Université Mohammed V de Rabat Année universitaire 2020-2021

Faculté des Sciences

Département de Physique Filière SMP – Module M21 : Electronique de base

Série 4 : Transistors à effet de champs

Exercice 1
Le transistor JFET Canal n de ce circuit est caractérisé
par IDSS = 4mA et Vp = -2V.
1. Déterminer les paramètres VGS, ID et VDS du
point de polarisation
2. Quelles serait les valeurs RD et RS pour avoir VDS
= VDD/2 et ID = IDSS/2.

Solution exercice 1
1) Le schéma en statique est :

On suppose que le transistor fonctionne en mode de saturation.

Maille M1 :
𝑽𝑮𝑺 = −𝑹𝑺 𝑰𝑫
Or
𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟒
𝑰𝑫 = 𝑲(𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷 )𝟐 𝒂𝒗𝒆𝒄 𝑲 = 𝟐 = 𝒎𝑨/𝑽𝟐 = 𝟏𝒎𝑨/𝑽𝟐
𝑽𝑷 𝟒
D’où :
𝑰𝑫
𝑽𝟐𝑮𝑺 − 𝟐𝑽𝑷 𝑽𝑮𝑺 + 𝑽𝟐𝑷 − =𝟎
𝑲
𝑽𝑮𝑺
𝑽𝟐𝑮𝑺 − 𝟐𝑽𝑷 𝑽𝑮𝑺 + 𝑽𝟐𝑷 + =𝟎
𝑹𝑺 𝑲
𝟏
𝑽𝟐𝑮𝑺 + ( − 𝟐𝑽𝑷 )𝑽𝑮𝑺 + 𝑽𝟐𝑷 = 𝟎
𝑹𝑺 𝑲
A.N.:
𝑽𝟐𝑮𝑺 + 𝟔𝑽𝑮𝑺 + 𝟒 = 𝟎
Les racines de cette équation sont :
𝑽𝑮𝑺 = −𝟓. 𝟐𝟑𝟔𝑽 𝒐𝒖 𝑽𝑮𝑺 = −𝟎. 𝟕𝟔𝟒𝑽
Pour avoir un courant 𝑰𝑫 ≠ 𝟎 il faut que 𝑽𝑷 < 𝑽𝑮𝑺 < 𝟎𝑽 donc 𝑽𝑮𝑺 = −𝟎. 𝟕𝟔𝟒𝑽
Le courant drain vaut alors : 𝑰𝑫 = 𝑲(𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷 )𝟐 = 𝟏. 𝟓𝟐𝟖𝒎𝑨
Maille M2 :
−𝑹𝑺 𝑰𝑫 − 𝑽𝑫𝑺 − 𝑹𝑫 𝑰𝑫 + 𝑽𝑫𝑫 = 𝟎
Soit
𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝑫𝑫 − (𝑹𝑺 +𝑹𝑫 )𝑰𝑫 = 𝟑. 𝟏𝟐𝟒𝑽
𝑽𝑫𝑺 > 𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷 = 𝟏. 𝟐𝟑𝟔𝑽 le transistor fonctionne bien en mode de saturation.

𝑰𝑫𝑺𝑺 𝑽𝑫𝑫
2) 𝑰𝑫 = 𝟐 = 𝟐𝒎𝑨, 𝑽𝑫𝑺 = 𝟐 = 𝟓𝑽
On a :
𝑽𝑮𝑺 = −𝑹𝑺 𝑰𝑫
Et
𝑰𝑫 𝑰𝑫 𝑰𝑫
𝑰𝑫 = 𝑲(𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷 )𝟐 ⟹ = 𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷 ⟹ 𝑽𝑮𝑺 = + 𝑽𝑷 = |𝑽𝑷 | + 𝑽𝑷 ≅ −𝟎. 𝟓𝟖𝟓𝑽
𝑲 𝑲 𝑰𝑫𝑺𝑺
La résistance𝑹𝑺 est donc donnée par :
𝑽𝑮𝑺
𝑹𝑺 = − = 𝟐𝟗𝟑𝛀
𝑰𝑫
La maille M2 donne :
𝑽𝑫𝑫 − 𝑽𝑫𝑺
𝑽𝑫𝑫 = (𝑹𝑺 + 𝑹𝑫 )𝑰𝑫 + 𝑽𝑫𝑺 ⟹ 𝑹𝑫 = − 𝑹𝑺 ≅ 𝟐. 𝟐𝟏𝒌𝛀
𝑰𝑫