TRANSISTORBIPOLAIRE

IIntroduction
I.1Constitution n p
Le transistor bipolaire est collecteur
ralis dans un monocristal p base n
comportant trois zones de
dopagediffrentes. metteur
n p
n C
OnreconnatdeuxjonctionsPN
p B que l'on peut considrer comme
deuxdiodeslorsqueletransistor
n E n'estpaspolaris.
Pourpolarisercorrectementuntransistor,ilfautque:
lajonctionentreBetEsoitpolarisedanslesensdirect,
lajonctionentreCetBsoitpolarisedanslesensinverse.

PolytechElec3 1 C.PETERV3.0
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I.2Symboles,tensionsetcourants
NPN PNP
C C
IC IC
IB L'metteurestrepr IB
B par la flche qui B
VCE VCE
symbolise le sens
VBE IE relducourant VBE IE
E E

grandeurspositives grandeursngatives

LoideKirchhoffappliqueautransistorbipolaire:IE=IC+IB

PolytechElec3 2 C.PETERV3.0
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Remarques:
I.3LetransistorNPNpolaris
labaseestfaiblementdope
labaseesttrsfine

0<V1<VseuildelajonctionPN

La jonction BE est polarise en directe

maisn'estpaspassanteIB=0.

IlfautV2 >V1pourpolarisercorrectement
letransistor.
lajonctionBCestpolariseeninverse,
IC=courantinverse=ICEo0.

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I.3LetransistorNPNpolaris Remarques:
V1>VseuildelajonctionPN labaseestfaiblementdope
labaseesttrsfine
LajonctionBEestpassante
IB>0,etVBE0,6V.

Ce courant est constitu d'un flux

d'lectrons allant de l'metteur vers la
base.
Leslectronsarrivantdanslabasepeuvent
resterlibreslongtempsavantd'trepigs.
La base tant fine, ils arrivent la 2me
jonctionetpassentdanslecollecteur.
La majorit des lectrons injects par
l'metteur traversent la base et se
retrouventdanslecollecteur. IlenrsulteuncourantpositifIC
devaleurbiensuprieureIB.

PolytechElec3 4 C.PETERV3.0
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Lorsqueletransistorestpolariscorrectement,onpeutdfinirplusieursrapportsde
courantsstatiques(courantscontinus),notamment:
alphastatique I IC
C
DC = = 1 car I B I C
IE I C I B

DC 0,99 transitorsclassiques
0,95 transistorsdepuissance
btastatique
IC 100 DC 300 transitorsclassiques
DC =
IB 20 DC 100 transistorsdepuissance
DCestaussiappelgainencourantdutransistor.

Cegainestl'originedenombreusesapplications

PolytechElec3 5 C.PETERV3.0
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I.4Letransistorconsidrcommeunquadriple
i1 i2
Letransistorayanttroislectrodes,l'une

entre

sortie
d'elles sera commune l'entre et la v1 T v2
sortie. Il en rsulte trois montages
principaux.

Montage entre sortie Les montages correspondant

metteur commun base collecteur une permutation entre
collecteur commun base metteur sortiesontsansintrtcarils
base commune metteur collecteur nepermettentpasdegain.

EC CC BC
IC IE IE IC
IB IB

VBE VCE VBC VEC VEB VCB

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I.5Rseaudecaractristiques(montagemetteurcommun)

PolytechElec3 7 C.PETERV3.0
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Remarques:
NPNgrandeurspositives;PNPgrandeursngatives.
VBE ne dpend pratiquement pas de VCE , le rseau d'entre ne comporte qu'une
seulecourbe.
ICdpendfaiblementdeVCE ,lerseaudetransfertnecomportesouventqu'une
seulecourbe.
LapuissancedissipeparuntransistorestlimitePmax.

Lerseaudecaractristiquesestdonnpourunetempraturedfinie.
Il existe une dispersion des caractristiques pour des transistors de mmes
rfrences.
Ordresdegrandeurs:VBE:0.20,7V;VCE:1qq100V;IC:mAA;IB:A.

Lepointdefonctionnementpeuttreportsurlerseau.

PolytechElec3 8 C.PETERV3.0
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IILetransistorencommutation
II.1Rgiondeblocage
PourVB=0,VBE=0etIB=0IC=IB=0

LajonctionCBestpolariseeninverse.
IlexistedoncunfaiblecourantdefuiteICEo.

En pratique ce courant est nglig et on considre le transistor comme un circuit

ouvert.
Onditqueletransistorestbloqu.

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II.3Rgiondesaturation
PourVB>VseuildelajonctionPN,ona:
V B V BE
V B =R B I B V BE I B=
RB VB VB
LorsqueVB>>VBE,onpeutngligerVBE,d'o: I B= I C =I B=
EV CE VB RB RB
Parailleurs,E=RCIC+VCE,d'o: I C= =
RC RB
E
SiRB,IBdoncICetVCE.LorsqueVCE=0, I C = =I Cmax
V B I Cmax RC
I B=
SiRBencore,IC=ICmaxmaisetlarelationI C
=IBn'estplusvrifie.
RB
Letransistorestsatur:VCE=VCEsat=0,20,4VetICE/RC.

SiIB>>IC,letransistorestsatur.

PolytechElec3 10 C.PETERV3.0
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IIIPolarisationdutransistor(zonelinaire)
Polariser un transistor consiste dfinir son tat de fonctionnement par
l'adjonctiondesourcesdetensioncontinuesetdersistances.
Cettatdeconductionestcaractrisparunpointdanschacundesquadrantsdu
rseau de caractristiques, ce point est appel p o i n t d e f o n ctio n n em en t ou
p o in td e r ep o s .

Le point de fonctionnement
caractrise deux variables
indpendantes du transistor : IC
etVCE.Ildoittrechoisidansla
zonelinaire,maisendehorsdes
zones interdites et doit tre peut
sensible aux variations de
temprature.

PolytechElec3 12 C.PETERV3.0
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III.1Polarisationdeuxsourcesdetension
C'estunmontagepeuutiliscaril
ncessitedeuxsources.

III.2Polarisationunesourcedetension

E=R B I B V BE 1

{ E=RC I C V CE 2
I C = I B 3

EV BE EV BE
1 I B = 3 I C = I B =
RB RB
EV BE
2V CE =ERC I C =ERC
RB
PolytechElec3 13 C.PETERV3.0
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III.1Polarisationdeuxsourcesdetension
C'estunmontagepeuutiliscaril
ncessitedeuxsources.

III.2Polarisationunesourcedetension

E=R B I B V BE 1

{ E=RC I C V CE 2
I C = I B 3

EV BE EV BE
1 I B = 3 I C = I B =
RB RB Montageinstable
EV BE entemprature
2V CE =ERC I C =ERC
RB
PolytechElec3 14 C.PETERV3.0
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III.3Polarisationparpontetrsistanced'metteur
III.3.1Dterminationapprochedupointdefonctionnement
OnconsidreI1,I2>>IBI1=I2>>IB.
R2
Onendduit: V BM = E
R1R 2
OnaVBM=VBE+REIE=VBE+RE(IC+IB)

Si estgrand,IC>>IBetVBMVBE+REIC
V BM V BE ER 2 V BE
d'o: I C= =
RE R 1R 2 R E R E
OnaE=RCIC+VCE+REIE=RCIC+VCE+RE(IC+IB) RCIC+VCE+REIC
RC R E R 2 RC R E V BE
etonendduit V CE =ERC R E I C =EE
R1R2 R E RE
Stabilitentemprature:siIC,VEdoncVBE IB IC

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III.3.2Dterminationrigoureusedupointdefonctionnement

R1 R 2 ER 2
RB= V B=
R 1R 2 R 1R2
E = RC I C V CE R E I C I B
V B = R B I B V BE R E I C I B
I C= I B
V BE =valeur moyenne

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III.3.3Dterminationgraphiquedupointdefonctionnement

EnngligeantIBdevantIC,onaE= RCIC+VCE+REIC.

Onendduitl'quationdeladroitedecharge:

EV CE
I C=
RC R E

Connaissantl'undesparamtres,on
peutendduirelesautres.

PolytechElec3 17 C.PETERV3.0
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IVLetransistorenrgimedynamique
L'tude en rgime dynamique consiste analyser le fonctionnement d'un transistor polaris
lorsqu'onappliquedepetitesvariationsl'unedesgrandeurslectriques.

IV.1Analysed'unmontageEC
montageEC entre:base,sortie:collecteur
IV.1.1Polarisation

En continu (transistor polaris), le point de repos est dfini par les points P0, Q0 et R0, de
coordonnesVCEo,Ico,IboetVBEo.

PolytechElec3 18 C.PETERV3.0
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IV.1.2Petitssignaux

1 pour=0 , Z C ,circuitouvert
ZC=
jC pour0 , Z C0siCestgrand,courtcircuit

CLE,CLS:condensateursdeliaison.

PolytechElec3 19 C.PETERV3.0
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IV.1.2Petitssignaux

1 pour=0 , Z C ,circuitouvert
ZC=
jC pour0 , Z C0siCestgrand,courtcircuit

CLE,CLS:condensateursdeliaison.

PolytechElec3 20 C.PETERV3.0
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Onconsidrelachargeinfinie.Lepointdefonctionnementsedplacealorsentre
R1etR2,Q1etQ2etP1etP2.

PolytechElec3 21 C.PETERV3.0
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Remarques:
QuandVBE,IBdoncICetVCE.

VBE=VBE1VBE2<<VCE=VCE1VCE2

amplificationdetensionmaisenoppositiondephase.
Lesgrandeurslectriquescomportentunecomposantecontinueetunecomposante
alternative.
V BE t =V BEo v be t
I B t = I Boi b t
V CE t =V CEo v ce t
I C t = I Coi c t
Onpeutdoncdcomposerl'analysedumontageen:
unetudeencontinu(statique)pourcalculerlepointderepos,
unetudeendynamiquepourcalculerlesgains.

PolytechElec3 22 C.PETERV3.0
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Ainsienappliquantlethormedesuperposition:

SilasourceEestdebonnequalit,r0=0:

Q:quadriplequivalent Q
autransistorenrgime
dynamique.

Statique Dynamique

PolytechElec3 23 C.PETERV3.0
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IV.2Modleenrgimedynamique
En rgime dynamique, le transistor peut tre considr comme le quadriple
suivant: ib ic

v be v ce

vbe=h11i bh12vce
Enutilisantlesparamtreshybrides: {i c
=h 21i bh 22v ce
v be ic
h 11=
i
v ce=0
h 21=
i
v ce=0
b b

ic vbe
h 22 =
v
i b =0
h 12=
v
i b =0
ce ce

PolytechElec3 24 C.PETERV3.0
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Schmaquivalent: ib ic

v be d V BE
h 11=
i
v ce=0
=
d IB
V CE =cste vbe
h11
h22
b
vce
h12.vce h21.ib
d V BE
h 12=
d V CE
I B =cste
Surunrseaudecaractristiques

d IC
h 21=
dI
V CE =cste
B

d IC
h22 =
d V CE
I B =cste

:lesvaleursdesparamtresdpendentduptdepolarisation
PolytechElec3 25 C.PETERV3.0
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Remarques:

=0tan()=0donch12=0.

pourdefaiblesvaleursdeIC,esttrsfaibletan()esttrsfaibledonch220onpeutdonc
simplifierleschmaquivalent:

ib ic doncic=h21ib
sachantqueIC=IB,onah21=
h11
SiICaugmente,lescaractristiques
vbe vce IC=f(VCE)nesontplushorizontales
h21.ib eth22n'estplusngligeable.

On suppose que les paramtres sont rels. Ceci n'est vrai qu'aux basses frquences. Pour les
hautes frquences, les capacits parasites qui existent dans le transistor conduisent des
expressionscomplexespourlesparamtres.

Lesvaleursdesparamtresvarientaveclepointdepolarisationdutransistor.

PolytechElec3 26 C.PETERV3.0
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IV.3Montagesfondamentaux
On considre que l'impdance des condensateurs utiliss est trs faible la
frquence de travail. Ces condensateurs seront donc remplacs par des court
circuitsenrgimedynamique.
IV.3.1Montagemetteurcommun

LarsistanceREestindispensable
pourobtenirunpointdefonctionnement
(pointderepos)stableentemprature

LecondensateurCEs'opposeauxvariationsdepotentieldel'metteur.Dupointde
vuedespetitssignaux,l'metteurestdoncconnectlamasse.

PolytechElec3 27 C.PETERV3.0
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On considre que l'impdance interne de la source est nulle. En remplaant les
condensateurspardescourtcircuitetletransistorparunquadriplequivalent,onobtient
leschmaenrgimedynamiquesuivant:

Enrgimedynamique,l'metteurestbienl'lectrodecommunel'entreetlasortie.

Enngligeantlesparamtresh12eth22,leschmadevient:

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EtudestatiqueetdynamiquedansleplanIC,VCE

RB=R1//R2

1
vs=vce=RCic i c= vce
EV CE RC
E=RCIC+VCE+REIC I = Droitedechargedynamique:lieudesvariations
C
RC R E
Droitedechargestatique:lieudes dupointdefonctionnementendynamique.Il
pointsdefonctionnementenstatique. s'agitd'unedroitedepente1/RC.
IC droitedepente
1 IC
E R C R E E droitedechargedynamique
RC RE RC RE 1
depente R C

pointde
repos

VCE VCE
E E1 E
PolytechElec3 29 C.PETERV3.0
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EtudedynamiqueenchargedansleplanIC,VCE
I droitedechargedynamique
C
videdepente 1 / R C

E
RC RE
droitedechargedynamique
enchargedepente 1
RC // Rch

RB=R1//R2

encharge,ona:vs=vce=(RC//Rch)ic

RC Rch
i c = v ce
RC . R ch
VCEsat E1ch E1v E

L'excursionmaximaledevceestinfrieureE0. vce
Elleestlimiteparledroitedechargedynamique
(pointE1)etparlazonedesaturation.

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IV.3.2Montagecollecteurcommun

schmaquivalentendynamique

RB=R1//R2

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IV.3.3Montagebasecommune

schmaquivalentendynamique

PolytechElec3 32 C.PETERV3.0
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IV.4Caractristiquesdesmontages
On considre le montage comme un quadriple aliment par un gnrateur de Thvenin
eg,rgetchargparuneimpdanceZch.
i1 i2

Rg
v1 Q v2 Rch
eg

IV.4.1Dfinitions

v1 v2 v2 ZE
Z E= Av = Avg= = Av
i1 v1 eg Z E Rg
i2 v2 v2
Ai =
i1
Z s=
i
eg=0
ou
i
v 1=0
si r g =0
2 2

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IV.4.2Propritsdesmontagesfondamentaux
EC CC BC
ZE moyenne (1k) forte (100k) faible (20)

ZS moyenne (50k) faible (100) trs forte (1M)

Av ngatif fort (-100) positif (1) positif fort (100)

Ai positif fort (50) ngatif fort (-50) ngatif faible

Applications:
EC:montageamplificateur(tensioncourant).
CC:montageadaptateurd'impdance(ZEfort,ZSfaible),tagedesparation
entredeuxtagesdontlesimpdancessontinadaptes(ZS1>>ZE2).

BC:montageamplificateurdetensionforteimpdancedesortie(qualitparfois
rechercheenHF).

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IV.4.3Associationdemontages
L'associationdeplusieurstagesestncessaire:
soitquandlegaind'unseultageestinsuffisant,
soitquandlesimpdancesd'entreoudesortiesontinadaptes.
i1 i2

Rg
v1 tage tage v2 Rch
eg 1 2

Onassociegnralement:
EC+EC:pourobtenirungainlev
CC+EC:sil'impdanceinternedugnrateurd'entreesttropleve
EC+CC:sil'impdancedelachargeestfaible.
CC+CC:pourobtenirunfortgainencourant.

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IV.5EtudedesmontagestransistorsPNP
Enstatique,lesignedescourantsettensionsdutransistorestinvers.

Endynamique,l'tudeestidentiquel'tudedestransistorsNPN.

PolytechElec3 36 C.PETERV3.0
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VLartroaction
La rtroaction est un procd qui consiste renvoyer vers l'entre d'un
amplificateurunepartiedelatensiondesortie.Lerseaulectriquepermettantde
prlever une fraction de la tension de sortie et de la rinjecter vers l'entre se
nommeboucledertroaction.
Danslecasolartroactionatendanceaugmenterl'amplificationdumontage
initial,onparledertroactionpositiveouderaction.
Dans lecascontraire o lartroactionatendance diminuerl'amplification,on
parledertroactionngativeoudecontreraction.

boucledertroaction

VE amplificateur Vs

PolytechElec3 37 C.PETERV3.0
 TRANSISTORBIPOLAIRE
Principauxeffetsdelacontreraction:
diminutiondel'amplificationparrapportaumontageenboucleouverte.
grandeindpendancedestensionsdepolarisationetdel'amplificationvisvis
deladispersiondesparamtresdestransistors.
amliorationdelalinarit.
limitationlesoscillationsspontanes.
Exemplesdertroaction:

PolytechElec3 38 C.PETERV3.0
 TRANSISTORBIPOLAIRE
Exemplesdertroaction:

PolytechElec3 39 C.PETERV3.0
 TRANSISTORBIPOLAIRE
ThormedeMiller:
Onconsidreunampliinverseur(VSestenoppositiondephaseavecVE)degain
A.L'impdanceZestuneimpdancedecontreraction.

Z
ZIN ZOUT

amplificateur amplificateur
VE Vs VE Vs
inverseur inverseur

D'aprslethormedeMiller:

Z IN =Z A1
A1
Z OUT =Z
A
PolytechElec3 40 C.PETERV3.0