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Les semi-conducteurs
1 Conduction lectrique
Dans le modle classique, un corps est isolant sil ne contient pas dlectrons mobiles. Dans un conducteur, des lectrons sont peu lis aux noyaux et peuvent se dplacer dans le rseau cristallin. Si n est la densit des lectrons libres, v leur vitesse moyenne, dans une barre de longueur L, de section S avec une tension V entre les extrmits, la densit de courant J = I/S est gale J = n.e.v. La vitesse des lectrons est proportionnelle la force laquelle ils sont soumis donc au champ lectrique E = V/L. Si dsigne la mobilit, on a : v = .E J = n.e..E = .E = E/ Le modle classique a t remplac par le modle quantique des bandes dnergie. Dans latome isol les lectrons occupent des niveaux dnergie discrets. Dans un cristal, par suite des interactions entre les atomes, ces niveaux discrets slargissent et les lectrons occupent des bandes dnergie permises spares par des bandes interdites. La rpartition des lectrons dans les niveaux obit aux lois de la thermodynamique statistique. Au zro absolu, seuls sont peupls les niveaux de plus basse nergie. Dans les isolants , les bandes dnergie les plus faibles sont entirement pleines. La hauteur de la bande interdite est grande ( 5 eV). Il ny a pas de niveaux dnergie accessibles et pas de conduction. Par exemple, la rsistivit du diamant est = 1.1012 .m et celle du mica varie entre 1010 .m et 1015 .m. Dans les conducteurs , la dernire bande occupe est partiellement remplie : il existe beaucoup de niveaux disponibles et la conduction est grande. Pour des mtaux bons conducteurs, on obtient : Ag = 1,6.108 .m ; Cu = 1,7.108 .m ; Al = 2,8.108 .m Pour les semi-conducteurs , le taux de remplissage de la dernire bande occupe est soit trs faible soit trs important. La hauteur de la bande interdite est faible ( 1 eV). La conduction est faible et varie beaucoup avec la temprature. Pour le silicium et le germanium, on mesure 300 K : Si = 2400 .m ; Ge = 0,5 .m

Energie

Bande interdite

Isolant

Conducteur
Fig. 1

Semi-conducteurs

2 Semi-conducteurs
2.1 Structure des semi-conducteurs
La structure du silicium et du germanium est la mme que celle du diamant (cubique Fd3m). Chaque atome est li 4 voisins placs aux sommets dun ttradre par une liaison covalente : Ces lments sont ttravalent . La figure 3 correspond une reprsentation sur un plan de la structure. Les traits figurent les lectrons de valence. La thorie des bandes applique aux semi-conducteurs amne considrer une bande de valence entirement pleine qui est spare dune bande d e conduction par une bande interdite distante de lnergie E. Si on apporte une nergie thermique ou lumineuse suffisante un lectron, il peut passer de la bande de valence la bande de conduction avec une probabilit P proportionnelle : exp(E / kT) E est lcart en nergie sparant les deux bandes. T la temprature absolue. k = 1,38.1023 JK -1 est la constante de Boltzmann. Pour T = 300 K , kT = 0,0025 eV

Fig. 2

Diamant

Fig 3

Diamant E = 7 eV ; Silicium E = 1,12 eV ; Germanium E = 0,7 eV. Dans un semi-conducteur, E est assez faible pour autoriser, temprature ambiante, le passage dun petit nombre dlectrons de la bande de valence vers la bande de conduction.

2.2 Conduction par lectron et par trou

Si une liaison de valence est brise (agitation thermique, photon ...) llectron devient m obile : il laisse un excs de charge positive le trou (symbolis par un + dans un carr). Cette lacune va tre comble par un lectron voisin libr par agitation thermique et qui va son tour laisser un trou : ceux-ci semblent se dplacer dans le rseau. Aux lectrons (masse positive, charge ngative) correspondent des trous (masse ngative, charge positive). Le dplacement des trous tant un processus deux tapes, leur mobilit dans le rseau est plus faible que celle des lectrons.

Fig. 4

Trous et lectrons constituent les porteurs libres intrinsques dont le nombre est fonction de la temprature. La neutralit lectrique du matriau impose que les trous et les lectrons soient en nombres identiques (ni et pi). Pour le silicium pur 300 K, on mesure : ni = pi = 1,5.10 10.cm3. Ce nombre est trs faible si on le compare au nombre des atomes. Toujours pour le silicium pur 300 K, les mobilits sont : n = 12.10 6.mV1s1 et p = 5.10 6.mV1s1 . La conductivit intrinsque du matriau = e(ni.n + pi.p ) est trs faible.

2.3 Semi-conducteurs dops ou extrinsques

Dans un matriau pur, on introduit des impurets par dopage. Pour que celui-ci soit contrlable, il faut que le degr de puret initial global soit suprieur au taux du dopage. Les taux de dopage utiliss sont de lordre de 108 1011. Une mole de silicium (28 g) correspond 6,023.10 23 atomes et la densit du silicium est voisine de 7 : 1 cm3 de silicium contient donc environ 1,5.10 23 atomes. Avec un taux de dopage de lordre 1010, il y a environ 1,5.10 13 atomes dimpuret par cm3. r Dopage de type N On introduit dans la matrice de silicium des atomes dimpurets pentavalents tels que le phosphore P, larsenic As et lantimoine Si Sb. Chaque atome dimpuret amne un lectron de valence supplmentaire. Cet lectron est peu li au noyau (E 0,01 eV) et As passe aisment dans la bande de conduction. La conductivit du matriau (conductivit extrinsque ) devient cause du taux de dopage, trs suprieure celle du matriau pur. Les atomes pentavalents ou donneurs deviennent des ions positifs aprs le passage des lectrons excdentaires dans la bande de conduction. Fig. 5 Les donnes numriques prcdentes montrent que le nombre des lectrons dans le matriau, fonction du taux de dopage, est suprieur au nombre des trous, fonction de la temprature, dun facteur suprieur 103. La conduction dite de type N (ngative) est assure par des lectrons. Les lectrons sont les porteurs majoritaires. r Type P On introduit dans le rseau une impuret trivalente : bore B, aluminium Al, gallium Ga, indium In. Il manque limpuret un lectron de valence pour assurer les 4 liaisons avec les atomes de silicium voisins. Un faible apport dnergie ( 0,05 eV) suffit pour quun lectron dun silicium voisin soit capt par limpuret : il y a formation dun trou peu li et donc mobile. Les atomes trivalents (accepteurs) deviennent des ions ngatifs par capture dun lectron. Compte tenu des taux de dopage, ces trous sont beaucoup plus nombreux que les porteurs i ntrinsques du cristal pur. La conduction de type P (positive) est assure par des trous. Les trous sont les porteurs majoritaires.

2.4 Bandes dnergie des semi-conducteurs dops

Type N
Bande de conduction Donneurs Accepteurs

Type P
Bande de conduction

Bande de valence

Bande de valence

T=0K

T = 300 K

T=0K

T = 300 K

Les atomes de pentavalents (donneurs) introduisent des charges positives dans le rseau, charges qui attirent les lectrons en crant ainsi de nouveaux niveaux dont lnergie est lgrement infrieure ceux de la bande de conduction du matriau pur. Si on lve la temprature, ces lectrons peuvent passer dans la bande de conduction.

Les atomes de trivalents (accepteurs), introduisent des trous dans la bande de valence. Si on lve la temprature, ces trous se comportent comme des charges positives libres.

3 La jonction P-N
3.1 Jonction non polarise
Une jonction est constitue par la runion de deux morceaux de semi-conducteurs dops P et N (jonction P-N). Les connexions avec le milieu extrieur sont ralises par des contacts mtalliques. Par construction, les jonctions entre mtal et semi-conducteur sont purement ohmiques (non redresseuses). En pratique, on part dune plaque de silicium dope N sur laquelle on cre en gnral par diffusion une zone dope P. On sait donner la zone de sparation entre les deux matriaux nomme la zone de transition, une paisseur trs faible (typiquement 0,5 m). Dans cette zone, les taux de dopages et donc le nombre de porteurs libres varient avec la distance. u Dans la zone P les porteurs majoritaires sont les trous. Les atomes accepteurs constituent un rseau dions ngatifs. De mme dans la zone N les porteurs majoritaires sont les lectrons. Les atomes donneurs constituent un rseau dions positifs. Les trous ont tendance gagner la zone N o ils se recombinent avec des lectrons. De mme des lectrons de la zone N vont combler des trous de la zone P. Dans la zone de transition existe une charge despace due aux charges non compenses des noyaux des impurets. En labsence dune polarisation externe, existe un champ lectrique interne qui soppose au mouvement des porteurs majoritaires mais qui acclre les minoritaires. Il existe au niveau de la jonction une barrire de potentiel dont la hauteur est la diffrence entre les niveaux dnergie des accepteurs et des donneurs. Les porteurs minoritaires induisent le courant de diffusion ; les porteurs majoritaires crent le courant de saturation. En labsence de polarisation, ces deux courants sont gaux. u La diode se comporte comme un condensateur dont le ple est la zone P et le ple + est la zone N. La zone de transition ne contenant pas de porteurs mobiles constitue le

Concentration Trous Electrons

Densit de charge

Champ lectrique

Fig. 6

dilectrique de ce condensateur.

3.2 Jonction P-N polarise en inverse

Eext Eint

Dans cette situation, le champ lectrique externe cr par le gnrateur de f.e.m. Vinv sajoute au champ interne de la jonction : la hauteur de la barrire de potentiel augmente. On montre que lpaisseur d de la zone de transition est proportionnelle Vinv . Seul un courant de minoritaires est possible travers la jonction. Cest le courant inverse ou courant de fuite.

Fig. 7

A temprature ambiante, ce courant est trs faible (100 nA). Comme il dpend du nombre des minoritaires, il est fonction de la temprature : pour le silicium, il est ngligeable en dessous de 110C

mais il devient si important au-dessus de 175C quil interdit le fonctionnement de la jonction en diode. Pour le germanium le fonctionnement est impossible au-dessus de 85C.

3.3 Jonction P-N polarise en direct

Eext Eint

Fig. 8

Dans cette situation le champ externe cr par le gnrateur soppose au champ interne. Ds que le champ externe dpasse le champ interne, un courant des majoritaires stablit travers la jonction. Il existe pour une jonction P-N une tension de seuil qui est caractristique du matriau : Si : Vs 0,55 V Ge : Vs 0,15 V

Pour des raisons historiques lies aux analogies entre les diodes et les redresseurs vide et gaz, on nomme la zone P anode et la zone N cathode ..

3.4 Caractristiques courant-tension

Caractristique directe En dessous du seuil VS le courant est trs faible. Au-del, on montre que le courant diode est li au courant de saturation par : eV I D = I Sat e kT 1 Le courant ISat est appel courant inverse car si la diode est polarise en inverse (V < 0) ID = ISat . Ce courant rsulte du dbit des charges (trous thermognrs et lectrons) qui traversent la jonction sous laction du champ lectrique. Pour une jonction de surface S, le courant de saturation est donn par :
W kT

Fig. 9

ISat = A.S. e

(A est une constante fonction du dopage).

Pour une diode de signal au silicium, 300 K, ISat est de lordre de 10 nA. Toujours 300 K, = k.T / e 26 mV. Au-del de la tension de seuil, on a : ID ISat .exp(V / ). La rsistance dynamique de la diode est alors donne par : 1 dI 1 I = = I Sat .e = r dV
V

r( ) =

26 I ( mA )

Caractristique inverse Si la temprature est faible, la caractristique est pratiquement confondue avec laxe I = 0. Le courant inverse IInv tant un courant de minoritaires crot avec la temprature. Au-del dune certaine valeur de V Inv, il y a claquage de la jonction par effet davalanche . Lpaisseur de la jonction tant trs faible, mme avec des potentiels peu levs, le champ lectrique au niveau de la jonction peut tre trs grand. Sous leffet de ces champs intenses (E > 105 V.cm1), il y a ionisation des atomes et production dlectrons, qui sont eux-mmes acclrs et qui provoquent de nouvelles ionisations (avalanche) qui rendent la jonction conductrice : si rien ne limite

le courant, il y a destruction de la jonction par emballement thermique. La tension inverse admissible varie selon les diodes entre 50 V et 2000 V.

3.5 Claquage inverse Zener

Pour des diodes trs fortement dopes et dont la zone de transition est trs mince, le champ lectrique peut provoquer la rupture directe de liaisons covalentes et le passage dlectrons de la bande de valence dans la bande de conduction. Pour des champs de lordre de 2.107 V.cm1, la tension de claquage est de lordre de 6 V pour des diodes trs dopes. Le courant inverse crot alors brutalement. Leffet est rversible et non destructif . La jonction prsente aprs le claquage une rsistance dynamique trs faible. Les diodes Zener ont un dopage important et en agissant sur lpaisseur de la zone de transition, on peut ajuster la valeur de la tension (dite tension de Zener) au-del de laquelle se produit le claquage entre 3 V et 200 V.

3.6 Limites dutilisation des diodes

La puissance dissipe dans une diode est gale au produit I.VAK. Lchauffement correspondant produit par leffet Joule ne doit pas amener la temprature de la jonction au-dessus dune valeur limite, fonction de la nature du matriau, afin que le courant inverse ne dpasse pas des valeurs inacceptables. Pour le silicium cette temprature est de lordre de 185C. La tension inverse doit rester infrieure la tension de claquage. Les diodes de redressement sont peu dopes pour avoir une bonne tenue en inverse. Le courant direct maximum admissible est conditionn par la puissance maximum que peut dissiper la diode. Selon la surface de la jonction, le courant direct admissible peut varier entre quelques milliampres pour une diode de signal et quelques dizaines dampres pour une diode de puissance.

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