandeurs opposes sont de prfrence utilises. Par convention, elles s'appellent Vi ou VR et Ii ou IR (i=inverse et R=Reverse).

Polarisation d'une diode en inverse

R A ID<0

Convention d'orientation
A A

E
V D<0

V i>0 K 0v K I i>0

VR>0 K IR>0

E>0

Les diodes jonction PN 3. Caractristique de la diode. La caractristique thorique de la diode (polarise en direct ou en inverse) peut tre approche par une seule quation: IF Caractristique en direct ID = Is [Exp(VD/Ut) - 1] IF = f(VF) T = 300 K Is: courant de "saturation" de la jonction PN Ut = kT/q # 25 mV 300 K

Calculez l'expression Exp(VD/Ut) pour une temprature de 300 K et pour une tension VD gale 0,1 Volt puis -0,1 Volt. Dduisez-en les expressions simplifies de l'quation liant I D V D lorsque la diode est polarise en direct; lorsque la diode est polarise en inverse.

La caractristique relle de la diode (surtout pour les diodes au silicium et l'arsniure de gallium) s'carte de cette simple quation, parce qu'elle ne tient pas compte des rsistances des rgions neutres et du courant de fuite surfacique cristal. Vo = du 0,62 Volt La simulation analogique (par exemple, l'aide du simulateur PSPICE) remdie cet inconvnient en proposant un modle mathmatique plus approfondi pour dcrire le comIR portement de la diode. Ainsi les rsultats de la simulation se rapprochent plus des rsultats exprimentaux attendus. Exemple: Caractristique obtenue par simulation, d'une diode silicium 1N4148. Caractristique en inverse IR = f(VR) T = 300 K

Les diodes jonction PN

15mA

10mA

5mA

IF0A0V
I(D1) 1.0nA

0.2V

0.4V VF

0.6V

0.8V

1.0V

Caractristique en direct T1, T2 et T3

0.8nA

0.6nA

0.4nA

0.2nA

0A 0V -I(D1) VR 5V 10V 15V 20V

Les diodes jonction PN Influence de la temprature: IR La temprature ne peut qu'influencer la caractristique d'une diode jonction, par la nature mme des matriaux utiliss pour la raliser: semi-conducteur de type P et de type N. L'quation thorique de la caractristique de la diode montre la grande dpendance de celle-ci vis vis de la temprature. Le courant de "saturation" Is double tous les 7C pour Caractristique en inverse le silicium et tous les 10C pour le germanium, provoquant une diminution de la tension T1, T2 et T3 VD de l'ordre de 2 mV/K pour un courant ID donn.

15mA

Analysez les rsultats de simulation pour diffrentes tempratures de jonction: T1 = 300 K (27C) T2 = 363 K (90C) T3 = 398 K (125C)

T3

T2

T1

10mA

5mA

0A 0V I(D1) VF C1 = C2 = dif= 533.646m, 717.159m, -183.513m, 5.0000m 5.0000m 0.000 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V

Les diodes jonction PN

10nA T3

8nA

6nA

4nA

2nA

T2 -0nA 0V -I(D1) VR C1 = C2 = dif= 12.000, 0.000, 9.0433n 8.7281n 12.000, 315.158p 5V 10V 15V T1 20V

4. Modlisation de la diode. Un modle est une reprsentation simplifie d'une chose complexe. Les modles sont utiliss pour faciliter l'analyse des phnomnes, des processus, des systmes et des lments. La diode, par exemple, est un lment non linaire (elle est dcrite par une quation non linaire). L'analyse d'un circuit lectrique comportant des diodes est difficile, parce que le systme d'quations dcrivant le circuit est non linaire. Pour faciliter cette analyse, les diodes sont remplaces par des modles linaires. Les modles linaires des composants et des circuits lectriques sont composs exclusivement d'lments linaires: gnrateurs de tension ou de courant idaux, courts-circuits, circuits ouverts, rsistances, capacits et inductances linaires. Chaque simplification se fait au dtriment de la prcision. Selon la complexit du circuit et la prcision des analyses souhaite, des modles plus au moins complexes sont employs. Il y a aussi diffrents modles selon le but poursuivi: v Pour analyser un circuit lectrique qui fonctionne en rgime continu (statique) ou en rgime larges signaux (avec des signaux analogiques de grande amplitude), des modles statiques ou modles larges signaux des composants sont utiliss. 10

Les diodes jonction PN v Pour analyser le comportement de ce circuit par rapport des signaux analogiques de petite amplitude, des modles dynamiques ou des modles petits signaux des composants sont usits. v Pour analyser le mme circuit en hautes frquences, des modles dynamiques hautes frquences sont utiliss. Chaque modle ne comporte que des lments pertinents pour le rgime considr. Et les lments pertinents sont diffrents pour les diffrents rgimes. Les modles des composants et des circuits lectriques peuvent tre reprsents sous forme graphique, sous forme analytique ou sous forme de schmas quivalents.

4.1. Les modles statiques de la diode. Il existe trois modles diffrents de la diode en rgime statique, selon le degr de simplification et/ou de prcision souhait. 7 Le modle idal. Ce modle est le plus simple, mais galement le moins prcis. Il est utilis pour des estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes. v Forme analytique. En direct, la diode est considre comme un court-circuit: VD = 0 pour ID 0 En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert: ID = 0 pour VD 0 v Forme graphique. La caractristique directe de la diode relle est remplace par une ligne verticale et la caractristique inverse par une ligne horizontale.

ID Caractristique idalise de la diode Diode polarise VD en directe 0 VD

A ID

A ID

Diode VD polarise en inverse

K K

7 Le modle seuil. Ce modle prend en compte la valeur de la barrire de potentiel Vo (Vo est compris entre 0,6v et 0,7v pour une diode silicium) comme tension de seuil de conduction de la diode. v Forme analytique. La forme analytique de ce modle est exprime par les quations: VD = Vo pour ID 0 11

Les diodes jonction PN ID = 0 pour VD Vo v Forme graphique. La forme graphique de ce modle et les schmas quivalents sont caractrises par la prsence de la tension de seuil Vo.

ID Caractristique seuil de la diode Diode polarise VD en directe 0 Vo VD

A ID Vo K

A ID

Diode VD polarise en inverse

K

7 Le modle linaris. Ce modle est le plus prcis, mais galement le plus complexe. Il reprsente une trs bonne approximation linaire de la caractristique d'une diode relle. v Forme analytique. La forme analytique de ce modle est exprime par les quations: VD = Vo + rD.ID pour ID 0 ID = 0 pour VD Vo IF La rsistance statique rD de la diode est dtermine par la pente moyenne de la partie utilise de la caractristique directe de la diode: rD = VD/ ID v Forme graphique.

Caractristique ID linarise de la diode

ID VD

A ID

A ID

Diode polarise VD en directe

Vo rD K K

Diode VD polarise en inverse

0 VD Caractristique Vo en direct IF = f(VF) T = 300 K

12

Les diodes jonction PN

ID

Dterminez le modle linaris de la diode 1N4148 valable pour des courants ID suprieurs 5 mA ( T = 300K).

4.2. Les modles dynamiques de la diode: rgime linaire (ou petits signaux) Le fonctionnement en rgime linaire de la diode est obtenu lorsqu'un courant id impos travers la diode provoque une variation vd ses bornes de mme forme.

Polarisation d'une diode en direct

R 400 A ID

Fonctionnement en rgime dynamique

R 400 A ID

Eo Eo=5v
0v Point de repos:

VD

1N4148
K

Eo+e Eo=5v
0v

VD

1N4148
K

I D = I Do VD = VD o

ID = IDo + id VD = VDo + vd

VD

Dterminez l'quation de la droite de charge de la diode liant ID VD et dduisez-en graphiquement la valeur du point de repos (IDo, VDo). Un gnrateur e dlivrant un signal sinusodal basse frquence d'amplitude 1v est associ Eo. Dterminez graphiquement l'amplitude des variations id et vd, validez-les aux vues des rsultats obtenus sous Pspice. Dduisez-en la valeur de la rsistance dynamique rd liant id vd et dessinez le schma quivalent de la diode en rgime dynamique basse frquence.

13

Les diodes jonction PN

15mA

10mA

5mA

0A 0V I(D1) VF 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V

13mA

12mA

11mA

(55.784n,10.443m)

10mA

9mA

VD0

8mA 0s I(D1) Time C1 = C2 = dif= 3.2270m, 2.7272m, 499.741u, 12.803m 8.0820m 4.7213m 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms

14

Les diodes jonction PN

880mV

860mV

840mV (1.1571u,823.607m)

820mV

800mV

780mV

760mV 0s V(VF) Time C1 = C2 = dif= 3.2260m, 866.557m 2.7257m, 778.689m 500.355u, 87.869m 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms

7 Modle de la diode en rgime dynamique et haute frquence (HF). La structure d'une diode jonction PN ainsi que la conduction de celle-ci entranent la cration de capacits parasites entre l'anode et la cathode. L'influence de ces capacits devient de plus en plus importante au fur et mesure que la frquence du signal dynamique appliqu la diode augmente (1/C 0 lorsque ). Selon la polarisation de la diode, directe ou inverse, les capacits parasites qui sont prendre en compte sont diffrentes. Diode polarise en inverse. La jonction PN est alors caractrise par deux charges opposes et immobiles. La diode est quivalente un condensateur lectrodes plates, dont la capacit est nomme capacit de transition CT ou capacit de barrire.

15

Les diodes jonction PN

Vo

ID

+ +
Rgion neutre

+ +
+ +
VD

Rgion neutre

ID
K

CT K VD

La valeur de cette capacit C T dpend des dimensions de la jonction, de la temprature, de la concentration en atomes dopeurs et de la tension V D applique la diode. A partir de la connaissance d'un point particulier de la courbe (CT0 VD0), la totalit de celle-ci peut tre dtermine par l'quation:

CT = CT0 [(Vo-VD0)/(Vo -VD)]

Ses valeurs typiques se situent entre 1 pF et 300 pF. C'est un paramtre important de la diode, qui est donn dans les catalogues constructeurs, pour une certaine tension V D (zro ou ngative) et pour une

Soit une diode jonction PN dfinie par les caractristiques suivantes la temprature de 25C: Vo = 0,6v CT0 = 25 pF VD0 = 0v Calculez la valeur de la capacit de transition CT VD = -5v.

Remarque: Cette capacit de transition est normalement considre comme une caractristique dgradante de la diode relle par rapport la diode idale, sauf pour les diodes VARICAP (tudies ultrieurement) qui exploitent au contraire cette caractristique. Diode polarise en direct. En direct, l'influence de la capacit de transition devient ngligeable devant une autre capacit parasite cre par la circulation des porteurs majoritaires. Cette capacit, appele capacit de diffusion Cd, est proportionnelle au courant de la diode ID. Elle peut atteindre plusieurs centaines de nF et limite le fonctionnement de la diode en rgime dynamique (ou de commutation) vers les frquences hautes. Conclusion. En hautes frquences, les schmas quivalents petits signaux de la diode, en inverse et en direct, doivent tre complts par une capacit parasite entre l'anode et la cathode.

16

Les diodes jonction PN

Diode polarise en inverse

A

Diode polarise en direct

A

id

id C=CT
K

vd

rd
K

C=Cd

vd

5. La diode en commutation. Les capacits parasites de la diode jonction PN non seulement limitent le fonctionnement en rgime dynamique petits signaux de la diode, mais elles limitent galement le fonctionnement en rgime de commutation, puisque la tension aux bornes d'une capacit ne peut varier brusquement.

Diode fonctionnant en commutation

R i A

e(t) E1 0 t

vD

-E2
0v K

En considrant la diode idale, le courant i travers le circuit serait nul ds que la tension de commande serait ngative (diode bloque) et serait gal E1/R ds que la tension de commande serait positive (diode passante).

En ralit, l'tablissement du courant n'est pas instantan lors du passage de la tension de commande de -E2 E1, cause de la capacit de transition C T qui impose une constante de temps au circuit gal RCT. De mme, l'extinction du courant lors du passage de la tension de commande de E1 -E2 n'est pas instantane. En effet la capacit de diffusion Cd (Cd >> CT) impose la conduction de la diode tant qu'elle n'est pas dcharge. De ce fait le courant i travers le circuit devient ngatif et gal -E2/R, pendant un temps ts (appel temps de stockage). Ensuite, le courant tend vers zro sous l'influence de la capacit de transition CT.

17

Les diodes jonction PN Pratiquement, la valeur du temps de stockage ts est bien suprieur tous les autres temps de commutation de la diode et limite l'emploi de la diode en commutation vers les frquences hautes.

e(t) E1 0 -E2 i(t) E1/R 0 i(t) E1/R 0 Diode relle ts t t

Diode idale

-E2/R

Pour caractriser l'aptitude des diodes commuter rapidement, les constructeurs indiquent dans leur documentation la valeur du temps de recouvrement inverse trr, mesur avec un montage particulier (E1, -E2 et R) et limit par l'obtention d'un courant inverse irr de l'ordre de 1mA travers le circuit.

i(t) trr 0 ts -E2/R

Diode relle

irr

6. Les limitations technologiques de la diode. 18

Les diodes jonction PN Ces limitations indiques pour chaque type de diode dans les documentations constructeurs caractrisent les grandeurs (courant, tension et puissance) ne pas dpasser sous peine de destruction du composant, dans les conditions suivantes: v valeurs maximales en rgime continu (VRm, IRm, VFm, IFm...) v valeurs de pointe rptitives (VRRm, IRRm, VFRm, IFRm...) v valeurs de pointe non rptitives (VRSm, IRSm, VFSm, IFSm...). Elles reprsentent les valeurs extrmes que peut supporter la diode pendant un temps spcifi (1 s, 10ms ou 1 s).

IF IFSm (qq 10A) IFRm IFm VRSm VRRm VRm VR (qq 100v) 0 VF VFSm (1v) VFRm VFm

IR
Le document constructeur suivant explicite les diffrents paramtres utiliss dans les documentations techniques.

19

Les diodes jonction PN IV. Spcifications techniques des diodes de commutation.

20