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Lubrano 2000 Lyce Jean Moulin THOUARS

Le transistor en commutation
1 - Gnralits

Le transistor en commutation est utilis afin douvrir ou de fermer un circuit. Ainsi il

peut commander une LED, un relais, un moteuretc... On assimile gnralement le circuit de
sortie du transistor un interrupteur qui est command soit par une tension, soit par un
courant suivant le type de transistor choisi.

Le montage dun transistor en

Circuit commut
commutation peut tre dcompos en
Cmde deux circuits :
- Circuit de commande ou Circuit
dentre
- Circuit commut ou circuit de
Circuit de commande
sortie

2 - Le transistor bipolaire en commutation

Il existe deux types de transistor bipolaire : Transistors NPN et PNP

NPN PNP
C
E
B B

E C

Soit le circuit de commutation suivant utilisant un transistor bipolaire de type NPN :

+Vcc = 12V

Rc

2N2222A IC

Rb IB
VCE
+
Vcmde
VBE
0V 0V

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2-1- Le circuit de sortie

+Vcc = 12V
Le courant IC est fix par la valeur de VCC, de RC et par la valeur de
VCE que l'utilisateur dsire.
Rc Exemple 1 :

IC On dsire un courant dans le collecteur IC = Ic1 = 10 mA et une d.d.p

2N2222A
VCE = VCE1 = 4 V.

VCE On dispose d'une source de tension VCC = 12 V.

IE
Le calcul de la rsistance RC donne RC = (VCC-VCE1)/Ic1
RC = 800 Ohms (thorie).
0V

Exercices dapplication :

CALCULER la valeur thorique de RC pour les besoins suivants sachant que VCC=12V.

a) Ic2= 20 mA et VCE2 = 5 V.
b) Ic3= 5 mA et VCE3 = 3 V.
c) Ic4 = 10 mA et VCE4 = 0 V.

Remarques :
Lorsque le circuit de sortie du transistor est polaris dans le cas c) on dit que le transistor
est SATURE car son VCE = 0 V.

* Lorsque le transistor est satur : linterrupteur est ferm donc la tension VCE est
gale 0V (transistor parfait). Dans la ralit il est impossible de polariser un transistor
avec VCE = 0 V car par construction ce composant ne peut pas prendre pour VCE une valeur
infrieure VCEsat qui est donne par le constructeur du composant.

(EX : pour le transistor 2N2222A VCEsatmax = 0,3V pour IB=15mA et IC =150mA 25C)
(La tension VCEsat dpend en autre des courants IC et IB)

VCEsat varie de 0,1 V pour les transistors de faible puissance quelques volts pour les
transistors de puissance. Dans les calculs on utilisera la valeur de VCEsat max ou min en
fonction du pire des cas mettre en uvre.

On en dduit alors soit le courant IC qui circule dans la rsistance RC (si la valeur de
RC est connue), soit la valeur de la rsistance RC (si la valeur du courant IC est connue).

Rc=VccVCE(sat)
Ic

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* Lorsque le transistor est bloqu : linterrupteur est ouvert, le courant IC =0. Alors la
tension VCE est sensiblement gale VCC.

VCE = VCC En ralit un courant de fuite circule dans la

jonction Collecteur Base (ICB0) ce qui implique
VCE VCC.

Le constructeur indique que la tension VCE doit tre infrieure V(BR)CE0 lorsque le
transistor est bloqu sous peine de dtruire le composant.

(EX : pour le transistor 2N2222A V(BR)CE0min = 40V pour IB=0 et IC =10mA 25C)

V(BR)CE0 :Valeur(minimum) de la tension VCE partir de laquelle il y a destruction du

transistor lorsquil est bloqu.

2-2- Le circuit de commande

Rb 2N2222A
IB

+ Les valeurs de Vcmde et Rb

Vcmde imposent le courant de base IB.
VBE

Le schma quivalent d'un transistor N-P-N est le suivant.

C
On remarque que le schma quivalent est en fait constitu de deux
IC jonctions ( deux diodes ).

On admettra le THEOREME DU TRANSISTOR suivant :

IB
B
Un transistor est convenablement polaris dans l'tat passant (ou satur)
si la jonction Base-Emetteur est polarise en sens direct et la jonction
Base-Collecteur est polarise en sens inverse.
IE

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2-2-1- Caractristique dentre

La jonction Base - Emetteur est quivalente une diode dont la caractristique est la
suivante :
Dfinitions :
IB
La jonction Base Emetteur est dite passante lorsque la
tension VBE est suprieure la tension de conduction de la
diode
IB0
(VBE > 0,7V pour un transistor au silicium 0,4 Volts pour
un transistor a l'Arsniure de gallium.).
Dans ces conditions il y a prsence dun courant IB.
VBE La jonction Base Emetteur est considre bloque si la
VBE0 tension VBE est infrieure 0,7V.

Le courant IB est fix par la valeur de Vcmde, de Rb et par la valeur de VBE qui est propre
au transistor utilis et qui vaut 0,7 Volts pour les transistors au Silicium qui sont utiliss
couramment.

Exemple 1 :

On dsire un courant dans la Base IB = IB1 = 100 A .

On dispose d'une source de tension Vcmde = 5 V.
Le calcul de la rsistance Rb donne Rb = (Vcmde-VBE)/ IB1 = 44 KOhms (thorie).

Exercices dapplication :

CALCULER la valeur thorique de Rb pour les besoins suivants :

a) IB2 = 200 A.
b) IB3 = 500 A.

* Lorsque le transistor est satur, la jonction Base Emetteur est passante.

Linverse nest pas rciproque car on peut avoir un fonctionnement linaire.
Le constructeur indique que la tension VBEsat dpend en autre des valeurs de courants IB et IC.
(EX : pour le transistor 2N2222A VBEsatmax=1,2V pour IC =150mA et IB=15mA
25C ou VBEsatmax=2V pour IC =500mA et IB=50mA 25C).

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2-2-2- Caractristique de transfert

IC

ICsat

IBsat IB

On peut remarquer deux rgions sur cette caractristique : Une rgion de rgime linaire
pour laquelle IC = .IB et une rgion de rgime satur o mme si IB continue d'augmenter
le courant IC n'augmente plus (ou presque plus car il y a une lgre pente).

IC = .IB est la formule clef de la commande d'un transistor bipolaire. Cette formule n'est
valable que pour la rgion linaire, c'est dire tant que le transistor n'est pas satur.

La constante ( qui est en fait la pente de la caractristique de transfert en rgime linaire )

s'appelle le GAIN EN COURANT du transistor est il est donn par le constructeur sous la
forme d'une plage de gain garantie pour un chantillon de composants.

La valeur de ICsat dpend uniquement du circuit de sortie.

Exemple :

Pour le transistor NPN 2N2222A le constructeur donne : 100 < < 300 (dans certaines
conditions de IC et VCE).
C'est dire que le moins bon des transistors pris dans un chantillon de la srie des
2N2222A garantira au moins un de 100 et que le meilleur ne pourra pas dpasser un de
300.

Il faudra donc tenir compte de cette dispersion des caractristiques lors du calcul de
montages transistors bipolaires car en cas de remplacement du transistor (Maintenance)
une autre pice portant la mme rfrence n'aura certainement pas le mme gain en
courant.

Dans la pratique, on calculera les montages en utilisant le le plus faible de la srie pour
tre certain du bon fonctionnement de la structure mme avec l'chantillon le plus mauvais.

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* Lorsque le transistor est bloqu, la jonction Base Emetteur nest plus passante.
La tension VBE est infrieure la tension de conduction (VBEsat=0,7V), la valeur du courant IB
est nulle. Ce qui implique que
Vcmde < VBEsat

Le constructeur indique que la tension VBE ne doit pas atteindre la valeur de la tension
V(BR)EB0 sous peine de dtruire le transistor.

V(BR)EB0 : Tension inverse minimale de la jonction base Emetteur ne pas dpasser

(EX : pour le transistor 2N2222A la tension V(BR)EB0min est de 6V pour IC =0 25C)
Si la tension VBE est infrieure -6V alors la jonction sera dtruite.

Remarques :
La conduction de la jonction Base Emetteur nimplique pas obligatoirement la saturation du
transistor. Il faut aussi que la tension VCE atteigne la valeur VCEsat.

Pour saturer correctement un transistor il faut imprativement respecter la condition :

IBrel > IBsat

La commande de ce circuit de commutation se fait par la prsence ou non du courant IB dans

la jonction Base Emetteur. Ce courant est gnr par la tension Vcmde et la rsistance Rb.

Pour dterminer ltat du transistor (bloqu ou satur) par des mesures il suffit de mesurer les
tensions VBEsat et VCEsat ou de vrifier la condition IBrel > IBsat.

3 - Caractristiques gnrales

IB2 = Cte.

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