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Les antennes base de la technologie SIW

Au cours des dernires annes, il y a eu un intrt croissant pour les antennes


bases sur les technologies SIW. Plusieurs configurations ont t proposes, en
commenant par les antennes fentes classiques.
La premire antenne SIW tait base sur un rseau d'antenne fentes quatre
par quatre fonctionnant 10 GHz [ 43]. Cette antenne est obtenue en gravant
des fentes longitudinales sur la surface du mtal guide d'ondes cr sur la base
des technologies SIW. L'alimentation de ce rseau d'antenne est
aussi base sur des diviseurs de puissance SIW.
Une autre topologie pour concevoir une antenne "leaky-wave", a t introduite
dans [ 44]. Cette antenne exploite une caractristique fondamentale du SIW,
savoir, sa proprit produire un rayonnement quand l'espacement longitudinal
entre les trous mtalliques du mtal est suffisamment grand.
Une autre antenne SIW "leaky-wave", base sur le mode TE 20 a t propose dans
[ 45] et elle a donn de meilleures performances, compares une antenne
"leaky-wave" conventionnelle.
Les antennes SIW cavit rsonante ont t dveloppes et testes dans [ 46].
Elles consistent en une cavit SIW alimente par un guide d'ondes coplanaires.
L'antenne entire avec son systme d'alimentation peut tre facilement intgre
sur un seul substrat dilectrique.
Rcemment, plusieurs chercheurs se sont intresss l'antenne cornet dite plan
H en utilisant la technologie SIW. [47, 48]. Cette antenne tait combine avec un
dilectrique dans le mme substrat qui a permis une augmentation de gain et
une diminution de largeur du lobe principal dans les deux plans H et E. Cette
topologie d'antenne a t utilise pour former un rseau d'antennes afin
d'augmenter davantage le gam. Dans [ 49], les auteurs ont proposs de
connecter des circuits avec des fentes empiles l'ouverture de l'antenne SIW
cornet plan H. Ces dernires permettent une 46 amlioration pas seulement de
la directivit, mms auss1 de l'adaptation d'impdance (bande passante).

Implementation des antennes :

Au cours des dernires annes, il y a eu un intrt croissant pour les


antennes bases sur les technologies SIW. Plusieurs configurations ont t
proposes, en commenant par les antennes fentes classiques. La premire
antenne SIW tait base sur un rseau d'antenne fentes quatre par quatre
fonctionnant 10 GHz . Cette antenne est obtenue en gravant des fentes
longitudinales sur la surface du mtal guide d'ondes cr sur la base des
technologies SIW. L'alimentation de ce rseau d'antenne est aussi base sur des
diviseurs de puissance SIW.
Une autre topologie pour concevoir une antenne "leaky-wave", a t introduite
dans 44]. Cette antenne exploite une caractristique fondamentale du SIW,
savoir, sa proprit produire un rayonnement quand l'espacement longitudinal
entre les trous mtalliques du mtal est suffisamment grand.
Une autre antenne SIW "leaky-wave", base sur le mode TE 20 a t propose
dans 45] et elle a donn de meilleures performances, compares une antenne
"leaky-wave" conventionnelle.
Les antennes SIW cavit rsonante ont t dveloppes et testes dans [ 46].
Elles consistent en une cavit SIW alimente par un guide d'ondes coplanaires.

L'antenne entire avec son systme d'alimentation peut tre facilement intgre
sur un seul substrat dilectrique.
Rcemment, plusieurs chercheurs se sont intresss l'antenne cornet dite plan
H en utilisant la technologie SIW. [47, 48]. Cette antenne tait combine avec un
dilectrique dans le mme substrat qui a permis une augmentation de gain et
une diminution de largeur du lobe principal dans les deux plans H et E. Cette
topologie d'antenne a t utilise pour former un rseau d'antennes afin
d'augmenter davantage le gain.
Antenne reconfigurable
La mthode la plus gnrale pour commander un rayonnement c'est
d'utiliser un rseau d'antenne [52]. En variant le systme d'alimentation ou
les positions des antennes, le diagramme de rayonnement du rseau sera
modifi. Plusieurs travaux exploitent cette mthodologie, parmi ceux-ci, on
peut citer celui de [55].Les auteurs ont proposs le contrle du diagramme de
rayonnement en modifiant juste le dphasage entre l'alimentation de ces
lments d'antennes.
Afin de concevoir une antenne cornet reconfigurable lectriquement, il est
Indispensable d'inclure des commutateurs RF
base des diodes PIN. Ces derniers
Permettent la commande des caractristiques de rayonnement.

La solution est de substituer une via dans la technologie SIW par un


rectangle
mtallique de mme dimension tel que dmontr dans [90]. La figure 6-3
montre le
design d'un guide SIW o on a substitu les via au milieu par des
rectangles
mtalliques

une ide innovante pour simuler un dphaseur SIW contrlable en utilisant les
modles des diodes PINs. Il a t montr que, pour simuler une diode spcifique
dans HFSS, on doit prendre en compte les dimensions des diodes. Les diodes
sont remplaces par des rectangles ayant la mme dimension que la diode. Puis,
en fonction de l'tat "passant" ou "bloqu", on attribue des conditions aux limites
des lments RLC ces rectangles. Pour l'tat "passant", une simple rsistance
de faible valeur est utilise. Mais, dans l'tat "bloqu", il nous faut un
condensateur en parallle avec une rsistance de valeur leve. Ces valeurs
seront attribues selon les paramtres donns dans
la fiche technique.
Les auteurs de 1' article [51] montrent quune diode passante enterre dans le
substrat peut se comporter comme une via. En consquence, 1 ' activation et la

dsactivation de la diode, on peut simuler l'existence ou non des via. L'ouverture


ou la fermeture des diodes PIN guide ou bloque le courant surfacique qui passe
entre les deux plans mtalliques d ' o le changement de la distribution de ce
dernier.
En comparant la simulation avec un rectangle mtallique et le cas du design
avec des diodes passantes, on constate qu'il suffit juste de changer les conditions
aux limites sur les rectangles du conducteur parfait des rsistances de petites
valeurs. Ceci reflte les pertes par effet joule introduites par les diodes.
Les antennes cornet-SIW alimentes par une transition planaire-SIW ont t
dveloppes dans [94, 95, 96, 97]. Ces antennes ont une faible paisseur de
substrat pour rsoudre les problmes lis l'adaptation. Il est noter que des
problmes peuvent se poser au niveau de dimensions des transitions planaireSIW pour avoir un port de 50 comme impdance caractristique lorsque
l'paisseur est leve.
Contrairement, une antenne cornet avec les technologies conventionnelles, ces
derniers travaux ont montr que ce genre d'antennes offre une bande trs
troite. Les solutions proposes visent des frquences trs leves de l'ordre de
60 GHz. Il s'est avr que la construction est extrmement complique et
ncessite des technologies avances car les dimensions sont trs petites.

Dans [98, 47], les auteurs ont propos une alimentation par cble coaxial. L'ide
de l'article [98] est d'utiliser un cble coaxial pour alimenter l'antenne cornet
fonctionnant 27 GHz avec une paisseur de 2.5mm. Cependant, mme avec
cette dernire alimentation la bande passante reste troite. La sonde pour l '
alimentation peut poser des problmes au niveau de la construction, cela peut
augmenter la discordance entre les rsultats de simulation et des mesures.
Les performances des antennes cornet-SIW diminuent lorsque 1 'paisseur du
substrat est beaucoup plus petite que la longueur d'onde [92, 88]. C'est
galement le cas pour d'autres types d'antennes telles que les antennes fente
SIW. Vu les limites des mthodes conventionnelles, on doit rechercher des
techniques plus performantes pour s'adapter la faible paisseur.
un dphaseur contrlable l'aide du SIW technique a t dmontre et donn
comme une preuve de concept. Les dphasages sont commands par l'insertion,
et enterrant quatre diodes PIN dans le substrat, spci fi ques positions. Un
prototype a t conu, fabriqu et mesur. Il a t dmontr qu'il est possible
d'obtenir dphaser l'utilisation de ces diodes qui simulent inductive des postes
l'intrieur du substrat et modifier le chargement du guide d'ondes. Les deux
concepts ont t prouvs par
simulation et essais. Ce circuit ouvre grand les possibilits de raliser des
tableaux par tapes plus compactes et mettre la technologie SIW avant