THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS

1) RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE 1.1 Cas de latome Latome est constitu dun noyau autour duquel gravitent des lectrons de charge lectrique -q soit - 1.6 10-19 Coulomb. Le noyau contient deux types de particules : les neutrons qui ne sont pas chargs et les protons qui portent une charge lectrique + q. Latome tant lectriquement neutre, le nombre de protons est gal au nombre dlectrons. On distingue : Les lectrons internes qui occupent les couches internes et qui sont trs fortement lis au noyau Les lectrons priphriques (ou de valence) qui occupent la couche la plus externe et qui sont peu lis au noyau. Les lectrons dun atome gravitant autour du noyau sont assujettis occuper des niveaux discrets E1 , E2 ... E n qui dfinissent chacun une couche lectronique. Plus le niveau est lev, plus la couche qui lui correspond est loigne du noyau. Si lon choisit comme origine des nergies (E = 0 eV, 1eV reprsentant 1.6 10-19 Joule) celle dun lectron soustrait linfluence du noyau (cest dire port une distance infinie), toutes les valeurs de En sont ngatives. Cela se traduit par le fait quil faut produire un travail pour loigner un lectron.
Energie (eV)
lectron libre

0 En
lectron li

K L M

E2 E1
niveau dnergie

Atome de silicium

A titre dexemple, latome de silicium possde 14 lectrons qui sont rpartis sur trois couches : K avec 2 lectrons, L avec 8 lectrons et M qui possde 4 lectrons. Contrairement aux deux premires, la couche M est incomplte, en effet elle peut accueillir 4 lectrons supplmentaires. De faon gnrale, tous les atomes tendent avoir huit lectrons sur leur couche externe. 1.1 Cas dun cristal
Energie 0 Bande de conduction Bande interdite Bande de valence
lectron li aux atomes

lectron libre dans le solide

Un cristal est constitu dun ensemble datomes dont les noyaux sont rpartis dans lespace de faon rgulire. La cohsion des atomes est assure par la mise en commun des lectrons de valence pour former des liaisons dites de covalence. Les tats nergtiques possibles des lectrons du cristal sont reprsents par un diagramme analogue celui de latome. Mais du fait de linteraction des atomes, les niveaux dnergie se transforment en bandes dnergie spares par des bandes interdites (o il ny a pas dtats permis).

Cristal

Comme dans le cas de latome, le nombre dlectrons susceptibles doccuper une bande dnergie est limit et les lectrons du solide comblent en priorit les tats dnergie les plus faibles.

Un lectron dont lnergie est situe dans une bande en dessous de la bande de valence est li un atome donn du solide. Dans la bande de valence , llectron est commun plusieurs atomes. La bande situe au-dessus de la bande interdite sappelle la bande de conduction. Llectron dont lnergie est comprise dans cette bande circule librement dans le solide. Cest un porteur de charge qui participe lcoulement du courant dans le solide lorsque ce dernier est soumis une diffrence de potentiel. Chaque type de matriau prsente une hauteur de bande interdite qui lui est propre, cette diffrence dnergie, qui joue un rle fondamental, permet de distinguer les matriaux isolants, semiconducteurs et conducteurs. 2) SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE
II III Bore B (Z=5) Aluminium Al (Z = 13) Zinc Zn (Z= 30) Cadmium Ca (Z= 48) Gallium Ga (Z = 31) Indium In (Z = 49) IV Carbone C (Z =6) V Azote N (Z = 7) Phosphore P (Z = 15) Arsenic As (Z = 33) Antimoine Sb (Z = 51)

Silicium Si ( Z = 14)
Germanium Ge (Z = 32) tain Sn (Z = 50)

SILICIUM 14 lectrons 4 lectrons de valence 5 10 22 atomes cm-3 densit : 2.33g cm-3

Les semi-conducteurs (germanium et surtout silicium dont les proprits sont indiques en annexe ) possdent 4 lectrons sur leur couche priphrique car ils appartiennent la 4 colonne de la classification priodique des lments indique ci-dessus. Il est possible de les produire avec un haut degr de puret (moins de 1 atome tranger pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de S.C. intrinsque. 2.1) Liaison de covalence : semi-conducteur non excite Considrons un cristal de silicium non excit au zro absolu (0K) dans lobscurit. Afin de voir huit lectrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 lectrons priphriques en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium la reprsentation de la figure 1a. Cest la mise en commun des lectrons priphriques, appele liaison de covalence, qui assure la cohsion du cristal de silicium. Les lectrons qui participent ces liaisons sont fortement lis aux atomes de silicium. Il napparat donc aucune charge mobile susceptible dassurer la circulation dun courant lectrique. Le S.C. est alors un isolant, en effet la bande de valence est sature, toutes les places sont occupes alors que la bande de conduction qui offre des places libres est vide. 2.2) Ionisation thermique : gnration de paires lectron-trou Lorsque la temprature nest pas nulle, lagitation thermique dsordonne la configuration prcdente : les lectrons possdent une nergie supplmentaire positive qui provoque la rupture de quelques liaisons de covalences (figure 1b). Un des lectrons participant cette liaison acquiert ainsi de lnergie ncessaire pour quitter latome auquel il tait li. Il devient un porteur de charge libre, capable de se dplacer dans le cristal, et autorisant ainsi la circulation dun courant lectrique sous une diffrence de potentiel. Le cristal devient alors un mauvais isolant do son appellation de semi-conducteur.

liaison de covalence libre : trou libre

+4 +4 +4 +4 +4

lectron libre
+4

Si
+4 +4 +4 +4

Si
+4 +4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Figure 1a : Situation T = 0K le silicium est isolant

Figure 1b : situation T >> 0K Le silicium est un mauvais conducteur

Latome de silicium qui a perdu un lectron nest plus lectriquement neutre : il est devenu un ion positif. Ce phnomne nintresse quun nombre trs faible datomes de silicium ( 3 sur 1013 la temprature de 300 K). La liaison de covalence non satisfaite est appele trou ! 2.3) Hauteur de bande interdite et gnration de paires electrons-trous

population dlectrons libres en fonction de lnergie lectron Energie lectron Bande de Conduction
Gnration thermique dune paire lecton-trou Recombinaison

Eg bande interdite : 1.12 eV pour S i Bande de Valence

trou

trou

population des trous libres en fonction de lnergie

Figure 2 : Phnomnes de gnration thermique et de recombinaison de paires lectrons trous conduisant un quilibre temprature constante Le paramtre essentiel qui caractrise le S.C. est la quantit dnergie minimale ncessaire pour briser une liaison de covalence, ce qui revient dans le modle des bandes dnergie fairegrimper un lectron de lun des niveaux de la bande de valence sur lun des niveaux de la bande de conduction (figure 2). Lnergie minimale requise pour gnrer une paire lectron-trou correspond la hauteur de bande interdite EG dont la valeur est indique dans le tableau suivant pour divers matriaux :

Semi-conducteur C diamant Ge
Si

EG (eV) 300 K 5,47 0,66

1,12

EG (eV)0K 5,51 0,75

1,16

A une temprature diffrente du zro absolu, un certain nombre dlectrons de valence acquiert assez dnergie thermique pour rompre leurs liaisons et devenir des lectrons libres. Ce gain dnergie, qui doit tre au moins gal EG, fait accder les lectrons des places libres de la bande de conduction. Corrlativement, ils laissent derrire eux des places disponibles vides (trous) dans la bande de valence. La hauteur de bande interdite du diamant (EG = 5.47 eV) en fait un parfait isolant. En effet mme aux tempratures leves, il est impossible de faire passer des lectrons de la bande de valence la bande de conduction. Loxyde de silicium Si O2 important pour la fabrication des circuits intgrs, avec EG = 9 eV est lui aussi un isolant. Les conducteurs mtalliques ont une structure cristalline et ce titre on leur associe un schma de bandes. Celui-ci prsente cependant une configuration particulire telle qu toutes les tempratures il existe des lectrons libres disponibles (environ 1023 cm-3 ). En effet, soit la bande de conduction dispose toujours de places libres, soit il existe un chevauchement entre bandes de valence et de conduction qui supprime la bande interdite. 2.4) Recombinaison Lionisation thermique conduirait, terme lionisation de tous les atomes de silicium ( soit 5.10 22 atomes par cm3 ) si elle ntait compense par un autre phnomne : les recombinaisons. En effet, un lectron libre, arrivant, lors de son dplacement dans le cristal, proximit dun ion positif peut tre captur par ce dernier afin de satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). La liaison de covalence est alors rtablie. Dans le modle des bandes (figure 2) un lectron de la bande de conduction libre sa place et vient occuper une place libre dans la bande de valence, neutralisant alors un trou. Lorsque llectron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le semiconducteur restitue lnergie sous forme de chaleur ou met de la lumire (photon). Ce dernier effet est utilis dans les diodes lectroluminescentes (L.E.D.) ou les lasers semi-conducteurs. Le photon mis a une nergie gale Eg selon : Eg = h.c (o reprsente la longueur donde, h la constante de Plank et c la vitesse de la lumire) soit ( m). Eg(eV) = 1.24. En sens inverse, un photon qui possde une nergie suprieure ou gale EG a le pouvoir de gnrer une paire lectron-trou. 2.5) Concentration n i des porteurs dans le silicium intrinsque A temprature constante, un quilibre stablit (figure 3) entre les phnomnes dionisation thermique et de recombinaison ; les lectrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantits gales. La concentration en lectrons libres n et en trous libres p sont gales n i la concentration intrinsque. La mcanique statistique montre que la population des porteurs libres (n lectrons.cm-3 dans la bande de conduction et p trous .cm-3 dans la bande de valence sexprime selon les lois : n = N c exp( En ) KT p = N v exp( Ep ) KT

O Nc et N v sont respectivement la densit effective dtats des lectrons dans la bande de conduction ( 2.82.1019 cm-3 300K pour Si ) et la densit effective dtats des trous dans la bande de valence ( 1.83.1019 cm-3 300K pour S i ). Ces deux coefficients voluent avec la temprature selon une loi en T3/2 . Ec et En reprsentent deux diffrences dnergies lies un niveau dit de Fermi qui indique les carts de population entre les lectrons et les trous. En ) KT

Bande de conduction EC Energie bande interdite : 1.12 eV pour Si EV Bande de valence En Ep

N c exp(

EFi : niveau de Fermi

N v exp(

Ep ) KT

Figure 3 : populations des porteurs du S.C. intrinsque et niveau de Fermi Pour le silicium pur 300 K, o p=n=ni , on montre que le niveau indicateur de Fermi EFi est situ au milieu de la bande interdite ( en effet : En - En = 11.2 meV est ngligeable devant la hauteur de bande interdite Ec + En = 1.12eV). La concentration intrinsque ni en lectrons libres et en trous libres par cm3 dpend de la hauteur de bande interdite EG et de la temprature T (voir graphe en annexe) selon la loi :
EG n = p = n i = A T exp 2KT
3 2

A : constante du matriau EG : hauteur de bande interdite (eV) K : constante de Boltzman 8, 6 .10 - 5 eV K-1 T : temprature absolue en K

Concentration intrinsque du silicium T= 300K : ni = 1,45 1010 cm -3 Le silicium intrinsque a des dapplications pratiques limites : photorsistance, thermistance. Cependant, il est possible en introduisant certaines impurets en quantit contrle, de privilgier un type de conduction : par lectrons libres ou trous libres.

3) SILICIUM DOPE UNIQUEMENT N On obtient u n S.C. de type N en injectant dans le cristal de silicium des atomes qui possdent 5 lectrons sur leur couche priphrique (phosphore ou arsenic de la 5 colonne de la classification).
lectron libre
+4 +4 +4

Si
Energie
+4 +5 +4

Bande de conduction EC EG EV Bande de valence EFi

En

n = Nd
EFn : niveau de Fermi

En = KT ln( p= ni2 Nd

Nd ) ni

+4

+4

+4

atome de Phosphore

Figure 4a : libration dun lectron par latome de phosphore

4b : schma des bandes

Quatre de ces cinq lectrons sont mis en commun avec les atomes de silicium voisins pour raliser des liaisons de covalences (figure 4a). Le 5 lectron, inutilis, est trs faiblement li latome pentavalent. Une trs faible nergie suffit pour le librer et il se retrouve libre dans la bande de conduction. Latome de phosphore qui a fourni un lectron libre est appel atome donneur. Il a perdu sa neutralit pour devenir un ion positif fixe. A la temprature ordinaire, la quasi-totalit des atomes donneurs sont ioniss. Si ND est la concentration des atomes donneurs, ceux-ci vont librer n = ND lectrons libres. Les concentrations en lectrons libres (n) et en trous libres (p) sont lies par la loi daction de masse : n.p = n 2 i Avec ND =n = 10 18 cm -3 alors : p = 225 cm -3 T = 300 K Les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires. Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (figure 4b), la population des lectrons libres de la B.C. est beaucoup plus importante que celle des trous libres dans B.V.. Le niveau indicateur de Fermi EFn se dplace donc du milieu de la bande interdite (EFi ) vers la bande de conduction de telle manire que : E n = KT.ln( Avec En = EFn - EFi Nd ni )

4) SILICIUM DOPE UNIQUEMENT P On obtient un S.C. dop P en injectant dans le silicium des atomes de la 3 colonne (bore, indium) qui possdent trois lectrons priphriques.
trou libre Bande de conduction EC Energie niveau de Fermi EFp EG EV Bande de valence
+4 +4 +4 +3 +4

+4

+4

+4

ni2 n= Na

Si
+4

EFi

E p = KT ln( p = Na

Na ) ni

atome de Bore

Figure 5a : libration dun trou par le bore

5b : schma des bandes

Il manque ainsi un lectron latome trivalent pour raliser les liaisons covalentes avec les quatre atomes de silicium qui lentourent (figure 5a). En fait, les lectrons participant aux liaisons sont indiscernables les uns des autres. Tout ce passe alors comme si un des atomes de silicium voisin avait cd un lectron latome trivalent de bore, crant ainsi un trou dans le cristal de silicium. Latome de bore qui capte un lectron est appel atome accepteur, il a perdu sa neutralit pour devenir un ion ngatif fixe. A la temprature ordinaire, la quasi-totalit des atomes accepteurs sont ioniss. Si NA est la concentration par cm3 des atomes accepteurs, ceux-ci vont librer : p = NA trous libres. Les concentrations en lectrons libres (n) et en trous libres (p) sont lies par la loi daction de masse : n.p = n 2 i Si NA =p = 10 16 cm -3 et n = 2.10 4 cm -3 T = 300K. Les trous sont les porteurs majoritaires et les lectrons les porteurs minoritaires. Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (figure 5b), la population des lectrons libres de la B.C. est beaucoup plus faible que celle des trous libres dans B.V.. Le niveau indicateur de Fermi EFp se dplace du niveau intrinsque EFi vers la bande de valence de telle manire que : E p = KT.ln( Avec Ep = EFi - EFp Na ni )

5) CAS GENERAL Si le silicium a subit plusieurs dopages successifs par injection datomes accepteurs de bore et d atomes donneurs de phosphore par exemple, la population en lectrons libres (n) et en trous libres (p) est encore donne par la loi daction de masse : n.p = n 2 i Cependant on doit aussi tenir compte de la neutralit lectrique du cristal savoir : charges + (trous libres et ions +) = charges - (lectrons libres et ions -), qui conduit une deuxime relation : q(p + N ) = q(n + N )
D A

On en dduit les expressions des concentration en porteurs : n= (N d N a ) + (N d N a ) 2 + 4n 2 i 2

2 Consquences : Si Na > Nd le matriau est de type P par compensation Si Nd > Na le matriau est de type N par compensation Si Na = Nd le matriau est de type intrinsque par compensation La situation la plus courante est celle o lune des concentrations domine trs largement lautre : Si Na >> Nd le matriau est de type P affirm Si Nd >> Na le matriau est de type N affirm

p=

(N d N a ) + (N d N a ) 2 + 4n 2 i

6) CONDUCTION DES SEMI-CONDUCTEURS 6.1) Mobilit des porteurs de charge : lectrons et trous Considrons un semi-conducteur isol. Les porteurs de charges mobiles sy dplacent en tous sens et comme aucune direction nest privilgie, on nobserve aucune circulation de charges lchelle macroscopique. Appliquons au S.C. une diffrence de potentiel V. Compte-tenu de la relation champ-potentiel : P = grad P V soit E E P = dV(x) P i sur un axe ox de vecteur unitaire P i , il apparat dans le S.C. un champ dx P qui favorise le dplacement des trous dans le sens du champ lectrique et le dplacement lectrique E des lectrons mobiles dans le sens oppos. A lchelle macroscopique, les trous et les lectrons prennent des vitesses densemble :
P P p = p E v P v P n = n E

p est la mobilit des trous n est la mobilit des lectrons

lectrons (cm2 V -1 s-1) 3900 1500 8500 trous ( cm 2 V -1 s 1900 475 400
-1)

Mobilit T = 300K Ge Si GaAs

Ces mobilits dpendent de la temprature, du champ lectrique et du dopage (voir annexe). La mobilit diminue lorsque la temprature augmente, en effet, lagitation thermique accroit le nombre de chocs qui soppose au dplacement. A temprature ordinaire, p , la mobilit des trous est infrieure n la mobilit des lectrons. Cela se conoit dans la mesure o n provient du dplacement direct des lectrons de la bande de conduction alors que p rsulte des actions successives illustres par la figure suivante.
lectron libredans la bande de conduction

Champ lectrique E

trou 1 Si + 2 3 1 2

trou Si + 3 1 2 3

trou Si +

Situation 1 : ionisation thermique, c'est dire, cration d'une paire lectron-trou au niveau de l'atome de silicium 1 qui devient un ion positif Situation 2 : sous l'action du champ lectrique, l'lectron de valence de l'atome 2 est venu combler le trou de l'atome 1 Situation 3 : sous l'action du champ lectrique, l'lectron de valence de l'atome 3 est venu combler le trou de l'atome 2 Le mouvement des trous correspond valence. un mouvement d'lectrons dans la bande de

6.2 ) Densit de courant de conduction Considrons (figure 6) un barreau de silicium homogne de section S et de longueur L temprature constante o les porteurs libres sont constitus de p trous et n lectrons par cm 3 . La diffrence de potentiel V applique au barreau cre un champ lectrique de norme constante qui provoque le dplacement des porteurs. Durant un temps dt, un observateur plac en x voit passer : N lectrons anims de la vitesse : v = E P P
n n

E E
trou

vn

lectron

vp x

section S

masse

0 d.d.p. dans le barreau V

P trous anims de la vitesse : P = E v P

p pn

dV

| E | = dV /dx

Durant le temps dt, ces porteurs vont parcourir une distance dxn et dxp .
0

x x+dx

Figure 6 La densit de courant totale J ( -1 cm-1 ) du cristal :

tot

est alors proportionnelle au champ lectrique et la conductivit dx n dx p N P + q avec dt = = S dt S dt n E p E

J tot = q

J tot = q (n n + p p ) E = E Remarque : inclinaison du schma de bandes et mouvement des porteurs. On montre que la prsence dun champ lectrique dans le barreau, consquence de la d.d.p. applique, va entraner une inclinaison du schma de bandes du S.C.dans le sens des potentiels croissants (figure 7). On dispose alors dune analogie mcanique pour illustrer le sens du mouvement des porteurs :
Energie
lectron : analogie bille

mvt E
trou : analogie ballon Ec

Ec

Les lectrons de la bande de conduction se comportent comme des billes sur un plan inclin. En se dplaant vers la droite leur nergie cintique augmente alors que leur nergie potentielle diminue. La somme des nergies tant bien entendu constante Les trous de la bande de valence se comportent comme des ballons se dplaant le long dun plafond inclin. Vers la gauche ils voient leur nergie cintique augmenter alors que leur nergie potentielle diminue.

BC

mvt x > 0 V > 0 BV

Figure 7 10

7) DENSITE DE COURANT DE DIFFUSION DES SEMI-CONDUCTEURS Dans les semi-conducteurs non homognes, les porteurs peuvent aussi de dplacer par diffusion.
zone de forte concentration ( 14 particules) zone de faible concentration ( 6 particules)

1 4 particules

14 particules

x x+dx Figure 8a

x+dx Figure 8b

Pour expliquer le processus de diffusion, imaginons (figure 8a) un milieu prsentant 14 particules en x et 6 particules en x+dx. Le nombre total de particules qui se dplacent vers la gauche est aussi grand que celui qui se dplace vers la droite. Comme il y a plus de particules sur la gauche que sur la droite, il se produit un flux net de la gauche vers la droite. La surface dpaisseur dx voit donc passer 7 particules de la gauche vers la droite et 3 de droite gauche. On assiste donc au passage de 4 particules de x vers x+dx, proportionnelle la diffrence de concentration cest dire du coefficient directeur d(concentration) / dx. Si la concentration de gauche et de droite sont gales (figure 8b), cela ne veut pas dire quil ny aura plus de particules en mouvement. Il y a en revanche autant de particules qui se dplacent vers la droite que vers la gauche, lcoulement net a donc disparu : il y a quilibre dynamique. 7.1) Diffusion des lectrons Considrons un barreau de S.C. de type P soumis une source lumineuse intense sur une de ses faces (figure 4). Cette source lumineuse va produire, par apport dnergie, une gnration locale de paires lectrons-trous. En effet, au niveau de la surface claire, on cre une surpopulation dlectrons n(x = 0) par rapport lquilibre o n (L) = ni 2 /p. Les lectrons en surplus, vont diffuser de la gauche vers la droite du barreau comme les molcules dun gaz qui, injectes dans un rcipient, tendent occuper tout le volume (autres analogies : diffusion dun parfum dans une pice, diffusion du th dans de leau...). Ces lectrons supplmentaires sont recombins par la forte population des trous du Si P et leur population diminue en fonction de x selon : x n(x) = n(0) exp ( ) avec Ln : longueur de diffusion des lectrons Ln On dfinit en x une densit de courant de diffusion des lectrons : JD n proportionnelle au gradient de concentration (Dn cm2 s -1 est la constante de diffusion des lectrons dans le silicium) : J Dn = q Dn dn(x) KT o Dn = n dx q

11

Remarque : dn(x) est ngatif donc JDn est bien dirig dans le sens des x ngatif sur la figure 9. dx
surpopulation d lectrons

source lumineuse

mvt

Si P

n(x) : Population des lectrons n (x =0) mvt d n(x)/dx quilibre n(x) p = n i 2 0 x J Dn L

n(x) p > ni 2 nP

Figure 9 : diffusion des lectrons dans le silicium P non homogne 7.2) Diffusion des trous Considrons un barreau de S.C. de type N soumis une source lumineuse intense sur une de ses faces (fig. 10). Comme prcdemment on obtient un phnomne de diffusion des trous x excdentaires avec : p(x) = p(0) exp ( ) avec Ln : longueur de diffusion des trous Lp conduisant dfinir une densit de courant de diffusion des trous : JDp proportionnelle au gradient surpopulation de trous de concentration (Dp en cm2 s -1 est la constante de diffusion des trous dans le silicium) :
Source lumire

SiN mvt

J Dp = q Dp

dp(x) KT o Dp = p dx q

p(x). n>>ni2

Remarque : dp(x) est ngatif, sachant que JDn est dx dirig dans le sens des x positif il faut affecter lexpression de JDn du signe - !

p(x) : Population des trous p(x=0) mvt des trous dp(x)/dx

JDp

Figure 10

12

JONCTION SEMI-CONDUCTRICE AU SILICIUM

1) FORMATION DE LA JONCTION PN Considrons deux barreaux de silicium : lun dop P au bore, lautre dop N au phosphore. Le bilan des porteurs libres une temprature fixe est indiqu ci-dessous :
lectrons minoritaires p p = Na Na Si P trous majoritaires np = n
2 i

lectrons majoritaires pn = n2 i Nd

Si N trous minoritaires

nn = Nd

Imaginons que lon rapproche les deux barreaux de manire raliser leur contact physique au niveau dune jonction dite mtallurgique. On assisterait alors deux phnomnes se manifestant de part et dautre de linterface PN :
diffusion de trous libres vers Si N

Si P
diffusion d lectrons libres vers Si P

Si N

Si P

ions bore -

E0 - + - + - + - + W0

+ + ions phosphore + + Si N

Figure 11a

Figure 11b

Transitoire de dure trs brve (figure 11a) savoir diffusion des trous de la rgion P vers la rgion N. En effet comme les trous sont plus nombreux dans P que dans N, ils vont avoir tendance diffuser pour rtablir lquilibre (idem pour les lectrons qui vont diffuser de N -> P). Permanent (figure 11b), les trous qui ont envahi la rgion N (o ils ont disparu par recombinaison avec les lectrons majoritaires dans cette rgion ) ont laisss derrire eux des ions fixes de bore ioniss ngativement. De mme, les lectrons de la rgion N qui sont passs du ct P ont laiss derrire eux des ions fixes de phosphore ioniss positivement.

Ces ions fixes de Bore et de phosphore chargs respectivement - et +, forment de part et dautre de la jonction mtallurgique, une barrire de potentiel V qui provoque lapparition dun champ lectrique interne E 0 dans une zone de charge despace (Z.C.E.) dpaisseur W0 . On montre que la hauteur de barrire de potentiel V et la largeur W0 de la Z.C.E. qui stend principalement du ct le moins dop sont telles que (voir annexe en fin de document) : V = UT ln Na Nd n
2 i

o UT =

KT 25 mV 25C et q

W0 =

2 0 Si 1 1 + V (1) q Na Nd

Pour : Na =1018 cm -3, N d = 1015 cm -3, W0 = 0.96 m, V = 0.75 V et E0max = 1.56 104 V. cm -1 avec : 0 = 8,85 10-14 F/cm, S i = 12 Lanode et la cathode tant la masse, la jonction est en court-circuit et son courant doit tre nul. 13

En effet la jonction (figure 12) est traverse par deux courants opposs qui sannulent : Le courant de saturation IS qui correspond aux porteurs minoritaires des zones N (les trous) et P (les lectrons) qui se prsentent en bordure de la Z.C.E. et qui sont alors entrans par le champ lectrique E0 respectivement dans les zones P et N. Le courant ayant pour origine les porteurs libres majoritaires de N et de P, trs voisins de la Z.C.E., et dont lnergie suffisante pour sauter la hauteur de barrire V . La population de ces porteurs, proportionnelle exp ( forme : I0 exp (V/UT) Le courant total tant nul, il vient : I = I exp (
S 0

V UT

conduit un courant de la

V U
T

) (2)

ions fixes de Bore Anode

- - trous libres - -

ions fixes de Phosphore

+ + + + + + + + + lectrons libres

Cathode

Masse

rgion neutre P

Z.C.E. W0

rgion neutre N

E0
B.C.

Population des lectrons en fonction de lnergie

Energie

Barrire de potentiel V
B.C. B.V. B. interdite : 1.12 eV

V
Population des trous en fonction de lnergie Courant de gnration thermique IS B.V.

Courant d aux porteurs majoritaires qui sautent la barrire V

0 mA

Figure 12 : origine des courants opposs circulant dans la jonction PN en court-circuit

14

Schma de bandes de la jonction PN en court-circuit et barrire de potentiel V On montre que dans un cristal semi-conducteur non soumis une diffrence de potentiel et lquilibre thermique, quel que soit son dopage P ou N, les niveaux de Fermi associs, EFp et E Fn (voir paragraphes 3 et 4), restent aligns dans le schma de bandes. La figure 13, qui reprsente le schma de bandes dune jonction PN en court-circuit, illustre ce principe.
V = E / q Silicium P B.C. EG 2 EFp B.V. Ep En E B.C. EFn EG 2 Ei Silicium N

E p = KT ln(

Na ) ni
B.V.

En = KT ln(

Nd ) ni

Figure 13 : Schma de bandes de la jonction PN en court-circuit

Sachant que les niveaux de Fermi EFp et EFn respectivement associs aux cts P et N sont aligns, la bande ce conduction du silicium N est plus lve que celle du silicium N. Il en est de mme pour les bandes de conduction. Ceci entrane la prsence dune diffrence dnergie E entre ces bandes. On se propose de calculer E (eV). Sachant que EG est la hauteur de bande interdite du silicium : EG EG E= + Ep ( En) = Ep + En 2 2 N N N N avec : E p = KT. ln( a ) et E n = KT. ln( d ) , il vient : E = KT. ln( a d ) ni ni n2 i

On sait que la variation dnergie potentielle E dun lectron soumis une diffrence de potentiel V est telle que : E = - q V. Dans ces conditions, la diffrence dnergie E entre les bandes, on fait correspondre une diffrence de potentiel interne appelle hauteur de barrire de potentiel V telle que : N N V = KT . ln( a d ) q n2 i

15

2) JONCTION POLARISEE EN INVERSE Le semi-conducteur de type N tant la masse, on relve laide dun gnrateur de tension Vinv , le potentiel du semi-conducteur de type P (figure 14). 2.1) Tension v i n v faible : courant inverse de saturation La hauteur de barrire entre les rgions P et N est renforce par la tension extrieure applique et devient V +Vinv . Le champ lectrique dans la Z..C.E. augmente ainsi que son tendue ( dans lquation (1) V devient V + Vinv ). Les porteurs majoritaires des rgions N et P nont pas lnergie ncessaire pour sauter cette barrire de potentiel. La jonction est alors traverse par le trs faible courant de saturation IS . Ce courant issu du phnomne dionisation thermique du silicium, dpend uniquement de la temprature.

ions fixes de Bore

- - + - - -

ions fixes de Phosphore

+ ++ + + + + ++ lectrons libres

Vinv

trous libres

Masse

rgion neutre P

Z.C.E. Winv >>W0

rgion neutre N

Ei n v > > E0
B.C.

Population des lectrons en fonction de lnergie

Energie

Barrire de potentiel V +Vinv

B.C. B.V. B. interdite : 1.12 eV

V +Vinv
Population des trous en fonction de lnergie B.V.

Courant de gnration thermique IS +

IS Figure 14 : origine du courant inverse de saturation IS dune jonction bloque

2.2) Capacit de transition La jonction PN est constitue de deux charges opposes immobiles (ions Na- ct P, ions N d+ du ct N). Elle se comporte donc comme un condensateur dont la Z.C.E. est le dilectrique et les rgions N et P les lectrodes. La capacit correspondante est nomme capacit de transition :

16

CT =

S avec S aire de la jonction et W paisseur de la Z.C.E qui dpend de la hauteur de W C To barrire. Aussi on peut crire : C = o C correspond V = 0V T To inv V in 1 V
0 Si

Cette capacit qui dpend de la temprature a des valeurs typiques comprises ente 1 et 200 pF. 2.3) Avalanche de la jonction : effet Zener
IA

L'avalanche par multiplication, et le claquage par effet Zener sont les deux processus qui produisent une augmentation brutale du courant de la jonction polarise en inverse par une tension suffisante VZ. Un porteur (figure 3) de la Z.C.E. d'origine thermique, appartenant donc Is , descend la barrire de jonction et acquiert de l'nergie cintique du potentiel appliqu. Ce porteur qui entre en collision avec un ion silicium, peut rompre une liaison de covalence.

VZ

VAK

Outre le porteur initial, il existe maintenant une nouvelle paire lectrontrou. Ces porteurs peuvent tirer assez d'nergie du champ appliqu, entrer en collision avec un autre ion et crer d'autres paires lectron-trou. Cet effet cumulatif est appel avalanche par multiplication. Il donne un grand courant inverse et on dit que la jonction est dans la rgion de claquage par avalanche. Un autre phnomne li un champ lectrique intense conduit la mme situation : effet Zener. Ici le champ lectrique lev exerce une force suffisante pour extraire des lectrons de leurs liaisons de covalence crant alors des paires lectron-trou qui augmentent aussi le courant inverse. 3) JONCTION POLARISEE EN DIRECT 3.1) Courant direct de la jonction Le fait de polariser la jonction sous une tension Vdirect rduit la hauteur de barrire qui devient : V-Vdirect entranant une diminution de lpaisseur de la Z.C.E (dans lquation (1) V est remplac par : V-Vdirect ). De nombreux lectrons de la rgion N et de trous de la rgion P peuvent alors franchir cette barrire de potentiel et, se prsentant alors dans un milieu hostile (P pour lectrons et N pour les trous), ils sont recombins (figure 15). Cette recombinaison consomme prs de la Z.C.E. des trous dans la rgion P (des lectrons dans la rgion N). Pour rtablir lquilibre, les trous de la rgion neutre P se mettent en mouvement vers la zone o se produit la recombinaison (dficit en trous). Les lectrons de la rgion neutre N sont soumis un phnomne analogue. Cest ce phnomne de recombinaison locale qui explique la circulation du courant direct I A dans la jonction. V Vdirect Vdirect Ce courant scrit : I 0 exp ( ) soit : I S exp( ) avec la relation (2). UT UT Sachant que le courant de saturation IS correspondant aux porteurs minoritaires des zones N et P qui se prsentent en bordure de la Z.C.E. est encore prsent (page 14), on obtient le courant total qui circule dans la jonction :
IA = IS exp ( Vdirect UT )-1

17

Silicium P

Edirect << E 0

Silicium N

Dcroissance par recombinaison de la surpopulation des lectrons injects dans le silicium P Barrire de potentiel : V - Vdirect

ENERGIE

B.C.
Recombinaison des lectrons Recombinaison des trous V - Vdirect

B.V.

Wdirect << W0 Courant des trous compensant ceux qui disparaissent par recombinaison

Dcroissance par recombinaison de la surpopulation des trous injects dans le silicium N Courant des lectrons compensant ceux qui disparaissent par recombinaison

IA
+

Vdirect

Figure 15 : jonction polarise dans le sens passant

3.2) Capacit de diffusion Le phnomne de recombinaison locale de part et dautre de la Z.C.E. (figure 4) n'est pas instantan. En effet les lectrons passs dans l'anode recombinent avec les trous prsents aprs un certain temps moyen p : dure de vie des trous (ordre de la nanoseconde). De mme du ct de la cathode, on dfinit n dure de vie des lectrons. Il y a donc toujours, de part et d'autre de la Z.C.E., une charge positive dans la cathode et une charge ngative dans l'anode, compose de porteurs non recombins. Ceci est quivalent la prsence d'une capacit dite capacit de diffusion CD proportionnelle au courant direct IA de la jonction.

18

EFFET TRANSISTOR BIPOLAIRE

Considrons un transistor NPN (figure 1) :
IC
C B B C

VCB

N P N+ +
E

VBE

IB

IE

Figure 1 La tension VBE positive, polarise la jonction base- metteur du transistor en direct, alors que la tension VCB polarise la jonction collecteur -base en inverse ! La jonction base- metteur fonctionnant en mode direct est donc le sige des phnomnes jonction passante vus prcdemment. En effet, des lectrons sont injects de la rgion dmetteur N++ trs dope dans la base P o ils subissent le phnomne habituel de recombinaison avec les trous qui sont ici porteurs majoritaires. La surpopulation des lectrons injects dans le silicium P disparat selon la loi :
n0

n(x) = n 0 exp

x Ln
quilibre

0 WB

Ln

Si P

n0 : surpopulation des lectrons se prsentant dans la base n(x) : population des lectrons dans la base Ln : longueur de diffusion des lectrons dans la base P WB : paisseur de la base du transistor

Cependant, le transistor (figure 2) est caractris par une paisseur de base WB de 0.5 2 m trs infrieure la longueur de diffusion des lectrons Ln soit 10 20 m. Dans ces conditions, tous les lectrons injects dans la base ne subissent pas le phnomne de recombinaison avec les trous, aussi, les lectrons "chanceux" qui ont pu traverser la base sans se faire recombiner, parviennent la frontire de la Z.C.E. de la jonction bloque base-collecteur. Ils sont alors pris en charge par le champ lectrique E qui y rgne et se retrouvent dans le collecteur N o ils sont majoritaires et ne risquent plus la recombinaison. Ainsi un courant peut traverser la jonction bloque base-collecteur : c'est l'effet transistor ! Les lectrons qui ont t recombins dans la base craient le courant faible de base ce qui assure un courant de collecteur IC voisin du courant d'metteur IE. On peut exprimer le courant de collecteur selon : I C = < 1 : coefficient de transfert en courant 19 I E + I S BC avec :

IS BC courant inverse de saturation de la jonction B C.

Sachant que le transistor est un noeud de courant, la relation IE = IB +IC qui conduit : IC = 1 IB + I S BC 1

I C = I B + I CE0 Pour la plupart des transistors : le gain en courant (ou Hfe) est compris entre 50 et 500, alors que le courant de fuite de collecteur ICE0 est en gnral ngligeable temprature ambiante.

Jonction passante Emetteur N ++

Z.C.E. Base Emetteur

Jonction bloque Collecteur N

Z.C.E. Base Collecteur

Base P

lectrons injects dans la base

0 ENERGIE
B.C.
Recombinaison des trous dans SiN WB

Mouvement des lectrons qui ont pu traverser la base sans se faire recombiner

R R
Electrons venant de lmetteur qui sajoutent la population existante

B.V.

G
Recombinaison faible des lectrons dans la base SiP car Ln >> WB paisseur de la base

B.C.

Gnration thermique : courant IS BC

B.V.

Figure 2 : Effet transistor

20

CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES

Lavnement des circuits intgrs monolithiques, circuits dont tous les lments sont raliss simultanment sur la mme pastille de silicium, a profondment modifi les mthodes de conception et de ralisation des ensembles lectroniques en ouvrant des perspectives nouvelles dans le domaine de la performance, de la miniaturisation, de la fiabilit et du prix de revient. Les concepteurs chargs de la cration des circuits sont amens raisonner directement en circuits intgrs plutt quen circuits destins une ralisation en lments discrets. En effet, il nest pas possible de tout intgrer et cette intgration conduit certaines limitations sur les caractristiques des composants lmentaires. Dun autre ct, lintgration monolithique permet de concevoir certains montages quil serait impossible de raliser en version discrte. 1) ELABORATION DUN SUBSTRAT DE SILICIUM 1.1) Prparation du silicium - obtention de la plaquettesubstrat

Le silicium est un lment ayant un aspect mtallique gris clair. Il se trouve en abondance dans la nature sous forme de silice (sable) et de divers mlanges. Les deux principaux problmes rsoudre pour la prparation du silicium en vue de la fabrication de circuits intgrs (ou de composants discrets) sont : taux de puret trs lev Obtention du silicium monocristal cest dire se prsentant sous la forme dun cristal homogne orientation molculaire parfaitement dfinie. La purification du silicium se fait en plusieurs tapes. On rduit dabord la silice par chauffage avec du carbone (coke) dans un four lectrique, le degr de puret atteint est de 98%. Le silicium ainsi obtenu est ensuite transform en un corps compos, le ttrachlorure de silicium qui sera purifi et rduit de manire obtenir du silicium polycristallin trs pur ayant un taux dimpurets d'environ 10 -10 . Il reste mettre le silicium polycristallin sous forme de monocristal en utilisant la technique du tirage (fig. 1). Le silicium polycristallin est fondu dans un creuset de quartz chauff par induction, la temprature tant maintenue constante juste au-dessus du point de fusion du silicium. Un germe de silicium monocristallin une temprature infrieure est dispos la surface du silicium polycristallin fondu quil refroidit localement ce qui entrane la solidification de la zone proximit immdiate du germe. Ce processus est assez progressif pour que les atomes qui se solidifient prennent lorientation des atomes du germe. Le silicium monocristallin qui se forme alors est tourn lentement ( 1 tour/ seconde) et soulev avec une vitesse de 2.5 cm/heure afin daugmenter son volume.

Rotating cuck

Quartz tube

Growing cristal

Aprs tirage, le cristal de silicium ou carotte a une forme cylindrique de 50 100 mm de diamtre et une longueur de 30 cm. crucible Le dopant qui dtermine si le silicium est de type N ou P est ajout durant la procdure de tirage. Pour la fabrication des circuits intgrs, on utilise des plaquettes Figure 1 fines de silicium en gnral dop P ayant une paisseur de 0.6 mm. Aussi, la carotte est dcoupe en tranches par une fine roue diamante tournant vitesse leve. Les plaquettes sont ensuite polies mcaniquement et chimiquement. Un grand nombre de circuits identiques seront fabriqus sur ces plaquettes en utilisant le procd de la diffusion solide dimpurets dans des zones amnages par lintermdiaire de la technique de photo-lithographie.
RF heating coils

Molten Si

21

1.2) Photolithographie de loxyde de silicium (figure 2) Il est important de remarquer que la formation dune couche doxyde de silicium (SiO2 ) la surface de la plaquette de silicium empche la diffusion dans le volume des dopants habituels : le bore, le phosphore ou larsenic. Cette couche de SiO2 peut sliminer localement par attaque chimique lacide hydrofluorique qui est par ailleurs sans action sur le silicium. Dans ces conditions, si on oxyde la plaquette de silicium ( T=1100C dans un courant doxygne ou de vapeur deau), et si on enlve ensuite cet oxyde certains endroits, il est alors possible de faire diffuser les impurets exclusivement dans ces zones nommes fentres. Cette limination locale (figure 2) de loxyde de silicium se fait par lintermdiaire : dune couche de photoresist qui est une substance organique qui, polymrise sous laction dun rayonnement ultra violet, rsiste alors aux acides et solvants D'un masque photographique qui slectionne les zones o la couche de photoresist ne subissant pas le rayonnement ultraviolet, peut tre limine.
Photorsist plaquette de silicium lumire ultraviolette masque photo S i O2 plaquette de silicium

S i O2

Photorsist

Photorsist polymris plaquette de silicium Photorsist polymris

S i O2

fentre plaquette de silicium

S i O2

La surface de la plaquette de silicium est pralablement oxyde et recouverte dune couche de photoresist. On place ensuite un masque photographique dont les rgions opaques du masque correspondent aux endroits o lon dsire attaquer ensuite loxyde de silicium. La plaquette est ensuite illumine aux ultra violets. Aprs dveloppement du photoresist, les rgions opaques du masque, non polymrises, sont limines. Lensemble est immerg dans un bain dacide hydrofluorique qui attaque localement le SiO2 non protg et forme alors une fentre destine recevoir la diffusion dun dopant. La couche restante de photoresist est ensuite limine.

S i O2 plaquette de silicium aprs dveloppement du photoresist

Figure 2

22

2) REALISATION DES TRANSISTORS NPN INTEGRES

Contact Emetteur N+ + interconnexions en aluminium Contact Base Contact Collecteur oxyde de silicium SiO2

P 4 10 m
N pitaxi

mur disolement P+

Couche enterre N+ +

600 m substrat P N+ + N 60 m mur disolement P+ P P+

40 m

N pitaxi

B Figure 3

La figure 3 reprsente la coupe et la vue de dessus dun transistor NPN intgr qui ncessite lutilisation de 6 masques de ralisation. Le processus de base de ralisation des circuits intgrs monolithiques fait appel aux techniques de masquage par oxyde et de diffusions localises dimpurets dans un substrat de silicium monocristallin. Les diffrents composants construits la surface du substrat se trouvent dans des caissons, isols lectriquement, construits dans la couche de silicium pitaxie (voir plus loin).

23

2.1) Premier masque : ralisation de la couche enterre Le substrat de silicium P est tout dabord oxyd et une fentre est amnage pour permettre la diffusion de la couche enterre trs dope N++ (dopant antimoine) Couche enterre S i O2 de rsistance faible. N++ En effet, le transistor intgr ne diffre notablement du transistor discret que sur un point : le contact de collecteur seffectue sur la 600 m substrat P partie suprieure de circuit (fig. 3). Sans la prsence de la couche enterre, la rsistance srie de collecteur serait trop importante. 2.2) Cration dune couche pitaxiale de silicium On doit former la surface de la plaquette de silicium (substrat dop P), un film mince de silicium monocristallin, o seront construits les composants actifs (diodes, transistors bipolaires, JFET ou MOS) et passifs (rsistances et condensateurs).
4 10 m C. E. N++ 600 m N pitaxi

On utilise pour cela le procd de croissance pitaxiale qui permet de raliser une couche de silicium monocristallin de quelques microns dpaisseur (4 10 m).

substrat P

On ralise la croissance pitaxiale du silicium 1200C dans une atmosphre dhydrogne et de SiH4 qui se dcompose sous forme de silicium se dposant sur la plaquette avec une vitesse de croissance de lordre de 1 m par minute : SiH 4 > Si +2H2 Durant le processus, en ajoutant du PCl3 , on obtient finalement une couche mince de silicium N dop au phosphore qui formera la zone de collecteur du transistor NPN : 2PCl3 +3H2 -> 2P +6HCl 2.3) 2masque : mur disolement
mur disolement P+ N C. E. N++ pitaxi substrat P P+

Aprs croissance de la couche pitaxiale de type N, celle-ci est entirement oxyde puis, loxyde est enlev slectivement laide du masque n2. On effectue alors la diffusion locale du mur disolement P+. La construction du mur disolement se fait en deux tapes :

Prdpt du bore (1200C avec B2 O3 dopant P) la surface du dispositif. Diffusion en profondeur de manire changer le dopage de la couche pitaxiale originellement de type N. Cette diffusion est contrle en temps et temprature (1000C) pour permettre au mur de rejoindre le substrat P.

2.4) 3masque : diffusion de la base P La plaquette est entirement roxyde et le bore est nouveau utilis pour construire la base du transistor dans une fentre amnage au droit de la zone choisie.
base P P+ N++ substrat P N pitaxi P+

La diffusion du bore est nouveau contrle de manire assurer une paisseur de lordre de 2 3 m et surtout en prenant soin de ne pas atteindre la couche enterres N++ ce qui dtruirait localement la zone N pitaxie constituant le collecteur du transistor.

On remarque que la diffusion des atomes dimpurets se fait en profondeur mais aussi latralement (80%). Il y aura donc lors de la conception des masques, des gardes respecter pour viter que des rgions de mme nature se rejoignent.

24

2.5) 4 masque : diffusion de lemetteur N ++ La plaquette est ensuite prpare pour ltape de diffusion de lmetteur du transistor ainsi que contact lamnagement de la prise de contact du collecteur. collecteur metteur N+ En effet, on viendra prendre le contact de collecteur laide de laluminium qui est un dopant P (3 colonne de la classification priodique ).
N++ Pour viter deffectuer alors une diode PN avec la couche pitaxie N, il faut diffuser une zone trs substrat P dope N++ afin dassurer un bon contact ohmique. La profondeur de diffusion dmetteur est d'environ 1.5 m qui conduit une paisseur efficace de base de 1 m. P+ P+

2.6) 5 et 6 masques : ouverture des contacts et interconnexions Aprs roxydation de la plaquette, le 5 masque permet damnager des fentres sur les zones qui doivent tre interconnectes. On vapore donc laluminium sur toute la plaquette et on utilise nouveau la technique de masquage mais Aluminium dans une squence ngative puisque le but est denlever laluminium en tout point lexception des P+ P+ zoN++ nes de contact. substrat P Enfin la plaquette est recouverte dune couche de passivation (SiO2 et ou Si 3 N4 ) qui la protgera dune ventuelle pollution du milieu extrieur. Les plots de sorties o seront souds des fils de connections vers les pattes du circuit intgr sont videmment masqus lors de cette dernire opration.
Emetteur Base Collecteur

2.7) Isolement lectrique inter-composants Considrons deux transistors T1 et T 2 adjacents sur la puce (figure 4). Ils sont lectriquement isols lun de lautre. En effet chaque caisson N pitaxi de collecteur (C1 et C2 ) est entour dun mur disolement en silicium P +, de mme nature que le substrat P . Si le substrat est reli au potentiel le plus ngatif du circuit, les diodes DC1S et DC2S sont polarises en inverse (circuit ouvert). Les collecteurs C1 et C2 de T1 et T2 sont donc isols.
T1 D C1S C1 P+ N P+ D C2S C2 N P+ T2

N+ +

N+ +

substrat P -V EE Figure 4

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3) REALISATION DE DIVERS COMPOSANTS

Si O2 P N+ + P N+ + Si O2

P+

P+

P+

N+ +

P+

substrat P

Figure 5

Lexpos prcdent prsentait en dtail le processus de fabrication dun transistor NPN. Durant les mmes tapes du processus, en jouant avec la topographie des diffrents masques, il est possible de raliser simultanment un certain nombre de composants prsents en figure 5 : Une diode (transistor NPN muni dun court-circuit base-collecteur) Une rsistance qui exploite la rsistivit de la diffusion de la base dun transistor NPN Une capacit dont les armatures sont constitues par laluminium et la diffusion de type metteur et le dilectrique par la couche de Si O2 .

Cette liste nest pas limitative et les dispositifs suivants sont intgrables : Diode Schottky (contact mtal semi-conducteur) Transistors PNP JFET et MOSFET 4) VERIFICATION DE LA PLAQUETTE-DECOUPAGE ET ASSEMBLAGE Tous les circuits intgrs de la plaquette sont vrifis sur un banc de test automatique laide de sondes places sur les plots de chaque circuit. Tout circuit hors caractristiques est automatiquement marqu et se trouvera limin aprs dcoupage de la plaquette en puces individuelles. Pour extraire les puces de la plaquette, on utilise un appareil muni dune pointe de diamant trs fine qui se dplace en x y selon un chemin de dcoupe. La plaquette est ensuite place sur un support souple dont la dformation entrane une cassure le long des rayures du chemin de dcoupe. Ayant choisi un type de botier ( flat pack, dual in line, TO5...), on positionne la puce qui est soude du cot substrat par frittage basse temprature. Il est alors possible de raliser, laide dune machine souder automatique, les connexions lectriques avec un fil dor de 25 m de diamtre entre les bornes de sortie et les plots amnags sur le pourtour de la puce.

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ANNEXES
CARACTERISTIQUES DU SILICIUM PUR Nombre atomique Masse atomique (g par mole) Densit (g/cm3) Nombre datomes par cm3 Hauteur de bande interdite (eV) 300 K Rsitivit ( .cm) 300 K Constante dilectrique si VALEUR 14 28.1 2.33 5.0 10 22 1.12 2.3 10 3 11.9

1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10

19 18 17 16 15 14

T= 300K

Ge

Si
13 12 11 10 9 8

1 10 1 10 1 10

GaAs
7 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

1000 / TK

Evolution de la concentration intrinsque ni en fonction de 1000/T(K) pour trois matriaux semi-conducteurs

27

JONCTION ABRUPTE EN COURT-CIRCUIT 1) CALCUL DE LETENDUE W 0 DE LA ZONE DE CHARGE DESPACE La figure suivante reprsente les charges ioniques (x) prsentes de part et dautre de la jonction mtallurgique dune diode PN en court-circuit ainsi que le champ lectrique E(x) qui en dcoule. Les ions ngatifs Na et les ions positifs Nd stendent sur les distances respectives -xp et xn de part et dautre de la jonction mtallurgique.
Jonction mtallurgique

Si P

ions N a -

ions N d +

Si N

(x) q Nd -xp
+ + + + + + ++ + +

0
- -

xn - q Na

W0

E(x) -xp 0 V = Emax xn x

xn

x p

E( x ) dx

a) Dans la zone de charge despace, le bilan des charges ioniques doit tre nul soit : x N = x N aussi, la zone de charge despace stend du ct le moins dop (Na << N d sur la figure).
p a n d

b) Dtermination du champ lectrique E(x) laide de lquation de Poisson : d 2 V(x) =- (x) sachant que : E = - dV(x) il vient : dE(x) = (x) dx dx dx 2 0 si 0 si q Na q Na E(x) = avec : E( x p ) = 0 Y E(x) = (x + x p ) x + Cte
0 si 0 si

Ct P :

Par analogie, du ct N, le champ lectrique est tel que :

E(x) =

qN d
0 si

(x x n ) xp = qN d
0 si0

On en dduit le champ Emax en x=0 :

E max =

qN a
0 si0

xn

(1)

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c) Calcul de ltendue de la zone de charge despace W 0 = x p +x n En utilisant les relations (1), on exprime ltendue W0 de la Z.C.E. W 0 = x n + x p = 0 si E max ( 1 + 1 ) q Na Nd En introduisant le potentiel de diffusion V qui correspond laire du triangle form par E(x) soit :
x

V = I E(x) dx
x
p

Y V = 1 E max (x n + x p ) = 1 E max W 0 2 2

On en dduit :

W0 = 2

si

1 + 1 V Na Nd

2) CALCUL DU POTENTIEL DE DIFFUSION V Pour calculer le potentiel de diffusion V, il faut exploiter lquilibre qui stabli entre le courant de conduction dont est responsable le champ lectrique E(x) dans la Z.C.E. et le courant de diffusion des porteurs entre les zones N et P. Cet quilibre se traduit pour les trous par la relation densit de courant nulle soit : Jp = 0. E(x) q D p dp(x) = 0 dx D Dp U E(x) = p 1 dp(x) sachant que : = UT il vient : E(x) = T dp(x) p dx p dx p p Jp = q p
p x

Sachant que : V = I E(x) dx

x
p

il vient :
N N V = U I dp = U ln( Concentration trous dans P ) = U ln( a ) T T T Concentration trous dans N P p n2 i

N
d

soit :

V = UT ln(

Na Nd ni
2

29

Evolution de la mobilit des porteurs dans le silicium en fonction de la concentration en atomes dimpurets 300 K

Mobilit cm 2 V -1s -1 300K 1000

lectrons

100
trous

10 1014 1015 1016 1017 1018 1019 Concentration impurets at /cm3 Influence de la temprature sur la mobilit des porteurs dans le silicium

30