L

Physique statistique (PHY433) Électrons dans les solides R=ρ

S
Résistivité
Amphi 7

Les électrons dans les solides

-
+
- -
-+
-+
Gilles Montambaux
au moins 25 ordres de grandeurs entre un bon métal et un bon isolant
1 2
13 mars 2017

Rappels facteur d’occupation d’un état quantique d’énergie

Électrons dans les solides
kB T

Plan du cours
Fermi-Dirac

I. Rappel sur le gaz parfait de fermions

II. Électrons dans un cristal, effet du réseau périodique

Les propriétés physiques dépendent
III. Conducteurs et isolants de la structure du spectre au voisinage
du niveau de Fermi
IV. Semiconducteurs
Les électrons situés loin du niveau
de Fermi ne peuvent pas échanger C = γT
d’énergie

3 4
 Rappels Pour caractériser un gaz d’électrons, il faut d’abord évaluer
son énergie (ou sa température) de Fermi
Nombre de particules
nombre d’électrons nombre d’états d’énergie inférieure à ²F
Z ²F
Énergie interne N= D(²)d² = N<(²F )
0
densité d’états facteur de Fermi µ ¶3/2
V 4π 3 V 4π 2m²F h̄2 k2
√ N =2 kF = 2 ²(~k) =
D(²) ∝ ² 3
(2π) 3 (2π)3 3 h̄2 2m

h̄2 ρ2/3 N
kB TF = ²F = (3π 2 )2/3 ρ=
d=3 2m V

² Dans un métal (sodium) , ρ ∼ 2.5 1028 m−3 eV ↔ kB T

3/2 √
V (2m) ²F ∼ 3 eV TF ∼ 36 000K 1 eV  11600 K
D(²) = 2 ²
4π 2 h̄3
h̄2 k2 A température ambiante, T ¿ TF
²(~k) = D(²) ∝ ² d/2−1 en dimension d 5
les électrons d’un métal forment un gaz fortement dégénéré
2m

Électrons dans un solide Électrons dans un solide

Difficile !
Électrons libres ? NON ! Cette approximation est-elle valable ?

Hamiltonien des électrons

Interaction entre les électrons « Problème à N corps » Interaction entre les électrons

hamiltonien à 1 corps :
« facile »
Difficile !
Électrons libres

Interaction avec les noyaux fixés aux points

d’un réseau périodique

Conducteurs, isolants, semiconducteurs,

transistors, magnétisme , (supraconducteurs) ! 7 8
Électrons dans un solide Électrons dans un solide

Difficile ! Difficile !

« Problème à N corps » Interaction entre les électrons « Problème à N corps » Interaction entre les électrons

hamiltonien à 1 corps : Ordres de grandeur : a distance moyenne entre électrons

« facile »
Difficile !
L’interaction coulombienne (écrantée)
augmente avec la densité

L’énergie cinétique typique

Dans beaucoup de situations , on peut négliger l’interaction entre électrons augmente encore plus vite
ou l’intégrer dans un problème à un corps effectif (champ moyen)

Il existe des situations où l’interaction e-e joue un rôle essentiel :

« physique des électrons fortement corrélés », L’interaction coulombienne devient négligeable
9 dans la limite de haute densité 10
un des grands challenges de la physique moderne

Électrons dans un solide Électrons dans un solide : potentiel effectif périodique

Difficile !

Approximation de champ moyen

On remplace le potentiel vu par l’électron i de la part de tous les autres, « Problème à un corps »
par un potentiel moyen, le même pour tous les électrons. Ce potentiel effectif
dépend lui-même de la densité des autres électrons
potentiel périodique

Chaque électron se déplace dans le potentiel moyen dû aux atomes

et aux autres électrons 12
cf: physique statistique 2
Un électron dans un potentiel périodique Un électron dans un potentiel périodique

Deux approches possibles Exemple 1D

faible cf. PHY430, amphi 2

électron presque libre

fort

électron fortement lié

la méthode des liaisons fortes la méthode des liaisons fortes

13 14

Un électron dans un potentiel périodique Un électron dans un potentiel périodique

N atomes N atomes

Spectre de si on connait les solutions de ?

15 On diagonalise h dans le sous-espace des états fondamentaux 16
Combinaison linéaire d’orbitales atomiques
Retour sur le double puits cf. PHY311, amphi 4 Retour sur le double puits

amplitude tunnel
intégrale de transfert
intégrale de saut
dépend de la distance a
entre les atomes

On diagonalise h dans le sous-espace des états fondamentaux 17 On diagonalise h dans le sous-espace des états fondamentaux 18
h est une matrice 2x2 h est une matrice 2x2

Éléments de matrice Retour sur le double puits cf. PHY311, amphi 4

h11 = hR1 |h|R1 i = ² ' ²0 h21 = hR2 |h|R1 i = −t Le couplage tunnel lève la dégénérescence des niveaux atomiques 20
Retour sur le double puits cf. PHY311, amphi 4 Un électron dans un potentiel périodique, d=1

E
Évolution typique des niveaux
en fonction de la distance
entre atomes
On diagonalise h dans le sous-espace des états fondamentaux
21 Hamiltonien = matrice N x N 22

Éléments de matrice Un électron dans un potentiel périodique, d=1

cal périodiques

généralise

cf. molécule de benzène

PHY430, amphi 3
tnl décroit très vite avec la distance n−l , supposé nul au-delà 1er voisins

hRl |h|Rl i = ² ' ²0 hRn |h|Rl i = −t si n = l ± 1 24

Un électron dans un potentiel périodique, d=1 Un électron dans un potentiel périodique

cal périodiques

généralise

Vecteurs propres

généralise le cas de deux atomes (solutions symétrique et antisymétrique)

et satisfait la périodicité du réseau (Théorème de Bloch )

+ Quantification par les cal périodiques 25 26

Un électron dans un potentiel périodique Un électron dans un potentiel périodique, d=1

²k = ² − 2t cos ka a
(Première zone de Brillouin)

+ Quantification par les cal périodiques

²k = ² − 2t cos ka
N valeurs de k
27
Quasi-continuum de 2 N états dans une bande de largeur 4 t(a) 28
SPIN
Un électron dans un potentiel périodique, d=1 Un électron dans un potentiel périodique, en dimension d

E
a
E ²k = ² − 2t cos ka

Généralisation : Un électron dans un potentiel périodique, dimension d

réseau cubique
Bande interdite
ou « Gap »

d
X
a ²~k = ² − 2t cos kν a
ν=1
a
Plusieurs états atomiques  plusieurs bandes

2 (2l+1) N états dans chaque bande 29 30

Électrons sur un réseau carré ²(~k) 6= ²(|~k|) Électrons sur un réseau carré ²(~k) 6= ²(|~k|)
surface de Fermi surface de Fermi
²~k = ² − 2t(cos kx a + cos ky a) ²~k = ² − 2t(cos kx a + cos ky a)

²~k ²~k

ky ky

ky ky
kx kx

kx kx
2N états dans une bande d’énergie (s) 2N états dans une bande d’énergie (s)
Le nombre d’électrons fixe le niveau de Fermi Le nombre d’électrons fixe le niveau de Fermi

31 32
Électrons sur un réseau carré ²(~k) 6= ²(|~k|) Électrons sur un réseau carré ²(~k) 6= ²(|~k|)
surface de Fermi
²~k = ² − 2t(cos kx a + cos ky a) ²~k = ² − 2t(cos kx a + cos ky a)

²~k ²~k

ky

ky ky
kx kx

kx Pour une bande peu remplie, la surface de Fermi est isotrope

2N états dans une bande d’énergie (s)
h̄2
Le nombre d’électrons fixe le niveau de Fermi 2 2 mef f =
h̄ k 2ta2
²~k = ² − 4t + ta2 k2 = ²min +
2mef f Masse effective
Pour une bande demi-remplie, la surface de Fermi est un carré ! 33 34

Électrons sur un réseau cubique ²(~k) 6= ²(|~k|) Électrons sur un réseau cubique ²(~k) 6= ²(|~k|)
²~k = ² − 2t(cos kx a + cos ky a + cos kz a) ²~k = ² − 2t(cos kx a + cos ky a + cos kz a)
surface de Fermi surface de Fermi
Pour une bande peu remplie,
la surface de Fermi est isotrope

h̄2 k2
²~k = ²min + kz kz
2mef f

La masse effective peut être très différente

de la masse « nue » de l’ électron
ky ky
Métaux ~ 0,5 - 20 kx Métaux ~ 0,5 - 20 kx
Semiconducteurs ~ 0.001 - 1 Semiconducteurs ~ 0.001 - 1
« Fermions lourds » ~ 1000 h̄2 « Fermions lourds » ~ 1000
Bande demi-remplie
mef f =
2ta2 35 36
La surface de Fermi du cuivre ²(~k) 6= ²(|~k|) Densité d’états (liaisons fortes) ²(~k) 6= ²(|~k|)

D(²) D(²) D(²)

d=1 d=2 d=3

1 ²/t ²/t √ ²/t

√ Cte ²
²
h̄2 k2
²~k = ²max −
2mef f

37 h̄2 k2 38
²~k = ²min +
2mef f

Conclusions importantes

E E

Bande
interdite
ou « Gap »

métaux et isolants
a

Dans un cristal (potentiel périodique), les états électroniques permis sont répartis en
bandes d’énergies séparées par des gaps.

Ces bandes sont d’autant plus larges que les états atomiques se recouvrent

Le spectre en bord de bande est quadratique avec une masse effective

2 (2l+1) N états dans chaque bande 39 40

Bandes d’énergie dans un métal : l’exemple du sodium Z=11 Bandes d’énergie dans un isolant : l’exemple du néon Z=10

N atomes N atomes
Bande de valence Bande de valence
11 N électrons 10 N électrons

Bande de conduction Bande de conduction

Les bandes pleines ne conduisent pas Les bandes pleines ne conduisent pas

Bas de la bande de conduction La bande de conduction est vide  Isolant

Gap ~20 eV ~240 000 K
N électrons libres de masse effective
42
Si le gap est de l’ordre de 1eV  « Semiconducteur »

Électrons dans les solides

* L’approximation de particules libres (qui néglige les interactions entre

électrons) est souvent une bonne approximation.
Les semiconducteurs
* Le potentiel périodique du réseau modifie radicalement la dynamique des
électrons  « bandes » d’énergies séparées par des « gaps ».

h̄2 k2
²(~k) = ²(~k) non isotrope
2me

* Les bandes pleines ne conduisent pas.

* Isolant : la bande de conduction est vide (toutes les bandes sont pleines)

* Métal : la bande de conduction est partiellement remplie.

h̄2 k2
* En extrema de bande, ²(~k) = ²min +
2mef f
44
les électrons se comportent comme des fermions libres de masse mef f
 Un semiconducteur est un isolant à petit gap

Ge: gap = 0,7 eV

Si : gap = 1,1 eV

Résistivité Résistivité

46

Porteurs de charge dans un semiconducteur Porteurs de charge dans un semiconducteur

T=0K isolant T finie

bande pleine
Bande de valence Bande de conduction - p(T) électrons (-e)
pleine vide = BV BC
bande pleine
+ p(T) « trous » (+e)

47
Gap ~1eV
« trous » dans la b. valence électrons dans la b. conduction
Électrons dans la bande de conduction Électrons dans la b. de conduction et trous dans la b. de valence

BV BC

On procède de même pour calculer en posant

49 50

Trous dans la bande de valence Nombre de porteurs

BV BC Loi d’action de masse

(indépendante de )

neutralité électrique

BV BC

51
Le niveau de Fermi est au milieu du gap
Nombre de porteurs Nombre de porteurs dans un semiconducteur « intrinsèque »

silicium
silicium silicium
* Variation rapide en température

* Pente 
impuretés impuretés

Concentration de porteurs
« intrinsèques »
Applications : thermistors ∼ 10−12 par atome
Une faible concentration d’impuretés change complètement
le nombre de porteurs
 semiconducteurs « extrinsèques »

Dopage « n » : impuretés donneuses Dopage « p » : impuretés acceptrices

L’atome de phosphore apporte L’atome de bore piège un électron

Niveau « donneur » un électron supplémentaire de la bande de valence
très faiblement lié autour de l’ion P+ Niveau « accepteur »

atomes de phospore Na atomes de bore

libèrent électrons dans la BC libèrent trous dans la BV

BV BC n(T ) ' Nd BV BC p(T ) ' Na

Semiconducteur « n » 55 Semiconducteur « p »
Les semiconducteurs dopés, briques de base pour l’électronique La LED : recombinaison des trous et des électrons

La diode np
p : trous libres n : électrons libres

-+
-+
p -+ n
-+
-+
bloque le passage du courant

le courant ne passe pas

le courant passe

57 58

Les semiconducteurs dopés, briques de base pour l’électronique

Le transistor à effet de champ

Prochain amphi

8. Thermodynamique du rayonnement, gaz de photons

V<0 V>0

Rayonnement du corps noir, loi de Planck

Equilibre thermique soleil terre, effet de serre
Rayonnement fossile de l’univers

La tension de grille V (gate voltage) contrôle le passage du courant 60