TRANSISTORBIPOLAIRE

IIntroduction
I.1Constitution

Le transistor bipolaire est

ralis dans un monocristal
comportant trois zones de
dopagediffrentes.
n
p

p
n

collecteur
base
metteur

p
n
p

OnreconnatdeuxjonctionsPN
que l'on peut considrer comme
deuxdiodeslorsqueletransistor
n'estpaspolaris.

n
E
Pourpolarisercorrectementuntransistor,ilfautque:
lajonctionentreBetEsoitpolarisedanslesensdirect,
lajonctionentreCetBsoitpolarisedanslesensinverse.

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C.PETERV3.0

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I.2Symboles,tensionsetcourants
NPN

C
B

IB

PNP
C

IC
VCE

VBE

IE

L'metteurestrepr
par la flche qui
symbolise le sens
relducourant

IB

IC
VCE

VBE

IE
E

grandeurspositives

grandeursngatives

LoideKirchhoffappliqueautransistorbipolaire:IE=IC+IB

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I.3LetransistorNPNpolaris

Remarques:
labaseestfaiblementdope
labaseesttrsfine

0<V1<VseuildelajonctionPN
La jonction BE est polarise en directe
maisn'estpaspassanteIB=0.
IlfautV2 >V1pourpolarisercorrectement
letransistor.
lajonctionBCestpolariseeninverse,
IC=courantinverse=ICEo0.

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I.3LetransistorNPNpolaris
V1>VseuildelajonctionPN
LajonctionBEestpassante

Remarques:
labaseestfaiblementdope
labaseesttrsfine

IB>0,etVBE0,6V.
Ce courant est constitu d'un flux
d'lectrons allant de l'metteur vers la
base.
Leslectronsarrivantdanslabasepeuvent
resterlibreslongtempsavantd'trepigs.
La base tant fine, ils arrivent la 2me
jonctionetpassentdanslecollecteur.
La majorit des lectrons injects par
l'metteur traversent la base et se
retrouventdanslecollecteur.

PolytechElec3

IlenrsulteuncourantpositifIC
devaleurbiensuprieureIB.
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Lorsqueletransistorestpolariscorrectement,onpeutdfinirplusieursrapportsde
courantsstatiques(courantscontinus),notamment:
alphastatique I

DC =

IE

IC
I C I B

1 car I B I C

DC 0,99 transitorsclassiques
0,95 transistorsdepuissance
btastatique

DC =

IC

100 DC 300 transitorsclassiques

IB

20 DC 100 transistorsdepuissance

DCestaussiappelgainencourantdutransistor.
Cegainestl'originedenombreusesapplications

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I.4Letransistorconsidrcommeunquadriple
i1

Montage

entre

sortie

metteur commun

base

collecteur

collecteur commun

base

metteur

base commune

metteur

collecteur

EC

IB
VBE

PolytechElec3

CC

IC

IB
VCE

v1

v2

Les montages correspondant

une permutation entre
sortiesontsansintrtcarils
nepermettentpasdegain.

IE

IE
VEC

VBC

sortie

Letransistorayanttroislectrodes,l'une
d'elles sera commune l'entre et la
sortie. Il en rsulte trois montages
principaux.

entre

i2

VEB

BC

IC
VCB

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I.5Rseaudecaractristiques(montagemetteurcommun)

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Remarques:
NPNgrandeurspositives;PNPgrandeursngatives.
VBE ne dpend pratiquement pas de VCE , le rseau d'entre ne comporte qu'une
seulecourbe.
ICdpendfaiblementdeVCE ,lerseaudetransfertnecomportesouventqu'une
seulecourbe.
LapuissancedissipeparuntransistorestlimitePmax.
Lerseaudecaractristiquesestdonnpourunetempraturedfinie.
Il existe une dispersion des caractristiques pour des transistors de mmes
rfrences.
Ordresdegrandeurs:VBE:0.20,7V;VCE:1qq100V;IC:mAA;IB:A.
Lepointdefonctionnementpeuttreportsurlerseau.

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IILetransistorencommutation
II.1Rgiondeblocage
PourVB=0,VBE=0etIB=0IC=IB=0

LajonctionCBestpolariseeninverse.
IlexistedoncunfaiblecourantdefuiteICEo.

En pratique ce courant est nglig et on considre le transistor comme un circuit

ouvert.
Onditqueletransistorestbloqu.

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II.3Rgiondesaturation
PourVB>VseuildelajonctionPN,ona:

V B =R B I B V BE

I B=

V B V BE
RB

LorsqueVB>>VBE,onpeutngligerVBE,d'o:
Parailleurs,E=RCIC+VCE,d'o:

I C=

EV CE
RC

VB

VB
VB
I B= I C =I B=
RB
RB

RB
E
SiRB,IBdoncICetVCE.LorsqueVCE=0, I C = =I Cmax
RC
V B I Cmax
I B=
SiRBencore,IC=ICmaxmaisetlarelationI
=IBn'estplusvrifie.
C
RB
Letransistorestsatur:VCE=VCEsat=0,20,4VetICE/RC.
SiIB>>IC,letransistorestsatur.
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C.PETERV3.0

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PolytechElec3

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C.PETERV3.0

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IIIPolarisationdutransistor(zonelinaire)
Polariser un transistor consiste dfinir son tat de fonctionnement par
l'adjonctiondesourcesdetensioncontinuesetdersistances.
Cettatdeconductionestcaractrisparunpointdanschacundesquadrantsdu
rseau de caractristiques, ce point est appel p o i n t d e f o n ctio n n em en t ou
p o in td e r ep o s .
Le point de fonctionnement
caractrise
deux
variables
indpendantes du transistor : IC
etVCE.Ildoittrechoisidansla
zonelinaire,maisendehorsdes
zones interdites et doit tre peut
sensible aux variations de
temprature.

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C.PETERV3.0

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III.1Polarisationdeuxsourcesdetension
C'estunmontagepeuutiliscaril
ncessitedeuxsources.

III.2Polarisationunesourcedetension
E=R B I B V BE 1

E=RC I C V CE 2
I C = I B

EV BE
1 I B =
RB

EV BE
3 I C = I B =
RB
EV BE
2V CE =ERC I C =ERC
RB
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C.PETERV3.0

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III.1Polarisationdeuxsourcesdetension
C'estunmontagepeuutiliscaril
ncessitedeuxsources.

III.2Polarisationunesourcedetension
E=R B I B V BE 1

E=RC I C V CE 2
I C = I B

EV BE
1 I B =
RB

EV BE
3 I C = I B =
RB
EV BE
2V CE =ERC I C =ERC
RB
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Montageinstable
entemprature

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III.3Polarisationparpontetrsistanced'metteur
III.3.1Dterminationapprochedupointdefonctionnement
OnconsidreI1,I2>>IBI1=I2>>IB.
Onendduit:

V BM =

R2

R1R 2

OnaVBM=VBE+REIE=VBE+RE(IC+IB)
Si estgrand,IC>>IBetVBMVBE+REIC
d'o:

V BM V BE
ER 2
V BE
I C=
=

RE
R 1R 2 R E R E

OnaE=RCIC+VCE+REIE=RCIC+VCE+RE(IC+IB) RCIC+VCE+REIC
etonendduit

RC R E R 2 RC R E V BE
V CE =ERC R E I C =EE

R1R2 R E
RE

Stabilitentemprature:siIC,VEdoncVBE IB IC
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C.PETERV3.0

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III.3.2Dterminationrigoureusedupointdefonctionnement

RB=

R1 R 2
R 1R 2

V B=

ER 2
R 1R2

E = RC I C V CE R E I C I B
V B = R B I B V BE R E I C I B
I C= I B
V BE =valeur moyenne

PolytechElec3

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C.PETERV3.0

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III.3.3Dterminationgraphiquedupointdefonctionnement
EnngligeantIBdevantIC,onaE= RCIC+VCE+REIC.
Onendduitl'quationdeladroitedecharge:

I C=

EV CE
RC R E

Connaissantl'undesparamtres,on
peutendduirelesautres.

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C.PETERV3.0

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IVLetransistorenrgimedynamique
L'tude en rgime dynamique consiste analyser le fonctionnement d'un transistor polaris
lorsqu'onappliquedepetitesvariationsl'unedesgrandeurslectriques.

IV.1Analysed'unmontageEC
montageEC entre:base,sortie:collecteur
IV.1.1Polarisation

En continu (transistor polaris), le point de repos est dfini par les points P0, Q0 et R0, de
coordonnesVCEo,Ico,IboetVBEo.

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C.PETERV3.0

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IV.1.2Petitssignaux

ZC=

1
jC

pour=0 , Z C ,circuitouvert
pour0 , Z C0siCestgrand,courtcircuit

CLE,CLS:condensateursdeliaison.

PolytechElec3

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C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
IV.1.2Petitssignaux

ZC=

1
jC

pour=0 , Z C ,circuitouvert
pour0 , Z C0siCestgrand,courtcircuit

CLE,CLS:condensateursdeliaison.

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C.PETERV3.0

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Onconsidrelachargeinfinie.Lepointdefonctionnementsedplacealorsentre
R1etR2,Q1etQ2etP1etP2.

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C.PETERV3.0

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Remarques:
QuandVBE,IBdoncICetVCE.
VBE=VBE1VBE2<<VCE=VCE1VCE2
amplificationdetensionmaisenoppositiondephase.
Lesgrandeurslectriquescomportentunecomposantecontinueetunecomposante
alternative.

V BE t =V BEo v be t
I B t = I Boi b t
V CE t =V CEo v ce t
I C t = I Coi c t
Onpeutdoncdcomposerl'analysedumontageen:
unetudeencontinu(statique)pourcalculerlepointderepos,
unetudeendynamiquepourcalculerlesgains.

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C.PETERV3.0

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Ainsienappliquantlethormedesuperposition:

SilasourceEestdebonnequalit,r0=0:
Q

Q:quadriplequivalent
autransistorenrgime
dynamique.
Statique

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Dynamique

C.PETERV3.0

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IV.2Modleenrgimedynamique
En rgime dynamique, le transistor peut tre considr comme le quadriple
suivant:
ib
ic

v be

v ce
vbe=h11i bh12vce

{i

Enutilisantlesparamtreshybrides:

h 11=

v be

i
b

h 22 =

v ce=0

ic

v
ce

PolytechElec3

i b =0

h 21=

v ce=0

vbe

v
ce

24

=h 21i bh 22v ce

ic

h 12=

i b =0

C.PETERV3.0

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ib

Schmaquivalent:

h 11=

v be

i
b

h 12=

h 21=

v ce=0

d V BE

d V CE

I B =cste

d IB

V CE =cste

vbe

h11
h12.vce

h22
h21.ib

Surunrseaudecaractristiques

d IC

dI
B

h22 =

d V BE

ic

d IC

V CE =cste

d V CE

I B =cste

:lesvaleursdesparamtresdpendentduptdepolarisation
PolytechElec3

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C.PETERV3.0

vce

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Remarques:
=0tan()=0donch12=0.
pourdefaiblesvaleursdeIC,esttrsfaibletan()esttrsfaibledonch220onpeutdonc
simplifierleschmaquivalent:

ib

vbe

ic

doncic=h21ib

h11
h21.ib

vce

sachantqueIC=IB,onah21=
SiICaugmente,lescaractristiques
IC=f(VCE)nesontplushorizontales
eth22n'estplusngligeable.

On suppose que les paramtres sont rels. Ceci n'est vrai qu'aux basses frquences. Pour les
hautes frquences, les capacits parasites qui existent dans le transistor conduisent des
expressionscomplexespourlesparamtres.
Lesvaleursdesparamtresvarientaveclepointdepolarisationdutransistor.

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C.PETERV3.0

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IV.3Montagesfondamentaux
On considre que l'impdance des condensateurs utiliss est trs faible la
frquence de travail. Ces condensateurs seront donc remplacs par des court
circuitsenrgimedynamique.
IV.3.1Montagemetteurcommun
LarsistanceREestindispensable
pourobtenirunpointdefonctionnement
(pointderepos)stableentemprature

LecondensateurCEs'opposeauxvariationsdepotentieldel'metteur.Dupointde
vuedespetitssignaux,l'metteurestdoncconnectlamasse.
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C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
On considre que l'impdance interne de la source est nulle. En remplaant les
condensateurspardescourtcircuitetletransistorparunquadriplequivalent,onobtient
leschmaenrgimedynamiquesuivant:

Enrgimedynamique,l'metteurestbienl'lectrodecommunel'entreetlasortie.
Enngligeantlesparamtresh12eth22,leschmadevient:

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C.PETERV3.0

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EtudestatiqueetdynamiquedansleplanIC,VCE
RB=R1//R2

E=RCIC+VCE+REIC I =
C

EV CE
RC R E

Droitedechargestatique:lieudes
pointsdefonctionnementenstatique.
1
IC
droitedepente
E

vs=vce=RCic

E
RC RE

PolytechElec3

RC

vce

IC

droitedechargedynamique
1
depente
R
C

pointde
repos

Droitedechargedynamique:lieudesvariations
dupointdefonctionnementendynamique.Il
s'agitd'unedroitedepente1/RC.

R C R E

RC RE

i c=

VCE

E1 E
29

VCE

C.PETERV3.0

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EtudedynamiqueenchargedansleplanIC,VCE
I
droitedechargedynamique
E

videdepente

1 / R C

droitedechargedynamique
enchargedepente 1

RC RE

RC // Rch

RB=R1//R2

encharge,ona:vs=vce=(RC//Rch)ic
i c =

RC Rch
RC . R ch

v ce

VCEsat
L'excursionmaximaledevceestinfrieureE0.
Elleestlimiteparledroitedechargedynamique
(pointE1)etparlazonedesaturation.

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E1ch E1v E
vce

C.PETERV3.0

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IV.3.2Montagecollecteurcommun

schmaquivalentendynamique

RB=R1//R2
PolytechElec3

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C.PETERV3.0

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IV.3.3Montagebasecommune

PolytechElec3

schmaquivalentendynamique

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C.PETERV3.0

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IV.4Caractristiquesdesmontages
On considre le montage comme un quadriple aliment par un gnrateur de Thvenin
eg,rgetchargparuneimpdanceZch.

i1

Rg

i2

v1

v2

Rch

eg
IV.4.1Dfinitions

Z E=
Ai =
PolytechElec3

v1
i1

i2
i1

Av =

v2

Avg=

v1
Z s=

v2

eg=0

33

ou

v2
eg

= Av

v2

v 1=0

ZE
Z E Rg

si r g =0

C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
IV.4.2Propritsdesmontagesfondamentaux
EC

CC

BC

ZE

moyenne (1k)

forte (100k)

faible (20)

ZS

moyenne (50k)

faible (100)

trs forte (1M)

Av

ngatif fort (-100)

positif (1)

positif fort (100)

Ai

positif fort (50)

ngatif fort (-50)

ngatif faible

Applications:
EC:montageamplificateur(tensioncourant).
CC:montageadaptateurd'impdance(ZEfort,ZSfaible),tagedesparation
entredeuxtagesdontlesimpdancessontinadaptes(ZS1>>ZE2).
BC:montageamplificateurdetensionforteimpdancedesortie(qualitparfois
rechercheenHF).

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C.PETERV3.0

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IV.4.3Associationdemontages
L'associationdeplusieurstagesestncessaire:
soitquandlegaind'unseultageestinsuffisant,
soitquandlesimpdancesd'entreoudesortiesontinadaptes.
i1
i2
Rg
eg

v1

tage
1

tage
2

v2

Rch

Onassociegnralement:
EC+EC:pourobtenirungainlev
CC+EC:sil'impdanceinternedugnrateurd'entreesttropleve
EC+CC:sil'impdancedelachargeestfaible.
CC+CC:pourobtenirunfortgainencourant.
PolytechElec3

35

C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
IV.5EtudedesmontagestransistorsPNP
Enstatique,lesignedescourantsettensionsdutransistorestinvers.

Endynamique,l'tudeestidentiquel'tudedestransistorsNPN.

PolytechElec3

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C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
VLartroaction
La rtroaction est un procd qui consiste renvoyer vers l'entre d'un
amplificateurunepartiedelatensiondesortie.Lerseaulectriquepermettantde
prlever une fraction de la tension de sortie et de la rinjecter vers l'entre se
nommeboucledertroaction.
Danslecasolartroactionatendanceaugmenterl'amplificationdumontage
initial,onparledertroactionpositiveouderaction.
Dans lecascontraire o lartroactionatendance diminuerl'amplification,on
parledertroactionngativeoudecontreraction.
boucledertroaction

VE

PolytechElec3

amplificateur

37

Vs

C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
Principauxeffetsdelacontreraction:
diminutiondel'amplificationparrapportaumontageenboucleouverte.
grandeindpendancedestensionsdepolarisationetdel'amplificationvisvis
deladispersiondesparamtresdestransistors.
amliorationdelalinarit.
limitationlesoscillationsspontanes.
Exemplesdertroaction:

PolytechElec3

38

C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
Exemplesdertroaction:

PolytechElec3

39

C.PETERV3.0

TRANSISTORBIPOLAIRE
ThormedeMiller:
Onconsidreunampliinverseur(VSestenoppositiondephaseavecVE)degain
A.L'impdanceZestuneimpdancedecontreraction.
Z
ZIN
amplificateur
inverseur

VE

Vs

VE

ZOUT
amplificateur
inverseur

Vs

D'aprslethormedeMiller:

Z IN =Z A1
Z OUT =Z
PolytechElec3

A1
A
40

C.PETERV3.0