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− q ⋅ Nm − δ m ≤ y ≤ 0
ρ ( y ) = q ⋅ N D 0 ≤ y ≤ y1 avec δ m << y1
− q ⋅ n y ≤ y ≤ y + δ
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1-1) Exprimer la relation entre la dérivée du champ électrique E(y) , la densité de charges
ρ ( y ) et la permittivité ε du Semi-conducteur
1-2) La densité de charges N m dans le métal est très supérieure à celle du semi-conducteur
N D . De ce fait on négligera l’épaisseur de la zone de charge d’espace δ m dans le
métal.
a) Donner l’expression du champ électrique E ( y ) pour y ≥ 0 .
b) En utilisant le fait que l’on doit avoir E ( y1 + δ ) = 0 montrer que le champ en
q ⋅ ND q ⋅ ns
y = 0 est donné par : E (0) = − y1 + , où on aura posé : n s = n ⋅ δ .
ε ε
Quelle est l’unité de n s ?
c) A.N : On donne :
y1 = 30 nm ; δ = 10 nm ; N D = 1018 cm −3 ; n = 1018 cm −3
ε = 1,16 10 −12 F / cm ; q = 1,6 10 −19 C
Calculer la valeur numérique de E (0)
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IUT de Limoges Département GEII Brive
Electronique Physique Partiel 2000
ε q ⋅ N D ⋅ y12
q ⋅ ns =⋅ (VGS − Vth − Φ ( x) ) , avec Vth = Vbi + V0 − . Calculer
y1 2ε
numériquement Vth si Vbi + V0 = 0,22 V
c) On posera maintenant :
C ⋅ (V − Vth − Φ ( x) ) si Vth − Φ ( x) ≥ 0
q ⋅ ns = 0 GS
0 si Vth − Φ ( x) < 0
Calculer la valeur numérique de C 0
2) Fonctionnement du transistor.
2-1) Montrer que le courant dans le canal est donné par1 I D = q ⋅ ns ⋅ Z ⋅ v(x)
2-2) On suppose que la vitesse des électrons est donnée par la relation suivante. (figure-3) :
µ ⋅ E ( x) si E < Ec
v( x ) =
v s si E ≥ Ec
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Avec les conventions de la figure-4
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a) On se place à la limite de saturation, c’est-à-dire pour VDS = Vsat . On pose
a = VGS − Vth . En utilisant les relation obtenues aux questions 2.1) et 2.3) , montrer
que la tension de saturation Vsat satisfait l’équation du second degré suivante :
v ⋅L v ⋅L
Vsat2 − 2 ⋅ a + s ⋅Vsat + 2 ⋅ a ⋅ s =0
µ µ
b) Résoudre cette équation pour obtenir Vsat sous la forme. (On choisira la racine la
plus petite)
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v ⋅L v ⋅L
Vsat = a + s − a 2 + s
µ µ
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Grille
Source L=1µm Drain
N+GaAs Al0.25Ga0.75As
GaAs N+ Dopé ND=1018 cm-3 GaAs N+
30nm
O x
Substrat AsGa
y
Canal InGaAs
Densité d’électrons
libres = -qn
Barrière AlGaAs
Drain
J(x) Largeur de
Source
v(x) Grille
δ Z
0 x
E(x)
L
Φ (x)
Figure-4 : Sens conventionnel du champ E(x) de la tension φ(x) et de la
densité de courant J(x) dans le canal.
(le dessin n’est pas à l’échelle)
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y
ρ(y)
q.ND
y1 y1+δ y
-q.n
-q.Nm
E(y)
y
E(0)
vs
E
Ec
Figure-3 Caractéristique de la vitesse en fonction du champ