VIII COMPOSANTS ACTIFS :

Les composants actifs à état solide principalement utilisés dans le domaine des microondes sont
les diodes PN, schottky et IMPATT, les transistors à effet de champ, MESFET et HEMT et les
transistors bipolaires, à homojonction et hétérojonction. Ces composants sont réalisés dans diverses
technologies de semiconducteurs leur apportant des performances propres en terme de fréquences
de coupure et de puissance. La structure de base de ces composants est une jonction formée de
matériaux identiques mais dopés différemment (homojonction) ou de matériaux différents
(hétérojonction et jonction métal-semiconducteur).

Nous allons voir, dans ce chapitre, les différentes technologies existantes, les technologies
émergentes et les différences de fonctionnement et de performances des différents composants.

1. TECHNOLOGIES

Les composants actifs sont la base de la réalisation des circuits actifs qui constituent les systèmes
d’émission-réception. Leurs performances en fréquence, puissance et bruit sont indéniables d’un Figure 1 : Evolution de l’énergie de bande interdite et du paramètre cristallin pour différents
fonctionnement correct du système complet. Leurs linéarité ou non-linéarité est utilisée pour des
aspects d’amplification ou de génération de signaux. matériaux.
vsat (107cm.s-1)
Les premiers composants actifs ont été fabriqués sur du germanium, ce dernier a très vite été
détrôné par le silicium qui a connu un développement fulgurant à partir des années 1970, tant en 3
termes de performances que d’intégration. On connaît aujourd’hui l’apport incontesté par ce
développement, notamment dans la vie courante.
2
Il n’en reste pas moins que le silicium souffre de deux inconvénients majeurs devant d’autres
InP
semiconducteurs, une mobilité faible des porteurs et un semiconducteur non semi isolant, rendant la 1
conception de composants et de circuits intégrés plus délicate à des fréquences très élevées.

Le tableau I donne les principaux paramètres physiques et électriques des semiconducteurs

utilisés pour la réalisation de composants rapides. Le Si, GaAs et InP sont ceux qui sont le plus 0 5 10 15 20 E (kV.cm-1)
utilisés car ils ont donné naissance à des technologies industrielles. Les deux derniers, le GaN et le
SiC, font partie du domaine de la recherche et sont prometteurs quand à leurs propriétés optiques et Figure 2 : Vitesse de dérive électronique dans différents semiconducteurs non dopés à 300K.
thermiques qui en font de bons candidats pour l’électronique de puissance à très hautes fréquences.
à 300K Si Ge GaAs InP GaN 3C-SiC Sur la figure 2, on constate que la vitesse de saturation des électrons est bien plus élevée dans les
composés III-V que dans le silicium, permettant ainsi aux composants actifs de développer des
εr 11.7 16.2 12.9 12.5 9.7 9.72
performances fréquentielles plus élevées.
NC (cm-3) 3.2 1019 1.0 1019 4.7 1017 5.7 1017 1.2 1018 1.5 1019
-3
NV (cm ) 1.8 10 19
5.0 10 18
9.0 10 18
1.1 10 19
4.2 10 19
1.2 1019 2. DIODES
eχ (eV) 4.01 4.00 4.07 4.38 4.1
Eg (eV) 1.12 0.66 1.424 1.344 3.2 2.36 Il existe diverses diodes utilisées dans le domaine des microondes. Ces diodes sont utilisées pour
ni (cm-3) 1.0 10 10
2.0 10 13
2.1 10 6
1.3 10 7 la détection, le mélange ou la génération de signaux en fonction de leur technologie. Elles sont
également la base des transistors.
μn(cm/V.s) 1400 3900 8500 5400 1000 900
μp(cm/V.s) 450 1900 400 200 350 20 2.1 Diodes PN :
Constante de maille (Å) 5.431 5.658 5.65325 5.8687 4.52 4.3596 La diode PN seule, fabriquée à base d’un seul semiconducteur, est très peu utilisée dans le
domaine des microondes car elle ne permet pas de fonctionner à des fréquences très élevées au delà
Tableau I : paramètres physiques et électriques de semiconducteurs du millimétrique, notamment sur Silicium, pour lesquelles les transistors n’offrent plus de gain. En

COMPOSANTS ACTIFS 97 COMPOSANTS ACTIFS 98

revanche elle est à la base du transistor bipolaire et de diodes plus spécifiques du domaine des Trois types de diode permettent d’obtenir ce type de caractéristique : les diodes à effet Tunnel,
hyperfréquences : les diodes IMPATT et les diodes Gunn.
- diode à avalanche : utilisée pour la génération directe et harmonique, la multiplication de
2.4 Schéma équivalent :
signaux.
- diode varactor : utilisée pour la commande Le schéma équivalent d’une diode est représenté sur la figure 4. La caractéristique non linéaire
- diode PIN : utilisée pour la commutation et la détection de signaux du fonctionnement de la diode est donnée par la relation entre la tension et le courant :
⎛ ηq.k.V.Td ⎞
La fréquence de coupure de la jonction PN est influencée par la capacité de diffusion : I d = IS ⎜ e − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
∂V
fC = 1 où r = d ⎟⎞ IS est le courant de saturation de la diode qui dépend de la technologie utilisée ainsi que des
2 π.r. ⎡⎣C j ( Vd ) + C d ⎤⎦ ∂I d ⎠ Vd =0 dimensions du composant.
Cj
La diode PN fabriquée à base de deux semiconducteurs différents, qui présentent un accord de L Id RS L
maille (figure 1), présente l’avantage de créer un puit de potentiel au niveau de la bande de
conduction ou de valence, et ce grâce à la différence de bande interdite des semiconducteurs, afin
d’améliorer l’efficacité d’injection des porteurs dans le composant. C C
R
2.2 Diodes Schottky :

La diode schottky est composée d’un conducteur placé sur un semiconducteur selon une barrière Figure 4 : Schéma équivalent non linéaire d’une diode.
métal-semiconducteur. Elle est réalisée sur Si (métal Al), GaAs (métal Au) et SiC. La différence
fondamentale avec la diode PN est que le fonctionnement s’appuie sur les porteurs majoritaires,
alors qu’il s’appuie sur les porteurs minoritaires dans le cas de la PN. 3. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

La diode Schottky peut fonctionner jusqu’à la fréquence de coupure qui est égale à : Les transistors à effet de champ sont réalisés sur différents semiconducteurs mais les
technologies sont différentes selon la nature du matériau et donnent lieu à différentes structures du
1 ∂V ⎞
fC = où r = d ⎟ transistor à effet de champ. Le transport des électrons se fait horizontalement (ou latéralement) dans
2 π.r.C j ( Vd ) ∂I d ⎠ Vd =0 les structures à effet de champ, alors qu’il se fait verticalement dans les structures bipolaires.

L’absence de capacité de diffusion, ou capacité dynamique de la jonction qui fait intervenir la
durée de vie des porteurs, entraîne une fréquence de coupure bien plus élevée que pour la jonction
PN avec des fréquences pouvant atteindre 200 à plus de 300 GHz.
Elle est principalement utilisée en détection, mélange et limitation de puissance particulièrement
en bande sub-millimétrique.
Les performances fréquentielles des transistors sont caractérisées par la fréquence de transition
ft, qui correspond à un gain en courant (sortie en court-circuit) unitaire et la fréquence maximum
d’oscillation fmax, qui correspond à la fréquence pour laquelle le gain en puissance disponible
(MAG) est égal à l’unité.
3.1 MOSFET :

2.3 Diodes à transfert électronique ou diode GUNN :
+ +
C’est une structure N NN réalisée sur du GaAs ou de l’InP. Elle est utilisée en tant que
générateur direct ou harmonique et en multiplication. Cette génération de signaux est réalisée grâce
à la caractéristique de résistance dynamique négative qu’elle présente pour certaine polarisation
(figure 3).
I Pic
Ce transistor est le plus répandu dans les circuits intégrés basses fréquences, du fait de sa très
faible consommation et de sa forte densité d’intégration. Néanmoins, il n’est pas utilisé en
microondes à cause de ses faibles performances fréquencielles, bien que des fréquences de
transition de 240 GHz aient été obtenues avec une longueur de grille de 43 nm.
Il utilise une jonction Métal-Isolant-Semiconducteur (MISFET) mais comme le seul isolant qui
puisse être correctement déposé sur du silicium est de l’oxyde de silicium, on réalise donc un
MOSFET (Metal-Oxyde-Semiconductor Field Effect Transistor). La figure 5 représente une coupe
de ce composant.

Lorsque la grille est polarisée positive avec une tension suffisante, il apparaît une couche
Vallée
d’inversion à l’interface isolant-semiconducteur que constitue la zone déplétée ou le canal. Ce canal
est constitué d’électrons alors que le substrat est dopé P. La quantité de charges négatives est
Zone de résistance
négative V contrôlée par la grille. Lorsqu’une tension est appliquée entre la source et le drain, ces électrons
vont se déplacer sous l’effet du champ électrique, constituant ainsi un courant entre la source et le
drain.
Figure 3 : Caractéristique d’une diode à effet tunnel.

COMPOSANTS ACTIFS 99 COMPOSANTS ACTIFS 100

 Ces électrons se déplacent à une vitesse assez lente à cause principalement de 2 phénomènes Les fréquences de fonctionnement sont inhérentes au fonctionnement du transistor et sont donc
physiques : le transport s’effectue au niveau de l’interface oxyde-semiconducteur qui réduit leur liées aux valeurs des éléments électriques de son schéma équivalent (figure 7).
vitesse par rapport au silicium massif, vitesse qui est déjà plus lente dans le silicium que dans
d’autres semiconducteurs ternaires.
Rg Cgd Rd
Ceci contribue à obtenir des fréquences de fonctionnement relativement faibles pour ces
composants. Pour augmenter ces fréquences, il faut que le temps de transit des électrons à travers le
canal soit très faible, pour diminuer ce dernier, il faut que les électrons parcourent un chemin le plus Cgs gm Gds
court possible. Ceci est réalisé, en diminuant la longueur de grille, on obtient alors des
performances fréquentielles accrues (tableau II). Les limitations de ces composants se trouvent
également en un bruit élevé comparativement au transistor bipolaire.
Rs

Lg (µm) 0.18 0.13 0.092 0.063 0.043

Ft (GHz) 35 53 94 140 230 Figure 7 : Schéma équivalent linéaire du transistor MOS.
Épaisseur oxyde (nm) 6.2 4.45 3.12 2.2 1.8

Tableau II : performances de transistors CMOS en fonction de la longueur de grille. gm gm

ft = f max =
C gd ⎛ C ⎞
Grille Grille
2 π.C gs 1+
C gs
2 π.C gs .2 (R s + R g ) ⎜ g ds + g m Cgd ⎟
Source Drain Source Drain ⎝ gs ⎠
N N N Enfin, pour la réalisation de circuits MMIC, l’inconvénient majeur des technologies MOS, est le
substrat dopé utilisé de faible résistivité qui entraîne des pertes élevées pour les composants passifs
Zone déplétée Zone déplétée
Oxyde Oxyde qui résonnent à des fréquences faibles. Pour palier à ceci, des technologies SOI ont été développées
(Substrate On Insulator), dans lesquelles le transistor MOS est fabriqué sur un substrat semi-isolant
Substrat P Substrat P de Si (figure 8). Les éléments passifs sont alors de meilleure qualité.
Grille
(a) à déplétion (b) enhancement Source Drain
+ +
Figure 5 : Transistor MOSFET : structure latérale. N Si P N+
Oxyde
Oxyde
Pour obtenir des composants de puissance, des structures verticales sont réalisées (figure 6), dans Si haute résistivité > 1 kΩ.cm
lesquelles le drain se trouve sur la face opposée au substrat. Les fréquences de fonctionnement de ce
type de composant s’en trouvent fortement réduites puisque la zone de transit des électrons est
longue. Les LDMOS (Laterally Double Diffused MOS) et VDMOS (Vertically Double Diffused Figure 8 : Technologie MOS - SOI.
MOS) sont également des composants de puissance qui ne fonctionnent guère au-delà de quelques
centaines de MHz. 3.2 MESFET (MEtal-Semiconducteur Field Effect Transistor):

Source C’est le transistor le plus utilisé dans les circuits MMIC, notamment dans les radiotéléphones, les
récepteurs de télévision par satellite et les badges de télépéage par exemple. Il est réalisé sur
Grille substrat GaAs et utilise un contact schottky sur la grille (figure 9).
+
N N+
Une tension appliquée entre les drain et source fait circuler un courant d’électrons sous la grille
P P dans le canal, parallèlement à la surface du semiconducteur. La saturation de ce courant est due à la
Oxyde saturation de la vitesse des électrons dans le matériau (figure 2). L’intensité du courant est contrôlée
couche N-
par la profondeur de la zone déplétée qui apparaît sous la jonction métal-semiconducteur de la grille
Substrat N+ (contact schottky) et qui est polarisée en inverse. Les performances fréquencielles de ces transistors
Drain
sont fonction de la longueur de grille (Lg) qui constitue le chemin parcouru par les électrons pour
atteindre le drain. En réduisant cette longueur de grille, on diminue le temps de transit et on
Figure 6 : Transistor MOSFET : structure verticale. améliore les fréquences de coupure des composants. Ces longueurs, grâce aux avancées
technologiques, sont passées de 0.7 à 0.15 µm. La largeur de grille (ℓg), quand à elle, permet

COMPOSANTS ACTIFS 101 COMPOSANTS ACTIFS 102

d’augmenter l’amplitude du courant et donc la puissance du composant, elle varie entre 50 et
200µm en général. Mais ceci ne permet pas d’obtenir des composants de forte puissance, il faut
alors avoir recours à des structures multi-doigts de grille.
Métal GaAlAs GaAs

Lgs Lgd EC
Ls Lg Ld
ΦB ΔEC ΦF
Source Grille Drain Contact
EF
N+ N+ ℓg
N
Canal N +
N +

Substrat GaAs semi-isolant

ΔEV
Substrat GaAs semi-isolant

GaAlAs GaAs non

Figure 9 : MESFET. dopé N dopé
Couche séparatrice Accumulation
Le fonctionnement de ce transistor s’approche de celui du MOSFET, mais les performances GaAlAs non dopé d’électrons
fréquentielles sont bien meilleures du fait de l’utilisation de GaAs. De plus, comme il est fabriqué
sur un substrat semi-isolant, la réalisation de circuits MMIC donne de très bons résultats. Figure 11 : Diagramme de bande d’un HEMT.

(voir modèle figure 20)

gm gm Sous l’effet de la tension appliquée entre drain et source, ces électrons vont se déplacer dans une
ft = f max =
2 π.C GS 2 π.C gs .2 R C G DS zone non dopée, et donc à grande vitesse. Ainsi, pour une longueur identique de grille, un transistor
HEMT aura des performances améliorées à celles d’un transistor MESFET. En contrepartie, comme
3.3 HEMT (High Electron Mobility Transistor) : le puit de potentiel a une largeur très faible, le courant disponible est limité pour ce composant..

Ce composant réalisé sur GaAs, InP et GaN utilise une hétérojonction (grille-source) pour 3.4 PHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) :
diminuer le temps de transit des électrons et augmenter les performances fréquentielles. Les
électrons circulent dans une zone non dopée dans laquelle ils acquièrent une vitesse plus rapide que Afin d’augmenter la largeur du puits de potentiel et par là même le courant du composant, on
dans une zone dopée (figure 10). réalise une double hétérojonction en plaçant une couche GaInAs entre les couches GaAlAs et GaAs
(figures 12 et 13). Un second avantage d’utiliser une couche de GaInAs non dopée est de conférer
L’hétérojonction GaAs/GaxAl1-xAs présente, de part et d’autre de l’interface, une différence de aux électrons une vitesse plus élevée encore que dans du GaAs. Cette couche de Ga0.85In0.15As n’a
bande interdite (gap), en effet Eg est plus grande dans le matériau GaAlAs que dans GaAs. La pas la même dimension de maille que celle du GaAs, il y a contrainte compressive et pour éviter des
répartition de la différence de gap entre les bandes de conduction (ΔEc) et bandes de valences (ΔEv) dislocations du matériau qui détérioreraient le composant, cette couche doit être très fine. C’est
dans les diagrammes d’énergie crée un puit de potentiel du côté GaAs non dopé. Le GaAlAs étant cette couche qui est pseudomorphique et qui a donné le nom au composant.
dopé N, des électrons en provenance de la partie dopée s’accumulent dans le puits de potentiel qui
GaAs N+
va constituer le canal du transistor (figure 11).
Zone déplétée Source Drain
Grille Contact N+
+ +
GaAs N+ N N Canal GaAlAs dopé N
Source Drain GaAlAs non dopé
Zone déplétée Grille Contact N+ GaInAs non dopé : canal
N +
N +
Canal GaAlAs dopé N GaAs non dopé : tampon
d1 Gaz d’électrons

d0 GaAlAs non dopé Substrat GaAs semi-isolant

GaAs non dopé Gaz d’électrons
Figure 12 : PHEMT.
Substrat GaAs semi-isolant

Figure 10 : HEMT.

COMPOSANTS ACTIFS 103 COMPOSANTS ACTIFS 104

 4. TRANSISTORS BIPOLAIRES

Métal GaAlAs GaInAs GaAs Ces composants utilisent la jonction PN et le transport des charges se fait verticalement.
EC
ΦB ΔEC 4.1 Transistor bipolaire à homojonction BJT :
ΦF
EF Le transistor bipolaire est constitué de deux jonctions PN (figures 15 et 16).

B E C

ΔEV N++
SiO2 P + N SiO2
N
GaAlAs GaAs non
dopé N dopé Canal N+
Substrat GaAs semi-isolant
Substrat P
Couche séparatrice Accumulation d’électrons
GaAlAs non dopé (GaInAs non dopé)

Figure 15 : Transistor bipolaire à homojonction.

Figure 13 : Diagramme de bande d’un PHEMT.

La figure 16 montre le diagramme des bandes d’énergie du transistor à l’équilibre thermique : les
Ces composants sont également réalisés sur substrat InP et GaN, en utilisant une hétérostructure niveaux de fermi s’alignent. L’émetteur étant fortement dopé N, c’est un réservoir d’électrons.
GaInAs/InP et GaAlN/GaN respectivement. Les meilleures performances atteintes sont données par Lorsque le transistor est polarisé correctement, à savoir la jonction B-E en direct et la jonction B-C
les composants sur InP. en inverse, les bandes de conduction entre l’émetteur et la base se rapprochent, permettant aux
électrons de passer aisément entre l’émetteur et la base. La base étant dopée P, ils la traversent
3.5 MHEMT (Metamorphic High Electron Mobility Transistor) :
rapidement pour atteindre l’interface B-C. Cette jonction étant polarisée en inverse, les électrons
Afin de diminuer la contrainte liée au désaccord de maille entre le GaAs et le GaInAs, on tombent rapidement dans le collecteur. Ainsi un courant d’électrons est créé entre l’émetteur et le
introduit une couche buffer Ga1-x-yAlxInyAs entre le GaAs et le canal GaInAs. Cette couche buffer collecteur. Un courant inverse de trous circule en sens inverse, ce courant est beaucoup plus faible,
correspond à la superposition de différentes couches d’épaisseurs et de dosage différentes, réalisant du fait que les collecteurs et émetteurs sont dopés N.
ainsi une couche graduelle (figure 14). Cette couche permet d’accommoder le large désaccord de
Si Si Si
maille entre le substrat GaAs et le canal GaInAs et d’éviter la propagation de dislocations du
matériau dans la zone active du transistor. EC
EF
Cette technologie, utilisée également sur substrat InP, permet de réaliser des composants sur EG
GaAs ayant des performances comparables à ceux sur InP, en ayant un coût plus faible puisque les EV
avantages du GaAs sont conservées pour la réalisation de circuits. Ainsi ces composants sont
utilisés en bande millimétrique (Ft=290GHz, Fmax=340GHz pour Lg=70nm – IAF).
eVBE
Ga0.47In0.53As 5nm
Ga0.48In0.52As 15nm eVCE
Ga0.48In0.52As 5nm
Ga0.47In0.53As 40nm
Couche d’adaptation
Ga0.48In0.52As 250nm E B C
GaAlInAs : Buffer métamorphique
électrons N++
GaAs 100nm N++ P
trous N N
Substrat GaAs semi-isolant

WE WB WC
Figure 14 : Technologie IAF MHEMT.
Figure 16 : Diagramme des bandes d’énergie et courants dans un transistor bipolaire.

COMPOSANTS ACTIFS 105 COMPOSANTS ACTIFS 106

 Lorsque les électrons traversent la base, ils se trouvent en présence d’un semiconducteur dopé P. 1 ft
Pour éviter qu’ils se recombinent avec les trous, ils doivent traverser la base rapidement, celle-ci ft = f max =
2π.τ ec 8π.rb .C Tc
doit donc être courte et satisfaire à WB << LnB (longueur de diffusion des électrons dans la base). La
base doit donc être fine. Ainsi ft est diminuée si les couches sont fines et si on vient prendre contact directement sur la
couche pour la base et le collecteur (structure mésa, figure 18). Fmax est améliorée si la base est
Il faut également noter qu’un courant de trous est en présence d’un courant d’électrons. Pour que fortement dopée, ce qui est possible avec l’introduction de l’hétérojonction.
le transistor fonctionne correctement, ce dernier doit être plus élevé que le premier, ceci est défini à
travers l’efficacité d’injection :
GaAlAs GaAs GaAs

ΔEC
J nE 1 = 1 EGB
γ= = EC
J nE + J pE J pE σ pB .WB EF
1+ 1+
J nE σ nE .WE EGC
EGE ΔEV

Selon cette équation, le courant de trous sera faible devant celui des électrons si le rapport EV
JpE/JnE << 1. Dans ce cas, l’efficacité d’injection est proche de 1. Ceci se traduit par une épaisseur ΔEC
de base très petite devant l’épaisseur de l’émetteur et un émetteur très fortement dopé par rapport à
la base : eVBE
WB << WE et σ nE >> σ pB eVCE
ΔEV
La base étant peu dopée, elle est très résistive et on ne peut pas diminuer trop son épaisseur, sous
peine d’obtenir une résistance de base très élevée et ainsi de diminuer la fréquence fmax.

ρB 1 E B C
RB = avec ρ B =
WB qN Bμ B électrons N++
N++ P
trous N N
Ce composant, fabriqué sur Si a des performances fréquencielles maximales de 40 GHz environ,
permettant de réaliser des circuits intégrés RF.
WE WB WC
4.2 Transistor bipolaire à hétérojonction HBT : Figure 17 : Diagramme des bandes d’énergie dans un transistor bipolaire à hétérojonction abrupte
et graduelle ( ).
Pour augmenter l’efficacité d’injection et éviter de surdoper fortement l’émetteur devant la base,
on réalise une hétérojonction E-B (figure 17). Le matériau utilisé pour l’émetteur a un gap plus
grand que celui de la base, ainsi cette différence de gap facilite le passage des électrons de
l’émetteur vers la base et rend plus difficile l’injection des trous de la base vers l’émetteur en E
Implantation B
augmentant la valeur ΔEV. L’efficacité d’injection s’en trouve ainsi améliorée : E
H+ E’ Implantation
B bore
C
C
J nE 1
γ= = C’
J nE +J pE J pE0 ⎛⎜ - ΔE G ⎞⎟ (a)
1+ .e ⎝ kT ⎠
J nE0 Substrat GaAs semi-isolant

Le rapport des courants de trous et d’électrons est toujours proportionnel au dopage et à la E

largeur de base, mais il est multiplié par une exponentielle fonction de la différence du gap de
B E
l’hétérojonction, cette exponentielle est égale à 10-6 pour le cas du GaAlAs/GaAs. Ainsi l’efficacité E’ Implantation
d’injection devient très proche de 1 par nature et une base très fine peut être plus fortement dopée B bore
C
que l’émetteur, diminuant ainsi la résistance de base et entraînant une très nette amélioration des C
performances fréquentielles. C’
(b)
En effet, la fréquence de transition d’un transistor bipolaire est inversement proportionnelle au Substrat GaAs semi-isolant
temps de transit des électrons entre l’émetteur et le collecteur : τec = τe+τb+τd+τc, où τe est le temps
à travers la jonction E-B, τb le temps pour traverser la base, τd le temps pour traverser la zone
Figure 18 : TBH implanté en technologie auto-alignée : mésa de base (a) et double mésa (b).
déplétée du collecteur et τc le temps pour traverser le collecteur.

COMPOSANTS ACTIFS 107 COMPOSANTS ACTIFS 108

 Ces transistors bipolaires à hétérojonction sont réalisés sur des substrats de GaAs (hétérojonction
GaAlAs/GaAs ou GaInP/GaAs), InP (InGaAs/InP ou InAlAs/InGaAs), Si (SiGe/Si) et GaN
(GaAlN/GaN).
4.3 Transistor bipolaire à double hétérojonction DHBT :
Très utilisé pour des applications en millimétrique, circuits numériques ultra rapides et
optoélectronique, le TDBH comporte une hétérojonction B-C afin d’augmenter la tension de
claquage de ce composant (figure 19).
parasites qui sont très difficilement quantifiables mais peuvent l’être analytiquement par
recoupement avec des résultats de mesures (fit).
Les diverses résistances sont liées au chemin emprunté par les porteurs dans le composant et
dépendent des dopages des couches et de leurs dimensions. Les capacités sont dues aux couches
avec les effets de transition et de diffusion de porteurs. Enfin, les sources de courant et les diodes
rendent compte des courants générés dans le composant. Pour tenir compte des non linéarités
inhérentes aux principes physiques, des équations dépendantes des tensions et des courants sont
introduites dans le schéma équivalent.

En revanche, l’apport d’une discontinuité dans la bande de conduction bloque les électrons à Ainsi distingue-t-on le modèle linéaire ou petit signal, valide autour d’un point de polarisation et
l’interface B-C, dégradant ainsi le gain du transistor et son efficacité d’injection. Afin de palier à cet pour une faible amplitude de signal, et le modèle non-linéaire ou grand signal qui rend compte du
inconvénient, une couche spacer (InGaAsP) est insérée entre les deux matériaux de l’hétérojonction, fonctionnement du transistor sur une grande partie de sa gamme de polarisation.
la rendant graduelle et poussant la barrière de potentiel à l’intérieur du collecteur. Ceci limite les
effets de blocage des électrons et confère des performances fréquentielles très élevées au DHBT, La complexité des phénomènes physiques mis en jeu est telle que des mesures des composants
essentiellement réalisé sur InP pour les applications optoélectroniques. sont nécessaires pour optimiser ou fitter les valeurs des éléments du schéma équivalent des
composants.
E
5.1 Transistor à effet de champ :
InGaAs n+
B InP n+ B
InP n
InGaAsP p G Rg Cgd Rd D
C InGaAsP graduelle C
InP p
Cgs
InGaAs n+ Cds
Vi gmVi Gds
Substrat InP semi-isolant
RC
Figure 19 : DTBH implanté en technologie auto-alignée double mésa sur InP.

Enfin, après l’énumération de tous ces composants actifs, il ne faut pas oublier que la majorité de Rs
ces matériaux semiconducteurs ont permis de développer des composants optoélectroniques tels que
des photodiodes ou des diodes lasers, qui restent intégrables avec des composants microondes pour S
réaliser des circuits OMMIC (Opto-Microwave Monolithic Integrated Circuits). Figure 20 : Modèle linéaire d’un transistor à effet de champ.

Le tableau II résume les principaux composants réalisables en industrie ou en laboratoire. Ce modèle rend compte de la physique du composant en observant la figure 21. Les capacités
DHBT Diodes Cgs, Cdg et Cds représentent respectivement les capacités grille-source, drain-grille et drain-source.
MOSFET MESFET HEMT HBT Photodiodes Rc et Gds représentent la résistance de canal et la conductance de drain. Rg représente la résistance
Schottky
du bareau de grille, Rs et Rd, les résistances entre la grille et les contacts de source et de drain. Gm
Si GaAs GaAs GaAs InP GaAs SiC(UV)
SiC GaN AlGaAS InP InP Si (visible) représente la transconductance entre la tension à l’entrée et le courant de sortie.
SiC InP InGaP GaN GaN (UV)
SiGe InP (IR) Ce schéma équivalent n’est valide que pour un point de polarisation donné et pour une gamme
InGaAs (IR) de fréquences données. Son utilisation au-delà de ces conditions, entraine nécessairement une
Tableau II : Composants réalisables selon les matériaux divergence des résultats simulés.

Le tableau III indique les valeurs des éléments du schéma équivalent pour quelques composants
ayant des performances fréquentielles différentes.
5.MODELISATION LINEAIRE ou PETIT SIGNAL

La modélisation des composants actifs repose sur le fonctionnement physique du transistor, tant
d’un point de vue statique que dynamique. Néanmoins, pour des composants qui fonctionnent à des
fréquences très élevées, des dimensions extrêmes sont nécessaires, entraînant des phénomènes

COMPOSANTS ACTIFS 109 COMPOSANTS ACTIFS 110

 Eléments MOSFET MESFET HEMT 6.MODELISATION NON LINEAIRE ou GRAND SIGNAL
Cgs (fF) 110
Cgd (fF) 30
Cds (fF) 40
Le modèle est plus complexe et fait appel à des équations analytiques pour rendre compte des
Rc (Ω) 4.6 phénomènes physiques présent à l’intérieur du composant. Il doit notamment intégrer des effets
Rds (Ω) 350 supplémentaires non pris en compte dans les modèles linéaires comme les effets thermiques qui
Rs (Ω) 2.9 deviennent non négligeables, surtout lorsque les courants augmentent, le bruit non linéaire. Le
Rd (Ω) 2.9 modèle non linéaire doit correspondre au mieux au modèle linéaire pour un point de polarisation
Rc (Ω) 1.8
g0 (mS) 18
fixé.
τ (ps) 2.6
Ils ont des plages de fonctionnement pour certains paramètres, comme la puissance, les tensions,
Tableau III : Composants réalisables selon les matériaux les fréquences par exemple, plages en dehors desquelles le modèle n’est plus valide à 10% près,
voir au-delà et au-delà desquelles, il devient inexploitable.

6.1 Transistor à effet de champ :

Différents modèles ont été développés par différents auteurs pour les transistors à effet de
champ. Citons principalement les modèles de Curtice, de Statz et de Materka-Kacprzak, du nom de
leurs auteurs, et leurs dérivés. Ces modèles ont été adaptés aussi bien pour le MESFET que pour le
HEMT.

Ce sont des modèles empiriques, pour la plupart, qui décrivent le fonctionnement et les
caractéristiques des transistors à effet de champ et qui reposent sur des équations analytiques.

Le modèle grand signal général ci-dessous comporte des composants linéaires, qui ne varient pas
avec la polarisation, comme les résistances RG, RD et RS.

Figure 21 : Principaux composants équivalents au fonctionnement physique d’un FET. IGD

G RG CGD RD D
5.2 Transistor bipolaire :

Cbcex
CGS
VGSI IGS IDD
VDSI
B Rbex Rbin Cbcin Rc C CDS
RC
Cce
Rbi Cbei Vi gmVi Rce VGS VDS
RS

Re S
E Figure 23 : Modèle grand signal d’un transistor à effet de champ (MESFET,HEMT).
Figure 22 : Modèle linéaire d’un transistor bipolaire. Nous donnons, ici, quelques expressions générales des éléments non linéaires du modèle,
expressions qui varient en fonction du modèle utilisé.
La différence de modèle par rapport au transistor à effet de champ se situe principalement au
niveau des jonctions B-E et G-S pour lesquels les contacts sont différents et par voie de
conséquence, le fonctionnement physique.

COMPOSANTS ACTIFS 111 COMPOSANTS ACTIFS 112

• Source de courant IGS : • Base : I = I - I
B E C

( )
C’est le courant de la diode Métal-semiconducteur : qVGS , qui correspond bien à ⎢ ⎛⎜ eV BE ⎞⎟ ⎥ ⎢ ⎛⎜ eV BC ⎞⎟ ⎥
I GS = I S e nkT − 1
une modélisation du phénomène physique, les deux sources suivantes sont modélisées par des
I
B
(
= 1- α I ⎢e
R SE
)
⎢ ⎜⎝ kT ⎟⎠ ⎥
-1⎥ − 1- α I ⎢e ⎝
F SC
⎢ ⎜ kT ⎠⎟ ⎥
(
-1⎥ )
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
expressions phénoménologiques qui n’ont pas de signification physique particulière. ⎣ ⎦ ⎣ ⎦
⎛ eVCB ⎞
• Source de courant IGD : Avec les conditions de polarisation, e⎜ kT ⎟ << 1
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Ce courant décrit le phénomène d’avalanche : I = 0 si VDG ≤ VB
DG
(V − VB ) ISE et ISC sont fonction des dimensions géométriques des composants ainsi que des données
I DG = DG si VDG > VB technologiques :
RB
Où VB et RB sont des paramètres fonction du courant IDS. eD n A 1
et α F = α R =
B B0
I =I =
SE SC
L th(W/L ) ch(W/L )
• Source de courant IDS : B B B

Ce courant correspond à la caractéristique dynamique IDS=f(VGS,VDS). C’est cette expression qui W2 τ W2

a fait l’objet de développement de nombreux modèles, à titre d’exemple, voici la relation si W / L B << 1, ch ( W / L B ) ≈ 1 +
W2 alors : α N ≈ 1 + = 1 − B avec τ B = , temps de
2L2B
2
2L B τP 2D 2p
développée par Curtice :
transit dans la base.
I DS ( VGS , VDS ) = ( A 0 + A1V1 + A 2 V12 + A 3 V13 ) tanh ( γVDS ( t ))
Dans le cas d’une hétérojonction :
Avec V = V 1 − τ ⎡1 + β V − V t ⎤
1 GS ( ) ⎣ ( DS0 DS ( ))⎦ et τ = A S VDS −1
⎡ D nB ⎤
• ⎢ 1+ * ⎥
Capacités : SC ⎢ n iE D pE N AB (X BC − X B ) v n (X BC − X B ) ⎥ , le gain en courant se trouve augmenté
2

αF = 1+ 2 • •
SE ⎢ n iB D nB N DE (WE − X E ) D pE ⎥
Seule la capacité CGS présente une non-linéarité et est représentée par une expression analytique. ⎢ 1+ * ⎥
⎣⎢ v (W − X )
E ⎦⎥
Les deux autres capacités peuvent être représentées par leurs valeurs du schéma petit signal en p E
2
première approximation. puisque n iE << 1
2
n iB
6.2 Transistor bipolaire :
D’où le schéma équivalent statique de Ebers-Moll qui est un schéma équivalent "grand signal".
Le bilan des courants dans le transistor bipolaire est le suivant :
• Emetteur : αRIR αFIF
⎢ ⎛⎜ eV BE ⎞⎟ ⎥ ⎢ ⎛⎜ eV BC ⎞⎟ ⎥
⎢ ⎜⎝ kT ⎟⎠ ⎥ ⎢ ⎜ kT ⎠⎟ ⎥
I = I ⎢e -1⎥ - α I ⎢e ⎝ -1⎥
E SE R SC
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣ ⎦ ⎣ ⎦ E C
1442443 144424443 IF IR
courant E →B fraction α R du courant C →B IE IC
injection des minoritaires traversant la base IB VBC
essentiellement (α < 1) VBE
R
B
• Collecteur : Figure 24 : Modèle statique non linéaire d’Ebers-Moll.
⎢ ⎛⎜ eV BE ⎞⎟ ⎥ ⎢ ⎛⎜ eV BC ⎞⎟ ⎥
⎢ ⎝⎜ kT ⎠⎟ ⎥ ⎢ ⎜ kT ⎠⎟ ⎥
I = α I ⎢e -1⎥ - I ⎢e ⎝ -1⎥ Ce modèle peut être simplifié version transport, en considérant un courant de référence IS, il
C F SE SC
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ s’approche alors du modèle de Gummel-Poon.
⎣ ⎦ ⎣ ⎦
144424443 144 42444 3 S
C
fraction α F du courant courant C →B I =α I =α I
S F SE R SC
E →B traversant la base S
E
(α < 1)
F

COMPOSANTS ACTIFS 113 COMPOSANTS ACTIFS 114

 ⎡ ⎛⎜ eV BE ⎞⎟ ⎤ • Résistances :
⎢ ⎝⎜ kT ⎠⎟ ⎥ ⎡ ⎛⎜ eVBC ⎞⎟ ⎤
I
On pose : CC =I
S ⎢
e -1⎥ et I EC = IS ⎢e⎝ kT ⎠ − 1⎥ Les résistances de surface, aux interfaces et dans les couches traversées par le courant de
⎢
⎣
⎥
⎦ ⎣⎢ ⎦⎥ porteurs sont à prendre en compte dans le modèle du transistor.
Alors :
⎛ S ⎞ I ⎛ S ⎞ S I IC
I E = ⎜⎜ I CC − E I EC ⎟⎟ + CC et I C = ⎜⎜ I CC − E I EC ⎟⎟ − E EC
⎝ SC ⎠ βF ⎝ SC ⎠ SC β R
I I
CC EC

αF αR E RE β β RC C
avec : β F = et βR = , le modèle est alors transformé : F R

1 − αF 1 − αR
DRE DRC
ICT=ICC-IECSE/SC

I I S CjE CjC
CC EC E
.
E β β S C
F R C
CdE CdC
IE IC
VBE IB VBC
RB
B
Figure 25 : Modèle statique non linéaire simplifié version transport.
B
Ce modèle statique est complété par l’adjonction de composants qui rendent compte des effets Figure 26 : Modèle dynamique non linéaire de Gummel-Poon.
parasites introduits lors du fonctionnement du composant et qui amène à un modèle dynamique non
linéaire, à savoir : Enfin citons le modèle VBIC, découlant du modèle de Gummel-Poon, et développé pour les
transistors issus des technologies Bi-CMOS, dans lequel le substrat joue un facteur non négligeable.
• Effet Early : Ce modèle prend en compte les effets suivants :
Lorsque la tension VCE augmente, l’épaisseur de base W effective du transistor diminue • Effets parasites du substrat
(W < WB toujours). Cet effet entraîne que la caractéristique statique d’un transistor n’est pas • Comportement en régime de quasi-saturation
parfaitement horizontale en régime de saturation. On rajoute une source de courant entre le
• Effet d’auto-échauffement
collecteur et l’émetteur, sur le schéma équivalent.
• Effet Early
• Recombinaisons : • Modélisation des effets thermiques

Les recombinaisons prédominantes se situent dans la Zone de Charge d’Espace (ZCE) et sont
dues aux défauts présents dans les matériaux, sur les surfaces, liées aux défauts de surface et aux 7.PERFORMANCES DES TECHNOLOGIES
interfaces, mais elles sont négligeables dans ce dernier cas.
Elles dépendent très fortement de la technologie. Elles sont symbolisées par 2 diodes insérées 7.1 Performances actuelles :
dans le schéma équivalent du transistor :
Les performances actuelles sont mesurées en terme des fréquences de transition et maximum
⎛ ⎛⎜ eV BE ⎞⎟ ⎞ ⎛ ⎛⎜ eV BC ⎞⎟ ⎞
⎜ ⎜⎝ ηkT ⎟⎠ ⎟ ⎜ ⎜⎝ ηkT ⎟⎠ ⎟ d’oscillation (Ft et Fmax). Le tableau III indique les composants utilisés en fonction de la fréquence
I =I ⎜e -1⎟ I' =I' ⎜e -1⎟ de fonctionnement des circuits et des applications dans le spectre fréquentiel.
ZCE E-B : R SR et ZCE C-B : R SR
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠

• Capacités :

Les capacités de diffusion et de jonction présentes sur les 2 jonctions en technologie bipolaire
limitent les performances fréquentielles du transistor.

COMPOSANTS ACTIFS 115 COMPOSANTS ACTIFS 116

 InP – HBT, HEMT GaAs MHEMT • Isolation des signaux : entre les signaux analogiques et numériques, intégration de circuits
analogiques et de fonctions DSP très complexes sur une même puce.
GaAs – HBT, PHEMT
SiGe – HBT, BiCMOS • Lithographie : résolutions de plus en plus fine : lithographie optique jusqu’à 32nm (Immersion
lithography) et de 45nm à 16nm et au-delà (EUVL : Extreme Ultra Violet Lithography).
GaN - HEMT
Si – RF CMOS • Utilisation de nouveaux matériaux : Métal à très forte conductivité) et diélectriques à faible
permittivité (Low-K) : pour minimiser les retards à la propagation du signal et la
SiC - MESFET consommation.
0.8GHz 2GHz 5GHz 10GHz 28GHz 77GHz 94GHz
• Modélisation des circuits et composants (5-100GHz) : crosstalk, retour du signal par le substrat,
WLAN
Contraband couplages substrat, EM radiation et effets thermiques.
GPS 802.11.b/g WLAN SAT TV LMDS Auto
GSM DECT SAT TV Detection
PDC Bluetooth 802.11.a WLAN WLAN RADAR
Weather
HomeRF

Tableau III : Technologies utilisées selon les applications

Le tableau IV récapitule les technologies utilisées en fonction des circuits et de la fréquence de

fonctionnement.

0.8GHz 10GHz 100GHz

CMOS : transceivers, frequency synthesizers, LNA and PA : GaAs MESFET, GaAS HEMT,
LNAs InP HEMT, GaAs MHEMT,
GaN HEMT, InP HBT and
Si-Bip : transceivers, frequency synthesizers, SiGe HBT
LNAs, Low Power amplifiers
(<500mW) Future : NF, Power, Efficiency, breakdown
voltage and lithography dimension
Terminal PA : III-V HBT, III-V PHEMT, Si-
MOSFET, SiGe HBT

Base station PA : Si-LDMOS, GaAs MESFET,

SiC MESFET, GaN HEMT

Tableau IV : Technologies utilisées selon les circuits

7.2 Performances futures :

Dans le futur, les 15 prochaines années, l’accent devra être mis sur les performances suivantes :
le bruit, la puissance en sortie, le rendement en puissance ajoutée (Power Added Efficiency : PAE),
la linéarité, la tension d’avalanche, l’isolation des signaux dans les circuits et la lithographie.

Malgré les performances fréquentielles atteintes par la technologie SiGe-HBT, il est peu
probable qu’elle puisse remplacer les technologies III-V pour des applications de fort gain en
puissance et ultra faible bruit en bande millimétrique.

Les challenges à atteindre sont les suivants :

• MOSFET : grille de longueur 32nm, introduction de matériau à forte constante diélectrique

(high-K) sur la grille pour supprimer les effets tunnel.

COMPOSANTS ACTIFS 117 COMPOSANTS ACTIFS 118

COMPOSANTS ACTIFS 119 COMPOSANTS ACTIFS 120