TH2257

République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
UNIVERSITE D’ORAN
FACULTE DES SCIENCES
DEPARTEMENT DE PHYSIQUE
MEMOIRE
Présenté par Monsieur
MECHEREF Rachid
Pour obtenir
LE DIPLOME DE MAGISTER
Spécialité : PHYSIQUE
Option : Micro-Opto-Electronique
ETUDE DES PHOTODETECTEURS ULTRA-VIOLET

A BASE D’HETEROSTRUCTURES
DE NITRURES III-N GaN / AIGaN
Soutenue le 26/06/2006 devant le Jury composé de MM :
D.SIB Professeur Université d’Oran Président

K. ZITOUNI Professeur Université d’Oran Rapporteur
L. DAHMANI M.C. Université d’Oran Examinateur
N. HAMDADOU M.C. E.N.S.E.T. Oran Examinateur
A. KADRI Professeur Université d’Oran Examinateur
Année Universitaire : 2005-2006

Tables des matière
TABLE DES MATIERES
Introduction…………………............…..…………………..……………1
Chapitre I :
Etude comparative des différents types de photodétecteurs
I.1 Introduction...................................................................................................4
I.2 Définition......................................................................................................5
I.3 Différents types de photo-détecteurs.............................................................6
a. Photoconducteur...........................................................................6
b. Photodétecteur à jonction pn..................................................….8
c. Photodétecteur à hétérojonction............................................….15
d. Photodétecteur à hétérostructure......................................…..…16
e. Photodétecteur pin................................................................…..18
f. Photodétecteur à avalanche..................................................…..21
g. Photodétecteur à cavité de Bragg.........................................…..25
I.4 Conclusion...........................................................................................……27
Références...........................................................................................................…....29
Chapitre II :
Etude comparative des matériaux à grand gap utilisés
II.1 Introduction.....................................................................................…..30
II.2 Carbure de silicium SiC......................................................................….32
II.3 Diamant............................................................................................…..36
II.4 Matériaux II-VI ………………………………………………..………38
Tables des matière
II.5 Nitrures III-N………………………………………………………….39

II.1. Introduction ……………..…………………………….….…39
II.2. Substrat……..………………………………………………...41
II.3. Dopage…………………………………………………….….42
II.4. Contacts……..……………………………………………….43
II.5. Propriétés des nitrures…………………………………..…43
II.6 Conclusion…………………………………………………………….45
Références ………………………………………….……………………..48
Chapitre III :
Photodétecteur « Solar-Blind »
à cavité de résonance de Bragg
II.1 Introduction……………………………………………………………50
III.2 Structure de photodétecteur solar-blind à CRB……………………….52
III.3 Fabrication ……………………………………………………………55
III.4 Caractéristiques et propriétés ………………………………………....57
III.5 Conclusion………………………………………………………….…63
Références ………………………………………….……..………………..64
Chapitre IV :
Applications des photodétecteurs solar blind
GaN/AlGaN
IV.1 Introduction……………………………………………………………65
IV.2 Détecteurs de flammes………………………………………………...66
IV.3 Communications UV, radars navigation aérienne …………………....72
IV. 4 Application a la dosimétrie……………………………………….….74
IV.5 Conclusion…………………………………………………………....77
Références ………………………………………….………………………78
Introduction
INTRODUCTION.
La détection des rayonnements Ultra-Violets (λ<400 nm) présente un intérêt

considérable compte tenu du très fort potentiel d’applications dans de nombreux
domaines extrêmement porteurs: la médecine, les communications, le stockage et la
lecture des informations, la dosimétrie, la détection des incendies et des flammes de
missiles, la métrologie, la spectroscopie UV, les mesures environnementales,….
La plupart de ces applications nécessitent des détecteurs très sensibles aux

rayonnements UV, mais en même temps insensibles aux rayonnements visible et Infra-
Rouge et parfois même aux rayons UV émanant de sources parasites telles que le
Soleil par exemple . En effet, le rayonnement solaire reçu dans la haute atmosphère ou
à la surface de la terre est composé de toute une gamme de longueurs d’ondes qui
dépendent précisément de la position dans l’atmosphère par rapport à la surface du sol
(voir figure 1). La courbe qui représente le spectre solaire dans l’espace (à l’extérieur
de l’atmosphère terrestre) est dite : Courbe air masse zéro (AM0). La courbe qui
représente le spectre solaire à la surface du sol est dite : Courbe air masse un (AM1) :
elle représente le spectre solaire à la surface de la terre tel que la puissance incidente
est de l’ordre de 925 W/m2. la différence entre AM0 et AM1 est provoquée par
l’atténuation de l’intensité du rayonnement par l’atmosphère. Cette atténuation est due
à l’absorption par la couche d’ozone, et à l’absorption IR par la vapeur d’eau,..
Pour détecter les rayonnements utiles noyés dans ce bruit de fond émanant des
rayonnements solaires, il est nécessaire de provoquer à un filtrage et une amplification.
Parmi les techniques qui permettent de filtrer ce bruit de fond indésirable et
d’amplifier le signal UV utile, nous nous intéressons aux photodétecteurs munis d’une
cavité de résonance.
L’objectif de ce travail est d’étudier les différentes structures de photodétecteurs et en

particulier, les photodétecteurs à Cavité de Résonance de Bragg Distribuée (DBR), qui
Introduction
consiste en un empilement périodique de puits et de barrières quantiques destiné à

produire une variation périodique de l’indice de réfraction dont l’épaisseur est ~ λ /2.
2400
Air masse zéro, 1353 W/m2.

1600
Air masse un, 925 W/m2.

GaAs (λc=1,1μm)
800 Si (λc=1,1μm)
Visible
0
0,2 0,8 1,4 2,0 2,6
Longueurs d’ondes (μm)
Figure 1 : Courbes représentant l’irradiance spectrale du Soleil en fonction de la

longueur d’onde : - Dans la haute atmosphère (Air Mass Zéro)
- Au niveau du sol (Air Mass Un).
En raison de leurs propriétés particulières, les semiconducteurs à grand gap (E g>3 eV),
constituent le meilleur choix pour la réalisation de ces photodétecteurs UV. Parmi ces
matériaux, les hétérostructures de nitrures GaN/AlGaN sont les plus performantes, en
raison de toute une série de propriétés : un gap direct, un coefficient d’absorption de
l’ordre de 4.104 cm-1 (λ< 360 nm), possibilité de modulation de la réponse spectrale du
détecteur et plus particulièrement son seuil de coupure, leur robustesse, leur résistance
mécanique, leur résistance thermique,…Ceci ouvre la possibilité de réaliser des
photodétecteurs UV très sélectifs, fiables, avec une longue durée de vie, capables de
fonctionner en atmosphère hostile.
Ce manuscrit est constitué de quatre chapitres. Le Chapitre I concerne une étude

comparative des différents types de photodétecteurs, avec leurs différentes structures
et leurs paramètres de base. D’abord le photoconducteur, ses différentes structures,
ses utilisations ainsi que les inconvénients qui lui sont inhérents. Ensuite on étudie
Introduction
d’autres photodétecteurs adaptés à la détection sélective : les photodétecteurs à

jonction p-n, p-i-n ou à Diode de Schottky. Nous abordons ensuite les structures qui
permettent d’améliorer la sélectivité : les photodétecteurs à hétérojonction, à
hétérostructures et enfin, les photodétecteurs à cavité de résonance.
Le chapitre II est consacré à une étude comparative des différents matériaux à grand
gap potentiels pour la réalisation de ce genre de photodétecteurs: SiC, Diamant, II-VI,
Nitrures III-N. On présente d’abord les structures à base de SiC avec leurs propriétés
particulières : la faible densité de courant d’obscurité et la présence des effets
persistants liés aux états d’interface respectivement. Le diamant qui présente des
caractéristiques excellentes, mais dont le prix et la petite taille du diamant naturel rend
son utilisation difficile. Nous présentons ensuite les semiconducteurs II-VI à grand gap
qui sont également des candidats potentiels mais qui présentent cependant des
inconvénients et, en particulier, leur énergies de cohésions trop faibles pour supporter
sans dommage les hautes températures. Enfin, nous abordons les nitrures qui
présentent des avantages prometteurs par rapport à tous les autres semiconducteurs :
une meilleure sélectivité spectrale due à leur gap direct, la possibilité de changement
de la longueur d’onde de coupure par changement de la fraction molaire de leurs
alliages ternaires, …etc.
Au Chapitre III, nous abordons les photodétecteurs Solar-Blind à cavité de résonance

de Bragg à base de GaN /AlGaN. Cette structure qui permet de filtrer les signaux
indésirables et d’amplifier les signaux utiles est présentée avec ses différentes étapes
de fabrication et ses performances : ses caractéristiques de réflectivité, son rendement
quantique, sa caractéristique I(V), et sa réponse spectrale.
Le Chapitre IV est consacré aux différentes applications des photodétecteurs UV et en

particulier, les photodétecteurs solar-blind de GaN/AlGaN. On présente leurs
utilisations très variées dans : la détection de flammes, la détection de missiles, les
communications UV, les communications radars, la navigation aérienne ainsi que les
applications médicales en dosimétrie.
Chapitre I Différents types de photodétecteurs
Chapitre I :
Etude comparative des différents types

de photodétecteurs
I. Introduction :
La détection dans le domaine visible ou ultra-violet (UV) présente un très grand intérêt
compte tenu des nombreuses possibilités d’applications dans les systèmes de
communications optiques à large bande passante (Téléphonie mobile, Internet haut-
débit, …), dans la détection de flammes, les systèmes de détection radar,…
Le paramètre essentiel d’un photodétecteur est sa détectivité qui est affectée, en

particulier, par le bruit interne et externe. En plus de ces facteurs, la détectivité UV et
visible est limitée par les signaux indésirables, en particulier, on peut citer le
rayonnement du soleil, les rayons cosmiques,…
Pour pallier à ces problèmes, on a du recourir à des structures et des matériaux qui
sont adaptés, à la fois, à ce domaine de longueurs d’ondes et aux limites citées plus
haut. Parmi ces structures, la mieux adaptée est l’hétérostructure GaN/AlGaN dite à
cavité de résonance de Bragg constituée par un empilement périodique de couches de
période nanométrique ou super-réseau permettant de réaliser une variation périodique
de l’indice de réfraction.
4
Le système GaN/AlGaN est particulièrement adapté aux exigences du photodétecteur

UV-Visible, non seulement en ce qui concerne les longueurs d’onde, mais également
et surtout, la résistance à des conditions extrêmes de fonctionnement (agressions du
milieu, entre autres).
La cavité de Bragg, quant à elle, elle a pour rôle de filtrer et d’amplifier les signaux.
Ce filtrage permet en particulier de s’affranchir des rayons du soleil dans la fenêtre de
photodétection : d’où le nom Solar Blind.
L’intérêt des photodétecteurs à base de nitrures est due d’abord à leurs capacités
uniques de détection qui couvrent la bande de longueurs d’ondes inférieurs à 400nm.
II. Définition :
Les photodétecteurs sont des composants à semi-conducteurs qui détectent les signaux
optiques par des processus électroniques [1]. Ces processus sont conditionnés par la
transition optique des porteurs de charges d’un état liée à un état de conduction. Ce qui
se traduit par l’augmentation de la conductivité du semiconducteur due à
l’augmentation de la densité de porteurs de charge libres et par conséquent la
génération d’un courant électrique d’ou la conversion des variations optiques en
électriques [2].
La sensibilité à une gamme de longueurs d’ondes est imposée principalement par la

bande d’absorption du matériau, notons que les effets thermiques ont un effet notable
sur la performance du détecteur. Le phénomène d’absorption de photons qui crée des
paires électron-trou (PETs) est verticale dans l’espace des k, donc il est souhaitable
que le matériau soit à gap direct [3]. D’autres part on peut utiliser des matériaux
composés dont l’avantage est qu’ils permettent d’ajuster les paramètres du détecteur
en fonction de la composition x de l’alliage.
Il existe différentes structures de photodétecteurs dont on peut citer :

- les photoconducteurs,
- les photodétecteurs à jonction p-n,
- les photodiodes p-i-n,
5
- les photodiodes de Schottky,

- les phototransistors et,
- les photodétecteurs à hétérojonctions.
Les paramètres essentiels d’un photodétecteurs sont :

- le rendement quantique η,
- le gain Γ,
- la réponse  et,
- la détectivité D*.
Parmi les applications des photodétecteurs, on peut citer les systèmes de

communication par fibre optique [0.8,1.6]m dont le principe de base repose sur
l’utilisation des photodétecteurs. Ainsi les photodetecteurs sont largement utilisés,
dans les ordinateurs, moniteurs de combustion ou environnementale, détection de
flammes et d’autres applications militaires et intersatéllitaires. Pour ces applications
les photodétecteurs doivent satisfaire plusieurs besoins comme : haute sensibilité à
des longueurs d’ondes opérationnelles, grande vitesse de réponse, minimum de bruit,
le fonctionnement sous des conditions sévères. Ainsi que les circuits électroniques
associés, les tensions d’alimentations et le prix sont aussi des éléments à considérés
[1].
III. Différents types de photodétecteurs :
ff.. Photoconducteur :
Parmis les structures types de photodétecteurs, il y a le photoconducteur qui est
représenté par un barreau semiconducteur de petite taille avec des contacts ohmiques
fixés aux extrémités opposés (voir figure 1). Un photoconducteur est considéré comme
une résistance électrique variable sous éclairement. Il absorbe tous les rayonnement
d’énergie supérieur au gap, par suite Eg fixe la limite minimale captée par le
photoconducteur [1], ce qui correspond à une longueur d’onde de coupure donnée
par : c(m)=1,24/Eg(eV). L’absorption de photons provoque un changement de la
6
conductivité du semiconducteur d’où le signal est détecté par un changement de la

tension développée à travers l’échantillon. Les photoconducteurs sont limités par la
densité élevée du courant d’obscurité et les effets persistants, donc ils ne présentent
pas une bonne sélectivité spectrale.
Munoz et autres [17] considère que le photoconducteur est régi par un mécanisme de
modulation du volume conducteur. Cette modulation est due aux défauts structuraux,
en particulier les dislocations qui introduisent des barrières de potentiel autour d’elles.
Alors la lumière provoque l’apparition de régions de déplétion et par suite la
modulation de la section de conduction [5]. Les défauts localisés aux discontinuités du
réseau créent des niveaux d’énergies dans la bande interdite et absorbent les radiations
visibles. La lumière totale absorbée par ces défauts peut être négligeable, mais ils
affectent profondément les mesures d’absorbance, car leurs effets sur la section
conductrice sont significatifs [6].
h
D contact ohmique
Courant
Fig. 1 : Mécanisme de détection dans un photoconducteur
Le taux de génération total par unité de volume s’écrit :
 Popt 
 h 
G   n . (1)
WLD 
7
où :
 : est le rendement quantique,
n : représente la densité de porteurs par unité de volume,
 : leurs durée de vie et,
Popt : est la puissance optique incidente.
Soit I ph le courant primaire définit comme le nombre de PETs crée par unité de temps
multiplie par q :
P 
I ph q opt  . (2)
 h 
Le courant qui circule entre les électrodes est donné par :
Popt  nE 
I p q   I  vn  I  . (3)
h  L  ph L  ph tr
Le gain de photocourant s’écrit :
I p  nE
   . (4)
I ph tr L
bb.. Photodétecteur à jonction p-n :

Le principe de fonctionnement des photodétecteurs à jonction p-n repose sur la
création de porteurs excédentaires à proximité de la jonction par l’absorption de
rayonnement. Après leur création dans la zone de charge d’espace (ZCE), les porteurs
libres sont soumis à la force de Coulomb imposée par le champ électrique interne et
par suite, les porteurs libres dérivent vers les zones de recombinaison prés des
contacts. Dans le cas ou la profondeur d’absorption optique est supérieure à la largeur
de la ZCE, on a ainsi création des paires électron-trou (PETs) dans les zones neutres.
Les porteurs minoritaires crées hors de la ZCE diffusent vers cette zone, ce qui crée un
courant de diffusion. Cette propriété de diffusion est un inconvénient crucial dans les
8
photodétecteurs à jonction p-n car elle induit des retards considérables dans la mesure
de la réponse spectrale. Donc le comportement du photocourant Jph est à la base du
principe de fonctionnement du photodétecteur [3].
La densité de courant total dans un photodétecteur à jonction p-n est donnée par :
J(Va ,) J D (Va ) J ph() . (5)

avec :
J D est le courant d’obscurité,
J ph est le photocourant,
Va est la tension appliquée.
La densité de courant d’obscurité J D dépend principalement de la tension Va tandis

que le photocourant J ph dépend principalement de la densité de flux de photons  .
Le gain courant dans les photodétecteurs de bonne qualité (largeur de la ZCE de
l’ordre de la profondeur d’absorption) est en général égale à l’unité sauf pour les
photodétecteurs à avalanche.
Donc le photocourant peut s’écrire :
I ph qAs . (6)
Le photoconducteur fonctionne souvent à polarisation nulle. Par contre, les

photodétecteurs doivent être polarisés pour fonctionner. Certains photodétecteurs sont
conçus pour fonctionner en polarisation directe, mais pour la détection très sélective de
très faibles signaux, les photodétecteurs sont conçus pour fonctionner en polarisation
inverse. C’est le cas des applications à très haute fréquences où les structures sont
prévues pour réduire le temps de transit du composant (à travers l’augmentation de la
vitesse des porteurs) et d’augmenter la région de transit pour réduire la capacitance de
la diode et ainsi la constante de temps RC. La vitesse est déterminée par une
combinaison du temps de transit et la constante de temps RC.
9
Pour les photodétecteurs à jonction p-n à base de matériaux à grand gap, la

concentration de porteurs minoritaires est très faible telle que la diffusion des porteurs
n’est pas le mécanisme dominant pour le courant d’obscurité. En général, la majeur
partie du semiconducteur contribue au courant d’obscurité qui provient des
mécanismes suivants :
- Diffusion des porteurs minoritaires dans la région n et p qui est négligeable
dans les semiconducteurs à grand gap.
- Génération thermique de porteurs dans la région de déplétion.
- Courant de fuite à travers la ZCE.
- Courant de fuite induit par les états de surface.
- Effet tunnel induit prés de la surface.
Le courant de diffusion est donné par :
I D  AJ s exp(qV kT )1. (7)
avec : J s est le courant de saturation donné par :
js  eni Dp  eni Dn .
2 2
(8)
Nd Lp Na Ln
Généralement, les photodiodes à jonction p-n sont conçues afin que le rayonnement
soit absorbé d’un coté de la jonction (région p par exemple) fig.37
Radiation
Contacts Champ Région de

n électrique déplétion
Fig.2 : Représentation schématique d’un photodétecteur à jonction p-n
10
En pratique, ceci est réalisé soit en amincissent la couche ou par l’utilisation d’une
hétérojonction dans laquelle l’énergie du gap de la couche fenêtre est plus grand que la
couche absorbante de sorte que la majeur partie du rayonnement incident peut
atteindre l’autre coté de la jonction sans être absorbé.
 Les principaux paramètres d’un photodétecteur sont :

1) Rendement quantique :
Le rendement quantique  est une mesure qui indique comment les photons sont
converties efficacement en un courant, c’est a dire  exprime la conversion du flux de
photons en flux de porteurs.
Dans les matériaux bien choisis (bonne qualité cristalline, bon substrat,…) presque
tous les photons qui pénètrent dans le semiconducteur sont absorbés. Donc le
rendement quantique interne i est proche de l’unité [4] . Le rendement quantique
externe ext est tel que :
i 1 R 1et 
ext  . (9)
1Re t
où :
R et  sont le coefficient de réflexion et d’absorption respectivement.
t : est l’épaisseur de l’échantillon semiconducteur.

p E n
h
ZCE
h
h
1 2 3
Fig. 4 : Principe de fonctionnement d’une photodiode à jonction p-n.
11
Avec un polissage bien réalisé, les matériaux du détecteur tendent à être fortement
absorbant, l’équation (9) se réduit à :
ext i 1 R 1 R  . (10)
Les principaux facteurs qui minimisent le rendement quantique sont les pertes par
réflexions sur la surface extérieure et les défauts structuraux qui induisent la
recombinaison des porteurs crées dans le volume et la recombinaison en surface ce qui
crée des courants de fuites. Pour optimiser le rendement quantique, on utilise des
couches antireflet. La passivation du composant par SiO2 contribue aussi à
l’augmentation du rendement quantique et à la réduction des courants de fuite [8][9].
2) Le gain de photocourant :
I p  nE
   . (11)
I ph tr L
Le gain  est défini comme le nombre de porteurs qui passe à travers le contact par
chaque paire électron-trou (PET) généré, il exprime le rapport entre le flux de porteurs
crée entre les deux contacts et le flux de photons incident. En d’autres termes, il est
défini comment efficacement les PETs sont utilisés pour crée r le courant électrique [1].
 dépend des caractéristiques du semiconducteur utilisé à travers : la mobilité des
porteurs qui agit directement sur leur temps de transit, la concentration et la nature des
pièges et impuretés qui imposent la durées de vie  . Ainsi  dépend de la différence
de potentiel appliquée qui conditionne la vitesse des porteurs.
3) La réponse :
La réponse est le paramètre qui mesure la variation de courant en fonction de la
puissance optique incidente. La réponse des photodiodes de Schottky à base de GaN
avec un contact semitransparent Ni/Au (10A°/100A°) reste de l’ordre de 10 mA/W
dans la bande spectrale 180-50 nm ce qui démontre l’efficacité de ces composants de
12
fonctionner dans le spectre VUV [7]. La vitesse de réponse est limiter par la
combinaison de trois facteurs :
o Temps de transit des porteurs dans la région d’absorption

o Diffusion des porteurs crée hors de la région d’absorption
o La constante de temps RC qui résulte de la capacité de jonction .
En effet, les porteurs généré en dehors de la région d’absorption doivent diffuser à la

jonction, ce qui en résulte un temps de retard considérable. Pour minimiser l’effet de
diffusion, on utilise des couches d’absorption de l’ordre de (1/α) d’épaisseur ou la
plus grande partie des photons incident sont absorbés, avec une polarisation inverse
suffisamment élevée, les porteurs doivent dériver jusqu'à leur vitesse de saturation.
Notons que la couche d’absorption ne doit pas être assez large cependant ou les effets
du temps de transit limite la fréquence de réponse, aussi elle ne doit pas être assez
étroite ou la capacité parasite C produit une constante de temps RC qui peut être
grande (R : la résistance de charge ). Le meilleur compromis se produit quand la
couche de déplétion est choisie telle que le temps de transit est de l’ordre de la moitié
de la période de modulation [1].
Vc V
Isat
Iph
En obscurité
Sous
éclairement
Fig.3 :
Caractéristique courant-tension
d’un photodétecteur à jonction p-n
13
4) Détectivité :
La détection d’un signal est un processus limité par la présence du bruit dans le
détecteur. Les principales sources de bruit sont le bruit thermique qui résulte de la
fluctuation des vitesses des porteurs à cause du mouvement thermique et des chocs que
subissent les porteurs (encore appelé bruit de Johnson ou bruit de Nyquist) et le bruit
résultant de la fluctuation de la densité de porteurs soit par le processus de génération-
recombinaison des porteurs, soit par le fait que chaque contact injecte ou capte le
courant électron par électron, avec une fluctuation dans la durée entre chaque
événement, c’est le bruit de grenaille (Shot Noise).
Le bruit dans un photodétecteur idéal peut être modélisé par :
I n2 2qI D 2I s 4kT G j G0  . (12)

avec :
I D  I s expqV / kT 1
 : est la largeur de bande de fréquence.

G j : est la conductance de la jonction.
G0 : est la valeur de G j à basse fréquence.
En régime de faible fréquences (ou en absence de polarisation et de flux de photons

externe), le bruit est égal au bruit de Johnson-Nyquist.
I n2  4kT  . (13)
R0
Typiquement, le gain photoélectrique dans une photodiode à jonction p-n est égal à
l’unité et par conséquent, la réponse est donnée par :
q m 
  . (14)
hc 1,24
La détectivité représente le rapport signal/bruit normalisé à une surface standard. Si A

est la surface sensible du photodétecteur, la détectivité est donnée par :
14
 A 
1/ 2
D* . (15)
In
et par suite :
1/ 2
q  A 
D*  . (16)
hc  2qI D  2I s 

Sous polarisation inverse et si la fluctuation du flux de rayonnement est négligeable I D

tend à  I s : ceci suggère que la performance de la photodiode peut être optimisée en
maximisant le rendement quantique  et en minimisant le courant inverse de
saturation I s . Afin d’améliorer les performances du détecteur, il est recommandé
d’écarter le contact arrière de plusieurs longueurs de diffusion loin de la jonction et de
concevoir le contact arrière de telle manière qu’il présente une faible vitesse de
recombinaison en surface. Ceci est réalisé en introduisant une barrière pour les
porteurs minoritaires entre le contact métallique et le reste du composant. Une
augmentation de la concentration du dopage ou de l’énergie du gap est un bon choix
pour cette barrière.
c. Photodétecteur à hétérojonction :
Une photodiode peut être utilisée en hétérojonction où la jonction est formée entre
deux semiconducteurs à gap différent. La mise en contact de deux semiconducteurs
différents permet d’échanger des porteurs libres, ce qui se traduit par la création d’une
couche dipolaire a laquelle est associée une barrière de potentiel (tension de contact
Vd) qui s’oppose à la diffusion des électrons et définit l’état d’équilibre. A l’interface,
les porteurs sont localisés dans un puit de potentiel très étroit représenté dans le
diagramme énergétique par la courbure des bandes permises [16]. La densité de ces
porteurs est fonction de la nature des matériaux, du dopage et de la polarisation de la
structure.
Un avantage des, photodiodes à hétérojonction est que les matériaux à large gap
peuvent être utilisés comme fenêtres pour la transmission de la puissance optique [1].
15
Les semiconducteur ternaires III-V comme : AlxGa1-xAs (gap direct pour x<0,4) que
l’on fait croître épitaxialement sur GaAs forment une hétérojonction avec des réseaux
dont les paramètres de maille parfaitement égaux de l’ordre de 5,653 Å. Cette
hétérojonction est importante pour les composés photoniques qui fonctionnent dans le
spectre des longueurs d’ondes de 0,65 μm à 0,85 μm.
d. Photodétecteur à hétérostructure :
Une hétérostructure est constituée d’une couche de semiconducteur 1 d’épaisseur L1
prise en sandwich entre deux couches d’un semiconducteur 2 d’épaisseur L2. Si des
porteurs libres sont crées dans une hétérostructure, ils sont confinés dans le puit de
potentiel que constitue la bande de conduction du semiconducteur1 (voir figure 5). Ce
type de structure permet d’avoir simultanément de grandes densités de porteurs et de
grandes mobilités.
L2 L1 L2
SC2 SC1 SC2
Ec
Ec
Eg2 Eg1
Ev
Ev
Fig.5 : Configuration des bandes de conduction

et de valence dans une hétérostructure de type I.
Si l’épaisseur L1 du semiconducteur 1 est faible (200 A°), les états électroniques ne

correspondent plus au bas de la bande de conduction (BC), mais sont quantifiés en
sous-bandes d’énergie. Le mouvement des électrons est quasi-libre dans le plan de la
structure et il est quantifié dans la direction perpendiculaire. L’énergie E des minima
des différentes sous-bandes est fonction de la profondeur et de la largeur du puits de
potentiel. En plus de leurs faculté de confiner des porteurs libres dans une faible région
16
de l’espace, les photodétecteurs à hétérostructures sont très rapides en raison de la

dégénérescence du semiconducteur qui forme le puits sans qu’il soit dopé (diffusion
des porteurs libres avec les centres ionisés est négligeable). La fonction d’onde des
électrons s’écrit :
.ikxxkyy.r.

rz.exp (17)
avec :

r  est une fonction de Bloch et
 z  est la fonction enveloppe qui décrit la quantification du mouvement suivant z.
Si le puits à une profondeur infinie, alors l’énergie totale des électrons dans le puit
s’écrit :
 2 k //2 2  2 2
Ek  Ec  n . (18)
2me 2me L2
n : est un entier et k//  k x2  k y2
Si le puits a une profondeur finie, l’énergie des électrons n’est plus négligeable devant
la hauteur de la barrière de potentiel, l’électron a une probabilité non nulle de se
trouver à l’extérieur du puits [16]. Les valeurs possibles de l’énergie E correspondant
aux différent valeurs de n s’écrit :
2m1 E E
L1  n  2Arcsin . (19)
 V0 (m1 m2 ) E(1 m1 m2 )
avec : V0=Ec la profondeur du puits, m1 et m2 sont les masses effectives des

électrons dans les semiconducteurs (1) et (2) respectivement.
Les hétérostructures p-i-n de AlxGa1-xN/GaN peuvent être conçues de telle manière
que la couche de AlxGa1-xN puisse agir comme un filtre passe-bas intégré, ce qui
produit une courte longueur d’onde de coupure qui correspond au gap de AlGaN
[10][11][12].
17
e. Photodétecteur p-i-n :
Un photodiode p-i-n est constitué par une région intrinsèque prise en sandwich entre
deux régions dopée n et p respectivement. Ces photodétecteurs sont les plus répandus
parce que l’épaisseur de la région d’absorption peut être choisie de façon à optimiser le
rendement quantique et la fréquence de réponse [1]. A des longueurs d’ondes proches
de c , la profondeur d’absorption devient très longue. En régime permanent, la densité
de courant total est :
J tot  J dr  J diff . (20)
J dr :est le courant de dérive, du aux porteurs photo-générés dans la région de
déplétion.
J diff :est le courant de diffusion, du aux porteurs photo-générés en dehors de la région
de déplétion
En supposant que le courant de génération thermique est négligeable et W p<< 1  ; le

taux de génération des paires électron-trou (PETs) s’écrit :
G(x)0ex . (21)
tel que : 0  Popt 1 R  Ah avec :

0 : est le flux de photons incident par unité de surface du composant,
R : est le coefficient de réflexion,
A : est la surface sensible du composant .
w
J dr qG(x)dxq0 1eW  . (22)
0
Pour : x>W, la densité de porteurs minoritaires dans le volume du semi-conducteur est

déterminer par l’équation de diffusion à une dimension :
 2 Pn Pn  Pn0
Dp  G(x)0 . (23)
x 2 p
18
où :
Dp est le coefficient de diffusion des trous dans la région n,
 p est la durée de vie des trous en excès et,
Pn est la densité de trous à l’équilibre.

0
L’équation (23) est résolue en utilisant les conditions aux limites. Alors :
 e
(W  x)
Lp
Pn Pn  Pn C1 e W C1 ex (24)
0 0
 0  Lp
Lp  Dp p et C1  
 Dp 1 Lp
2 2
La densité de courant de diffusion est donnée par :
J diff q0
Lp eW  qP Dp . (25)
1Lp n0
Lp
La tension appliquée est supposée être suffisamment élevée pour assurer la vitesse de
saturation vs des porteurs. On obtient la densité de courant total :
 j sV 1e jtr  j t

J tot   q1 e . (26)
 W j t r 
 
où V est la somme de la tension appliquée et la tension de contact. On en déduit la

densité de courant de court-circuit (V=0) :
J sc 

q1 1e jtr jt
e .
 (27)
j t r
Un compromis raisonnable entre la réponse à haute fréquence et un rendement

quantique élevé est obtenue pour une région d’absorption de 1  ou 2  d’épaisseur.
En général, les photodiodes à jonction p-n ont une vitesse de réponse plus faible que
les photodiodes p-i-n à cause de la forte contribution du courant de diffusion.
19
Popt VR
p i n (a)
RPopt Wp W Wn
Diffusion
des électrons
h
Popt EC
(b)
EV
Popt (1 R)e x Diffusion
des trous (c)
Fig. 6 :
Principe de fonctionnement d’une photodiode p-i-n. (a) Coupe latérale,
(b)Diagramme de bande d’énergie sous polarisation inverse,
(c)Caractéristique de génération des porteurs .
Une autre méthode pour augmenter à la fois le rendement quantique et la vitesse de

réponse est représentée à la figure (6). La lumière est incidente du coté parallèle de la
jonction : elle permet de frapper sous un angle qui crée de multiples réflexions à
l’intérieur du composant qui, par suite, augmente la profondeur d’absorption effective
et en même temps garde petite la distance de transit des porteurs [1].
h p+
i Couche
antiréfléchissante
n+
Fig.7 :
Photodiode p-i-n avec illumination
parallèle à la jonction
20
ff.. Photodiode à avalanche :

Les photodiodes à avalanche fonctionnent sous de hautes tensions de polarisation
inverse où la multiplication avalanche des PETs a lieu (ionisation par impact). Cette
multiplication donne une augmentation du gain de courant interne. Notons que le
mécanisme de multiplication amplifie ainsi le courant du signal à détecter ainsi que le
courant de fond et d’obscurité. Ce mécanisme permet d’augmenter la réponse du
détecteur à de faibles signaux.
Le photocourant amplifié d’une puissance optique efficace est identique à celui de
l’équation (2) à l’exception de l’addition du facteur de multiplicité ou gain
d’avalanche M. La moyenne du carré du courant de bruit de grenaille après
multiplication est donnée par :
is2 2q.(Ip  I B  I D) M 2  B . (28)
 is2 2q.( I p  I B  I D)M 2 F(M)B . (29)
<M2> est la moyenne du carré de la valeur du gain interne.

F(M)=<M2>/M2 est la mesure de l’augmentation du bruit de grenaille comparé a un
multiplieur silencieux idéal.
Le bruit thermique est le même que pour une photodiode p-i-n. Pour une modulation
de signal de 100 % avec une puissance moyenne P opt , le rapport signal-bruit en
puissance pour une photodiode à avalanche est :
1 (qPopt / h)2
(S / N) 2 . (30)
2q(I P  I B  I D)F(M)B  4kT B
M Req
2
D’après cette équation, on voit que le gain avalanche peut augmenté le rapport signal-
bruit et ainsi il y a une valeur optimum de M qui produit le rapport (S/N) maximum
pour une puissance optique donnée [1]. L’équation (29) peut être résolue pour une
puissance Popt utile pour produire un rapport (S/N) donné avec le gain avalanche tel
que :
21
 2
1
  
  I eq  
(Popt )min ( 2h )( S )11 . (31)
 N   qBF 2(M)( S )  
  N  

Ieq (IB  I D)F(M) 2kT/qR eq M 2. (32)
Dans le régime des hautes fréquences et pour une large bande de détection, la
puissance minimale détectable est limitée par le bruit de l’amplificateur. Dans ces
conditions la puissance équivalente au bruit est donnée par :
1
 2
NEP  2 h  I eq 2 . (33)
   qF (M)
Le gain avalanche peut sensiblement réduire la NEP. A basses fréquences, il est

donnée pour les électrons par :
1
 W  x  
M 1  n exp( n  p)dx'dx . (34)
 0  0  
ou : αn et αp sont les taux d’ionisation des électrons et trous respectivement.

Pour une tension de claquage qui correspond à (αnW=1), le processus régénérateur
d’avalanche résulte de la présence d’un grand nombre de porteurs dans la région de
champ fort longtemps après que les électrons primaires aient traversé cette région. Plus
le gain d’avalanche est élevé, plus le processus d’avalanche persiste longtemps
Pour des coefficients d’ionisations égaux et M tend vers l’infini, le produit gain
courant-largeur de bande vérifie :
gain -bandwidth  3 . (35)

2 av
Avec :  av 
t t 
n p
et tn W ; t p W
2 vn vp
22
tn et vn sont le temps de transit et la vitesse de saturation des électrons. tp et vp sont

celles des trous. Ainsi pour obtenir un produit gain-largeur de bande élevé, vn doit être
importante, (αn/αp) et W doivent être petits.
La multiplication pour les porteurs photogénérés peut être décrite par une relation
empirique :
I  I MD 1
M ph   . (36)
I p  I D   V  IR n 
1 R 
  VB  
tel que :
I est le courant totale multiplié.
Ip est le courant primaire totale (non multiplié).
ID et IMD sont le courant primaire et le courant d’obscurité multiplié, respectivement.
VR est la tension de polarisation en inverse.
VB est la tension de claquage et
l’exposant n est une constante dépendant du matériau semiconducteur, profil de
dopage, la longueur d’onde de la radiation.
Pour une intensité lumineuse élevée (Ip>>ID) et IR<<VB, la valeur maximale de la

photo-multiplication est donnée par :
M 
ph max I 
Ip
1
n
 1
nIR (37)
 V  IR  VB
1 R 
 VB  V R V B
M ph Max  VB
nI p R
. (38)
Quand le photocourant est plus petit que le courant d’obscurité, la multiplication

maximale est limitée par le courant d’obscurité qui est donnée par une expression
semblable a l’équation (44) en remplaçant Ip par ID. Cependant, il est important que le
23
courant d’obscurité soit aussi faible que possible de sorte qu’il ne limite ni M ph , ni la
puissance minimale détectée et qui est donnée par l’équation (37).
Le processus d’avalanche est statistique par nature, parce que chaque PET produite à
une distance donnée dans la région de déplétion n’éprouve pas la même multiplica-
2
tion [1]. L’excès de bruit peut être caractérisé par un facteur de bruit F(M) M 2 M
qui dépend du rapport des coefficients d’ionisation et le facteur de multiplication M de

faible fréquence.
Quand αn=αp , en moyenne seulement trois porteurs : l’électron et le trou primaire et
secondaire sont présents dans la région de multiplication pour chaque photoporteur
incident. Pour une injection d’électrons seulement, le facteur de bruit s’écrit :

F kM  2 1 1k 
M
 (39)
On assure que : (k ≡ αp/αn) est constant dans tous la région d’avalanche. Pour une
injection de trous seulement, l’équation (45) est applicable en remplaçant k par :
(k’= αn/αp). Le facteur de bruit pour l’injection des électrons est considérablement
inférieur que pour l’injection de trous à cause de αn qui est plus grand que αp dans Si.
Pour une photodiode à avalanche en général avec un champ électrique non uniforme,
les coefficients d’ionisation doivent être remplacés par des coefficients d’ionisation
effectifs dans l’équation (45).
W W
keff   p  x M  x .dx
2
 x M x dx. .
n
2 (40)
0 0
W W

keff' keff   px M x dx  xM xdx .
n (41)
0 0
Le bruit additionnel est introduit quand la lumière est absorbée par les deux cotés de la
jonction donc : des électrons et des trous sont injectés dans la région d’avalanche. Pour
cette raison, pour réaliser un faible bruit et une grande largeur de bande dans une
photodiode à avalanche, les coefficients d’ionisations des porteurs doivent être aussi
différents que possible et le processus d’avalanche doit être initié par le type de
24
porteurs qui possède le taux d’ionisation le plus élevé (i.e. minimiser la valeur de k ou
k’). Pour un bon fonctionnement des photodiodes à avalanche, on doit éliminer les
microplasmas, c.a.d : les petites surfaces dans lesquels la tension de claquage est
inférieure à celle de la jonction dans son ensemble. Ceci est obtenu en utilisant des
matériaux de faibles dislocations. Ainsi, en utilisant un anneau de garde pour éliminer
le courant de fuite le long des bords de la jonction du a l’effet de courbure de la
jonction ou de champ intense.
Pour des valeurs élevées de M, le rapport (S/N) diminue parce que le bruit d’avalanche
augmente plus rapidement que le signal amplifié.
Les photodiodes à avalanche de Si sont particulièrement intéressantes dans la gamme
des longueurs d’ondes de 0,6 à 1 μm, où le rendement quantique est presque 100 %
obtenue à partir des composants ayant une couche antireflet. Le rapport (k ≡ αp/αn)
dans le Si est fonction du champ électrique qui varie de 0,1 pour 3.10 5 V/cm à 0,5
pour 6.105 V/cm. Donc, pour minimiser le bruit, le champ électrique dans la région
d’avalanche devrait être bas et le processus de multiplication doit être initié par les
électrons. Dans les photodiodes à avalanche à base de nitrures la densité élevée de
défauts empêche des multiplications homogènes au-dessus de la surface active du
composant [14]. Il existe une structure hybride avec des photodiodes à avalanche III-
N/Si qui doit combiner les propriétés visible-blind de AlGaN et les propriétés
d’ionisation par impact favorable du Si [15].
gg.. Photodétecteur à cavité de Bragg :

La cavité de Bragg est représentée par une structure à multipuits quantiques constituée
par une succession de couches de deux semiconducteurs à gap différents [16], voir
schéma sur la figure 1. On obtient ainsi une structure à variation périodique de l’indice
de réfraction, de telle sorte quelle présente une bande permise pour la réflexion de
l’onde électromagnétique. Cette bande permise est constituée par l’interférence
additive de toutes les réflexions partielles.
La loi de Bragg impose une condition nécessaire sur l’onde transmise. Donc, la
géométrie de la cavité permet d’améliorer la sélectivité spectrale.
25
BC
sc1 sc2 sc1 sc2 sc1 sc2 sc1 sc2 sc1

BV
Fig.8 : Structure à multipuits quantique de type I.

Où les trous et les électrons sont confinés dans le
même matériau qui forme le puits : SC1
Lumière blanche
Fig.9 :Représentation schématique

d’un filtre interférentiel par
transmission
Lumière
quasi-monochromatique
Par analogie, si des plans atomiques sont distribués parallèlement (figure 1), alors la
différence de marche entre les rayons diffractés sur deux plans successif est :
 2d.sin avec (  : angle d’incidence).
Si  est égale à un nombre entier de la longueur d’onde, les vibrations diffractées
s’amplifient deux à deux, en particulier pour un filtre interférentiel, l’appareil ne laisse
passer que certaines radiations qui vérifie la loi de Bragg.
2d. sin   n . avec : n   (42)
Les radiations transmises se présentent sous forme de raies brillantes dont le contraste
avec le fond est d’autant plus grand que le coefficient de réflexion r des couches est
grand. Alors en choisissant convenablement d , on peut laisser telles ou telles
26
radiations que l’on désire. La position du maximum de la bande passante peut

légèrement se déplacer si l’incidence est décalée par rapport à la normale.
70 nm N-GaN
130 nm N-Al0,2Ga0,8N
300 nm N+Al0,2Ga0,8N
200 nm u.i.d. Al0,2Ga0,8N
20 paires miroires de Bragg AlN/Al0,2Ga0,8N
Substrat sapphir
Fig.10: Photodiode Schottky à cavité résonante à base de AlGaN
Le mirroir inférieur de la cavité résonante a été constitué par 20couches de paires

AlN/Al0,2Ga0,8N accordées autour de 330 nm : toutes les couches de la cavité sont
transparentes pour   330 nm à l’exception de la couche d’absorption de GaN. Une
couche d’épaisseur 300 nm fortement dopée (n=2.1018 cm-3) de Al0,2Ga0,8N a été
conçus comme contact ohmique.
L’intérêt des photodétecteurs à cavité résonante de Bragg est que la longueur d’onde
de détection est ajustable en fonction de la largeur du puits quantique et de la
composition x de l’alliage AlxGa1-xN.
IV.Conclusion :
La détection est la conversion d’un signal optique en un signal électrique qui se
produit en passant par un ensemble de processus. Ces processus sont liés à la structure
du composant et à l’application voulue. L’amplitude élevée du bruit dans un
photoconducteur impose l’utilisation des photodétecteurs à jonction p-n. De même le
retard considérable dans le temps de réponse impose l’utilisation des photodétecteurs
p-i-n et à avalanche dans lesquelles on peut augmenter la tension de polarisation et par
suite la vitesse des porteurs, mais encore la présence du bruit et la diversité des
27
applications a amené les physiciens à imaginer d’autres structures et d’autres

matériaux. Parmis ces structures, la cavité à résonance de Bragg permet de résoudre
plusieurs problèmes de détection notamment celui le bruit de fond. Donc elle présente
une meilleure monochromaticité. Les différents matériaux utilisés dans l’élaboration
des composants sont traités dans le chapitre II.
28
Références
[1] S.M.Sze « Semiconductors Devices Physics and Technology ». At. Bell, Marry HILL.
New Jersey. May 1985
[2] Emmanuel R, Borge V, Optoelectronique, 2ième édition, Dunod, Paris, 2002
[3] Mébarki M. Thèse de docteur d’état : Réalisation et étude de structure épitaxies III-V à
base de GaSb : Application à la photodétection. Académie de Montpellier 1989.
[4] Irène et Joindot M, Les Télécommunications par fibres optiques, Dunod et CNET-ENST,
Paris, 1996.
[5] Garrido. J. A, Monroy E, Izpura I and Munoz E 1998 Semicond. Sci.Technol 13 563
[6] Monroy E, Calle F, Pau JL, Sanchez FJ, Munoz E, Omnès F, Beaumont B and Gibart P
2000 J. Appl. Phys. 88 2081
[8] Motogaito A, Ohta K, Hiramatsu K, Ohuchi Y, Tadatomo K, Hamamura Y and Fukui K
2001 Phys. Status Solidi a 188 337
[9] Adivarahan V, Simin G, Yang JW, Lunev A, Kahn M A, Pala N, Shur M and Gaska R
2000 Appl. Phys. Lett. 77 863
[10] Monroy E, Calle F, Pau JL, Munoz E, Verdu M, Sanchez FJ, Montojo M T, Omnès F,
Bougrioua Z, Moerman I and San Andrés E 2001 Phys. Status Solidi a 188 307
[11] Pulfrey D L and Nener B D 1998 Solid-State-Electron. 42 1731
[12] Yang W, Nohova T, Krishnankutty S, Torreano R, McPherson S and Marsh H 1998
Appl. Phys. Lett. 73 1086
[13] Tarsa E J, Kozodoy P, Ibbetson J, Keller B P, Parish G and Mishra U 2000 Apll. Phys.
Lett. 77 316
[14] Osinsky A, Shur M S, Gaska R and Chen Q 1998 Electron. Lett. 34 691
[15] Ruden P P 1999 Proc. SPIE 3629 174
[16] Henry Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants electroniques, Dunod,
Paris, 5ième édition 2001.
29
Chapitre II Etude comparative des matériaux à grand gap utilisés
Chapitre II :
Etude comparative des matériaux à grand

gap utilisés
I. Introduction :
La détection des rayonnements ultra-violet (UV) (λ<400 nm) présente de nombreuses
applications tant dans les domaines civils que militaires. La plupart de ces applications
nécessitent des détecteurs sensibles aux rayonnements UV, mais en même temps
insensibles aux rayonnements visibles et Infra-Rouge (IR).
L’inconvénient principale des photodiodes UV à base de Si est lié à la spécificité du

silicium, qui est un semiconducteur à gap indirect (E g=1.12 eV) de sorte que son
rendement radiatif est faible, ce qui entraîne une faible sensibilité du détecteur. Ainsi,
le maximum de sensibilité du Si se situe au voisinage de 700 nm, ce qui le rend
sensible au rayonnement solaire.
L’utilisation de ces détecteurs UV en présence du soleil nécessite donc l’adjonction de

filtres pour bloquer les rayons visibles et IR, le dispositif devient alors à la fois
complexe, volumineux et cher. D’autres parts ces composants sont qualifiés pour
fonctionner à des températures inférieures à 70°C. Or pour certaines applications, les
composants doivent avoir à supporter des températures de l’ordre de 650°C ou plus.
30
Le fonctionnement des composants à haute température est limité par plusieurs

contraintes. Une contrainte importante est la densité de porteurs intrinsèques qui varie
exponentiellement avec la température, ces porteurs thermiques augmentent les
courants de fuites et en outre lorsque leurs densité devient comparable aux
concentrations de dopants, le contrôle de la charge d’espace dans le composant devient
impossible.
D’autres types de problèmes associés au hautes températures résultent de la diffusion

des espèces chimiques constituant les dopages qui détruit la spécificité du composant.
D’autres problèmes sont liés à la stabilité des contacts ohmiques. D’autres contraintes
enfin sont liées à la dilatation thermique du réseau.
Donc pour prolonger le fonctionnement des composants à hautes températures on est

obliger de trouver une solution technologique pour optimiser les propriétés des
matériaux classiques (Si, GaAs). Mais à mesure que les besoins évoluent vers des
conditions de plus en plus hostiles on est limités par la barrière infranchissable des
propriétés intrinsèques de ces matériaux et de ce fait la recherche d’autres matériaux
capable de fonctionner dans de telles conditions est nécessaire [1].
Dans ce domaine, les semiconducteur à grand gap (E g>3 eV) constituent les matériaux
de choix. Ces matériaux qui peuvent détecter des rayonnements UV sont naturellement
protégés du soleil. Ils sont performants pour la réalisation des composants à haute
température pour toute une série de propriétés, d’abord leurs densité de porteurs
intrinsèques reste toujours faible jusqu’à 1000°C, leurs énergie de cohésion leurs
permettent de supporter des températures élevés, leurs bonne conductivité thermique
permet une dissipation efficace de la chaleur en régime passant et leurs tensions de
claquage élevée permet le fonctionnement à haute tension inverse .
Les semiconducteurs à grand gap les plus répandus sont : le diamant (C), le carbure de
silicium (SiC), les composés III-N ( GaN, AlN, InN, BN ), et certains semiconducteurs
II-VI comme ZnS, ZnSe et leurs alliages.
31
II. Carbure de silicium SiC :

En raison de sa composition chimique, les propriétés du SiC sont intermédiaire entre
celles du diamant et du silicium (Eg, Vc, εr, …). L’une des propriétés les plus
remarquables de SiC est sa faculté d’exister sous de très nombreux polytypes,
favorisés par une faible énergie de formation des défauts d’empilement. La largeur du
gap du SiC varie selon le polytype de 2,4 à 3,1 eV à température ambiante [2].
Les divers polytypes sont différenciés par la séquence d’empilement des bicouches
Si-C. Trois types de symétries existent: cubique C, hexagonale H et rhomboédrique R.
En raison de sa symétrie, la masse effective et par suite la mobilité des porteurs est
anisotrope. Cette anisotropie est nulle dans le polytype cubique, elle est faible dans le
polytype 4H et plus importante dans le polytype 6H [1].
Le processus de dopage sélectif généralement utilisé est l’implantation ionique. Le

choix du site occupé par un agent dopant est en grande partie déterminé par les tailles
relatives de l’atome dopant et de l’atome substitué Si ou C.
La conduction peut être contrôlée par le dopage avec Al pour un SiC de type-p et N
pour un SiC de type-n, respectivement. Le comportement des atomes d’impuretés
dépend de la symétrie autour du site substitué, cette symétrie détermine l’énergie
d’activation de l’impureté et par conséquent tous les autres paramètres comme le
coefficient de capture ou d’émission de l’impureté,…etc. Notons que la différence
d’électronégativité entre le Si et le C est de l’ordre de 0,7 eV, donc la densité d’états
d’interface est relativement importante de sorte que le comportement du contact est
conditionné de façon non négligeable par l’état de charge de ces états [1] .
Le champ de claquage est de 1.2 , 2 , 3.8 106 V/cm pour SiC-3C, 4H, 6H
respectivement soit environ 10 fois celui du Si [1]. Les photodiodes SiC à jonction pn,
sont fabriquer à partir du polytype SiC-6H qui croître homoépitaxialement sur un
substrat SiC-6H type p avec une résistivité de 1 à 10 Ω.cm. La couche n+ fortement
dopée (~1019 cm-3) est de 0,35 μm d’épaisseur, on utilise des contacts métalliques d’Al
et Ni pour les cotés p et n respectivement qui sont allier à SiC à 850-900°C pour
obtenir les contacts ohmiques. L’avantage des photodiodes SiC pour la détection dans
32
UV est leur tés faible courant inverse qui est de l’ordre de 10-11Acm-2 et une tension
de –1,0V même à T=200°C figure 1.
10-7
10-8
10-9
10-10 473°K
523°K
573°K
10-11 623°K
0 2 4 6 8 10 12
Tension inverse (V)
Fig.1 : Densité de courant d’obscurité dans

une photodiode à base de SiC à différentes
températures.
Typiquement la réponse présente un pic qui s’étend dans le spectre 150-175 mA/W à
270 nm qui correspond à un rendement quantique de 70 à 85 %. Une augmentation
opérationnelle de la température correspond à un déplacement vers le rouge du spectre
de la réponse fig.2. Ceci est plus probable à produire par le changement de la longueur
de diffusion avec la température [3]. La caractéristique d’une diode p +n mésa à la
température ambiante est représentée sur la fig.3. La tension de claquage est voisine de
4,5 kV avec un courant de fuite inférieur à 1 μA sous 1 kV inverse. Quand la tension
inverse augmente, le courant de fuite augmente pour atteindre environ 2 mA, sous une
tension inverse de 4,5 kV. Le rendement quantique externe est faible ~20% due à la
faible longueur de diffusion des trous ~0,1μm et les pertes optiques à l’interface de
Au-SiC.
33
250
200
150
100
50
0
200 250 300 350 400 450
Longueur d’onde (nm)
Fig.2 : Effet de la température sur le

spectre de la réponse d’un photodiode
SiC
J (A/cm2)
Diode à jonction p+n 400

SiC-6H 300
Fig.3 :Caractéristiqued’une 200
diode haute tension p+n sur 100
SiC-6H -4000 -2000 0
10
-100 V (V)
Les performances d’une diode Schottky sont essentiellement conditionnées par la

hauteur de la barrière Schottky. La pente de variation de la hauteur de barrière avec le
travail de sortie du métal eΦm est alors mesurée par un coefficient γ appelé indice de
comportement de l’interface. La hauteur de la barrière varie linéairement avec le
travail de sortie du métal, mais avec un coefficient γ de l’ordre de 0,5 à 0,6. Cette
valeur traduit un certain ancrage du niveau de Fermi du semiconducteur par les états
d’interfaces [1].
34
Tableau 1 : Hauteurs de barrière mesurée sur les couples M-SiC-3C(n) [Waldrop.J.R.1990]

Métal Pd Au Co Ti Ag Tb Al
Ebn(eV) 0.9 0.8 0.7 0.5 0.4 0.3 1.6
Tableau 2 : Hauteurs de barrière mesurée sur les couples M-SiC-6H(n) sur face Si
[Waldrop.J.R.1990].
Métal Pd Au Ag Mn Mg Ti Ni Al
Ebn(eV) 1,2 1,4 0,9 0,9 0,3 0,7 1,2 1
Tableau 3 : Hauteurs de barrière mesurées sur les couples M-SiC-6H(p) sur face Si
[Waldrop.J.R.1990].
Métal Pd Ni Au Ag Mg Ti Al
Ebn(eV) 1,6 1,6 1,4 1,7 2,6 2,1 2,5
En ce qui concerne SiC-3C de type-p, aucun effet redresseur n’a été observé,
probablement à cause de la plus faible qualité cristalline de type-p par rapport à type-n.
Les hauteurs de barrières mesurées sur les couples M-SiC-4H(n) avec M=Au, Ni et Ti
sont respectivement 1.7, 1.6, 1eV sur face Si et 1.8, 1.6, 1.2eV surface carbone
[Itoh.A. 1995-1996] [1]
Les valeurs élevées des hauteurs de barrières Schottky (>1 eV) permettent d’obtenir
des tensions de blocage supérieurs à 1kV. En polarisation inverse la diode Schottky
Au-SiC(n) du polytype 6H présente toute fois une tension de blocage de 460 V à
400°C.
Sur le polytype 4H les diodes Schottky Ti-SiC(n), présentent des tensions de blocages
de l’ordre de 1,7 kV avec des courants de fuites de l’ordre de 1 mA/cm2 à 1kV inverse.
Les diodes à SiC-4H, peuvent bloquer des tensions inverses de l’ordre de 103V, avec
une résistance passante de l’ordre de 10-3 Ωcm2. Les performances obtenue peuvent
être améliorées notamment par une meilleur qualité des matériaux et des interfaces.
Généralement, les états d’interfaces sont reliés au nombre de coordination du plan

d’interface, ce qui explique la densité importante d’états d’interface dans les structures
SiC-SiO2 (1011-1012 cm-2) car le SiC a une plus grande densité superficielle d’atomes
que le Si (environs deux ordres de grandeurs). Dans le cas du système SiC-SiO2, la
présence des états d’interface est liée d’une part à la valeur élevée du gap de SiC, car
les défauts localisées dans l’oxyde au voisinage de l’interface ne sont électriquement
35
actifs que s’ils sont énergétiquement situés dans le gap du semiconducteur et puisque
ces états introduisent des niveaux d’énergies dans le gap du semiconducteur leurs
densité est proportionnel à Eg.
D’autres part, les états d’interfaces dans SiC-SiO2 sont liés à la présence d’atomes de
carbone. Ceux-ci augmentent la complexité du processus d’oxydation et peuvent
potentiellement générer des défauts spécifiques comme une graphitisation partielle de
l’interface.
III. Diamant :
Le diamant possède une conductivité thermique et une vitesse de saturation
exceptionnelle, une mobilité très élevée des porteurs et le plus petit constante
diélectrique de tous les semiconducteurs connue. Ces propriétés le rendent le modèle
de mérite pour les opérations à haute température, haute puissance et haute fréquence.
Cependant le prix et la petite taille du diamant naturel rend son utilisation difficile.
D’ou le recours aux nitrures.
1020 ni (cm-3) Slicium

GaAs
1016 GaP
SiC-6H
1012 GaN
Diamant
108
104
T (°C)
1
0 200 400 600 800 1000 1200
Fig.3 : Densités de porteurs intrinsèques en fonction

de la température dans différents semiconducteurs.
Le diamant peut croître hétéroépitaxialement par déposition en phase vapeur CVD sur
le Si. L’énorme désaccord de maille qui en résulte fait apparaître une importante
densité de dislocations et joints de grain qui ont un effet notable sur les performances
36
du composant. Le dopage type-p est réalisé par le bore B, avec une énergie
d’activation de 0,37eV, cette valeur signifie que les accepteurs ne sont totalement
ionisés que pour des températures typiquement supérieurs à 500°C, or à cette
température la mobilité des trous chute approximativement à 125 cm 2V-1s-1. Le dopage
type-n est difficile à cause de l’entassement et la rigidité du réseau du diamant qui
empêche l’incorporation d’atomes plus grands que l’atome de carbone. Une
incorporation efficace du P est seulement réalisée pour une surface orientée dans la
direction la moins dense (111) [4][5][6] . L’impossibilité actuelle de le doper n et la
valeur élevée de l’énergie d’activation des accepteurs limite son utilisation à des
températures supérieurs à 500°C.
Tableau 4 : Les paramètres de base des semiconducteurs pour la détection dans UV.
SiC SiC- SiC-

si GaAs GaP Diamant GaN AlN ZnS ZnO ZnSe CdS
-3C 4H 6H
1.43 3.39 6.2 3.6 3.35 2.82 2.50
Eg(eV) 1.12
direct
2.27 2.39 3.2 2.86 5.5
direct direct direct direct direct direct
Conductivité
thermique 1.5 0.5 1.1 3.2 4.9 4.9 20 1.3 3.19 0.18
(Wcm-1K-1)
Point de
1683 1513 1740 2830 2830 3773 1100 1750
fusion (K)
Vitesse de
saturation 1 2 1.25 2 2 2.7 2.5 1.4
(107cms-1)
Mobilité des
électrons 1400 8500 350 1000 950 400 2200 1000 135 165 200 340
(cm2V-1s-1)
Mobilité des
trous 600 400 100 50 120 75 1600 30 14 5 180 340
(cm2V-1s-1)
Constante
11.8 12.5 11.1 9.7 9.7 9.7 5.5 8.9 8.5 9.6 9.1 5,4
diélectrique
Champ de
claquage 3 6 10 20 20 24 100 26 20
(105Vcm-1)
Les structures planaires à base de diamant profitent de la bonne qualité des couches
superficielles pour réaliser une réponse maximale, puisque la longueur de pénétration
de la lumière est inférieur à 1 μm pour des photons d’énergies E<1 keV. De tels
détecteurs présentent un spectre de coupure régulier et des effets de photoconductivité
37
persistante. Après un traitement spécial de la surface [7] le spectre de coupure devient

pointu et le temps de réponse est réduit à quelques dizaines de nanoseconds.
Les photodiodes Schottky à base de diamant sont fabriquées en utilisant des contacts
Schottky de faible épaisseur ~100A° en or (Au) et des contacts ohmiques de Ti/Ag/Au.
Ces photodiodes présentent un faible courant de fuite <2 pA à une tension inverse de –
50V et un temps de réponse <2 ns pour une résistance de charge R L=50 Ω. Les
photodiodes Schottky à base de diamant peuvent fonctionner à des températures
jusqu’à 1000°C [8].
IV. Semiconducteurs II-VI :
Les semiconducteurs II-VI comme ZnS, ZnSe et leurs alliages sont des
semiconducteurs à grand gap, mais ils présentent généralement des énergies de
cohésions trop faibles pour supporter sans dommage les hautes températures . Les
alliages de ZnMgBeSe présentent un gap direct, qui peut être régler entre 2,7 et
3,8 eV. Ces composants peuvent croître avec des réseaux égaux sur GaAs(100) avec
une densité de défauts inférieurs à 103 cm-2 . En outre ZnSe a un dopage résiduel de
type-n dans le spectre de 0,5-1 1015 cm-3 et peut être facilement dopé (n) avec Al ou
Cl. D’autre part ZnS0,95Te0,05 à un paramètre de réseau égal a celui de GaP (100) qui
assure une faible densité de dislocations.
Les photodiodes de Schottky sont fabriquées sur ZnSe, avec un contact de Schottky
semi transparent de Ni/Au (50 A°/50A°) réalisant ainsi une réponse de 0,1 AW -1 à 460
nm et une détectivité de 1,3.1013 cmHz1/2 W-1 à une polarisation de –10V (pour: RL=50
Ω et une surface active de 5 mm2) [9][10].
Les photodétecteurs à base de ZnSSe, consistent en un contact de Schottky semi-

transparent de 100A°d’épaisseur qui présente une coupure aigu qui peut être réglée
dans le spectre 350-460nm avec des pics de réponses pointus autour de 0,1 AW-1 [11].
Les composants à base de ZnS0,95Te0,05 présentent aussi un pic de réponse de
0,13 A/W-1 à 320 nm [12], avec un temps de réponse limité par RC de l’ordre de 12 ns
à une polarisation nulle (surface active de 400x400 μm2). Cependant l’incorporation de
38
Te conduit à une coupure spectrale régulière due au effets de pièges isoélectroniques

de Te [11].
ZnO présente un réseau égal à celui de GaN. ZnO est souvent utilisé dans la
fabrication de détecteurs en tenant avantage de leurs constante piézo-électrique élevé.
Les photoconducteurs à ZnO, consistent à deux contacts ohmiques d’Al sur ZnO dopé-
n qui croître par MOVPE [13].
A une polarisation de 5 V, ces composants présentent un courant d’obscurité de 450

nA, une réponse de l’ordre de 400 AW-1 et un temps de réponse de 1,5 μs.
V. Matériaux III-N :
V.1. Introduction : Les matériaux III-N (Nitrures) cristallisent sous deux structures
cristallines différentes : phase cubiques (-III-N) oû hexagonales (-III-N). La phase
hexagonale est la phase stable obtenue dans les conditions habituelles de croissances
[1].
(A) (B)
Fig.4 : (A) Arrangement des atomes dans la maille élémentaire de GaN hexagonal.
(B) Structure cubique du GaN dont le motif comprend deux atomes, un atome Ga en (000) et
N en(½ ½ ½). Les atomes N occupent les sites octaédriques. La flèche indique un site
tétraédrique (¼ ¼¼) virtuel .
Les nitrures d’éléments III possèdent en générale un gap direct. Notons qu’au point ,
le couplage spin-orbite divise le haut de la BV en deux niveaux pour la phase cubique.
39
L’un correspond aux bandes de trous lourds (HH) et au bandes de trous légers (LH)
dégénérés, le second correspond à la bande de trous split-off (SH) décalée de s0 par
rapport au premier niveau. En plus du couplage spin-orbite, il existe pour la phase
hexagonale un champ électrique nommé champ cristallin provenant de la non cubicité
de cette phase qui va lever la dégénérescence au point  des trous lourds et des trous
légers ceci va créer trois niveaux énergétiques sur le haut de la BV conduisant ainsi à
l’existence de trois excitons pour la phase hexagonale. L’énergie de liaison de
l’exciton est relativement élevée dans GaN, de l’ordre de 30 meV, ceci autorise donc la
présence d’excitons dans GaN à température ambiante [14].
0,75 eV 1,95 eV 1,13 eV

AlN GaN AlN InN GaN InN
0,73 eV 1,37 eV 0,70 eV
0,0 % 3,4 % 0,0 % 13 % 3,4 % 13 %
Fig 5: Diagrammes énergétiques de différentes hétérojonctions déposées sur substrat AlN.

Les désaccords paramétriques avec le substrat de AlN sont précisés. ( Bernholc J –1996 )
GaN et AlN ont des mailles voisines, mais InN présente avec ces derniers des
désaccords paramétriques conséquents. Les hétérostructures réalisées avec ces
matériaux sont donc soumises à des contraintes d’interface importantes qui
conditionnent partiellement la distribution des discontinuités du gap entre les bandes
de valence et de conduction. Dans les couches de nitrures comme GaN, des densités de
dislocations de l’ordre de 108 à 1010 cm-2 semblent peu affecter les performances
optoélectroniques, cette propriétés pourrait être lié à la faible longueur de diffusion des
porteurs compte tenu de la structure fine des couches qui se présente sous la forme de
colonnes verticales de monocristaux dépourvus de dislocations [1]. Dans les nitrures,
en raison du type de la liaison polaire, III-N, la piézoélectricité est importante. Les
électrons sont essentiellement localises sur l’atome d’azote, les constantes
piézoélectriques des nitrures sont prés de dix fois supérieures à celles des composés
III-V et II-VI conventionnels [1].
40
Tableau.5 : Composantes du tenseur piézoélectrique des composés III-V (en C/m2). Pour les
matériaux cubiques e14 e33 2 3
AlN GaN InN AlP GaP InP AlAs GaAs InAs AlSb GaSb InSb
e33 1,46 0,73 0,97 0,04 -0,07 0,04 -0,01 -0,12 -0,03 -0,04 -0,12 -0,06
e31 -0,60 -0,49 -0,57 -0,02 0,03 -0,02 0,01 0,06 0,01 0,02 0,06 0,03
V.2. Substrat : Un des points clefs dans la croissance de couches cubiques et

hexagonales de bonne qualité est le choix du substrat. La croissance des nitrures est de
l’hétéroépitaxie et par suite il existe une différence importante de paramètres de maille
entre le substrat et la couche épitaxiée, d’oû l’apparition de contrainte à l’intérieur des
premières mono-couches déposées. La relaxation de cette contrainte d’interface
provoque la formation de défauts structuraux tels que les dislocations.
Afin de résoudre ce problème, on peut utiliser une couche « tampon » comme pseudo-
substrat à l’intérieur de laquelle la contrainte est relaxée. Malgré l’emploi d’une telle
solution il reste toujours à l’intérieur des couches une contrainte résiduelle, celle ci
provient de la différence de coefficient de dilatation thermique entre la couche et le
substrat [15].
Les substrats les plus utilisés sont d’une part le saphir (Al 2O3) qui est facilement
disponible, peu cher et de bonne qualité cristalline et d’autres part le carbure de
silicium SiC qui est mieux adapté en maille que le saphir, mais il est relativement cher.
Le désaccord de maille (Al2O3/GaN) est de l’ordre de 30%, en outre la différence du
coéfficient de dilatation thermique est environ 35% , ce qui entraîne la présence d’une
grande densité de dislocations (1010 cm-2). En ce qui concerne le substrat SiC, les
conditions d’épitaxie sont plus favorables, le désaccord de maille n’est que 3,5% avec
GaN et inférieur à 1% avec AlN, en outre le SiC comme les nitrures présente des
coordinations tétraédriques et des surfaces polaires de types Si ou C. Les couches de
GaN élaborées sur SiC, par l’intermédiaire d’une couche tampon de AlN sont de
meilleure qualité que les couches élaborées sur saphir, les mobilités des porteurs par
exemple y sont deux fois supérieurs [1]. Le GaN est aussi élaboré sur divers autres
41
substrat tels que Si ou GaAs qui sont largement disponibles, oû ZnO avec lequel il
présente un désaccord paramétrique de 2%
Eg (eV)
8
SiC-6H GaP(111) Al2O3 Substrats
7 ZnO
BN AlN
6
Diamant
5 MgS
4 MgSe MgTe
ZnS
GaN ZnSe ZnTe
3 CdS
CdSe CdTe
2 InN
Si
1 Ge a(Å)
2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5
Fig.6 : Gaps et paramètres de maille des nitrures III-N et des composés II-VI
à grand Gap. Mailles de certains substrats utilisés dans l’épitaxie des
nitrures.
V.3. Dopage : Le GaN non dopé est naturellement de type n, ce dopage résiduel
résulte d’une contamination probablement à l’oxygène ou au Si qui donne des niveaux
donneurs peu profonds. Le dopage n est réalisé avec Si dont l’énergie d’ionisation est
de l’ordre de 60 meV, Si se met en site gallium à relativement basse température et
devient électriquement actif après un recuit à haute température. Le dopage p pose
généralement un problème dans les semiconducteurs à grand gap, car les énergies
d’ionisation des accepteurs sont toujours relativement élevées. L’accepteur le moins
profond dans GaN est Mg, son énergie d’ionisation est comprise entre 150 meV et
170 meV [1].
42
V.4. Contacts : Les contacts ohmiques sur GaN de type n sont généralement réalisés
par métallisation de type Ti-Al, Ti-Ag, Ti-Au ou même Ti-Al/Ni-Au, assortie d’un
recuit thermique rapide à 900°C pendant quelques secondes. Pendant le recuit, l’azote
d’interface est extrait de GaN et réagit avec Ti pour former TiN. Cette migration crée
parallèlement des lacunes d’azote qui surdopent n la région sous le contact. Cette
technique donne des contacts de faible résistance mais thermiquement peu stables [1].
Sur GaN type p, les contacts ohmiques sont plus difficiles à réaliser en raison de la
valeur considérable du travail de sortie de GaN type p.
V.5. Propriétés des nitrures : Les nitrures sont des matériaux durs mécaniquement et
presque inertes chimiquement, ce qui les rend particulièrement stables à haute
températures et dans des environnement hostiles. En contre-partie, cette stabilité
complique d’une part leur dopage, et d’autres part, les différentes étapes des processus
d’élaboration des composants.
Tableau.6 : Paramètres spécifiques des semiconducteurs à grand gap.

p
n Ec vs K 
Eg (eV) r (cm2/V 6 7
(cm2/Vs) (10 V/cm) (10 cm/s) (W/cmK) (10-6 K-1)
s)
Si 1,15 (i) 11,8 1350 450 0,3 1 1,54 2,6
GaAs 1,42 (d) 12,8 8500 400 0,4 1 0,5 5,8
SiC-3C 2,40 (i) 9,6 800 40 1,2 2 3,2
SiC-4H 3,26 (i) 10 1000/650 115 2 2 3,7
SiC-6H 2,86 (i) 9,7 400/50 100 3,8 2 4,9 2,9
AlN 6,28 (d) 8,5 15 2 4,2/5,3
GaN 3,39 (d) 9 1000 50 5 2,5 1,5 5,6/7,7
Diamant 5,45 (i) 5,5 2200 1600 5,6 2,7 20 1
Les nitrures présentent quelques avantages par rapport à d’autres semiconducteurs à

grand gap, par exemple une meilleur sélectivité spectrale due à leur gap direct, la
possibilité de changement de la longueurs d’ondes de coupure par changement de la
fraction molaire de leurs alliages ternaires, leurs aptitudes de faire des composants à
hétérojonctions.
43
Dans la plupart des matériaux III-N, le mécanisme prédominant de recombinaison est

indirect, qui est conditionné par des imperfections cristallines. Ces imperfections
jouent le rôle de centres de recombinaisons ou des pièges selon la probabilité de
capture et d’émission des porteurs. Dans le cas de pièges, il y aura réemission des
porteurs capturés avec une forte variation de la température [16].
Les centres profond de recombinaison sont localisés à plusieurs kT de la BC. Un

temps de photoréponse très long signifie que ces centres peuvent en effet être
responsables du contrôle de la photoréponse dans les photodétecteurs.
Le principal inconvénient pour les détecteurs qui possèdent un mauvais contraste
UV/visible est la photoconductivité persistante PPC, cette PPC est reliée au dopage
non volontaire nid, et aux discontinuités du réseau (interfaces, dislocations, joints de
grains,…) [17]. Les propriétés de transport dans les couches de GaN sont expliquées
avec succès par la présence de barrières de potentiel autour des joints de grains [18].
L’illumination à travers le substrat prend avantage de la transparence du saphir, qui
doit réduire les pertes par réflexions.
Cependant, la sensibilité est limitée par la longueur de diffusion des porteurs
minoritaires typiquement 0,1 m crées à proximité de l’interface
substrat/semiconducteur.
Dans le cas de l’illumination en face frontale, la meilleur transmittance dans la région

UV est obtenue lorsqu’on utilise l’or Au comme métal semi-transparent par rapport à
Pt, Pd, Ni. La transmitance d’une couche d’or de 100 A° reste entre 30 et 50% dans la
bande spectrale 350–50 nm. Dans les photodiodes de Schottky à base de GaN, le bruit
1/f est dominant pour les faibles et moyennes fréquences, tandis que le bruit de
grenaille (Shot-Noise) peut être attribué aux hautes fréquences [19]. Ainsi l’insertion
d’une couche de SiO2 de 50 A° d’épaisseur dans l’interface métal/semiconducteur
produit une diminution significative de la densité de courant d’obscurité et une
augmentation de la détectivité du composant de plus d’un ordre de grandeur [20]. Les
photodiodes MSM à base de AlGaN présentent des bruits extrêmement faibles qui
restent usuellement au-dessous des limites de détection (NEP<1-0,1 pWHz-1/2) ce qui
correspond à des détectivités en excès de 1011 cmHz-1/2W-1. La cavité résonante des
44
photodiodes MSM de AlGaN présentent un accroissement de la sensibilité par un

facteur de 2 à des longueurs d’ondes résonantes (de résonances). La réponse est limitée
non seulement par la diffusion verticale des porteurs, mais aussi par la longueur de
diffusion latérale [21].
Les hétérostructures p-i-n AlxGa1-xN/GaN peuvent être conçues afin que la couche de
AlxGa1-xN puisse agir comme un filtre passe-bas intégré, ce qui produit une courte  de
coupure qui correspond au gap de AlxGa1-xN. A des températures élevées ou à des
tensions de polarisations en inverse élevées, lorsque le courant d’obscurité de la
photodiode augmente au delà de 1nA, l’apparition du bruit 1/f est observé. Ce courant
est du au transport par saut dans la région de déplétion. A partir de cette hypothèse, le
bruit 1/f est du à la présence des états localisés séparés l’un par rapport à l’autre par
des distances supérieures à la longueur de saut typique d’un électron. De tels sites
échangent lentement des électrons menant à des fluctuations dans le nombre total des
électrons qui participent à la conduction par saut [22].
Dans les photodiodes à avalanche à base de nitrures (GaN, AlGaN), la densité élevée
de défauts empêche des multiplications homogènes au-dessus de la surface active du
composant. Ruden [23] a proposé une structure hybride des photodiodes à avalanche
de III-N/Si, qui doit combiner les propriétés visible-blind de AlGaN et les propriétés
d’ionisation par impact favorable du Si. La lumière doit être absorbée dans le matériau
à grand gap direct, cependant la multiplication doit être dans la région Si, ce
composant doit fonctionner avec une tension de l’ordre de 10 V.
VI. Conclusion :
Un des problèmes posé par GaN dans le domaine de haute puissance réside dans
l’évacuation de la chaleur. En effet, le substrat traditionnel de GaN est le saphir, dont
la faible conductivité thermique limite la dissipation de chaleur. On peut améliorer
partiellement les conditions thermiques en amincissant le substrat saphir, mais la
vraie solution est l’utilisation d’un autre type de substrat. Il est évident que la
meilleure conductivité thermique de SiC 4,9 W/cmK par rapport au saphir 0,46
W/cmK améliore considérablement les performances, en outre le substrat SiC a
l’avantage de présenter avec GaN un plus faible désaccord de maille que le saphir.
45
D’autre part, il existe plusieurs difficultés qui limitent les performances des structures
à base de GaN, l’une d’entre elles est la densité encore trop importante de défauts, qui
limite la mobilité des porteurs. Mais le principal problème est lié à la difficulté de
doper GaN de type p au delà de 1018 cm-3. Ceci interdit la réalisation de transistors de
type n-p+-n.
Les recherches sur les semiconducteurs à grand gap ont ouvert la possibilité d’avoir
des photodétecteurs UV sélectifs, de faible prix et capables de fonctionner dans des
atmosphères hostiles. Cependant, la technologie de ces matériaux n’est pas
parfaitement maîtrisée. Les valeurs élevées des énergies de cohésion qui conditionnent
la tenue du composant en température sont en contre partie des sources de difficultés
majeurs dans la réalisation des dispositifs. En outre, les semiconducteurs à grand gap
ont des températures de fusion très élevées et nécessitent pour leur épitaxie des
températures de substrats élevées. Or, non seulement il est difficile d’atteindre et de
contrôler des températures élevées, mais surtout à ces températures, les matériaux
utilisés dans les systèmes d’élaborations sont susceptibles de contaminer le cristal.
Le principal inconvénient est la qualité du cristal et le manque d’un substrat de haute

qualité pour l’homoépitaxie ce qui conduit à un matériau avec une grande densité de
dislocations. Ces défauts structuraux induisent des effets nuisibles dans la performance
du composant comme la sensibilité au rayonnement visible et les courants de fuites et
l’apparition des effets persistants. La deuxième limitation pour les semiconducteurs à
grand gap est l’énergie d’activation élevée des dopants dans ces matériaux, il est par
conséquent nécessaire de doper avec de grandes quantités d’impuretés pour atteindre
des concentrations raisonnables de porteurs, ce qui se traduit par une brusque
réduction de la mobilité des porteurs.
Un autre défi réside dans le développement des procédures technologiques

performantes pour la fabrication des contacts. Dans ce contexte, la difficulté majeure
est liée au dépôt de contacts ohmiques de faible résistance, sachant que la barrière de
potentiel est très grande, et ce pour la plupart des métallisations utilisés.
46
Les semiconducteurs à grand gap ne vont pas encore remplacer les détecteurs à Si à
court termes. Cependant, ils offrent un choix unique pour les applications à des
environnements hostiles.
Dans le domaine des courtes longueurs d’ondes, SiC est un matériau relativement bien
adapté, mais à cause de toute une série de propriétés, les nitrures sont plus
performants. D’abord SiC est un semiconducteur à gap indirect, alors que les nitrures
présentent un gap direct et par conséquent un bon rendement de conversion. Leur
coefficient d’absorption est de l’ordre de 4.104 cm-1 pour des rayonnements de
longueurs d’ondes inférieures à 360 nm. En outre, l’utilisation des nitrures permet de
moduler la réponse spectrale du détecteur et plus particulièrement son seuil de
coupure. En d’autres termes, la possibilité de réaliser des alliages ternaires ou
quaternaires élargit considérablement le champ d’application des nitrures.
47
Références
[1] Henry Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants electroniques,

Dunod, Paris, 5ième édition 2001.
[2] Iwami M 2001 Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A 466 406
[3] Kosyachenko L A, Sklyarchuk V M and Sklyarchuk Y F 1998 Solid-State

Electron. 42 145
[4] Koizumi S, Kamo M, Sato Y, Mita S, Sawabe A, Reznik A, Uzan-Saguy C and

Kalish R 1998 Diamond Relat. Mater. 7 540.
[5] Sakaguchi I, Gamo M N, Kikuchi Y, Yasu E, Haneda H, Suzuki T and Ando T

1999 Phys. Rev. B 60 R2139
[6] Gheeraert E, Koizumi S, Teraji T and Kanda H 2000 Solid State Commun. 113 577
[7] McKeag R D, Marshall R D, Baral B, Chan S S M and Jackman R B 1997

Diamond Relat. Mater. 6 374.
[8] Gluche P, Khon O, Ebert W, Nebel C E, Floter A and Kohn E 1998 56th Annual
Dev. Res. Conference Digest pp 56-57.
[9] Vigué F, De Mierry P, Faurie J-P, Monroy E, Calle F and Munoz E 2000 Electron.
Lett 36 826
[10]Monroy E, Vigué F, Calle F, Izpura I, Munoz E and Faurie J-P 2000 Appl. Phys.
Lett. 77 2761
[11] Sou I K, Ma Z H and Wong G K L 1999 Appl. Phys. Lett. 75 3707.
[12] Ma Z H, Sou I K, Wong K S, Yang Z and Wong G K L 1998 Appl. Phys. Lett. 73
2251
[13] Liu Y, Gorla C R, Liang S, Emanetoglu N and Lu Y 2000 J. Electron. Mater. 29
[14] Dingle, R., Sell, D.D., Strokowski, S.E., and Ilgems, M. Absorption reflectance
and luminescence of GaN epitaxial layers. Phys. Rev. B, 1971, vol.4, n°4, p.1178-
1179.
[15] Abernathy, C.R. Growth of group III Nitrides from Molecular Beams in GaN and
related materials, edited by S.J.Pearton (Gordon and Breach, New York, 1997). 1997,
p. 11-51.
48
[16] Morkoç H, Aldo Di Carlo, R Cingolani GaN-based modulation doped FETs and
UV detectors Solid-State Electronics 46 (2002) 157-202
[17] Qiu C H and Pankove J I 1997 Appl. Phys. Lett. 70 1983.
[18] Salzman J, Uzan-Saguy C, Meyer B and Kalish R 2000 Appl. Phys. Lett. 76 1431
[19] Osinsky A, Gangopadhyay S, Yang J W, Gaska R, Kuksenkov D, Temkin H,

Shmagin I K, Chang Y C, Muth J F and Kolbas R M 1998 Appl. Phys. Lett. 72 551
[20] Monroy E, Calle F, Pau J L, Munoz E and Omnès F 2000 Electron. Lett. 36 2096
[21] Collins C J, Li T, Beck A L, Dupuis R D, Campbell J C, Carrano J C, Schurman

M J and Ferguson I A 1999 Appl. Phys. Lett. 75 2138
[22] Kuksenkov D W, Temkin H, Osinsky A, Gaska R and Khan M A 1998 J. Appl.

Phys. 83 2142
[23] Ruden PP 1999 Proc. SPIE 3629 174.
49
Chapitre III Photodétecteur solar-blind à cavité de résonance de Bragg
Chapitre III
Photodétecteur « Solar-Blind » à cavité de

résonance de Bragg
I. Introduction :
Les rayons UV [10,400] nm sont des radiations hautement ionisantes, la source la plus
importante des rayons UV est le soleil, approximativement 9 % de l’énergie reçue par
le soleil dans les couches supérieurs de l’atmosphère est dans le domaine spectrale
UV. A cause de l’absorption dans l’UV de la couche d’ozone, le spectre solaire prés de
la surface de la terre est essentiellement composé de longueurs d’ondes supérieures à
290 nm. Les détecteurs solar blind sont donc insensibles au rayonnement provenant du
soleil ce qui fait d’eux de très bons candidats pour des applications de défense, par
exemple la détection minutieuse de missiles [1]. La détection dans le domaine solar-
blind est importante pour d’autres applications imposantes tel que la détection de
décharge et moniteur de combustion,… . Ces applications nécessitent un composant à
la fois à sensibilité sélective à très grande rapidité et de plus il doit supporter des
conditions de fonctionnements hostiles.
50
La structure la plus adaptée à ces conditions est la structure à cavité de résonance

formée par deux miroirs distribués (réflecteurs de Bragg) de part et d’autre de la région
active, qui consiste en un empilement périodique de deux couches à saut d’indice de
réfraction. Le principal problème dans la fabrication des cavités verticales est de
trouver un milieu actif qui soit compatible avec le paramètre de maille des réflecteurs
de Bragg. Cette structure présente l’avantage de filtrer les composantes visibles et IR
du rayonnement, donc le composant est insensible à l’éblouissement solaire.
Les photodétecteurs peuvent être fabriqués avec beaucoup de matériaux tels que :
GaAs, InAs, Si. D’autres part, il est possible de faire croître une cavité verticale avec
des miroirs à base des matériaux AlGaN/GaN, dont la faible différence d’indice entre
les matériaux fait que cette structure est performante pour la fabrication des
photodétecteurs solar blind de haute performance [2]
Les photodétecteurs UV de haute performance sont présentés sous des structures tels
que : photodétecteurs de Schottky à base de AlGaN [3][4], MSM [5][6], pin [7][8], et
les photodiodes à avalanche [9]. D’autres parts les photodétecteurs à cavité résonante
présentent l’avantage de sensibilité sélective et que la longueur d’onde de résonance
est ajustée par la distance entre les miroirs.
Une structure à cavité verticale permet de confiner à la fois les porteurs et les photons.
En effet les photons effectuent de multiples rebondissement entre les miroirs, ce qui
augmente leurs chance d’être absorbés et par suite augmente le rendement quantique.
De plus, le photodétecteurs à cavité de résonance sont plus sensibles et plus rapides
qu’un composant classique car la faible épaisseur de la couche active nécessaire lui
assure une plus grande rapidité de fonctionnement. En outre, la tension de polarisation
inverse à appliquer est plus faible et le bruit peut aussi être réduit.
51
II. Structure d’un photodétecteur à cavité de résonance :

Pour élaborer un composant à cavité verticale, il faut tout d’abord que le matériaux
soit optiquement actifs, c’est à dire ayant un gain suffisant à la longueur d’onde de
fonctionnement. Ce matériau (région active) doit être placé à l’intérieur d’une cavité
de Fabry-Pérot définie par deux miroirs (réflecteurs de Bragg DBRs) placés en regard
l’un de l’autre. Ces DBRs consistent en un empilement périodique de deux couches à
saut d’indice de réfraction. Les photons se propageant dans la direction verticale et la
puissance optique est uniquement amplifiée au niveau des couches actives. La
longueur de la cavité définit les conditions d’établissement d’ondes stationnaires entre
les deux miroirs. L’absorption dans un photodétecteur à cavité résonante est
augmentée à la résonance par l’effet d’onde stationnaire. Une structure à cavité
résonnante est toujours associée à un filtre spectral du à la présence du miroir de
Bragg.
La quantification du mouvement des électrons perpendiculairement aux interfaces

d’un puits quantique entraîne l’apparition de sous-bandes d’énergie. L’absorption
optique d’un photon provoque des transitions entre les sous-bandes. Deux types de
transitions optiques peuvent exister, la transition entre deux niveaux liés, et la
transitions lié-libre. Les électron excités dans le continuum de la barrière sont balayés
par un champ électrique appliqué et conduisant ainsi à un photocourant (voir schéma
de la figure 1).
électron
photoexcité
émetteur Photocourant
+++
Atomes
donneur +++
s
+++ collecteur
Figure 1 : Schéma de principe d’un photodétecteur à puits quantique .
52
A température suffisamment basse, les électrons sont piégés dans les puits quantique
sur leurs sous-bandes fondamentales et le système est donc isolant. Lorsque la
structure est soumise à un flux de photons, les électrons sont photo-ionisés dans la
barrière donnant lieu à un courant électrique. La figure 2 représente la structure
épitaxiale d’un photodétecteur à cavité de résonance conçu pour réaliser une résonance
autour de 350 nm. Une couche d’absorption peu dopée (n≈5.1016 cm-3) de 70 nm
d’épaisseur est utilisée comme région active du détecteur. Toutes les autres couches du
détecteur sont à base de AlGaN avec une fraction molaire d’aluminium supérieur a
20%.
70 nm N-GaN
130 nm N-Al0,2Ga0,8N
300 nm N+Al0,2Ga0,8N
200 nm u.i.d. Al0,2Ga0,8N
20 paires miroires de Bragg AlN/Al0,2Ga0,8N
Substrat sapphir
Fig. 2: Structure épitaxiale d’un photodétecteur

Schottky à cavité de résonance à base de AlGaN
Le miroir inférieur de la cavité résonante est formé par 20 paires de AlN/Al 0,2Ga0,8N.
Le miroir de Bragg est centré à la longueur d’onde de fonctionnement λ=360 nm.
Quand l’épaisseur de chaque couche AlN/Al0,2Ga0,8N exigée pour une forte réflectance
est égale au quart de la longueur d’onde de fonctionnement, les ondes réfléchies
interfèrent de façon constructive, permettant d’atteindre des réflectivités de plus
de 99 %.
53
Puisque la longueur d’onde de coupure de Al0,2Ga0,8N est autour de 330 nm, toutes les
couches de la cavité sont transparentes pour λ≥330 nm à l’exception de la couche
d’absorption de GaN. Une couche d’épaisseur 300 nm fortement dopée (n=2.1018 cm-3)
de Al0,2Ga0,8N est conçue comme la couche sur laquelle en fixe le contact ohmique.
Pour une isolation électrique du composant, une couche non dopée de 200 nm
d’épaisseur de Al0,2Ga0,8N à été développée au dessus du composant.
100
80
60
40 sans cavité avec cavité
20
0
1,1 1,2 1,3 1,4 1,5
Fig.3 : Comparaison du rendement quantique d’un

photodétecteur simple et d’un photodétecteur à cavité de
résonance
Dans un photodétecteur à cavité de résonance le photocourant est fortement augmenté

à la longueur d’onde de résonance et le rendement quantique passe de 10% à 65%
(voir résultats de la figure 3). Il y a donc une augmentation de l’absorption par effet de
cavité à la longueur d’onde de résonance. Ainsi il faut noter que même à la longueur
d’onde de résonance, la sensibilité de la cavité reste assez faible car l’essentiel du
rayonnement incident est réfléchi par le miroir supérieur. Notons aussi que la gamme
54
spectrale de détection est étroite et de l’ordre de quelques nm, car elle est limitée par la
finesse élevée de la cavité.
III. Fabrication :
Avant la fabrication du composant, on effectue la caractérisation de réflectivité du

composant et les résultats ont été comparés aux résultats de simulation pour estimer les
épaisseurs convenables de couches. Les mesures spectrales de réflectivité sont
effectuées en utilisant une source laser accordable.
Deux méthodes de fabrication peuvent être utilisées pour la fabrication des structures à
cavité de résonance : la première est la MBE (Molecular Beam Epitaxy), la deuxième
est la MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition).
Des couches épitaxiales AlGaN/GaN sont élaborées sur un substrat saphir par la
méthode MOCVD. Les composants sont fabriqués en utilisant les étapes suivantes : La
formation du contact ohmique, formation du mesa, oxydation, passivation de la
surface et la métallisation des interconnections (voir figure 4) .
(a)Métal anode (b) Mesa (c) Oxydation (d) Isolation (e)Métal final
Fig.4 : Etapes du processus de fabrication du

photodétecteur à cavité de résonance de Bragg.
55
D’abord les contacts ohmiques sont fabriqués par gravure ionique réactive (RIE) sous
plasma CCl2F2. Une gravure contrôlée doit s’arrêter dans la couche n +-Al0,2Ga0,8N la
profondeur finale de gravure est de l’ordre de 0,35 μm.
Les contacts Ti/Al sont déposés en utilisant l’évaporation thermique et un processus

standard de décollage. Après le dépôt des contacts, ils sont recuits à 600°C pendant
60 seconde dans un système de recuit thermique rapide (RTA).
Une méthode pour améliorer les performances du fonctionnement du composant est

d’insérer un oxyde de blocage intrinsèque. Cet oxyde est utilisé pour préserver
l’oxydation des couches supérieures du miroir de Bragg. Or, bien que transparent,
l’oxyde induit des pertes optiques par diffraction et, par suite, il influence le
comportement optique du composant. On peut minimiser cette influence en choisissant
convenablement l’épaisseur et l’emplacement de la couche d’oxyde dans la structure.
La troisième étape est le dépôt du contact Schottky. L’or (Au) ou l’oxyde ITO sont
utilisés pour former les contacts de Schottky sur GaN. Des films, de ITO de 100 nm
d’épaisseur ou d’or Au de 10 nm d’épaisseur sont évaporés thermiquement sur
différents échantillons, respectivement.
Les films de ITO sont gravés pour définir les régions de contact en utilisant une
solution diluée de HF:H2O. Pour passiver l’échantillon et protéger les contacts de
Schottky, un film de Si3N4 de 120 nm d’épaisseur est déposé sur l’échantillon par
PECVD (Plasma-Enhanced-Chemical-Vapor-Deposition). La couche de passivation
est en général isolante et sert à protéger la surface du composant et à éviter les court-
circuits entre la métallisation finale et le substrat conducteur.
La métallisation finale est la dernière étape du processus, un métal d’interconnexion

(Ti/Au) de 0,7 μm d’épaisseur est déposé pour connecter les contacts de Schottky.
56
IV. Caractéristiques et propriétés :

Il est nécessaire de conserver l’état de la surface sans défauts pour que les propriétés
optiques ne soient pas modifiées. Notons que l’exposition à l’air ambiant des couches
riches en aluminium doit être évitée (oxydation très rapide et de mauvaise qualité).
Afin d’estimer les épaisseurs épitaxiales convenables de couches, on doit procéder à
des mesures spectrales de réflectivité. En comparant les mesures spectrales de
réflectivité avec les résultats de simulation de la structure idéale du détecteur, on a
observé des différences significatives entre les données expérimentales et théoriques.
Les simulations ont prévu un miroir fortement réfléchissant entre 340 et 380 nm,
cependant les données expérimentales de réflectivité ont prouvé que la plus longue
longueur d’onde du bord du miroir λ= 380 nm est décalée vers le bleu de presque
25 nm à 355 nm. Ce résultat montre que les couches ont été développées plus courtes
que la conception originale.
60 Mesuré
De simulation
50
40
30
20
10
0
320 340 360 380 400
Fig.5 :
La réflectivité spectrale mesurée (en trait continu) et celle simulée
(trait pointillé) sur des plaquettes d’un photodétecteur à cavité de
résonance.
57
La figure 5 représente les mesures de réflectivité comparées aux résultats de

simulations obtenus sur des couches miroirs d’une cavité de 10 % plus courtes. Avec
cette structure épitaxiale un accord raisonnable entre la réflectivité expérimentale et
théorique a été réalisé.
Les photodétecteurs Schottky à base de ITO et Au ont des courants d’obscurité

inférieurs à 10 pA à une tension inverse de -1,5 V, de même pour les composants
Schottky a cavité de résonance à base de AlGaN. Les composants Schottky à base
d’oxyde ITO et d’or Au ont à la fois des courants d’obscurité inférieurs à 10 pA à une
tension inverse de -1,5 V. La tension typique de claquage mesurée est autour de 10 V
et les composants à base de ITO présentent des tensions d’ouverture plus grande que
les composants à base d’or Au (figure 6).
1,0
Au
0,5 ITO
0,0
-0,5
-1,0
-10 –8 –6 –4 –2 0 2 4
Fig.6 :
Caractéristique I-V typique d’un
photodétecteur Schottky à cavité de
résonance de 100x100 μm2 de Au et ITO.
58
La densité de courant d’obscurité mesurée pour un photodétecteur Schottky à cavité

résonante de 100x100 μm2 a base de ITO est illustrée à la figure 7. Une densité de
courant d’obscurité de 1,3.10-8 A/cm2 est obtenue pour une tension inverse de 1 V.
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
10-7
10-8 A=100x100 μm2
10-9
-10 –8 –6 –4 –2 0 2 4
Fig.7 : Densité de courant d’obscurité mesurée dans

un photodétecteur Schottky à base de ITO de
100x100 μm2.
La figure 8 représente la mesure spectrale du rendement quantique d’un

photodétecteur Schottky à cavité résonante de Bragg a base d’or Au et d’oxyde ITO
sous des différents conditions de polarisation, si aucune tension inverse n’est
appliquée, les pics du rendement quantique de 20 % et 7 % sont mesurés avec des
échantillons de ITO et Au respectivement. La photoréponse des deux échantillons
augmente avec la tension inverse. Les photodétecteurs Schottky à base de ITO
présentent un pic de résonance de 56 % à 337 nm sous une tension inverse de 1 V. Une
faible résonance est observée dans un composant Schottky a base d’or Au avec un pic
du rendement quantique de 9 % à 350 nm sous une tension inverse de 4 V.
59
60 Au, à 0 V
Au, à 4 V
50 ITO, à 0 V
ITO, à 1 V
Fig.8 : 40
Mesure du rendement
quantique d’un photo- 30
détecteur Schottky à
cavité de résonance à 20
base de Au et ITO.
10
0
320 340 360 380 400 420
La différence de réponse des photodétecteurs de Schottky à base de ITO et Au peut

être expliquée par l’absorption dans la couche Schottky. L’absorption dans la couche
Schottky diminue directement le rendement quantique réalisable. Les simulations ont
prévu qu’un film d’or (Au) de 100 A° d’épaisseur absorbe environ 35 % de la
radiation incidente autour de 350 nm, tandis que pour une couche de ITO de 100 nm
d’épaisseur absorbe environ 15 %. Dans un photodétecteur à cavité de résonance de
Bragg, on observe mieux le perfectionnement quant la condition R1  R2 e 2d est
satisfaite, tel que : R1, R2 et α correspond à la réflectivité du miroir supérieur, la

réflectivité du miroir inférieur et le coefficient d’absorption de la couche active
respectivement. Dans notre cas, telle que : R2≈52 %, un perfectionnement maximum
est réalisé avec une réflectivité de 14 % et 12 % du miroir supérieur à 350 nm et 337
nm. Un film de ITO présente une réflectivité de l’ordre de 16 % qui est prés de la
valeur optimale de 12 %. La réflectivité d’un film d’or Au est (34 % à 350 nm),
cependant peut dévier de manière significative de l’état optimum à cause de l’effet
d’affaiblissement dans la cavité.
60
ITO
-1
10
10-2 Au
10-3
10-4
320 340 360 380 400
Fig.9 :
Les réponses spectrales des photodétecteurs
Schottky à cavité de résonance à base de Au
et ITO
La figure 9 représente la réponse spectrale mesurée avec des pics de l’ordre de

153 mA/W et 46 mA/W pour des composants Schottky à base de ITO et Au
respectivement.
Les mesures aux grandes vitesses de réponse sont effectuées pour deux différentes
longueurs d’ondes : 357 nm (proche de la longueur d’onde de résonance) et à 267 nm.
Pour ces deux longueurs d’ondes les photodétecteurs Schottky à cavité de résonance
présentent un temps d’augmentation faible et un temps d’affaiblissement long.
Sous des faibles tensions de polarisation, il résulte une composante du courant de

diffusion. Cette composante du courant de diffusion affecte les mesure de la réponse,
elle est observée comme une faible diminution (queue) dans le spectre de la réponse.
Sous des hautes tensions de polarisation en inverse, la diffusion des porteurs est
éliminée et tous les porteurs photogénérés sont transportés vers les couches qui
constitue les contacts, on en résulte des réponses d’impulsion plus rapide.
61
Théoriquement, la meilleur performance à grande vitesse doit être réalisée avec des
composants à petites surfaces. Ceci est du à la faible capacité C du composant, d’ou il
en résulte par conséquent des constantes de temps RC petites.
Les mesures à grande vitesses à 267 nm ont comme conséquence des réponses
d’impulsion plus lentes. C’est un résultat prévu puisque les couches Al 0,2Ga0,8N de la
cavité ne sont pas transparente à cette longueur d’onde. Dans ce cas, les courants de
dérive et de diffusion additionnels sont générés dans les couches Al 0,2Ga0,8N de la
cavité, ayant pour résultat un temps de réponse plus long. Sous une illumination de
267 nm, la réponse d’impulsion la plus rapide obtenue a cette longueur d’onde a des
largeurs d’impulsion de 110 ps à 234 ps pour les échantillons de Au et ITO
respectivement.
En comparant les résultats des mesures obtenues avec l’or Au avec ceux obtenus avec
l’oxyde ITO, les photodétecteurs Schottky à base d’or Au présentent une meilleur
performance à haute vitesse. Pour faire une analyse comparative, les réponses
d’impulsion les plus rapides obtenues à partir des composants Schottky d’or Au et
d’oxyde ITO de 30 μm sont normalisés et tracées dans la figure 10.
1,0
Figure.10 :
0,8
Réponses d’impulsions normalisées
de photodétecteurs Schottky à cavité 0,6
de résonance de diamètre 30 μm
avec Au et ITO , respectivement. 0,4
0,2
0,0
0 1 2 3 4 5 6
62
La partie où la réponse est élevée (partie d’augmentation) pour les échantillons d’or
Au et d’oxyde ITO sont très semblables. Elles ont à la fois des temps d’augmentation
court. Cependant les parties d’affaiblissement sont rigoureusement différentes.
La réponse d’un photodétecteur Schottky à base de ITO représente une faible

diminution lorsqu’on la compare à la réponse de photodétecteur Schottky à base d’or
Au.
L’ITO est connue comme un semiconducteur transparent toutefois lorsqu’on le

compare avec Au. ITO est un semiconducteur avec une résistivité plus élevée [15][19].
Ceci se traduit par une résistance série sensiblement plus élevée dans le composant.
C’est cette résistance série additionnelle qui augmente la constante de temps RC dans
les échantillons Schottky d’ITO, ce qui résulte en des temps d’affaiblissement
supérieur et des réponses d’impulsion plus faibles.
Les largeurs de bande 3dB de 150 Mhz et 780 Mhz sont réalisées pour des
photodétecteur Schottky de ITO et Au respectivement. Ces résultats sont les premiers
résultats à grande vitesse présentés pour des photodétecteurs solar-blind à CRB de
AlGaN.
V. Conclusion :
En résumé, on a présenté les photodétecteurs Schottky solar-blind à cavité résonante
de haute vitesse à base de couches épitaxiales de AlGaN.
Malgré la réflectivité plus faible que prévu du miroir de Bragg inférieur
Al0,2Ga0,8N/AlN, l’effet de la cavité résonante est observé dans les deux échantillons.
Les composants Schottky à base d’oxyde ITO présentent des pics de résonance plus
élevés avec un pic maximum de la réponse de 0,153 A/W à 337 nm.
Les composants Schottky à base d’or Au présentent des réponses d’impulsion très
rapides avec une largeur minimum d’impulsion de 77 ps à 357 nm, et une largeur de
bande 3-dB correspondante de 780 Mhz.
63
Références
[1] J. C.Carrano, T. Li, P.A.Grudowski, R.D.Dupuis, J.C. Campbell, IEEE Circuits &
Devices Mag. 15,15 (1999).
[2] M.Razeghi, A. Rogalski, J. Appl, Phys. 79, 7433-7473. (1996)
[3] E. Monroy, F. Calle, J. L. Pau, F.J. Sanchez, E. Munoz, F. Omnes, B. Beaumont, P.

Gibart, J. Appl. Phys. 88, 2081 (2000).
[4] S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V.

Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 79, 866 (2001).
[5] B. Yang, D. J. H. Lambert, T. Li, C. J. Collins, M. M. Wong, U. Chowdhury, R. D.

Dupuis, J. C. Campbell, Electron, Lett. 36, 1866 (2000).
[6] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, J.

F. Chen, IEEE Photonics. Technol. Lett. 13, 848 (2001).
[7] E. L. Tarsa, P. Kozodoy, J. Ibbetson, B. P. Keller, Appl. Phys. Lett. 77,316 (2000).
[8] C. J. Collins, U. Chowdhury, M. M. Wong, B. Yang, A. L. Beck, R. D. Dupuis, J.

C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 80, 3754 (2002).
[9] J. C.Carrano, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting, C. J. Collins, T. Li, S. Wang, B. Yang,

A. L. Beck, R. D. Dupuis, J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 76, 924 (2000).
[10] N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, M. Gokkavas, M. S. Unlu, E. Ozbay, IEEE

Photonics Techol. Lett. 13, 705 (2001).
[11] W. A. Wohlmuth, J. W. Seo, P. Fay, C. Caneau, I. Adesida, IEEE Photonics

Technol. Lett. 9, 1388 (1997).
64
Chapitre IV Applications des photodétecteurs solar blind. GaN/AlGaN
Chapitre IV :
Applications des photodétecteurs

solar blind GaN/AlGaN
IV. 1. Introduction :
La détection des rayons ultraviolet (UV) est nécessaire pour un certain nombre
d’applications importantes tel que l’analyse chimique et biologique (quelques
composés organiques présente une ligne d’absorption dans le spectre UV, pollution
d’ozone,..) ; détection de flammes (alarme de feu,..) ; intercommunications optique
(communication intersatellitaires,.. ) ; lithographie UV et les études astronomiques, et
ainsi de suite. Les applications les plus fines des photodétecteurs UV concernent le
domaine militaire, tel que la détection de plumes de missiles.
Le rayonnement solaire dans le spectre 280-300 nm, est absorbé par la couche d’ozone
[1][2]. Les photodétecteurs qui fonctionnent dans cette région solar-blind ne seraient
pas affectés par le rayonnement solaire, se qui rend la détection de plumes de missiles
une tache plus facile.
La détection des rayons UV est traditionnellement devenue réalisable par les tubes
photomultiplicateurs (PMTs), qui possèdent un gain élevé avec un faible bruit.
Cependant ils sont fragiles, volumineux et dépend d’une puissance d’alimentation
élevée pour fonctionner. D’autre part, les photodétecteurs à semiconducteurs offrent
les avantages du dispositif à base de solide qui dépendent des conditions moyennes.
Ils sont moins coûteux, sensibles et peuvent réaliser des opérations de grande vitesse.
65
Les nitrures, sont des matériaux prometteurs pour leurs utilisations potentielles dans
les composants électroniques à hautes puissance/température. Spécifiquement les
nitrures sont souhaitables pour des applications comme photodétecteurs UV [3][4],
réflecteurs de Bragg [5], guide d’ondes, diodes émettrices de lumière UV et visibles
[6], diodes laser pour les applications de lecture ou d’écriture des données [7].
L’alliage AlGaN, avec une bande interdite directe et ajustable selon la teneur en Al est
un matériau idéal pour réaliser des détecteurs UV dits solar blind insensibles aux
rayonnements du soleil, c’est à dire ayant une réponse spectrale nulle pour des
longueurs d’onde au dessus de 300 nm. Les courants de fuite et le bruit associé sont
très faibles, et par conséquent une détectivité exceptionnellement élevée. Des
applications des LEDs à base de nitrures comprend l’utilisation dans l’agriculture
comme des sources de lumière pour accélérer la photosynthèse. Les laser comme
sources cohérente sont crucialement utilisé pour les technologies de lecture et
d’écriture de haute densité optique.
Les photodétecteurs SiC à jonction p-n présentent un rendement quantique qui varie de
82% à 96% entre 50°C et 450°C, ce qui indique des performances excellentes à hautes
température, ils sont utilisés dans les applications d’alarme de flammes, détection de
décharge et moniteurs de combustion. Les photodétecteurs UV à base de diamant sont
utilisés pour la détection de particules ionisantes de haute énergies, lithographie UV
profond et l’imagerie UV dans l’astronomie.
IV. 2. Détecteurs de flammes :
Les photodétecteurs et en particulier les détecteurs de flammes sont largement utilisés

dans notre vie, en raison de précaution car les flammes sont utilisés de différentes
manières. De nombreuses applications techniques et scientifiques requièrent un
photodétecteur capable de mesurer le rayonnement ultraviolet (UV) qui soit par
ailleurs aussi insensible que possible à la lumière visible (VIS) et infrarouge (IR). De
tels détecteurs sont utilisés en biologie, en médecine, dans l'industrie pharmaceutique,
en astronomie et en physique nucléaire. Les photodiodes UV à hautes performances
66
sont rendues possibles d'une part, grâce aux progrès remarquables de la miniaturisation
de l'industrie de la microélectronique et d'autre part, grâce à l’invention de nouvelles
géométries telle que les structures a multipuits quantique. Les détecteurs de flammes
font partie des détecteurs d'incendie, ainsi ils sont utilisés pour détecter des rayons UV
provoqués par des arcs électriques.
Les principaux détecteurs de flammes sont les thermocouples « TC » ; les «FID»

(Flame Ion Detectors) et les détecteurs UV à base de phototubes (photocathodes).
Les photocathodes sont constitués par une plaque photosensible de 1 cm2. Leurs
principe de fonctionnement repose sur l’ionisation du gaz (Ar) contenu dans le tube
par les photoélectrons. Ils présentent des performances excellentes qui peuvent même
détecter les flammes a longue distance. Or, la dégradation des électrodes par
bombardement minimise leurs durées de vie. De plus ils ne peuvent fonctionner à plus
de 120°C et nécessitent une forte alimentation de l’ordre de 300 V. Tous ces
inconvénients limite leurs utilisations aux applications industrielles [8].
Donc, la réalisation de photodétecteurs à semiconducteurs pour remplacer les

phototubes UV est indispensable. Les avantages que présentent les photodétecteurs
UV a semiconducteurs sont leurs faibles consommation d’énergie, leur longue durée
de vie, leur faculté de fonctionner sous de hautes températures et de plus, ils sont
moins coûteux.
Détecteurs à
Thermocouples FID Phototube UV
semiconducteurs
Taille du détecteur 20 mm x3 mm 30 mm x 3 mm 150 mm x 20 mm ~1 mm x 1 mm
Durée de vie ~1 a 2 ans > 10 ans
Temps de réponse Second 100 msec 100 msec <100 msec.
Possibilité de suivre
Faible Faible Excellentes Excellentes
les variations
Rendement 0,1 – 1 % 50 %
Voltage 35 – 100 V 300 – 400 V <100 V
Température de
<600 °C <100 °C <500, 600 °C
fonctionnement
Domaine
Cuisinière Chauffage Industriel Vaste utilisation
d’application
Tableau 1 : Comparaison des différents détecteurs de flamme utilisés [Thèse :Cyril PERNOT ]
67
En raison de la diversité des propriétés et des technologies des semiconducteurs, le

tableau 2 représente une étude comparative des différents photodétecteurs UV à
semiconducteurs.
Matériau Si GaP Diamant SiC GaN GaN AlGaN AlGaN

Bande
1100-200 200-520 130-225 219-380 360-250 365-200 320-200 280-200
spectrale nm
max nm 850 440 200 275 360
Réponse 0.14 - 254 0.15 0.15 0.19 - 0.13 0.1 ≥ 0.1 0.9 - 0.7 ≥ 0.03
AW-1 nm a max a max a max a max 325 nm a 310 nm a 275 nm
Surface active
0.8 - 100 1 1.4 0.965-0.054 0.50 0.2-20 0.2-20 0.2-20
mm2
Capacitance
60-4500 500 50 21-195 35
pF (a 0V)
Bandwidth
2-0.1 2-0.1 2-0.1
MHz
Courant 0.1 mA 10 pA 0.2-2 fA ≤1-00nA ≤1-00nA ≤1-100nA
<1 nA
d’obscurité max a –5 V a –1V a –0.5V a –0.5V a –0.5V
0.64 - 4.5
NEP
x10-13
WHz-1/2 a0V
Tension
d’alimentation 0–5 10 0 - 20
V
Tableau 2 :Performance de quelques photodétecteurs UV de type commercial [Hadis

Morkoç and Roberto Cingolani]
Les détecteurs de flammes repose sur la détection de rayonnement ultraviolets de

longueurs d’onde inférieur à 280 nm émis par les flammes. Ils sont des dispositifs à
portée visuelle, une attention spéciale doit être prise lors de leurs applications afin de
s’assurer qu’ils peuvent réagir à une radiation incidente et que celle ci n’est pas
bloquée par la présence d’objet ou matériaux opaques. Un détecteur performant doit
fonctionner soit dans un environnement fermé (moteur,..) ou en milieu ouvert, en
présence d’autres radiations (solaire, éclairage,..).
La figure 1 représente le spectre solaire. Or, on doit noter que les radiations de
longueurs d’ondes inférieures à 280 nm n’atteignent pas la surface terrestre, elles sont
absorbées par l’atmosphère terrestre. Donc, les photodétecteurs UV fonctionnant dans
cette gamme sont naturellement insensibles aux radiations solaire.
68
Fig.1 : spectre électromagnétique
Cette technologie de filtrage permet la détection de l’émission des rayons UV en plein

jour sans l’interférence avec les rayonnements solaires.
D’autre part, une flamme présente une caractéristique d’émission précise en longueur
d’onde en fonction de la puissance d’émission par seconde. Ce qui nous impose de
régler à partir d’une région spécifique du spectre de la flamme pour déterminer
l’intensité minimale à détecter, tout en tenant compte de la distance de la flamme. En
effet, l’intensité est inversement proportionnelle au carré de la distance flamme-
détecteur. La limite de détection pour un détecteur est la valeur minimale du signal que
69
l’on peut détecter. En théorie du signal, la limite correspond à un rapport signal/bruit

égal à 1. Cette valeur est appelée puissance équivalente de bruit. Il existe donc une
limite de détection au delà de laquelle le détecteur ne « voit » rien. De plus, pour
détecter des faibles intensités lumineuses il est nécessaire que le courant d’obscurité
(de fond) soit inférieur au courant du signal. Cependant, des circuits électroniques
permettent le traitement de courant en sortie, de l’ordre de picoampère, ce qui limite
les applications au domaine industriel. Par conséquent, une photoréponse de l’ordre de
1000 A/W est nécessaire pour avoir un large domaine d’applications.
Notons que la différence entre un détecteur de flammes et un détecteur de plumes de

missiles provient des propriétés même de détection, car un détecteur de plumes de
missiles doit avoir une très haute vitesse et une très haute sensibilité et sélectivité
spectrale.
L’utilisation des photodétecteurs dans les domaines de la sécurité et de la défense est

nécessaire. Les principaux facteurs qui gouvernent leurs développement technologique
sont liés aux besoins opérationnels qui sont représentés par :
 Une aide à la décision à partir de l’observation et de l’alerte (détecteurs pour

imagerie). Ces détecteurs peuvent être embarqués sur des porteurs variés (véhicules
terrestres, aériennes, satellite,..).
 Une aide à la conduite de tir et au guidage des armes (autodirecteurs de missiles).
Ainsi, dans le domaine de la sécurité, on peut considérer que l’opération

d’identification est employée pour assurer les missions :
 Sécurité routière.
 Aide au pilotage d’hélicoptères (détection d’obstacles, ex : lignes haute-tension),
 Police des mers et de sécurité maritime,
 Sécurité civile (surveillance incendie, pollution industrielle, …),
 Sécurité aéroportuaire,
 Protection de zones sensibles (bâtiment, site,..),
70
En revanche, les opérations de défense qui s’articulent autour de : l’identification doit

être rapide et fiable et veille à ce que l’identification et l’alerte puissent se faire même
en environnement hostile. L’accroissement des performances de détection, de
reconnaissance et d’identification passe par le développement de composants et
structures. Cependant, les avancées observées sur l’exploitation des propriétés des
structures à puits quantiques réalisées dans les matériaux semiconducteurs III-V, ont
permis le développement de nouvelles sources cohérentes (laser à cascade quantique
QCL) ou de matrices bi-dimensionnelles de détecteurs à puits quantiques. Ces
composants sont particulièrement adaptés pour réaliser des systèmes de détection
spéciaux. Les systèmes d’armes dans le futur seront pour l’essentiel commandés à
distance à partir de données issues de détecteurs. Ainsi, la détection de composés
chimiques peut utiliser la spectroscopie d’absorption, cette technique peut être étendue
au domaine biologique avec l’emploi de matériaux à repères génétiques :
spectrométrie d’un signal de fluorescence induite par voie UV,… Notons qu’on doit
tenir compte de la technique à développer pour satisfaire aux critères de sensibilité, de
sélectivité, de compacité et de coûts.
D’autre part, on doit noter l’impact que peuvent présenter les photodétecteurs pour les
applications civiles. En effet, de tels détecteurs sont utilisés dans le domaine de
l’automobile, de l’énergie (contrôle de fuite,..), de l’industrie (contrôle pollution,…) et
de la sécurité civile (détection incendie).
Fig.2 : Détecteur de Flammes Ultraviolet

Modèles DF-3[Développer par : SIEMENS]
71
IV. 3. Communications UV, radars navigation aérienne militaire et civile :
Le domaine des communications ultra hauts débits, ne peut être atteint que par le
développement de composants capables de fonctionner dans le domaine THz/pS. Or ce
domaine n’est atteint que par l’utilisation des composants spécifiques tel que les
composants à cavité résonante de dimensions nanométriques à base de nitrures AlGaN.
Ce type de composants présentent des larges bande passante et une fidélité de
fonctionnement et peuvent gérer une énorme quantité d’informations en un faibles
temps. L’amélioration des composants actuels peut s’obtenir par « simple » réduction
des dimensions de la zone active des composants actifs «conventionnels». Par contre,
une amélioration significative des performances ne pourra s’obtenir à long terme que
par une rupture technologique, et s’adresse donc à plus long terme (> 10 ans). De
nombreuses idées de dispositifs nouveaux ont été proposés (transistors à un électron,
diodes à effet tunnel résonant intégrée avec un HEMT, composants à électronique de
spin, électronique moléculaire). Pour atteindre les communications à haut débit (80 et
160 Gbits/s) il faut inventer des composants à très forte montée en fréquence (500
GHz). Cet objectif est atteint par une réduction des dimensions à des échelles
inférieures à 0.1 μm et d’autre part, par le développement de nouvelles technologies
pour la tenue en tension et la montée en fréquence. D’autres applications telles que les
radars nécessitent de fortes puissances à des fréquences plus modestes (environ 10
GHz). D’ou l’utilisation de nouvelles structures et nouveaux matériaux tels que la
cavité de résonance a base de Al xGa1-xN.
Aujourd’hui les semiconducteurs à base de nitrures d’éléments III (GaN) permettent

d’envisager une révolution dans le domaine des circuits de puissance avec une
multiplication par 10 des puissances fournies, particulièrement l’utilisation de
nouvelles structures telles que les cavité résonantes. D’autre part, les points durs vont
du matériau à la réalisation des circuits (problèmes thermiques, technologies des
composants) et nécessiteront un effort très important en raison de la nouveauté de ces
matériaux pour ces applications.
72
Dans la navigation aérienne, le calcul de la position, puis de la route à suivre, doit être
effectué plus souvent et plus rapidement. La navigation aérienne, au cours de la
seconde moitié du XXe siècle, s’est développée grâce à la radionavigation qui utilise
des réseaux de signaux implantés au sol qui émettent des signaux radioélectriques,
dont la réception de ces signaux mesure la direction et la position de l’avion.
La propagation des ondes électromagnétiques étant limitée par la Sphéricité de la terre

et par les conditions atmosphériques, ces systèmes nécessitent des composants qui
peuvent adapter à ces conditions et qui permettent de transférer plus d’informations en
un faibles temps et de plus ils ne sont pas influencer par les conditions extérieurs en
particulier les rayons parasites. La navigation aérienne nécessite une précision
particulière que l’on peut assurer par des composants a structure résonante a base de
nitrures AlGaN. De telles structures sont sensible au longueurs d’ondes de
fonctionnement et insensibles à l’éblouissement solaire, ce qui fait deux des éléments
de choix pour une telle application.
Fig.1 : Représentation des principaux stations de communication aérienne

[image pris de l’internet]
Il en existe un autre système de navigation appeler le GPS, développé par les Etats
Unis en 1990. Ce système utilise des réseaux de communications par satellites.
L’avantage des systèmes satellitaires sur les systèmes classiques de radionavigation est
son accessibilité et sa précision constante sur l’ensemble du globe terrestre
73
IV.4 Application a la dosimétrie :

L’étude des effets des radiations nécessite une connaissance approfondie de
l’intéraction des ions avec les composantes cellulaires et tissulaires du milieu vivant
aux échelles micro- et nanométriques. Le développement de modèles de micro- et
nanodosimétrie est actuellement en pleine expansion.
Les premières estimations à l’échelle du micron ont conduit à modéliser le dispositif

d’irradiation complet. Les calculs de dosimétrie à l’échelle du micromètre ont déjà
permis de modéliser la dose reçue.
La prise en compte de l’ionisation, de l’excitation des molécules, ainsi que du transfert

de charges à des énergies incidentes faibles (jusqu'à 10 eV) permettent de simuler la
structure adaptée pour la dosimétrie. Dans le domaine de la dosimétrie et radio-
thérapie, les développements en cours couvrent différents aspects visant à optimiser
l’efficacité du traitement, l’amélioration des techniques qui font appel aux
connaissances de la physique nucléaire (sections efficaces, mesures de données
biologiques et calcul) et le développement des techniques de contrôle qualité associées
aux différentes approches de traitement (dosimétrie des faisceaux, vérification des
traitements en ligne).
Les travaux en cours s’appuient sur le développement d’un appareil de mesure de la

distribution volumique de dose d’un accélérateur de radiothérapie en conditions de
Modulation d’Intensité.
La dosimétrie est rendue délicate par l’intervention de l’effet biologique relatif qui
dépend intimement de la nature et de l’énergie des radiations incidentes. Afin d’étudier
et de quantifier les effets biologiques des ondes électromagnétiques, il est
indispensable de maîtriser les paramètres physiques et biologiques qui caractérisent
l’interaction de l’onde avec les systèmes biologiques. La quantité d’énergie absorbée
par les systèmes biologiques semble être le paramètre le plus significatif pour étudier
les interactions ondes–systèmes biologiques, elle est désignée sous le nom de débit
d’absorption spécifique (DAS) [ou specific absorption rate (SAR)].
74
Le SAR est défini comme la quantité de puissance absorbée par unité de masse et
s’exprime en watt par kilogramme (W.kg-1).
SAR = dW / dm (1)
Avec :
W : puissance absorbée en watt ;
m : masse en kg ;
Le SAR est utile pour déterminer les niveaux d’exposition et donc pour comparer les
effets biologiques obtenus sur des systèmes biologiques différents dans des conditions
d’exposition différentes.
La dosimétrie consiste en la mesure de la quantité absorbée du rayonnement auquel un

être vivant a été exposé. Que ce soit pour la normalisation ou pour les études
biologiques. Les études expérimentales ne sont pas toujours faciles à mettre en œuvre.
Il est donc souvent nécessaire d’avoir recours à la modélisation. Néanmoins, il est
nécessaire de comparer la dosimétrie théorique avec la dosimétrie expérimentale. La
modélisation consiste à évaluer par le calcul les valeurs de champs électromagnétiques
à l’intérieur de la matière vivante dans des conditions d’exposition données.
La fiabilité de la modélisation repose sur la connaissance précise des caractéristiques

diélectriques du système biologique comme la permittivité et la conductivité. La nature
des effets des rayonnements sur les systèmes biologiques dépendent des
caractéristiques de l’onde (fréquence, longueur d’onde…). La puissance de l’onde est
aussi un paramètre important puisque, plus la puissance est élevée, plus la quantité
d’énergie susceptible d’être absorbée par le système biologique est élevée. Les
interactions seront donc différentes en fonction des puissances appliquées. Le mode
d’exposition peut lui aussi influencer les interactions entre les micro-ondes et les
systèmes biologiques.
75
Dans le cas d’une émission pulsée, le rayonnement est émis par des impulsions de
durée τ. L’émission, qu’elle soit continue ou impulsionnelle, peut être modulée de
façon à ce qu’un seul de ses paramètres physiques varie. Il existe principalement deux
types de modulation : la modulation d’amplitude où la puissance d’émission varie dans
le temps en fonction de la fréquence fixée du signal à transmettre, et la modulation de
fréquence (cas de la téléphonie mobile) où la fréquence d’émission oscille dans une
certaine bande fréquentielle en fonction de l’amplitude du signal à transmettre
Les micro-ondes, induisent une oscillation des molécules, telles que celle de l’eau, qui
résulte en une augmentation de température. Or, les caractéristiques diélectriques du
système exposé, comme la permittivité ou la conductivité sont très importantes pour
étudier les interactions entre les ondes électromagnétiques et un matériau. La
composition du milieu joue donc un rôle important dans les interactions entre les
micro-ondes et les systèmes biologiques.
De cela, il est nécessaire et appréciable de développer des composants et des structures

qui sont mieux adaptés pour des applications de dosimétrie, surtout s’il s’agit d’une
matière vivante. Alors, la structure qui présente une sélectivité spectrale et qui permet
de filtrer les composantes nécessaires du rayonnement utilisé et qui a démontré des
performances excellentes dans ce contexte est celle de la cavité de résonance à base de
nitrures III-V.
Or les CCDs sont aussi performantes pour ces applications, ils nécessitent un
processus de fabrication particulier, du fait des isolements entre rangées de pixels. La
fabrication nécessite un procédé assez complexe et coûteux lié aux isolements entre
colonnes de pixels, et à l’amincissement du substrat à quelques dizaines de microns
pour étendre la réponse spectrale dans tout le visible. Une nouvelle génération de CCD
à amplification de charge est utilisée dans l’imagerie, pour laquelle est développée une
technique de dosimétrie (DOSIMAP) qui mesure la distribution en trois dimensions
des doses déposées par des faisceaux de radiothérapie. Les caractéristiques de
l’appareil sont directement liées aux performances des capteurs CCD utilisés.
76
IV. 5 Conclusion :
Les systèmes optoélectroniques sont fondamentalement dépendants des propriétés

optiques des matériaux, de leur disponibilité et des technologies mises en oeuvre.
L’optoélectronique couvre une grande diversité de composants, d’équipements et de
systèmes qui dépendent des conditions d’emploi opérationnel.
Ainsi, le développement de l’optoélectronique passe par une maîtrise des composants
de base que sont :
 Les matériaux pour l’optique (linéaire et non linéaire).
 Les composants optoélectroniques pour assurer : la détection, et l’émission.
 Les composants et systèmes d’imagerie.
La diversité spectrale à l’émission des sources laser et l'apparition de systèmes
fonctionnant en régime picoseconde ou sub-picoseconde de forte puissance peuvent
représenter à moyen terme une arme d’aveuglement des photodétecteurs
optoélectroniques. La modération d’un tel système passe par la résolution d’une
multitude de problèmes et par le choix de filières technologiques et d’une architecture
qui autoriseraient la mobilité sur un endroit opérationnel
77
Références
[1] Diffey B L 2002 Methodes 28 4

[2] Baumann P K and Nemanish R J 1998 J. Appl. Phys. 83 2072
[3] Razeghi M, Rogalski A, Semiconductor ultraviolet detectors. J. Appl, Phys.
79, 7433-7473. (1996)
[4] Xu GY, Salvador A, Kim W, Fan Z, Lu C, Tang H, et al. Ultraviolet
photodetectors based on GaN p-i-n and AlGaN (p)-GaN (i)-GaN (n) structures.
Appl Phys Lett 1997; 71 (15):2154-6.
[5] Fritz IJ, Drummond TJ. AlN-GaN Quarter-wave reflector stack grown by
gas-source MBE on (100) GaAs. Electron Lett 1995;31:68-9
[6] Nakamura S, Mukai T, Senoh M. Candela-class high-brightness
InGaN/AlGaN double-heterostructure blue light-emitting diodes. Appl Phys Lett
1994;64: 1687-9.
[7] Nakamura S, Senoh M, Nagahama N, Iwara N, Yamada T, Matsushita T, et
al. InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with modulation-doped strained-layer
superlattices. Jpn J Appl Phys 1997; 38:L1578
[8] Thèse doctorat de l’université Montpellier II « Développement d’u détecteur
de flamme à base d’AlGaN » par : Cyril PERNOT. Ecole doctorale : Matière
condensée.
78
Conclusion.
Conclusion.
Dans ce travail, on a présenté une étude sur les photodétecteurs Ultra-Violet à base de
matériaux à grand gap : les nitrures GaN/AlGaN.
Nous nous sommes plus particulièrement intéressés à ceux capables de détecter de

faibles signaux UV noyés dans un bruit de fond optique émanant, en particulier, du
rayonnement solaire.
Pour celà , nous avons considéré les structures capables de fournir cette sélectivité qui
consiste à filtrer les signaux indésirables dus aux rayonnements solaires et d’amplifier
les rayonnements utiles à détecter.
Parmi ces structures, nous nous sommes plus particulièrement intéressés aux
Photodétecteurs dits Solar-Blind à Cavité de Résonance de Bragg Distribuée (DBR)
fabriqués à base de matériaux semiconducteurs Nitrures III-N : GaN/AlGaN.
Il s’agit de structures comportant une cavité constituée par un empilement périodique

de couches puits et barrières quantiques (super-réseau) dont l’épaisseur est
proportionnelle à λ/2 et qui est destiné à produire une variation périodique de l’indice
de réfraction de manière à provoquer une résonance de Bragg.
Le développement d’une telle structure nous est imposé par la particularité des
applications qui nécessitent une structure capable de détecter le signal en plein jour et
qui doit être insensible à l’éblouissement solaire.
Conclusion.
Le recours aux semiconducteurs à grand gap et en particulier, les nitrures est du aux
propriétés de ces matériaux. Ces matériaux permettent d’étendre la réponse spectrale
dans tout le visible et même élargir le système de détection au domaine UV et de plus
ils présentent une fiabilité de fonctionnement même sous des conditions sévères.
Nous avons procédé à une étude comparative des semiconducteurs à grand gap les plus
répandus : le diamant (C-diamant), le carbure de silicium (SiC), les composés III-N
(GaN, AlN, InN, BN ), et certains semiconducteurs II-VI comme ZnO, ZnS, ZnSe et
leurs alliages.
Mais nous avons établi que les nitrures sont plus performants dans le domaine des
courtes longueurs d’ondes. Ces matéraiux présentent un gap direct et par conséquent
un bon rendement de conversion. En outre, l’utilisation des nitrures permet de moduler
la réponse spectrale du détecteur. Et de plus ils permet de réaliser des alliages ternaires
et quaternaires, ce qui élargit considérablement le champ d’application des nitrures.
Les nitrures sont aussi utilisés dans la fabrication des lasers, pour les applications de
lecture et d’écriture de données.
Nous avons enfin établi qu’une cavité de résonance de Bragg à base de GaN/AlGaN
présente des performances excellentes de détection du signal utile en présence d’un
signal de fond et donc elle répond bien a nos exigences.
MECHEREF Rachid.
Magister de Physique option : MICRO-OPTO-ELECTRONIQUE - session Juin 2006 -
Mémoire intitulé : Etude des Photodétecteurs Ultra-Violet à base d’Hétérostructures
de Nitrures III-N GaN/AlGaN.
Résumé :
La détection des rayonnements dans le domaine Ultra-Violet (λ<400 nm) présente un
intérêt considérable compte tenu du très fort potentiel d’applications dans de
nombreux domaines extrêmement porteurs: médecine, communications, stockage et
lecture des informations, dosimétrie, détecteurs d’incendie et de missiles, métrologie,
spectroscopie UV, environnement,…. La plupart de ces applications nécessitent des
détecteurs très sensibles aux rayonnements UV, mais en même temps insensibles aux
rayonnements visible et Infra-Rouge. Parmi les techniques qui permettent de filtrer ce
bruit de fond indésirable et d’amplifier le signal UV utile, nous nous intéressons aux
photodétecteurs munis d’une cavité de résonance.
L’objectif de cette étude est de présenter les différentes structures de photodétecteurs
et, en particulier, les photodétecteurs à Cavité de Résonance de Bragg Distribuée
(DBR), qui consiste en un empilement périodique de puits et de barrières quantiques
destinées à produire une variation également périodique de l’indice de réfraction et
dont la géométrie est ~ λ /2.
En raison de leurs propriétés particulières, les semiconducteurs à grand gap (E g>3 eV),
constituent le meilleur choix pour la réalisation de ces photodétecteurs Ultra-Violet.
Dans le domaine des courtes longueurs d’ondes, les hétérostructures de nitrures
GaN/AlGaN sont les plus performantes, en raison de toute une série de propriétés : un
gap direct, un coefficient d’absorption de l’ordre de 4.104 cm-1 (λ< 360 nm), possibilité
de modulation de la réponse spectrale du détecteur et plus particulièrement son seuil
de coupure, leur robustesse, leur résistance mécanique, leur résistance
thermique,…Ceci ouvre la possibilité de réaliser des photodétecteurs UV très sélectifs,
fiables, avec une longue durée de vie, capables de fonctionner en atmosphère hostile.
Ce manuscrit est constitué de quatre chapitres. Le premier chapitre concerne une étude
comparative des différents types de photodétecteurs, avec leurs différentes structures
et leurs paramètres de base. Le chapitre deux est consacré à une étude comparative des
différents matériaux à grand gap potentiels pour la réalisation de ce genre de
photodétecteurs: SiC, Diamant, II-VI, Nitrures III-N. Au chapitre trois, nous abordons
les photodétecteurs Solar-Blind à cavité de résonance de Bragg à base de
GaN :AlGaN. Cette structure permet de filtrer les signaux indésirables et d’amplifier
les signaux utiles. Le Chapitre quatre est consacré aux différentes applications des
photodétecteurs et en particulier, les photodétecteurs solar-blind GaN/AlGaN.
Mots clés : Photodétecteur, Ultra-Violet, cavité de résonance de Bragg, Solar-Blind,
hétérostructures III-V, Nitrures III-N, GaN, AlGaN, diodes de Schottky.
Post-graduation de Micro-Opto-Electronique,
Laboratoire d’Etude des Matériaux, Optoélectronique et Polymères : L.E.M.O.P
Département de Physique Faculté des sciences Université d’Oran.

TH2257

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

TH2257

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Présenté par Monsieur

ETUDE DES PHOTODETECTEURS ULTRA-VIOLET

Soutenue le 26/06/2006 devant le Jury composé de MM :

D.SIB Professeur Université d’Oran Président

Année Universitaire : 2005-2006

TABLE DES MATIERES

Etude comparative des différents types de photodétecteurs

Etude comparative des matériaux à grand gap utilisés

II.5 Nitrures III-N………………………………………………………….39

La détection des rayonnements Ultra-Violets (λ<400 nm) présente un intérêt

La plupart de ces applications nécessitent des détecteurs très sensibles aux

L’objectif de ce travail est d’étudier les différentes structures de photodétecteurs et en

consiste en un empilement périodique de puits et de barrières quantiques destiné à

Air masse zéro, 1353 W/m2.

Air masse un, 925 W/m2.

Figure 1 : Courbes représentant l’irradiance spectrale du Soleil en fonction de la

Ce manuscrit est constitué de quatre chapitres. Le Chapitre I concerne une étude

d’autres photodétecteurs adaptés à la détection sélective : les photodétecteurs à

Au Chapitre III, nous abordons les photodétecteurs Solar-Blind à cavité de résonance

Le Chapitre IV est consacré aux différentes applications des photodétecteurs UV et en

Etude comparative des différents types

Le paramètre essentiel d’un photodétecteur est sa détectivité qui est affectée, en

Le système GaN/AlGaN est particulièrement adapté aux exigences du photodétecteur

La sensibilité à une gamme de longueurs d’ondes est imposée principalement par la

Il existe différentes structures de photodétecteurs dont on peut citer :

- les photodiodes de Schottky,

Les paramètres essentiels d’un photodétecteurs sont :

Parmi les applications des photodétecteurs, on peut citer les systèmes de

III. Différents types de photodétecteurs :

conductivité du semiconducteur d’où le signal est détecté par un changement de la

Fig. 1 : Mécanisme de détection dans un photoconducteur

Le taux de génération total par unité de volume s’écrit :

Le courant qui circule entre les électrodes est donné par :

Le gain de photocourant s’écrit :

bb.. Photodétecteur à jonction p-n :

J(Va ,) J D (Va ) J ph() . (5)

Va est la tension appliquée.

La densité de courant d’obscurité J D dépend principalement de la tension Va tandis

Donc le photocourant peut s’écrire :

Le photoconducteur fonctionne souvent à polarisation nulle. Par contre, les

Pour les photodétecteurs à jonction p-n à base de matériaux à grand gap, la

Le courant de diffusion est donné par :

I D  AJ s exp(qV kT )1. (7)

avec : J s est le courant de saturation donné par :

Contacts Champ Région de

Fig.2 : Représentation schématique d’un photodétecteur à jonction p-n

 Les principaux paramètres d’un photodétecteur sont :

Fig. 4 : Principe de fonctionnement d’une photodiode à jonction p-n.

ext i 1 R 1 R  . (10)

o Temps de transit des porteurs dans la région d’absorption

En effet, les porteurs généré en dehors de la région d’absorption doivent diffuser à la

I n2 2qI D 2I s 4kT G j G0  . (12)

 : est la largeur de bande de fréquence.

G0 : est la valeur de G j à basse fréquence.

En régime de faible fréquences (ou en absence de polarisation et de flux de photons

La détectivité représente le rapport signal/bruit normalisé à une surface standard. Si A

Sous polarisation inverse et si la fluctuation du flux de rayonnement est négligeable I D

SC2 SC1 SC2

Fig.5 : Configuration des bandes de conduction

Si l’épaisseur L1 du semiconducteur 1 est faible (200 A°), les états électroniques ne

de l’espace, les photodétecteurs à hétérostructures sont très rapides en raison de la

 z  est la fonction enveloppe qui décrit la quantification du mouvement suivant z.