Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
1
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
2
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Argile sature : La plupart des problmes dargile que nous rencontrons au Qubec sont des problmes dargile sature. - Argile naturelle sous la nappe = sature - Argile compacte sous la ligne deau sature Une saturation complte facilite le problme car on peut interprter les essais par contrainte effective si on connat ueau. M.S. classique.
Approche. Nous allons tudier la rsistance au cisaillement des argiles de la mme faon que pour les sables. i.e. Nous allons tudier le comportement dans des essais soumis diffrentes conditions. Au fur et mesure de la revue des ces essais, nous allons introduire et discuter les problmes, surtout non drains.
3
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Plaque de charge
Force de cisaillement
Pierre poreuse
Au dbut de lessai : stage de consolidation 1 = N 3 = K01 la rupture : rotation des contraintes principales durant lessai
3i
1f 3f
Ple
c
3f
2
i
f 1
1f
On sait que les contraintes effectives la rupture contrlent cette dernire. La rupture se produit ds que le cercle de Mohr touche lenveloppe de rupture en un point.
4
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
actuel
5
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
b) Cependant ce sont les conditions la rupture qui vont contrler Au dbut de lessai P3 = 1 la rupture ? Diffrent ? c) Sur le terrain Pc = p = 1 contrainte principale Supposons pour simplifier que K0 =1 Donc ce sera 1f qui va contrler si O.C. ou N.C. dans lessai Examinons lessai 3 o est p
(kPa)
3f
P3 O.C.
1f (kPa) = N.C. p
- Essai
6
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
e 3b
0 1 3a 2 4
0) 1) 2) 3)
C)
2) 3)
(kPa) p
21f
CHAPITRE IV
(kPa)
N.C. O.C.
(kPa) p
CHAPITRE IV
P0 Pc = Pmax
Dchargement A = tat actuel e0, v0, sol peu dformable au rechargement puisque dj comprim
e
Fluage
P0 Pc
logP (kPa)
En terme de rsistance
w% < wL
temps
logP (kPa)
9
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
0
1) Montage de lchantillon
0 = u0 0
u0<0
cell
2) Application de la pression cellulaire (non draine) ua : pression interstitielle due lapplication de cell u0 + ua
3 = 0+cell -ua
d
3) Application dune contrainte de cisaillement d. ud : pression interstitielle due au cisaillement
cell
u0 + ua + ud
3 = 0+cell -ua-ud 10
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Au stage 1 - u0 < 0 (succion) action des mnisques. 0 > 0 = terrain ? Introduire relaxation. Au stage 2 - u du au changement de pression de confinement ua = 3. O = f(degr de saturation, rigidit de la structure). Si le degr de saturation est de 100%, comme leau est incompressible, = 1 (cest le cas de la plupart des argiles). Si non compltement satur, le milieu poreux devient plus compressible que la structure < 1. Membrane Analogie ponge
cell
po nge
100
rigid
Sr % Shist argileux 0
quilibre Quelques sols ont des structures assez raides pour prendre une partie de la pression mme Sr = 100 % et ont a < 1 Dans notre essai =1 Quel est 0 exactement ** Quelle que soit la pression cellulaire applique la pression effective ne change pas. u = 3 = cell 3 = 0 + (3cell ua). Donc 3 = 0
11
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Au stage 3 - Pression interstitielle pendant le cisaillement On peut visualiser assez bien que pendant le cisaillement de la structure argileuse, il y aura tendance V, comme dans le sable et donc la variation de la pression interstitielle. Cest dire quil yaura des tendances au gonflement ou la compression. Skempton : ud = A(1 3) rapprochement au densit du sable tendance gonfler ou comprimer Af = A la rupture (pour argile sature) : caractristique de largile = f (OCR) Af Ordre de grandeur : Argile N.C. ou lgrement O.C., de faible sensibilit 0,5 < A < 1 Argile sensible, N.C. A>= 1 Argile trs surconsolide -0,5 < A < 0,5
1 ,8 ,6 ,4 ,2 0 0 1 2 3 4 6 8
OCR
12
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Courbe enveloppe Supposons une srie dessais sur des spcimens identiques faits cell diffrents. la fin du stage 2 juste avant le cisaillement, 3 est le mme pour tous les chantillons pour =1 (mme OCR). la rupture Af est identique pour chaque chantillon car la rigidit de la structure et le degr de surconsolidation sont les mmes. Af est le mme peut importe la valeur. La pression cellulaire augmente et u aussi mme mme rsistance.
(kPa) Argile
=0
Cu 3
ud1
31 1
ud2
1-1 3-2
1-2 (kPa) 13
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Essai en compression simple ou essai triaxial non confin Vu que cell nimporte peu, cest autrement plus simple de ne pas confiner lchantillon. Cest donc un essai quon peut avoir tendance employer beaucoup parce quon na pas ncessairement besoin dun appareil triaxial.
qu
Cu = qu/2
Lchantillon doit cependant rpondre certaines conditions pour pouvoir faire un essai non confin. 1 2 3 4 5 Satur 100 %, sinon 1 et u 3cell (=0 et =1) chantillon intact. Si largile est fissure, les fissures ouvrent. Non remani Si varve de sable ou de silt, pas de mnisque. Valide la condition que 0 = in-situ ? Relaxation u0.
14
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Quest ce que rsistance non draine Dfinie par = 0 Cu = q enveloppe u =0 chantillon rupture lorsque le cercle touche cette enveloppe (plan de rupture) En ralit, ce nest pas cette enveloppe qui contrle la rupture, mais cest toujours lenveloppe effective, car la rupture est toujours contrle par les contraintes effectives. Plan de rupture 45 + /2 Sucomp. = qu = max En fait ff = Su cos - ff sur le plan de rupture. Ex. pour = 30o ff = 0.9Su = 0.45qu En ralit, on surestime un peu en prenant Su, cependant il ya dautres sources derreurs qui sous-estime Su, comme le remaniement. Lessai est trs peu employ, lorsquon fait de la mcanique des sols de faon svre. Donne un indice du remaniement. Au lieu de compression simple, on fait plutt des essais consolids v0.
(kPa) Argile
u=0
Su
ff
(kPa)
15
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Pression totale
Pression interstitielle
Pression effective
0
1) Montage de lchantillon
0 = u0 0
u0<0
cell
2) a) Application de la pression cellulaire (fin de consolidation, quilibre). b) Ou sous une contre pression ub. 0 + ub
3 = cell -ub
d
3) Application dune contrainte de cisaillement d. ud : pression interstitielle due au cisaillement; mesure et donc 3 connue.
cell
ub + ud
3 = cell -ub-ud 16
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
A=ud/(1-3)
Log(OCR)
17
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
18
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Af
Af
Voir exemple
N.C
O.C
19
CHAPITRE IV
(kPa)
contrainte effective contrainte totale
3f
3f=3c
(kPa)
uf = (13)
20
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
(kPa)
contrainte effective contrainte totale
3f
3f
1f
1f
(kPa)
uf = 88 kPa
21
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
p v1 v2 logP (kPa)
Cu (kPa)
Cu/vc = cte
Cu = f(v)
Profondeur (m)
vc (kPa)
Cu
22
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
e v1
p v2
v1 v2 v3 v3
Profondeur (m)
Cu v0 p
Cu = f(p)
vc (kPa)
23
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
(kPa)
3f
3f
1f
1f
(kPa)
uf = 88 kPa
24
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
S cu c
Donc c et ne sont pas des proprits du sol, puisquils ne dpendent pas uniquement du type de sol. S=c+ptan est une relation empirique o c et sont des paramtres empiriques sous une base fondamentale. c et dcrivent une droite. Sauf pour N.C., souvent la courbe enveloppe nest pas une droite. Il faut faire une approximation dans la plage dintrt. La plupart du temps, nous faisons des essais dans une plage de pression assez restreinte.
cu
p 1=3tan2(45+/2)+2ctan(45+/2)
25
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
k= k=1.5 k=1
1c
Limitation considrer 1) 2) Cu sur un plan dviateur maximum Cu dans le triaxial problme danisotropie
3c
1c
26
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
N.C. OCR =1 Par exemple une argile normalement consolide OCR=1. Si on divise la courbe contrainte dformation par c, on obtient la mme courbe. Cu/cmax = cte. Si maintenant on avait consolid lchantillon 1 vm = 800 kPa et ensuite diminu la pression de consolidation vc = 400 kPa et lchantillon 2 vm = 400 kPa et ensuite diminu vc = 200 kPa on aurait une rsistance plus grande dans les deux cas. noter que O.C.R est le mme dans les deux cas = 800/400 = 400/200 = 2 Ces deux essais pourraient aussi tre normaliss.
1 2
c=400kPa c=200kPa
(1-3)/c
1-2
27
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
On pourrait donc exprimer (1-3)/c comme une fonction de O.C.R. N.B. Ce concept peut aussi tre appliqu pour prdire Cu partir de c si on a tabli le rapport Cu/c pour une argile donne. En pratique plus facile de relier Cu et p o Cu/p = cte pour O.C.R. variant entre 1 et 4 ou 5. Cu/vc
1 2
(1-3)/c
1 2 3 4 OCR=p/v
Exposer la formule
28
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Cu/vc =Cu/v0 labo terrain 1 0,8 0,6 0,4 0,2 1 2 3 4 OCR=vm/vc=p/v0 labo terrain
Cu v0 vm=p
29
CHAPITRE IV
(kPa)
1f
3f
La courbe vecteur est le lien des points reprsentant la contrainte de cisaillement et la contrainte normale sur le plan o la rupture progresse durant lessai. C.a.d. nous allons considrer durant lessai le plan sur lequel la rupture va se dvelopper. , N obtenus durant des essais de cisaillement simple ou cisaillement direct. Il faut donc exprimer la rupture en fonction de 1 et 3. l=(1-3)cos sur le plan de rupture = lsin = (1-3)cos.sin N = 3 + (1-3)cos2 La courbe vecteur est donc le lien des et f durant lessai, fait dans bote de cisaillement.
(kPa) 30
CHAPITRE IV
(kPa)
3 (kPa)
f (kPa) u
3 (kPa)
A= 1
(kPa)
u 3
A>0
A= 0
A<0
(kPa)
CHAPITRE IV
(kPa)
A= 0
A= 1
A>0
u 3
A<0
(kPa)
Condition O.C.
(kPa)
(kPa)
32
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
q (kPa)
A= 0
A= 1
A>0
ne d Lig
ture rup e
45o
45o
A<0
p (kPa)
(kPa)
(kPa)
33
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
34
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
p Essais sur des chantillons O.C et N.C. de faon obtenir wf semblable Mme indice des vides la rupture e
ce (kPa)
35
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
36
CHAPITRE IV
A-R e
A-R e
37
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
ce = cte
la r vides
re uptu
ce (kPa)
38
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
ce = cte
ce (kPa) y Sine=tan/(1-tan) A x
39
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
e e
ce2
Pe Log P
40
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
b)
2.4
2.2
1.8
1.6
1.4
1.2
c)
1 0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
10
20
41
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
1 3 1 3
Plan de rupture
42
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
1 3 1 3
Argile varve
0o 1 3
30o
43
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
(a)
1
(b)
3
(c)
(a)
Contrainte initiale
K0v
q K0 dformation K0
v K0v
(c)
Dviateur initiale
(1-K0)v
(1-K0)v
44
CHAPITRE IV
(a)
1
(b)
3
(c)
45
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
0,2
60
I.P
CkUC Argile sensible (v) Boston blue clay (v) Argile B-2 (p) Argile LG-1 (p) 0,29 0,30 0,31 0,33
Cu nest pas mobilis la mme dformation (exemple : moy = 44 kPa et moyenne des (max) = (66+52+25) / 3 = 48 (> 10%). 3 Ordre de grandeur = fonction de Ip.
46
CHAPITRE IV
Anisotropie de la rsistance effective Est-ce que cet varie avec direction ou plan de rupture. Dans le cas des sables, on admet habituellement que langle nest pas anisotrope. Dans les argiles, on considre habituellement c et isotrope. On sest aperu par contre que dans les argiles cimentes que c et varient avec langle du plan de rupture. c et sont isotropes si N.C. c et anisotropes si O.C. cet isotropes grande dformation. Nous verrons plus loin la rsistance au cisaillement dargile particulire Argile raide fissure Argile cimente
47
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Rsistance mesure au scissomtre On sait que la rsistance au cisaillement non draine est loin dtre unique. La faon la plus courante de mesure de Cu dans lEst du Canada est le scissomtre in-situ : quest ce quon mesure ?. Scissomtre : essai non consolid non drain * mais le sol est sous un tat de contrainte in-situ (K0) donc consolid non drain. Rsistance mobilise au sommet et surtout le long du cylindre. Majeure partie de la rsistance mobilise sur la surface latrale ( 85%) si H = 2D Su (scissomtre) = S plan vertical plan principal extension nest jamais mesur au laboratoire. H
plan principal. Mais, leffort de cisaillement est horizontale. Se rapprocherait de ce point de vue du DSS En fait, lexprience a dmontr que dans les argiles du Qubec, le scissomtre est voisin du DSS. D prof Ex : Argile brodback Ip 10 15 % 6 9,7 12,2 Cu scissomtre 40 37 36 Cu Dss 36 40 37 Cu (vane) Cu (DSS) Cu compression Cu compression simple
48
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Rsistance mesure au scissomtre Comme Cu (DSS) est une bonne moyenne de c, DSS, e Cu (vane) = Cu (DSS) est utilis depuis longtemps pour profil de Cu et bonne performance. pour lanalyse de de remblai Toutefois il faut tenir compte de leffet de plasticit Correction Bjerrum Scissomtre et Cu mobiliser sur le terrain Avec largile dOlga prs de matagami, lanalyse de la stabilit dun remblai bas sur le scissomtre aprs correction Bjerrum (bas sur la plasticit) a donn sensiblement les mmes rsultats que bass sur la rsistance value par CKUC, DSS et DKUE. (moy.) Dans le cas dun remblai, le scissomtre semble mesur une rsistance moyenne en considrant les diffrentes anisotropies. On sait quil ny a aucune raison pour que le scissomtre et cisaillement simple donne le mme rsultat; quelques erreurs compensatrices (remaniement de chantillon). Scissomtre / moy (lab) = correction de Bjerrum
20
120
49
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Argiles raides et fissures O.C. fortement surconsolides Su > 1t/pi2 (100 kPa). Fissures travers largile, espacement de (2 5 mm prs de la surface et peut atteindre 500 mm 30 m de profondeur) Lorientation des fissures est gnralement alatoire. Les fissures ont un effet important sur la rsistance au cisaillement. w prs de wp indice de plasticit trs faible, peu sensible. Rsistance non draine Cu. cause des fissures, il est difficile de mesurer Cu par essais en laboratoire (compression simple). Les facteurs qui affectent Cu pour les argiles raides et fissures. 1 Taux de chargement (fluage) Cu lent < Cu rapide 2 Anisotropie 3 Grosseur de lchantillon Plus lchantillon est gros, plus Su est faible car plus lchantillon contient des fissures. Habituellement, on rejette tous les chantillons fissurs, car il est impossible de les tailler. On peut surestimer Cu de plus de 100%. Il existe toutefois une relation intressante propose par Stroud (1974) qui relie Su, lindice de pntration standard N60 et lindice de plasticit.
80
50
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Argile structure 1. Enveloppe de rupture et yield surface Commencer par consolidation artificielle et dplacement du yield par consolidation. On a vu que certains dpts dargile ont un certain moment dvelopp un effet de structuration important. i.e. Qui se retrouve avec une rsistance intacte plus grande que ce que lon aurait normalement pour le mme indice des vides : un certain gel de la structure. Argiles structures on peut avoir deux cas. p max mais dplacement de la courbe vierge non quilibre. p > max cimenation cause dun effet hexatropique et de cimentation une structure sest forme. La plupart des dpts dargile naturelle ont subis un certain tassement secondaire et une certaine structuration. Dans certain, dpt la structuration peut tre trs forte. p Courbe vierge p Courbe vierge
51
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
c1 c1 c2
V/V
On pourrait faire la mme chose nimporte o pour le segment a-b. Segment b-c. Imaginons un essai CID. Sur ce segment, on a habituellement un plan de rupture, cest donc le plan yield. On ne peut pas dans ces cas dplacer le yield. Ce segment nest donc pas tout fait de mme nature que ba lieu de bifurcation. On peut si on veut considrer la courbe c-b-d comme une enveloppe de rupture et la courbe b-a comme un yield surface. Ce segment b-a est trs important car il dlimite la zone structure et la zone N.C. Le comportement sera trs diffrent notamment du point de vue dformation et pression interstitielle. N.B. On a un dplacement de la courbe dtat limite si p augmente en nature
Plan de rupture
CHAPITRE IV
Notion de rsistance grande dformation Dans le segment c-b, la rsistance t est en desquilibre avec la contrainte . i.e. La rsistance est due en partie aux liens structuraux et non pas seulement . Plan de rupture, diminution de la rsistance jusqu quilibre. On peut donc dfinir deux enveloppes pics et grande dformation. La rsistance grande dformation, cest en quelque sorte la rsistance qui est mobilise sur un plan. pics Dans la zone structure : 2 enveloppes grande dformation. Dans la zone N.C. : 1 enveloppe N.C. ou destruction. Destruction grande dformation
Plan de rupture
53
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
54
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
b) c) d) e) f)
Rsiduel
N.B. Pour les argiles lgrement O.C. (structures) enveloppe grande dformation dfinie plus facilement en CID. Car dans CIU = mme tat critique.
stable
55
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Pic Rsiduel
e)
56
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
Certain yield avant rupture, on peut se poser la question sur la stabilit de cette situation. On arrte le chargement peu avant la rupture En laboratoire rupture; Ne peut tre mobilise in-situ si la Charge est constante Ex. gravit. Jusqu quel niveau ? Le seuil de stabilit en fluage essai de fluage. Si le seuil concide avec la stabilit en dformation. Concept intressant : rupture progressive dans lespace rupture progressive dans le temps
57
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT
CHAPITRE IV
a)
Si tendance fluage dans argile structure gnre +u - acclre le processus de rupture Si tendance fluage dans une argile raide et O.C. gnre u ralenti le processus Examen en non drain du comportement en CAU ou CIU a) 1) 2) 3) a) 1) 2) 3) Srie N.C. (avec la diminution du taux de chargement) Plus dformable durant le cisaillement Cu diminue fluage u Si lent Srie O.C. Rigidit semblable Cu diminue u semblable
58
GCI 730 -RSISTANCE AU CISAILLEMENT