RECUEIL D'ELECTRONIQUE GENERALE 3e Elec

MINANGA NYEMBO Trésor
Condensateurs Oscilloscope analogique
Pile au citron Transistors bipolaires
Edition 2020-2021
1

Ingénieur Civil
Université de Lubumbashi / Faculté Polytechnique
3 ème
ELECTRICITE INDUSTRIELLE
Collège saint Vincent de Paul

Lubumbashi/Haut-Katanga/RDC
Edition 2020-2021

Ingénieur Civil / UNILU / Polytechnique
AVANT-PROPOS
Ce recueil, inspiré des notes de cours, des livres et publications, est le

fruit d’une expérience dans l’enseignement du cours d’électronique générale depuis
des nombreuses années.
Il est destiné aux élèves de 3ème année Electricité industrielle cycle long.
Tout en respectant l’essentiel du programme national officiel, ce recueil

contient un certain nombre de chapitres qui sont chacun subdivisé en deux
parties : la synthèse du résumé de chaque chapitre vu au cours (l’essentiel à
retenir), et une série d’exercices résolus et non résolus avec et sans réponses.
Nous avons jugé utile de résoudre presque tous les exercices dont la
diversité permettra une bonne assimilation des notions théoriques apprises.
Nos sincères remerciements s’adressent à tous les personnels administratifs

du collège saint Vincent de Paul particulièrement au préfet des études Monsieur
Samuel Tunga pour cette initiative combien louable et appréciable, ainsi qu’aux
directeurs des études Monsieurs Baudoin Kaïdi et Mathurin Diamani.
A tous les professeurs du collège saint Vincent de Paul, qu’ils trouvent ici
l’expression de notre profonde gratitude.
Les critiques et suggestions en vue d’améliorer constamment le niveau de

ce recueil seront toujours bien accueillies et examinées avec la plus grande
attention.
L’auteur
1
TABLE DES MATIERES

AVANT-PROPOS……………………………………………………………………………….…………………………………………….0
TABLE DES MATIERES ............................................................................................. 1
CHAPITRE I : RAPPEL SUR LA NOTION DES SEMI-CONDUCTEURS ................................ 2
I.1 INTRODUCTION ........................................................................................... 2
I.2 LES SEMI-CONDUCTEURS ............................................................................. 2
CHAPITRE II : LA DIODE A JONCTION ..................................................................... 10
II.1 DEFINITION ............................................................................................... 10
II.2 STRUCTURE ET SYMBOLE DE LA DIODE A JONCTION ................................... 10
II.3 POLARISATION DE LA DIODE A JONCTION ................................................... 10
II.4 CARACTERISTIQUE STATIQUE COURANT-TENSION DE LA DIODE ....................... 11
II.5 EFFET DE LA TEMPERATURE ...................................................................... 12
II.6 PARAMETRES ESSENTIELS ......................................................................... 12
II.7 SCHEMAS EQUIVALENTS D’UNE DIODE A JONCTION ..................................... 12
II.8 MARQUAGE DE LA DIODE........................................................................... 15
II.9 LES TYPES DE DIODES .............................................................................. 19
CHAPITRE III : REDRESSEMENT, FILTRAGE ET STABILISATION ................................... 30
III.1 LE REDRESSEMENT .................................................................................. 30
III.2 FILTRAGE DE LA TENSION REDRESSEE ...................................................... 32
III.3 STABILISATION DE LA TENSION FILTREE ................................................... 32
III.4 CALCUL DES ELEMENTS D’UNE ALIMENTATION STABILISEE ......................... 33
III.5 EXERCICES RESOLUS ............................................................................... 35
III.6 MANIPULATION SUR LES ALIMENTATIONS STABILISEES .............................. 38
CHAPITRE IV : ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME STATIQUE .................. 39
IV.1 PRESENTATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ............................................... 39
IV.2 EFFET TRANSISTOR ................................................................................. 39
IV.3 RESEAUX DES CARACTERISTIQUES STATIQUES ............................................ 40
IV.4 POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ............................................... 40
IV.5 EXERCICES D’APPLICATION ...................................................................... 43

2
CHAPITRE I : RAPPEL SUR LA NOTION DES SEMI-

CONDUCTEURS
I.1 INTRODUCTION
Pour comprendre le fonctionnement des composants électroniques, il faut
tout d’abord étudier les semi-conducteurs matériaux qui ne sont ni conducteurs,
ni isolants.
I.2 LES SEMI-CONDUCTEURS

Nous savons que les charges électriques sont plus ou moins libres de circuler
dans la matière sous l'influence d'un champ électrique externe. Cette propriété
nous a permis de distinguer les isolants (liaisons très robustes, charges électriques
très peu mobiles) des conducteurs (liaisons fragiles, charges très mobiles).
Les semi-conducteurs se situent entre ces deux extrêmes (d'où leur nom !).
 Ils se placent entre les conducteurs et les isolants.

 Ils possèdent une résistivité intermédiaire entre celle des conducteurs et
celle des isolants : Ils se comportent comme des isolants aux basses températures
lorsque l’agitation thermique est faible et comme des conducteurs aux
températures élevées.
 La résistivité d’un semi-conducteur diminue quand la température
augmente.
1. Les semi-conducteurs purs ou intrinsèques

Lorsque le corps est parfaitement pur, il est qualifié d’intrinsèque.
Exemples : Silicium (Si), Germanium (Ge), Sélénium (Se)
Le Silicium est un atome tétravalent : Il possède 4 électrons de valence

qui vont se mettre en commun avec d’autres atomes de Silicium pour avoir la
forme cristalline (Figure 2).

3
A la température 0 K toutes les liaisons covalentes sont maintenues.

C’est un bon isolant : pas d’électrons libres. Lorsque la température du cristal
augmente, certains électrons de valence quittent leurs places,
certaines liaisons covalentes sont interrompues. On dit qu’il y a rupture de la
liaison covalente et par conséquent :
 Libération de certains électrons qui vont se déplacer librement 

conduction du courant électrique.
 Il reste une liaison rompue (un ion Si +)  naissance d’une paire de charge
: électron libre (charge négative) et trou (charge positive).
2. Les semi-conducteurs dopés ou extrinsèques

a. Dopage des semi-conducteurs
Le dopage est l’introduction dans un semi-conducteur intrinsèque de très faible
quantité d’un corps étranger appelé dopeur.
Pour les semi-conducteurs usuels (Si, Ge), les dopeurs utilisés sont :
 Soit des éléments pentavalents : ayant 5 électrons périphériques.
Exemples : l’Arsenic (As), l’Antimoine (Sb), le Phosphore (P), …
 Soit des éléments trivalents : ayant 3 électrons périphériques.

Exemples : le Bore (B), le Gallium (Ga), l’Indium (In), …

4
NB : Ces dopeurs sont introduits à une très faible dose (de l’ordre de 1 atome
du dopeur pour 106 atomes du semi-conducteur). Après le dopage, le semi-
conducteur n’est plus intrinsèque mais extrinsèque.
b. Semi-conducteur extrinsèque type N

Le dopeur utilisé appartient à la famille des pentavalents (As, Sb, P, …).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour
assurer les liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires : le
cinquième est donc en excès et n’à pas de place pour lui.
On dit que le dopeur est un donneur (N) d’électrons (porteurs de charge
Négative). Il faut noter que cet électron lorsqu’il quitte son atome, il laisse à
sa place un ion positif fixe (Figure 3)

5
c. Semi-conducteur extrinsèque type P

Le dopeur utilisé appartient à la famille des trivalents (B, Ga , In , …).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour
assurer les liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires alors que
le dopeur ne porte que 3, il y a donc un trou disponible susceptible de recevoir
un électron. Un électron d’un atome voisin peut occuper ce trou. L’atome du
dopeur devient un ion négatif fixe. L’atome quitté aura un trou et une charge
positive excédentaire. On dit que le dopeur est un accepteur (P) d’électrons.
(Figure 4).
NB : Les trois principaux semi-conducteurs utilisés en électronique sont :

1. Le silicium (Si) : c'est le matériau le plus utilisé actuellement pour la
fabrication des composants électroniques.
2. Le germanium (Ge) : il est délaissé (trop sensible en température : courants
de fuite importants, température de fonctionnement limitée).

6
3. L'Arséniure de Gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de

composants optoélectroniques, et permet aussi de fabriquer des composants plus
rapides que ceux en silicium ; ses applications sont cependant relativement rares.
3. LA CONDUCTION
En pratique, seuls les électrons se déplacent. Au niveau mobilité des
charges, on voit que pour le silicium N, les charges mobiles sont les électrons
libres. Pour le silicium P, le déplacement de trous se fera en fait par déplacement
d'électrons qui seront obligés de venir des autres liaisons covalentes (génération
de paires électron-trou),
La conduction est le résultat de trois termes :

1. Conduction par champ électrique : un champ externe va fournir
suffisamment d'énergie aux électrons libres (N) ou aux trous (P) pour qu'ils se
déplacent. On a une conduction dans un barreau de silicium (N ou P).
2. Conduction par diffusion des porteurs : qui n'existe pas dans un cristal
homogène. Ce phénomène est dû à l'hétérogénéité du matériau (jonction, dopage
non homogène) : il y a un gradient de concentration des charges qui se déplacent
pour se répartir de façon homogène dans le cristal à la manière des gaz.
3. Conduction par création/recombinaison de charges : ceci concerne les
charges libres minoritaires, qui peuvent être créées de diverses manières :
émission photonique, avalanche, passage de la barrière de potentiel d'une jonction.
Ces charges en excès se recombinent avec les porteurs majoritaires selon une loi
exponentielle de constante de temps égale à la durée de vie des porteurs.
4. LA JONCTION PN
a. Définition
L’union dans un même cristal d’un semi-conducteur type P et d’un semi-
conducteur type N fait apparaître à la limite des zones P et N, une zone de
transition appelée : Jonction P-N (Figure 5).

7
On appelle donc jonction PN, la juxtaposition de deux éléments de semi-

conducteur dont l'un est de type N et l'autre de type P. Le plus souvent on
retrouvera le silicium et le germanium pour la fabrication de jonction.
b. Jonction P-N non polarisée

Au niveau de la jonction P-N :
 Les électrons libres de la partie N diffusent vers les trous disponibles de
la partie P ;
 Les trous disponibles de la partie P diffusent vers la partie N et piègent
des électrons.
Il y a recombinaison électron-trou. Les parties P et N étant initialement

neutres, la diffusion des électrons et des trous a pour effet de
charger positivement la partie N, négativement la partie P d’où la création d’un
champ électrique interne. Ce champ repousse les porteurs majoritaires de chaque
partie et arrête la diffusion (Figure 7). Entre les deux parties P et N apparaît
alors une d.d.p. appelée aussi barrière de potentiel de l’ordre de
0,7 V pour le Silicium, 0,3 V pour le Germanium.

8
c. Jonction P-N polarisée

Polariser une jonction consiste à appliquer une tension à ses bornes. Il existe
deux types de polarisations : la polarisation directe (borne positive de la source
sur l’anode et borne négative sur la cathode) et la polarisation inverse.
Polarisation en direct
Lorsqu’une tension positive est appliquée entre la partie P et la partie N (UPN
> 0), la jonction P-N est polarisée en direct (Figure 7). Cela revient à
superposer au champ interne Ei , un champ externe E ; le champ résultant a
pour effet de diminuer la hauteur de la barrière de potentiel et par conséquent,
le nombre de porteurs majoritaires capables de franchir la jonction augmente.
A partir d’un certain seuil de tension Uo de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium,

les porteurs de charge peuvent franchir librement la jonction P-N, celle-ci devient
passante et un courant direct s’établit.

9
Polarisation en inverse
Lorsqu’une tension négative est appliquée entre la partie P et la partie N (UPN
< 0), la jonction P-N est polarisée en inverse (Figure 8). Le champ résultant
a pour effet d’empêcher la circulation des porteurs majoritaires. La jonction est
bloquée. Le courant inverse est pratiquement nul.
NB : Nous pouvons remarquer que la jonction PN est une sorte de condensateur

avec ses deux couches d'ions de signes opposés et voisines, la zone dépeuplée de
porteur jouant le rôle de diélectrique. Ce principe est utilisé pour la mise en
œuvre des diodes à capacité variable appelées diodes varicap

10
CHAPITRE II : LA DIODE A JONCTION
II.1 DEFINITION
Une diode à jonction est un composant électronique constitué de deux
électrodes à savoir : l’Anode (A) et la Cathode (K).
II.2 STRUCTURE ET SYMBOLE DE LA DIODE A JONCTION
II.3 POLARISATION DE LA DIODE A JONCTION

11
II.4 CARACTERISTIQUE STATIQUE COURANT-TENSION DE LA DIODE

Cette caractéristique décrit l’évolution du courant traversant la diode en
fonction de la tension à ses bornes en courant continu.
C’est la caractéristique globale courant/tension. Quand la tension appliquée
dépasse la valeur spécifiée par le fabricant, le courant croît très rapidement. S'il
n'est pas limité par des éléments externes, il y a destruction rapide de la diode
due à deux phénomènes :
1. Phénomène d’avalanche : Quand le champ électrique au niveau de la
jonction devient trop intense, les électrons accélérés peuvent ioniser les atomes
par chocs, ce qui libère d'autres électrons qui sont à leur tour accélérés. Il y a
divergence du phénomène, et le courant devient très important en un temps
extrêmement court.
2. Phénomène Zener : Les électrons sont arrachés aux atomes directement
par le champ électrique dans la zone de transition et créent un courant qui
devient vite intense quand la tension VAK atteint une valeur Vz dite tension
Zener.

12
II.5 EFFET DE LA TEMPERATURE

Pour VAK positif, la diode a un coefficient de température négatif égal à
-2mV/K. Cette dérive en température est suffisamment stable pour qu'on puisse
utiliser des diodes comme thermomètres.
Pour VAK négatif, le courant de fuite Is varie très rapidement avec la

température. Il est plus important pour le germanium que pour le silicium, et
croît plus vite, ce qui devient rapidement gênant. Dans le silicium, ce courant
double tous les 6°C.
II.6 PARAMETRES ESSENTIELS

En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres
des diodes plutôt qu'à d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour
tous les types de diodes, sauf les suivants qui sont incontournables :
 Vs : tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné.
 Id : courant direct permanent admissible par la diode à la température
maximale de fonctionnement.
 IFSM : courant temporaire de surcharge (régime impulsionnel). En général,
pour un courant de surcharge donné, le constructeur spécifie l'amplitude des
impulsions, leur durée, le rapport cyclique, et dans certains cas, le nombre
maximal d'impulsions qu'on peut appliquer.
 VR : tension inverse maximale admissible par la diode (avant l'avalanche).
 IR : courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse
donnée, et pour plusieurs températures (généralement 25°C et la température
maximale).
II.7 SCHEMAS EQUIVALENTS D’UNE DIODE A JONCTION
1. Première modélisation : la diode « idéale »

La modélisation d’un composant consiste à remplacer la caractéristique
électrique réelle par des segments de droites. A chaque segment de droite
correspond un schéma électrique équivalent. Dans ce cas, on néglige la tension

13
de seuil et la résistance interne de la diode. La caractéristique est alors celle de

la figure ci-dessous :
Ainsi modélisée, la diode est un interrupteur commandé par la tension anode-

cathode VAK.
 Si VAK > 0, l’interrupteur est fermé et le courant anode-cathode passe.

 Si VAK < 0, alors l’interrupteur est ouvert et le courant anode-cathode
est nul (quelques pico ampères en réalité).
Ce schéma est utilisé pour expliquer le principe de fonctionnement des

montages ainsi que dans le domaine du redressement ou de la commutation. Si
les diodes sont employées dans des circuits où les tensions sont élevées (plus de
10V) : la tension de coude (0,7 V pour les diodes au Si) est alors négligeable.
2. Deuxième modélisation : la diode semi-normale « avec seuil »

On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du
seuil de la diode. Cette f.c.é.m. est de 0,7V (environ, elle est comprise entre
0,6 et 0,7V) pour les diodes au silicium. Les diodes au germanium, qui sont
rares, ont une f.c.é.m. de 0,3V. Les diodes électroluminescentes ont des f.c.é.m.
variables, avec la longueur d’onde émise, entre 1,3 et 3,8V. La caractéristique
devient ainsi :

14
Ce schéma est le plus utilisé pour les calculs où l’on recherche une certaine
précision. Il est donc à utiliser si la source délivre une tension inférieure à une
dizaine de volts ou dans le domaine de l’électronique du signal lorsque le courant
reste faible devant le courant maximum.
3. Troisième modélisation : la diode normale « avec seuil et résistance »

Ici, on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si
on utilise la diode en petits signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa résistance
dynamique.

15
On parle de résistance « dynamique » car elle varie avec l’intensité qui traverse
la diode. La pente de la caractéristique électrique n’est pas constante comme
dans le cas d’une résistance « ohmique ».
La résistance dynamique est la dérivée de la caractéristique électrique en un
point :
Attention : Dans le cas de la diode, on considère souvent que la résistance

dynamique est constante. Cela n'est vrai que si la variation du signal alternatif
est très petite autour du point de polarisation en continu. Cette caractéristique
est utilisée dans le domaine du redressement, lorsqu’on travaille avec de faibles
tensions de source et des forts courants.
EXERCICES D’APPLICATION
II.8 MARQUAGE DE LA DIODE
1. Le code des couleurs

La référence de certaines diodes (surtout anciennes) est indiquée par le code
des couleurs et en général par trois anneaux suivant le code standard des
couleurs.

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Exercices d’application
Exemples :
Exemple 1 : La diode à 3 anneaux dont : marron ; bleu et orange
Réponse : (marron = 1, bleu = 6, orange = 3) soit la référence 1N63

(diode germanium à pointe U inverse = 125 V, Idmax = 50 mA, …)
Exemple 2 : La diode à 3 anneaux dont : jaune ; bleu et marron

Réponse : (jaune = 4, bleu = 6, marron = 1) soit 461P1 (diode
germanium à pointe détection FM).
2. Le marquage en clair
 Le marquage normes US : En général, la référence est indiquée en
clair sur le corps des composants traditionnels (non CMS). Sur les
composants CMS, c’est plus compliqué du fait du manque de place
pour mentionner la référence complète. La référence d’une diode
commence par 1N ; exemples : 1N914, 1N4004, 1N4148. La
référence d’un transistor commence par 2N ; exemples : 2N1711,
2N2905, 2N3055.

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 Le marquage normes ProElectron : Le code de désignation des

dispositifs à semi-conducteurs s’applique aux composants
comportant ou non une jonction et aux dispositifs multiples définis
comme étant constitué par une combinaison d’éléments actifs
semblables ou dissemblables incorporés dans une enveloppe commune
qui ne peut être démontée, les électrodes de chaque élément étant
accessibles de l’extérieur. Ce code s’applique en partie aux diodes.
La désignation consiste en 2 lettres suivies d’un code d’ordre.

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Désignation de type d’une gamme de dispositifs à semi-conducteurs

Ces désignations concernent
(a) Les diodes régulatrices de tension ou les diodes de référence (seconde
lettre Z)
(b) Les diodes de redressement (seconde lettre Y)
(c) Les thyristors (seconde lettre T) Chacun des types appartenant
respectivement à une gamme ou type de base désigné par le code
précédent, sera défini à l’aide d’un suffixe séparé de la désignation de
gamme à l’aide d’un tiret.

19
EXERCICES D’APPLICATION
II.9 LES TYPES DE DIODES
1. LA DIODE ZENER
Une diode Zener est une diode spécialement conçue pour exploiter le
claquage inverse. La tension de claquage est appelée tension Zener.
A partir de cette tension, la résistance de la diode devient très faible. Cet état
peut être réversible (diode Zener) ou irréversible (destruction ou claquage d’une
diode de redressement). La tension Zener est la caractéristique principale de ce

20
type composant qui a été mise en évidence par le physicien américain Clarence
Zener.
En direct, une diode Zener se comporte comme une mauvaise diode normale.
En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet Zener et / ou
d'avalanche se produise à une tension bien déterminée, et ne soit pas destructif.
La caractéristique inverse présente alors l'allure d'un générateur de tension à
faible résistance interne.
Avec :
 Vzt : Tension de régulation à un courant donné (IZT) ;

 IZT : Courant de contrôle de la tension de régulation (VZT) ;
 rzt : Résistance différentielle mesurée pour le courant IZT ;
 IZK : Courant de régulation dans la région du coude ;
 rZK : Résistance différentielle pour le courant IZK ;

21
 CI·VZ : Coefficient de température de la tension de régulation ;

 IR : Courant inverse à la tension spécifiée VR ;
 VR : Tension inverse inférieure à la tension de régulation ;
 IZM : Valeur limite maximale du courant de régulation ;
 IZSM : Courant inverse de pointe de surcharge non répétitif ;
Remarque :
 Si la résistance dynamique Rz est négligée, la tension aux bornes de la
diode lorsqu’elle conduit en inverse est constante quel que soit le courant qui la
traverse. La diode Zener est idéale.
 La diode Zener ayant le meilleur coefficient de température se situe vers
6,2V.
 La diode Zener est utilisée comme tension de référence dans les
alimentations stabilisées. Elle permet également la protection en surtension,
toutefois la diode Transil lui est largement supérieure en puissance absorbable.
Les principales caractéristiques d’une diode zener sont :

 La tension zener (de 1,2 V à plus de 200V)
 La précision sur la tension,
 La puissance maximale,
 Le coefficient thermique,
 La résistance dynamique,
 Le boîtier.

22
2. LA DIODE REGULATRICE DE COURANT

Ce type de diode, comme son nom l’indique, régule l’intensité du courant
qui la traverse quel que soit la tension à ses bornes (dans certaines limites).
L’effet de champ est mis à profit dans ce type de diode. Pour obtenir une
intensité plus importante, il est possible de monter plusieurs diodes en parallèle.
L’exemple de référence est donné par la photo de la diode 1N5294
Intensité : 0,39mA ci-dessous :
Remarque : Il existe des circuits intégrés qui effectue la même fonction.
3. LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES DEL OU LED

La diode électroluminescente ou DEL (LED en Anglais (Light Emitting
Diode)) est une diode dopée spécialement pour qu’elle émette un rayonnement
de lumière visible ou non lorsqu’elle est traversée par un courant dans le sens
direct. La tension directe d’environ 1,2V à 4,5V dépend des matériaux utilisés
(couleur). Elle se présente sous divers boîtiers (rond, triangulaire, rectangulaire
ou CMS ou Bar-Graph, afficheurs 7 segments), dimensions (1mm, 3mm, 5mm,
10mm), couleurs et intensité de l’émission de lumière.
a. Schéma théorique d’une diode DEL et sa représentation

L’émission de photons du rayonnement est due à la recombinaison d’une paire
électron –trou dans la zone de déplétion.

23
Remarque : la tension inverse que peut supporter une DEL est très faible,
quelques volts (en général environ 5V …).
b. Caractéristiques d’une diode électroluminescente DEL :

 Couleur (longueur d’ondes en nano mètre),
 Taille et forme du boîtier : 1mm, 3mm, 5mm, ronde, triangulaire,
rectangulaire, etc.
 Intensité lumineuse exprimée en milli candela (mCd),
 Angle de diffusion / éclairement,
 Tension de seuil et intensité du courant,
 Boîtier et brochage : 2 connexions ; en général la connexion la plus longue
est l’anode.
c. Tension de seuil de la diode DEL

C’est la tension à partir de laquelle la diode DEL émet des photons de lumière
visible ou non (infrarouge et ultraviolet). La tension dans le sens direct dépend
du courant qui la traverse. Dans le cas des DEL blanches, appelées à remplacer
les ampoules d’éclairage à incandescences, le courant est proche de l’ampère et
ce type de diode est montée sur un radiateur pour évacuer la chaleur.
d. Utilisation
Les utilisations des LED sont de plus en plus nombreuses, car ces composants
sont plus fiables que des lampes à incandescence, et leur rendement est un peu
meilleur. On les rencontre partout où on a besoin de témoins lumineux, et de

24
plus en plus, associées en matrices pour remplacer des grosses lampes (feux
tricolores de circulation par exemple), ou pour faire des panneaux d'affichage
électroniques (heure, température, publicités diverses).
Les diodes à infrarouges servent beaucoup dans les télécommandes d'appareils TV
/ HIFI. On les utilise alors avec des forts courants pulsés.
4. LA PHOTODIODE
Ce type de diode est utilisé lorsqu’on a besoin de détecter une intensité
lumineuse. Le courant qui traverse la diode est fonction de l’intensité lumineuse.
5. LA DIODE SCHOTTKY
Elle porte le nom d’un physicien Allemand Walter H. Schottky, la diode
Schottky est une diode caractérisée par une tension de seuil directe plus faible
que la diode standard et un temps de commutation très court. Cette
caractéristique la prédestine à la détection de signaux faibles en hautes fréquences
et hyperfréquences. Elle est aussi utilisée pour le redressement de tensions

25
alternatives dans les alimentations pour améliorer le rendement en diminuant

les pertes dans les diodes (redressement de puissance).
Elle est constituée d’une jonction métal - semi-conducteur (au lieu d'une
jonction PN comme dans le cas des diodes standard). Cela rappelle les premières
diodes au germanium qui avait une pointe en acier en contact direct avec le
cristal (diode à pointe). La diode Schottky est beaucoup plus rapide que la diode
à jonction PN du fait de l’absence de capacité de diffusion.
La diode Schottky a une tension de seuil directe entre 0,15 V à 0,45 V

(pour un courant d’environ 1 mA), à comparer avec celle de la diode standard
en silicium d'environ 0.6 volt. La variation de la tension de seuil directe en
fonction de la température est plus faible que dans le cas de la diode PN.
Dans le sens inverse, le courant inverse est plus important que celui de la diode
PN et fonction de la tension inverse.

26
6. LA DIODE TUNNEL
Dans une diode tunnel, le dopage des couches N et P est plus important
qu’une diode standard ainsi la barrière de potentiel est d’une valeur différente
ce qui produit un comportement différent.
 En sens inverse, la diode conduit.

 En sens direct, l’effet tunnel apparaît et à partir d’une certaine
tension on observe une décroissance de l’intensité ce qui correspond
à une résistance négative « virtuelle ».
Utilisation : La caractéristique « résistance dynamique négative » est mise à

profit dans les oscillateurs hautes fréquences et dans les montages où le temps
de commutation très court est primordial (plusieurs gigahertz).

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7. LA DIODE A CAPACITE VARIABLE OU DIODE VARICAP

La diode varicap (de l'anglais variable capacity) est une diode utilisée
comme condensateur variable lorsqu’elle est polarisée en sens inverse. Sa capacité
varie en fonction de la tension inverse (mais pas de manière linéaire, inversement
proportionnelle à la racine carrée de la tension). Elle est due à la largeur de la
zone de déplétion (c’est équivalent à écarter plus ou moins les armatures d’un
condensateur standard). La non linéarité est mise à profit pour générer des
harmoniques.
Remarque : Toutes les diodes présentent plus ou moins ce phénomène
La diode Varicap est utilisée dans les circuits d'accord des récepteurs radios
pour faire varier la capacité d’un circuit d'accord de l’étage d’entrée ou de
l’oscillateur local (VCO : Oscillateurs Commandé en Tension) et donc la fréquence
de résonance, en changeant la tension inverse de commande appliquée sur la
diode. Par rapport à un condensateur variable, les avantages sont le gain de
place et le coût, par contre parmi les inconvénients il faut disposer d’une tension
inverse souvent importante (20V à 30V).
8. LA DIODE PIN
Une diode PIN est une diode qui contient entre ses zones de jonction de
type P et de type N une zone quasi intrinsèque (type « I » d’où le nom de
diode P-I-N). Cette zone intrinsèque est non dopée (ou très faiblement) et
contient la zone de déplétion de la jonction PN.

28
La diode PIN polarisée :
 En inverse, présente des capacités extrêmement faibles et des tensions

de claquage élevées ;
 En direct, la zone de type « I » augmente la résistance interne qui
dépend du nombre de porteurs et diminue quand le courant augmente.
On obtient ainsi une résistance (alternative) variable contrôlée par une
intensité (continue).
Cette diode peut être utilisée en :

 Redressement de fortes tensions,
 Commutation HF, UHF (faible capacité inverse),
 Atténuateur variable (contrôlé par un courant de commande continu).
9. LE PONT DE DIODES
Le pont de diodes est en général constitué de 4 diodes reliées entre elles
pour former un pont de Graëtz et moulées dans un boîtier de formes diverses
et de tailles adaptées à la puissance à dissiper ou à la tension inverse à supporter.

29
L’intensité du courant redressé par un pont de diodes varie de

quelques centaines de mA à plusieurs centaines d’ampères.
Le boîtier dispose de 4 connexions extérieures :
• 2 marquées du signe ~ ou AC (Alternative Current) (entrée
de la tension alternative à redresser)
• 1 marquée + (borne positive de la tension de sortie redressée),
• 1 marquée – (borne négative de la tension de sortie redressée).

30
CHAPITRE III : REDRESSEMENT, FILTRAGE ET

STABILISATION
III.1 LE REDRESSEMENT
Le redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle en
une tension unidirectionnelle appelée tension redressée en éliminant l’une des
alternances positives ou négatives.
1. Redressement simple alternance
Principe de fonctionnement :
Hypothèse : On suppose que la diode est idéale.
 Pendant l’alternance positive de u (u > 0), la diode D est polarisée en
direct donc elle est passante (i > 0 et ud = 0) donc uR = u – ud = u ;
 Pendant l’alternance négative de la tension u (u < 0), la diode D est
polarisée en inverse donc elle est bloquée (i = 0 et u d < 0 ) donc uR = 0.
2. Redressement double alternance à deux diodes et transfo à point milieu

31
Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.
Pendant l’alternance positive de u :
 u1 est positive, D1 conduit donc uR = u1 = u/2
 u2 est négative, D2 bloquée
Pendant l’alternance négative de u :
 u2 est positive, D2 conduit donc uR = u2 = - u/2
 u1 est négative, D1 bloquée.
3. Redressement double alternance à pont de Graëtz
Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.
Pendant l’alternance positive de u :
 D1 et D3 conduisent, D2 et D4 sont bloquées donc uR = u

Pendant l’alternance négative de u
 D2 et D4 conduisent, D1 et D3 sont bloquées donc uR = -u

32
III.2 FILTRAGE DE LA TENSION REDRESSEE

Le filtrage d’une tension redressée consiste à réduire au maximum
l’ondulation afin d’avoir une tension aussi constante que possible. Cette fonction
peut être réalisée par un condensateur.
Principe de fonctionnement
Dès la première alternance, le condensateur C se charge puis, dès que la

tension à ses bornes devient supérieure à la tension redressée, il se décharge à
travers la résistance R.
III.3 STABILISATION DE LA TENSION FILTREE

La stabilisation d’une tension ondulée consiste à obtenir une tension
pratiquement constante. Cette fonction peut être réalisée par une diode Zener.

33
a. Stabilisation par diode Zener
Principe de fonctionnement
On suppose que la résistance R déconnectée et que la résistance RZ de la diode
Zener est négligée (RZ = 0) :
 Si U > UZ alors Us = UZ
 Si U < UZ alors Us = U.
NB : Il faut donc que U > UZ pour que la tension de sortie soit constante
(stabilisée).
III.4 CALCUL DES ELEMENTS D’UNE ALIMENTATION STABILISEE
 Calcul du transformateur
Généralement en pratique et pour plus de sécurité, on prendra les hypothèses
suivantes pour le choix du transformateur (abaisseur de tension) :
 Tension secondaire : on prendra la tension normalisée immédiatement
supérieure au double de la tension stabilisée voulue à la sortie :
u20 = 2 x U
Avec u20 : la tension secondaire du transformateur
U : la tension stabilisée voulue à la sortie
 Courant secondaire : le courant secondaire est calculé en multipliant par

un coefficient de sécurité de 1,3 le courant de sortie de l’alimentation :
i20 = 1,3 x I

34
Avec i20 : le courant secondaire du transformateur

I : le courant de sortie de l’alimentation
 Calcul des diodes de redressement

Le choix des diodes de redressement se rapporte aux critères de choix des diodes
selon les formules suivantes :
 Tension directe maximale VAK max > u20
 Tension inverse maximale VInv max > u20
 Courant direct maximal ID max > I
 Courant inverse maximal IInv max > I
 Calcul du condensateur de filtrage

Pour le calcul du condensateur, seul la capacité et la tension d’isolement sont
déterminées par les formules suivantes :
 Tension d’isolement uC : On prendra la tension normalisée
immédiatement supérieure à uC = u max = u eff x √𝟐

Avec u eff = u20 – Vs pour le redressement mono alternance
ou u eff = u20 – 2.Vs pour le redressement double alternance.
Avec : u max : tension maximale de charge du condensateur ; u eff : tension

efficace après redressement de la tension u20 et Vs la tension seuil des diodes.
 Capacité de charge C : On prendra la capacité normalisée en

microfarads (µF) immédiatement supérieure à :
𝟒𝟎𝟎𝟎𝟎
C = 𝑼⁄ Pour le redressement simple alternance
𝑰
𝟐𝟎𝟎𝟎𝟎
C = 𝑼⁄ Pour le redressement double alternance
𝑰
NB : Série E12 des valeurs de la capacité du condensateur : 1 ; 1,2 ; 1,5 ; 1,8 ;

2,2 ; 2,7 ; 3,3 ; 3,9 ; 4,7 ; 5,6 ; 6,8 enfin 8,2 et leurs multiples par 10,
100, 1000, 10000, 100000, …

35
 Calcul de l’élément stabilisateur

Le critère à prendre en compte est la tension Zener Vz (stabilisation par diode
Zener) ou la tension de sortie du régulateur (stabilisation par régulateur
intégré) qui doit être égale à la tension stabilisée de sortie voulue U.
III.5 EXERCICES RESOLUS
1. Soit à réaliser une alimentation stabilisée AC-DC capable de nous

fournir en sa sortie une tension continue stable de 10V / 1A.
 Faites les calculs et les choix de tous les composants pour chaque
étage de l’alimentation pour un redressement simple et double
alternance.
 Proposez un schéma de réalisation
2. Soit à concevoir une alimentation stabilisée capable de nous fournir à

la sortie deux tensions continues de 6,8 Volts et de 12 Volts et de
débiter un courant de 1 Ampère.
 Faites le calcul et ensuite le choix des éléments de chaque étage.
 Proposez un schéma de réalisation
NB : Le redressement se fait par des diodes en pont de Graëtz
RESOLUTION
1. Les calculs se feront de la manière suivante :
a) Calcul du transformateur
La tension secondaire est donnée par : u20 = 2 x U = 2 x 10 V = 20 Volts
Le courant secondaire est donné par : i20 = 1,3 x I = 1,3 x 1 A = 1,3 Ampères
Etant donné que la tension normalisée de 20 Volts n’existe pas, il s’agit donc
d’un transformateur abaisseur de tension de 24 Volts / 1,3 Ampères.

36
b) Calcul des diodes de redressement

Le choix des diodes de redressement doit être fait en tenant compte des
caractéristiques minimales suivantes :
 Tension directe maximale VAK max > 20 Volts
 Tension inverse maximale VInv max > 20 Volts
 Courant direct maximal ID max > 1,3 Ampères
 Courant inverse maximal IInv max > 1,3 Ampères
c) Calcul du condensateur de filtrage

Pour le redressement simple alternance :
𝟒𝟎𝟎𝟎𝟎 𝟒𝟎𝟎𝟎𝟎
C = 𝑼⁄ = 𝟏𝟎 𝑽⁄ = 4000 µF
𝑰 𝟏𝑨
La tension d’isolement sera alors : uC = u max = u eff x √𝟐
Or u eff = u20 – Vs = 24 V – 0,7 V = 23,3 Volts

uC = u max = u eff x √2 = 23,3 x √𝟐 = 32,85 Volts
On prendra un condensateur de caractéristiques suivantes : 3900 µF / 50 Volts

ou celui de 4700 µF / 50 Volts
Pour le redressement double alternance :
𝟒𝟎𝟎𝟎𝟎 𝟐𝟎𝟎𝟎𝟎
C = 𝑼⁄ = 𝟏𝟎 𝑽⁄ = 2000 µF
𝑰 𝟏𝑨
La tension d’isolement sera alors : uC = u max = u eff x √𝟐
Or u eff = u20 – 2. Vs = 24 V – 1,4 V = 22,6 Volts
uC = u max = u eff x √2 = 22,6 x √𝟐 = 31,86 Volts
On prendra un condensateur de caractéristiques suivantes : 2200 µF / 50 Volts.
d) Calcul du régulateur
Etant donné que la tension continue stabilisée voulue à la sortie est de 10 Volts,
on prendra donc le régulateur intégré LM 7810.
Le schéma de réalisation est le suivant :

37
2.
a) Calcul du transformateur
La tension secondaire est donnée par : u = 2 x U = 2 x 12 V = 24 Volts
20
Le courant secondaire est donné par : i = 1,3 x I = 1,3 x 1 A = 1,3 Ampères

20
On prendra donc un transformateur abaisseur de tension de 24 Volts / 1,3 A.
b) Calcul des diodes de redressement

Le choix des diodes de redressement doit être fait en tenant compte des
caractéristiques minimales suivantes :
 Tension directe maximale VAK max > 24 Volts
 Tension inverse maximale VInv max > 24 Volts
 Courant direct maximal ID max > 1,3 Ampères
 Courant inverse maximal IInv max > 1,3 Ampères
c) Calcul du condensateur de filtrage

Pour le redressement double alternance on aura :
𝟒𝟎𝟎𝟎𝟎 𝟐𝟎𝟎𝟎𝟎
C = 𝑼⁄ = 𝟏𝟐 𝑽⁄ = 1666,66 µF
𝑰 𝟏𝑨
La tension d’isolement sera alors : u C = u max = u eff x √𝟐

38
Or u eff = u 20 – 2. Vs = 24 V – 1,4 V = 22,6 Volts
u C = u max = u eff x √2 = 22,6 x √𝟐 = 31,86 Volts
On prendra un condensateur de caractéristiques suivantes : 1800 µF / 50 Volts.
d) Calcul du régulateur
 Pour la tension de 6,8 Volts, une diode Zener 1N5342B de 6V8 suffit.
 Pour la tension de 12 Volts, la stabilisation se fait par régulateur
intégré. On prendra donc le régulateur intégré LM 7805 associé à la
diode Zener précédente comme le montre la figure ci-dessous, ce qui
va nous donner une tension finale de 11,8 Volts l’écart n’étant pas
considérable.
NB : Faire attention dans le choix des diodes Zener et régulateurs intégrés car
seule la tension de sortie ne suffit pas, il faut voir également si la diode a un
courant Zener maximal supérieur au courant qui la traverse.
III.6 MANIPULATION SUR LES ALIMENTATIONS STABILISEES

39
CHAPITRE IV : ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE EN

REGIME STATIQUE
IV.1 PRESENTATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

Le transistor est un composant électronique composé de 3 électrodes :
Le Collecteur ( C ) , l’Emetteur ( E ) et la Base ( B ).
IV.2 EFFET TRANSISTOR

C’est le fait de véhiculer un fort courant collecteur à partir d’un faible
courant de base (Ic >> IB). On définit l’amplification statique en courant :

40
IV.3 RESEAUX DES CARACTERISTIQUES STATIQUES

Soit le schéma du transistor et de ses grandeurs électriques principales.
En fonction des grandeurs électriques principales du transistor, on peut établir

les caractéristiques statiques suivantes :
IV.4 POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE
1. Définition
La polarisation consiste à définir le point de fonctionnement statique
(point de repos) du transistor caractérisé par les valeurs VBEo, IBo, ICo et
VCEo. Il existe différents procédés de polarisation

41
2. Types de polarisation
 Polarisation par deux sources de tension
Droite d’attaque statique

C’est l’équation définie par : VBE = VBB – RB x IB
L’intersection de cette droite avec la caractéristique d’entrée du transistor
donne le point (IBo , VBEo ).
Droite de charge statique : C’est l’équation définie par :
L’intersection de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor

donne le point (VCEo , ICo ).

42
 Polarisation directe par résistance de base
Droite d’attaque statique : C’est l’équation définie par : VBE = VCC – RB x IB
 Polarisation par résistance entre base et collecteur
Droite d’attaque statique : Dans ce cas de polarisation, VBE = VCE – RB x IB

et VCE = VCC – RC x IC avec IC = IB, il vient : VBE = VCC – (RB + RC) IB
Droite de charge statique : Si on néglige Ic, c’est l’équation définie par :

43
 Polarisation par pont de résistances de base
Droite d’attaque statique : Dans ce cas de polarisation, on peut écrire :
D’où l’équation de la droite d’attaque statique :
IV.5 EXERCICES D’APPLICATION
1. On donne : R1 : Marron, Rouge, Orange, Or

R2 : Bleu, Noir, Noir, Or
Vcc = 5,8 V VBE = 0,7 V ß = 50
On demande de complétez le tableau suivant :

44
Composant Valeur
R1 12KΩ
R2 60 Ω
VCE0 4,53 V
IC0 21,25 mA
VR2 1,27 V
IB 0,425 mA
Résolution
La maille d’entrée nous donne : 5,8 V = VR 1 + VBE VR 1 = 5,1 Volts

𝑉𝑅1 5,1
IB = = = 0,425 mA
𝑅1 12𝐾
IC0 = ß x IB = 50 x 0,425 = 21,25 mA

La maille de sortie nous donne : 5,8 V = VR2 + VCE
VR2 = IC x R2 = 21,25 mA x 60 Ω = 1,27 Volts

VCE0 = 5,8 V - VR2 = 5,8 V – 1,27 V = 4,53 Volts
2. On considère le montage de la figure suivante :
On donne :
RE = 0K5 R2 = 10K
VBE = 0,6 V ß = 100
Vcc = 20 V VCE = 10 V
IC = 2 mA IB = 20 µA
On demande de calculer RC et R1

45
Résolution
La maille de sortie nous donne : Vcc = IC RC + VCE + IE RE

Sachant que IC est presqu’égal à IE nous aurons ce qui suit :
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸 20 𝑉 −10 𝑉
Vcc = IC (RC + RE) + VCE RC + RE = = = 5 KΩ
𝐼𝐶 2 𝑚𝐴
Ce qui nous donne : RC = 5 KΩ - RE = 5 KΩ – 0K5 RC = 4K5
La maille d’entrée nous donne : VR2 = IE x RE + VBE = IC x RE + VBE
Ce qui nous donne : VR2 = 2 mA x 0K5 + 0,6 V = 1,6 Volts
VR1 = Vcc - VR2 = 20 V – 1,6 V = 18,4 Volts
En outre VBE = R2 x (I1 – IB) - IE x RE I1 = 0,19 mA
𝑉𝑅1 18,4 𝑉
En appliquant la loi d’Ohm on a : R1 = = R1 = 96,84 KΩ
𝐼1 0,19 𝑚𝐴
3. Soit le montage de la figure ci-dessous :
On donne :
RE = 5K R1 = 20K
RC = 4K R2 = 10K
T : 2N3904 ß = 100
Vcc = 30 V VCE = 10 V
On demande de tracer la droite de

charge statique et de déterminer
les coordonnées du point de
repos ou de fonctionnement

46
Résolution
 Coordonnées de la droite de charge statique

L’équation de la maille de sortie nous donne : Vcc = IC RC + VCE + IE RE
Sachant que IC est presqu’égal à IE nous aurons : Vcc = IC (RC + RE) + VCE
Saturation de T : VCEsat = O Volt Icsat = 3,33 mA
Blocage de T : ICBloc = 0 mA VCEBloc = Vcc = 30 Volts
 Détermination des coordonnées du point de repos
La maille d’entrée nous donne : Vcc = VR1 + VR2
𝑉𝑐𝑐 𝑥 𝑅1 30 𝑥 20
En appliquant le pont diviseur de tension : VR1 = = = 10 Volts
𝑅1+𝑅2 20+10
En outre : VRE = VR2 - VBE = 10 V – 0,7 V = 9,3 Volts
𝑉𝑅𝐸 9,3 𝑉
Ce qui nous donne : IE = = = 1,86 mA = IC0
𝑅𝐸 5 𝐾𝛺
Vcc = IC (RC + RE) + VCE VCE0 = Vcc - IC (RC + RE) = 13,3 Volts

47
4. Soit le montage ci-dessous :

On donne :
R2 = 1 MΩ R1 = 6K
VBE = 0,7 V ß = 100
Vcc = 30 V HP = 10 KΩ
Tracez la droite de charge
statique et déterminez les
coordonnées du point de
fonctionnement
Résolution
L’équation de la maille de sortie nous donne : Vcc = IC R1 + VCE

Saturation de T : VCEsat = O Volt Icsat = 5 mA
30𝑉 −0,7𝑉
Maille d’entrée : Vcc = IB x R2 + VBE IB = = 29,3 µA
1MΩ
IC0 = ß x IB = 100 x 29,3 = 2,9 mA
Maille de sortie : Vcc = IC x RC + VCE VCE0 = Vcc - IC x RC = 12,6 Volts

48
5. Le transistor 2N4401 du circuit suivant est au silicium avec ß = 80.
Tracez la droite de charge

statique et déterminez les
coordonnées du point de
fonctionnement
RB = 390 KΩ
Résolution
L’équation de la maille de sortie nous donne : Vcc = IC R1 + VCE

Saturation de T : VCEsat = O Volt Icsat = 20 mA
30𝑉 −0,7𝑉
Maille d’entrée : Vcc = IB x R2 + VBE IB = = 75,1 µA
1MΩ
IC0 = ß x IB = 100 x 29,3 = 6 mA
Maille de sortie : Vcc = IC x RC + VCE VCE0 = Vcc - IC x RC = 21 Volts

49
Ce recueil, inspiré des notes de cours, des livres et publications, est le

fruit d’une expérience dans l’enseignement du cours d’électronique générale
depuis des nombreuses années.
Il est destiné aux élèves de 3 ème
année Electricité industrielle cycle long.
Tout en respectant l’essentiel du programme national officiel, ce recueil
contient un certain nombre de chapitres qui sont chacun subdivisé en deux
parties : la synthèse du résumé de chaque chapitre vu au cours (l’essentiel à
retenir), et une série d’exercices résolus et non résolus avec et sans réponses.
Nous avons jugé utile de résoudre presque tous les exercices dont la
diversité permettra une bonne assimilation des notions théoriques apprises.
Mr MINANGA NYEMBO Trésor

Ingénieur Civil
Université de Lubumbashi / Faculté Polytechnique
Pour tout contact : E-mail : tresorminangan@gmail.com

Téléphone : +243 97 665 88 89
+243 85 228 84 82


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Pile au citron Transistors bipolaires

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Tout en respectant l’essentiel du programme national officiel, ce recueil

Nos sincères remerciements s’adressent à tous les personnels administratifs

Les critiques et suggestions en vue d’améliorer constamment le niveau de

TABLE DES MATIERES

TABLE DES MATIERES ............................................................................................. 1

CHAPITRE I : RAPPEL SUR LA NOTION DES SEMI-CONDUCTEURS ................................ 2

I.1 INTRODUCTION ........................................................................................... 2

I.2 LES SEMI-CONDUCTEURS ............................................................................. 2

CHAPITRE II : LA DIODE A JONCTION ..................................................................... 10

II.1 DEFINITION ............................................................................................... 10

II.2 STRUCTURE ET SYMBOLE DE LA DIODE A JONCTION ................................... 10

II.3 POLARISATION DE LA DIODE A JONCTION ................................................... 10

II.4 CARACTERISTIQUE STATIQUE COURANT-TENSION DE LA DIODE ....................... 11

II.5 EFFET DE LA TEMPERATURE ...................................................................... 12

II.6 PARAMETRES ESSENTIELS ......................................................................... 12

II.7 SCHEMAS EQUIVALENTS D’UNE DIODE A JONCTION ..................................... 12

II.8 MARQUAGE DE LA DIODE........................................................................... 15

II.9 LES TYPES DE DIODES .............................................................................. 19

CHAPITRE III : REDRESSEMENT, FILTRAGE ET STABILISATION ................................... 30

III.1 LE REDRESSEMENT .................................................................................. 30

III.2 FILTRAGE DE LA TENSION REDRESSEE ...................................................... 32

III.3 STABILISATION DE LA TENSION FILTREE ................................................... 32

III.4 CALCUL DES ELEMENTS D’UNE ALIMENTATION STABILISEE ......................... 33

III.5 EXERCICES RESOLUS ............................................................................... 35

III.6 MANIPULATION SUR LES ALIMENTATIONS STABILISEES .............................. 38

CHAPITRE IV : ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME STATIQUE .................. 39

IV.1 PRESENTATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ............................................... 39

IV.2 EFFET TRANSISTOR ................................................................................. 39

IV.3 RESEAUX DES CARACTERISTIQUES STATIQUES ............................................ 40

IV.4 POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ............................................... 40

IV.5 EXERCICES D’APPLICATION ...................................................................... 43

MINANGA NYEMBO Trésor

CHAPITRE I : RAPPEL SUR LA NOTION DES SEMI-

I.2 LES SEMI-CONDUCTEURS

 Ils se placent entre les conducteurs et les isolants.

1. Les semi-conducteurs purs ou intrinsèques

Le Silicium est un atome tétravalent : Il possède 4 électrons de valence

MINANGA NYEMBO Trésor

A la température 0 K toutes les liaisons covalentes sont maintenues.

 Libération de certains électrons qui vont se déplacer librement 

2. Les semi-conducteurs dopés ou extrinsèques

 Soit des éléments trivalents : ayant 3 électrons périphériques.

MINANGA NYEMBO Trésor

b. Semi-conducteur extrinsèque type N

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c. Semi-conducteur extrinsèque type P

NB : Les trois principaux semi-conducteurs utilisés en électronique sont :

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3. L'Arséniure de Gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de

La conduction est le résultat de trois termes :

MINANGA NYEMBO Trésor

On appelle donc jonction PN, la juxtaposition de deux éléments de semi-

b. Jonction P-N non polarisée

Il y a recombinaison électron-trou. Les parties P et N étant initialement

MINANGA NYEMBO Trésor

c. Jonction P-N polarisée

A partir d’un certain seuil de tension Uo de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium,

RECUEIL D'ELECTRONIQUE GENERALE 3e Elec

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