Les Transistors Mosfet de Puissance

18/09/2022 Les transistors Mosfet de puissance - Astuces Pratiques
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LES TRANSISTORS MOSFET DE PUISSANCE
Electronique Cours d’électronique Les transistors Mosfet de puissance

Nina67 - Mis à jour: lundi 26 avril 2021 07:08
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Les transistors MOSFET sont idéaux en électronique de puissance pour la commutation rapide
et le fonctionnement linéaire. Les caractéristiques essentielles de ces transistors sont
présentées ici.
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https://www.astuces-pratiques.fr/electronique/les-transistors-mosfet-de-puissance 1/29
Un des0principaux avantages
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des transistors MOSFET de puissance, c'estCopier
qu'ils l'URL
nécessitent
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peu de puissance pour leur commande (ils sont grosso modo commandés en tension). Les
imperfections des MOSFET sont principalement de deux types :
- résistance résiduelle à l'état passant (pas 0 Ohm comme un vrai fil)
- temps de commutation et pertes lors de ces commutations. Plus la commutation est rapide,
plus petite est la perte (dissipation pendant la transition de l'état passant à l'état bloqué ou
inversement)
Il est essentiel de dimensionner correctement le transistor MOSFET et d'optimiser la

commande de sa grille pour minimiser ces pertes.
Les transistors MOSFET de puissance sont très largement des transistors canal N (NMOS),
même dans des structures symétriques d'alimentations à découpage et de commande de
moteur (pont en H ou demi pont).
Pourquoi utiliser des transistors MOSFET canal N

(transistor NMOS)
Le choix des composants doit s'adapter aux composants existants. Les performances des
transistors MOS canal P (PMOS) sont réduites par rapport aux transistors canal N ("N channel"
à ne jamais traduire par l'absurde et cocasse "N La Manche", comme on peut voir sur certains
sites !). L'explication physique tient à la meilleure mobilité des électrons (dans un NMOS) par
rapport à la mobilité des trous (dans un PMOS). En effet, le déplacement d'un trou (lacune
d'électron) est en réalité un mouvement coopératif d'électrons.
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Illustration avec le jeu du taquin : un trou se déplace bien moins facilement qu'une seule case
En pratique, on trouve plus facilement des transistors Mosfet canal N plutôt que des P. En
revanche, cela peut nécessiter un circuit de commande approprié, mais de nombreuses
solutions existent : translateur de niveau ("level shifter"), commande de demi-pont ("half bridge
driver"), etc.
Principe de fonctionnement du transistor MOSFET

Un transistor MOSFET se commande en appliquant une tension positive à sa grille. Lorsque
cette tension dépasse une certaine valeur, il devient passant (entre drain et source) et permet
le passage du courant. Entre drain et source, le transistor se comporte quasiment comme un fil.
Lorsque la tension de grille est nulle, le transistor est un interrupteur ouvert.
Les capacités parasites ralentissent la vitesse de commutation du transistor MOS (transition de

l'état passant à l'état bloqué ou inversement).
L'échauffement d'un transistor MOS tient à 2 facteurs :
- pertes de conduction ("conduction loss") : le transistor présente toujours une petite résistance
- pertes de commutation ("switching loss") : lorsque le transistor change d'état, il passe par une
phase résistive où il n'est plus bien passant et pas encore bloqué ou inversement.
Résistance Rdson du transistor MOSFET
Sur un MOSFET de puissance, lorsque la tension de grille dépasse 5 ou 6 Volts, le transistor

est franchement passant entre drain et source, mais il reste une petite résistance résiduelle.
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Idéalement, cette résistance est nulle. Cette résistance est notée Rdson (résistanceMON COMPTE
entre drain
0 à l'état passant "on").
et source
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D'un transistor à l'autre, le Rdson peut varier énormément, du milliohm pour de gros transistors
de puissance à plusieurs centaines d'Ohms pour les plus petits qui ne commutent que
quelques milliampères.
Pour calculer la puissance dissipée P du transistor de puissance lorsqu'il est à l'état passant, il
suffit d'appliquer la relation "RI²" comme pour une simple résistance :
P = Rdson.Id²
Rdson : résistance à l'état passant (voir documentation du fabricant)
Id : courant de drain
Exemple : on souhaite réaliser un ampli classe D de 200 Watts. Le transistor IRFB4620

correspond aux contraintes (200 V, 25 A ,60 mOhms). Quelle puissance dissipe le IRFB4620 à
un courant de 12 A ?
P = 0,06 x 12² = 8,64 W
Influences sur le Rdson des MOSFET de puissance

La résistance à l'état passant (Rdson) n'est pas tout à fait une constante. De quoi dépend le
Rdson ?
- Le courant Id
La tension Vds est quasi proportionnelle au courant Id qui traverse le transistor Mosfet. La
résistance Rdson dépend très peu du courant. En pratique, elle augmente légèrement (+5 à
+10%) lorsque le courant Id double.
- La température du transistor
La résistance Rdson augmente fortement avec la température du transistor. Plus il est chaud,
plus sa résistance est élevée. Par exemple 25 °C à 125 °C, la résistance Rdson est multipliée
par 2,1 environ.
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Evolution du Rdson avec la température (ici le transistor IRF740)
La majorité des transistors MOSFET de puissance présentent cette caractéristique. Un

transistor MOSFET proposé commercialement avec un Rdson de 1 Ohm aura fera en réalité
2,1 Ohms à 125°C de température interne de jonction. Cette courbe est appelée "Rds norm." et
signifie Rds normalisé. C'est un facteur correctif ("derating") par rapport au Rdson à 25 °C.
Les pertes de conduction représentent l'échauffement du MOSFET lorsqu'il est traversé par un
courant. Elles augmentent avec la température. Il faut être vigilant si les transistors de
puissance peuvent être amenés à chauffer. Attention à la dissipation lorsque la température est
0 !
déjà élevée
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En revanche, cette augmentation de Rdson avec la température est un avantage pour mettre
des MOSFET en parallèle. Si par hasard, un transistor a tendance à chauffer un peu plus que
ses voisins, sa résistance Rdson va augmenter et donc le courant qui le traverse va diminuer et
se répartir davantage sur ses voisins. Pour que cela fonctionne, tous les transistors doivent être
montés proches les uns des autres sur un radiateur commun pour avoir un bon couplage
thermique.
Dans une même gamme de transistors, plus la tension Vds max est élevée, et plus le Rdson
sera élevé : on ne peut pas avoir le beurre et l'argent du beurre. A voir sur chaque datasheet de
fabricant.
Pour avoir un Rdson plus faible, il faut un plus gros transistor, donc plus cher, et avec des
capacités parasites plus élevées, ce qui nécessite davantage de courant transitoire pour
charger et décharger la capacité de grille.
Transistors MOSFET 500 V 20 A (IRFP460)
Diode intrinsèque parallèle dans le transistor

Il existe une diode en parallèle du transistor MOSFET. Cette diode se situe entre drain et
source :
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Diode intrinsèque dans un transistor MOSFET
Si un courant passe de la source vers le drain, il ne sera pas possible de le bloquer à cause de
cette diode. Des montages avec une diode supplémentaire ou un second transistor seront
nécessaires.
La diode intrinsèque du MOSFET est représentée par une diode zener. En effet, lorsque la
tension Vds augmente (la grille n'étant pas commandée pour que le transistor soit bloqué : Vgs
= 0 V), il arrive un point de claquage ("breakdown") où le transistor MOSFET entre en
conduction par avalanche, comme une diode zener.
La plupart des transistors MOSFET de puissance ont une tension de claquage qui vaut environ
1,2 à 1,3 fois la tension Vds.
Exemple : un transistor MOSFET 100V va entrer en mode avalanche autour de 120 V à 130 V.
Il y a donc une certaine marge. Il se comporte comme une diode zener de 120 V ou 130 V,
mais il faut être prudent avec de mode de fonctionnement en avalanche.
La diode intrinsèque peut s'avérer utile dans des structures comme le pont en H ou le demi-
pont. Elle sert de diode de roue libre à l'autre transistor MOSFET du demi-pont. En revanche,
cette diode intrinsèque au transistor est plutôt lente et peut poser des problèmes à haute
fréquence (temps de recouvrement lors des commutations, émissions de hautes fréquences).
Pour éliminer la conduction dans cette diode lente, on peut ajouter 2 diodes :
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Diode intrinsèque masquée
Dans ce montage, le Rdson du MOSFET se retrouve en série avec une diode (celle de
gauche), d'où une chute de tension et un échauffement supplémentaires. Là encore, on ne peut
pas tout avoir...
Transistor bipolaire parasite dans le MOSFET

L'étagement des couches de silicium dopé fait qu'il y a un transistor bipolaire parasite dans le
MOSFET. Ce transistor parasite bipolaire ne doit jamais entrer en conduction. Si ce transistor
venait à entrer en conduction et saturer, le MOSFET ne pourrait plus se bloquer à moins de
couper le courant de drain de façon externe. Ceci rappelle le principe du thyristor.
La base du transistor bipolaire parasite est reliée à la source et n'est pas laissée flottante dans
la construction des MOSFET. Sinon, la tension de claquage (le Vds max) serait très réduit pour
un même Rdson. Il reste néanmoins possible que des variations de tension extrêmement
rapides à la coupure (dv/dt important) créent cette conduction parasite. En pratique, la valeur
du dv / dt est une limite des transistors MOSFET de puissance.
Il y a un risque que le transistor bipolaire parasite entre en conduction lorsque la diode

intrinsèque conduit et se coupe avec un dv/dt extrêmement élevé.
Vitesse de commutation et température

Les transistors MOSFET de puissance ne sont pas affectés par la température pour la vitesse
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de commutation
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("switchingFacebook
speed"). Twitter Copier l'URL
Tension de seuil et température

La tension de seuil d'un transistor MOSFET est la tension grille-source nécessaire pour le faire
entrer en conduction. Cette tension est notée Vgsth (th = threshold = seuil).
La tension de seuil d'un MOSFET est d'environ 3 V à 5 V. Elle diminue un peu avec la
température, mais pas autant qu'un transistor bipolaire.
Les conditions de test définissent la tension Vds, la température ou le courant Id qui marque le
début de la conduction. Souvent, Id est fixé à 0,1 mA ou 0,25 mA.
La tension appliquée entre grille et source ne doit pas dépasser une certaine limite. Souvent,
c'est +/-20 V ou +/-30 V. La tension peut être négative sans que cela ne casse le transistor.
Courant de drain Id maximum et température

Comme la partie active (silicium) d'un transistor ne peut pas dépasser un certain seuil (150 °C),
plus le transistor est porté à haute température, moins il tolère de courant. A l'extrême limite, s'il
est déjà à 150 °C "sans rien faire" (dans un four ) 150 °C par exemple), il ne peut pas
s'échauffer davantage et donc ne peut laisser passer aucun courant.
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Allure du courant de drain en fonction de la témpérature
Les performances du transistors se dégradent à mesure qu'on s'approche des 150 °C.
Exemple : un transistor MOSFET (le 20N60C3 de Infineon) supporte un courant maximal de :
20,7 A à 25 °C (température de boitier)
13,1 A à 100 °C
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Extrait du datasheet du transistor 20N60C3 (Infineon)
Cette limitation est due à la température maximale autorisée de la puce (150 °C). La résistance
thermique (en °C/W) étant une constante, on vérifie bien pour le 20N60C3 que Id diminue de
telle façon que Id² (proportionnel à l'effet Joule, donc à l'élévation de température) est
proportionnel à l'écart de température autorisé :
A 25 °C : échauffement autorisé : 150 - 25 = 125 °C
Id² = 20.7² = 428
A 100°C : échauffement autorisé : 150 - 100 = 50 °C
Et Id² = 13.1² = 172
Il y a bien proportionnalité entre 172 et 428 d'une part, et 50 et 125 d'autre part (172 / 428 = 50
/ 125 = 0,40).
L'échauffement autorisé à 100°C (+50 °C) vaut 40 % de l'échauffement autorisé à 25 °C (+125

°C), et le courant autorisé est tel que l'effet Joule soit de 40 % à 100 °C. On s'y retrouve.
On pourrait donc dire qu'à 150°C, Id max = 0 ! Le transistor ne peut pas s'échauffer d'un seul
degré supplémentaire sous peine de griller ! Si la température maximum est de 150 °C, à 151
°C, plus rien n'est garanti.
En pratique, le claquage du transistor MOSFET de puissance se produit entre 200 °C et 300

°C, mais rien ne le garantit.
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Courant de drain crête Idm
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Il est possible de dépasser très brièvement le courant de drain Id autorisé, à condition que cela
ne dure pas et que le transistor puisse "se reposer" après. Quelques contraintes limitent le
courant de drain maximum instantané :
- il faut que la tension Vgs soit suffisante pour garantir que le transistor MOSFET reste bien
passant et soit dans sa région ohmique (en mode (Rdson). Si le point de fonctionnement
dépasse le "coude", le transistor se comporte en limiteur de courant (limite fixée par Vgs). Dans
ce cas, toute augmentation de courant se traduira par une élévation très importante de Vds, ce
qui entrainera une perte de conduction (effet Joule) très élevée et une destruction possible du
transistor MOSFET.
Datasheet du transistor Mosfet 20N60C3
Ce transistor est donné pour 20,7 A continus à Tc = 25 °C. De façon instantané,MON

TELECHARGER il n'est pas
COMPTE
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possible d'avoir plus que 58
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A si Vgs est de 7 V seulement.
Facebook Twitter
La tension de grille doit être plus
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élevée pour que le transistor puisse faire passer tout ce courant.
En fait, l'essentiel est que la puce ne dépasse pas la température maximale. Un temps où le
courant est plus faible est nécessaire pour que le transistor puisse refroidir (reprendre son
souffle, si on peut dire !). Il s'agit de l'impédance thermique transitoire, autre courbe figurant
dans les datasheets.
Température de stockage des transistors MOSFET

La température de stockage des transistors MOSFET est de 150 °C ("storage temperature"). La
température de la jonction interne ne doit jamais dépasser 150 °C en fonctionnement.
Energie d'avalanche des transistors

Si une surtension apparaît aux bornes d'un transistor MOSFET de puissance (oscillations
amorties dues à l'inductance de fuite dans une alimentation à découpage par exemple), cette
surtension peut atteindre une valeur telle qu'une entrée en conduction s'amorce.
Un transistor MOSFET de 100 V entrera en avalanche (comme une diode zener) autour de 120
V ou 130 V par exemple.
L'énergie d'avalanche Eas que peut absorber un transistor MOSFET est donnée par le
fabricant.
Exemple de l'alimentation à découpage

La surtension qui apparaît aux bornes du MOSFET (Vds) doit être écrêtée (donc absorbée et
dissipée) par le transistor. Cette énergie doit être inférieure à l'énergie d'avalanche Eas. En
pratique, cette énergie vient de l'inductance de fuite du transfo. D'autres conceptions, pour les
plus grandes puissances, utilisent des composants pour limiter les surtensions (snubber) et
éviter au transistor de subir une énergie d'avalanche à chaque cycle de découpage.
Si des transistors MOSFET sont montés en parallèle, il est peu probable qu'ils aient la même
tension de claquage. L'un d'entre eux va entrer en mode avalanche avant les autres et devra
encaisser la totalité de l'énergie à absorber. De la même façon qu'enTELECHARGER MON COMPTE
mettant une zener de 12
0
V en parallèle avec une zener
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de 13 V, on constatera
Facebook que la zener de Copier
Twitter 13 V n'est
l'URL jamais
traversée par du courant.
Energie d'avalanche répétitive

Cette notion, pour les transistors MOSFET de puissance est devenue un standard des
documentations. On la note Ear. En réalité, cela ne signifie pas grand chose et dépend
largement du refroidissement dont bénéficie le transistor. De plus, il est difficile de prédire
quelle sera l'énergie d'avalanche à absorber. Là encore, c'est finalement l'échauffement du
transistor qui est le facteur limitant.
Courant d'avalanche des transistors

Certains transistors sont spécifiés en courant d'avalanche. C'est une donnée subtile qui traduit
les performances du transistor poussé à ses limites.
Les caractéristiques dynamiques des transistors MOSFET définissent ses performances lors
des commutation de l'état "on" à l'état "off".
Capacités parasites dans un transistor MOSFET

Il y a 3 capacités parasites dans un transistor MOSFET :
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Capacités parasites d'un transistor MOSFET
Schéma équivalent des 3 capacités du transistor
Ces capacités sont liées à la structure du transistor MOSFET lui-même. Les capacités Cgs et
Cgd varient avec la tension à leur bornes à cause de la déplétion dans le matériau. La capacité
Cgd peut varier d'un facteur 100 avec la tension drain-grille.
La capacité Cgd (grille-drain) est la plus critique. Lorsque la tension du drain varie très vite
(valeur élevée du dv/dt), il peut arriver que le MOSFET commute à cause du courant transitoire
dans cette capacité. Cgd doit être la plus petite possible. Cgs et Cgd forment un pont diviseur
capacitif.
Capacité d'entrée
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La capacité d'entrée, notée Ciss, d'un transistor MOSFET est la capacité mesurée entre grille
et source, le drain étant connecté à la source.
Ciss = Cgs + Cgd
La capacité d'entrée doit être chargée jusqu'à la tension de seuil (2 V à 5 V selon les
transistors). Lorsque la tension de seuil est atteinte, la tension Vds va chuter considérablement
(le MOSFET est en train de devenir passant), ce qui tend à faire chuter la tension de grille (à
travers Cgd). Lorsqu'on continue à injecter du courant dans la grille, la tension Vgs va rester
constante jusqu'à ce que Vds soit devenu faible (état passant ohmique). Ce plateau de tension
est le plateau Miller. Au delà, la tension de grille continue à augmenter comme un simple
condensateur qui se charge. Le plateau Miller constitue un supplément de charges à fournir à
la commande pour commuter le transistor d'un état à l'autre. On retrouve ce plateau Miller dans
les caractéristiques de charge totale ("Qg" totale) nécessaire pour commuter le transistor :
Plateau Miller : transition de l'état "on" à l'état "off"
Capacité de sortie
La capacité de sortie, notée Coss, d'un transistor MOSFET est la capacité mesuréeMON
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et source, la grille étant connectée à la source.

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Coss = Cds + Cgd
Cette capacité peut avoir un effet négatif sur les circuits (résonance entre inductance et
capacité de sortie).
Capacité Miller
Il s'agit de la capacité Cgd. C'est un paramètre essentiel pour la vitesse de commutation (durée
du plateau Miller).
Charge de la grille du transistor Mosfet
Pour piloter un transistor MOSFET de puissance, il faut charger et décharger sa grille. Pour se
rendre compte de l'effort à fournir pour le circuit de commande, la charge contenue dans la
grille Qg est une valeur pertinente. Cette charge Qg englobe tous les effets de toutes les
capacités.
La charge totale Qg augmente un peu avec la tension Vds, mais pas avec la température. Plus
le transistor est gros (Vds et Id max élevés), plus sa charge de grille sera élevée.
Il n'est pas rare de trouver des circuits intégrés spécifiques pour piloter les transistors MOSFET
de puissance qui peuvent délivrer des courants crête de 2A ou même plus.
Applications des transistors Mosfet en mode linéaire

En dehors de la commutation rapide, Les transistors MOSFET de puissance peuvent aussi être
utilisés en mode linéaire, sans commutation : amplis audio, ampli HF, charges actives,
alimentations linéaires. Dans ces applications, les vitesses de commutation n'ont pas vraiment
d'importance puisque leur fonctionnement se situe toujours entre l'état bloqué et l'état ohmique
complètement passant.
Conclusion sur les transistors MOSFET

Les transistors MOSFET de puissance s'utilisent largement dans l'électronique de puissance.

Leur principe de fonctionnement permet une application assez simple, mais la compréhension
des paramètres électriques permet d'améliorer les pertes quiTELECHARGER MON COMPTE
se traduisent par de
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l'échauffement : pertes parFacebook
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conduction en régime ohmique
Twitter continu et pertesCopier
par commutation
l'URL
lors des changements d'état du transistor MOSFET.
Transistors MOSFET et diode de puissance dans une alimentation à découpage
ELECTRONIQUE ELECTRONIQUE ELECTRONIQUE ELECTRONIQUE
Les transistors Les résistances de Ampli guitare 50W Schéma ampli

bipolaires de puissance : conception Mosfet 100W
puissance simple
ELECTRONIQUE ELECTRONIQUE ELECTRONIQUE ELECTRONIQUE
Schéma Ampli Ampli classe D Ampli 2 x 400W : Ampli classe D

Classe D 300W 50W à 300W : schéma et 100W à 300W :
simple schéma réalisation schéma
Cyberez
mardi 11 novembre 2014 16:03
Bonjour, TELECHARGER MON COMPTE
Tout d'abord merci pour cet article très intéressant, qui me permet de mieux comprendre toutes les courbes des
Datasheet.
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J'ai bien compris le calcul de puissance en mode passant (simple loi d'Ohm pour une résistance Rdson).
Par contre, comment calculer/estimer les pertes en commutation (et donc dimensionner le radiateur) ? Je
compte alimenter la grille d'un IRLZ34N pendant 20 ms, toutes les 500 ms (cas le plus défavorable), à partir d'un
74HC595. Pourriez-vous m'aider ? Merci par avance.
Réponse
Nina67
jeudi 13 novembre 2014 06:59
Bonjour, difficile d'évaluer les pertes par commutation... Elles sont proportionnelles au courant, à la tension à
commuter, et au temps de comutation, qui dépend du courant injecté dans la grille. En effet, il y a souvent une
résistance série placée avec la grille pour limiter les pics de courant. Par exemple, si vous mettez 100 Ohms au
lieu de 50 Ohms de résistance entre le driver et la grille, vous doublerez le temps de commutation, donc les
pertes de commutation du mosfet... En revanche, avec des durées de 20ms (on) et 480ms (off), il ne devrait y
avoir aucun problème, c'est à dire qu'il n'y aura que les pertes de conduction dues au Rds on.
Réponse
Patrice
mardi 3 mars 2015 19:59
Merci pour ces explications claires et concrètes!!! :))

Patrice
Réponse
Adribe
lundi 23 mars 2015 12:15
bonjour nina67,voila je solicite votre avis concernant un ampli sono house sh 100 sur lesquel je voudrez ajouter
des transistor car il a tendance a chauffer un peu beaucoup et de plus le circuit d origine me semble prevu pour
cela pouvez vous me dire si c est possible de rajouter 2 irfp9240 et 2 irfp240 ainsi que 2 condo 3900 µf 50v en
paralelle avec ceux de 3300µf deja installer? je pourrez demain si vous le voulez mettre des photos de cet ampli.
coordialement
Réponse

Adribe
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Facebook Twitter lundi 23 mars
Copier 2015 12:22
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en faite je voudrez donner un coup de jeune a cette ampli car il devra alimenter deux caissons de basse 38cm
filtrer en actif de 250w chacun merci par avance.
Réponse
Nina67
mardi 24 mars 2015 11:37
bonjour, à votre place, je ne changerai rien. Si vous augmentez le nombre de transistors, en imaginant que les
courants s'équilibrent bien, la dissipation totale sera la meme (le radiateur chauffera autant) mais la chaleur se
répartira sur un plus grand nombre de tranisstors. Dans l'absolu, l'idée est bonne mais en pratique, pas facile... A
votre place, j'essaierais de changer de ventilateur plutot. cordialement
Réponse
Adribe
mardi 24 mars 2015 16:27
bonjour,en faite sur cette ampli il y a deux cartes qui pour moi servent a repartir les courants (une pour chaque
coté) elles sont munies de plusieurs résistances qui sont reliées aux emplacements de transistor vide et des
traces de chauffe sont présentes sur ces cartes.comment puis-je vous envoyer des photos pour plus de
précision?
je vous remercie pour votre aide! c est super de voir qu il y a encore des personnes qui sont la pour nous aidez!
cordialement
Réponse
Nina67
vendredi 27 mars 2015 12:11
Bonjour, il y a la rubrique forum "Posez une question" sur le haut de la page d'accueil de notre site. Sinon, pour
l'électronique, à voir si on peut ajouter des transistors supplémentaires (emplacement prévus mais vides). Il
m'est aussi arrivé de débobiner des spires sur des transfos toriques pour abaisser la tension d'alim et réduire la
puissance de l'ampli. Comme ça, il chauffe moins, et comme diviser par 2 la puissance, c'est diminuer de
seulement 3dB, on peut bien enlever 10 à 20% de la tension ! http://www.astuces-
pratiques.fr/electronique/abaisser-la-tension-d-un-transfo-torique Cordialement
Réponse

Faye
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Facebook Twitter mardi 31 mars
Copier 2015 13:14
l'URL
Bonjour,
au fait peut on avoir un mosfet sans la diode anti parallèle ?
Merci de votre réponse
Réponse
Faye
mardi 31 mars 2015 13:16
Bonjour,
au fait peut on avoir un mosfet sans la diode anti parallèle ?
Merci de votre réponse
Réponse
Nina67
mardi 31 mars 2015 13:47
Bonjour, non, la diode interne anti parallèle est due à la construction du transistor mosfet. Si vous souhaitez
éviter la conduction de la diode, mettez une diode en série avec le drain du mosfet. Cela fera une perte
supplémentaire en conduction, mais bon, c'est comme ça. Cordialement
Réponse
Joel
lundi 27 juillet 2015 16:03
Bonjour,j'ai utilisé un transistor mosfet irfp064,Quel est la tension seuil suffisant pour que cette transistor
travail???
Réponse
Nina67
dimanche 2 août 2015 08:38
bonjour joel, la tension de seuil est entre 2V et 4V d'apres la datasheet. Pour piloter correctement le mosfet,
vous pouvez mettre 10 à 15V sur la grille. Cordialement
Réponse

Linear
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Facebook Twitter mardi Copier
8 septembre 2015 21:00
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Bonsoir Nina j'aime bien l'explication si haut, mais il y une chose que je voudrai bien calculer.
Comment fait-ton pour calculer la valeur de la RG du mosfet dans un push-pull circuit SMPS.
voir la photo ici
http://www.stk-audio.com/nina67/nina-mosfet%20gate.jpg
il y a une formule qui n'est pas d'écrit si haut.
merci
Réponse
Nina67
mercredi 9 septembre 2015 16:52
bonsoir Linear, à 50kHz, la durée du niveau haut sur la grille est de 10 microsecondes, la moitié de la période
20us. Une aide consiste à déterminer la constante de temps RG et capa Ciss (input capacitance) du mosfet. Le
but étant que cette constante de temps soit bien inférieure à 10us. En gros, le mosfet doit devenir très vite bien
passant. Ceci dit, RG se dimensionne la plus petite possible (10 Ohms par exemple) sauf cas particulier ou on
souhaite allonger un temps de commutation pour réduire les fronts de tension et courant sur le mosfet.
Cordialement
Réponse
BILL
mardi 29 décembre 2015 05:50
bonjour,
avez vous une explication concernant la degradation des SOA des nouveaux mosfet à faible rdson.?
Par exemple le IRF2804S qui ne supporte plus que 2A à 40V et presente meme pour le IRF2804S-7 l'equivalent
d'une limitation de claquage secondaire de bipolaire.
merci
Réponse
Nina67
mercredi 30 décembre 2015 21:44
Bonsoir Bill, très bonne remarque, je n'avais moi même jamais constaté cela. Une explication pourrait être le
transistor bipolaire parasite qui existe toujours dans un mosfet. On en parle par exemple dans cet article.
Cordialement. http://powerelectronics.com/discrete-power-semis/mosfets-withstand-stress-linear-mode-operation
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BILL
samedi 2 janvier 2016 03:40
bonjour Nina et meilleurs voeux pour 2016.

merci beaucoup pour ce document qui repond exactement à mes questions ,voire meme un peu au delà.
J'avais un vaguement cherché sans conviction apres avoir interrogé le service technique IR (aujourd'hui
Infineon).
La seule reponse que j'avais obtenue etait "un changement de technologie"...
Pas faux mais limité comme explication surtout entre deux references proches comme IRF2804S et IRF2804S-
7,sachant que le "-7" est du au boitier D2Pak-7 à 7 broches...
J'avais d'ailleurs pensé à l'epoque que l'amelioration du Rdson (1.6mohm au lieu de 2 mohms) etait du à
l'utilisation de ce type de boitier plutot qu'à un quelconque changement de technologie mentionné nulle part.
Je ne peux donc pas utiliser ces mosfet autrement qu'en hacheur sous peine de mort.
Apres ce deboire ,j'ai donc consulté la banque de datasheet des nouveaux produits Fairchild et Infineon,pour me
rendre compte que le bon temps des mosfets limité par Pmax etait terminé..
La plupart des mosfet recents sont dans le meme cas...;-(
J'ai repris mes calculs à partir d'IRF1404 qui sont les derniers 40V sans histoire utilisables en analogique..
cordialement
Réponse
BILL
Petit complement...application note de Fairchild concernant "Safe Operating Area Capability of

Power MOSFET Revisited"........https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-4161.pdf
Réponse
Maximhgz
mardi 3 mars 2020 14:42
il va bien boll
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Nina67
Bonjour Bill, merci pour ces infos ! c'est tout à fait pertinent...
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Zoum
mardi 27 décembre 2016 04:49
Bjr! J'ai réalisé un mini convertisseur12v to 2x30v pour amlpi auto avec le tl494 et les mosfets stp75nf75! J'ai
obtenu ce 2x30v en sortie mais mon problème c'est que les mosfets chauffent beaucoup même s'il est alimenté
à vide (sans charge à la sortie) est ce vous pouvez m'aider comment faire pour diminuer la température de ces
mosfet? Merci!
NB: j'ai pas utilisé du driver pour piloter les mosftes(j'ai relié tout simplement les 2pin 9et 10 chacun à l'aide
d'une resistance de 100 ohms vers les grilles des mosfets respectifs! Dans le schéma que j'ai réalisé , il est
indiqué que pour les drivers on doit utiliser le Bc557, j'ai aussi testé la tension entre le grille et le borne moin de
la batterie et j'ai constaté une tension de 2,93v! Est ce normal? Merci à vous!
Réponse
Nina-67
dimanche 15 janvier 2017 22:47
Bonsoir Zoum, excusez moi du retard de ma réponse ! Meilleurs voeux à vous même si ils sont bien tardifs ! Il
doit y avoir un problème de temps mort pas assez important voire inexistant entre les conductions des 2
transistors. En gros, un transistor devient passant quand l'autre l'est encore. Cela ne dure qu'une fraction de
temps, juste au moment de la commutation, mais cela crée un échauffement considérable voire une destruction
des transistors. Il faut pouvoir augmenter le temps mort (dead time). Bien cordialement Nina67
Réponse
Zoum
mercredi 18 janvier 2017 03:30
Bonjour Nina! Merci à vous! Il est encore temps pour les meilleurs voeux :) !donc Bonne année à vous aussi! J'ai
fini par monter les deux drivers (bc557) indiqués dans le schéma sur le circuit! Et le mini convertisseur
fonctionne à merveille! Les mosfets ne chauffent plus même si l'ampli est à volume max! Mais ma question Nina
c'est: est ce que ces drivers (bc557) sont le responsable de l'augmentation du "dead time" dont vous avez parlé
pour le Tl494? Car j'ai consulté d'autres schémas comme par exemple avec le Tl594 et j'ai constaté qu'il n'existe
pas des drivers! Encore merci à vous :)
Réponse
mercredi 18 janvier 2017 14:51Nina-67
Bonjour Zoum, je n'ai pas le schéma sous les yeux, mais c'est bien possible selon la façon de piloter la grille. La
charge de la capa de grille peut être plus rapide ou plus lente que la décharge selonTELECHARGER
qu'elle se charge/décharge
MON COMPTE
via un transistor (rapide) ou via une résistance passive (lente).

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Réponse
Zoum
jeudi 19 janvier 2017 02:24
Bonjour Nina! Ou pourrai_je t'envoyer le schéma? Merci
Réponse
Nina-67
jeudi 19 janvier 2017 07:41
Bonjour Zoum, vous pouvez nous l'envoyer à stephane_amak@yahoo.fr. Cordialement
Réponse
Zoum
lundi 23 janvier 2017 02:21
Bonjour Nina! Ok! Merci
Réponse
Azzeddine
lundi 13 février 2017 14:16
Bonjour Nina-67,moi je développe un régulateur de tension pour l'éolienne. ma questionne est: est ce que si
possible de commande MOSFT de maniére proportionnelle? ex: Vgs qui augment de 3V à 5V et donc fais
passer de courant de maniere proportionelle .Merciii
Réponse
Nathan-f-savoie
vendredi 24 février 2017 06:01
Bonjour à vous,Je ne suis pas Nina-67, mais je vais tenter de vous répondre à votre question de mon
mieux.Théoriquement, le MOSFET peut opérer dans sa zone résistive et avoir une résistance finie, mais en
pratique :-La zone résistive est très étroite (en terme de variation de la tension de sortie VDS).-La linéarité n'est
pas bonne.-Si vous envisagez de faire un régulateur de courant et que le courant à contrôler est important, la
dissipation en chaleur peut être importante.Une méthode approximative serait de faire les mesures de la tension
de sortie VDS en fonction de la tension de commande VGS et de faire un tableau. IlTELECHARGER
est préférable d'utiliser
MON COMPTEun
circuit de compensation à rétroaction négative pour contourner le problème de non-linéarité.Le JFET est une
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autre alternative et a une meilleur
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linéarité dans sa zone résistive, voir application note : Copier l'URL
http://www.vishay.com/docs/70598/70598.pdfIl existe aussi des VCR (voltage controlled resistor) sous forme de
circuits intégrés.Avez-vous envisagez de réguler la puissance moyenne de sortie en modulant la largeur
d'impulsion (MLI ou PWM) d'une onde carré à la grille.Par exemple au lieu de faire varier la tension de la grille
de 3V à 5V, on fait varier le rapport cyclique (% du temps où le MOSFET est en conduction (Ton)) en appliquant
une onde carré à la grille Exemple d'onde carré : Amplitude : ±15V , Fréquence 20kHz, Rapport cyclique : 50%
ce qui donne : Ton=25us et Toff=25us. Dans cette exemple, la puissance de sortie est à la moitié de la puissance
de sortie maximale.Cordialement.
Réponse
Hosea mahungira josias

mardi 25 septembre 2018 19:42
merci beaucoup pour cette explication mais pour quel raison on les utiliser svp
Réponse
Nina67
mercredi 26 septembre 2018 08:03
Bonjour, pourquoi utiliser les Mosfet de puissance ? On pourrait donner une première réponse liée à l'état de l'art
: parce qu'ils existent ! En effet, les Mosfet sont aujourd'hui accessibles pour pas cher comparé aux bipolaires
pour commuter des courants très grands. On trouve des transistors capables de piloter 100A au plus sous 60V à
quelques euros. Les résistances Rds on sont très faibles et peuvent atteindre de l'ordre du milliohm, ce que les
bipolaires sont incapables de reproduire. De plus, la commandes des Mosfet se fait par la grille et ne nécessite
aucun courant permanent. Et de surcroit, les Mosfet ne présentent pas de zone de seconde cassure
contrairement aux bipolaires. Donc en gros, les Mosfet sont très avantageux pour la commutation (électronique
de puissance comme onduleurs, alimentations à découpage, automobile), leur prix faible et la commande par la
grille. Cordialement
Réponse
Lololo
mercredi 13 novembre 2019 12:01
Merci pour l'astuce
Réponse

Marcou
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Facebook Twitter jeudi 9 avril
Copier l'URL 2020 17:51
Bonjour, je suis novice et j'ai un peu de mal a comprendre. Quel est l'intéret de mettre plusieurs Mosfet en
parallèle ? Si je prends, par exemple le MOSFET IRF460, il permet de passer un courant de 21A. Est ce que si
j'en met 2 en parallèle je vais pouvoir doubler le courant à 42A etc... avec 3 ou 4 en parallèle ? Quelqu'un
pourrait m'aider à comprendre ? Vous remerciant par avance et merci pour toutes ces explications.
Réponse
Nina67
jeudi 9 avril 2020 19:51
Bonjour, l'intérêt de mettre plusieurs transistors Mosfet en parallèle est de pouvoir faire passer un courant plus
grand (en effet, 42 Ampères en mettant deux transistors IRFP460 en parallèle), ou bien de réduire la chaleur
dissipée pour un même courant (si on fait passer 21 Ampères dans 2 IRFP460 en parallèle). Cordialement
Réponse
Marcou
vendredi 10 avril 2020 05:07
Merci beaucoup, réponse claire et précise. Cordialement
Réponse
Niro 01
jeudi 18 juin 2020 22:34
Bonjour Nina comment reconnaître un mosfet défectueux cordialement
Réponse
Nina67
vendredi 19 juin 2020 08:40
bonjour Niro 01, la plupart des transistors mosfet défectueux font un court-circuit entre drain et source (tester au
multimètre quand le circuit est hors tension). Cordialement
Réponse

MassaTolotra
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Facebook Twitter samedi
Copier7 mai 2022 14:39
l'URL
bonjour Nina67 , j'ai un problème au niveau de sortie transfo découpage onduleur, il y a deux condensateur
470uf 25v et deux diode redressement, le problème c'est que le diode et le condensateur chauffe et l'onduleur
s'éteint en 2secondes j'ai tous teste mais je n'ai rien trouver d'où vient le problème . pouvez vous m'aider s'il
vous plait, oscillateur c'est CI 3843 alimentation 48v
Réponse
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Extrait du datasheet du transistor 20N60C3 (Infineon)

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Id² = 20.7² = 428

A 100°C : échauffement autorisé : 150 - 100 = 50 °C

Et Id² = 13.1² = 172

L'échauffement autorisé à 100°C (+50 °C) vaut 40 % de l'échauffement autorisé à 25 °C (+125

En pratique, le claquage du transistor MOSFET de puissance se produit entre 200 °C et 300

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Ce transistor est donné pour 20,7 A continus à Tc = 25 °C. De façon instantané,MON

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Capacités parasites d'un transistor MOSFET

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lors des changements d'état du transistor MOSFET.