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Exercice 1 :
On considère une jonction pn orienté selon ox. La zone de contact se trouve en x=0 et la
zone n est située dans le domaine des x positifs. Ceci conduit au profil de charge électrique
𝜌(𝑥) suivant :
Exercice 2:
1. Un échantillon de Ge est dopé avec 2,5 1013 𝑐𝑚−3 d'atomes donneurs qui peuvent
être supposés complètement ionisés à température ambiante.𝑛𝑖 = 2,5 1013 𝑐𝑚−3
1
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Exercice 3 :
Une structure PIN consiste en une région intrinsèque entre deux régions dopées. Dans ce
problème, les deux régions dopées ont la même concentration d'impuretés (𝑁𝐴 = 𝑁𝐷 =
1015 𝑐𝑚−3). La largeur de la région intrinsèque est d= 2 μ𝒎. La figure montre le profil de
la densité de charge dans la structure PIN.
Données
q=1,6×10−19 A s; ε0= 8,85 × 10−14 F cm−1 ; ε r= 11.7 ; kB = 1,38×10-23 J.K-1 =8,62×10-5 eV.K-1 ;
𝜌 𝑑𝑛
h= 6,62×10−34 J s ; ∇𝐸⃗ = 𝜀 ; 𝐿𝑛 = √𝐷𝑛 𝜏𝑛 ; 𝐽𝑛 = 𝑞𝜇𝑛 𝑛𝐸 + 𝑞𝐷𝑛 𝑑𝑥 ;
Bonne chance
2
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Exercice 1 :
1)
2)
La conductivité totale s’écrit 𝜎 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 + 𝑞𝑝𝜇𝑝
∆𝜎 = [𝑞𝜇𝑛 (𝑛𝑛0 + ∆𝑛) + 𝑞𝜇𝑝 (𝑝𝑛0 + ∆𝑝)] − (𝑞𝜇𝑛 𝑛𝑛0 + 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝑛0 ) = 𝑞(𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )𝜏𝑝 𝑔
Exercice 3
1)
3
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3- La tension de diffusion est également donnée par l'intégrale du champ électrique, qui
peut être calculée géométriquement :
𝑁𝐴
• On a 𝑥𝑝 = 𝑥𝑛 et 𝐸0 = 𝑞 𝑥𝑝 donc :
𝜀