Dislocatio

Tension de ligne
Force image

Créer par :
Bouabda Houssem eddine
chaouch Hassan khalil
Ladaycia Moussab
Encadre par:
baziz sara
 Les dislocations.
Dislocation de Voltera : singularité d’un champ de déformation
dans un milieu homogène.

Vecteur de ligne : ξ
Vecteur de Burgers : b
(constant le long de la ligne, loi des nœuds).
Le signe de ces deux vecteurs sont liés :
convention SF/RH

Dans les cristaux :

dislocation parfaite si b vecteur du réseau,
sinon dislocation partielle (création de défaut plan : APB, SF).

Densité de dislocations.
Quantité de dislocations : densité
ρ=
L totale
Vcristal
[m ]−2

Réseau de Frank :
d= 1 d²
d : distance moyenne entre dislocations
N : nombre de dislocations dans le cristal.
ρ L

L totale NL 1
ρ= = 2
= 2
Vcristal Nd L d

Ordre de grandeur :
106 - 1010 m-2 < ρ < 1014 - 1018 m-2
Semiconducteur :
Métal écrouit. Limite absolue.
d = 1 mm. Métal recuit.
L = 100 km/mm3 d = 1 nm
état non cristallin
 Glissement des dislocations
Glissement : mouvement conservatif des dislocation, pas de transport de
matière (aucun atome ne bouge de plus d'une distance inter-atomique).

C’est le vecteur de Burgers b qui détermine la déformation que crée le

passage d’une dislocation.

Déformation de cisaillement : volume constant.

Système de Glissement
Plan de glissement :
PG(ligne de dislocation , vecteur de Burgers)
Dislocation non vis : unique
Dislocation vis : plan de dissociation, possibilité de cross-slip.

Système de glissement : (PG)[b] - (plan compact)[direction dense]

Principe de Von Mises : pour réaliser une déformation générale,
cinq systèmes de glissement sont nécessaires.

12
12
12
24
3
3
6
6
 Contrainte projetée (résolue)
Force projetée sur la direction de
glissement,
s'appuie sur la surface projetée dans le
plan de glissement :

FP F cos λ
τ= = τ = σ cos λ cos φ
SP S / cos φ

De façon analogue pour la déformation :

δ ∆l / cos λ
γ= = γ = ε / (cos λ cos φ) l
h l. cos φ
h δ
∆l
Facteur de Schmid

− 0.5 ≤ M(= cos λ cos φ) ≤ 0.5

Loi d'Orowan
Une dislocation traverse : Une dislocation i parcourt Xi
:

γ γ
b b Xi
γ= h
γi =
h h l h
b Xi

l l
N dislocations parcourent Xi :
b Xi
γ = ∑ γi = ∑
i i h l
b X NP b X
=N = = ρb X
h l P h l
h
γ = ρb X
γ& = ρ m bv ε& = α ρ m bv
l
 Loi d'Orowan - en montée ?
Montée : mouvement non conservatif,
déplacement d’atomes ou de lacunes.

Concerne les dislocations coins.

l0

l − l0
ε=
l0
h
l − l 0 Xi
Xi ε=
l0 h

Loi d'Orowan

Un mouvement de dislocation à l'intérieur du cristal induit

une déformation macroscopique.

Paramètre primordial : aire balayée par les dislocations.

Mouvement en glissement : cisaillement

Mouvement de montée : déformation normale

(souvent la montée permet surtout de débloquer le glissement
-Ex du mécanisme de Weertman en fluage)

Notion de dislocations mobiles et dislocations immobiles

(durcissement de forêt, stockage, restauration).
 Champ de contrainte - vis.
Coordonnées cylindriques :

r r θ r
u vis = u (θ)e z = b ez
2π
1  ∂u ∂u j 
ε ij =  i +
2  ∂x j ∂x i 
b
ε θz =
4πr
µb
σ θz = µγ θz = 2µε θz =
2πr
Coordonnées cartésiennes :

σ xx = σ yy = σ zz = σ xy = σ yx = 0
 0 0 σ xz 
µ b sin θ µb y  
σ xz = σ zx = − =− σ vis = 0 0 σ yz 
2π r 2 π (x ² + y ² )
µ b cos θ µb x
σ σ yz 0 
σ yz = σ zy = + =+  xz
2π r 2 π (x ² + y ² )

Champ de contrainte - coin.

Coordonnées cylindriques :
µ b sin θ
σ rr = σ θθ = −
2π(1 − ν)r
σ zz = ν(σ rr + σ θθ )
µ b cos θ
σr θ =
2π(1 − ν)r

Coordonnées cartésiennes :
σ yz = σ zy = σ xz = σ zx = 0
σ zz = ν (σ xx + σ yy )
µ b y(3x ² + y ² )
σ xx = −
2π(1 − ν) (x ² + y ² )2
 σ xx σ xy 0 
µ b y(x ² − y ² )  
σ yy = + σ coin =  σ xy σ yy 0 
2π(1 − ν) (x ² + y ² )2
 0 0 σ zz 
µ b x (x ² − y ² ) 
σ xy = σ yx = +
2π(1 − ν) (x ² + y ² )2
 Décomposition vis - coin.
Dislocations vis et coin parallèles :

champ de contraintes orthogonaux

r
ξ
pas d'interaction
(en milieu isotrope infini)

 0 0 σ xz  r
 
σ vis = 0 0 σ yz  b r
σ σ yz 0  bv
 xz
r
 σ xx σ xy 0  bc
 
σ coin =  σ xy σ yy 0 
 0 0 σ zz 


Énergie des dislocations.

Energie élastique d’une dislocation vis (énergie par unité de longueur) :
(dislocation contenue dans un cylindre infini)

•Energie mécanique : dw = σ.dε

1 W = µb²/4πr
•Cas élastique : w = σ.ε
2
•Intégration dans l’espace :
1 1
W=
L ∫volume 2
σ.ε.dV ; avec dV = L.2π.rdr
r
µb 2 dr
Wvis = ∫ σ.ε.πrdr = ∫ .
r r 4π r r R
coeur coupure

µb 2  R Coup  µb 2
Wvis = ln  ≈
4π  rc  2
 Énergie des dislocations.
Dislocations coins :
µb 2  R Coup  b
Wcoin = ln 
4π(1 − ν)  rc 
(ν > 1/3 => Wcoin > Wvis)
Dislocations de caractère mixe
(angle ϕ entre ξ et b)
µb 2  R Coup 
Wmixte = ( )
1 − ν cos ² ϕ ln 
4π(1 − ν )  rc 

µb 2  R Coup  1- ν
W= ln  ; avec K =
4πK  rc  1 - ν cos ² ϕ

Énergie en b² => b le plus court possible (directions denses)

Force de Peach-Koller.
déplacement de la dislocation sous l'effet d'une contrainte
=> variation d'énergie analogue au travail d'une force.

Force (virtuelle) par unité de longueur :

r r
( ) r
F = bσ ×ξ τ τprojeté
τ
Cas particuliers :
b
PG
Cisaillement pur : force dans le plan de glissement : F = τprojetéb
FPK

Pression hydrostatique : P τprojeté

force de montée FPK
σ b σ
F = Pb PG

Effet d’une contrainte externe.

Interaction à distance des dislocations avec tous les
éléments du matériau qui possèdent un champ de contrainte.
Une dislocation possède un champ de contrainte associé :

Interaction entre dislocations.

r
ξ Dislocations parallèles :

FR
µ  (b1 × ξ ) ⋅ (b 2 × ξ ) 
FR =  (b1 .ξ )(b 2 .ξ ) + 
r r 2πR  (1 − ν) 
b2
b1
b1.b 2 > 0 ⇒ FR > 0 : Répulsion.
FR b1.b 2 < 0 ⇒ FR < 0 : Attraction.

Dislocations non parallèles : intégration le long de la ligne.

Force image.
Dislocation près d’une surface (couche mince…)
r r
σ.n = 0

b b
FR FR
? ª
-b

La surface libre attire les dislocations…

Généralisable pour toute interface : un milieu plus mou (µ < µref) attire les disloc,
un milieu plus dur repousse les dislocations.
 Couche d’oxyde.

µmétal µoxyde Vide

Tension de ligne.
Segment de dislocation ancré : courbure.
Une force s’oppose à la courbure : tension de ligne T.

τ=0 τ

T T

µb 2  R Coup  1- ν
T=W= ln  ; avec K =
4πK  rc  1 - ν cos ²ϕ

∂ ² W µb 2  R Coup  1- ν
T = W (ϕ) + = ln  ; avec K =
∂ϕ² 4πK  rc  1 - ν cos ²ϕ
 Courbure des dislocations - τ.
La courbure des dislocations est utilisée pour mesurer la
contrainte locale au sein d’un matériau.

FPK = τ b l = τ b R.2α
τ = Tprojeté = 2T.sin α

T T µb 2
Avec : T ≈ W ≈
2

R
2α µb
R=
2τ

Source de Frank - Read.

Contrainte seuil de µb
fonctionnement du moulin : τ=
D
Durcissement de précipitation - PH.
Cisaillement :

Contournement.

Durcissement de précipitation - PH.

Fraction volumique (fv) constante :  2π 
1/ 2

Relation entre L (distance entre précipités) et L=  fv R

R (rayon des précipités).  3 

Statistique de Friedel :  2TL2 

1/ 3
 µbL2 
1/ 3

Leff : longueur de dislocation entre deux obstacles. L eff =   ≈  

 τb   τ 

Cisaillement :
1/ 2
 3π 2  γ 3/ 2
∆τ =   fV R
 32  b T

Contournement.
1/ 2
µb µb  3  1
∆τ = =   fV
L L  2π  R