Université Ibn Zohr Année Universitaire : 2021/2022

Faculté Polydisciplinaire Ouarzazate Filière : SMP

Département de Physique-Chimie Semestre : 6

Travaux dirigés de la théorie des matériaux

Série N° 4

Exercice (Examen de rattrape 2018-2019)

On considère un matériau semi-conducteur de concentrations en porteurs libres p et n.

1. Qu’est-ce qu’un matériau semi-conducteur ?
2. Quelle est la fonction qui régit la distribution des porteurs libres sur les niveaux d’énergie ?
3. Indiquer pourquoi cette fonction peut être remplacée par la fonction de Maxwell-Boltzmann
aux températures voisines de l’ambiante.
4. Quelle est la concentration, en porteurs libres, d’un semi-conducteur à 𝑇 = 0K ? Justifier
votre réponse.
5. Donner les expressions de la densité d’états dans la bande de conduction et dans la bande de
valence.
6. Calculer p et n en fonction du niveau de Fermi lorsque la température est voisine de
l’ambiante.
7. La température est voisine de l’ambiante, un champ électrique 𝐸⃗ est appliqué suivant la
direction longitudinale de cet échantillon.
a. En utilisant la loi fondamentale de la dynamique, déterminer l’expression de la vitesse
d’entraînement d’un porteur en fonction de 𝐸⃗ .
b. Exprimer la densité du courant 𝐽 qui circule dans le matériau en fonction de n et p.
c. En déduire l’expression de la conductivité électrique 𝜎 en fonction de n et p.
8. En plus de l’action du champ électrique ⃗𝑬, l’échantillon est soumis à l’action d’un champ
⃗⃗ ; tel que 𝑩
magnétique 𝑩 ⃗⃗ est perpendiculaire à 𝑬
⃗⃗ .
a. Ecrire l’équation du mouvement d’un électron libre dans l’échantillon.
⃗ et 𝑩
b. Exprimer les composantes de la vitesse de l’électron en fonction de 𝑬 ⃗⃗ .
c. En déduire les composantes de la densité du courant.
d. Etablir l’expression du coefficient de Hall 𝑅𝐻 . Quel est l’intérêt de la mesure de la
tension de Hall ?
 Exercice
1. A T = 0 k le semi-conducteur est un isolant car la bande de valence est saturée et la bande
de conduction est vide. Lorsque la température augmente, les électrons acquièrent une énergie leur
parmettant de franchir le gap et de passer à la bande de conuction, donc, devient libres de se déplacer le
long du matériau sous l’e¤et d’une excitation extérieur.
 4

2. A l’équilibre, les électrons sont répartis sur les niveaux d’énergie selon la statistique de Fermi-Dirac
(F-D),
1
fe (") = (" "F )
(29)
e +1
Pour les trous, on a (voir cours):

1
fH (") = 1 fe (") = (" "F )
(30)
e +1
3. Pour les smi-conducteurs (SC), la fonction de F-D peut être remplacée par la fonction d Maxwell-
Boltzmann aux températures voisines de la température ambiante TA , car la concentration des porteurs
libres est faibles, donc les correlations sont faibles. En e¤et, l’énergie thermique KB TA su¢ t pour annuler
les interactions entre les porteurs de charge, donc la température ambiante peut être considérée comme
température élevée.
4. A T = 0 K n = p = 0 car le S-C est un isolant.
5. La densité d’états dans la bande de conduction (électrons) :

ge (") = A(" "c )1=2 (31)

La densité d’états dans la bande de valence (trous) :

gH (") = A0 ("v ")1=2 (32)

6. La température est voisine de l’ambiante :

8 R1 R1
>
> n = 0 ge (")fe (") d" t 0 ge (")e (" "F )
d"
>
<
(33)
>
>
: p = R 1 g (")f (") d" t R 1 g (")e
> (" "F )
d"
0 H H 0 H

Donc, 8
> R1
>
> n = 0 A(" "c )1=2 e (" "F )
d"
<
(34)
>
>
: p = R 1 A0 ("
>
")1=2 e (" "F )
d"
0 v
8 R1
>
> n = Ae ("c "F )
(" "c )1=2 e (" "c )
d"
>
< 0
(35)
>
> R
>
: p = A0 e ("F "v ) 1
0
("v ")1=2 e ("v ")
d"
8
> 2 me kB T 3=2 ("c "F )
>
> n=2 e
< h2

>
>
>
: p=2 2 mH kB T 3=2 ("F "v )
h2 e
!
7. Un champ électrique E est appliqué.
 5

a. On applique la loi fondamentale de la dynamique :

d!v ! !
m = F = qE (36)
dt

On trouve,
8
>
> ! e !
> v = me E
< e
(37)
>
>
>
: ! e !
vH = mH E

b. La densité de courant est donnée par :

!
j = nq !
v (38)

Donc,
! !
je= ne!
ve j H = pe!
vH (39)

! e ! ! e !
je= ne E j H = pe E (40)
me mH
D’où,
! ! ! n p !
jt= je+ jH = + e2 E (41)
me mH
c. La conductivité électrique .
On a:
! ! n p !
jt= E = + e2 E (42)
me mH
Donc,
n p
= + e2 (43)
me mH
!
8. En plus de l’action du champ électrique E , l’échantillon est soumis à l’action d’un champ mag-
! ! !
nétique B ; tel que B est perpendiculaire à E .
a. Equation du mouvement d’un électron libre dans l’échantillon.

d!v ! ! !
m = e E +!
v B + f (44)
dt
! !
Avec f = m v est la force de frottement due aux collisions (chocs) dans le matériau.

d!v ! ! !
v
m = e E +!
v B m (45)
dt

d 1 ! e ! ! !
+ v = E+ v B (46)
dt m
 6

! !
b. Etablir les expressions des composantes de la vitesse !
v en régime continu ( ddtv = 0 ).

! e ! ! !
v = E+ v B (47)
m
8
>
> v = e
(Ex + vy B)
>
< x m
e (48)
vy = (Ey vx B)
>
> m
>
: vz = 0
En utilisant la méthode Craamer, on trouve,
8
>
> (! c Ey Ex )
vx = em 1+(!
>
> c )
2
>
>
>
>
>
<
(! c Ex +Ey )
vy = em 1+(! (49)
>
> c )
2

>
>
>
>
>
>
>
: vz = 0
!
c. Les composantes de la densité de courant j .
La densité de courant est dé…nie par,
!
j = nq !
v (50)

Donc, 8
>
> jx = nevx = ne2 (Ex ! c Ey )
>
> m 1+(! c )2
>
>
>
>
>
<
ne2 (! c Ex +Ey )
(51)
jy = nevy =
>
> m 1+(! c )2
>
>
>
>
>
>
>
: jz = 0
8
>
> jx = 0
(Ex ! c Ey )
>
> 1+(! c )2
>
>
>
>
>
<
jy = 0
(! c Ex + Ey ) (52)
>
> 1+(! c )2
>
>
>
>
>
>
>
: jz = 0
Sous la forme tensorielle,
0 1 0 10 1
jx 0 1 !c Ex
@ A= @ A@ A (53)
2
jy 1 + (! c ) !c 1 Ey

d. Le coe¢ cient de Hall RH .

Le coe¢ cient de Hall est dé…ni par :
Ey
RH = (54)
jx B
 7

jy = 0 car le courant n’existe que suivant (ox) (pas de courant transverse).

jy = 0 ) Ey = ! c Ex (55)

L’expression de la densité de courant jx devient :

0 2
jx = 2 Ex + (! c ) Ex = 0 Ex (56)
1 + (! c )
Donc,
0 ne
jx = = Ey (57)
(! c )Ey B
D’où,
Ey 1
RH = = (58)
jx B ne
L’e¤et Hall permet d déterminer la concentration des porteurs de charge dans un matériau.
Pour un S-C l’e¤et Hall permet de déterminer la nature des porteurs de charge (trous ,électrons)