Cours Eln

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Leon I : INTRODUCTION
(pleine page / avec sommaire)
Le but de cette leon est de rappeler ou d'introduire quelques notions et

notations lectrotechniques: la rsistance, les relations de Kirchhoff, les
sources de tension et de courant, les thormes de Norton, de Thvenin et
de superposition. Ces notions d'lectrotechnique sont incontournables en
lectronique.
Il est d'abord signifi les trois notions de "rsistance": la rsistance comme

phnomne physique, comme concept lectrotechnique et comme
composant physique.
Ces rappels permettent au lecteur de se familiariser avec les relations de
Kirchhoff. Ces relations peuvent tre drives des quations de
l'lectromagntisme: les quations de continuit et d'induction. On voit
ainsi que la tension, ou diffrence de potentiel, est une notion
lectrostatique, fait dont on doit tenir compte si on veut discuter des
limites du modle de Kirchhoff. Celui-ci, dont on rappelle aussi le
formalisme, prsente l'avantage de ne travailler qu'en temps, courant et
tension, les autres grandeurs tant soit ngliges, soit introduites sous
forme d'lments avec leurs caractristiques courant-tension.
On prsente les concepts et les reprsentations de sources de courant et
de tension : sources idales sans impdance de sortie, source affine
modlisant une chute de la tension linaire en la valeur du courant de
sortie. Ces modles affines pour les sources sont extrmement rpandus
et correspondent ce qu'on appelle les reprsentations de Thvenin et de
Norton des diples actifs. Un outil abondamment utilis dans les
quadriples est le concept de source commande, c'est--dire une source
de tension dont le niveau de tension par exemple dpend d'une autre
grandeur dans le systme, un courant par exemple.
Une rapide discussion sur les systmes linaires est prsente, systmes
qui recouvrent un grand champ d'applications en technique. La distinction
entre systme linaire et systme non linaire est importante dans la
plupart des champs de l'ingnierie. On y trouve soit des systmes linaires
(ou linariss) que l'on peut traiter avec les outils courants, soit des
systmes non linaires pouvant - sous certaines conditions - relever des
sciences du chaos ou de l'information. C'est le cas linaire qui nous
intresse dans cette introduction l'lectronique; on utilise des dispositifs
dans des limites linaires, ou bien on linarise leurs caractristiques. On
obtient trois proprits fondamentales en lectrotechnique linaire : le
principe de superposition qui est une proprit physique directement lie
la linarit du systme, les thormes de Thvenin et de Norton qui
permettent de trouver des diples simplifis quivalents des diples
linaires.
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PLANDELALEONI
1. Effet rsistif et rsistances 2. Relations de Kirchhoff
1.1. Effet rsistif et loi d'ohm 2.1. Diples, quadriples et graphes
1.2. La rsistance comme phnomne physique 2.2. Les relations de Kirchhoff
1.3. La rsistance comme concept lectrotechnique 2.3. loi des mailles : justification physique
1.4. La rsistance comme composant physique 2.5. Loi des noeuds : justification physique
1.5. Rsistance d'une tige conductrice 2.6. Limites et discussion du modle de
1.6. Association de rsistances Kirchhoff
3. Sources de tension et de courant 4. Thvenin, Norton, Superposition
3.1. Sources indpendantes idales et affines 4.1. Systme linaire et principe de
3.2. Sources dpendantes idales et affines superposition
3.3. Impdance de source, impdance de charge 4.2. Thormes de Thvenin et de Norton
3.4. Association de sources
5. Exercices / 6. Corrigs
5.1. Rsistance, paramtres gomtriques
5.2. Association de rsistances
5.3. Application des relations de Kirchhoff
5.4. Rsolution par Kirchhoff d'un diple lectrique
5.5. Dualit Norton-Thvenin
5.6. Reprsentation de quadriples l'aide d'une source
commande
5.7. Impdance de source, impdance de charge
5.8. Application du principe de superposition
5.9. quivalents de Thvenin et de Norton
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1.EFFETRSISTIFETRSISTANCES
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1.1. Effet rsistif et loi d'ohm
1.2. La rsistance comme phnomne physique
1.3. La rsistance comme concept lectrotechnique
1.4. La rsistance comme composant physique
1.5. Rsistance d'une tige conductrice
A la leon II , nous reviendrons sur la signification de la notion de
rsistance. Dans cette leon, la notion de rsistance nous est utile
exercer les relations de Kirchhoff et les thormes linaires, sans toutefois
introduire immdiatement la notion d'impdance, qui le sera la leon III.
1.1. Effet rsistif et loi d'ohm
Soit un conducteur lectrique, dont on symbolise par une rsistance son
comportement lectrique
ainsi qu'une source de tension, gnrant une diffrence de potentiel

lectrique ses bornes.
Lorsqu'on branche ce conducteur aux bornes de la source, il rsulte un

courant lectrique, dont l'intensit dpend de la rsistance du conducteur
son passage.
La loi d'Ohm exprime que certains matriaux ont un comportement

lectrique linaire :
Sous l'appellation "rsistance", il faut distinguer trois dfinitions:

1.2. La rsistance comme phnomne physique
Le phnomne physique correspond la rsistance qu'offre l'lment au
passage du courant. C'est une expression de la dissipation thermique
(effet Joule);
du point de vue du circuit, la rsistance ne stocke pas d'nergie, mais la
dissipe sous forme de pertes thermiques.
Le concept de rsistance est dfini comme le rapport de la tension sur le
courant :
1.3.1. Rsistance statique :
1.3.2. Rsistance dynamique :
La rsistance dynamique est dfinie comme le rapport des accroissements

de courant sur ceux de tension, un point de fonctionnement donn.
Par exemple, dans le cas de la caractristique courant-tension d'un diple

non linaire comme la diode, on dfinit sa rsistance dynamique ainsi :
1.3.3. Symbole associ :
1.4. La rsistance comme composant physique

Le composant normalis : Il s'agit ici de l'lment le plus simple, trs
utilis en lectronique. Aspect physique :
1.5. Rsistance d'une tige conductrice :

Soit une tige de section S et de longueur l :
La rsistance de cet lment est donne par :
( Cf. Ex. 5.1 : RSISTANCE, PARAMETRES GOMTRIQUES )
1.6. Association de rsistances :

Les rgles d'association dcoulent directement des relation de Kirchhoff, et
sont prsentes plus loin.
( Cf. Ex. 5.2 : ASSOCIATION DE RSISTANCES )
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2.RELATIONSDEKIRCHHOFF
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2.1. Diples, quadriples et graphes
2.2. Les relations de Kirchhoff
2.3. loi des mailles : justification physique
2.5. Loi des neuds : justification physique
2.6. Limites et discussion du modle de Kirchhoff
2.1. Diples, quadriples et graphes
Pour une dfinition complte de ces objets conceptuels, on consultera
avec profit l'ouvrage : "Thorie des rseaux de Kirchhoff" [7]. Le premier
chapitre concerne la dfinition des rseaux de Kirchhoff.
2.1.1. Diple
lment conceptuel caractris par sa relation courant-tension.
Exemples de diples :
Dans la deuxime leon, il est trait des caractristiques courant-tension

de trois lments incontournables en lectricit et en technique : la
rsistance, l'inductance et la capacit.
Ces caractristiques peuvent tre statiques comme dans le cas d'une
rsistance pure, dynamiques dans le cas d'une inductance pure, o la
tension ses bornes dpend du taux de variation du courant le traversant.
La caractristique peut encore tre linaire, comme souvent pour la
rsistance, ou non-linaire comme dans le cas typique de la diode.
2.1.2. Quadriple
lment conceptuel caractris par les relations liant les courants et les
tensions de son entre et de sa sortie.
Nous verrons au second semestre qu'on peut utiliser une notation
matricielle pour rendre compte de ces relations, dans un cas linaire :
2.1.3. Rseau (de Kirchhoff)

Le rseau de Kirchhoff modlise un ensemble de diples et de quadriples
lis entre eux par des connexions considres parfaites.
Noeud d'un rseau : Jonction de plusieurs connexions.

Branche d'un rseau : Connexion situe entre deux noeuds.
Maille d'un rseau : Ensemble de branches constituant un chemin ferm.
Graphe d'un rseau : Ensemble des mailles et branches.
2.2.LesrelationsdeKirchhoff
2.2.1.nonc
Dans le formalisme prsent prcdemment, les relations de Kirchhoff
s'crivent :
Loi des noeuds : n'importe quel noeud du rseau, la somme des courant
s'annule en tous temps.
Loi des mailles : dans n'importe quelle maille du rseau, la somme des
tensions s'annule en tous temps.
Mettre en quations un systme lectrique donn revient donc trouver

un systme de n quations indpendantes n inconnues.
2.2.2. Exemple
On obtient le systme d'quations suivant :
( Cf. Ex. 5.3 : APPLICATION DES RELATIONS DE KIRCHHOFF )
2.3. Loi des mailles : justification physique

2.3.1. Loi d'induction
La loi d'induction sous forme intgrale s'crit :
C'est dire que la circulation du champ le long d'un contour ferm est
donne par la variation temporelle du flux du champ d'induction
magntique traversant la surface sous-tendue par le contour.
En considrant que les variations du flux total sont suffisamment faibles,
c'est dire :
on pratique l'approximation dite quasi-statique. Nous reviendrons sur ce

point, qui peut tre soumis discussion.
2.3.2. Potentiel lectrostatique
En poursuivant cette approximation statique, on se retrouve, dans notre
systme physique, en prsence d'un champ lectrique statique, donc
dcoulant d'un potentiel par l'oprateur gradient :
soit, en travaillant entre deux points de l'espace :
La diffrence de potentiel est donc une notion relevant de

l'lectrostatique. Elle est appele tension, et se mesure en Volts (V).
2.3.3. Circuit constantes localises ou rparties
Le modle du circuit est dit constantes localises s'il peut s'crire sous la
forme d'une association discrte d'lments. Une ligne par exemple sera
modlise par une rsistance reprsentant les pertes joules de l'ensemble
de la ligne.
Le circuit est dit constantes rparties si on l'crit sous la forme d'une
association infinie d'lments infinitsimaux. Ce modle peut tre utile
dans le cas o les effets physiques ne peuvent pas trouver d'quivalent
local. Par exemple :
- Circuit physique rel :
Deux fils de cuivre servent

conduire un signal lectrique. La
rsistance et la capacit sont
physiquement rparties sur la
longueur du conducteur.
- Modle constantes localises :
On considre une rsistance et

une capacit globale de la ligne.
Par consquent, les chutes de
tension sont galement localises
dans ce modle.
- Modle constantes rparties :
On considre dans ce modle

plus fin une succession de
rsistances et capacits
infinitsimales (r'dz et c'dz), le
long de la coordonne z.
Ce modle sert de base
l'approche des lignes de
transmissions.
2.3.4. Rsum : la loi des mailles
Revenant au modle de Kirchhoff, on obtient la loi des mailles, o les
tensions sont localises dans lments localiss :
2.5. Loi des noeuds : justification physique

2.5.1. Conservation de la charge
On admet en physique classique, (et en physique moderne cette
constatation n'est pas rfute), qu'il y a toujours conservation de la charge
; dans un circuit lectrique, les charges se stockent, se dplacent mais ne
se volatilisent pas. Cette situation est bien commode pour les ingnieurs
du 20me sicle !
L'quation de continuit exprime cette conservation :
La charge totale intrieure la surface ne peut tre modifie qu'au

prix d'un flux de densit de courant (soit un courant) travers cette
surface ferme.
2.5.2. Approximation quasi statique
On considre de faibles variations des courants, ce qui implique une
variation de charge intrieure trs faible :
d'o l'on obtient, pour le flux total :
2.5.3. Rsum : la loi des noeuds

Revenant au modle de Kirchhoff, on obtient la loi des noeuds comme le
cas particulier de l'quation prcdente, o les courants sont localiss
dans les fils conducteurs :
2.6. Limites et discussion du modle de Kirchhoff
Il s'agit ici d'une petite discussion des limites du modle de Kirchhoff.
2.6.1. Causalit
Lorsque l'on passe du modle de Maxwell, avec les variables :
son sous-produit de Kirchhoff :
la relation causale existant entre le champ lectrique et la force subie par

la charge prend la forme de mme type de relation entre tension sur un
lment et courant rsultant dans cet lment. Cela devient mme une
manire de penser les circuits : on place une tension u(t) aux bornes d'un
lment et il est caus un courant i(t). C'est la caractristique courant-
tension d'un lment qui correspond cette situation.
Cette proprit de causalit permet l'lectricit de fournir un instrument
essentiel dans les systmes de mesure :
2.6.2. Espace
On voit galement que dans le modle de Kirchhoff, la variable espace
est explicitement supprime, seuls subsistent des courants et des
tensions, variant au cours du temps. Implicitement, l'espace est
reprsent dans les caractristiques (courant-tension) des lments.
Par exemple, la rsistance d'un conducteur ohmique est donne par :
relation qui illustre bien que l'espace n'est pas absent du modle, mais
prsent dans les caractristiques des lments.
De mme, dans la loi d'induction, le terme :
correspond-il un effet auto inductif (voir la leon II), rparti sur le circuit
physique. L'approximation quasi statique revient donc ici ngliger cet
effet inductif. Mais en reprsentant cet effet dans le circuit par une
constante localise, on peut le modliser par une inductance, et la loi des
mailles de Kirchhoff ne dcoule plus de l'approximation quasi statique,
mais du fait que l'on localise l'effet inductif, dans le modle.
Par exemple, on peut modliser une source chargeant un circuit en
employant l'approximation quasi statique et dans ce cas on nglige l'effet
auto inductif propre au circuit mme. Pour affiner le modle, on peut
vouloir tenir compte de cet effet auto inductif, mais en lui appliquant le
modle constantes localises.
L'outil le plus labor sort du cadre de ce cours : on utilise la modlisation

constantes rparties, c'est par exemple ce qui est employ pour les
lignes de transmissions [30].
2.6.3. Vitesses de propagation
Notons pour terminer que cet outil considre des propagations
instantanes des tensions et courants dans les conducteurs. Cet tat de
fait provient du modle constantes localises. Comme dj signal, c'est
un modle approximatif : une onde lectromagntique se propage dans les
conducteurs une vitesse infrieure celle de la lumire dans le vide. La
limite de validit de cette approche se trouve dans une relation entre
prcision dsire, dimension du circuit et frquences impliques. (Dtails
et exemples : "Thorie des rseaux de Kirchhoff" [7])
- La thorie des lignes de transmission, trs utile en technique, permet
d'aborder ces questions en utilisant pleinement des modles o l'on
considre des constantes rparties. (Voir "lectromagntisme", [25]).
- Rciproquement, la propagation d'ondes en gnral peut tre approche
l'aide du modle de Kirchhoff, avec thorie des lignes (voir leon 2 :
analogie lectromcanique).
- Un autre domaine de l'lectricit est directement concern : les
hyperfrquences, o les frquences sont de l'ordre de grandeur du
gigahertz. ("Hyperfrquences", [26]).
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3.SOURCESDETENSIONETDECOURANT
_____________
3.1. Sources indpendantes idales et affines
3.2. Sources dpendantes idales et affines
3.1. Sources indpendantes idales et affines
3.1.1. Sources idales
Les concepts et les symboles de sources sont des outils incontournables
en lectronique :
Source de tension continue :
Reprsentation graphique de sa
caractristique :
Source de courant continu :
Reprsentation graphique de sa
caractristique :
Il convient de noter qu'en lectronique analogique, la plupart du temps les

sources produisent des tensions ou courants non continus : ils peuvent
tre sinusodaux, priodiques ou mme apriodiques ou alatoires. (On
annote "=" pour des valeurs continues de courant ou tension, "~" pour
des valeurs alternatives). Mais dans le cas gnral, il faut prciser de quel
signal il s'agit. Par exemple :
( Cf. Ex. 5.4 : RSOLUTION PAR KIRCHHOFF D'UN DIPLE LECTRIQUE. )

3.1.2. Sources affines : exemple d'une pile
Il est ais de constater que ce modle de source idale est insuffisant pour
dcrire un gnrateur rel. En effet, on constate souvent une chute de
tension augmentant avec le courant de sortie, comme par exemple dans
les piles :
- Une pile lectrique est connecte un
circuit :
- Selon le courant que rclame le circuit,

on constate exprimentalement une baisse
de la tension fournie par la pile :
- On modlise la caractristique
exprimentale de ci-dessus par un modle
affine. On obtient :
- Le schma quivalent du diple

reprsentant cette caractristique est donc :
Nous remarquons que la rsistance de sortie de la source peut provenir de

processus chimiques qui sont interprts par le circuit lectrique comme
"ohmique".
3.1.3. Reprsentations de Thvenin et de Norton
En gnral, on est amen dfinir deux types de reprsentation lectrique
de sources, reprsentations affines :
Reprsentation de Thvenin d'une source affine :
Reprsentation de Norton de la mme source affine :
( Cf. Ex. 5.5 : DUALIT NORTON-THVENIN )
Remarque
Le schma suivant ne reprsente pas
forcement un gnrateur physique, avec
une rsistance physique en sortie:
Il peut s'agir de la reprsentation de

Thvenin du systme suivant :
A la fin de la leon est prsent le

thorme de Thvenin
permettant de trouver, pour tout
diple linaire la reprsentation
de Thvenin correspondante.
3.2. Sources dpendantes idales et affines
3.2.1. Dfinition : sources commandes, dpendantes
Une source est dite dpendante si sa valeur de tension ou de courant
produit est conditionne par une autre tension ou courant. Comme pour
les sources indpendantes vues plus haut, celles-ci peuvent tre idales
ou affines, nous n'y revenons pas. On a la notation suivante :
Source de tension commande :
Source courant commande :
3.2.2. Reprsentation de quadriples l'aide d'une source

commande
Le formalisme des quadriples est abord plus loin. Notons cependant que
ces notions de sources commandes peuvent servir reprsenter des
quadriples :
( Cf. Ex. 5.6 : REPRSENTATION DE QUADRIPLES L'AIDE D'UNE SOURCE COMMANDE )

Sous ce point, nous traitons rapidement un problme classique
d'lectricit qui se rencontre aussi en physique : l'adaptation des
impdances.
Soit un gnrateur de tension, avec rsistance de sortie Ri dbitant dans

une rsistance de charge R. On suppose que Ri est une caractristique
fixe de la source.
On s'intresse au transfert de puissance de la source vers le rcepteur.
Lorsque la rsistance R varie, cette puissance varie aussi. Cette dernire
est maximum lorsque les deux rsistances sont gales. Le rendement vaut
alors 0.5.
( Cf. Ex. 5.7 : IMPDANCE DE SOURCE, IMPDANCE DE CHARGE )
On a :
On a l'allure suivante pour ces deux relations puissance-rsistance et
rendement-rsistance :
et le maximum de puissance correspond :
Nous voyons donc qu'il peut tre utile de connatre l'impdance de sortie
d'un gnrateur, afin d'adapter ventuellement l'impdance de la charge.
Par exemple, on dispose de cbles coaxiaux impdance normalise 50
ohm. On associe donc ventuellement des impdances d'entre
correspondantes aux appareils de mesure comme l'oscilloscope.
L'association de sources ne pose pas problme analyser, l'aide des
relations de Kirchhoff. Dcrivons nanmoins les quatre cas possibles, dont
deux d'entre eux sont utilisables en pratique :
3.4.1. Sources de tension en srie
La mise en srie de
sources de tension
ne pose pas de
problmes. On
obtient, pour la
reprsentation de
Thvenin:
3.4.2. Sources de courant en parallle
La mise en parallle de sources

de courant ne pose pas non plus
de problmes pratiques. On
obtient :
3.4.3. Sources de tension en parallle

Ce cas n'est pas utilis en pratique ; il pourrait servir obtenir une source
dbitant plus de courant mais avec des impdances internes faibles, toute
diffrence de tension entre les sources produirait des trs forts courant
inutiles.
3.4.4. Sources de courant en srie
De mme, ce montage pourrait servir dbiter de plus hautes tension,
mais n'est pas utilis en pratique.
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4.THVENIN,NORTON,SUPERPOSITION
_____________
4.1. Systme linaire et principe de superposition
4.2. Thormes de Thvenin et de Norton
4.1. Systme linaire et principe de superposition

Si dans un systme physique lectrique, tous les diples et quadriples
sont linaires coefficients constants, le systme d'quations rsultant de
l'application des relations de Kirchhoff est un systme linaire
coefficients constants.
4.1.1. Linarisation et domaine de linarit
Il arrive souvent que le systme soit linaire parce qu'on l'a linaris. Un
cas frquent en lectronique comme en physique est d'imposer l'entre
du systme de faibles variations de niveau de signal, et alors les termes
d'ordres suprieurs "1" produisent des contributions ngligeables. Par
exemple, le lecteur peut reprendre l'exemple de la rsistance diffrentielle
d'une diode, o l'on voit que ce concept revient une linarisation dite de
petit signal.
Bien entendu, le systme ne peut tre considr linaire coefficients
constants que dans certaines limites. Nous avons dj voqu la non-
linarit de l'inductance (saturation et hystrse) et la non-autonomie de
la rsistance (coefficient thermique). Il peut arriver qu'on soit oblig de
travailler avec des systmes comportement non-linaire ; dans ce cas,
on doit faire appel des rsultats scientifiques qui sortent du cadre de ce
cours (voir " circuits non linaires", [28] ).
Un autre cas peut advenir en pratique : on doit introduire des lments
caractristique non-linaire dans une chane de mesure, opration ayant
pour rsultat de "compenser" la non-linarit d'un autre lment de cette
chane. Pour une prsence d'un lment caractristique statique
quadratique, on en introduira un autre caractristique statique en racine
carre. Par exemple, la caractristique d'un thermocouple n'est pas
linaire : on linarise le capteur de temprature en tabulant la
caractristique "inverse" :
4.1.2. Principe de superposition

Dans le cas o l'on peut considrer le systme comme linaire, le dit
"principe de superposition" exprime que l'on peut dcomposer le signal
d'entre et sommer les signaux de sortie correspondants :
4.1.3. Consquence du principe de superposition

Nous verrons plus loin que cette proprit de dcomposition est la base
de l'analyse frquentielle, o l'on peut s'intresser sparment aux
rponses du systme des excitations sinusodales de frquences
diffrentes.
(Cf. Ex. 5.8 : APPLICATION DU PRINCIPE DE SUPERPOSITION )
4.2. Thormes de Thvenin et de Norton

Nous avons vu prcdemment qu'un gnrateur peut trouver une
reprsentation de Thvenin ou de Norton, selon que l'on veuille exprimer
le diple comme source de tension ou de courant respectivement.
Une reprsentation de Thvenin d'un gnrateur peut dcouler d'une
approche exprimentale : on a mesur la baisse de tension de la source en
fonction du courant de charge, on en approxime une rsistance de sortie
de la source. De mme pour une source de courant.
Les thormes de Thvenin et de Norton constituent une mthode
thorique trs utilise en lectronique, qui permet de rduire les diples
linaires leurs quivalents de Thvenin et de Norton.
4.2.1. Thorme de Thvenin
Soit un diple linaire quelconque. Il peut tre ramen une
reprsentation de Thvenin, c'est--dire une source de Thvenin avec
une rsistance (impdance) de sortie. (Voir "reprsentation de Thvenin")
a. L'impdance de sortie de Thvenin est l'impdance du diple, lorsque
l'on court-circuite toutes ses sources de tension.
b. La tension de source de Thvenin est la tension vide du diple, c'est
dire celle que l'on peut observer sa sortie lorsqu'il ne dbite pas de
courant.
Exemple. Soit le diple suivant:
On dtermine les paramtres selon les rgles nonces plus haut :
4.2.2. Thorme de Norton

Soit un diple linaire quelconque. Il peut tre ramen une
reprsentation de Norton, c'est--dire une source de Norton avec une
rsistance (impdance) de sortie. (Voir "reprsentation de Thvenin")
a. L'impdance de sortie de Norton est l'impdance du diple lorsque l'on
ouvre toutes les sources de courant.
b. Le courant de la source de Norton est celui que l'on constate la sortie
du diple lorsque l'on court-circuite cette dernire.
Exemple: Soit le circuit suivant:

Il est ramen la reprsentation suivante :
( Cf. Ex. 5.9 : QUIVALENTS DE THVENIN ET DE NORTON )

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5. EXERCICES
_____________
5.6. Reprsentation de quadriples l'aide d'une source commande
NONC---Corrig---Retour au paragraphe correspondant du cours

Comment varie la rsistance d'une tige mtallique circulaire, lorsque l'on
diminue toutes ses dimensions d'un facteur 2, en conservant le mme
matriau ?

Dterminez analytiquement et numriquement la rsistance quivalente
au diple suivant :
Mettre en quation le circuit suivant, puis dterminez le courant et la

tension de la charge
5.4. Rsolution par Kirchhoff d'un diple lectrique.
En utilisant les relations de Kirchhoff, donnez la caractristique courant-

tension du bloc en traitill (diple lectrique) :
Tension vide : Quelle est la valeur de la tension de sortie si on dbranche

la charge ?
Courant de court-circuit : Quelle est la valeur du courant en sortie, si on
remplace la charge par un court-circuit ?
Reprsentez ces deux grandeurs sur un dessin de cette caractristique
courant-tension.
Rappel:

Exprimez les relations courant-tension de ces diples, puis trouvez les
relations de passage d'une reprsentation de Thvenin une
reprsentation de Norton, et rciproquement.
5.6. Reprsentation de quadriples l'aide d'une source
commande
Considrez la reprsentation en quadriple de la boite noire suivante et

commentez-la.
Soit un gnrateur de tension, avec rsistance de sortie Ri dbitant dans

une rsistance de charge R. On suppose que Ri est une caractristique
fixe de la source.
On s'intresse au transfert de puissance de la source vers le rcepteur.

Lorsque la rsistance R varie, cette puissance varie aussi et cette dernire
est maximum lorsque les deux rsistances sont gales. Le rendement vaut
alors 0.5.
- Calculez et vrifiez le bilan des puissances fournies et consommes.
- Calculez le rendement du transfert de puissance, en fonction de la
rsistance de charge. Quand celui-ci est-il maximum ?
- Quand la puissance transmise la charge est-elle maximale ?

Reprenons le circuit de l'exercices 5.3 :
Dans les conditions suivantes :
Reprsentez graphiquement le courant et la tension sur la rsistance de

charge.
Dterminer les schmas de Thvenin et de Norton du circuit suivant :
U=5V R1 = 1 K R2 = 100 K
Calculez les quivalents de Thvenin et Norton du circuit suivant :

Dterminer les sources quivalentes de Thvenin et Norton du circuit ci-

dessous :
U = 15 V I=1A R = 30
Dterminer la source de Thvenin-Norton quivalente du circuit ci-

dessous.
U1 = 15 V ; R1 = 100 R2 = 50 Gm = 10-2 -1
Dterminer les schmas de Thvenin et de Norton des circuits suivants :
U1 = 5 V U = 10 V
U2 = 2 V R1 = R4 = 100
R1 = 1 k R2 = R3 = 500
R2 = 5.6 k
Dterminer le circuit quivalent de Thvenin du circuit ci-dessous :

U1 = 5 V U2 = 7 V I1 = 12 mA
R1 = 1 k R2 = R3 = R4 = 2R1
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6. CORRIGE DES EXERCICES

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6.6. Reprsentation de quadriples l'aide d'une source commande
Exercice 5.1. Rsistance, paramtres gomtriques
CORRIG---nonc---Retour au paragraphe correspondant du cours
La longueur L passe L/2 et la surface de la section passe de S S/4, si

toutes les dimensions gomtriques sont rduites d'un facteur 2. Il en
rsulte que la valeur de la rsistance passe de R 2R.
En appliquant le mme raisonnement pour un condensateur, on obtient
que sa valeur passe de C C/2.
Considrant une constante de temps =RC, on obtiendrait que la valeur
de celle-ci resterait inchange par la rduction des dimensions
gomtriques du dispositif.
Ce type d'analyse dimensionnelle est utilise par exemple en
microtechnique lorsque l'on cherche rduire les dimensions d'une
systme en prvoyant ses nouvelles caractristiques.
Exercice 5.2. Association de rsistances
Dterminez analytiquement et numriquement la rsistance quivalente

au diple suivant :
On constate que R3 // R4 est de l'ordre de 50k . La mise en // de cette

valeur avec R1 = 2.5k n'influence que peu la rsistance quivalente qui
reste de l'ordre de 2.5k
Exercice 5.3. Applications de relations de Kirchhoff
Mettre en quation le circuit suivant, puis dterminez le courant et la

tension de la charge.
Mise en quation systmatique :

Il est cependant conseill d'examiner un circuit avant de le mettre en
quations : les quatre rsistances droite peuvent tre rduites
facilement, ce qui simplifie grandement le calcul.
Courant de charge : IL
Tension de charge : URL = IL RL
L'unique inconnue intressante est IL. Nous voyons plus loin dans le cours
une mthode de simplification (Thvenin) qui nous vite la fastidieuse
rsolution algbrique.
Exercice 5.4. Rsolution par Kirchhoff d'un diple

lectrique
En utilisant les relations de Kirchhoff, donnez la caractristique courant-

tension du bloc en traitill (diple lectrique) :
Mise en quation :
Ce qui donne la caractristique suivante :
Le thorme de Thvenin affirme que l'on peut toujours trouver une

reprsentation de Thvenin d'un diple linaire et donne une mthode
simple pour calculer UTH et RTH. ( Cf. cours)
Exercice 5.5. Dualit Norton-Thvenin

Rappel:
Source de Thvenin :
Source de Norton :
D'o les conditions d'quivalence :
Cela signifie que l'on peut passer sans problmes d'une source de
Thvenin (reprsentation en tension ) son quivalent de Norton
( reprsentation en courant ).
Exercice 5.6 : Commentaire d'un quadriple
- Si on sait, thoriquement ou exprimentalement, que le systme est

linaire et que son gain en tension vaut 2, sa rsistance d'entre 10 ohm
et sa rsistance de sortie 5 ohm, alors on peut le reprsenter par :
- un circuit d'entre rsistif
- un diple de sortie actif, command en tension et rsistif
Notons encore que selon ce schma, l'tat du diple de sortie n'influence
pas celui du diple d'entre. (Voir le chapitre concernant les quadriples)
Exercice 5.7 : bilan de puissance et rendement

Puissance fournie la charge par la source :
Puissance consomme par Ri :
Puissance consomme par la charge R :
On vrifie que le bilan de puissance est bien nul.

La puissance dissipe par Ri est considre comme une perte. Le
rendement du systme est donc :
Exercice 5.8. Application du principe de superposition

Reprenons le circuit de l'exercice 5.3 :
Dans les conditions suivantes :
Reprsentez graphiquement le courant et la tension sur la rsistance de

charge.
Pour analyser la contribution de la premire source, il suffit de court-
circuiter la seconde.
On obtient un niveau continu UDC( U1 R1..5 Rl )
Pour analyser la contribution de la seconde source il convient de court-
circuiter la premire.
On obtient un niveau alternatif UAC( U2 R1..5 Rl )
Le principe de superposition valable pour les systmes linaires nous
permet d'obtenir la tension Ul par sommation de UDC et de UAC .
Cet exemple illustre un cas frquent en lectronique : les contributions DC
et AC proviennent de sources spares. On parle de mode DC et AC.
Annotez la reprsentation suivante en guise d'entranement:
Exercice 5.9 : Thevenin - Norton
Tension vide : U0 = = 4.95 V

courant de court-cicuit : I0 = = 5 mA
la rsistance de sortie est calcule en annulant la source indpendante U
(remplace par un court-circuit) :
R0 = = 990
Equivalent de Thvenin :
Equivalent de Norton :

Les caractristiques courant tension des capacits seront vues plus loin.
Le thorme de Thvenin reste cependant valable.

Equivalent de Norton :
I=1A U/R = 0,5 A

On a converti la source de Thvenin en source de Norton de manire
avoir deux sources de Norton en parallle et pouvoir calculer la source
quivalente. On repasse ensuite la source de Thvenin.

On cherche la tension vide : U20
(somme des courants = 0)

Ce qui nous donne :
On convertit la premire source en source de courant :
Par sommation des courants on obtient :
On cherche la source de Thvenin avec :

a) Par superposition on additionne la contribution de chaque source
U0 = U1 + U2 = 4.55 V
I0 = = 5.36 mA
la rsistance de sortie est calcule en annulant les sources indpendantes
U1 et U2 (remplaces par des court-circuit) :
R0 = = 848
b) La tension vide est la somme des tensions aux bornes de R3 et de R4 :
U0 = U -U = 6.67 V
la rsistance de sortie est calcule en annulant la source indpendante U
(remplace par un court-circuit) :
R0 = + = 167
enfin: I0 = = 40 mA

La rsistance de sortie est calcule en annulant les sources indpendantes
I1, U1 et U2 (U1 et U2 remplaces par des court-circuit, I1 remplace par
un circuit ouvert) :
R0 = = 400
Pour faciliter le calcul de I0 et U0 il est avantageux de remplacer la source
I1 en parallle avec R2 par son quivalent de Thvenin ce qui donne le
circuit suivant :
le courant de court-circuit vaut : I0 = = 4mA

et la tension vide : U0 = R0I0 = 1.6 V
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro I
_____________________________________________________
Leon II : RSISTANCE, INDUCTANCE

ET CAPACIT
Le but de cette leon est d'aborder les trois composants passifs linaires
de base en lectrotechnique avec leurs notation, caractristique courant-
tension et effets physiques correspondants.
Les trois effets fondamentaux en lectrotechnique sont prsents: les

effets rsistif, capacitif et auto inductif. Ils sont mis en relations avec leur
formulation mathmatique et leurs lments lectrotechniques.
On aborde aussi l'analogie avec les quations de la mcanique o l'on voit

que la rsistance correspond la formulation lectrotechnique de la
dissipation thermique d'nergie, la capacit le stockage d'nergie
potentielle et l'inductance le stockage d'nergie sous forme cintique, la
loi des mailles correspondant une des lois de Newton.
______________________________________________________
PLANDELALEONII
2. Effet auto inductif, inductances et bobines
1. Effet rsistif, loi d'Ohm et rsistances
2.1. Effet auto inductif
1.1. Effet rsistif
2.2. Coefficient d'auto-induction et caractristique d'une
1.2. Loi d'ohm
inductance
1.3. La rsistance : phnomne physique
2.3. L'auto-induction : un phnomne physique
1.4. La rsistance : concept lectrotechnique
2.4. L'inductance : un concept lectrotechnique
1.5. La rsistance : des composants technologiques
2.5. La bobine : un composant technologique
1.6. Rsistance d'une tige conductrice
2.6. Inductance d'un solnode
1.7. Linarit et autonomie d'une rsistance
2.7. Linarit, autonomie
1.8. Analogie mcanique de la rsistance
2.8. Analogie mcanique de l'inductance
3. Effet capacitif et capacit 4. Commentaires physiques
3.1. Effet capacitif 4.1. L'analogie lectromcanique : un outil d'interfaage.
3.2. Capacit et caractristique courant-tension 4.2. Le transformateur
3.3. L'accumulation de charges : un phnomne 4.3. Circuit RLC et oscillateur mcanique
physique 4.4. Relation courant-tension : loi d'ohm gnralise
3.4. La capacit : un concept lectrotechnique
3.5. Le condensateur : un lment technologique
3.6. Capacit d'un condensateur plaques
3.7. Linarit et autonomie des condensateurs
3.8. Analogie mcanique de la capacit
5.1. Charge d'une inductance
5.2. Charge d'une capacit
5.4. Analogie Kirchhoff-Newton
5.5. Calcul de la charge d'un transformateur
5.6. Circuit RLC et oscillateur mcanique

_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.EFFETRSISTIF,LOID'OHMETRSISTANCES
_____________
1.1. Effet rsistif
1.2. Loi d'ohm
1.3. La rsistance : phnomnephysique
1.4. Larsistance:conceptlectrotechnique
1.5. Larsistance:descomposantstechnologiques
1.6. Rsistanced'unetigeconductrice
1.7.Linaritetautonomied'unersistance
1.8.Analogiemcaniquedelarsistance
1.1.Effetrsistif
Il convient de noter que la dgradation d'nergie en forme thermique est

un phnomne gnral en physique, phnomne dcrit par la
thermodynamique. En lectricit, si on place une tension aux bornes d'un
conducteur, il advient un courant. La dissipation d'nergie se manifeste
par un chauffement et une chute de potentiel le long du conducteur ; il y
a conversion d'nergie lectrostatique (contenue dans le gnrateur par
exemple) en nergie thermique (chauffement par effet Joules).
1.2.Loid'ohm
Lorsqu'on branche un conducteur une tension donne, il rsulte un
courant, dont l'intensit dpend de la rsistance du conducteur son
passage.
La loi d'Ohm exprime que certains matriaux ont un comportement

linaire :
En termes des circuits et systmes :
1.3.Larsistance:phnomnephysique
Le phnomne physique de rsistivit correspond la rsistance qu'offre

l'lment au passage du courant. On crit :
C'est une expression de la dissipation thermique (effet Joule) ; du point de

vue du circuit, la rsistance ne stocke pas d'nergie, mais la dissipe. La
puissance instantane vaut :
1.4.Larsistance:conceptlectrotechnique
Le concept de rsistance est dfini comme le rapport de la tension sur le
courant :
1.4.1.Rsistancestatique:
1.4.2.Rsistancedynamique:
La rsistance dynamique est dfinie comme le rapport des accroissements

de courant sur ceux de tension, un point de fonctionnement donn
Par exemple, dans le cas de la caractristique courant-tension d'un diple

non linaire comme la diode, on dfinit sa rsistance dynamique ainsi :
1.4.3.symboleassoci:
1.5.Larsistance:descomposantstechnologiques
Sous le mme terme de "rsistance", on dsigne encore le composant, mis
en oeuvre technologiquement.
1.5.1.Lecomposantnormalis
Il s'agit ici de l'lment le plus simple, trs utilis en lectronique.
Il existe des sries de rsistances normalises. La srie E12 est la plus

courante. Voir les valeurs en laboratoire.
Extrait de fiche technique d'une rsistance :
1.5.2.Lecomposantrsistancevariablemanuellement:lepotentiomtre
Symbole associ :
Cet lment peut servir de rsistance variable manuellement, si l'on
connecte deux des trois bornes ensemble.
Le symbole est aussi parfois utilis pour exprimer que dans un circuit, la
valeur de la rsistance est commande.
Extrait de fiche technique d'un potentiomtre :
1.5.3.Autresexemplesdecomposantsrsistifs
- Les Photorsistances dont la valeur de la rsistance dpend de

l'clairement et constitues d'inclusions de sulfure de cadmium dans du
plastique.
- Les Thermistances dont la valeur de la rsistance dpend de la

temprature.
- Les Varistances (en anglais voltage dependent resistor), dont la valeur de

la rsistance est fonction de la tension applique.
1.6.Rsistanced'unetigeconductrice

1.7.Linaritetautonomied'unersistance
Remarquons encore qu'une rsistance n'est pas forcment linaire ni

forcement autonome (indpendante du temps) : lorsqu'on modlise un
capteur ou un effet physique, peu prs tout peut arriver ! Il existe par
exemple des rsistances dont la valeur varie fortement avec la
temprature ambiante (thermistances) ; elles peuvent tre utilises
comme dtecteurs ou capteurs de temprature.
Pour un conducteur normal, on peut utiliser une approximation linaire en

la temprature, si le modle autonome est insuffisant :
1.8.Analogiemcaniquedelarsistance
En mcanique, le travail de forces de frottement reprsente une

dissipation d'nergie du systme considr. Une de leur modlisation
correspond aux forces dites de frottement visqueux, o leur intensit est
proportionnelle la vitesse de dplacement. Si on crit la loi d'Ohm en
terme de charge et de tension, on observe une similitude :
Il est clair que ni la relation courant-tension dans une rsistance n'est
toujours aussi simple, ni les forces de frottement toujours visqueuses et
linaires. Il s'agit en fait d'une rationalisation technique : on construit des
systmes technologiques auxquels on impose cette simplicit dans des
limites de fonctionnement. Par exemple, la valeur de la rsistance dpend
de la temprature de cette dernire : elle augmente avec la temprature.
Alors on s'arrange pour couler la chaleur et ainsi maintenir les systmes
dans leurs plages de fonctionnement.
______________________________________________________
2.EFFETAUTOINDUCTIF,INDUCTANCESET
BOBINES
_____________
2.1. Effet auto inductif
2.2. Coefficient d'auto-induction et caractristique d'une inductance
2.1.Effetautoinductif
Lorsqu'un courant circule dans un conducteur, il est responsable de la

cration d'un champs d'induction magntique. Si le courant est variable
dans le temps, le champs d'induction le sera aussi et alors intervient le
phnomne d'auto-induction : ce champs variable rtroagit sur le courant
qui le cre, en ralentissant la variation de ce courant. Cet effet correspond
un stockage d'nergie dans le circuit auto-inductif, sous forme
magntique.
2.2. Coefficient d'auto-induction et caractristique d'une
inductance
2.2.1.Fluxd'inductionmagntique
Un courant constitue une source de champ d'induction magntique.

Lorsqu'un courant circule dans un circuit , on conoit que la surface
sous-tendue par ce circuit subit un flux d'induction magntique :
2.2.2.Coefficientd'autoinduction
Pour un circuit donn, on dfinit son coefficient d'auto-induction, comme le

rapport du flux sur le courant le gnrant, soit en fait sa capacit
emmagasiner du champ, de l'nergie magntique :
2.2.3.Caractristiquecouranttensiond'uneinductance
En appliquant la loi d'induction, on obtient pour la caractristique courant-

tension :
et avec le coefficient L constant (c'est dire : inductance autonome et

linaire), on obtient la relation standard:
La caractristique d'une inductance est donc dynamique, puisqu'elle fait

intervenir la drive temporelle du courant, contrairement ce qu'il arrive
avec une rsistance standard, vue prcdemment. En termes intuitifs, on
peut dire que c'est un lment qui s'oppose aux fortes variations de
courant, car pour obtenir des variations de courant, il faut des tensions
proportionnelles ces variations.
Le phnomne physique correspond au stockage d'nergie sous forme

magntique. Le stockage est momentan et l'nergie est restitue au
circuit en courant.
L'nergie accumule par l'lment auto inductif vaut :
Le concept d'auto-inductance, qui peut tre dfini comme prcdemment.
Symbole associ :
La bobine est l'lment technologique correspondant.
Extrait de fiche technique d'une bobine miniatur:e
Extrait de fiche technique d'une bobine d'accumulation :

On a pour un solnode :
La caractristique d'une bobine peut facilement devenir non-linaire,

cause de la saturation du champ d'induction, ainsi que de phnomnes
d'hystrses :
Un exemple d'inductance non-autonome est fourni par un capteur de
position : une ferrite se dplace dans un bobinage et l'inductance varie en
consquence. Dans ce cas, le but de l'lectronique en aval est de produire
une information de position :
En mcanique, le bilan des forces extrieures agissant sur un systme est

responsable d'une acclration de ce systme (Newton). Il s'agit donc de
variation de l'nergie cintique du systme. On crit, comme
prcdemment, la caractristique de l'inductance en terme de charges et
tension, d'o on observe nouveau une similitude :
Comme dans le cas de la rsistance, la mme remarque peut tre faite

concernant la rationalisation technique que reprsentent les relations de
l'inductance. La saturation des inductances bobines (bobines) est une
limitation tout fait pratique de la linarit de ces lments.
(Cf. Ex. 5.1 : CHARGE D'UNE INDUCTANCE )
______________________________________________________
3.EFFETCAPACITIFETCAPACITE
_____________
3.1. Effet capacitif
3.2. Capacit et caractristique courant-tension
3.3. L'accumulation de charges : un phnomne physique
3.1. Effet capacitif
Cet effet correspond au troisime phnomne trs important. Lorsqu'on

applique une diffrence de potentiel deux conducteurs isols les uns des
autres, on assiste une accumulation de charges par influence
lectrostatique. C'est cela l'effet capacitif. Il peut tre ardemment
recherch et dans ce cas on fabrique des condensateurs prcis ou de
grande capacit. Trs souvent, l'effet capacitif est prsent titre
parasitaire comme par exemple lors d'accumulation de charges entre deux
lignes conductrices. Dans ce cas, on cherche minimiser ses effets sur le
temps de rponse de la ligne.
3.2. Capacit et caractristique courant-tension
3.2.1.Dfinitiondelacapacitd'undispositif
Pour un circuit donn, on dfinit sa capacit C comme le rapport de la

charge accumule sur la tension applique ses bornes, soit en fait son
aptitude emmagasiner des charges lectriques, de l'nergie
lectrostatique :
3.2.2.Caractristiquecouranttensiond'unecapacit
En drivant cette dernire relation on obtient, pour la caractristique

courant-tension :
et avec la capacit C constante, c'est--dire autonome et linaire, on
obtient :
Comme la caractristique de l'inductance, celle de la capacit est

dynamique. En termes intuitifs, on peut dire que c'est un lment qui
s'oppose aux fortes variations de tension, car il faut des courants
proportionnels ces variations.
3.3. L'accumulation de charges : un phnomne physique
Le phnomne physique correspond au stockage d'nergie sous forme

lectrostatique. Le stockage est momentan et cette nergie est restitue
au circuit en tension.
L'nergie accumule par l'lment capacitif vaut :
Le concept de capacit est dfini comme nonc prcdemment.
Symbole associ :
Le condensateur est l'lment technologique correspondant.
Extrait de fiche technique d'un condensateur lectrolytique :

Extrait de fiche technique d'un condensateur au tantale :
3.5.1.Quelquestypesdecondensateurs:
- Les condensateurs dilectrique film plastique (polypropylne,

polystyrne, polyester...) le dilectrique a une permittivit relative de
l'ordre de 2 3, les gammes de capacits s'tendent entre 100 pF et 10
F.
Pour des applications o de fortes valeurs de capacits sont ncessaires,

on a recours aux condensateurs au tantale (volume rduit), dans le
domaine des hautes frquences (1 MHz 1 GHz) il faudra utiliser des
condensateurs cramiques hyperfrquences.
- Les condensateurs lectrochimiques aluminium sont constitus de deux

armatures en aluminium spares par un lectrolyte glifi en borate
d'ammonium. Par lectrolyse une fine couche d'alumine isolante se forme
par oxydation sur l'anode et constitue le dilectrique.
Les valeurs des capacits sont leves (jusqu' 100 mF) mais ces
condensateurs prsentent l'inconvnient d'tre polariss (+ pour
l'armature positive).
- Dans la mme famille nous trouvons les condensateurs au tantale, peu

coteux, de dimensions plus rduites, sont polariss galement, mais
travaillent gnralement sous des tensions plus faibles que les
condensateurs aluminium.
- Les condensateurs papier paraffin, dont les armatures sont

constitues par des feuilles d'aluminium, le dilectrique tant le papier
paraffin, le tout enroul. Leurs capacits peuvent atteindre quelques F.
- Les condensateurs cramiques ont des armatures en aluminium spares

par un dilectrique au titanate de baryum ; les capacits vont du pF au F.
- Les condensateurs au mica sont constitus par un empilement de feuilles

de mica aluminises sur les deux faces, formant une association de
condensateurs en parallles, les capacits peuvent atteindre quelques F.
- Les condensateurs variables lame d'air constitus de deux paires

d'armatures, dont l'une mobile par rapport l'autre sont utiliss pour
"accorder" des circuits en frquence.
On a pour un condensateur plaque :

Les problmes de linarit des condensateurs sont plutt rares, mais pas
exclus, puisqu'on peut aussi obtenir une saturation et une hystrse du
champ de dplacement lectrique, comme vu prcdemment pour le
champ d'induction magntique.
Un exemple de capacit non autonome est donn par des capteurs

capacitifs : on peut contrler l'paisseur de fines couches d'isolants, s'ils
sont suffisamment dilectriques, en mesurant la capacit de plaques entre
lesquelles passent des feuilles d'isolant tester.
En mcanique, une partie de l'nergie mcanique d'un systme peut tre

emmagasine dans des lments dit lastiques, comme des lames. Il
s'agit d'une nergie potentielle lie des lments dits ressorts, et on
modlise la force de rappel linairement en la position, pour les petites
variations de cette dernire. De nouveau, on crit la caractristique de la
capacit en termes de tension et charge, et on constate le mme type
d'analogie que prcdemment pour l'inductance et la rsistance :
(Cf. Ex. 5.2 : CHARGE D'UNE CAPACIT )
(Cf. Ex. 5.3 : CHARGE D'UN CIRCUIT RC )
______________________________________________________
4.COMMENTAIRESPHYSIQUES
_____________
4.1. L'analogie lectromcanique : un outil d'interfaage.
4.2. Le transformateur
4.4. Relation courant-tension : loi d'ohm gnralise
4.1.L'analogielectromcanique:unoutild'interfaage.
Nous avons vu prcdemment que la rsistance, la capacit et

l'inductance expriment, pour un systme lectrique, des concepts
respectivement proches du frottement, accumulation d'nergie potentielle
dans un ressort, accumulation d'nergie cintique dans une masse, pour
un systme mcanique.
(Cf. Ex. 5.4 : ANALOGIE KIRCHHOFF-NEWTON)
Il y a certes un intrt thorique la validit de cette analogie ; cette

mcanique et cette lectricit sont sous-tendues par la mme approche de
la physique classique. Sur un plan plus technologique, on peut dire que
cette dimension sous-jacente tends le domaine d'application de l'outil de
Kirchhoff la mcanique. L'intrt majeur de cette approche "circuits et
systmes" vient du fait qu'elle fonctionne non seulement pour des
problmes strictement lectriques ou mcaniques, mais encore pour des
problmes d'ingnieurs o l'interfaage entre les deux domaines doit tre
assur. Nous voquons ici le cas du transformateur lectrique, dont le
modle peut servir analyser certains moteurs lectriques (actuateurs).
Pour des dtails sur ces proprits des systmes lectromcaniques, on se
rfrera au Vol 4 du trait d'lectricit : "Thorie des rseaux de Kirchhoff"
: [7] 1.5 (systmes mcaniques) et 1.6 (systmes acoustiques).
4.2.Letransformateur
4.2.1.Transformateur:modlisationsimple
Le transformateur lectrique est un systme induction mutuelle. Il est

constitu de deux enroulements lectriques : l'un est le sige de la
production d'un flux d'induction magntique, l'autre est le sige de la
captation de ce flux, ou du moins d'une partie de ce flux.
On reprsente un transformateur de la sorte :
De la loi d'induction, on sait que l'amplification est donne par :
Extrait de fiche technique d'un transformateur pour circuit imprim :
4.2.2.Exempled'utilisation:transformationdesamplitudes
Utilisation dans un rseau lectrique. Typiquement, on utilise un
transformateur pour convertir des niveaux de tensions :
4.2.3.Notionsdemasseetdeterre
Une tension vhiculant une information peut tre considre selon deux
modalits diffrentes :
* La tension est prise entre deux bornes et elle est dite diffrentielle. Par
exemple si on veut mesurer un courant en plaant dans une ligne une
rsistance, il faut prendre l'information de courant aux bornes de cette
dernire. Voir les amplificateurs diffrentiels la leon VII.
* On cre une tension standard qu'on dfinit comme tant potentiel nul,
et on l'appelle la masse. Dans ce cas, l'information contenue dans un
signal peut tre lue sur une seule ligne. C'est gnralement le cas. On
peut parler de qualit de masse dans la mesure o cette dernire tant le
sige de courants, elle est donc aussi le sige de chutes de tension. Elle
n'est donc pas toujours stable ni prcise, d'o la ncessit parfois de
dcoupler les masses de deux circuits qui pourtant ont besoin de se
communiquer des informations.
La tension d'entre est rfrence la masse 1, alors que celle de sortie

l'est la masse 2. Il s'agit d'un dcouplage de masse, dcouplage dit
galvanique.
La terre est une connexion la terre physique, c'est dire aux btiments,
radiateurs, etc. ......
La terre est symbolise de la sorte :

4.2.4.Transformateur:dcouplagedemasses
Le transformateur permet aussi de dcoupler (galvaniquement) les

masses, grce au couplage magntique assurant la transmission de la
puissance lectrique. La masse du rseau est une masse de puissance,
peu prcise, subissant des parasites, alors que celle qu'on emploie en
lectronique doit tre aussi propre, stable que possible, d'o un autre
avantage du transformateur. Ce dernier est parfois mme utilis
uniquement pour cette raison : deux circuits doivent se transmettre de
l'information, mais les masses doivent rester dcouples.
4.2.5.Letransformateuralimentetcharg
Plaons le transformateur en situation, c'est dire aliment par une

source affine et charg par un diple rel. Pour la modlisation la plus
simple, on obtient :
Avec:
La rsistance R l'entre du quadriple quivalent exprime le fait que le

transformateur doit soutirer de la puissance la source pour pouvoir en
fournir la charge.
Les puissances mises en jeu dpendent de la charge place en bout du

transformateur :
Par identification de R dans les expressions des puissances entrantes et
sortantes, on obtient une valeur de la rsistance d'entre :
Notons encore que le transformateur, dans ce modle, ne dissipe pas

d'nergie. La rsistance d'entre n'est donc que l'image du transfert de
puissance vers la partie droite du systme.
(Cf. Ex. 5.5 : CALCUL DE LA CHARGE D'UN TRANSFORMATEUR )
4.2.6. Modle de transformateur plus labor
On peut aussi tenir compte, dans la modlisation du transformateur, des

rsistances des bobinages, de leurs inductances parasites :
Ce modle amlior de transformateur peut servir de base la thorie des
moteurs alternatifs, en vertu de la possible modlisation lectrique de
phnomnes mcaniques. Dans ce cas, la rsistance de sortie modlise
des frottements mcaniques, l'inductance de sortie une charge d'inertie
sur l'arbre moteur. On consultera au sujet des moteurs " : Transducteurs
lectromcaniques", [27].
L'analogie lectromcanique nous permet d'exprimer de deux manires

diffrentes les oscillateurs harmoniques, la base de nombreux modles
descriptifs en physique.
(Cf. Ex. 5.6 : CIRCUIT RLC ET OSCILLATEUR MCANIQUE)
4.4. Relation courant-tension : loi d'Ohm gnralise
Nous avons vu que la loi d'Ohm, avec sa relation linaire et statique

courant-tension, permettait de modliser la dissipation de puissance. Les
deux relations courant-tension dynamiques de l'inductance et de la
capacit peuvent-elles trouver une forme proche de cette loi d'Ohm,
puisque des trois lments sont "fondamentaux" ? Nous verrons la leon
suivante qu'au travers de la notion d'impdance, valable en rgime
sinusodal, on peut unifier la notation et les rgles de calculs, pour ces
trois lments.
______________________________________________________
5.EXERCICES
_____________
5.3. Charge d'un circuit RC
5.4. Analogie Kirchhoff-Newton
Soit le dispositif suivant :
L = 1 mH
Calculez et reprsentez u(t) en spcifiant ses valeurs :

t1 = 2 ms, t2 = 4 ms, et t3 = 5ms
Soit le dispositif suivant :

C = 1F.
Calculez et reprsentez u(t) en spcifiant ses valeurs :

t1 = 1 ms, t2 = 2 ms, t3 = 3 ms, et t4 = 4 ms,
avec t = 0, u(0) = 1V.
5.3Charged'uncircuitRC
Soit la cellule RC suivante :
Appliquez les relations de Kirchhoff et les caractristiques tension-charge

des diples, afin d'obtenir l'quation diffrentielle suivante :
Montrez que la solution de cette quation est donne par :

Lorsque l'entre d'un systme varie brusquement, on dit qu'il est soumis
une excitation indicielle. Commentez la reprsentation graphique de la
rponse indicielle :
- Comment varie la tension aux bornes de la

capacit ?
- A quels instants le courant circulant dans

le circuit est le plus grand ?
- Y a-t-il eu transfert d'nergie ?
- Quel est le circuit inductance

quivalent ?
5.4.AnalogieKirchhoffNewton
Nous avons vu prcdemment que la rsistance, la capacit et

l'inductance expriment, pour un systme lectrique, des concepts
relativement proches du frottement, accumulation d'nergie potentielle
dans un ressort, accumulation d'nergie cintique dans une masse, dans
un systme mcanique.
Constatez sur un exemple :
- qu'il y a homologie charge-position et tension-force
- que la loi des mailles correspond la seconde loi de Newton, avec ou

sans approximation quasi statique, selon que l'on introduise ou non
l'inductance/masse. Voir la question des signes.
- qu' une maille lectrique correspond un systme mcanique (celui sur

lequel on dcide d'appliquer la seconde loi de Newton).

Le transformateur aliment et charg
Plaons le transformateur en situation, c'est dire aliment par une

source affine et charg par un diple rel. Pour la modlisation la plus
simple, on obtient:
Avec:
Dans le modle rudimentaire prsent ci-dessus, quelle est la rsistance

de source maximale admissible, telle que l'on assiste une chute de
tension de 10% sur la charge avec ?

L'analogie lectromcanique nous permet d'exprimer de deux manires
diffrentes les oscillateurs harmoniques, la base de nombreux modles
descriptifs en physique.
Effectuez la mise en quations de ces deux systmes du second ordre :
Trouvez, comparez et discutez les expressions des deux coefficients :
______________________________________________________
6.CORRIGS
_____________
Ex. 5.1.Charge d'une inductance
Ex. 5.2. Charge d'une capacit
Ex. 5.3. Charge d'un circuit RC
Ex. 5.4. Analogie Kirchhoff-Newton
Ex. 5.5. Calcul de la charge d'un transformateur
Ex. 5.6. Circuit RLC et oscillateur mcanique
Exercice 5.1 Charge du condensateur courant constant

Pour la self : o reprsente la pente de i(t)
Pour 0<t<2ms
u = 10-3 * 1 =1mV
Pour 2<t<4ms
u = 10-3 * 0 =0V
Pour 4<t<5ms
u = 10-3 * -2 = -2mV
Exercice 5.2 Charge d'un circuit RC

Pour t = 1 ms
Pour t = 2 ms
Pour t = 3 ms
Pour t = 4 ms
Exercice 5.3 Charge d'un circuit RC
- Comment varie la tension aux bornes de la capacit ?

Lors du saut de tension, la capacit se comporte comme un court-circuit.
La tension est donc faible et augmente au cours du temps.
- A quel instants le courant circulant dans le circuit est le plus grand ?

Pendant le flanc. A cet instant la source ne voit que la rsistance R le
courant vaut donc U/R
- Y a-t-il eu transfert d'nergie ?

Pendant la charge, la source donne de l'nergie la capacit (charge) et
la rsistance (dissipation)
Exercice 5.4 : Analogie Kirchhoff-Newton
Voir Exercice 5.6, o le systme choisi est du second ordre.
Exercice 5.5 : calcul de la charge d'un transformateur
La rsistance R vaut:
La rsistance de source a pour effet de constituer un

diviseur de tension d'autant plus grand que Rl est
grand.
Remarquez la sensibilit de la tension en

sortie l'impdance de source.
Exercice 5.6 : circuits oscillants
Circuit lectrique Systme mcanique
de la forme :
On obtient, conformment l'analogie lectromcanique:
On constate l'analogie : charge-position et tension-force
d : coefficient d'amortissement. Augmente avec le frottement ou les

pertes joules
0 : Pulsation propre du systme. Ne dpend que des rservoirs d'nergie

(capacit / self ou masse / ressort)
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro II
______________________________________________________
Leon III : LE REGIME
SINUSODAL
Le but de cette leon est de prsenter quelques rudiments sur les signaux
priodiques et de donner comprendre la notion d'impdance en
lectrotechnique.
Il est prsent des notations et des proprits de signaux lectriques. On
s'intresse dans ce cours des signaux de nature dterministe, reportant
une introduction au traitement de signal la question des signaux de
nature alatoire. On rappelle les grandeurs dfinies et mesurables sur un
signal priodique : sa frquence, son amplitude, sa valeur efficace, sa
valeur moyenne.
On dfinit aussi le concept de puissance instantane et celui, plus utilis,
de puissance moyenne. La connaissance de la puissance fournie ou
consomme par un diple est importante, tant sur le plan du bilan
nergtique qui peut servir vrifier des calculs que sur le plan
strictement physique o l'nergie thermique cre dans un diple doit tre
vacue d'une manire ou d'une autre vers l'extrieur.
Le rgime sinusodal est d'une grande importance en lectricit, comme
en technique en gnral (voir la leon consacre l'analyse frquentielle).
On dfinit les outils et grandeurs classiques: valeurs efficace et moyenne,
amplitude, frquence, puissances active et ractive, notation de Fresnel,
impdance d'un diple, gain et attnuation en dcibel.
On montre aussi le problme de l'association de diples, qui est de trouver
des diples quivalents des ensembles de diples monts en srie ou en
parallle. Du moment que les caractristiques des diples se rsument
leur relation tension-courant, les lois de Kirchhoff expriment que les
courants se somment en parallle et que les tensions se somment en
srie. Si la caractristique d'un diple est statique et non-linaire, on peut
appliquer facilement ces rgles pour construire la caractristique statique
du diple quivalent. Le cas linaire et dynamique des impdances est
celui qui revient trs frquemment : les impdances se somment en srie,
et l'inverse de l'impdance quivalente est la somme des inverses des
impdances montes en parallle.
______________________________________________________
PLANDELALEONIII
1. Caractristiques de signaux priodiques 2. Puissance d'un diple
1.1. Amplitude du signal 2.1. Puissance instantane
1.2. Frquence du signal 2.2. Exemple et convention de signe
1.3. Valeur crte--crte (peak-to-peak : ptp) 2.3. Puissance moyenne
1.4. Valeur moyenne (average, mean)
1.5. Valeur efficace (root mean square : RMS )
3. Rgime sinusodal 4. Associations d'impdances
3.1. Grandeurs typiques en rgime sinusodal 4.1. Cas gnral d'association de diples
3.2. Puissances actives et ractives 4.2. Association de diples non linaires (caractristique
3.3. Notation de Fresnel statique)
3.4. Exemple : circuit RC en rgime sinusodal 4.3. Association de diples linaires
3.5. La notion d'impdance
3.6. Gain, attnuation et dcibels
5.1. Caractristiques du signal priodique
triangulaire
5.2. Inductance en rgime sinusodal
5.3. Valeur efficace d'une tension sinusodale
5.4. Facteur de forme
5.5. Puissance ractive
5.6. Impdances des lments de base
5.7. Modle d'une bobine
5.8. Modle d'un condensateur
5.9. Bande passante
5.10. Calculs d'impdances
5.11. Reprsentation d'impdance
5.12. Gnrateur impdance de sortie capacitive
5.13. Ligne de transmission
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.CARACTERISTIQUESDESIGNAUXPERIODIQUES
_____________
1.1. Amplitude du signal
1.2. Frquence du signal
1.3. Valeur crte--crte (peak-to-peak : ptp)
1.4. Valeur moyenne (average, mean)
1.5. Valeur efficace (root mean square : RMS )
Soit un signal priodique.
On dfinit les grandeurs suivantes: l'amplitude, la frquence, la valeur

crte--crte, la valeur moyenne, la valeur efficace.
1.1.Amplitudedusignal
Elle peut tre dfinie crte crte ou bien en valeur absolue
1.2.Frquencedusignal
La frquence est l'inverse de la priode :

1.3.Valeurcrtecrte(peaktopeak:ptp)
Selon dessin
1.4.Valeurmoyenne(average,mean)
La valeur moyenne est donne par :
Cette valeur moyenne est aussi appele "niveau continu" ou "niveau DC"
en lectronique ; l'autre composante du signal est qualifie d'alternative.
1.5.Valeurefficace(rootmeansquare:RMS)
La valeur efficace est donne par :
Cette valeur efficace correspond au niveau d'un signal continu qui

produirait la mme dissipation par effet Joule. Par exemple, si on devait
calculer la dissipation thermique d'un lment sous l'effet d'un signal, la
valeur efficace de ce dernier serait la valeur la plus utile.
(Cf. Ex. 5.1 : CARACTRISTIQUES DU SIGNAL PRIODIQUE TRIANGULAIRE )
______________________________________________________
2.PUISSANCED'UNDIPOLE
_____________
2.1. Puissance instantane
2.2. Exemple et convention de signe
2.3. Puissance moyenne
2.1.Puissanceinstantane
Nous avons vu prcdemment l'analogie lectromcanique, faisant
correspondre tension force et courant vitesse. L'analogie peut donc se
poursuivre dans l'expression de la puissance instantane :
Remarquons que cette puissance lectrique est la puissance mcanique

dvelopper pour dplacer une charge dans un champ lectrostatique,
une vitesse donne.
2.2.Exempleetconventiondesigne
Une source dbite dans un rcepteur ohmique ; la puissance fournie par la
source est ngative. Pour le rcepteur ohmique dont on a vu que sa
caractristique est de consommer de la puissance, le signe correspondant
de la puissance est positif.
On a pour la source :
et pour la charge :
2.3. Puissance moyenne

Un lment rsistif dissipe toujours de la puissance : c'est sa
caractristique. Alors on a toujours une expression positive de la
puissance. Mais pour des lments non-consommateurs comme
l'inductance par exemple, la puissance est parfois positive (l'inductance se
charge en courant, donc soutire de l'nergie au circuit), parfois ngative
(l'inductance restitue de l'nergie au circuit lectrique).
Ce qui exprime la consommation ou non de puissance n'est donc pas sa
valeur instantane, mais sa valeur moyenne.
L'expression de la puissance moyenne est donne en toute gnralit par :
(Cf. Ex. 5.2 : INDUCTANCE EN RGIME SINUSODAL )

______________________________________________________
3.REGIMESINUSOIDAL
_____________
3.1. Grandeurs typiques en rgime sinusodal
3.2. Puissances actives et ractives
3.3. Notation de Fresnel
3.4. Exemple : circuit RC en rgime sinusodal
Une des caractristiques des systmes linaires est de conserver la forme
des signaux sinusodaux. Pour un tel systme, on peut donc parler de
rgime sinusodal.
3.1. Grandeurs typiques en rgime sinusodal
Pour un signal sinusodal exprim, par :
on a :
amplitude
frquence
crte crte
valeur moyenne
valeur efficace
( Cf. Ex. 5.3 : VALEUR EFFICACE D'UNE TENSION Sinusodale )

( Cf. Ex. 5.4 : FACTEUR DE FORME )
3.2. Puissances actives et ractives

Dans le cas o un rcepteur consomme une puissance (moyenne), on
parle de puissance active, c'est le cas de la rsistance. L'nergie entre
dans le systme sous forme lectrique, et en sort sous forme de pertes
ohmiques. Notons que si le schma lectrique reprsente aussi en partie
un systme mcanique, la perte ohmique peut signifier des frottements
visqueux, comme indiqu prcdemment.
Dans le cas o l'on a une puissance moyenne nulle mais une puissance
instantane non nulle, on dit que la puissance est ractive, c'est le cas des
inductances et capacits, des bobines et condensateurs de bonne qualit.
L'nergie circule dans le circuit et se fait momentanment stocker (sous
forme magntique respectivement lectrique pour l'inductance et la
capacit). Le rcepteur ne consomme pas proprement parler de
l'nergie, mais cette fluctuation de courant cre des pertes dans les lignes
de transmission.
( Cf. Ex. 5.5 : PUISSANCE RACTIVE)
3.3. Notation de Fresnel
En rgime sinusodal, les courants et tensions sont des sinusodes
dphases l'une par rapport l'autre, et ayant chacune leur amplitude.
On reprsente les courants et tensions d'un diple par des vecteurs dits de
Fresnel, o l'information de frquence est laisse de ct.
Vecteurs de Fresnel :
On ne garde dans cette reprsentation que la valeur efficace, image de
l'amplitude et de dphasage entre courant et tension.
Ainsi, la puissance active devient le produit scalaire des deux vecteurs :
Le dphasage entre courant et tension d'un quart de tour correspond en

rgime sinusodal, la relation de drivation ou d'intgration existant
entre ces grandeurs pour la capacit et l'inductance. Remarquons encore
que dans cette notation, l'application des lois de Kirchhoff revient fermer
les polygones des tensions et courants.
3.4. Exemple : circuit RC en rgime sinusodal

Circuit RC en rgime sinusodal :
On constate que courant et tension sont parallles dans la rsistance, et

perpendiculaires dans la capacit. La notion d'impdance, qui est aborde
plus loin, permet de faire des calculs qui peuvent tre complmentaires
d'une mthode graphique de ce type. La reprsentation de Fresnel permet
de "visualiser" une partie du comportement d'un systme linaire en
rgime sinusodal (dit aussi rgime harmonique)
3.5.1.Justificationthorique
La reprsentation vectorielle des relations courant-tension en rgime
sinusodal est une manire de ne garder du signal qu'un dphasage et une
amplitude. Ce rsultat peut aussi tre obtenu grce l'utilisation de
nombres complexes:
Le signal :
devient, en notation complexe :
La notation complexe permet d'exprimer la relation courant-tension en

rgime sinusodal, grce la notion d'impdance :
Cette relation prend la mme forme linaire que la loi d'ohm. L'utilisation
de ces nombres complexes en rgime sinusodal permet de traiter dans le
mme langage les effets rsistifs, capacitifs et inductifs. (Voir l'exercice
5.6).
3.5.2.Impdancedestroislmentspassifsdebase
Caractristique Relation i-u: Impdance
Rsistance
Inductance
Capacit
( Cf. Ex. 5.6 : IMPDANCES DES LMENTS DE BASE )

3.5.3.Impdanced'unebobine
On peut modliser le comportement linaire d'une bobine auto inductive
de la sorte :
La rsistance reprsente les pertes par effet Joule, l'inductance la

composante auto inductive, la capacit les effets d'accumulation de
charges.
( Cf. Ex. 5.7 : Modle D'UNE BOBINE )
3.5.4.Impdanced'uncondensateur
On modlise souvent un condensateur en tenant compte de ses pertes
ohmiques :
Ces pertes sont reprsentes, en mode frquentiel, par un angle de pertes

d'autant plus petit qu'elles sont faibles :
( Cf. Ex. 5.8 : Modle D'UN CONDENSATEUR )

Il arrive frquemment, notamment lors d'analyses harmoniques (voir la
leon consacre l'analyse frquentielle), que l'on veuille exprimer le gain
d'un systme en dcibels. Que cela signifie-t-il ?
3.6.1.Gain
Le gain en gnral est dfini comme le rapport de la grandeur de sortie
sur celle d'entre:
3.6.2.Gainenpuissance
Le gain en puissance d'un systme peut tre exprim en logarithme et
l'unit est alors le Bel ou le dcibel :
Comme en lectronique on travaille souvent directement en tension ou

courant, il faut encore voir qu'une puissance lectrique est donne par le
carr de ces grandeurs. Il en rsulte :
3.6.3.Exempled'unfiltrepassebande
Un filtre lectronique prsente la proprit d'avoir un gain en tension
variable en frquence :
La rgion en frquence dlimite par une chute de gain infrieure 3 dB

est appele bande passante.
( Cf. Ex. 5.9 : BANDE PASSANTE )
( Cf. Ex. 5.10 : CALCULS D'IMPDANCES )
______________________________________________________
4.ASSOCIATIONSD'IMPEDANCES
_____________
4.1. Cas gnral d'association de diples
4.2. Association de diples non linaires (caractristique statique)
4.3. Association de diples linaires
4.1. Cas gnral d'association de diples
Des deux relations de Kirchhoff, on dduit immdiatement les rgles
d'association des diples :
4.1.1.Associationenparallle
4.1.2.Associationensrie
4.2. Association de diples non linaires (caractristique statique)
Soit une diode mise en parallle une rsistance. Le diple rsultant est
galement non-linaire, et on peut aisment reconstituer sa
caractristique statique en sommant les courants.
4.3. Association de diples linaires

4.3.1.Impdancespourlesdipleslinaires
Dans le cas plus standard des diples linaires, on a pour leurs
impdances :
4.3.2.Casdestroisdiplespassifsdebase:
( Cf. Ex. 5.11 : REPRSENTATION D'IMPDANCE )

( Cf. Ex. 5.12 : GNRATEUR IMPDANCE DE SORTIE CAPACITIVE )
( Cf. Ex. 5.13 : LIGNE DE TRANSMISSION )
______________________________________________________
5. EXERCICES
_____________
5.1. Caractristiques du signal priodique triangulaire
5.9. Bande passante
5.1.Caractristiquesdusignalpriodiquetriangulaire

Calculez et discutez en fonction de l'amplitude et de la frquence les
caractristiques de ce signal priodique :
5.2.Inductanceenrgimesinusodal

Exprimez le courant, la tension et la puissance dans une inductance
soumise au rgime sinusodal.
Laquelle des puissances instantane ou moyenne fluctue ? A quoi cela
correspond-il ?
5.3.Valeurefficaced'unetensionsinusodale

Vrifiez l'expression de la valeur efficace d'une tension sinusodale, en
partant de la dfinition mathmatique applique au cas sinusodal.
5.4.Facteurdeforme

Donnez l'expression de la valeur moyenne d'un signal sinusodal redress.
En supposant qu'un voltmtre redresse un signal et mesure sa valeur
moyenne, quel est le facteur introduire pour que son affichage indique
une valeur efficace ?
Que se passe-t-il si le signal introduit n'est pas sinusodal ?
5.5.Puissanceractive
Une charge lectrique complique est modlise par une inductance, ce

qui implique que la puissance de cette dernire sera strictement ractive.
La ligne de transfert entre la source et la charge est modlise en
premire approche par une rsistance, image de pertes thermiques.
- Dessinez le schma-bloc correspondant : source-ligne-rcepteur.
- Dessinez le circuit lectrique li au modle nonc.
- Exprimez les puissances en jeu. Sont-elles actives, ractives ?
- Quelles conclusions peut-on en tirer ?
5.6.Impdancesdeslmentsdebase

Reconstituez le tableau des impdances rsistives, capacitives et
inductives :
Caractristique Relation i-u: Impdance
Rsistance
Inductance
Capacit
5.7.Modled'unebobine

On modlise parfois une bobine relle par une inductance pour son effet
auto inductif, une rsistance pour la dissipation par effet Joules dans le
bobinage et une capacit pour l'accumulation de charges par influence
entre fils :
Quelques donnes:
Frquence : 100 KHz
Tension de crte : 15
V
Coefficient L=1.5
mH
Capacit C=300 pF
Quel est le courant demand la source par cette charge ?
Quelle est l'importance (% impdance) de l'effet capacitif cette
frquence ?
5.8.Modled'uncondensateur

Un condensateur de C=100 nF est spcifi par le fabricant comme ayant
un angle de pertes : delta = 1.5 o une frquence de 100 KHz.
Dessinez l'chelle le diagramme de Fresnel.

A quelle rsistance en parallle la capacit cette spcification
correspond-elle ?
5.9.Bandepassante

Un filtre lectronique prsente la proprit d'avoir un gain en tension
variable en frquence :
La rgion en frquence dlimite par une chute de gain infrieure 3 dB
est appele bande passante.
Que reprsente -3 dB en terme de puissance transmise ?

Donnez l'impdance du diple droite, pour les frquences suivantes :
100 KHz, 10 KHz et 1 KHz
On spcifie :
Coefficient L=1.5 mH
Capacit C=300 pF
Rsistance R=15 ohm

Reprsentez l'amplitude et la phase de l'impdance suivante, en fonction
de la frquence, exprime en chelle logarithmique :
On a les valeurs suivantes : C=100 nF ; R = 10K

5.12.Gnrateurimpdancedesortiecapacitive

Soit un gnrateur de tension, impdance de sortie capacitive. Il est
charg avec une charge ohmique, selon le schma suivant:
On a :
Quelle est l'influence de la capacit parasite sur la tension de sortie, une

frquence de 100 KHz pour une tension d'entre sinusodale ?
5.13.Lignedetransmission

On peut modliser une ligne de transmission (cble) par :
Discutez les cas limites : hautes frquences, basses frquences.
Explicitez l'impdance en fonction de la frquence, vue par la source de
tension.
Quand peut-on ngliger dans le modle la capacit et l'inductance ?
______________________________________________________

_____________
6.1. Caractristiques du signal priodique triangulaire

6.9. Bande passante
Exercice 5.1 : signal triangulaire
- Frquence:
- Amplitude est donne
par la valeur de crte du signal.
- Valeur crte--crte:
- Valeur moyenne:
- Valeur efficace:
Toutes les tensions prennent des valeurs indpendantes de la frquence

du signal.
Exercice 5.2 : Inductance en rgime sinusodal
Courant :
Tension :
Puissance :
La puissance instantane fluctue. La puissance moyenne est nulle qui
indique que les pertes joules sont nulles. La puissance consomme par la
self est purement ractive.
Exercice 5.3 :Valeur efficace d'une tension sinusodale
Soit :
Exercice 5.4 : facteur de forme

- Signal sinusodal redress :
- Valeur moyenne
C=
Le calcul du facteur de forme est dpendant de la forme du signal.(voir
TP2 pour plus de dtails)
Exercice 5.5 : puissance ractive

Le calcul du courant ne pose aucun problme. Par les impdances on
trouve :
Puissance dissipe par le gnrateur : Rg I2 (acitve)

Puissance dissipe par la ligne : Rl I2 (acitve)
Puissance de l'inductance :
Puissance instantane : (ractive)

Puissance moyenne : Plmoy = 0
La self ne consomme pas d'nergie mais le courant ractif est responsable
de pertes en ligne. On a donc intrt minimiser le courant ractif.
C'est un problme d'lectronique de puissance : il faut essayer d'annuler
la composante ractive le la charge et ceci peut se faire au moyen de
condensateurs.
Exercice 5.6 : Impdances des lments de base

Caractristique courant-tension de la capacit :
Soit une tension

donc un courant
On passe en complexe :
On exprime le rapport pour trouver l'impdance et on constate que les ej t
disparaissent :
On introduit les nombres complexes :

Et on obtient :
Exercice 5.7: Modle d'une bobine

Quelques donnes:
Frquence : 100 KHz
Tension de crte : 15 V
Coefficient L=1.5 mH
Capacit C=300 pF
Rsistance R=15 ohm
Le module de son
impdance est
donn par:
Impdance:
Tension efficace:
Courant efficace 9.3 mA

avec capacit:
Courant efficace 11.3 mA

sans capacit:
On assiste une variation d'impdance de 18 %, en terme de module.
L'effet de la capacit est visualisable en reprsentant les vecteurs de
Fresnel du systme: comme l'inductance dphase le courant par rapport
la tension, la capacit induit un dphasage oppos ayant pour rsultat de
compenser un peu de dphasage inductif.
Exercice 5.8: modle d'un condensateur

Un condensateur de C=100 nF est spcifi par le fabricant comme ayant
un angle de pertes : une frquence de 100 KHz.
On a, pour l'expression de l'angle de pertes:
Comme R et C sont en parallle :
Exercice 5.9 : Bande Passante
Le gain en dB est dfini en puissance (Cf. cours)

GdB = 10 log Po/Pi
Comme la tension va comme le carr de la puissance :
Si Gu = -3dB alors Po/Pi =

La bande passante d'un systme est donc dfinie par les point o la moiti
de la puissance est transmise.
Exercice 5.10 : Calculs d'impdances

On calcule l'impdance quivalente :
Tous calculs faits on trouve pour le module :

f [kHz]
[ ]
0 15
1 17.5
10 95.5
100 1145
1000 562
10000 53
: Capacit = circuit ouvert

Inductance = court-circuit
: Capacit = court-circuit
Inductance = circuit ouvert
Exercice 5.11 : Reprsentation d'impdance

On calcule l'impdance quivalente :
Module de :
Argument de :
Exercice 5.12: gnrateur impdance de sortie capacitive

La tension de sortie est donne par le diviseur de tensions :
Ce qui nous donne en module :

Pour f = 100kHz
Pour f = 0Hz
Conclusion : La capacit a un effet ngligeable cette frquence.
On peut chercher le point pour lequel ZC = 10R
( 1.6MHz l'impdance de la capacit vaut

10 fois celle de la rsistance et on peut commencer en tenir compte).
Exercice 5.13 : ligne de transmission

- A basse frquence, la self se comporte comme un court-circuit, et la
capacit comme un circuit ouvert. Dans ce cas on peut les ngliger et
l'ensemble se comporte comme un simple diviseur de tension
rsistances.
- A haute frquence, le signal ne passe plus car la capacit est un court-
circuit et la self un circuit ouvert.
La source voit le diple suivant :
Impdance quivalente :
C'est basse frquence que l'on peut ngliger les effets

de la
capacit et de l'inductance.
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FIN DE LA LECON Numro III
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Leon IV : L'ANALYSE FRQUENTIELLE

On peut diviser l'analyse de systmes linaires en deux grandes classes:

l'analyse temporelle o l'on observe le comportement du systme en
fonction du temps, et l'analyse frquentielle o la variable de contrle est
la frquence. Le but de cette leon est d'introduire cette dernire
approche.
Pour les systmes linaires, l'analyse frquentielle permet de connatre la

rponse du systme une excitation sinusodale, diffrentes frquences.
Dans cette leon, on montre la prsentation courante de ces rsultats : les
diagrammes de Bode. Ces diagrammes peuvent tre raliss
exprimentalement ou partir d'un calcul thorique. On tudie ainsi deux
circuits trs rpandus : les filtres RC passe-haut et passe-bas qui sont les
filtres lectroniques les plus rudimentaires.
______________________________________________________
PLANDELALEONIV
1. Analyse frquentielle exprimentale 2. Analyse frquentielle l'aide des nombres complexes
1.1. Dfinition de l'analyse harmonique exprimentale 2.1. Exemple typique : le circuit RC passe-bas
2.2. Exemple typique : circuit RC passe-haut
1.2. Diagrammes de Bode
1.3. Ordre du systme et pente du gain
1.4. Exemple de diagramme de Bode
3. Remarques gnrales 4. Exercices / 5. Corriges
3.1. Analyse frquentielle par Fourier 4.1. Lecture d'un diagramme de Bode
3.2. Simulation et analogie mcanique 4.2. Analyse harmonique de circuits RL
3.3. Remarque : les filtres lectroniques 4.3. Circuit RC en situation relle
4.6. Fonctions de transfert
4.7. Analyse harmonique
4.8. Diagramme de Bode
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.ANALYSEFREQUENTIELLEEXPERIMENTALE
_____________
1.1. Dfinition de l'analyse harmonique exprimentale
1.3. Ordre du systme et pente du gain
1.4. Exemple de diagramme de Bode
1.1.Dfinition:analyseharmoniqueexprimentale
A titre didactique ou rellement exprimental, on peut effectuer une

analyse harmonique partielle d'un systme. Le principe est le suivant :
- On impose en entre du systme tudier une tension sinusodale, une

frquence fixe.
- On attend un certain temps que le rgime soit stabilis. On appelle cela
le rgime sinusodal tabli. (Pour plus de dtails ce sujet, voir la leon
suivante).
- On relve le gain en amplitude et le dphasage du systme.
- On recommence l'opration pour une large plage de frquences (ou de

pulsation).
Le rsultat de ce type de mesure est un ensemble de deux graphes : gain-

pulsation et dphasage-pulsation. On parle de diagramme de Bode
lorsqu'on en fait une reprsentation en chelle logarithmique pour les
pulsations.
1.2.DiagrammesdeBode
La reprsentation courante en lectronique est donne sous forme de
diagrammes de Bode, o l'on montre l'volution du gain en dcibels et du
dphasage en fonction de la pulsation de travail, place elle aussi en
chelle logarithmique.
Exemple de diagramme de Bode en amplitude :
Exemple de diagramme de Bode en phase :
1.3.Ordredusystmeetpentedugain
On peut reconnatre l'ordre du systme la pente du gain : un systme du

premier ordre se comporte asymptotiquement avec un affaiblissement de
6 dcibels par octave, ou 20 dcibels par dcade. En gnral, n fois 6 dB
pour un systme du nime ordre.
Rappelons qu'une octave correspond un doublement de frquence, une

dcade une multiplication par dix.
L'expression des pulsations en chelles logarithmiques permet donc de

faire apparatre cette proprit qui par ailleurs sert schmatiser des
diagrammes de Bode :
Par exemple, si on considre le diagramme asymptotique suivant :

on peut conclure que le systme est du second ordre, avec deux ples
simples :
(Cf. Ex. 4.1 : LECTURE D'UN DIAGRAMME DE BODE )
1.4.ExempledediagrammedeBode
Une analyse harmonique exprimentale permet d'obtenir ce type de

diagrammes de Bode : (se rfrer aux travaux pratiques de laboratoire)
______________________________________________________
2.ANALYSEFREQUENTIELLEAL'AIDEDES
NOMBRESCOMPLEXES
_____________
2.1. Exemple typique : le circuit RC passe-bas
2.2. Exemple typique : circuit RC passe-haut
Nous avons dj vu qu'en rgime sinusodal, on peut reprsenter les

signaux par des vecteurs ou des nombres complexes. Comme l'analyse
harmonique d'un systme linaire se fait en rgime sinusodal tabli (voir
cours suivant), l'utilisation de nombres complexes (pour l'entre, la sortie
et le gain) est adquate.
Dans cette approche, le module du gain complexe reprsente le gain en

amplitude et sa phase, le dphasage introduit par le systme :
2.1.Exempletypique:lecircuitRCpassebas
Soit le circuit RC suivant, dit "passe-bas" :
Le gain complexe de ce circuit est donn par :

On obtient, pour les diagrammes de Bode :
Le gain en amplitude est dduit du module :
Le dphasage est dduit de l'argument :
2.2.Exempletypique:circuitRCpassehaut
Soit le circuit RC suivant, dit "passe-haut" :

Son gain complexe est donn par :
On obtient, pour ses diagrammes de Bode :
Son gain, dduit du module :
Son dphasage, dduit de l'argument :
(Cf. Ex. 4.2 : ANALYSE HARMONIQUE DE CIRCUITS RL )

(Cf. Ex. 4.3 : CIRCUIT RC EN SITUATION RELLE )
(Cf. Ex. 4.4 : DIAGRAMME DE BODE )
(Cf. Ex. 4.6 : FONCTIONS DE TRANSFERT )
(Cf. Ex. 4.7 : ANALYSE HARMONIQUE )
(Cf. Ex. 4.10 : ANALYSE HARMONIQUE )
______________________________________________________
3.REMARQUESGENERALES
_____________
3.1. Analyse frquentielle par Fourier
3.2. Simulation et analogie mcanique
3.3. Remarque : les filtres lectroniques
3.1.AnalysefrquentielleparFourier
De ce qui prcde, on note simplement qu'il est possible de caractriser

un systme linaire en rgime sinusodal par un nombre complexe
dpendant de la frquence : le gain complexe. Ce que nous aborderons
dans la leon consacre l'analyse de Fourier, c'est qu'il existe une
transformation linaire, la transformation de Fourier, permettant de
caractriser le systme linaire dans des espaces frquentiels, quel que
soit son rgime de travail, sinusodal ou non. Cette caractrisation est
donc aussi valable en particulier pour le rgime harmonique. Cette
transformation de Fourier permet d'aborder la question du traitement de
signal en lectronique. (Voir leon VI)
3.2.Simulationetanalogiemcanique
Comme nous savons qu'un circuit lectronique RLC par exemple peut
reprsenter un systme mcanique, il est ais de voir qu'il est possible (et
cela se faisait il y a quelques annes encore) de faire des simulations
lectroniques de gros systmes mcaniques comme des turbines,
systmes automatiques, procds chimiques etc. ... De nos jours,
l'ordinateur permet d'effectuer ces oprations numriquement, avec une
particulire efficacit pour les systmes linaires. Paralllement, les
systmes lectroniques se sont alourdis, et on recourt aussi des logiciels
de conception et simulation pour l'lectronique. Dans ces logiciels, il est
clair que l'analyse harmonique est une fonction de base. Deux mini-projets
sont prvus sur un outil de ce type, un la fin de chaque semestre (voir le
programme du semestre, distribu en classe).
3.3.Remarque:lesfiltreslectroniques
Nous avons dj voqu le problme du filtrage. Sous une forme ou sous

une autre, ces questions se retrouvent dans toutes les disciplines de
l'ingnierie, que ce soit titre de sous-systme raliser (par exemple un
filtre passe-bande pour les systmes audio), de systmes matriser (les
questions de vibrations en mcanique par exemple, ou d'immunit au
bruit de circuits lectroniques) ou de sous-systmes "parasites" qu'on
cherche connatre (par exemple, la cellule RC modlisant une courte
ligne de transmission). En lectricit, le filtrage peut tre analogique ou
informatique. (Voir "Filtres lectriques, [23] et "Traitement numrique des
signaux", [24])
Remarque
Le circuit RLC tait utilis dans les rcepteurs radio comme un filtre passe-
bande, avec slection de la frquence par ajustement de la valeur de la
capacit (tuning).
On a les diagrammes de Bode (chelle linaire) correspondant :
______________________________________________________
4.EXERCICES
_____________
4.1. Lecture d'un diagramme de Bode
4.2. Analyse harmonique de circuits RL
4.3. Circuit RC en situation relle
4.6. Fonctions de transfert
4.1.Lectured'undiagrammedeBode
Soit le diagramme en amplitude, provenant d'une analyse exprimentale :
On postule un systme du second ordre, avec deux ples simples :
- Placez sur le diagramme ci-dessus.

On introduit dans le systme correspondant au diagramme exprimental
prcdent, un signal carr de 20 Khz.
- Est-il raliste de s'attendre un affaiblissement de 50 % de l'amplitude

de la premire harmonique (composante 40KHz), par rapport la
fondamentale (composante 20 KHz) ? (On lit sur le
relev : )
4.2. Analyse harmonique de circuits RL
Reprsentez et analysez harmoniquement les circuits RL passe-haut et

passe-bas.
4.3.CircuitRCensituationrelle
Un circuit RC passe-bas est insr dans un systme qu'on modlise par

une source affine et une charge rsistive. L'ensemble donne le schma
suivant :
La rsistance sert modliser la rsistance de sortie de la source de

tension. La rsistance est la rsistance de charge du circuit ; elle
pourrait par exemple servir modliser l'effet de charge de l'oscilloscope
d'observation. La cellule "RC" pourrait modliser une courte ligne de
transmission, en ngligeant les effets inductifs.
- Exprimez sa constante de temps et son gain statique.
- Effectuez une analyse harmonique du quadriple global, incluant charge

et source.
- Quelles sont les conditions sur les valeurs pour qu'on puisse se ramener
la cellule RC de base, en ngligeant charge et source ?
Tracer le diagramme de Bode (en amplitude) de la fonction de transfert

suivante :
a) Factoriser la fonction de transfert suivante:
b) Tracer le diagramme de Bode (en amplitude)
4.6.Fonctionsdetransfert
Dterminer les fonctions de transfert correspondant aux diagrammes de

Bode suivants :
a)
b)
4.7.Analyseharmonique
On propose le circuit ci-dessous :
C1 = 100nF C2 = 900 nF R = 1 K
a) Calculer la fonction de transfert H(j) = v2/v1
b) Tracer les diagrammes de Bode en amplitude et en phase
4.8.DiagrammedeBode
Reprsenter dans un diagramme de Bode l'amplitude et la phase de la

fonction de transfert H(j) = pour les deux circuits suivants :
a) b)
avec dans les deux cas R1 = 999R2 .
Indiquer la valeur analytique de l'amplitude, de la phase et de la pulsation

aux points de brisure.
4.9.Analyseharmonique
On donne le circuit suivant avec une source de tension continue V1 et une

source de tension alternative v2(t) sinusodale.
V1 = 10 V
v2 = 2sin(wt)
[V]
R01 = R02 = 50

R1 = 3 k
R2 = 2 k
R3 = 2 k
RL = 100 k
1) Etablir le schma quivalent en continu et dterminer la composante

continue du potentiel aux nuds A, B, C et D.
2) Etablir le schma quivalent en alternatif des frquences assez

hautes pour que les capacits puissent tre remplaces par des courts-
circuits. Dterminer la composante alternative du potentiel aux nuds A,
B, C et D.
______________________________________________________
5.CORRIGS
_____________
Ex. 4.1. Lecture d'un diagramme de Bode
Ex. 4.2. Analyse harmonique de circuits RL
Ex. 4.3. Circuit RC en situation relle
Ex. 4.4. Diagrammes de Bode
Ex. 4.5. Diagrammes de Bode
Ex. 4.6. Fonctions de transfert
Ex. 4.7. Analyse harmonique
Ex. 4.8. Diagramme de Bode
Ex. 4.9. Analyse harmonique
Exercice 4.1. Lecture d'un diagramme de Bode
Soit le diagramme en amplitude, provenant d'une analyse exprimentale:
On postule un systme du second ordre, avec deux ples simples :

- Placez sur le diagramme ci-dessus.
On introduit dans le systme correspondant au diagramme exprimental

prcdent, un signal carr de 20 kHz .
- Est-il raliste de s'attendre un affaiblissement de 50 % de l'amplitude

de la premire harmonique (composante 40KHz), par rapport la
fondamentale (composante 20 kHz) ? (on lit sur le
relev : )
Harmonique frquence pulsation

1 20kHz 125600 s-1 >> 2
2 40kHz 251200 s-1 >> 2
La fondamentale et la 1re harmonique se trouvent dans la rgion -40dB

par dcade de pente.
On a donc :
La premire harmonique est affaiblie de 75% par rapport la

fondamentale.
Exercice 4.2 : Analyse harmonique de circuits RL
Circuit RL passe-haut :
avec :
Circuit RL passe-bas :
avec :
Lanalyse des 2 fonctions de transfert est identique celles effectues au

point 2 de la leon IV.
Exercice 4.3 : CircuitRCensituationrelle
Un circuit RC passe-bas est insr dans un systme qu'on modlise par

une source affine et une charge rsistive. L'ensemble donne le shma
suivant:
Fonction de transfert :
avec :
que lon peut reprsenter, aprs mise en
forme :
On identifie : gain du quadriple f=0
constante de temps du systme
Lanalyse harmonique est celle dun circuit de 1er ordre standard (voir les
travaux pratiques TP3)
Il suffit que : Ri = 0 Pour que ces 2 rsistances ninfluencent pas le

comportement
Rl = de la cellule RC.
Exercice4.4:DiagrammesdeBode
Tracer le diagramme de Bode (en amplitude) de la fonction de transfert

suivante:
Exercice4.5:DiagrammesdeBode
a) Factoriser la fonction de transfert suivante:
= =
b) Tracer le diagramme de Bode (en amplitude)

Exercice4.6:Fonctionsdetransfert
DterminerlesfonctionsdetransfertcorrespondantauxdiagrammesdeBodesuivants:
a)
b)
a) H1(j) =
b) H2(j) = 1/H1(j)
Exercice4.7:AnalyseHarmonique
On propose le circuit ci-dessous :
C1 = 100nF C2 = 900 nF R = 1k
a) Calcul de la fonction de transfert H(j) = v2/v1
Aprs simplification on trouve H(j) =
2 = 1/RC1 = 104 rad/s et 1 = 1/R(C1+ C2) = 103 rad/s
Diagrammes de Bode en amplitude et en phase

Exercice 4.8 : Diagramme de Bode
Lexpression de la fonction de transfert du circuit a) est :
avec 1 = 2 = = 10001
(ple) (zro)
Le diagramme de Bode est le suivant:

Lexpression de la fonction de transfert du circuit b) est :
avec 1 = 2 = = 10001
(ple) (zro)
Le diagramme de Bode est le suivant:

Exercice 4.9 : Analyse Harmonique
1) Composante continue.
Pour tablir le schma quivalent en continu: on remplace les capacits

par des circuits ouverts. De plus, la composante continue de v2 tant nulle
cette source est remplace par un court-circuit.
2) Composante alternative.
Pour tablir le schma quivalent pour les signaux alternatifs on remplace

les capacits et les sources de tension continues par des courts-circuits.
vBeff = 1.36 Veff
vCeff = 22.3 mVeff
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro IV
______________________________________________________
Leon V: L'ANALYSE
TEMPORELLE
Comme signal dans l'introduction la leon IV, l'analyse temporelle

reprsente l'autre possibilit trs utilise pour dcrire le comportement
des systmes linaires, aux cts de l'analyse frquentielle. Le but de
cette leon est de prsenter les notions de rgimes transitoire, permanent,
forc et libre, ainsi que d'introduire au calcul oprationnel.
On prsente d'abord la distinction classique entre rgime transitoire et

rgime tabli. Pour un systme stable, le rgime commence par tre
transitoire pendant un temps dpendant de ses caractristiques, puis
passe dans un rgime tabli.
Comme l'analyse harmonique se fait toujours en rgime tabli, on utilise
l'analyse temporelle avec des signaux non-sinusodaux pour tudier les
rgimes transitoires.
On distingue ensuite le rgime libre - correspondant l'volution du
systme sans excitation, laiss ses conditions initiales -, du rgime forc,
comme rponse spcifique du systme son excitation.
On introduit enfin la transformation de Laplace, qui est un outil souvent
utilis pour tudier les rgimes transitoires, car il permet de rsoudre
facilement les quations diffrentielles linaires coefficients constants.
______________________________________________________
PLANDELALEONV
1. Rgime transitoire et rgime permanent 2. Rgime libre et rgime forc
1.1. Dfinition 2.1. Dfinition
1.2. Exemple : Circuit RC 2.2. Exemple du circuit RC
2.3. Remarques sur les diffrents rgimes
3. Calcul oprationnel : la transformation de Laplace 4. Exercices / 5. Corrigs
3.1. Transformation de Laplace 4.1. Temps d'tablissement du premier ordre
3.2. Langage 4.2. circuit du second ordre
3.3. Quelques proprits 4.3. Exemple : Circuit RC passe-bas
3.4. Fonction de transfert complexe 4.4. Rponse indicielle
3.5. Exemple : Circuit RC passe-bas 4.5. Rponse signal carr
3.6. Transformes de Laplace de quelques signaux 4.6. Rponse harmonique et indicielle
3.7. Tables de quelques transformes
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.REGIMETRANSITOIREET
REGIMEPERMANENT
_____________
1.1. Dfinition
1.2. Exemple : Circuit RC
1.1.Dfinition
Dans la leon prcdente, nous avons trait du rgime sinusodal dit
permanent : on suppose qu'il s'est coul suffisamment de temps depuis
l'enclenchement du systme, pour que tous les signaux aient pris un
rythme de croisire, c'est--dire se retrouvent en rgime permanent.
L'analyse temporelle est une mthode complmentaire l'analyse
harmonique, dans la mesure o elle permet d'tudier le rgime transitoire
d'un systme.
Par exemple, on applique ce qu'on appelle un chelon unit : une brusque

variation de signal d'entre :
Du point de vue mathmatique, on comprend qu' la rsolution d'une

quation diffrentielle linaire, on va obtenir certains termes qui seront
amortis par des exponentielles ngatives, et d'autres pas. Ainsi, le rgime
transitoire est donn par les termes de la solution qui sont amortis
exponentiellement. Les autres termes dfinissent ce qu'on appelle le
rgime permanent.
1.2.Exemple:CircuitRC
Soit la cellule RC passe-bas :
L'application des lois de Kirchhoff et des relations constitutives des

lments R et C nous procure l'quation diffrentielle suivante :
La solution gnrale de l'quation homogne est :
La solution particulire est :
La solution gnrale est :
Reprsentation graphique de la rponse indicielle :
( Cf. Ex. 4.1 : TEMPS D'TABLISSEMENT DU PREMIER ORDRE )
______________________________________________________
2.REGIMELIBREETREGIMEFORCE
_____________
2.1. Dfinition
2.2. Exemple du circuit RC
2.3. Remarques sur les diffrents rgimes
2.1.Dfinition
Paralllement la distinction rgime transitoire et permanent, il s'en
impose l'ingnieur une seconde : le rgime libre correspond l'volution
du systme laiss lui-mme, sans intervention extrieure. Du point de
vue mathmatique, cela revient laisser agir les seules conditions
initiales, sans membre de droite dans l'quation diffrentielle ; la rponse
libre du systme est la solution l'quation homogne, avec conditions
initiales :
Le rgime forc correspond la rponse du systme lorsque ses
conditions initiales sont nulles et qu'il n'y a donc que l'excitation qui agit
sur le systme.
2.2.ExempleducircuitRC
Dans l'exemple prcdent du circuit RC passe-bas, si on a une charge

initiale stocke dans la capacit, on obtient :
Ici le rgime libre n'est pas nul, comme auparavant. La rponse transitoire
s'en trouve modifie, alors que le rgime permanent est le mme, vu qu'il
dpend de l'excitation et que cette dernire est encore un chelon unit.
2.3.Remarquessurlesdiffrentsrgimes
Le rgime libre d'un systme linaire est transitoire si le systme est
passif, car il y a toujours amortissement par pertes d'nergie non
compenses.
La rciproque est fausse : le rgime transitoire ne dcoule pas seulement
du rgime libre, car l'excitation du systme, qui est dterminante du
rgime permanent, produit aussi un rgime transitoire.
Par exemple, prenons un systme du premier ordre, avec condition initiale
non nulle et excitation en rampe :
(Cf. Ex. 4.2 : CIRCUIT DU SECOND ORDRE )
______________________________________________________
3.CALCULOPERATIONNEL:
LATRANSFORMATIONDELAPLACE
_____________
3.1. Transformation de Laplace
3.2. Langage
3.3. Quelques proprits
3.4. Fonction de transfert complexe
3.5. Exemple : Circuit RC passe-bas
3.6. Transformes de Laplace de quelques signaux
3.7. Tables de quelques transformes
Nous prsentons ici quelques rudiments concernant la transforme de
Laplace, outil trs pratique pour rsoudre les quations diffrentielles
linaires coefficients constants. Ce point trouve donc sa place dans ce
chapitre consacr l'analyse temporelle de systmes linaires. De plus, on
utilise couramment en lectronique la transforme de Fourier, qui est
mathmatiquement un cas particulier de celle de Laplace. Cette dernire,
est introduite la leon suivante.
3.1.TransformationdeLaplace
On considre f(t) une fonction dite causale, c'est dire que f(t)=0 pour
t<0. On applique un oprateur dit de Laplace sur cette fonction f :
La fonction est la transforme de Laplace de la fonction
.
Les conditions de convergence de cette intgrale sont abordes dans
"Thorie des rseaux de Kirchhoff", [7]. L'utilit de cette transformation
apparat immdiatement avec l'expos de ses principales proprits.
3.2.Langage
F est appele image de f on crit :
f est appele original de F on crit :
3.3.Quelquesproprits
La vrification de ces proprits ne pose aucun problme, partir de la

dfinition mme de la transformation de Laplace.
Linarit:
Transforme d'une drive :
avec f(0)=0 :
Transforme d'une intgrale,
(avec f(0)=0) :
Thorme de la valeur initiale :
Thorme de la valeur finale :

Ces proprits, particulirement les trois premires expriment ceci de
remarquable qu'une quation diffrentielle linaire ( coefficients
constants) se transforme, dans l'espace de Laplace, en quation
algbrique. C'est pourquoi cette transforme de Laplace est un outil
important pour les ingnieurs.
3.4.Fonctiondetransfertcomplexe
Nous avons dj vu, en analyse harmonique, que le systme peut tre
reprsent par un nombre complexe, dont la phase reprsente le
dphasage induit par le circuit, et le module le rapport des amplitudes
d'entre et de sortie. La variable, en analyse harmonique, est le nombre
imaginaire.
Avec la transforme de Laplace, on pose comme variable
complexe, gnralisant celle du rgime harmonique (L'introduction de la
composante relle permet l'approche des rgimes transitoires). On
obtient, pour les impdances rsistives, capacitives et inductives :
Ces relations pour les impdances expriment que la rsistance a une

caractristique statique, que la capacit "intgre" le courant, que
l'inductance "drive" le courant.
En traitant un circuit l'aide de cet outil, les signaux d'entre et de sortie
se transforment en fonctions complexes et le rapport de ces deux
fonctions est encore complexe dans le cas gnral : c'est la fonction de
transfert du circuit.
3.5.Exemple:CircuitRCpassebas
Soit le circuit RC suivant :
Ses quations temporelles sont donnes par :
Aprs transformation de Laplace, on obtient :
Soit pour la fonction de transfert complexe :
Nous avons exprim la fonction de transfert en rgime harmonique de la

sorte :
Sur cet exemple, nous voyons bien que l'utilisation des nombres
complexes en rgime harmonique reprsente bel et bien un cas particulier
de l'utilisation de la transforme de Laplace, o la variable p est rduite
son terme imaginaire :
.
3.6. Transformes de Laplace de quelques signaux
3.7.Tablesdequelquestransformes
( Cf. Ex. 4.3 : EXEMPLE: CIRCUIT RC PASSE-BAS )

( Cf. Ex. 4.4 : RPONSE INDICIELLE )
( Cf. Ex. 4.5 : RPONSE SIGNAL CARR )
( Cf. Ex. 4.6 : RPONSE HARMONIQUE ET INDICIELLE )
______________________________________________________
4.EXERCICES
_____________
4.1. Temps d'tablissement du premier ordre
4.2. circuit du second ordre
4.3. Exemple : Circuit RC passe-bas
4.4. Rponse indicielle
4.5. Rponse signal carr
4.6. Rponse harmonique et indicielle
4.1.Tempsd'tablissementdupremierordre

Reprsentation graphique de la rponse indicielle :
Question : temps d'tablissement d'un signal. Si on dfinit le temps

d'tablissement d'un signal 90% de sa valeur permanente statique, quel
est celui d'un systme du premier ordre soumis une excitation
indicielle ?
4.2.Circuitdusecondordre

Un des modles d'une ligne de transmission peut tre reprsent de la
manire suivante:
- Recherchez la rponse de ce systme un chelon unit.

- Indiquez les termes transitoire, permanent, libre, forc en les
reprsentant deux deux.
- Quelle est l'impdance de la ligne ?
- Si on dsirait effectuer une analyse harmonique exprimentale, combien
de temps devrait-on attendre le rgime tabli ?
4.3.Exemple:CircuitRCpassebas

Soit le circuit RC trait plus haut :
A l'aide des tables de transformation de Laplace, recherchez et vrifiez la

rponse indicielle de ce circuit RC.
4.4.Rponseindicielle
R = 15k C = 2.7 F
a) Etablir lquation diffrentielle permettant de calculer u2(t)connaissant

u1(t)
b) En prenant u1(t)= 5V ds linstant t = 0, calculer et tracer u2(t) en
supposant aucune charge sur la capacit au temps t = 0.
4.5.Rponsesignalcarr

Utiliser le principe de superposition pour calculer et reprsenter us(t). La
tension ue(t) est de forme carre, et sera considre comme une srie de
sauts indiciels alternativement positifs puis ngatifs pour les calculs.
4.6.Rponseharmoniqueetindicielle

Pour les deux circuits ci-dessous
- tablir la fonction de transfert H(j) = ...
- tracer le diagramme de Bode (asymptotes uniquement) en amplitude et
en phase.
- calculer et reprsenter le courant i(t) et la tension v(t) en prsence dun
saut de tension u(t) (u(t<0) = 0 et u(t>0) = U1) en supposant que les
capacits sont totalement dcharges en t = 0.
______________________________________________________
5.CORRIGS
_____________
Ex. 4.1. Temps d'tablissement du premier ordre
Ex. 4.2. circuit du second ordre
Ex. 4.3. Exemple : Circuit RC passe-bas
Ex. 4.4. Rponse indicielle
Ex. 4.5. Rponse signal carr
Ex. 4.6. Rponse harmonique et indicielle
Exercice 4.1 : Temps d'tablissement du premier ordre

Reprsentation graphique de la rponse indicielle:
Lexpression de la tension Uo(t) est : voir la rsolution

de l'quation diffrentielle dans le cours.
De cette expression on tire facilement que pour Uo = 0.9Uin t = 2.3
Pour une croissance exponentielle on a les chiffres suivants :
temps volution
(t) [%]
63
2 86
3 95
Ceci justifie que lon puisse exprimer la dure dun rgime transitoire par
3 si lon se contente dune prcision de 5%.
Exercice 4.2 : Circuit du second ordre

Il s'agit d'un circuit classique du second ordre: trois rgimes sont
possibles. Le rgime amorti, le rgime critique et le rgime oscillatoire.
L'impdance de source vue par une charge en bout de ligne est donne
par Thvenin:
Le temps attendre pour atteindre le rgime permanent de l'analyse
harmonique dpend du terme exponentiel dcroissant de la solution, ainsi
que de la prcision exige.
Exercice 4.3 : Circuit RC passe-bas

* Soit le circuit RC suivant:
* Ses quations temporelles sont donnes par:
* Aprs transformation de Laplace, on obtient:
* Soit pour la fonction de transfert complexe :
* La rponse une excitation indicielle ui (p) = A/p donne :
(dcomposition en lments simples)

=A
+ = 0 = -A
- transforme inverse :
Exercice4.4:Rponseindicielle
i(t)=i1(t)+i2(t)aveci1(t)=Cdu2(t)/dteti2(t)=u2(t)/R
i(t)= =Cdu2(t)/dt+u2(t)/R
l'quationdiffrentielleseprsentealorssouslaforme:
b)rsolutiondel'quation,sachantqu'partirdet=0,u1(t)=5V
Calculdutransitoire:
u2(t)+ =0<=> =
Log[u2(t)]= +k<=>
Calculdupermanent:
u1(t)estuneconstante,etu2(t)seraaussiuneconstante.
soit,u1(t)=A=5Vetu2(t)=B
B+ = <=>B=2.5V
Lasommedupermanentetdutransitoiredonnent:
u2(t)= +2.5V
Onsaitqu't=0,u2(0)=0V
OndtermineK:u2(0)=K+2.5V=0V=>K=2.5V
Exercice 4.5 : Rponse signal carr

a) on annule la tension ue(t) et on remplace la capacit par un circuit
ouvert car U0 est une tension continue. On obtient:
U's = U0 = 3 V
b) on annule la tension U0 , ce qui amne au circuit quivalent suivant:
la constante de temps de ce circuit est:

= RC = 2.24 ms
lacapacittransmetinstantanmentlessautsdetensiondeue(t):
Exercice 4.6 : Rponse harmonique et indicielle

Pour le circuit a): H(j) =
Pour le circuit b): H(j) =
Pour les deux circuits a) et b) le courant i(t) qui traverse la capacit et la

rsistance doit satisfaire lquation:
o uC(0) est la tension initiale aux bornes de C
En drivant lexpression ci dessus on obtient :
Cette quation diffrentielle a pour solution :
La condition initiale tant que la tension aux bornes de la capacit en t =

0+ est nulle:
et donc :
On peut alors calculer la tension v(t>0) pour les deux circuits a) et b)

Circuit a): Circuit b)
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro V
Leon VI :
INTRODUCTION A
L'ANALYSE DE
FOURIER
Le but de cette leon est d'introduire l'analyse de Fourier dans le cadre des
systmes lectroniques linaires. Cette analyse est une analyse de type
frquentielle, tendue des rgimes qui ne sont pas forcment
sinusodaux. L'analyse de Fourier est trs utilise en lectricit comme en
physique.
Dans cette leon, on introduit les sries de Fourier complexes et relles.

On se reportera, pour ce formalisme, au cours d'analyse de deuxime
anne.
Les termes des sries de Fourier sont des fonctions sinusodales et
cosinusodales. A nouveau, on aperoit l'importance de l'analyse
harmonique des systmes, puisque la pertinence de ces dcompositions
est garantie pour tout systme linaire (principe de superposition).
La transformation de Fourier a dj t signale comme un cas particulier
mathmatique de la transformation de Laplace. Elle est trs employe
dans toutes les branches techniques avec des implications vastes et
diverses : des relations d'incertitudes en physique aux espaces
rciproques en cristallographie, en passant bien sr par l'lectricit. Pour
cette seconde partie du chapitre, nous nous bornons la dfinition de la
transformation de Fourier o l'on aborde la notion de spectre d'un signal.
Pour plus vaste information, nous conseillons au lecteur de se reporter
une introduction au traitement de signal, domaine o cet outil
mathmatique est indispensable. Voir par exemple : "Thorie et traitement
de signaux", [12].
______________________________________________________
PLANDELALEONVI
1. Les sries de Fourier 2. La transformation de Fourier
1.1. Srie de Fourier complexe 2.1. Transformation de Fourier : dfinition
1.2. Spectre frquentiel 2.2. Spectre d'amplitude et spectre de phase
1.3. Exemple : dcomposition d'un train d'impulsions 2.3. Exemple
1.4. Sries de Fourier relles 2.4. Remarques
1.5. Taux de distorsion harmonique 2.5. Fonction de transfert
2.6. Exemple : cellule RC excite par un chelon unit
2.6. Table illustre, transformes de Fourier
2.6. Oprations dans les domaines temporel et frquentiel
3. Exercices / 4. Corriges
3.1. Spectre unilatral
3.2. Dveloppement de Fourier d'un signal carr
3.3. Distorsion harmonique
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.LESSERIESDEFOURIER
_____________
1.1. Srie de Fourier complexe
1.2. Spectre frquentiel
1.3. Exemple : dcomposition d'un train d'impulsions
1.4. Sries de Fourier relles
1.5. Taux de distorsion harmonique
Nous avons dj signal que la linarit du systme rendait pertinente
l'analyse harmonique et ses diagrammes de Bode ; ici on voit
qu'effectivement, un signal priodique quelconque se dcompose en une
somme de signaux sinusodaux, c'est une proprit remarquable.
1.1.SriedeFouriercomplexe
La fonction , dfinie sur l'intervalle , peut tre

exprime comme une srie de fonctions :
L'ensemble des fonctions :
constitue une base de l'espace vectoriel contenant la fonction x, et les

coefficients constituent les projections de la fonction x sur cette base.
On utilise le produit scalaire usuel et on obtient, pour le calcul de ces
coefficients :
1.2.Spectrefrquentiel
Les diffrentes frquences de la dcomposition en srie de Fourier sont
donnes par :
Le spectre frquentiel et donn par le graphe :
soit physiquement : les amplitudes associes aux diffrentes frquences.

Ce spectre frquentiel est donc une manire de reprsenter un signal
priodique, et cela reste valable dans le cas gnral d'un signal non
priodique (d'nergie finie), ce que nous verrons avec la transforme de
Fourier.
Le spectre frquentiel est ici discret, il contient :
le niveau continu : valeur moyenne du signal
la composante fondamentale, de la frquence du signal
les harmoniques, de frquences multiples de celle de la fondamentale
les frquences ngatives, qui n'ont pas de signification physique directe ;
on doit mathmatiquement leur prsence, au dveloppement de la
fonction relle en srie complexe. Ces frquences ngatives disparaissent
avec l'utilisation de sries de Fourier relles.
1.3.Exemple:dcompositiond'untraind'impulsions
L'impulsion suivante est dcompose en srie de Fourier complexe, en
choisissant une priode T :
Tous calculs effectus on obtient pour les coefficients :
En prenant comme variable la frquence discrte :
on obtient l'expression suivante :
On obtient, pour la reprsentation du spectre de cette impulsion :

Il convient de remarquer que si on examine la somme de la srie de
Fourier sur tout l'axe des temps, on obtient un signal priodique :
Il a donc deux approches possibles : soit on ne s'intresse qu' une portion

de signal (impulsion sur un intervalle de temps T) et alors la srie ne prend
de sens que sur cet intervalle, soit on dveloppe sur tout l'axe rel un
signal priodique grce cette dcomposition de Fourier. C'est ce dernier
cas qui intresse en gnral, car les signaux non priodiques sont traits
l'aide de la transformation de Fourier qui gnre un spectre continu (voir
plus loin).
1.4.SriesdeFourierrelles
Comme le signal lectrique est reprsent par une fonction relle
valeurs relles, on peut aussi traiter ce cas sans passer par les nombres
complexes.
On a le dveloppement suivant, pour les sries de Fourier relles :
Les signaux impairs se dveloppent en srie de sinus, et les signaux pairs
en srie de cosinus, ce qui simplifie d'autant les calculs. Le spectre obtenu
est unilatral, d'o l'appellation de sries de Fourier unilatrales.
Dans l'exemple prcdant du train d'impulsions rectangulaires :
on obtient, comme dveloppement de Fourier unilatral :
Et pour la reprsentation graphique du spectre discret (unilatral) :
Remarquons que le spectre unilatral n'est pas la version tronque du

spectre bilatral : les harmoniques ont le double d'amplitude par rapport
ce dernier. Il faut voir que le spectre bilatral d'un signal sinusodal est
donn par les deux frquences : la positive et la ngative, et leur
amplitude est la moiti de celle de la frquence du spectre unilatral.
( Cf. Ex. 3.1 : SPECTRE UNILATRAL )
( Cf. Ex. 3.2 : DVELOPPEMENT DE FOURIER D'UN SIGNAL CARR )
1.5.Tauxdedistorsionharmonique
On peut vouloir qualifier la linarit de la caractristique statique d'un
quadriple. Si cette caractristique est linaire, le systme rpond une
sinusode par une sinusode, sinon il introduit une distorsion et le signal de
sortie n'est plus sinusodal, mais a acquis des harmoniques. Le taux de
distorsion harmonique est dfini ainsi :
Pour un signal sinusodal de frquence f0, le systme non-linaire a cre
des harmoniques de frquences :
Dfinition du taux global de distorsion harmonique :

Pour plus de dtails : "Thorie et traitement de signal", [12] page 261.
( Cf. Ex. 3.3 : DISTORSION HARMONIQUE )
______________________________________________________
2.LATRANSFORMATIONDEFOURIER
_____________
2.1. Transformation de Fourier : dfinition
2.2. Spectre d'amplitude et spectre de phase
2.3. Exemple
2.4. Remarques
2.5. Fonction de transfert
2.6. Exemple : cellule RC excite par un chelon unit
2.7. Table illustre, transformes de Fourier
En lectronique et en traitement de signal, les signaux ne sont pas tous
priodiques, cela reprsente mme l'exception. Le dveloppement en
sries de Fourier ne reprsente donc pas forcment l'outil d'analyse
privilgi, puisqu'il est ncessaire pour cela d'avoir des signaux
priodiques.
2.1.TransformationdeFourier:dfinition
La transformation de Fourier peut tre vue mathmatiquement comme un

cas particulier de celle de Laplace, en posant pour la variable
frquentielle. On dfinit :
La fonction est la transforme de Fourier de la fonction

. En traitement de signal, on utilise plus volontiers la variable
frquence que la pulsation , habituellement utilise en
transforme de Fourier.
2.2.Spectred'amplitudeetspectredephase
Dans le cas gnral, la transforme de Fourier d'une fonction produit une
fonction valeurs complexes. . Ainsi, on peut obtenir deux
informations de la fonction transforme de Fourier :
Le spectre d'amplitude :
Le spectre de phase :
2.3.Exemple:
On reprend l'impulsion prcdante avec la transforme de Fourier :
Equation de l'impulsion :
Tous calculs faits, on obtient pour sa transforme de Fourier :
On constate que dans ce cas, est une fonction relle. On peut la

reprsenter graphiquement :
Comme X(f) est rel, son spectre de phase est nul, et son spectre
d'amplitude a l'allure suivante :
2.4.Remarques
Comme pour le dveloppement en sries de Fourier, on assiste
l'apparition de frquences ngatives, qui ne s'interprtent pas
directement, mais qui sont nanmoins porteuses d'nergie.
La transforme de Fourier ici correspond l'enveloppe du spectre discret
du dveloppement de Fourier. Dans cette transformation de Fourier, toutes
les frquences sont mises contribution pour la reprsentation
frquentielle du signal temporel : le spectre est continu.
Contrairement au dveloppement en sries de Fourier qui gnre une
fonction priodique sur tout l'axe rel quelles que soient les valeurs prises
par cette fonction en dehors de la priode considre, la transformation de
Fourier est applique la fonction agissant sur tout l'axe rel. Il est ainsi
cr ainsi une correspondance entre l'espace temporel o le signal volue,
et l'espace frquentiel un peu plus abstrait. Les lectriciens appellent cela
la dualit temps-frquence. Les cristallographes parlent d'espace direct et
d'espace rciproque, etc...
Comme dj voqu prcdemment, l'utilit de cette transformation est
d'obtenir une autre reprsentation d'un signal. Cette reprsentation
frquentielle est essentielle en traitement de signal. Voir ce sujet
"Thorie et traitement des signaux", [12]. La situation est analogue celle
prvalant pour la transformation de Laplace, mais ici l'espace donn par la
transformation de Fourier est bien repr: c'est un espace de frquences :
2.5.Fonctiondetransfert
Ici nous prsentons un exemple, o l'on emploie la transforme de Fourier,
pour rsoudre une quation diffrentielle, comme nous l'avons fait avec la
transformation de Laplace. Ce n'est pas l'utilit principale de cet outil,
mais cela permet de faire une remarque concernant les fonctions de
transfert.
Si on rduit la transformation de Laplace celle de Fourier, on prend
comme variable : . Ainsi, la fonction de transfert de Laplace se
transforme en celle de Fourier avec cette substitution. Et cette fonction de
transfert de Fourier n'est rien d'autre que celle obtenue avec les nombres
complexes et qui correspond en fait la fonction de transfert en rgime
harmonique (voir 4.3.5, 10.3.5 et 9.2).
Schma-bloc du systme :
Dans l'espace temporel, on a :
Dans l'espace frquentiel, on obtient :
2.6.Exemple:celluleRCexciteparunchelonunit
Soit une cellule RC, laquelle on applique un chelon unit :
Par le diviseur de tension dans le domaine des p, on obtient la fonction de

transfert de Laplace :
Fonction de transfert de Fourier :
Signal d'entre :
Signal de sortie :
Transforme inverse du signal de sortie :

(voir plus loin, les tables illustres des transformations de Fourier)
2.7. Table illustre, transformes de Fourier (1/3)
Table illustre de transformes de Fourier (2/3)

Table illustre de transformes de Fourier (3/3)
______________________________________________________
3.EXERCICES
_____________
3.2. Dveloppement de Fourier d'un signal carr
3.3. Distorsion harmonique

Dans l'exemple du train d'impulsions rectangulaires :
on obtient la reprsentation graphique du spectre discret (unilatral) :
Nous avons remarqu que le spectre unilatral n'est pas la version

tronque du spectre bilatral : les harmoniques ont le double d'amplitude
par rapport ce dernier. Il faut voir que le spectre bilatral d'un signal
sinusodal est donn par les deux frquences: la positive et la ngative, et
leur amplitude est la moiti de celle de la frquence du spectre unilatral.
Interprtez l'objet de la remarque prcdante en termes nergtiques.
3.2.DveloppementdeFourierd'unsignalcarr

Calculez de dveloppement de Fourier d'un signal priodique carr.
Reprsentez son spectre frquentiel et voyez les contributions des
premires harmoniques.
3.3.Distorsionharmonique

Un signal sinusodal est appliqu l'entre d'un systme caractristique
statique cubique :
Reprsentez la caractristique statique du systme non-linaire.

Calculez, reprsentez le signal de sortie pour des amplitudes de 1V, 2V,
3V. Concluez.
Comment calculer le taux de distorsion harmonique correspondant ?
______________________________________________________
4.CORRIGS
_____________
Ex. 3.1. Spectre unilatral
Ex. 3.2. Dveloppement de Fourier d'un signal carr
Ex. 3.3. Distorsion harmonique
Exercice 3.1 : Discussion
Dans le spectre bilatral, chaque frquence est reprsente par une raie
aux frquences positives et une autre aux frquences ngatives. On peut
donc dire que l'nergie d'une frquence physique est porte par les deux
harmoniques: la positive et la ngative.
Il apparat donc intuitivement normal dans un spectre unilatral les
harmoniques portent plus dnergie.
Exercice 3.2 : dveloppement de Fourier d'un signal carr

Le signal carr se dcompose en sinusodes :
On obtient le spectre suivant:
Sur le graphique suivant, on peut visualiser un peu les contributions des

harmoniques la constitution du signal:
Par cette dcomposition on comprend bien quun flanc dans le domaine
temporel correspond des trs hautes frquences dans le domaine
frquentiel.
Exercice 3.3 : distorsion harmonique

La caractristique a l'allure suivante:
Des entres de trois amplitudes diffrentes donnent des formes de sortie

diffrentes, c'est une caractristique d'un systme non-linaire. A basse
amplitude, la forme sinusodale semble conserve; on peut considrer le
systme comme linaire.
Pour calculer le taux de distorsion harmonique, il faut choisir une
amplitude de signal sinusodal, calculer le spectre du signal de sortie et en
dduire la grandeur cherche.
Note: Comparez la tension de sortie pour une entre de 3V avec le
dveloppement du signal carr: fondamentale + premire harmonique
Pour le calcule du taux de distorsion harmonique on considre :

ui = u sin( t)
et uo = u3 sin3 ( t)
On dcompose selon Fourier :
Cf.. cours (1.4)
Le taux de distorsion donne : Cf. cours (1.5)
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro VI
______________________________________________________
Leon VII :
AMPLIFICATEURS
OPRATIONNELS,
MONTAGES
LINAIRES
Le but de cette leon est de prsenter les fondements de l'utilisation des
amplificateurs oprationnels, ainsi que les principaux montages linaires
utiliss.
Cette leon commence par quelques remarques concernant les approches

systmiques en ingnierie lectrique. D'abord, on rappelle l'importance
des calculs de prcision des systmes, calculs souvent dterminants du
bon fonctionnement des dispositifs et pour lesquels les cahiers des
charges spcifient implicitement ou explicitement des prcisions.
On introduit ou rappelle aussi la notion de contre-raction, soit en fait la
notion de systme asservi. Cette notion est utile pour l'utilisation des
amplificateurs oprationnels, traite plus loin. Par intrt ou ncessit, le
lecteur peut s'informer sur les techniques de rglage incontournables en
ingnierie et ayant galement leur approche en physique : la
cyberntique.
L'amplificateur diffrentiel est un lment conceptuel et technique
constituant l'tage d'entre des amplificateurs oprationnels. On peut
comprendre l'amplificateur oprationnel comme un systme asservi, et il
est prsent les deux types de contre-raction utilises en pratique, avec
les exemples. ______________________________________________________
PLANDELALEONVII
1. Remarques systmiques en lectricit 2. Introduction aux systmes asservis

1.1. Remarque sur les erreurs en lectronique 2.1. Vocabulaire
2.2. Rgulateur
2.3. Gain d'un systme boucl et stable
2.4. Cas particulier important : le fort gain de chane
directe
2.5. Schmatisation de l'amplificateur oprationnel
3. Amplificateurs diffrentiels 4. Amplificateurs oprationnels
3.1. L'amplificateur diffrentiel 4.1. Introduction l'amplificateur oprationnel
3.2. Tensions et gains des modes commun et 4.2. Les deux types de contre-raction utilises
diffrentiel 4.3. Les caractristiques relles des AOP
3.3. Amplificateur diffrentiel transistors bipolaires 4.4. Montages linaires en raction ngative
5.1. Calcul d'imprcision
5.3. Vrification de la relation de gain
5.4. Calcul de prcision
5.5. Montage ampli diffrentiel
5.6. Recherche dans fiche technique
5.7. Utilit du suiveur de tension
5.8. Retour aux sources
5.9. Problmes d'offset avec l'intgrateur
5.10. Compensation d'offset
5.11. Travail de vrification des gains
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.REMARQUESSYSTMIQUESENLECTRICIT
_____________
1.1.Remarquesurleserreursenlectronique
Nous avons dj voqu prcdemment la causalit implicite au modle
lectrotechnique, causalit qui est une transposition directe de celle
existant entre le champ lectrique et la force lectrostatique que subit la
charge lectrique. Il convient nanmoins de remarquer, et c'est ici que se
situe notre propos, que causalit ne signifie pas ncessairement
dterminisme. En effet, une chane de mesure en lectronique introduit
toujours non seulement des erreurs dues aux imprcisions fixes des
lments, mais aussi des erreurs de nature alatoire, qui relvent pour
leur traitement, du calcul statistique. Le lecteur trouvera des informations
et une thorie de la mesure dans des ouvrages tels que "Systmes de
mesure", [29]. Nous prsentons ici quelques exemples de sources
d'erreurs ou d'imprcision d'une chane lectronique.
1.1.1.Sourced'imprcision:lestolrancesdeslments
Une chane de mesure voit sa prcision globale influence par la qualit de
ses lments. Par exemple les rsistances normalises courantes sont
spcifies dans des tolrances de 10 %, 5 % ou 1%.
( Cf. Ex. 5.1 : CALCUL D'IMPRCISION )
( Cf. Ex. 5.2 : CALCUL D'IMPRCISION )
1.1.2.Autressourcesd'erreursfixes
Il y a aussi les non-linarits qu'on nglige souvent dans les modles,
comme par exemple la non-linarit intgrale du convertisseur analogique
/ numrique (voir la leon consacre aux convertisseurs analogique-
numrique).
Il y a aussi les variations de caractristiques des lments avec la
temprature, qui produisent de la non-autonomie du systme.
1.1.3.Erreursdenaturealatoire
Nous ne pouvons aborder ce domaine. Notons simplement que les sources
alatoires peuvent tre internes au systme de mesure, comme par
exemple un semi-conducteur qui produit son bruit propre. Ces sources
alatoires de bruit peuvent avoir une provenance externe. En effet, le
systme subit une influence plus ou moins grande de son environnement,
lectromagntique notamment : un circuit est aussi une antenne captant
ce qui devient pour lui du bruit. Ce genre de problme d'induction est
trait sous le vocable de compatibilit lectromagntique. Plus
gnralement, l'approche fiabiliste cherche quantifier, rduire, prvoir
l'apparition d'erreurs dans un systme technique.
1.1.4.Problmedebruit:transmissiondansuneligne
Lorsque les deux fils sont torsads, la surface captant le flux d'induction
magntique est tantt oriente positivement, tantt ngativement, ce qui
a pour consquence que deux boucles subissant le mme flux produisent
des effets qui se compensent.
Le blindage est galement trs utilis : l'nergie lectromagntique est

absorbe dans le matriau conducteur, c'est la cage dite de Faraday.
1.1.5.Laprcision:unepartied'uncahierdescharges
Ce qu'il faut voir, c'est qu'en lectronique ce n'est pas tellement une
vague conception gnrale qui prime au dveloppement ou l'analyse
d'un circuit. Il s'agit surtout des problmes de faisabilit, et les principales
lignes de forces sont donnes en gnral par les spcifications de
prcision de la fonction dsire; d'une spcification l'autre, la conception
peut s'en trouver totalement bouleverse.
D'autres paramtres tous plus ou moins entrelacs sont prendre en
considration et influencent aussi fortement une conception : la rapidit,
la fiabilit, la dure de vie, l'chauffement, le prix, la quantit de circuits
produire, les disponibilits des composants, les dlais de production et de
conception. Nous laissons au lecteur le loisir d'imaginer ce que produire
une lectronique peut vouloir dire, en termes de contraintes mais aussi de
capacit d'action et d'innovation !
Dans le cas de l'analyse d'une exprience, il est parfois ncessaire en
physique d'estimer la prcision d'une chane de mesure, ou bien d'inventer
un montage pour qualifier cette prcision.
1.1.6.Exempledechanedemesure
Un capteur thermocouple est utilis dans la chane de mesure de la
temprature d'une pice. Sa tension de sortie est transmise, via une ligne,
une interface numrique connecte un ordinateur.
______________________________________________________
2.INTRODUCTION AUX SYSTEMES

ASSERVIS
_____________
2.1. Vocabulaire
2.2. Rgulateur
2.3. Gain d'un systme boucl et stable
2.4. Cas particulier important : le fort gain de chane directe
2.5. Schmatisation de l'amplificateur oprationnel
La formalisation suivante nous sert comprendre les amplificateurs
oprationnels : les systmes contre-ractionns. Ce point, par ailleurs peut
servir d'autre illustration de l'importance d'une chane de mesure.
En rglage automatique, on cherche faire voluer un systme, de
sorte ce que l'une de ses grandeurs se conforme un signal de
commande : il s'agit d'un asservissement technique.
2.1.Vocabulaire
L'entre du systme est alimente par un signal de commande. Ce
signal est compar avec le signal de contre-raction, mesure de la
grandeur physique que l'on cherche asservir (grandeur rgule). Le
rsultat de cette comparaison produit une information cl : l'cart de
rgulation, que la boucle s'attache minimiser au cours du temps.
2.2.Rgulateur
Prenons l'exemple du rglage de la position d'un axe de table traante. On
doit mesurer la position du stylo, la comparer avec la position demande
(commande de position) et effectuer une action correspondante : faire
tourner le moteur dans un sens ou un autre, selon le signe de l'cart de
rgulation.
Rglage sommaire de la position de l'axe de table traante :
* Moteur marche avant si :
Commande - contre raction >0
* Moteur marche arrire si :
Commande - contre raction <0
* Moteur l'arrt si :
Commande - contre raction =0
Cette mthode de rglage est beaucoup trop sommaire dans la plupart
des cas ; les questions de stabilit et de prcision conduisent laborer un
traitement plus volu de l'cart de rgulation : en pratique, on effectue
ce traitement (souvent lectroniquement ou informatiquement), pour
satisfaire aux exigences de prcision, rapidit, stabilit du systme
asservi.
L'organe de traitement de l'cart de rgulation s'appelle le rgulateur :
Les techniques de rglage font l'objet de nombreux cours. Notamment:

"Rgulation automatique : systmes analogiques", [31]
"Conception de systmes automatiques", [32]
"Electronique de rglage et de commande", [33]
Ces techniques de rglage fournissent un outil indispensable aux
ingnieurs pour la conception de systmes. Rciproquement et sur un plan
plus "scientifique", un systme entre(s) et sortie(s) quelconques peut
souvent tre analyss en utilisant ce genre d'approche : on part la
recherche, dans le systme soumis investigation, de ractions positives
(systmes instables, inflationnistes) ou ngatives (systmes stables,
constants, invariants).
2.3.Gaind'unsystmeboucletstable
Ici, nous nous contentons de relever une caractristique d'un systme
contre-ractionn stable : son gain.
L'expression du gain total G, dit gain de boucle ferme fait intervenir le

gain A de la chane d'action et celui R de la chane de raction :
( Cf. Ex. 5.3 : VRIFICATION DE LA RELATION DE GAIN )
2.4.Casparticulierimportant:lefortgaindechanedirecte
Le cas simple qui nous intresse pour les amplificateurs oprationnels est
celui o la valeur du gain de chane directe A est si grande qu'on la
suppose infinie :
Le rsultat est important :
pour les systmes sensibles, le gain total ne dpend que

de la chane de contre-raction.
Comme cette contre-raction est constitue physiquement d'une chane

de mesure (capteur, interface, lectronique, ligne...), on voit une autre
illustration de l'importance qui doit tre accorde sa conception :
prcision, qualit...
2.5.Schmatisationdel'amplificateuroprationnel
Nous abordons plus loin les amplificateurs oprationnels. Mais ici nous
voudrions le schmatiser dans cette approche "rglage" :
Cet amplificateur oprationnel est constitu :

* d'un tage d'entre, dont la fonction est de gnrer un signal sa sortie,
d'amplitude proportionnelle la diffrence de ses deux signaux d'entre
(amplificateur diffrentiel).
* d'un systme lectronique trs grand gain, mais ne ncessitant pour
ainsi dire aucune prcision, grce la proprit nonce plus haut.
Le schma lectronique de l'un des montages possible est :
On comprend une entre diffrentielle et une contre-raction forme d'un

diviseur de tension rsistances. Le gain du systme est donn par
l'inverse du diviseur de tension :
( Cf. Ex. 5.4 : CALCUL DE PRCISION )
______________________________________________________
3.AMPLIFICATEURSDIFFRENTIELS
_____________
3.1. L'amplificateur diffrentiel
3.2. Tensions et gains des modes commun et diffrentiel
3.3. Amplificateur diffrentiel transistors bipolaires
Ce point est consacr l'amplificateur diffrentiel, lment important en
lectronique car il est utilis en circuit intgr pour des problmes
d'instrumentation et il constitue toujours l'tage d'entre de l'amplificateur
oprationnel, qui sera abord au chapitre suivant.
3.1. L'amplificateur diffrentiel
Un amplificateur diffrentiel peut tre ralis de diffrentes manires,
nous montrons plus loin (au second semestre) le principe de
fonctionnement d'un amplificateur diffrentiel transistors bipolaires.
3.1.1.Dfinition
Le terme amplificateur diffrentiel dsigne un concept, un type
d'amplificateur produisant un signal en sortie, proportionnel la diffrence
des signaux appliqus ses deux entres.
Notation:
Idalement, cet amplificateur devrait prsenter les caractristiques

suivantes :
- trs grandes impdances sur les entres positives et ngatives,
- impdance en sortie trs faible,
- gain en tension prcis et stable.
3.1.2.Exempled'amplificateurdiffrentiel
Mentionnons un amplificateur diffrentiel d'instrumentation : le circuit
intgr
INA 110 de Burr-Brown,
qui pourrait tre utilis dans un circuit o l'on cherche une information qui
est contenue de manire diffrentielle, par exemple la mesure d'un
courant circulant dans un circuit :
Remarque
Nous avons dj signal l'existence d'amplificateurs oprationnels,
lesquels utilisent la mme notation lectrique, il convient donc de ne pas
confondre ces deux lments : l'amplificateur oprationnel est constitu
d'un tage diffrentiel, puis d'un tage fort gain, comme signal
prcdemment. L'utilisation dans un circuit lectronique s'en trouve
totalement modifie : l'amplificateur diffrentiel peut s'employer tel quel,
comme dans l'exemple prcit, alors que l'amplificateur oprationnel doit
tre contre-ractionn pour prsenter ses qualits. Nous reviendrons sur
cet lment au chapitre suivant.
3.2. Tensions et gains des modes commun et diffrentiel
Reprenons la dfinition de l'amplificateur idal, et dtaillons quelques
points qui servent qualifier les amplificateurs diffrentiels intgrs :
3.2.1.Gaintotal
Le gain est donn par :
On dfinit la tension de mode commun et la tension de mode

diffrentiel :
Ainsi on crit, pour le gain total :

On dfinit encore le facteur de rjection du mode commun :
(CMRR : Common mode rejection ratio)
Remarquons encore que le cas idal de l'amplificateur diffrentiel

correspond, pour cet aspect, :
C'est dire qu'un grand taux de rjection du mode commun est ncessaire
pour considrer l'amplificateur comme diffrentiel.
( Cf. Ex. 5.5 : MONTAGE AMPLI DIFFRENTIEL )
3.3. Amplificateur diffrentiel transistors bipolaires

On reviendra sur ce point avec plus d'efficacit aprs l'introduction aux
semiconducteurs, au second semestre.
3.3.1.Schmadeprincipe
Voici schmatiquement une ralisation d'amplificateur diffrentiel :
3.3.2.Discussionqualitative
La source de courant a pour fonction de polariser les transistors dans une
rgion linaire. Elle est elle-mme ralise l'aide de un ou plusieurs
transistors.
Le potentiomtre sert quilibrer les courants des deux transistors,
contribuant ainsi avoir des gains proches donc une bonne rjection du
mode commun.
Si les deux transistors subissent des contraintes thermiques proches, on
peut esprer aussi des drives dues la temprature proches, donc
encore une fois une meilleure rjection du mode commun. Ici on voit un
des avantages de l'intgration des transistors sur silicium : trs proches
physiquement et technologiquement, ces deux transistors sont presque
des jumeaux, d'o encore une situation idale pour ce type
d'amplificateur.
La modlisation de ce montage fait intervenir les paramtres h du
transistor bipolaire, en montage (pseudo-)metteur commun, ainsi que le
formalisme quadripolaire. Voir l'ouvrage "Electronique", [16] au chapitre 2.
3.3.3.Extraitdelafichetechniquedel'AOPLF351
Notez que l'tage d'entre de cet amplificateur oprationnel est bien un
tage diffrentiel.
Dans le schma simplifi, on retrouve cet tage diffrentiel suivi d'une
schmatisation d'un trs fort gain.
______________________________________________________
4.AMPLIFICATEURSOPRATIONNELS
_____________
4.1. Introduction l'amplificateur oprationnel
4.2. Les deux types de contre-raction utilises
4.3. Les caractristiques relles des AOP
4.4. Montages linaires en raction ngative
Dans ce chapitre, on rappelle ce qu'est un amplificateur oprationnel, en
prcisant les deux types de contre-raction linaires utilises typiquement.
On aborde les caractristiques relles des amplificateurs oprationnels
(AOP), qui sont toujours partie prenante d'une conception ou d'une
analyse de circuit. On prsente quelques montages types, que nous
conseillons aux tudiants de vrifier afin de les assimiler.
4.1. Introduction l'amplificateur oprationnel
4.1.1.Rappel:l'AOPcommesystmecontreractionn
Nous avons dj identifi prcdemment l'amplificateur oprationnel
comme constitu d'un tage d'entre diffrentiel et d'un autre tage,
plac en srie et prsentant un trs fort gain, idalement proche de
l'infini :
Ce fort gain confre la proprit au systme contre-ractionn de

prsenter un gain total ne dpendant que de la contre-raction :
4.1.2.Symboledel'AOP
4.1.3.L'AOPidalis
L'amplificateur oprationnel se prsente comme un amplificateur de
tension entre diffrentielle :
Idalement, on aurait :
* Gain en tension infini :
* Impdance d'entre infinie :
* Impdance de sortie nulle :
Mais il est clair que cela ne peut rsumer toutes les caractristiques
idales d'un AOP : il peut y avoir aussi des considrations sur la bande
passante, la consommation, etc. ...
4.1.4.Exempledefichetechnique:leLF351
En fin de brochure, on prsente la fiche technique du circuit intgr :
LF 351 de National Semiconductor.
On y trouve le schma lectronique simplifi, o l'on distingue l'tage
d'entre diffrentiel, transistors FET, permettant d'obtenir une excellente
impdance d'entre (1 giga ohm) de l'AOP. Plus loin, on propose
l'tudiant d'y revenir, pour une lecture dtaille de caractristiques.
4.2. Les deux types de contre-raction utilises
Il existe deux configurations utilises en pratique pour raliser la contre-
raction d'amplificateurs oprationnels : la contre-raction tension-srie
correspond au montage non-inverseur. La contre-raction tension-shunt
correspond au montage inverseur.
4.2.1.Montagenoninverseur
Contre-raction tension-srie :
Le prlvement de la sortie s'effectue de manire parallle, et sa
rinjection en entre de manire srie, c'est dire en sommation de
tension.
Amplificateur en montage non-inverseur :
On obtient aisment la relation de transfert en tension :

Remarques concernant ce montage :
* Le gain est positif : la sortie varie dans le mme sens que l'entre
* Le gain est toujours > 1
* L'impdance d'entre du montage est celle de l'amplificateur
oprationnel, c'est dire infinie dans le cas idal, trs grande en pratique.
4.2.2.Montageinverseur
Contre-raction tension-shunt :
Le prlvement de la sortie s'effectue de manire parallle, et sa
rinjection en entre encore de manire parallle, c'est dire en
sommation de courant.
Amplificateur en montage inverseur :
L'entre inverseuse est appele masse virtuelle, car elle reste, dans ce
montage, un potentiel nul sans pour autant tre connecte la masse.
Ceci peut tre compris de la manire suivante: comme le gain de
l'amplificateur est infini, on peut compter avec une tension diffrentielle
d'entre nulle :
En posant cette entre inverseuse un potentiel nul, on obtient aisment

la relation de transfert en tension :
Remarques concernant ce montage :

* Le gain est toujours ngatif
* L'impdance d'entre du montage est donne par la rsistance :
4.2.3.Montageinverseuretnoninverseur
Tant que l'on reste dans des conditions d'utilisation linaires, le principe de
superposition reste valable et on peut donc utiliser le schma suivant,
combinant les deux contre-ractions :
En dterminant sparment les contributions des tensions d'entre la

tension de sortie (principe de superposition), on obtient :
4.3. Les caractristiques relles des AOP

4.3.1.Gainentensionrel
Le gain en tension de l'amplificateur oprationnel sans contre raction
n'est pas infini.
Ordre de grandeur : 2000 500 000
4.3.2.Rsistancediffrentielled'entre
La rsistance diffrentielle d'entre dpend de la structure du circuit
d'entre.
Ordre de grandeur : Mohm en bipolaire, Teraohm en unipolaire
4.3.3.Tensiondedcalage
La tension de dcalage (input offset voltage ) est la valeur de la tension
qu'il faut appliquer l'entre pour que la tension de sortie s'annule :
Ordre de grandeur : le millivolt.
4.3.4.Lecourantdepolarisation
Le courant de polarisation ( input bias current ) correspond la

moyenne des courants d'entre, lorsque la tension de sortie est nulle:
On dfinit :
Comme son nom l'indique, c'est un courant utilis par l'tage diffrentiel
pour trouver sa polarisation continue.
Ordre de grandeur :
4.3.5.Lecourantdedcalage
Le courant de dcalage (offset current) reprsente la diffrence entre
les courants de polarisation :
4.3.6.Coefficientsdedrivethermique
Les fabricants indiquent les coefficients de drive thermique des
paramtres de polarisation :
4.3.7.Letauxderjectiondel'alimentation
Le taux de rjection de l'alimentation (power supply rejection ratio :
PSRR) exprime la sensibilit de la tension de dcalage aux fluctuations de
la tension d'alimentation :
Ordre de grandeur : 80 100 dB

4.3.8.Letauxderejetdelatensiondemodecommun
Le taux de rejet de la tension de mode commun (commun mode
rejection ratio : CMRR), comme dj dfini pour l'amplificateur diffrentiel :
Ordre de grandeur : 80 100 dB

4.3.9.Laplagedetravailentensionetencourant
L'amplitude maximale de la tension de sortie (output voltage swing)
dpend en gnral des frquences de travail. Pour les basses frquences,
on peut compter sur. Au-del, on assiste une saturation en tension,
faisant sortir notre systme de son confortable rgime linaire !
Le courant maximal en sortie pose videmment le mme type de
problmes : une saturation en courant de l'tage de sortie de
l'amplificateur.
4.3.10.Vitessemaximale
La vitesse maximale de monte ou de descente du signal de sortie
(slew rate ) est gnralement donne pour un chelon unit :
On dfinit :
Ordre de grandeur :
4.3.11.Leproduitgainbandepassante
La largueur de bande passante (appele bande passante, band width,
BW ) est donne sous forme du produit gain-bande passante (gain-
bandwidth product ), produit qui est gnralement constant. (Voir le
schma suivant).
C'est un rsultat relativement important : on double la bande passante
d'un montage amplificateur oprationnel en divisant par deux le gain de
ce dernier. C'est aussi une des grandes proprits des systmes contre-
ractionns que d'amliorer la bande passante, donc la rapidit de
rponse des systmes.
4.3.12.Valeursmaximales
Les valeurs maximales (absolute maximum ratings )limitent :
- La tension diffrentielle d'entre.
- La tension commune d'entre.
- Les tensions d'alimentations maximales.
- Le courant de sortie maximal (de court-circuit).
- Les tempratures maximales.
- La dissipation maximum admissible.
( Cf. Ex. 5.6 : RECHERCHE DANS FICHE TECHNIQUE )
4.4. Montages linaires en raction ngative

Nous prsentons ici quelques montages amplificateurs oprationnels, en
laissant le soin au lecteur de vrifier les relations de transfert pour chacun
de ces montages. Il est noter nanmoins que la conception d'une
fonction lectronique se fait avec les fiches techniques des composants,
en particulier celle de l'amplificateur, o sont prsentes des applications
typiques plus volues.
4.4.1.Lesuiveurdetension
Le suiveur de tension est typiquement utilis dans un circuit o l'on
cherche "dcoupler" les impdances, c'est dire empcher une
impdance de source de constituer avec une impdance de charge un
diviseur de tension.
Caractristiques du suiveur :
- Gain unit
- Impdance d'entre infinie
- Impdance de sortie nulle.
(Cf. Ex. 5.7. UTILIT DU SUIVEUR DE TENSION )
4.4.2.Lesommateur
Le montage est le suivant :
On a :
4.4.3.Laconversioncouranttension
Tension de sortie :
Dans ce montage inverseur, l'entre inverseuse de l'amplificateur est une
masse virtuelle, la source de courant dbite donc dans un court-circuit :
Ainsi la rsistance de source n'intervient pas dans l'expression du gain.

(Cf. Ex. 5.8. RETOUR AUX SOURCES )
4.4.4.Laconversiontensioncourant
Le courant I traversant la charge z quelconque est donn par :
Il s'agit donc bien, pour la charge z, d'une source de courant contrle par
la tension d'entre.
4.4.5.Amplificateurdiffrentiel
En appliquant le principe de superposition, on obtient la tension de sortie :
4.4.6.L'intgrateur
Les relations de transfert sont :
On obtient la rponse indicielle suivante :
Et pour la rponse harmonique en amplitude :

( Cf. Ex. 5.9. Problmes D'OFFSET AVEC L'INTGRATEUR )
( Cf. Ex. 5.10 COMPENSATION D'OFFSET )
4.4.7.Lediffrentiateur
La relation de transfert est :
On obtient la rponse indicielle suivante :
Et pour la rponse harmonique :
4.4.8.Lefiltrepassebasdupremierordre
Montage typique :
Fonction de transfert (Laplace) :
On obtient la rponse indicielle :
Et pour la rponse harmonique :
( Cf. Ex. 5.11 TRAVAIL DE VRIFICATION DES GAINS )
______________________________________________________
5. EXERCICES
_____________
5.5. Montage ampli diffrentiel
La conversion courant-tension la plus simple consiste placer une

rsistance aux bornes de la source de courant. La rsistance de la source
de courant est donne avec une prcision de 50%.
Conversion courant-tension :
On a les valeurs suivantes :
Quelle valeur de rsistance 1 % choisissez-vous pour assurer une

prcision de 10 % sur la captation de courant ? Exprimez la relation de
transfert courant-tension.
Un signal sinusodal de frquence 1 KHz est ml du bruit et des

harmoniques de frquences suprieures. On dsire le filtrer, pour attnuer
ces tensions superposes et indsirables.
Filtrage RC du premier ordre :
On a les valeurs suivantes :
La rsistance de la source de tension est connue avec une prcision de 50

%. On dispose de condensateurs spcifis 30 %, et de rsistances
spcifies 1 %. Pour le filtre, on dcide une frquence de coupure de 1
KHz. On a:
Choisissez la rsistance de telle sorte que la rsistance de source avec sa
tolrance n'influencent que peu la frquence de coupure.
Calculez la capacit ncessaire pour obtenir la frquence de coupure.

On a le schma d'un systme asservi :
avec l'expression de son gain :
Vrifiez sur le schma-bloc de l'asservissement prcdent que la relation

du gain du systme en boucle ferme est correcte.
Quelle est la valeur de l'cart de rgulation ?
Soit le montage :
Supposez le gain propre de l'amplificateur oprationnel infini.

Quelle prcision sur le gain du montage peut-on obtenir avec des
tolrances de 10%, de 1% sur les rsistances R1= 1 Kohm et R2= 5 Kohm ?
Quelle erreur a-t-on commis si le gain de l'amplificateur, au lieu d'tre
infini, est de 10000 ?
5.5 : Montage ampli diffrentiel

On propose la situation suivante :
Un systme lectrique voit dans l'une de ses branches un courant i(t) que
l'on souhaite mesurer. A cette fin, on place une rsistance prcise et de
faible valeur aux bornes de laquelle on branche un amplificateur
diffrentiel de prcision, l'INA 110.
Estimez la tension de sortie de l'amplificateur dans les conditions
suivantes :
Supposons un taux de rjection du mode commun de 100 dB. Quelle est

l'influence sur la mesure du courant, d'un mode commun de 10V ?
- Dans quels rapports doit-on choisir les prcisions de gain et de rsistance
?
- Etudiez la fiche technique de l'amplificateur INA 110 de Burr-Brown. Le
montage est-il raliste ?
- Etudiez la fiche technique de l'amplificateur LF 351 et recherchez les

valeurs spcifies pour les douze paramtres des amplificateurs
oprationnels rels.
Analysez le circuit suivant, avec et sans suiveur de tension :

Si on dsirait raliser une conversion courant-tension trs simple, l'aide
d'une rsistance de prcision, quel serait le problme ?

Remarquez que la mise en uvre du montage intgrateur AOP ne va pas
de soi. Discutez l'effet de la tension de dcalage (offset) propre
l'amplificateur, sur la sortie du montage.
Discutez le cas du circuit LF 351.
Schma quivalent :

Proposez un montage permettant de compenser un offset fixe de
l'amplificateur oprationnel.

Vrifiez les relations de transfert de tous ces montages contre-raction
ngative.
Exprimez les impdances d'entre ou les courants d'entre.
______________________________________________________
6.CORRIGS
_____________
Ex. 5.1. Calcul d'imprcision
Ex. 5.2. Calcul d'imprcision
Ex. 5.3. Vrification de la relation de gain
Ex. 5.4. Calcul de prcision
Ex. 5.5. Montage ampli diffrentiel
Ex. 5.6. Recherche dans fiche technique
Ex. 5.7. Utilit du suiveur de tension
Ex. 5.8. Retour aux sources
Ex. 5.9. Problmes d'offset avec l'intgrateur
Ex. 5.10. Compensation d'offset
Ex. 5.11. Travail de vrification des gains
Exercice 5.1: calcul d'imprcision

En appliquant le thorme de Thvenin et en calculant le diviseur de
tension on obtient :
- la relation de transfert courant - tension
- La sensibilit de la mesure
avec : Rg = 10k Rg = 5k R = ? R = 0.01R
R = 2.5k et Uo = 2k . Ig
Exercice 5.2: calcul d'imprcision

On a :
Rg = 100 Rg = 50
C=? C = 0.3C
R=? R = 0.01R
Rg vas intervenir dans la frquence de coupure par (Rg + R). Si on choisi Rg

< R, cela signifie que cette rsistance de source est noye dans la
tolrance de R.
Pour une rsistance R 1% on obtient Rmin = 10k
On prendra pour le calcul R = 20k
- calcul de la capacit :
note : comme ce qui nous intresse est linfluence de Rg sur la constante
de temps (Rg + R)C, on pout simplifier le calcul pour sassurer de
linnocuit de Rg.
Exercice 5.3: vrification de la relation de gain

Considrant le systme asservi stable on a :
Exercice 5.4 : calcul de prcision
Gain du montage :
Erreur du gain : =>
Gain du montage :
Le gain de 10'000 peut donc dj largement tre considr comme infini.
Exercice 5.5 Montage ampli diff.

Tension diffrentielle ampli : 25mA.10 = 250mV
Tension en sortie de lampli : 250mV . 10 = 2.5V
Le taux de rjection du mode commun est dfini par :
=>
Comme la captation de courant est donne par: , il est inutile
de choisir l'amplificateur spcialement pour sa prcision car moins
dutiliser des sries spciales la tolrance maximale dune rsistance est
de 1 %.
Exercice 5.6 : Recherche dans une fiche technique
Pas de corrig (Voir fiche technique LF 351)
Exercice 5.7: Utilit du suiveur de tension

On applique le thorme de Thvenin aprs la 1re cellule :
Le couplage entre le deux cellules sexprime au moyen de las relation du

diviseur de tension savoir :
Le couplage est ngligeable si et cette condition est toujours

assure si R2 >>R1.
Avec un suiveur :
Comme lampli OP nabsorbe aucun courant limpdance de Z2 est infinie

et donc le dcouplage est asssur.
Exercice 5.8: Retour aux sources

Sans dcouplage, la rsistance de source Rs rentre en ligne de compte, ce
qui n'est pas pratique, car elle n'est pas forcment matrise.
La rsistance de source Rs drive une partie du courant mesurer,
dautant plus grande de R est grand. On peut voir cela sous forme dune
rsistance de Thvenin.
On doit donc effectuer les calculs de prcision tel que ceux de lexercice
5.1
Avec le convertisseur courant-tension le problme est rgl :
Grce la masse virtuelle, la rsistance Rs est court-circuite.
Exercice 5.9: Problmes doffset

L'offset reprsent sur l'entre non inverseuse produit un dcalage en
sortie. L'offset sur la borne inverseuse se fait intgrer et produit terme
de la saturation de la sortie de l'amplificateur. C'est un montage dlicat,
o il faut choisir un amplificateur trs bonnes caractristiques d'entre.
Exercice 5.10: Conpensation de loffset

On peut compenser un offset avec un potentiomtre branch sur les
alimentations, et envoyant sa tension rglable sur l'entre non inverseuse.
Exercice 5.11 : Travail de vrification des gains

Voir cours et labo.
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro VII
______________________________________________________
Leon VIII : MONTAGES NON LINAIRES

AMPLI. OPRATIONNELS, COMPARATEURS
Le domaine des systmes non-linaires est vaste et en pleine expansion.

Le but de cette leon est uniquement de montrer quelques montages non-
linaires typiques effectus avec des amplificateurs oprationnels.
Les deux montages amplificateurs oprationnels types, l'inverseur et le

non-inverseur, prsentent dans le cas linaire des gains fort aiss
calculer, nous l'avons prcdemment bien vu. Mais dans le cas non-
linaire, il n'y a pas a priori de mthode systmatiquement valable. On se
contente de prsenter deux exemples de montages utilisant une diode.
Nous avons dj voqu prcdemment les systmes asservis, o la
premire proprit de la raction est d'tre ngative, soit en contre-phase
du signal de commande. Il arrive que l'on dsire explicitement une
raction positive, qui est source d'instabilit. Dans ce cas, bien sr, le
systme considr n'est plus asservi. Pour un amplificateur oprationnel,
cette instabilit se traduit par de la saturation.
______________________________________________________
PLANDELALEONVIII
1. Les montages non linaires amplificateurs 2. Les AOP en raction positive, les comparateurs
oprationnels 2.1. Le comparateur
1.1. Exemple : le redresseur simple alternance 2.2. Principe d'une comparaison, problme
1.2. Exemple : l'amplificateur logarithmique 2.3. Fiche technique d'un comparateur : le LM 311
2.4. Le comparateur non-inverseur (bascule de Schmitt)
2.5. Le comparateur inverseur (bascule de Schmitt)
2.6.Application typique : la bascule astable ou
multivibrateur astable
3.1. Etude de fiche technique
3.2. Seuils de dclenchements
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.LESMONTAGESNONLINAIRES
AMPLIFICATEURSOPRATIONNELS
_____________
1.1. Exemple : le redresseur simple alternance
1.2. Exemple : l'amplificateur logarithmique
Les deux montages amplificateurs oprationnels types, l'inverseur et le

non-inverseur, prsentent dans le cas linaire des gains fort aiss
calculer, nous l'avons prcdemment bien vu. Dans le cas non-linaire, il
n'y a pas a priori de mthode systmatiquement valable.
1.1.Exemple:leredresseursimplealternance
Cet exemple classique de redresseur simple alternance utilise la notion de

diode, qui sera vue de manire plus approfondie plus loin (leon IX).
Symbole lectronique:
Cet lment prsente une caractristique exponentielle :

Elle peut aussi tre modlise de la manire suivante : en sens direct :
source et rsistance, en sens inverse : le courant ne passe pas,
caractristique plate.
Revenons au montage amplificateur oprationnel :
* pour des tensions positives, les deux entres se placent au mme

potentiel conformment au principe de contre-raction (hypothse de
stabilit). Dans ce cas, la sortie suit l'entre avec un supplment de
tension correspondant au seuil de la diode.
* pour de tensions ngatives, l'ampli cherche rtablir l'quilibre ses

entres, mais n'y parvient pas car la diode bloque. La sortie sature donc
son niveau le plus bas.
1.2.Exemple:l'amplificateurlogarithmique
Cette conversion linaire-logarithmique est obtenue grce l'utilisation de

la caractristique exponentielle de la diode :
On obtient la relation suivante :
______________________________________________________
2.LESAOPENRACTIONPOSITIVE,LES
COMPARATEURS
_____________
2.1. Le comparateur
2.2. Principe d'une comparaison, problme
2.3. Fiche technique d'un comparateur : le LM 311
2.4. Le comparateur non-inverseur (bascule de Schmitt)
2.5. Le comparateur inverseur (bascule de Schmitt)
2.6.Application typique : la bascule astable ou multivibrateur astable
Nous avons dj voqu prcdemment les systmes asservis, o la

premire proprit de la raction est d'tre ngative, soit en contre-phase
du signal de commande. Il arrive que l'on dsire explicitement une
raction positive, qui est source d'instabilit. Dans ce cas bien sr le
systme considr n'est plus asservi. Pour un amplificateur oprationnel,
cette instabilit se traduit par de la saturation.
2.1.Lecomparateur
Le cas typique d'utilisation correspond la situation ou l'on ne veut qu'une

information :
" des deux tensions aux entres du circuit, laquelle est la plus grande ? "
On n'a pas besoin de contre-raction, vu le fort gain de l'AOP : la sortie va

toute seule saturer vers la tension de sortie maximale ou minimale selon
le cas.
De plus, cette saturation a une autre consquence : on n'a pas vraiment

besoin d'un amplificateur oprationnel, les fabricants proposent des
comparateurs, qui suffisent. Ces derniers sont en quelque sorte des
amplificateurs oprationnels gain peu soign.
2.2.Principed'unecomparaison,problme
Soit un signal Ui(t) voluant dans le temps, que l'on dsire comparer une
tension de rfrence US :
On a pour un montage de base :
Caractristique de transfert :
* L'absence de raction permet l'amplificateur de saturer, ce qui est
exactement ce qu'on dsire.
* Remarquons encore que si le signal est priodique, on a extrait

l'information concernant sa frquence, au dtriment de celle de son
amplitude.
Problme pos par ce montage
En fait, le signal d'entre du comparateur est toujours entach de bruit et

si on n'en tient pas compte dans un montage plus sophistiqu, on aboutit
au rsultat suivant :
Le circuit manque d'immunit au bruit, et cela cause un rsultat qui

rduit la qualit de l'information de frquence contenue dans le signal de
sortie.
2.3.Fichetechniqued'uncomparateur:leLM311
( Cf. Ex. 3.1. TUDE DE FICHE TECHNIQUE )
2.4.Lecomparateurnoninverseur(basculedeSchmitt)
Montage de base :
On a les relations suivantes, pour les deux seuils :
On obtient ces rsultats en cherchant le seuil de basculement de l'ampli (

) dans les deux cas suivants : sortie haute et sortie basse.
2.5.Lecomparateurinverseur(basculedeSchmitt)
Montage de base :
On a les relations suivantes, pour les deux seuils :
De mme que pour le comparateur non-inverseur, on obtient ces rsultats

en cherchant le seuil de basculement de l'ampli ( ) dans les deux
cas suivants : sortie haute et sortie basse.
( Cf. Ex. 3.2. SEUILS DE DCLENCHEMENTS )
2.6.Applicationtypique:labasculeastableoumultivibrateurastable
Le montage de base de cet oscillateur est le suivant :
On dmontre que la priode d'oscillation de ce montage est donne par :
Le montage des rsistances R1 et R2 constitue une raction positive d'o

provient le trigger en montage inverseur. Ici on implante de plus une
seconde raction : le retour de la sortie sur l'entre par un circuit RC ayant
la proprit de retarder le basculement du comparateur, et donc de crer
un oscillateur :
______________________________________________________
3.EXERCICES
_____________
3.1. Etude de fiche technique
3.2. Seuils de dclenchements
3.1.Etudedefichetechnique
NONC---Retour au paragraphe correspondant du cours
Etudiez la fiche technique du comparateur LM 311.
3.2.Seuilsdedclenchements
Vrifiez les expressions des tensions de dclenchement des deux

montages de trigger.
______________________________________________________
4.Corrigs
_____________
Exercice 3.1
Voir le LM 311
Exercice 3.2
Indication: la sortie du comparateur change d'tat lorsque ses deux

entres ( + et -) subissent le mme potentiel. Il faut distinguer deux cas: la
sortie du comparateur est l'tat haut et dans ce cas on obtient le seuil
de dclenchement du trigger haut-->bas. Et inversemment.
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro VIII
______________________________________________________
LeonIX:SEMICONDUCTEURSETDIODES
Lebutdecetteleonestd'introduirelanotiondesemiconducteur,desefamiliariseravecla
caractristiqueexponentielledelajonctionPNquiestaufondementdufonctionnementdela
diodestandart.
Danscettepartie,onprsentesansl'approfondiruneintroductionauxsemiconducteursetla
jonctionPN.Laphysiquedessemiconducteurs,tantdanssadimensionappliquequedanssa
dimensionrecherchetechnologiqueestbienreprsentel'colepolytechniquedeLausanne.
Pourlestudiantsphysiciens,ilyalecoursdematriauxdetroisimeanneainsiquecelui
desemiconducteursdequatrimeanne.
Cequiimporteiciestdesefamiliariseraveclemodleexponentieldeladiodeetsesdiverses
simplificationsdansdesmontagestrsclassiques.Lesexercicesetlepremiertravailpratique
dusemestreysontconsacrs.
______________________________________________________
PLANDELALEONIX
1.Semiconducteurs 2.JonctionPN
1.1. Introduction 2.1. Introduction
1.2. Description: semiconducteur intrinsque 2.2. Description
1.3. Description: semiconducteur extrinsque de type n 2.3. Dfinition
1.4. Description: semiconducteur extrinsque de type p 2.4. Assertion
1.5. Commentaires 2.5. Proprit
2.6. Exemple
2.7. Commentaire
3.CaractristiquelectriquedelajonctionPN 4.Capacitdetransition
3.1. Description 4.1. Introduction
3.2. Dfinition 4.2. Assertion
3.3. Proprits 4.3. Dfinition
3.4. Dfinitions 4.4. Description
3.5. Commentaires 4.5. Remarque
5.Exercices/6.Corrigs
5.1. Exercice 5.1.
5.2. Exercice 5,2.
5.3. Exercice 5,3.
5.4. Exercice 5.4.
5.5. Exercice 5.5.
5.6. Exercice 5.6.
5.7. Exercice 5.7.
5.8. Exercice 5.8.
5.9. Exercice 5.9.
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.SEMICONDUCTEURS
_____________
1.1. Introduction
1.2. Description: semiconducteur intrinsque
1.3. Description: semiconducteur extrinsque de type n
1.4. Description: semiconducteur extrinsque de type p
1.5. Commentaires
1.1. Introduction
Cette section, essentiellement descriptive, a pour objet de donner au
lecteur des modles simples de semiconducteurs intrinsques et
extrinsques de type n ou de type p. La connaissance de ces modles
permet, par la suite, de rendre compte du comportement des dispositifs
semiconducteurs tels que diode, transistor bipolaire, transistors effet de
champ, etc.
1.2. Description:semiconducteurintrinsque
Un cristal de semiconducteur intrinsque est un solide dont les noyaux

atomiques sont disposs aux noeuds d'un rseau gomtrique rgulier. La
cohsion de cet difice est assure par les liens de valence qui rsultent
de la mise en commun de deux lectrons appartenant chacun deux
atomes voisins de la maille cristalline. Les atomes de semiconducteur sont
ttravalents et le cristal peut tre reprsent par le rseau de la figure 1:
Figure 1: semiconducteur intrinsque
Dfinitions
L'lectron qui possde une nergie suffisante peut quitter la liaison de

valence pour devenir un lectron libre. Il laisse derrire lui un trou qui peut
tre assimil une charge libre positive; en effet, l'lectron quittant la
liaison de valence laquelle il appartenait dmasque une charge positive
du noyau correspondant. Le trou peut tre occup par un autre lectron de
valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui: tout se passe comme si
le trou s'tait dplac, ce qui lui vaut la qualification de charge libre. La
cration d'une paire lectron libre - trou est appele gnration alors qu'on
donne le nom de recombinaison au mcanisme inverse.
Assertion
La temprature est une mesure de l'nergie cintique moyenne des

lectrons dans le solide. On comprend ds lors que la concentration des
lectrons libres et des trous dpende trs fortement de la temprature.
Exemples
Le silicium a un nombre volumique d'atomes de 5 1022 par cm3. A 300K

(27 C), le nombre volumique des lectrons libres et des trous est de 1,5
1010 cm-3, soit une paire lectron libre - trou pour 3,3 1012 atomes.
Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4 1022 par
cm3. A 300K, le nombre volumique des lectrons libres et des trous est 2,5
1013 cm-3, soit une paire lectron libre - trou pour 1,8 109 atomes.
1.3. Description:semiconducteurextrinsquedetypen
Un semiconducteur dans lequel on aurait substitu quelques atomes
ttravalents des atomes pentavalents est dit extrinsque de type n (Fig. 2)
Figure 2: semiconducteur de type n
Quatre lectrons de la couche priphrique de l'atome pentavalent

prennent part aux liens de valence alors que le cinquime, sans attache,
est libre de se mouvoir dans le cristal. L'lectron libre ainsi cr neutralise
la charge positive, solidaire du rseau cristallin, qu'est l'atome pentavalent
ionis.
Dfinitions
Le dopage est l'action qui consiste rendre un semiconducteur

extrinsque. Par extension, ce terme qualifie galement l'existence d'une
concentration d'atomes trangers: on parle de dopage de type n. On
donne le nom d'impurets aux atomes trangers introduits dans la maille
cristalline. Dans le cas d'un semiconducteur extrinsque de type n, les
impurets sont appeles donneurs car chacune d'entre elles donne un
lectron libre.
Modle
Les dopages courants sont d'environ 1016 1018 atomes par cm3. On peut
admettre que le nombre volumique des lectrons libres est gal au
nombre volumique des impurets et que le nombre volumique des trous
(charges libres positives) est ngligeable. Etant donnes ces
considrations, on tablit le modle de semiconducteur reprsent la
figure 3 dans lequel n'apparaissent que les charges essentielles, savoir:
les lectrons libres et les donneurs ioniss. Les charges fixes sont
entoures d'un cercle.
Figure 3: semiconducteur de type n (modle)
1.4. Description:semiconducteurextrinsquedetypep
Si l'on introduit des atomes trivalents dans le rseau cristallin du

semiconducteur, les trois lectrons de la couche priphrique de
l'impuret prennent part aux liens de valence, laissant une place libre. Ce
trou peut tre occup par un lectron d'un autre lien de valence qui laisse,
son tour, un trou derrire lui. L'atome trivalent est alors ionis et sa
charge ngative est neutralise par le trou (voir fig. 4). Le semiconducteur
est alors extrinsque de type p.
Figure 4: semiconducteur de type p
Dfinition
Les impurets, dans un semiconducteur extrinsque de type p. sont
appeles accepteurs au vu de leur proprit d'accepter un lectron situ
dans un lien de valence.
Modle
On peut faire les mmes considrations qu'au paragraphe 1.8 concernant

le nombre volumique des trous: il est approximativement gale au nombre
volumique des impurets. Le nombre volumique des lectrons libres est
alors considr comme ngligeable. Il s'ensuit un modle, reprsent la
figure 5, dans lequel n'apparaissent que les charges prpondrantes: les
trous et les accepteurs ioniss.
Figure 5: semiconducteur de type p (modle)
1.5. Commentaire
Il faut remarquer que le semiconducteur extrinsque, type p ou type n, est
globalement neutre. On peut le comparer un rseau gomtrique dont
certains noeuds sont chargs et dans lequel stagne un gaz de charges
mobiles qui neutralise les charges fixes du rseau. On largit, par la suite,
la notion de semiconducteur de type n un semiconducteur dont le
nombre volumique des donneurs l'emporte sur celui des accepteurs et
celle de semiconducteur de type p un semiconducteur dans lequel le
nombre volumique des accepteurs est prpondrant.
______________________________________________________
2.JONCTIONPN
_____________
2.1. Introduction
2.2. Descrption
2.3. Dfinition
2.4. Assertion
2.5. Proprit
2.6. Exemple
2.7. Commentaire
2.1. Introduction
Le dopage non uniforme d'un semiconducteur, qui met en prsence une
rgion de type n et une rgion de type p, donne naissance une jonction
pn. Dans la prsente section, on tudie, qualitativement, les phnomnes
qui ont pour sige la jonction pn. On donne galement la relation
exponentielle qui lie courant et tension dans une telle jonction.
2.2. Description
Soit le semiconducteur dopage non uniforme de la figure 6 qui prsente
une rgion p nombre volumique d'atomes accepteurs constant suivie
immdiatement d'une rgion n nombre volumique de donneurs constant
galement. La surface de transition entre les deux rgions est appele
jonction pn abrupte. Du fait de la continuit du rseau cristallin, les gaz de
trous de la rgion p et d'lectrons de la rgion n ont tendance
uniformiser leur concentration dans tout le volume disposition.
Cependant, la diffusion des trous vers la rgion n et des lectrons libres
vers la rgion p provoque un dsquilibre lectrique si bien que, dans la
zone proche de la jonction, la neutralit lectrique n'est plus satisfaite. On
trouve, dans la rgion p, des atomes accepteurs et des lectrons, soit une
charge locale ngative, et dans la rgion n, des atomes donneurs et des
trous, soit une charge locale positive. Il s'est donc cr un diple aux
abords de la jonction et, conjointement, un champ lectrique. Une fois
l'quilibre atteint, ce champ lectrique est tel qu'il s'oppose tout
dplacement global de charges libres.
Figure 6: jonction pn abrupte
2.3. Dfinitions
La rgion dans laquelle la neutralit n'est pas satisfaite est appele zone
de dpltion ou zone de charge spatiale alors que les autres rgions sont
dites rgions neutres.
Le champ lectrique interne cr par le diple est nomm champ de

rtention de la diffusion car il s'oppose toute diffusion des charges
mobiles.
2.4. Assertion
Gnralement, la concentration des charges mobiles dans la zone de
charge spatiale est ngligeable vis--vis du nombre volumique des
charges fixes. On idalise cet tat de fait et l'on admet qu'il n'y a pas de
charges mobiles dans la zone de dpltion (voir fig. 7).
Figure 7: charges et champ lectrique
2.5. Proprit
Il existe, entre la rgion p et la rgion n, une barrire de potentiel
nergtique pour les charges mobiles. L'existence de cette barrire se
traduit par une diffrence de potentiel lectrique lie au champ de
rtention de la diffusion.
Preuve
L'existence de la barrire de potentiel est mise en vidence par le travail

Wp qu'il faut fournir pour faire passer un trou de la rgion neutre p la
rgion neutre n ou pour faire passer un lectron en sens contraire (voir fig.
8)
Figure 8: grandeurs spcifiques dans une jonction pn
(1)
o F' est la force oppose la force de Coulomb donne, dans le cas du

trou de charge +e, par l'expression:
(2)
En introduisant (2) dans (1), on fait apparatre la notion de potentiel

lectrique:
(3)
On dsigne par UB0 la hauteur de la barrire de potentiel dans une jonction

l'quilibre (voir fig. 8).
2.6. Exemple
Pour une jonction pn au silicium avec un dopage NA = 1018 cm-3 dans la
rgion p et un dopage ND = 1017 cm-3 dans la rgion n, la hauteur de la
barrire de potentiel 300 K (27 C) l'quilibre vaut 872 mV.
2.7. Commentaires
La hauteur de la barrire de potentiel l'quilibre est telle que les trous
qui sont dans la rgion p ont une nergie moyenne qui n'est juste pas
suffisante pour leur permettre de passer la barrire de potentiel. Il en va
de mme pour les lectrons qui se trouvent dans la rgion n.
______________________________________________________
3.CARACTERISTIQUEELECTRIQUEDELA
JONCTION
_____________
3.1. Description
3.2. Dfinition
3.3. Proprits
3.4. Dfinitions
3.5. Commentaires
3.1. Description
Si l'on applique une tension U la jonction, cette tension se reporte
presque entirement la zone de dpltion qui prsente une rsistivit
trs grande vu la quasi-absence de charges mobiles. Une tension U
ngative (voir fig. 9) renforce le champ de rtention de la diffusion et
augmente, par consquent, la hauteur de la barrire de potentiel, de telle
sorte qu'aucune charge libre ne traverse la zone de charge spatiale.
Figure 9: polarisation de la jonction
Au contraire, si l'on applique une tension U positive (voir fig. 9), le champ
lectrique de rtention de la diffusion est diminu et les charges mobiles
qui ont une nergie suprieure celle que reprsente la hauteur de la
barrire de potentiel peuvent traverser la zone de charge spatiale.
Il est utile, ici, de se rappeler que l'nergie moyenne des charges mobiles
est lie la notion de temprature (voir 1.4) et qu' temprature
donne, cette nergie est constante.
3.2. Dfinitions
L'application d'une tension qui diminue la hauteur de la barrire de
potentiel par rapport l'quilibre est appele polarisation directe par
opposition la polarisation inverse qui augmente la hauteur de la barrire
de potentiel par rapport l'quilibre.
3.3. Proprit
Une polarisation directe permet le passage d'un courant lectrique dans la
jonction alors qu'une polarisation inverse l'empche. Cette proprit est
traduite par les relations:
(4)
(5)
soit
(6)
(7)
dont la drivation sort du cadre de cette tude. La loi exprime par la

relation (6) est reprsente la figure 10.
3.4. Dfinitions
Le courant Is est appel courant inverse de saturation; c'est la valeur
asymptotique du courant I en polarisation inverse.
On appelle tension thermodynamique la tension UT qui vaut
(8)
o k est la constante de Boltzmann, T la temprature absolue et e la

charge de l'lectron. A 25 C, UT = 25mV.
Le facteur n est appel coefficient d'mission. Il est voisin de 1 dans les
jonctions de transistors au Si et dans les diodes au Ge. Il est compris entre
1 et 2 dans le cas de diodes au Si.
Figure 10: caractristique de la jonction
3.5. Commentaires
Le courant inverse de saturation des jonctions au Silicium est de l'ordre de
grandeur de 10-12 10-15 A de telle sorte qu'on peut gnralement le
considrer comme nul en polarisation inverse.
Figure 11: caractristique de la jonction

Dans les cas pratiques, U >> nUT, la relation (6) peut se mettre sous la
forme approche:
(9)
La reprsentation semi-logarithmique de la figure 11 fait apparatre

l'erreur commise en utilisant la relation (9) plutt que (6).
A courant constant, la tension la jonction dcrot de 2 mV pour une

augmentation de temprature de 1 C (voir fig. 10). On appelle coefficient
de temprature la grandeur qui rend compte de ce phnomne:
(10)
o = -2 mV / C.
______________________________________________________
4.CAPACITEDETRANSITION
_____________
4.1. Introduction
4.2. Assertion
4.3. Dfinition
4.4. Description
4.5. Remarque
4.1. Introduction
La largeur de la zone de dpltion dpend de la hauteur de la barrire de

potentiel et, par consquent, de la tension applique. Or, pour varier les
dimensions de cette zone, on doit introduire ou retirer des charges mobiles
qui neutralisent les charges fixes des atomes ioniss. Dans la description
de la jonction en rgime dynamique, on traduit ce comportement capacitif
par la notion de capacit de transition.
4.2. Assertion
La largeur l de la zone de dpltion suit la loi:
(11)
dans laquelle le paramtre m est compris entre 1/3, pour une jonction
progressive linaire, et 1/2, pour une jonction abrupte.
4.3. Dfinition
Soit QT la charge de la zone de dpltion dans la rgion neutre n. Un
accroissement dUB de la hauteur de la barrire de potentiel, gal
l'accroissement dU de tension appliqu la jonction, provoque un
accroissement dQT de la charge QT (voir figure 12).
Figure 12: capacit de transition
On appelle capacit de transition la capacit diffrentielle dfinie par la

relation:
(12)
4.4. Description
Comme pour tout condensateur plan, la capacit de transition se calcule
d'aprs la relation:
(13)
ou est la permittivit du semiconducteur, A la section de la jonction et l

la largeur de la zone de dpltion.
Comme la largeur de la zone de dpltion dpend de la tension U

applique (12), la capacit de transition varie galement en fonction de U
selon la relation:
(14)
o CT0 est la capacit de transition tension nulle; elle a pour expression:
(15)
A la figure 13, on a reprsent l'allure de la capacit de transition en

fonction de la tension applique la jonction.
Figure 13: capacit de transition
4.5. Remarque
Dans les diodes dites VARICAP, on utilise la proprit de variation de la
capacit de transition en fonction de la tension moyenne applique. On a
recours de tels lments en radio, par exemple, pour raliser des circuits
oscillants dont la frquence de rsonance est rgle au moyen d'une
tension.
______________________________________________________
5.EXERCICES
_____________
5.1. Exercice
5.2. Exercice
5.3. Exercice
5.4. Exercice
5.5. Exercice
5.6. Exercice
5.7. Exercice
5.8. Exercice
5.9. Exercice
5.1. Exercice
NONC---Corrig
Onrappellelemodleexponentieldelacaractristiquecouranttensiondeladiode:
Reprsentezcettecaractristique.
Reprsentezlacaractristiquesimplifiecorrespondantaumodlesuivant:
5.2. Exercice
NONC---Corrig
Soitlecircuitdiodesuivant:
OnveutimposeruncourantI0=1mApartirdunesourceU0=2V.
Enutilisantlemodleexponentieldeladiode,calculez
a)lachutedetensionauxbornesdeladiode
b)larsistanceRncessairepourimposerlecourantI0
c)larsistancedynamiquedeladiodeaupointdefonctionnement
Enutilisantlemodlesimplifideladiode(UD=Uj=0.7V),calculezlecourantI0en
prenantlammersistancequecelletrouveprcdemment.
5.3. Exercice
NONC---Corrig
LadiodeZenerprsenteuncomportementsimilaireladiodenormaleensensdirect.Par
contreensensinverselecourantnepassepratiquementpasjusqu'unetensiondite"Zener",
puispartirdecettevaleurdetension,lecomposantprsenteunersistancedynamique
pratiquementnulle.
Reprsentezcecomportementsurungraphiquecouranttension.
EnutilisantlemodlesimplifidesdiodesetdesdiodesZener(chutedetensionconstantede
Uj=0.7Vdanslesensdirectet,pourlesdiodesZener,chutedetensionconstanteUzdansle
sensinverse),tudiezlecomportementdescircuitssuivantsentraantundiagrammedela
tensiondesortieenfonctiondutemps.
v1:signaltriangulairesymtrique5V
5.4. Exercice
NONC---Corrig
Circuitd'alimentation:latension220Vdurseaualimenteuntransformateurassurantune
conversiondeniveau.LadiodeDsupprimel'alternancengativeetlecondensateurC,avecla
chargequ'il"voit"ontuneffetdefiltrage.LadiodeZenerDZassure,danscertaineslimites,
unestabilisationdelatensiondesortieV0.
V1eff=12V,Uz=10V,Izmin=5mA,IL=050mA.
Dessinezl'alluredeV1,V2etV0indiqusdanslafigure,ensupposantquelecourantIZne
sannulejamaisetquelesdiodesDetDZontunersistancediffrentiellenulle.
EnadmettantqueV2nedescendpasendessousde14V,calculezRpourquelecourantIZ
nedescendejamaisaudessousduminimumspcifi.
CalculezlacapacitdefiltragepourassurerquelatensionV2nedescendpasaudessousde
14V.
DterminezlesconditionsdechargequientranentuncourantIZmaximum.CalculezIZmaxet
endduirelapuissancemoyennemaximumdissipedansladiodeZener.
5.5. Exercice
NONC---Corrig
Onproposelemontagesuivant:
VIN=7sin()Uj=0.7VetVZ=4.3V
TracezsurunmmegrapheVINetVOUTenfonctiondutemps.
5.6. Exercice
NONC---Corrig
Ondonne:R1=1K ,R2=10K ,C=1FetUj=0.7V.
Vinestunsignalcarr1KHz.
TracezsurunmmegrapheVINetVOUTenfonctiondutemps.
5.7. Exercice
NONC---Corrig
Dcrivezlefonctionnementdescircuitsdiodessuivants:
5.8. Exercice
NONC---Corrig
Dcrivezetcalculezlefonctionnementducircuitsuivant:
5.9. Exercice
NONC---Corrig
Unediodelectroluminescente(LED)envoiedessignauxnumriquesdansuncanaloptique,
etestbranchedelasorte:
R=1.2Kohm
Latensiond'entrea,enmoyenne,lescaractristiquessuivantes:
Reprsentezlefonctionnementdusystmesurungraphiquecouranttension.
Calculezlespuissancesenjeu,ensupposantunemissionpermanente.
_________________________________________
_____________
Corrig 5.1.
Corrig 5.2.
Corrig 5.3.
Corrig 5.4.
Corrig 5.5.
Corrig 5.6.
Corrig 5.7.
Corrig 5.8.
Corrig 5.9.
Exercice 5.1.
CORRIG---nonc
Reprsentationdelacaractristiquecouranttensionstatique:
Rem:leschellesnesontpasrespectes.
Reprsentationsimplifie:linaireparmorceaux.
Endirect,onconsidrequelabarriredepotentielpeuttremodliseparunesourcede
tensionavecensrieunersistancemodlisantlespertesjoule.
Eninverse,onconsidrelecourantdefuiteIScommengligeable.Ladiodesecomportedonc
encircuitouvert.
Exercice 5.2.
CORRIG---nonc
1.1a)Del'quationdeladiode onobtient
UD= UD=0.72V
b)CommeUD=U0RI0,onobtientpourR:
R=
R=1.28k
c)Rsistancedynamique:rd= rd=39
1.2Aveclemodlesimplifideladiode,Ud=0.7V
=>I0= =1.016mA.
soitunediffrencede1.6%aursultatdonnparlemodleexponentiel.
Exercice 5.3.
CORRIG---nonc
ModesdefonctionnementdeladiodeZener:
2.1Ondduitlediagrammev2(t)suivant:
2.2Onseramneaupremiercas(2.1)grceauthormedeThvenin:
Applicationnumrique:V1crte/2=5V<Uz=>ladiodeZenernestjamaisen
modedeconductioninverse.AlluredeV2enfonctiondutemps:
2.3Cassemblable2.2,saufqueladiodeDliminelesalternancesngatives
delasourceV1.
v1(t)<0.7V=>Destbloque=>ID=0=>V2=0
0.7Vv1(t)=>Dconduit
=>V2=(V10.7) =0.99(V10.7)tantqueV2<Uz
V2=Uz=6VdsqueladiodeZenerconduitenmodeinverse
2.4SiaudpartvC(0)=0etV1=0:
0tT/2:v1(t)0=>Destbloque=>I=0,Cnesechargepas
=>vC(t)=0=>v2(t)=v1(t)vC(t)=v1(t)
T/2t3T/4:dsquev1(t)0.7VDconduit
=>v2(t)=0.7VetvC(t)=v1(t)+0.7V.
Dneconduitquedansunsensdonctantque = <0etdonc
jusqulacrtengativedutriangle.AcetinstantVCmin=V1min0.7V=4.3V
t>3T/4:Dsebloquedsquelapentedev1(t)sinverse=>i(t)=iC(t)=0
=>vC(t)=cst=VCmin=>v2(t)=v1(t)VCmin=v1(t)+4.3V
Exercice 5.4.
CORRIG---nonc
a)AlluredeV2,V1etV0enfonctiondutemps:
b)CalculdeR:
PourqueV0=Uzrestestable,IznedoitjamaistreinfrieurIzmindanslesconditionslesplus
dfavorables,soit:
V2=V2min=14VetIL=ILmax=50mA
IR=IZ+IL=55mA=>Rmax= =72.7
EnvaleurnormaliseonprendraR=68
c)Calculdelacapacitminimum:
Lorsqueladiodeestbloque,lacapacitestdchargeparlecourantIR.
=>iR(t)= =
=>v2(t)estuneexponentielledcroissanteavecuneconstantedetempsRC.
Poursimplifier,onconsidrequev2(t)dcrotlinairementdurantentemps
TT=20ms.
Approximationlinaire=>QC=CV2=TIRmoyen
avec:V2max=V1effUj=16.3VetV2min=14V
=>V2=V2maxV2min=2.3V
=>IRmoy= =76mA.
=>Cmin= =650F
Envaleurnormaliseonprendra680F.
d)CalculdelapuissancemaximumdissipedansladiodeZener:
IZ=IRILestmaximumlorsqueIL=ILmin=0
=>IZmax=IR
LaconstantedetempsthermiquedunediodeZenertantgnralementplusgrandequela
priodeTonsintresselapuissancemoyennesurunepriode:
PZmax=V0IRmoy= =760mW
Exercice 5.5.
CORRIG---nonc
VIN=7sin(t),Uj=0.7VetVZ=4.3V
LesdeuxdiodesnepeuventconduirequelorsqueVOUT=VZ+Uj=5V.
LorsqueVINestinfrieur5V,VOUTsuitparfaitementVIN.
LorsqueVINdpassecettetension,lesdeuxdiodeslimitentVOUT5V.
Exercice 5.6.
CORRIG---nonc
Ondonne:R1=1K,R2=10K,C=1FetUj=0.7V.
VINestunsignalcarr1KHz.
Chaquefront|VCC|vaut5V
Pourrsoudreleproblme,onvadvelopperdescasparcomplexitscroissantes:
a)
Sanslesdiodesetl'quilibre,onaVOUT=VDDaprsunechargeouunedchargecompltes.
b)
Aveclesdiodesetl'quilibreonaura:
VOUT=VDDUjaprsunechargecomplte.
LachargecommenceVOUT=VDD+UjVCC
VOUT=VDD+Ujaprsunedchargecomplte.
LadchargecommenceVOUT=VDDUj+VCC
c)
SupposonsR1=R2,lesdiodesetlaconstanteRC=R1C=R2Ctroplevepouravoirunecharge
ouunedchargecompltes.Al'quilibreona:
VOUT=VDDvf<VDDUjaprslachargepartielle.
LachargecommenceVOUT=VDD+vfVCC
VOUT=VDD+vf>VDD+Ujaprsunedchargepartielle.
LadchargecommenceVOUT=VDDvf+VCC
d)
Casrel.SupposonsR1R2,lesdiodesetlesconstantesR1CR2Ctroplevespouravoir
unechargeouunedchargecompltes.Al'quilibreona:
VOUT=v2<VDDUjaprslachargepartielle.
LachargecommenceVOUT=v1VCC
VOUT=v1>VDD+Ujaprsunedchargepartielle.
LadchargecommenceVOUT=v2+VCC
avecv1v2
Ilestpossibled'valuerlesvaleursv1etv2.Ilfautposerlesdeuxquationsdeuxinconnues
exprimespartirdelaformulegnrale: V(T)=V(0)+(V()V(0))*(1eT/)avec=
RC ouencore
v1=[v2+VCC]+([VDD+Uj][v2+VCC])*(1eT/)avec=R1C v2=[v1VCC]+([VDD
Uj][v1VCC])*(1eT/)avec=R2C
Undbutdersolutiondonnerait:
v1=[v2+VCC]+([VDD+Uj][v2+VCC])*(1eT/)
v1=[[v1VCC]+([VDDUj][v1VCC])*(1eT/)+VCC]
+([VDD+Uj][[v1VCC]+([VDDUj][v1VCC])*(1eT/)+VCC])*(1eT/)
..........
Exercice 5.7.
CORRIG---nonc
A:
Ladiodeplaceenparalllesurlaselfnaaucuneffetenmodedefonctionnementnormal
lorsquelinterrupteurestferm.Eneffetellesetrouveenpolarisationinverseetneconduit
doncpas.Lorsdelouvertureducircuitunesurtensionapparatauxbornesdelaselfselonla
loi.Commele estnormelatensionrsultantelestaussi.
Aumomentolonouvrelinterrupteurlasurtensionestlimite0.7Vquiestlatensionde
conductiondeladiode.Lnergiemagntiqueestdissipeparlarsistancedelabobineetde
ladiode.Cettediodeestappelediodederouelibre.
B:
IlsuffitqueUaouUbsoitmislamassepourquelonobserveunetensiondesortieUo
presquenulle.
Oncritlatabledefonctionnement:
Ua Ub Uo
0V 0V 0.7V
0V 5V 0.7V
5V 0V 0.7V
5V 5V 5V
Ontraduitenlangagelogique:
A B O
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
IlsagitdunefonctionlogiqueET(AND)symboliseainsi:
C:
Lesdiodesontdanscemontagepoureffetdelimiterlexcursiondelatensiondesortie
0.7V.Sionconsidrelemodlelinaireparmorceaux:
Ilsagitdundispositifrudimentairedeprotectionmaintenantlatensiondesortiedansla
fourchette0.7V.
D:
CecircuitestunevarianteducircuitDavecunevaleurdcrtageVcc+0.7V.
Cestsurceprincipequesontraliseslesprotectionsdentredescircuitslogiquedetype
MOS.
Exercice 5.8.
CORRIG---nonc
Sanslacapacit,lecircuitauraitlafonctionderedresseursimplealternance.
Lacapacitformeaveclarsistanceunfiltrepassebasetlnergieemmagasinedansla
capacitsesubstituecelledelasourcelorsdublocagedeladiode.
LecalculdelatensiondesortieetduUrestrelativementcompliquetlong.Commeilest
rarementncessairedeconnatrecesparamtresavecprcisiononferalesapproximations
suivantes:
Lapriodededcharge=priode(approximationdautantmeilleurqueUrestfaible)
Ladchargesefaitdemanirelinaire(enralitilsagitduneexponentielle)
Onobtientpourladchargelesquationssuivantes:
Dececionpeuttirerlafluctuation:
quelonpeutexprimersouslaforme
Lorsqueunefrquencedonneonaugmentelaconstantedetemps,lafluctuationdiminue.
Sionaugmentelapriode,elleaugmente.
Exercice 5.9.
CORRIG---nonc
Si on nglige les effets capacitifs, la tension, le courant et donc la
puissance sont en phase:
Pendant les pics de consommation, la puissance consomme par la diode
sera:
Si l'on moyenne cette puissance sur le temps, on obtient:
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro IX
______________________________________________________
LeonX:LETRANSISTORBIPOLAIRE,
MONTAGESENCOURANTCONTINU
Le but de cette leon est d'introduire au fonctionnement du transistor

bipolaire et du montage inverseur.
Danscettepartiecommedanslaprcdenteconsacreauxsemiconducteursetauxdiodes,il
estprsentuneintroductionaufonctionnementdutransistorbipolaire.LemodledeEberset
Mollpermetdecomprendrelefonctionnementdececomposantetnousl'utiliseronsen
exercicesetenlaboratoiredanslemodecontinu.
______________________________________________________
PLANDELALEONX
1.Gnralits 2.Modesdefonctionnementdutransistor
1.1. Introduction 2.1. Description: Mode F
1.2. Dfinitions 2.2. Description: Mode de fonctionnement R
1.3. Commentaire
1.4. Hypothse
1.5. Description :Transistor au repos
3.ModlesdeEbersetMoll 4.Casdefonctionnementdutransistor
3.1. Description 4.1. Introduction
3.2. Mode F 4.2. Dfinition
3.3. Mode R 4.3. Description: le blocage
3.4. Modle de Ebers et Moll 4.4. Description: le fonctionnement normal direct
4.5. Commentaire
4.6. Description: le fonctionnement normal inverse
4.7. Description: saturation
4.8. Exemple
5.EffetEarly 6.Letransistorenrgimed'accroissements
5.2. Assertion 6.2. Dfinition
5.3. Proprit 6.3. Assertion
5.4. Dfinition 6.4. Modle
5.5. Modle 6.5 Commentaire
6.6. Conclusions
7.L'inverseurtransistorbipolaire 8.Exercices/9.Corrigs
8.1. Exercice
7.1. Rappel sur les 8.2. Exercice
caractristiques 8.3. Exercice
7.2. Description qualitative 8.4. Exercice
7.3. Calculs graphiques 8.5. Exercice
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.GENERALITES
_____________
1.1. Introduction
1.2. Dfinitions
1.3. Commentaire
1.4. Hypothse
1.5. Description :Transistor au repos
1.1. Introduction
Le transistor bipolaire est l'un des dispositifs semiconducteur les plus

utiliss l'heure actuelle dans les rles d'amplificateur et d'interrupteur.
C'est un lment compos de deux jonctions pn; aussi son tude
ncessite-t-elle la connaissance pralable du chapitre SPN traitant de la
jonction.
1.2. Dfinitions
Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif

semiconducteur prsentant trois couches dopages alterns npn ou pnp
(voir fig. 1).
Figure 1: structures et symboles des transistors bipolaires
La couche mdiane est appele base. Leur gomtrie et leur nombre

volumique en impurets distinguent les deux couches externes: metteur
et collecteur. Par extension, on appelle galement base, metteur et
collecteur les trois lectrodes qui donnent accs aux trois couches
correspondantes.
Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont dsignes par
le nom des deux rgions entre lesquelles elles assurent la transition; on
trouve, par consquent, la jonction base-metteur (BE) galement
dnomme jonction de commande et la jonction base-collecteur (BC).
Dans les symboles de la figure 1, la flche dsigne la jonction de
commande.
1.3. Commentaire
Dans les paragraphes et sections qui suivent, on tudie le comportement

du transistor npn laissant au lecteur le soin d'largir ses connaissances au
cas du transistor pnp.
1.4. Hypothse
Le principe de superposition s'applique aux charges injectes par la

jonction BE et aux charges injectes par la jonction BC. On peut donc
tudier sparment l'effet de chaque jonction.
1.5. Description:transistoraurepos
La figure 2 montre les barrires de potentiel nergtique pour les lectrons

et pour les trous. Au repos, elles sont telles que ni les lectrons de
l'metteur, ni les lectrons du collecteur, ni les trous de la base ne
peuvent les franchir.
Figure 2: transistor au repos
______________________________________________________
2.MODESDEFONCTIONNEMENT
DUTRANSISTOR
_____________
2.1. Description: Mode F

2.2. Description: Mode de fonctionnement R
2.1. Description:modeF
Le mode F (Forward: progressif) est un mode particulier de fonctionnement

du transistor dans lequel la tension de la jonction BC est maintenue zro.
A la figure 3 on a reprsent les barrires de potentiel pour les lectrons et
les trous dans le transistor en mode F.
Figure 3: fonctionnement du transistor en mode F
Dans le cas d'une polarisation inverse de la jonction BE, ni les lectrons de

l'metteur, ni les trous de la base ne peuvent franchir la barrire de
potentiel existant entre base et metteur. Aucun courant ne circule dans le
transistor.
Si la jonction BE est polarise en sens direct, la barrire de potentiel de la

jonction BE est diminue. Les lectrons de l'metteur diffusent dans la
base; comme celle-ci est courte, ces lectrons sont rapidement happs par
le puits de potentiel que reprsente le collecteur. Le flux d'lectrons allant
de l'metteur au collecteur en transitant par la base se traduit par un
courant IF, qui n'est rien d'autre que le courant de la jonction BE et qui
rpond l'expression:
(1)
Les trous injects de la base dans l'metteur sont responsables du courant

IBF et obissent galement la loi de la jonction. On peut ainsi crire:
(2)
Dfinition
Le rapport Fentre le courant de collecteur et le courant de base est

constant; on l'appelle gain de courant en mode F :
(3)
Proprits
Les deux courants, IF et IBF qui traversent la jonction BE sont indpendants

du comportement de la jonction BC.
Dans une modlisation du transistor, on traduit l'quation (1) en disant

que le courant de collecteur du transistor, en mode F, est command par
la tension base-metteur. On peut galement affirmer que le courant de
collecteur du transistor, en mode F, est command par le courant de base
selon la relation:
(4)
Ces deux proprits apparaissent dans les caractristiques de transfert en
mode F de la figure 4.
Figure 4: caractristiques de transfert en mode F
La caractristique d'entre du transistor en mode F est donne par la

relation (2) et reprsente la figure 5.
Figure 5: entre en mode F
Commentaires
Lors de la fabrication des transistors on met tout en oeuvre pour que le
courant de base en mode F soit le plus faible possible. En particulier,
l'metteur est dop beaucoup plus fortement que la base pour que les
lectrons injects dans la base soient plus nombreux que les trous injects
dans l'metteur. D'autre part, on ralise des bases aussi troites que
possible de telle sorte que, pendant leur transit, les lectrons n'aient que
peu de chances de s'y recombiner. Le gain de courant en mode F atteint
des valeurs se situant entre 100 et 1000 pour des transistors de petite
puissance (< 1W).
2.2. Description:modedefonctionnementR
Tout comme le mode F, le mode R (Reverse: inverse) dsigne un

fonctionnement particulier du transistor. En mode R, c'est la tension de la
jonction BE que l'on maintient nulle. Les barrires de potentiel pour les
lectrons et pour les trous prennent alors les allures dcrites la figure 6.
Les phnomnes sont identiques ceux qui se produisent en mode F: en

polarisation inverse de la jonction BC, aucun courant ne circule alors qu'en
polarisation directe, les lectrons du collecteur sont injects dans la base,
la traversent, et les trous de la base sont injects dans le collecteur.
Si la jonction BC est polarise en sens direct, sa barrire de potentiel est

diminue. Les lectrons du collecteur diffusent dans la base et sont
happs par le puits de potentiel que reprsente alors l'metteur. Le flux
d'lectrons allant du collecteur l'metteur en transitant par la base se
traduit par un courant IR, qui n'est rien d'autre que le courant d'lectrons
de la jonction BC et qui rpond l'expression:
(5)
Figure 6: fonctionnement du transistor en mode R
Les trous injects de la base dans le collecteur sont responsables du

courant IBR et obissent galement la loi de la jonction. On peut ainsi
crire:
(6)
Dfinition
Le rapport R entre le courant de collecteur et le courant de base est

constant; on l'appelle gain de courant en mode R :
(7)
Proprits
Les deux courants, IR et IBR qui traversent la jonction BC sont indpendants

du comportement de la jonction BE.
Dans une modlisation du transistor, on traduit l'quation (5) en disant

que le courant d'metteur du transistor, en mode R, est command par la
tension base-collecteur. On peut galement affirmer que le courant
d'metteur du transistor, en mode R, est command par le courant de
base selon la relation
(8)
Ces deux proprits apparaissent dans les caractristiques de transfert en

mode R de la figure 7.
Figure 7: caractristiques de transfert en mode R

La caractristique d'entre du transistor en mode R est donne par la
relation (6) et reprsente la figure 8.
Figure 8: entre en mode R
Commentaire
Il est intressant de remarquer que les caractristiques de transfert qui

expriment la relation entre le courant command et la tension de
commande [relations (1) et (5)] ont la mme forme. Ceci s'explique par le
fait que, pour une tension donne. l'injection d'lectrons dans la base ne
dpend que de la concentration des impurets dans la base.
Le gain de courant inverse R, du fait de la technologie, est plus petit que

le gain de courant F; dans un transistor discret de petite puissance il peut
tre compris entre 1 et 10 alors qu'il devient beaucoup plus petit que
l'unit dans les transistors intgrs.
______________________________________________________
3.MODELESDEEBERSETMOLL
_____________
3.1. Description
3.2. Mode F
3.3. Mode R
3.4. Model de Ebers et Moll
3.1. Description
Le modle de Ebers et Moll (modle EM) du transistor rsulte de la
superposition des modes F et R, superposition autorise en vertu de
l'hypothse 1.4
3.2. ModeF
Le courant IF dpend uniquement de UBE (ou de IBF). Le couple de

grandeurs (UBE, IBF), caractristique de la diode DE, rend compte du
comportement de la jonction BE (fig. 9).
Figure 9: mode F
3.3. ModeR
Le courant IR dpend uniquement de UBC (ou de IBR). Le couple de

grandeurs (UBC, IBR), caractristique de la diode DC, rend compte du
comportement de la jonction BC (fig. 10).
Figure 10: mode R
3.4. ModledeEbersetMoll
Comme le modle de Ebers et Moll rsulte de la superposition des modes F

er R, le transistor peut tre reprsent par une source de courant, place
entre collecteur et metteur, dont une composante est commande par la
jonction BE et l'autre par la jonction BC; le comportement des deux
jonctions est simul par les diodes DE et DC places entre base et
metteur, respectivement entre base et collecteur (voir fig. 11).
Figure 11: modle de Ebers et Moll
Le modle de Ebers et Moll est entirement dcrit par trois paramtres qui
sont: le courant inverse de saturation du transistor, Is, le gain de courant
en mode F, F et le gain de courant en mode R, R.
______________________________________________________
4.CASDEFONCTIONNEMENT
DUTRANSISTOR
_____________
4.1. Introduction
4.2. Dfinition
4.3. Description: le blocage
4.4. Description: le fonctionnement normal direct
4.5. Commentaire
4.6. Description: le fonctionnement normal inverse
4.7. Description: saturation
4.8. Exemple
4.1. Introduction
Les divers cas de fonctionnement du transistor dpendent uniquement des

valeurs des tensions aux jonctions BE et BC. Si l'on considre l'tat
passant et l'tat bloqu de chaque jonction, on dnombre quatre cas de
fonctionnement possibles (fig. 12). La prsente section dcrit chacun des
cas aprs en avoir donn une dfinition. Cette dfinition sert galement de
critre pour dfinir le fonctionnement du transistor.
4.2. Dfinitions
Le transistor est bloqu lorsque ses deux jonctions sont en polarisation

inverse (voir fig. 12).
Le transistor est en fonctionnement normal direct lorsque la jonction de

commande BE est en polarisation directe et que la jonction BC est en
polarisation inverse (voir fig. 12).
Le transistor est en fonctionnement normal inverse lorsque la jonction de

commande BE est en polarisation inverse et que la jonction BC est en
polarisation directe (voir fig. 12).
Le transistor est satur lorsque ses deux jonctions sont en polarisation

directe (voir fig. 12).
Figure 12: fonctionnements
4.3. Description:leblocage
Aucun courant ne circule dans un transistor bloqu puisque ses deux

jonctions sont polarises en sens inverse. Le transistor se comporte
comme un circuit ouvert de telle sorte que le collecteur est isol de
l'metteur.
4.4. Description:lefonctionnementnormaldirect
Les barrires de potentiel du transistor en fonctionnement normal direct

sont reprsentes la figure 12. La jonction BE dtermine le dbit des
lectrons. La jonction BC, polarise en sens inverse, n'influence d'aucune
manire le dbit des lectrons. On peut donc dire que, dans ce cas de
fonctionnement, le courant de collecteur est indpendant de la tension UBC
( 0) et que les seules grandeurs prendre en considration sont celles
qui apparaissent dans les expressions (1), (2) et (3). Le modle du
transistor se ramne au modle EM en mode F (fig. 9).
4.5. Commentaire
Comme le gain de courant F est trs grand, en gnral, il est loisible de

ngliger IB vis--vis de IC ou de IE en fonctionnement normal direct. On
admet l'galit entre le courant de collecteur et le courant d'metteur.
(9)
4.6. Description:fonctionnementnormalinverse
La jonction BC dtermine l'injection des lectrons dans la base puis dans

l'metteur, indpendamment de la jonction BE. Les lectrons de l'metteur
ne peuvent franchir la barrire de potentiel qui a pour sige la jonction BE;
il n'y aura par consquent aucune influence de la tension UBE sur le dbit
des lectrons. On a reprsent les barrires de potentiel du
fonctionnement normal inverse la figure 12. Dans ce cas de
fonctionnement, le courant d'metteur est indpendant de la tension UBE (
0) et les seules grandeurs qui entrent en jeu sont celles qui apparaissent
dans les relations (5), (6) et (7). Le modle du transistor se ramne au
modle EM en mode R (fig. 10)
4.7. Description:saturation
En saturation, les deux jonctions du transistor conduisent: c'est donc le

modle EM complet qu'il faut utiliser pour dcrire ce cas de
fonctionnement.
Il est intressant de remarquer que le courant qui circule du collecteur

l'metteur est infrieur au courant qui circulerait si seule l'une ou l'autre
jonction tait polarise en sens direct sous mme tension.
4.8. Exemple
Le modle EM permet de reprsenter les caractristiques de sortie IC =

f(UCE) d'un transistor lorsqu'on prend comme paramtre la tension UBE.
Pour UBE constant, le courant IF est constant. Ds que UCE < UBE, la jonction
BC se polarise en sens direct, le transistor entre en saturation et un
courant IR (1 + 1/ R) se soustrait au courant de collecteur IF.
Figure 13: caractristique de transfert et caractristique de sortie
A la figure 13, on a reprsent la caractristique de transfert IF = f(UBE) et

des caractristiques de sortie pour diffrentes valeurs de UBE. En
fonctionnement normal direct, on remarque le comportement du transistor
en source de courant commande.
______________________________________________________
5.EFFETEARLY
_____________
5.1. Introduction
5.2. Assertion
5.3. Proprit
5.4. Dfinition
5.5 Modle
5.1. Introduction
La longueur de la base est dtermine par les frontires des zones de

dpltion des jonctions BE et BC. La largeur de ces zones de dpltion
dpend de la tension applique la jonction. Il en rsulte que la longueur
de la base dpend de la tension applique aux deux jonctions adjacentes.
Cet effet de modulation de la longueur de la base par les tensions UBE et
UBC a une influence sur le courant de collecteur et est connu sous le nom
d'effet Early (Early est la personne qui, la premire, a dcrit le
phnomne).
Plus prcisment, on appelle effet Early la modulation de la longueur de la

base par la tension UBC et effet Late (Late: "tard", par opposition Early
qui signifie "tt"... le tout avec un brin d'humour!) la modulation de la
longueur de la base par la tension UBC.
5.2. Assertion
On peut dmontrer que le courant de diffusion d aux lectrons injects de

l'metteur dans la base est proportionnel au gradient de leur nombre
volumique. A la frontire de la zone de dpltion de la jonction BC, ce
nombre volumique est toujours pratiquement nul tant donn que les
lectrons y sont happs par le puits de potentiel que reprsente le
collecteur ( voir figure 14).
Figure 14: modulation de la largeur de la base
On constate, d'aprs la figure 14, qu'une augmentation de la tension

UCB rtrcit la base, augmentant ainsi le gradient du nombre
volumique des lectrons. Par consquent, il en dcoulera une
augmentation du courant de collecteur.
5.3. Proprit
La thorie et la pratique montrent que, dans un transistor en

fonctionnement normal direct, les caractristiques de sortie peuvent, en
premire approximation, tre assimiles des droites qui concourent
toutes vers un mme point UCB = -UA situ sur l'axe des abscisses IC = 0
(voir figure 15).
Figure 15: effet Early
5.4. Dfinitions
La tension UA est appele tension Early.

Le mme raisonnement qui a t fait en mode normal direct peut tre fait
en mode normal inverse. On rend compte de la modulation de la longueur
de la base par la tension UB appele tension Late.
5.5. Modle
En mode normal direct et en tenant compte des effets Early et Late, le

courant de collecteur peut s'crire:
(10)
Tout se passe, en fait, comme si le courant inverse de saturation avait

pour expression:
(11)
_________________________________________________
6.LETRANSISTORENREGIME
D'ACCROISSEMENTS
_____________
6.1. Introduction
6.2. Dfinition
6.3. Assertion
6.4. Modle
6.5 Commentaire
6.6. Conclusions
6.1. Introduction
Dans la plupart de ses applications en lectronique analogique, le

transistor travaille en fonctionnement normal direct et en rgime
d'accroissements autour d'un point de repos. Le but de la prsente section
est de donner un modle linaire simplifi du transistor, partir du modle
EM, pour rsoudre les problmes de petits accroissements.
6.2. Dfinition
Le point de repos est dfini par l'ensemble des grandeurs lectriques

caractrisant le transistor en l'absence des signaux amplifier. On affecte
ces grandeurs de l'indice 0: IC0 UBE0 etc. Les accroissements sont les
variations de ces grandeurs lectriques par rapport au point de repos. On
les dsigne par la lettre : IC, UBE etc.
6.3. Assertion
Le travail en rgime d'accroissements permet de linariser les

caractristiques du transistor autour du point de repos: les accroissements
sont assez petits pour que les caractristiques puissent tre assimiles
leur tangente au point de repos. On obtient ainsi des relations linaires
entre les accroissements et partant, un modle simplifi du transistor.
6.4. Modle
Soir un point de repos dtermin par le couple de grandeurs (IC0, UBE0). Le

modle du transistor en fonctionnement normal direct peut tre linaris
lorsqu'on considre des accroissements. En particulier la relation entre les
accroissements de courant command et les accroissements de la tension
de commande devient:
(12)
(13)
est la conductance de transfert du transistor.
On peut rappeler que la relation entre les accroissements du courant

command et les accroissements du courant de commande reste linaire:
(14)
La conductance qui, dans le cas des accroissements, remplace la diode

entre base et metteur a pour expression:
(15)
Le modle qui rend compte de ces diffrents points est reprsent la

figure 16.
Figure 16: modles pour accroissements
6.5. Commentaire
La conductance gce qui, la figure 16, est en parallle avec la source de

courant rend compte de l'effet Early. Elle a pour expression:
(16)
La capacit CTC est la capacit de transition de la jonction base-collecteur

(voir SPN.4). Elle permet de rendre compte des effets dynamiques qui ont
pour sige la jonction BC, polarise en sens inverse.
6.6. Conclusions
Les rgimes de petits accroissements permettent de linariser le modle

EM et conduisent des calculs de circuits simplifis. Il faut cependant tre
conscient du fait que, pour linariser les caractristiques, les
accroissements de tension UBE doivent tre trs infrieurs UT, ce qui
entrane une validit du modle pour des accroissements de la tension de
commande de quelques mV seulement.
_________________________________________________
7.L'INVERSEURATRANSISTORBIPOLAIRE
_____________
7.1. Rappel sur les caractristiques des transistors bipolaires
7.2. L'inverseur transistor bipolaire:description qualitative
7.3. L'inverseur transistor: calculs graphiques
Ce paragraphe a pour ambition de montrer le fonctionnement de

l'inverseur transistor bipolaire. Qu'est ce qu'un inverseur ? Dans le
domaine des signaux numriques, l'information est reprsente par des
"0" et des "1". Un tat logique 0 est obtenu par une tension avoisinant le 0
Volt, alors qu'un tat logique 1 est obtenu par une tension avoisinant le
niveau de l'alimentation des circuits, soit souvent 5 Volts. "Inverser le
signal numrique" signifie produire un 0 si on dispose d'un 1, et
rciproquement. Nous renvoyons la leon XIII consacre une
introduction aux systmes logiques.
L'inverseur transistor bipolaire constitue un montage-type du transistor

bipolaire, simple et utile connatre.
7.1. Rappel sur les caractristiques des transistors bipolaires
Dans le montage dit " metteur commun", le transistor apparat comme

un quadriple dont deux des connexions sont branches l'metteur du
transistor bipolaire :
Les caractristiques d'entre, de sortie et de transfert se schmatisent -

en metteur commun - de la manire suivante :
Il convient encore de rappeler que le gain en courant continu =IC/IB n'est
pas une constante comme schmatis au-dessus, mais une fonction de la
temprature et du courant de collecteur IC.
7.2. L'inverseur transistor bipolaire: description qualitative
Le montage de base est le suivant :

( Cf. Ex. 8.6 : DESCRIPTION DU FONCTIONNEMENT DE L'INVERSEUR )
7.3. L'inverseur transistor, calculs graphiques
Pour calculer graphiquement le montage transistor bipolaire, il convient

de considrer deux diples connects ensembles. Le premier diple est
non-linaire et est constitu par le transistor en metteur commun :
Sa caractristique de sortie est la suivante :
Le second diple est la source de tension alimentant le transistor. Il est

reprsent par une source de Thvenin :
La caractristique de la source de Thvenin est bien connue, mais gagne
cependant tre reprsente :
Le montage complet fait donc intervenir l'association des deux diples

prcdents.
Le calcul graphique consiste superposer les caractristiques et

rechercher le point de fonctionnement du systme constitu part les deux
diples.
( Cf. Ex. 8.7 : COMMENTAIRE DU FONCTIONNEMENT DE L'INVERSEUR )
_________________________________________________
8.EXERCICES
_____________
8.1. Exercice
8.2. Exercice
8.3. Exercice
8.4. Exercice
8.5. Exercice
8.6. Exercice
8.7. Exercice
8.1. Exercice
NONC---Corrig
a)
UnemesuresuruntransistorbipolaireNPN,faiteaveclecircuitcidessus,adonnles
rsultatssuivants:
pourVcc=3VetIB=12A=>IC=2mAetVBE=0.675V
Dansquelmodedefonctionnementsetrouvaitletransistor?
DterminerlesparamtresISetdecetransistor.
Quelcourantdebasefaudraitilimposerpouravoiruncourantdecollecteurde10mA?
Quelleseraitalorslatensionbasemetteur?Danscesconditionsquelleestlavariation
relativeducourantdecollecteursilasourcedecourantdebasevariede2%?
b)
Aveclemmetransistorquaupointa)misdanslecircuitdemesurecidessus,quelletension
basemetteurfautilimposerpouravoirlemmecourantdecollecteurde10mA?Quelest
lecourantdebasecorrespondant?
Danscesconditionsquelleestlavariationrelativeducourantdecollecteursilasourcede
tensionVBEvariede2%?
8.2. Exercice
NONC---Corrig
Introductionl'amplificateur.Soitlemontagesuivant:
UB0=2.9VUj=0.7VRC=4.7k RE=2.2k
=200Vcc=15V
Calculerlepointdereposc..d.lescourantsIB0,IE0etIC0,ainsiquelestensionsUE0etUC0
lorsqueUB=0.
Quelestlemodedefonctionnementdutransistor?
Dcrivezlefonctionnementdumontage
8.3. Exercice
NONC---Corrig
Soitlemontagetransistorbipolairedelafiguresuivante.SachantqueUBE=Uj,calculerles
courantsIB,IEetIC,ainsiquelestensionsUEetUC.
Quelleestlemodedefonctionnementdutransistor?
Valeursnumriques:U=3.4VUj=0.7VR1=4.7kR2=2.7k
=200Vcc=10V
8.4. Exercice
NONC---Corrig
Soitlemontagereprsentlafiguresuivante.SachantqueUBE=Uj,calculerlescourantsIB
etIC,ainsiquelestensionsUBetUC.
Valeursnumriques:U=3.4VUj=0.7VR1=4.7k
R2=2.7k=200Vcc=10V
8.5. Exercice
NONC---Corrig
Onconsidrelemontagesuivant:
=100Uj=0.7VI2max=100mA
DterminezR1etR2pourquelemontagefournisseunetensiondesortieV2stabilise6V.
8.6. Exercice
NONC---Corrig
Dcrire qualitativement le fonctionnement du transistor suivant:
8.7. Exercice
NONC---Corrig
Commentez le fonctionnement de l'inverseur transistor bipolaire et

indiquez ses points de fonctionnement.
_________________________________________________
9.CORRIGES
_____________
Exercice 8.1
Exercice 8.2
Exercice 8.3
Exercice 8.4
Exercice 8.5
Exercice 8.6
Exercice 8.7
Exercice 9.1
CORRIG---nonc
a)Vcc=VCE=3VetVBEUj=0.7V
VCB=VCEVBE2.3V>0=>modenormal
IC=IB=>= =167
=> =>IS=10.6fA
pouravoirIC=10mA,ilfautimposerIB= =60A
cequidonnelavaleurexacteVBE= =0.717V
CommeIC=IB,siIBvariede2%,ICvariede2%.
b)PouravoirIC=10mA,
ilfautimposer:VBE= =0.717V
etlecourantdebasevaut:IB= =60A
SiVBEvariede2%,ICvariede5.78mA17.43mA,soitde42%+74%!
LetransistorestdoncbeaucoupplussensibledesvariationsdelatensionVBEqudes
variationsducourantIB,cequiestgnantpourfairedesmesuresstatiques,maisdevient
intressantpourfaireunamplificateur.
Exercice 9.2
CORRIG---nonc
a)UB=0UE0=UB0Uj=2.2V
IE0= =1mAIC0= IE0IE0=1mA
IB0= =5AUC0=VccRCIC0=10.3V
UBC0=UB0UC0=7.4V=>modenormal
b)gm= =3.85.102A/Vgbe= =192A/V

c)UE=RE(IC+IB)=RE(gm+gbe)UBE
UC=RCIC=gmRCUBE
UB=UE+UBE=(RE(gm+gbe)+1)UBE
comme>>1onpeutadmettreque(gm+gbe)gm
do: et
sideplusgmRE>>1c.a.dsiREIC0UE0>>UT=26mV
alors et
Applicationnumrique:UE0=2.2V>>26mV
=> et
Exercice 9.3
CORRIG---nonc
UE=UUj=2,7V
IE= =1mA
SiletransistorTfonctionneenmodeNormalDirect,alors:
IC=.IBIE=(+1)IBIC
=>IB=5AIC=1mA
doncUC=VCCR1IC=10V4,7V=5,3V
LajonctionBCestbloque(VBC=UUC=3.4V5.3V=1.9V),doncletransistorTse
trouvebienenmodeNormalDirect.
Exercice 9.4
CORRIG---nonc
SoitUR2ladiffrencedepotentielauxbornesdeR2(dfiniedanslemmesensquelecourant
IB).
U+UR2+Uj=0UR2=UUj=2,7V
IB= =1mA
Posonscommehypothse:TenmodeNormalDirect,alors:
IC=.IBIE=(+1)IBIC
IC=200mAUC=10V0,2.4700=...kV!
Ceciestimpossible:Tsetrouvedoncensaturation,lajonctionBCconduit,UBC=0,7VetUC
=UCE=0V.IlfautrecalculerlecourantIC.
IC= =2,1mA
IE=IC+IB=3.1mA
Exercice 9.5
CORRIG---nonc
VCCUj=V2
=0.56 =0.79
Lecourantdansles2rsistancesdupontdiviseurdetensiondoittresuprieur10foisle
courantdebasemaximumdutransistor.
IBmax=I2max/=1mA
R1+R2<VCC/(10.IBmax)R1+R2<1.2K
Exemple:R2=570R1=450
Exercice 9.6
CORRIG---nonc
Dcrire qualitativement le fonctionnement du transistor suivant:
Lorsque la tension Vin est suffisamment leve pour contrecarrer la tension

de seuil de la jonction base-metteur ( environs 0.7 V), un courant Ib
circule dans la base du transistor. Ce courant de base commande un
courant de collecteur, pour autant bien sr qu'une source de tension soit
disponible du ct du collecteur. Lorsque le courant de collecteur
augmente, la tension de sortie du montage diminue.
Exercice 9.7
CORRIG---nonc
Commentez le fonctionnement de l'inverseur transistor bipolaire et

indiquez ses points de fonctionnement.
Si la tension d'entre Vin est nulle ou faible, aucun courant ne circule dans
la base et par consquent dans le collecteur. La tension de sortie du
montage est au niveau de celle de l'alimentation. On parle de bloquage.
Point de fonctionnement: en bas droite sur le graphe.
Si la tension d'entre Vin est suffisamment grande ou maximum, un

courant de base circule et commande un courant de collecteur maximum.
Dans ce cas dit de saturation, la tension de sortie est pratiquement nul.
Point de fonctionnement: en haut gauche.
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro X
______________________________________________________
LeonXI:L'AMPLIFICATEURATRANSISTOR
BIPOLAIRE
Le but de cette leon est de faire dcouvrir le fonctionnement des

amplificateurs transistors, ainsi que les fondements de leur formalisme.
Danscetteleon,onprsenteleformalismedesquadriplessoustroisformes:paramtresz
(impdance),paramtresy(admittance),paramtresh(hybride).Cedernierformalismeestun
outilconceptueldelathoriedescircuitsetsystmeslinaires,etpermetdedcrireet
concevoirlesamplificateurs.
Onmontreleprincipedefonctionnementd'unamplificateurtransistorspetitsignaux,bien
qu'entechnologie,cesamplificateurssoientbienplusvolus.Ontermineaveclescas
particuliersdeceformalisme:lesamplificateursidauxolasortienertroagitpassur
l'entredemanireparasitaire:lesamplificateursdetension,decourant,transrsistance,
transconductance.
Ontrouverauneapprocheplusapprofondieetorienteamplificateurstransistorsauchapitre
2de"Electronique",[14].
Unedescriptiondufonctionnementdutransistorbipolaireenmoded'accroissementssetrouve
laleonXparagraphe6.
______________________________________________________
PLANDELALEONXI
1.DiplesetdualitNortonThvenin 2.Notionsgnralessurlesquadriples
1.1. Diple passif 2.1. Paramtres z
1.2. Diple actif 2.2. Paramtres y
1.3. La resistance comme concept lectrotechnique 2.3. Paramtres h
2.4. Passage d'un formalisme un autre
3.Gainsetimpdancesd'unquadriplecharg 4.Formalismequadripolaireetamplificateurtransistor
5.Amplificateursidaux 6.Exercices/7.Corrigs
5.1. Amplificateur de tension 6.1. Vrification des paramtres d'un quadriple charg
5.2. Amplificateur de courant 6.2. Modlisation en amplificateur de tension
5.3. Amplificateur transconductance 6.3. Exercice
5.4. Amplificateur transrsistance 6.4. Exercice
6.5. Exercice
6.6. Exercice
6.7. Exercice
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.DIPLES ET DUALIT NORTON-THVENIN
_____________
1.1. Diple passif
1.2. Diple actif
1.3. La resistance comme concept lectrotechnique
Lesdiplessont,nousl'avonsdjmentionn,deslmentsconceptuels.Ilspeuvent
constituerdesmodlesplusoumoinsadquatspourlessystmeslectroniques.
1.1. Diple passif
Ledipleestditpassifs'ilnecontientpasdesourceinterne.
Danslecaslinaire,uneimpdanceestaptereprsentersacaractristiquecouranttension.
Ondfinitaussisonadmittance,commel'inversedel'impdance:
1.2. Diple actif
Ledipleestditactifs'ilcontientuneoudessourcesinternes.Danscecas,nousavonsdj
voqulesreprsentationsdeThveninetdeNorton:
1.3.1DualitNortonThvenin
Nousavonsprcdemmentlaissenexerciceladcouvertedela
dualitNortonThvenin:
______________________________________________________
2.NOTIONSGENERALESSURLESQUADRIPLES
_____________
2.1. Paramtres z
2.2. Paramtres y
2.3. Paramtres h
ConformmentlatechniquedeKirchhoff,unquadripleconstitueuneboitenoire,de
laquelleonnereprsentequesesentresetsortiesentermesdecourantettension:
Silesystmeestlinaire,onpeutreprsenterlesrelationsdetransfert,entermesmatriciels,
aveclesquatrepossibilitssuivantes:
2.1. Paramtres z
(z)estlamatriceimpdancedu
quadriple.
Onendduitimmdiatementlesdfinitionssuivantes:
ainsiqueleschmaquivalentduquadripleenz:
2.2. Paramtres y
(y)estlamatriceadmittancedu
quadriple.
Onendduitimmdiatementlesdfinitionssuivantes:
ainsiqueleschmaquivalentduquadripleeny:
2.3. Paramtres h
(h)estlamatricehybrideduquadriple.
Onendduitimmdiatementlesdfinitions:
ainsiqueleschmaquivalentduquadripleenh:
Lesparamtreshybridessonttrsutilissenlectronique.Surleschmaduquadripleenh
prcdent,onpeutlire:
laborned'entreduquadripleprsenteuneimpdanced'entrelimitantlecourantde
chargedelasourceenamont.
ilexisteunetensionderetour,delasortieversl'entre,tensionproportionnellelatension
desortie.
lasortieestdetypesourcedecourant:lecourantdesortieestcontrlparlecourant
d'entre.
lasortieprsenteaussiuneadmittancedesortie.
Ilexisteuneautreterminologiepourcesparamtresh,utiliseenparticulierpourla
spcificationdetransistorsbipolaires:

Ilpeuttreutiledeconvertirladescriptiond'unquadripled'unereprsentationenhenune
reprsentationenzparexemple.Ilexistebienentendudesrglesdepassaged'unsystmede
reprsentationl'autre,ainsiquedespropritsdeconnexiondequadriplesentreeux.Voir
"ThoriedesrseauxdeKirchhoff",[7]auchapitre6.
______________________________________________________
3.GAINETIMPDANCESD'UNQUADRIPLE
CHARG
_____________
Lorsquelequadriple,reprsentparlesparamtreshybridesh,estchargparuneimpdance
ensortie,onalasituationsuivante:
Enconsidrantqu'unesourcedetensiondbiteavecuneimpdancengligeablel'entred'un
quadripleexprimdanslesparamtresh,onobtientlesrelationssuivantes:
( Cf. Ex. 6.1 : Vrification des paramtres d'un quadriple charg )
______________________________________________________
4.FORMALISMEQUADRIPOLAIREET
AMPLIFICATEURTRANSISTOR
_____________
Onlesait,letransistorbipolairen'estpasunlmentlinaire.Pourpalierceproblme,on
pratiquecequ'onappellel'amplificationpetitssignaux:onpolarisel'entreavecunniveau
continuetlesignalamplifiersesuperposeceniveau.
Ensortie,ondoitdduireleniveaucontinu,pournegarderqueleniveaualternatif,rsultant
del'amplificationpetitsignal.
Enformalismequadripleenh,oncrit:
Ainsi,sionutilisedesminusculespourdsignerdescourantsalternatifs,ona,pourlemodle
decetamplificateurtransistorbipolaire:
Onalessignificationssuivantes:
Exempled'amplificateurtransistortraitenexercice:
______________________________________________________
5.AMPLIFICATEURSIDAUX
_____________
5.1. Amplificateur de tension
5.2. Amplificateur de courant
5.3. Amplificateur transconductance
5.4. Amplificateur transrsistance
Lescasquisontgnralementrecherchsenlectroniquesontceuxolasortieneragitpas
surl'entre,dansl'amplificateurprisglobalement:
Leretourdetension,s'ilexistedansl'amplificateurtransistorbipolaire,n'enestpasmoins
indsirable:onchercheleminimiserous'enaffranchir.
Quadripleenh:
Onpeutmettreunquadripleenhsouslaformed'unamplificateurdetensionoudecourant.
Voirparexemplelepremierexercicedecetteleon.Onobtientlesquatretypessimples
d'amplificateurs:
5.1. Amplificateur de tension
Ona,dansuncasidallectroniquement:
Nousavonsvu,enabordantlesamplificateursoprationnels,qu'onparvientobtenirdes
amplificateursdetensionavecd'excellentescaractristiques,bienquelesconstituantsdebase
decesamplificateurssoienteuxmmesextrmementimprcisetimparfaits:C'estunaspect
typiquedumtierd'lectronicien:fairedessystmesprcisavecdumatrielimprcis.
5.2. Amplificateur de courant
5.3. Amplificateur transconductance
5.4. Amplificateur transrsistance
( Cf. Ex. 6.2 : Modlisation en amplificateur de tension )
______________________________________________________
6.EXERCICES
_____________
6.1. Exercice Vrification des paramtres d'un quadriple charg
6.2. Exercice Modlisation en amplificateur de tension
6.3. Exercice
6.4. Exercice
6.5. Exercice
6.6. Exercice
6.7. Exercice
6.1. Vrificationdesparamtresd'unquadriplecharg
NONC---Corrig ---Retour au paragraphe correspondant du cours

Lorsquelequadriple,reprsentparlesparamtreshybridesh,estchargparuneimpdance
ensortie,onalasituationsuivante:
Enconsidrantqu'unesourcedetensiondbiteavecuneimpdancengligeablel'entred'un
quadripleexprimdanslesparamtresh,vrifiezlesrelationssuivantes:
6.2. Modlisationenamplificateurdetension
NONC---Corrig
Onaunlmentlectronique,quel'ondcidedemodliserparunquadriple,comme
amplificateurdetension.Ilestinsrdanslesystmeoildoitremplirsafonction:ilyaune
sourcedecourantenamontetunecharge(impdance)enaval:
Remodlisezl'ensemblecommeunquadripleamplificateurdetension,enexprimantles
impdancesetlegainentension.
6.3. Exercice
NONC---Corrig
Dterminezlesrsistancesd'entreetdesortieduquadriplesuivant:
6.4. Exercice
NONC---Corrig
SoitunamplificateurdetensionavecunechargersistiveRL.QuelleestlatensionVLaux
bornesdelachargeRLsiunesourcedetensionVsestappliquecetamplificateur?
6.5. Exercice
NONC---Corrig
Soitlamplificateuruntransistorcidessous:
Vcc=9VT=BC307(typique:150)
RE1=470RE2=1kRC=3.3kR1=220
kR2=68k
Rs=10kRL=10k
a)CalculerlecourantdepolarisationIC0.
b)Dessinerlecircuitquivalentpourpetitssignauxenbandepassante.
c)CalculerAv=danslabandepassanteenngligeantleffetdegce.
d)DimensionnerC1,C2etCEpouravoirunefrquencedecoupurebasse3dBgaleou
infrieure20Hzenngligeantleffetdegce.
6.6. Exercice
NONC---Corrig
Soitleschmadelafiguresuivante.
a.)SachantqueUBE=Uj,calculerlepointderepos( u=0)c..d.lescourantsIB,IEetIC,ainsi
quelestensionsUEetUC.
Quelleestlemodedefonctionnementdutransistor?
b)Dessinerleschmapouraccroissements(petitssignaux)etdterminergmetgbe.
c.)DterminerlegainG1= uE/ uetG2= uC/ u.
Applicationnumrique:U0=4.6VUj=0.7VRC=4.7kRE=3.9
k
=200Vcc=10V
6.7. Exercice
NONC---Corrig
Onconsidrelemontagemetteurcommundelafiguresuivante:
R1=100KR2=33KRE=2.2KRC=1.8K
RS=1K
C1=CE=infinib=150Uj=0.7V
Ondemande:
a)decalculerlecourantdepolarisationIC0,
b)decalculerlesparamtrespetitssignauxgmetgbe,
c)dedessinerlecircuitquivalentpetitssignaux,
d)decalculer:Av= V2/ VsAv'= V2/ V1
Rin= V1/ i1Rout= V2/ i2
e)pourquelleamplitudedusignalVsobtientonensortie(V2)uneamplitudemaximale.
f)EngardantCE=infini,calculerC1demaniregarantirungainnevariantpasdeplusde1%
pourunefrquenceminimalede100Hz.
g)EngardantC1=infinietCEnul.CalculerlegainAv,Rin,Rout.
______________________________________________________
7.CORRIGS
____________
Corrig 6.1. Vrificationdesparamtresd'unquadriplecharg
Corrig 6.2. Modlisationenamplificateurdetension
Corrig 6.3
Corrig 6.4
Corrig 6.5
Corrig 6.6
Corrig 6.7
Exercice 6.1. Vrificationdesparamtresd'unquadriplecharg
Mailled'entre:
NortonThveninensortie:
Demme:
et attention!Zln'intervientpasdanslecalculdel'impdancedesortiecarc'estun
lmentexternequinefaitpaspartiedusystmeproprementdit.
Exercice 6.2. Modlisationenamplificateurdetension

CORRIG---nonc
ParapplicationdeladualitNortonThveninenentre,ona:
Latensiondesortie
Lasourcedesignalenentrevoituneimpdance:zin+zg
L'impdancedesortieduquadripleestdonnepartlamiseenparallledezoutetdezl.
Exercice 6.3.
CORRIG---nonc
Rinnepeuttretrouvdirectementparl'associationd'impdances .SoitRlamiseen
parallledeR2etRL:R=R2//RL.CettersistanceRestparcourueparlecourant(i1+gmu12),
d'o:
u1=R1i1+R(i1+gmu12)=R1i1+R(i1+gmR1i1)caru12=R1i1
D'oRin= =R1+R+gmR1RavecR=
Routestlarsistanceinternedel'quivalentdeThveninlasortieduquadriple(sansRL),
d'oRout=(gm+ + )1
Exercice 6.4.
CORRIG---nonc
LeschmaquivalentdeThvenindelasourceestlesuivant:
LatensionVevautdoncVe= (loidudiviseurdetension)
Finalement,
Exercice 6.5.
CORRIG---nonc
a)Etantdonnquelegainencourantdutransistorest>>1,onadmetque:
IC= etdonc:IC0=
SilecourantautraversR1etR2est>>IB0(vrifierposteriori)alors:
IC0= =0.97mA
etlonpeutvrifierque =31Aestbien>>IB0= =6.5A
DelavaleurdeIC0ontire:
gm= =37mA/V =27et = =4k
b)Leschmaquivalentpourpetitssignauxenbandepassanteestlesuivant:
Ouencoreenremplaantletransistorparsonmodlepourpetitssignaux:
c)v1=vbe+ve
v2==ic(RL//RC)=gmvbe(RL//RC)
ve=(ic+ib)RE1=(gm+gbe)vbeRE1
Enliminantvbeetenconsidrantque>>1(<=>gm+gbegm)onobtient:
Av=
SigmRE1>>1,cestdiresiIC0RE1>>UT,onpeututiliserlapproximation:
Av=
Ri=
Av=
d)Leschmaquivalentpourpetitssignauxavecleslmentsdterminantlafrquencede
coupurebasseestlesuivant:
Lesplessontdonnspar(enngligeantgce):
fE=[2CE(RE2//(RE1+ + ))]1
f1=[2C1(Rs+R1//R2//(RE1+ ))]1
f2=[2C2(RC+RL)]1
EnchoisissantparexemplefE=17Hzetf1=f2=1.5Hz,onauraunefrquencedecoupure
bassefL(f1+f2+fE)=20Hz.
Pourcelailfautque:
CE=[2fE(RE2//(RE1+ ))]1=26F
C1=[2f1(Rs+R1//R2//(RE1+ ))]1=2.6F
C2=[2f2(RC+RL)]1=8F
DanslapratiqueonpourraprendreC1=4.7F,C2=10FetCE=33F(valeursnormalises
danslasrieE6).
Exercice 6.6.
CORRIG---nonc
a)u=0U0=UE+UjUE=3,9V
IE=UE/RE=1mAIB=IC/=5A
IC=IE/(+1)1mAUc=VccRcIc5,3V
b)gm=IC/UT=3,85.102A/Vgbe=gm/=192,3A/V
c)Demanireexacte:
UE=REIE= (+1)REIB
U=IB[(+1)RE ]= [(+1)RE+ ]
G1= = 1
Demme:
UC=RCIC=RCIB=
G2= = = 1.2
Plussimplement,onvoitquelecourantquitraverseREestdonnpar:
IE=IB+IB
Commeestgrandonpeutposerl'approximation:
UE=REIEREIB=REgmUBEavecUBE=UUE
d'o:
UE= gmRE(UUE)G1= 1
UC=RCIB G2= = 1.2
Exercice 6.7.
CORRIG---nonc
a)Pourdterminerlecourantdereposdansletransistor,onsesertduschmaDCsuivant:
VB= VCC=2,48VVE=VBUj=1,78V
=>IC0IE= =0,81mA
b)gm= 31mA/Vgbe= 0,2mA/V
c)Hypothse:LescapacitsC1etCesontassimilesdescourtcircuits(C1etCE=).
d)Rin= = =4,16k
Rout= =RC=1,8k
Av'= =gmRc=55,8
Av= = = =45
e)Ic0tantconnu,ontrouveVC0=VCCRCIC0=8,5V
Pouravoirlameilleuredynamiquepossible,ilfautqueVC0soitlepointcentraldel'amplitude
crtecrte.
v2max=1.5Vdoncvsmax= =33mV
f)Avecledispositifsuivantondterminelafonctiondetransfert.
H(j)= avec=
C>2.17F
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro XI
______________________________________________________
LeonXII:LETRANSISTORMOS,FAMILLES
LOGIQUES
Le but de cette leon est de prsenter la fonctionnement du transistor

"MOS" et d'introduire au concept de "famille logique".
Bienqu'apparemmentlefonctionnementdutransistorMOSsoitsimilaireceluideson
cousinbipolaire,ledtaildel'analysedesonfonctionnementlaisseapparatredegrandes
divergencesquil'ontpromulgucandidatuniquel'intgrationdescircuitsintgrs
numriques.Ondonnequelquesexercicessimplesdestinssefamiliariseravecle
fonctionnementduMOS,ainsiqu'unecourteinformationsurlesfamillestechnologiques.
____________________________________________________
PLANDELALEONXII
1.Gnralits 2.FonctionnementdutransistorMOS
1.2. Dfinitions 2.2. Dfinitions
1.3. Description 2.3. Flat-Band
1.4. Commentaire 2.4. Forte inversion
2.5. Conduction
2.6. Saturation
3.Chargesetcanal 4.CourantsdansleMOS
3.2. Dfinitions 4.2. Description
3.3. Description 4.3. Dfinitions
3.4. Dfinitions 4.4. Reprsentation
3.5. Modle 4.5. Dfinitions
3.6. Dfinition 4.6. Reprsentations
4.7. Modulation de la longueur du canal
4.8. Modle pour accroissements
5.Introductionauxfamillestechnologiques 6.Caractristiquesimportantes(Critresdeselection)
4.1. La logique des diodes 5.1. Caractristiques de transfert
4.2. La logique des transistors bipolaires 5.2. Fan-In et Fan-Out
4.3. La logique des transistors MOS 5.3. Puissance dissipe
5.4. Dlais de propagation par porte
5.5 Produit puissance-dlai
6.1. Exercice
6.2. Exercice
6.3. Exercice
6.4. Exercice
6.5. Exercice
6.6. Exercice
6.7. Exercice
6.8. Exercice
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.GENERALITES
_____________
1.1. Introduction
1.2. Dfinitions
1.3. Description
1.4. Commentaire
1.1. Introduction
En 1930, L. Lilienfeld de l'Universit de Leipzig dpose un brevet dans

lequel il dcrit un lment qui ressemble au transistor MOS (Mtal Oxyde
Semiconducteur) actuel. Cependant, ce n'est que vers 1960 que, la
technologie ayant suffisamment volu, de tels transistors peuvent tre
raliss avec succs. En particulier, les problmes d'interface oxyde-
semiconducteur ont pu tre rsolus grce l'affinement de la technologie
dans le domaine bipolaire, affinement requis pour obtenir des transistors
de meilleure qualit. Aujourd'hui le transistor MOS constitue, par sa
simplicit de fabrication et ses petites dimensions, l'lment fondamental
des circuits intgrs numriques large chelle.
1.2. Dfinitions
Figure 1: structures et symboles des transistors MOS
Le transistor MOS est un transistor effet de champ constitu d'un

substrat semiconducteur (B) recouvert d'une couche d'oxyde sur laquelle
est dpose l'lectrode de grille (G). Par le biais d'une diffrence de
potentiel applique entre grille et substrat, on cre, dans le
semiconducteur, un champ lectrique qui a pour effet de repousser les
porteurs majoritaires loin de l'interface oxyde-semiconducteur et d'y
laisser diffuser des minoritaires venus de deux lots de type
complmentaire au substrat, la source (S) et le drain (D). Ceux-ci forment
une couche pelliculaire de charges mobiles appele canal. Ces charges
sont susceptibles de transiter entre le drain et la source situs aux
extrmits du canal (fig. 1). Dans cette mme figure, on a galement
reprsent les symboles des transistors MOS canal n et canal p. La
flche indique le sens de conduction des jonctions substrat-source (BS) et
substrat-drain (BD). Sauf prs de l'interface oxyde-semiconducteur, ces
jonctions sont polarises en sens inverse. A la figure 2, on a reprsent
diffrents symboles couramment utiliss pour les transistors MOS.
Figure 2: diffrents symboles du MOS
La longueur du canal est la distance L, compte selon l'axe y, entre la

jonction substrat-source et la jonction substrat-drain.
La largeur du canal, w, correspond la largeur, selon l'axe z, des lots

semiconducteurs formant la source et le drain (fig. 3).
1.3. Description
On intgre des transistors MOS de type complmentaires (CMOS) dans un

mme substrat. Les transistors canal n sont intgrs directement dans le
substrat de type p et on ralise un caisson d'isolation de type n dans
lequel sont intgrs les transistors canal p (fig. 4). Pour satisfaire la
polarisation inverse des jonctions BS et BD, le caisson de type n est
connect au potentiel le plus positif et le substrat de type p au potentiel le
plus ngatif. Il est intressant de remarquer que le transistor est
dtermin par l'emplacement de la grille (sur l'oxyde mince).
Figure 3: structure d'un transistor MOS
Figure 4: MOS complmentaires

Les deux technologies les plus courantes sont celles dites " grilles
mtalliques" et " grilles polysilicium".
Dans la technologie grilles mtalliques, on utilise le mme mtal

(gnralement de l'aluminium) que celui qui permet d'interconnecter les
diffrentes lectrodes du circuit pour raliser les grilles.
Dans la technologie grilles polysilicium, c'est une couche de silicium

polycristallin, sur l'oxyde mince, qui constitue les grilles. Lors de la
diffusion des sources et des drains, cette couche masque le canal et
permet de raliser ainsi un auto-alignement des sources et des drains
avec les grilles. Aprs l'opration de diffusion, les trois lectrodes sont
dopes de mme faon.
1.4. Commentaire
Dans ce chapitre, on tudie le fonctionnement d'un transistor MOS canal

n et substrat homogne. Le soin est laiss au lecteur de transposer les
rsultats pour le cas du transistor MOS canal p (inversion de la polarit
des tensions et du sens des courants).
______________________________________________________
2.FONCTIONNEMENTDU
TRANSISTORMOS
_____________
2.1. Introduction
2.2. Dfinitions
2.3. Flat-Band
2.4. Forte inversion
2.5. Conduction
2.6. Saturation
2.1. Introduction
Dans cette section, on dcrit le fonctionnement du transistor MOS de

manire ce que le lecteur en ait une comprhension intuitive.
2.2. Dfinitions
Tous les potentiels sont rfrs celui de l'lectrode de substrat. On

dsigne par mode F le mode de fonctionnement dans lequel le potentiel de
drain VD est diffrent de zro et par mode R le mode de fonctionnement
dans lequel le potentiel de source VS est diffrent de zro.
On dsigne par V la valeur particulire du potentiel l'interface oxyde-

semiconducteur. On lui donne le nom de potentiel d'interface.
2.3. Flat-Band
La condition flat-band est dtemine par le fait que le potentiel d'interface

V est nul. Dans la figure 5, on a reprsent les charges dans un transistor
n-MOS en condition flat-band. On remarque, en particulier, que les deux
jonctions substrat-source et substrat-drain sont bloques.
Dans la mme figure, on montre le potentiel nergtique pour les

lectrons. On constate que, ni les lectrons de la source, ni les lectrons
du drain, n'ont une nergie suffisante pour pntrer dans le substrat. De
mme, les trous du substrat n'ont pas une nergie suffisante pour
pntrer dans les lectrodes de source et de drain.
Figure 5: MOS en condition de "flat-band"
2.4. Forte inversion
Si l'on augmente le potentiel de grille, un champ lectrique va repousser

les trous loin de l'interface oxyde-semicon-ducteur et le potentiel dont il
dcoule va progressivement augmenter le potentiel d'interface (diminution
du potentiel nergtique d'interface pour les lectrons) jusqu' ce que les
jonctions substrat-source et substrat-drain conduisent. On admet qu'elles
conduisent lorsque le potentiel leur anode vaut Vj. Les lectrons de la
source, comme ceux du drain, peuvent alors passer la barrire de
potentiel et se rpendre le long de l'interface oxyde-semiconducteur,
formant une nappe qui relie la source au drain (Fig. 6). Le trous ayant t
repousss de l'interface oxyde-semiconducteur, il n'y aura pas d'injection
de trous du substrat dans les deux lectrodes drain et source.
Figure 6: MOS en forte inversion, au repos
2.5. Conduction
En conduction, le deux jonctions substrat-source et substrat-drain

conduisent toutes les deux. Cependant, on augmente le potentiel d'une
des lectrodes (Drain en mode F, source en mode R), ce qui a pour
consquence de faire varier le potentiel d'interface entre la source et le
drain, ce potentiel suivant les potentiel de source et de drain une tension
de jonction prs aux extrmits du canal (Fig. 7). De la variation du
potentiel d'interface dcoule un champ lectrique qui aura pour effet de
pousser les lectrons vers une des extrmits du canal (vers le drain en
mode F et vers la source en mode R).
Figure 7: MOS en conduction
2.6. Saturation
Le transistor MOS atteint la saturation lorsqu'on a suffisamment augment

le potentiel de l'une des lectrodes, drain (en mode F) ou source (en mode
R), pour que la jonction substrat-lectrode correspondante se bloque. Le
flux d'lectrons, et par consquent le courant correspondant, n'est plus
tributaire alors que du potentiel de l'lectrode qui injecte et du potentiel
de grille (Fig.8). Vu de l'lectrode dont la jonction est bloque, le transistor
MOS se comporte alors comme une source de courant.
Figure 8: MOS en saturation
______________________________________________________
3.CHARGESETCANAL
_____________
3.1. Introduction
3.2. Dfinitions
3.3. Description
3.4. Dfinitions
3.5. Modle
3.6. Dfinition
3.1. Introduction
La charge des lectrons qui forme le canal est appele charge induite. La
connaissance de cette charge induite permet de calculer les courants dans
le transistor MOS. Par la suite, on considre les charges par unit de
surface de l'interface oxyde-semiconducteur et l'on parle de charge
surfacique.
3.2. Dfinitions
On appelle capacit surfacique de l'oxyde la capacit par unit de surface

C'ox du condensateur plan dont le dilectrique est constitu par l'oxyde
d'paisseur t et dont les lectrodes sont la grille et le semiconducteur
([C'ox] = F/m2).
(1)
Figure 9: charges surfaciques
On appelle charge surfacique de dpltion (voir figure 9) la charge -Q'sd

constitue par les accepteurs ioniss de la zone de dpltion situe sous
l'interface oxyde-semiconducteur. On peut dmontrer, en utilisant la loi de
Gauss, que la charge surfacique de dpltion dpend du potentiel
d'interface par la relation
(2)
(3)
avec [K ]= As/m2V1/2.
On appelle charge surfacique induite la charge -Q'si constitue par les

lectrons qui forment le canal.
On appelle charge surfacique supplmentaire une charge fictive -Q' sup que
l'on situe dans l'oxyde, proximit de l'interface oxyde-semiconducteur, et
qui rend compte d'une diffrence de potentiel lectrochimique entre grille
et substrat ainsi que de diffrentes charges trappes dans l'oxyde. On
suppose que la charge surfacique supplmentaire est constante.
On appelle charge surfacique de grille la charge positive Q' G qui se trouve

sur la grille et qui neutralise toutes les charges ngatives que l'on trouve
du ct semiconducteur.
3.3. Description
Le bilan des charges surfaciques s'crit:
(4)
avec
(5)
et
(6)
La figure 10 montre l'volution de ces diffrentes charges en fonction du

potentiel d'interface V . On y met en vidence la charge surfacique
induite Q'si qui a pour expression:
(7)
3.4. Dfinitions
On appelle potentiel de seuil nominal VT0 le potentiel de grille pour lequel,
alors que les potentiels de source et de drain sont nuls, le potentiel
d'interface V atteint Vj , c'est--dire le potentiel de grille qui entrane la
forte inversion l'interface oxyde-semiconducteur. On obtient l'expression
de VT0 en annulant Q'si et en posant V = Vj dans (7).
(8)
3.5. Modle
Pour simplifier les calculs en forte inversion, on admet une variation

linaire de la charge surfacique de dpltion avec V ds que V > Vj (fig.
10):
Figure 10: charges dans un MOS en fonction du potentiel d'interface
(9)
avec
(10)
et
(11)
En posant n0 = 1+ , la charge surfacique induite peut alors tre exprime

par la relation:
(12)
3.6. Dfinition
A VG donn, on constate que la charge surfacique induite s'annule lorsque

le potentiel de surface atteint la valeur:
(13)
Le potentiel Vp est appel potentiel de pincement.
______________________________________________________
4.COURANTSDANSLEMOS
_____________
4.1. Introduction
4.2. Description
4.3. Dfinitions
4.4. Reprsentation
4.5. Dfinitions
4.6. Reprsentations
4.1. Introduction
Le courant traversant un MOS en forte inversion est d l'influence d'un

champ lectrique Ey, impos par les potentiels de drain et de source, qui
entrane une vitesse vn = - nEy la charge induite formant le canal. Le
courant de drain, positif lorsqu'il traverse le MOS du drain la source, est
gal au dbit des charges formant le canal.
4.2. Description
La charge dQsi = Q'si w dy situe dans une tranche de longueur dy et de

largeur w s'coule travers la section du canal en un temps dt = dy/vn On
peut ainsi exprimer le courant par la relation
(14)
Introduisant la vitesse
(15)
dans (14), on obtient une quation diffrentielle variables sparables

qu'il suffit d'intgrer sur toute la longueur du canal pour pouvoir exprimer
le courant drain:
(16)
4.3. Dfinitions
On appelle paramtre de transconductance la grandeur ([] = A/V2),

dpendant de la technologie, dfinie par la relation:
(17)
Il faut encore remarquer que, pour autant que le canal ne soit pas pinc,
on peut crire (voir figure 7):
(18)
et
(19)
Si l'on pose encore:

(20)
on peut crire (16) sous la forme
(21)
On appelle mode F le mode de fonctionnement particulier dfinit par VS =

0. Le courant en mode F s'crit:
(22)
On appelle mode R le mode de fonctionnement particulier dfinit par VD =

0. Le courant en mode R s'crit:
(23)
4.4. Reprsentation
En tenant compte des considrations ci-dessus, on peut simplifier

considrablement la figure 10 et reprsenter Q'si/C'ox en fonction de Vy
(figure 11).
Le courant IX dans un mode quelconque (X) est proportionnel la suface

du trapze gris de la figure 11. On constate que ce courant crot en
fonction de VX jusqu'au potentiel de pincement Vp selon la relation:
(24)
Ds que VX devient suprieur Vp, le courant IX reste constant et a pour

expression:
(25)
Ces relations sont reprsentes par les caractristiques de sortie de la
figure 12.
Figure 11: reprsentation des courants dans le MOS
Figure 12: caractristiques de sortie du transistor MOS
4.5. Dfinitions
On appelle conduction le rgime de fonctionnement dans lequel le
pincement n'apparat pas dans le canal, c'est--dire lorsque VD < Vp et VS
< Vp.
Le courant drain ID = IF - IR s'crit alors:
(26)
On appelle saturation directe le rgime de fonctionnement dans lequel il y

a pincement l'extrmit drain du canal uniquement, c'est--dire lorsque
VD Vp et VS < Vp. Le courant de drain a pour expression:
(27)
On appelle saturation inverse le rgime de fonctionnement dans lequel il a

pincement l'extrmit source du canal uniquement, c'est--dire lorsque
VD < Vp et VS Vp. Le courant de drain s'crit:
(28)
Dans les rgimes de saturation, on constate que le courant de drain est

indpendant du potentiel de drain en saturation directe et du potentiel de
source en saturation inverse; par consquent, le MOS se comporte comme
une source de courant idale commande par le potentiel VG. A la figure
13, on a reprsent la caractristique de transfert du MOS.
Figure 13: caractristique de transfert
Si les potentiels de drain ou de source ne sont pas nuls, tout se passe

comme si le potentiel de seuil avait vari pour prendre la valeur:
(29)
On parle souvent de modulation du potentiel de seuil par le substrat car

c'est parce que la source (ou le drain) n'est pas au potentiel du substrat
que le phnomne se produit.
Finalement on appelle blocage le rgime de fonctionnement dans lequel il

y a pincement aux deux extrmits du canal et par consquent dans tout
le canal. Aucun courant ne peut alors circuler:
(30)
Figure 14: rgimes de fonctionnement du transistor MOS
4.6. Reprsentation
Pour une valeur donne du potentiel de grille, les divers rgimes de

fonctionnement peuvent tre illustrs par des surfaces dans le plan (VD,
VS) (fig. 14).
Il faut encore remarquer que le courant ID, hors du blocage, est positif si VD
> VS, ngatif si VD < VS et nul si VD = VS.
Au paragraphe 4.6, on a admis que le transistor MOS se comportait

comme une source de courant idale en rgime de saturation. En ralit,
l'extrmit effective L' du canal varie en fonction du potentiel de drain que
l'on applique. Si l'on appelle ID0 la valeur thorique du courant de drain en
saturation directe donne par la relation (27), on admet qu'en tenant
compte de l'effet de modulation de la longueur du canal, le courant de
drain s'crit:
(31)
et VM sont indiffremment appels paramtres de modulation de la

longueur du canal. La figure 15 montre des caractristiques de sortie du
transistor MOS qui tiennent compte de la modulation de la longueur du
canal.
Figure 15: effet de la modulation de la longueur du canal
On suppose, pour la suite de notre tude, qu'en rgime d'accroissements

le transistor MOS travaille autour d'un point de repos Pq qui le met en
saturation directe et que le potentiel de source est constant. Les
accroissements du courant de drain sont commands par les
accroissements des potentiels de grille et de drain selon la relation:
(32)
(33)
et
(34)
A la figure 16, on a reprsent le schma quivalent pour accroissements

du transistor MOS. Par la structure mme du composant, on conoit que la
grille est lie capacitivement la source, au drain et au substrat et que le
drain est li au substrat par la capacit de transition de la jonction
substrat-drain polarise en sens inverse.
Figure 16: modle pour accroissements
______________________________________________________
5.FAMILLES TECHNOLOGIQUES :
INTRODUCTION
_____________
5.1. La logique diodes
5.2. La logique transistors bipolaires
5.3. La logique transistors MOS
Lechapitre7del'ouvrage"Electronique",[14]estconsacrl'tudedtailledes
technologieslogiques.Ici,onmontreunelogiquediodes,unelogiquetransistorsbipolaire
etuntagedesortietransistorsMOStitred'illustrationgnrale.Quelquescaractristiques
decircuitsintgrslogiquessontprsentes.
Idalement,lavaleurlogique"0"s'incarnelectroniquementenunetensionde0Volt,etla
valeurlogique"1"enunetensionde+Vcc,soitleniveaudel'alimentation.
5.1. La logique diodes
Elleutiliseceslmentspassifspourraliserlesfonctionslogiquesprcites.Cette
technologien'est(presque)plusutilise.
L'analysedudispositiflogiquediodessuivantestlaisseenexercice:
(Cf. Ex. 6.5 : Analyse d'une porte logique diodes)
5.2. La logique transistors bipolaires
ElleportelenomgnriquedelogiqueTTL.Ellefonctionnenormalementsousunetension
d'alimentationde5V,etestencoretrsutilise.
Oninvitel'tudiantanalyserl'inverseurlogiquetransistorbipolairesuivant:
(Cf. Ex. 6.6 : Analyse d'une porte logique transistor bipolaire)
5.3. LalogiquetransistorsMOS
Elleportecenomgnrique(MOS,CMOS,HCMOS,...).Elleestgnralementpluslente
quelalogiquebipolaire,maiselleconsommemoinsdecourantsurl'alimentation.(Cf.TP).
Cetteconsommationtantdueessentiellementauxcapacitsinternes,elleaugmenteavecla
frquencedetravail.
Soitcemontagedebase,pouruntagedesortieCMOS:
(Cf. Ex. 7.7 : Analyse d'une porte logique CMOS)
______________________________________________________
6.CARACTRISTIQUES IMPORTANTES
(CRITRES DE SLECTION)
_____________
6.1. Caractristiques de transfert
6.2. Fan-In et Fan-Out
6.3. Puissance dissipe
6.4. Dlais de propagation par porte
6.5 Produit puissance-dlai
6.1. Caractristiquesdetransfert
Ilvadesoiquelacaractristiquedetransfertentensionnepeutpastrefixeabsolument
pouruntypedecircuitdonn.Onspcifiecettedonnesousformedetolrances:
Margesdebruit:
Commelasortied'uncircuitlogiqueestsouventconnectel'entred'unautre,deux
grandeurspertinentessontlamargedebruitetlamargedetensionparasitequepeutsupporter
latransmission,sanssubird'erreurlogique:
Cesmargesdebruitsontbiensrspcifiespourdesfamilleslogiques,avecdestensions
d'alimentation.L'interfaagedediffrentesfamilleslogiquesnepeutdoncsefairesans
prcautionsparticuliresquantcesmarges,etplusgnralementquantl'ensembledes
caractristiquesdesfamillesconcernes.
6.2. Faninetfanout
Pouruncircuitdonn,lefabricantspcifielenombredecircuitsdummetypequel'onpeut
placerenamontetenaval,sansdtriorerlesperformancesdusystme:
Fanin:nombremaximumdeportespouvantdbiterdanslecircuit:
Fanout:nombremaximumdeportespouvantchargerlecircuit.
Exemple:LaporteOUdumontagecidessousestchargepardeuxportesetchargeuneseule
porte:
Remarquonsquelessortiesd'inverseursmisesensemblesdoiventtrecollecteurouvert,
sinononassistedescourtcircuitsoudesindterminations.
6.3. Puissancedissipe
Quecesoitpourlescircuitslogiquesouanalogiques,intgrsoupas,lapuissancedissipeest
toujoursunparamtreimportant.
*L'alimentationdescircuitsdoittrecapablededbiterlecourantncessaire.
Exemple:unsystmelogiqueconsommeenmoyenne100mAsousunetensiond'alimentation
de5V.Quelleestlapuissancemoyennencessaireaufonctionnementdusystme?Combien
detempsunebatteriede5Vspcifie1Ah(Amprefoisheure)peutelleremplirsonrle?
*Lecircuitquiestlesigedel'chauffementpareffetJouledoittrecapabled'vacuerla
chaleur,pourmaintenirunetempraturedefonctionnementacceptable.
Ondfinitleconceptdersistancethermique:
6.4. Dlaisdepropagationparporte
Lesignaldesortied'uneportelogiqueaccuseuncertainretardparrapportlatransitiondu
signald'entre.Ceretardestlidiversphnomnesdynamiques,etlesfabricantsspcifient
lesdlaisdepropagationenmesurantlessignauxmitension.
Ondfinitletempsdepropagation commelamoyennedecesdeuxtemps:
6.5. Produitpuissancedlai
Auseind'unefamillelogique,onpeutdanscertaineslimites,concevoirdescircuitsfaible
dlaiauprixd'uneconsommationleveourciproquementonpeutdiminuerleur
consommation,sionsecontentederapiditsmoindres.
Remarquonsquel'apparitiondecetypedecompromisesttypiqueenlectronique,odes
impdancesdesortiepluttrsistivessecombinentavecdescapacitsparasitespeu
contrles:siondiminuelarsistancedesortieR,leproduitRCdiminue,donclarapiditdu
circuitaugmente.Celapeutnanmoinssefaireparlebiaisd'uneaugmentationdecourant,
doncdeconsommation.
Revenonsnoscircuitslogiques,opourunefamillelogique,le
produitPuissance*Dlaiestconstantsurunecertaineplagedepuissanceet/oudedlais.On
peutdoncutiliserceproduitcommeunfacteurdemritequicaractriselafamillelogique.
Parexemple,ilvaut:
(Cf. Ex. 6.8 Comparaison de fiches techniques)
______________________________________________________
7.EXERCICES
_____________
7.1. Exercice
7.2. Exercice
7.3. Exercice
7.4. Exercice
7.5. Exercice
7.6. Exercice
7.1. Exercice
NONC---Corrig
SoituntransistorMOScanalNavecunetensiondeseuilVT=2VetunepolarisationVS=
0,VD=VG=3V.Danscesconditions,onmesureuncourantdedrainID=1mA.
RpondreauxquestionssuivantesenutilisantlemodlesimplifiduMOS(sanseffetde
substrat).
a)Lepointdefonctionnementestildanslazonedeconduction(nonsature)oudanslazone
saturedescaractristiques?
b)QuedevientlecourantIDsilapolarisationestporteVD=5VetVG=4V?
c)QuelleestlarsistanceducanalRonautourdeVDS=0VlorsqueVG=4V?
7.2. Exercice
NONC---Corrig
Soitlecircuitsuivant:
CaractristiquesduMOST:VT=1V,=0.2mA/V2
a)PourR=10k ,calculerlatensionVoutpourlesdeuxvaleursdelatensiondentreVin=0
VetVin=5V.
b)DterminerlavaleurminimumdeRpourqueVoutsoitinfrieur1VlorsqueVin=5V.
7.3. Exercice
NONC---Corrig
Dcrirequalitativementlefonctionnementdel'inverseurCMOSsuivant
7.4. Exercice
NONC---Corrig
SoitlemontagedelafiguresuivanteutilisantuntransistorMOS.
1/PourquellesvaleursdeU1letransistorneconduitilpas?
2/QuelleestlaconditionsurU2pourqueleMOSsoitensaturation?
3/Dterminerdansunplan(U1;U2)lesdiffrenteszonesdefonctionnementdutransistor.
4/Calculerdanschaquezone,latensionU2=f(U1)etlareprsentersurundiagrammeen
fonctiondeU1.
Applicationnumrique:VT=0.5VR1=10k
K=50mA/V2Vcc=4.5V
7.5. Exercice: analysed'uneportelogiquediodes

Soitlaportelogiquediodes:
Examinezlatabledevritdececircuitlogiquediodes.
Quelleestsonexpressionlogique?
EvaluezsacaractristiquedetransfertXZ,avecY=0.
7.6. Exercice: analysed'uneportelogiquetransistorbipolaire

Soitl'inverseurlogiquetransistorbipolaire:
Examinezlefonctionnementdel'inverseurlogiquetransistorbipolaire,danscemontage.
Voirletravailpratiquedelaboratoireconsacrauxtransistorsbipolaires.
7.7. Exercice Analysed'uneportelogiqueCMOS

Soitcemontagedebase,pouruntagedesortieCMOS:
Dcrirelefonctionnementducircuit.
Quelleestlafonctionprincipaledesdiodesdesortie?
Aquoibonuntagedesortie?
7.8. Exercice 6.8Comparaisondefichestechniques

Etudiezetcomparezlesfichestechniquesd'inverseurMOSetTTL.
______________________________________________________
8.CORRIGS
_____________
Corrig 7.1
Corrig 7.2
Corrig 7.3
Corrig 7.4
Corrig 7.5
Corrig 7.6
Corrig 7.7
Exercice 7.1
CORRIG---nonc
Modlesimplifi<=>n=1<=>VT=VT
a)VS=0=>VD=VG=VDS=VGS=3V
VG>VT+VSetVD>VD,sat=VGVT=1V=>transistorsatur!
ID=1mA=>= =2mA/V2
b)VS=0=>VD=VDS=5VetVG=VGS=4V
VG>VT+VSetVD>VD,sat=VGVT=2V=>zonesature
=>ID= (VGSVT)2=4mA
c)PourdespetitscartsautourdeVDS=0,onpeutapproximerlacaractristiqueID=f(VDS)
(modedeconduction)parunedroitepassantparlorigineetdepente:
= =(VGSVT)
=>Ron250pourVGS=4V.
Exercice 7.2
CORRIG---nonc
Modlesimplifi<=>n=1<=>VT=VT
a)VS=0,Vin=VG=VGS=0V<VT+VS=>transistorbloqu=>ID=0
=>Vout=VddRID=5V
VS=0,Vin=VG=VGS=5V>VT+VS=>transistorconduit
Onsupposeletransistorenrgimelinaire:
ID=((VGSVT).VDS )avecVDS=Vout=VddRID
UnersolutionparunemthodenumriquedonneVout=VDS=0.59V
etlonpeutvrifierqueVDS<VDS,sat=VGSVT=4V
b)VS=0,Vin=VG=VGS=5V>VT+VS=>transistorconduit
PourVout=VDS<VDSmax=1V
VDS<VDS,sat=VGSVT=4V=>rgimelinaire
ID=((VGSVT)VDS )<IDmax=((VGSVT)VDSmax )=0.7mA
R> =5.7k
Exercice 7.3
CORRIG---nonc
QuandVin='1',letransistorTNconduitimposantun'0'ensortie.ParsymtriesiVin='0'le
transistorTPconduitimposantun'1'ensortie.
LacapacitCLmodlisel'entred'uneportesuivante.Cettecapacitdoitsechargeretse
dchargerchaquecommutation.Cettechargesefaitselonlaconstantedetemps
=RDSon*CL.
Exercice 7.4
CORRIG---nonc
1/U1<VT
2/U2>VGSVTd'o
U2>U1VT
3/Lesdiffrenteszonessontindiquesdanslafigurecicontre.4/OnaVGS=U1
zonedeblocage:U2=Vcc
zonedesaturation:U2=VccR1ID=VccR1
ouencoreU2=VccR1
zonelinaire(conduction):VDS=VccR1ID=VccR1K((VGSVT)VDS )
ouencoreU2=VccR1K((U1VT)U2 )
Calculdespointsdechangementdezone:
1erpoint,limiteentreblocageetsaturation:U1=VT
2mepoint:
Onpeutdterminerlepointdechangementdezonesoitpartirdelacourbedesaturation,
soitpartirdelacourbedeconduction.Nouschoisissonslepremiercasquidonneune
quationplussimple
U1VT=
U1Vs=2.69Vlimiteentresaturationetconduction:U1=3.19V
Exercice 7.5
CORRIG---nonc ---Retour au paragraphe correspondant du cours

ux
uy uz X y z
0V 0V 0V 0 0 0
0V 5V 4.3V 0 1 1
5V 0V 4.3V 1 0 1
5V 5V 4.3V 1 1 1
LecircuitimplmentelafonctionboolenneOU(OR):Z=X+Y
Siy='0'onacommecaractristiquedetransfert:
Exercice 7.6

SilatensionUinestnulle,letransistorneconduitpasetlasortievaut+Vcc.
SilatensionUin=Vcc,letransistorconduitetlasortievaut0V.
Onabienuncircuitinverseur.
Enfonctionnementlogiqueonvoitqu'onexploitequeles2pointsextrmesdeladroitede
charge.
Exercice 7.7

Fonctionnement:Voirexercice7.3(inverseurCMOS)
Lafonctiondesdiodesdesortieestdeprotgerletransistorcontrelessurtensions.
Eneffet:SilatensionUoutaugmenteaudessusdeVcc+0.7V,ladiodeduhautsemet
conduire.DemmesiUoutdiminueaudessousde0.7V,ladiodedubasentreenconduction
limitantainsilasurtension.
Lestransistorsd'untagedesortiesontdimensionnsdemanirepouvoirfourniruncourant
plusimportantquelestransistorsinternes.Cecipermetparexempled'attaquerdirectement
uneLEDcequiseraitimpossibleavecuntransistorlogiquestandard.
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro XII
______________________________________________________
LeonXIII:SYSTMESLOGIQUES
COMBINATOIRES
Cetteleonnepeutavoirl'ambitiondesesubstitueruncoursdesystmeslogiques.Sonbut
estdepermettreauxtudiantsd'acqurirunbagageminimumenvuedel'tudedes
convertisseursanalogique/numrique.
Onyprsenterapidementlescodesbinaires,GrayetBCD,titred'introductiongnrale.On
rappellelesoprationsetnotationslogiquesdebase,ainsiquelesinstrumentsquesontles
thormes,latabledevritetlatabledeKarnaugh.Nousconseillonsaulecteurunouvrage
surlessystmeslogiques:"Analyseetsynthsedessystmeslogiques",[18].
______________________________________________________
PLANDELALEONXIII
1.Quelquescodes 2.Oprationslogiquesboolennesdebase
1.1. Code binaire pur 2.1. Opration ET (AND)
1.2. Code en complment deux 2.2. Opration OU (OR)
1.3. Code Gray 2.3. Opration NON (NOT)
1.4. Code BCD 2.4. Opration NON-ET (NAND)
2.5. Opration NON-OU (NOR)
2.6.Opration OU-EXCLUSIF (XOR)
3.LogiqueCombinatoire 4.Exercices/5.Corrigs
3.1. Dfinition 4.1. Exercice: Utilisationdeporteslogiques
3.2. Table de Vrit 4.2. Exercice: UtilisationdelamthodedeKarnaugh
3.3. Table de Karnaugh
3.4. Thormes logiques
___________________________________________________________________________
_________________________
______________________________________________________
1.QUELQUESCODES
_____________
1.1. Code binaire pur
1.2. Code en complment deux
1.3. Code Gray
1.4. Code BCD
1.1. Code binaire pur
*Lebinairepurestlecodageenbasedeux:
*Reprsentationgraphiqued'unmotbinaire:
*Tailleusuelledesmotsbinaires:
Valeursenbinaire
Tailledumot
0255
8bits
065535(64K)
16bits
04294967295(4096M)
32bits
Note:Eninformatique,1K=1024.
*Notationhexadcimale:
Avecunmotde4bits,onpeutcompterde015,cequel'onpeutnoter:
0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F.Lanotationhexadcimalecorrespondl'utilisationdela
base16.Parexemple:50E6(hex)=20710(dc)
*Exemple:comptagesur4bits:
Nombredcimal Nombrebinairepur Nombrehexadcimal

0 0000 0
1 0001 1
2 0010 2
3 0011 3
4 0100 4
5 0101 5
6 0110 6
7 0111 7
8 1000 8
9 1001 9
10 1010 A
11 1011 B
12 1100 C
13 1101 D
14 1110 E
15 1111 F
1.2. Code en complment deux

Ce code sert reprsenter des nombres ngatifs. Pour cela on utilise le bit
de poids fort pour le signe : "1" pour les nombres ngatifs et "0" pour les
nombres positifs. Le codage suivant permet d'additionner des nombres
quelconques, dans les limites de tailles des mots :
Nombre Codageencomplment
dcimal deux
+3 011
+2 010
+1 001
0 000
1 111
2 110
3 101
4 100
Onapourlecodage:
Exemple:Additionnonsencomplmentdeux:3+2=?
101
010
111>1
1.3. Code Gray
Ilexistedessystmes,ol'onaavantagecequed'unevaleurl'autre,iln'yaitqu'unseulbit
quivarie.Cen'estpaslecasdubinaire,opourpasserde12parexemple,deuxbits
changent.Siuncapteurproduituneinformationcode,lestransitionsnesontpassimultanes
etonpeutlire:1(001)>3(011)>2(010)oubien:
1(001)>0(000)>2(010).
D'olecodeGray:
Nombredcimal CodageGray
0 000
1 001
2 011
3 010
4 110
5 111
6 101
7 100
1.4. Code BCD.
Le code binaire cod dcimal (Binary Coded Decimal) consiste coder en

binaire chaque digit du code dcimal. Par exemple, pour coder le nombre
529 :
529 = 5*100 + 2*10 + 9 (dcimal) = 0101 1010 1001 (BCD)
Ce code est pratique pour afficher en dcimal des nombres. Voir l'exercice
plus loin.
______________________________________________________
2.OPRATIONS LOGIQUES
BOOLENNES DE BASE
_____________
2.1. Opration ET(AND)
2.2. Opration OU(OR)
2.3. Opration NON (NOT)
2.4. Opration NON-ET (NAND)
2.5. Opration NON-OU (NOR)
2.6.Opration OU-EXCLUSIF (XOR)
2.1. Opration ET (AND)

Symbolelectronique:
Fonctionlogique:
abc
Ecriture:

000
010
100
111
LaporteETdtectelecasotoutessesentressontl'tathaut(1).
2.2. Opration OU (OR)

Symbolelectronique:
Fonctionlogique:
abc
Ecriture:

000
011
101
111
LaporteOUdtectelecasotoutessesentressontl'tatbas(0).
2.3. OprationNON(NOT)
Symbolelectronique:
Ecriture:
Fonctionlogique:
ab
01
10
2.4. OprationNONET(NAND)
Symbolelectronique:
Ecriture:
Fonctionlogique:
abc
001
011
101
110
2.5. OprationNONOU(NOR)
Symbolelectronique:
Ecriture
Fonctionlogique:
abc
001
010
100
110
2.6. OprationOUEXCLUSIF(XOR)
Symbolelectronique:
Ecriture:
Fonctionlogique:
abc
000
011
101
110
LaporteOUEXCLUSIFdtectelecasosesentressontdiffrentes.
______________________________________________________
3.LOGIQUECOMBINATOIRE
_____________
3.1. Dfinition
3.2. Tabled de vrit
3.3. Table de Karnaugh
3.1. Dfinition
Unsystmelogiqueestditcombinatoiresil'tatdesasortienedpendquedel'tatdeson
entre.Lesystmecombinatoirenedoitdoncpasprsenterderactionsdelasortiesur
l'entre,desortecequel'tatdelasortienedpendepasdel'histoiredusystme.
Atoutinstant,onpeutreprsenterlogiquementunsystmecombinatoireenfaisantuneliste
desentresetdessorties:latabledevrit.
Parexemple,latabledevritdudcodagegraybinairesur3bitsestdonnepar:
Codegray(entre) Codebinaire(sortie)
000 000
001 001
011 010
010 011
110 111
100 101
101 110
111 100
3.2. TabledeKarnaugh
Cette forme de reprsentation est utilise pour trouver une expression

simplifie d'une fonction logique. Dans le cas d'un systme quatre
variables d'entre, on cre un tableau 2 x 4 entres, puis on regroupe les
termes adjacents.
Par exemple, soit la table de vrit suivante :
ABCD E
0000 1
0001 1
0010 0
0011 0
0100 0
0101 1
0110 0
0111 1
1000 0
1001 0
1010 0
1011 1
1100 0
1101 1
1110 0
1111 1
LarsolutionparKarnaughdonne:
Notezqueleslignes2,3etlescolonnes2,3prsententunevariable.C'estainsiquele
regroupementducentres'crit: .
Leregroupementd'enhautdroitereprsenteunesimplificationmoindre: .
Onobtientpourl'expressiondelasortie:
Lesthormessuivantspermettentd'effectuerdescalculsdansl'algbredeBoole:
*Thormesdecommutativit:
*Thormesd'idempotence:
*Thormesdesconstantes:
*Thormesdecomplmentation:
*Thormesdedistributivit:
*ThormesdeDeMorgan:
______________________________________________________
4.EXERCICES
_____________
(voiraussilestravauxpratiquesdelaboratoire )
4.1. Exercice 4.1.Utilisationdeporteslogiques

4.2. Exercice 4,2.UtilisationdelamthodedeKarnaugh
4.1. Exercice 4.1. Utilisationdeporteslogiques

NONC---Corrig
RalisezlafonctionOUEXCLUSIFl'aidedeportesNONETuniquement.
4.2. Exercice 4.2. UtilisationdelamthodedeKarnaugh
NONC---Corrig
Remplissezlatabledevritd'undcodeur7segments:
EnutilisantKarnaugh,exprimezcedcodeurparunefonctionlogique.
Reprsentezcedcodeurl'aidedesporteslogiquesstandards
______________________________________________________
5.CORRIGS
_____________
Exercice 4.1
Exercice 4.2.
Exercice 5.1
CORRIG---nonc
Exercice 5.2. UtilisationdelamthodedeKarnaugh
CORRIG---nonc
W X Y Z a b c d e f G
0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0
0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1
0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1
0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1
0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1
0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0
1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1
1 0 1 0 X X X X X X X
1 0 1 1 X X X X X X X
1 1 0 0 X X X X X X X
1 1 0 1 X X X X X X X
1 1 1 0 X X X X X X X
1 1 1 1 X X X X X X X
wx
yz
00 01 11 10
00 1 0 1 1
01 0 1 1 1
11 X X X X
10 1 1 X X
wx
yz
00 01 11 10
00 1 1 1 1
01 1 0 1 0
11 X X X X
10 1 1 X X
wx
yz
00 01 11 10
00 1 1 1 0
01 1 1 1 1
11 X X X X
10 1 1 X X
wx
yz
00 01 11 10
00 1 0 1 1
01 0 1 0 1
11 X X X X
10 1 1 X X
wx
yz
00 01 11 10
00 1 0 0 1
01 0 0 0 1
11 X X X X
10 1 0 X X
wx
yz
00 01 11 10
00 1 0 0 0
01 1 1 0 1
11 X X X X
10 1 1 X X
wx
yz
00 01 11 10
00 0 0 1 1
01 1 1 0 1
11 X X X X
10 1 1 X X
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro XIII
______________________________________________________
LeonXIV:SYSTMESLOGIQUESSQUENTIELS
Cetteleonapourbutdeprsenterbrivementunautreaspectdelalogiqueboolenne:la
logiquesquentielle.
Lalogiqueboolennen'esteneffetpastoujourscombinatoire(presquejamaisenfaitdansles
dispositifstechniques).Lalogiquecombinatoireestillustresurdesexemplessimplesmais
pertinentspouraborderlessystmescomplexesquesontlesordinateurslectroniques.
______________________________________________________
PLANDELALEONXIV
1.Introduction 2.Systmessynchronesetasynchrones
3.Exempledesystmesquentielsynchrone 4.Quelquesfonctionslogiquessquentielles
4.1. Les Verrous (latches)
4.2. Les Registres
4.3. Les Compteurs
4.4. Les Mmoires
4.5. Les Microprocesseurs
5.1. Exercice 5.1
5.2. Exercice 5.2
5.3. Exercice 5.3
5.4. Exercice 5.4
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.INTRODUCTION
_____________
Lalogiquesquentiellesedistinguedelalogiquecombinatoireparlefaitquedanscette
dernire,lessortiesneragissentqu'auxentres,sansquelesystmenesoitsensible
l'histoiredecesentres,cequiestlecasenlogiquesquentielle.Ilfautalorstoujoursprendre
encomptelessquencesd'entreetdesortiedusystmequel'onveutanalyser.Cettatde
faitrendl'analyseetlasynthsedesystmessquentielspluspointue,etonconsulteracette
fin"Analyseetsynthsedessystmeslogiques",[18].
Pourcequiestdel'accsl'informatique,lelecteurtrouverauncheminementpdagogiqueet
rigoureuxdel'lectroniquelamicroinformatiquedans"Systmesmicroprogramms,une
introductionaumagiciel",[19],ouvragesoutenantunenseignementl'EPFLquenous
recommandonsvivementauxtudiants.
______________________________________________________
2.SYSTMESSYNCHRONESETASYNCHRONES
_____________
Ilyauneautredistinctionimportantequ'ilnousresteprsenter:lessystmeslogiques
peuventtresynchronesouasynchrones.
Systmeasynchrone:sionlaisseunsystmelectroniquevoluerdeluimme,on
disposeradel'informationensortielorsquetouslesdlaislectrophysiquesseserontcouls.
Parexemple,lelecteurpeutconsulterdesfichestechniquesdesporteslogiquespoursefaire
uneidedesordresdegrandeursdecesdlais.Danscecas,lesystmeestasynchrone:le
tempsestcontinucarlasortiepeuttreluen'importequand.
Systmesynchrone:Danscecas,unehorlogelectroniquecadencelamarchedusystme,
etonconnatlesinstantsol'onpeutlirelessorties,onconnatletempsderponsed'un
systme.
______________________________________________________
3.EXEMPLEDESYSTMESQUENTIEL
SYNCHRONE
_____________
Danslesystmeschmatiscidessous,unverroud'entrebloquelesdonnesbinairesen
entre.Cesdonnessonttraitesparundcodeurtravaillantdemanireasynchroneet
combinatoire.Lessortiesasynchronesdudcodeursontfinalementresynchronisessur
l'horlogeparleverroudesortie.

Onreprsenteletiminggraphiquementdelasorte:
(Cf. Ex. 5.1 Timing d'un systme synchrone)
______________________________________________________
4.QUELQUESFONCTIONSSQUENTIELLES
_____________
4.1. Les Verrous (latches)
4.2. Les Registres
4.3. Les Compteurs
4.4. Les Mmoires
4.5. Les Microprocesseurs
4.1. Les Verrous

L'lmentverrou,oubasculeDpermetdemmoriserunbit:
Labasculeprsentelafonctionderecopierl'entreDlasortieQ,auflancmontantde
l'entreCP(ClockPulse):
DCPQ 00>10 10>11
Exempledecircuit:leHC74(doublebasculeDavecsetetreset)
4.2. Les Registres

Unassemblagedeverrouspermetd'obtenirunemmoired'unmot,appeleregistre.L'accs
duregistrepeuttreparallle,srie.Dansl'exempletypeprsentprcedemment,ils'agitde
registresentreparallleetsortieparallle.
Exempledecircuit:le74164(8bitsentresrie,sortieparallle)
4.3. Les Compteurs

Lescompteurssontgalementralissl'aided'assemblagedeverrou.
Exempledecompteur:leHCT4516(compteurbinaireup/down)
4.4.Les Mmoires
Unemmoireestconstitued'unensemblederegistres,munid'unsystmed'adressage
permettantdestockerouaccderdesinformations.
Exempledemmoire:FCB61C65dePhilips.Voirlafichetechniqueenannexe.

ExtraitdelafichetechniquedelammoireFCB61C65dePhilips.
4.5.Les Microprocesseurs
Lemicroprocesseur,danssaformelaplusdpouille,estconstitu:
d'uncompteurdeprogramme(PC),
d'unemmoire(MEM),
d'uneunitarithmtiqueetlogique(ALU),
d'interfacesd'entreetsortie(E/S),
deconnectionsentrecessoussystmes(BUS).
Extraitdelafichetechniquedumicroprocesseur68HC11deMotorola:
______________________________________________________
5.EXERCICES
_____________
5.1. Exercice
5.2. Exercice
5.3. Exercice
5.1. Exercice

Danslesystmeschmatiscidessous,unverroud'entrebloquelesdonnesbinairesen
entre.Cesdonnessonttraitesparundcodeurtravaillantdemanireasynchroneet
combinatoire.Lessortiesasynchronesdudcodeursontfinalementresynchronisessur
l'horlogeparleverroudesortie.
Commentez:
*unefrquenced'horlogepossible,comptetenud'unetechnologieHCMOSetdudcodeur
ayantaumaximum20porteslogiquesensrie(cf.fichestechniques).
*lesdiversdlaisderponsesvisualisablessurletiming.Quanddisposetondelasortie?
*unespcificationentermedetimingetdefrquenced'horlogedusystmeverroudcodeur
verrou.
5.2. Exercice
NONC---Corrig
Concevezunregistre4bitsrudimentaire,entresrieetsortieparallle,enutilisantdes
portesetdesbasculesD.
"Clockdatain"doitvaliderlebitsrie,"Clockout"doitvaliderlemotde4bits.
ComparezaveclaspcificationduHCT164.
5.3. Exercice
NONC---Corrig
Unemmoiretravaillesurunbusdedonnesde8bits,etunbusd'adressesde13bits.
QuelleestsacapacitenKilooctets?
EtudiezlafichetechniqueducircuitmmoireFB61C65.Concevezlesdeuxmmoires
suivantes:
a)16bitsdedonnes,12bitsd'adresse
b)8bitsdonne,14bitsadresse(indication:utilisezleMSBdel'adressagepourslectionner
lammoiredsire)
______________________________________________________
6.CORRIGS
_____________
Exercice 5.1
Exercice 5,2
Exercice 5,3
Exercice 5.1

Sur la fiche technique du HC00 par exemple, on lit un temps de
propagation de 7 ns. Prenons 10 ns par scurit. 20 portes aux maximum
en srie induisent donc un dlai maximum de 200 ns.
Il faut qu'entre le flanc montant de H et celui de non-H, la logique ait eu le

temps de travailler. On obtient donc 2.5 MHz comme frquence d'horloge
maximum.
On dispose de la sortie peu de temps (le temps de rponse du latch, soit
de l'ordre des 10 ns) aprs le latch de non-H, mais on en dispose encore
au latch de H. C'est dire qu'en termes extrieurs, l'entre est prise en
compte au flanc montant de H, et ce moment-l on dispose de la sortie
avec un retard de 400 ns.
Exercice 5.2
CORRIG---nonc
Voir la spcification du HC164
Exercice 5.3
CORRIG---nonc
- 8K
- Cela revient connecter ensemble leur bus d'adresse, et constituer un

bus largi de donnes, 16 bits
- L'association de mmoires sert souvent ce cas: on veut tendre la zone

mmoire. Dans ce cas, les deux mmoires sont connectes sur le mme
bus de donnes, mais c'est l'adresse qui choisit laquelle est active. Au
plus simple, le bit de fort poid de l'adresse sert selectionner la mmoire.
Plus compliqu: un dcodeur est plac sur le bus d'adresse.
_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro XIV
______________________________________________________
LeonXV:CONVERTISSEURSNUMRIQUE/
ANALOGIQUE
Lebutdecetteleonestd'introduirequelquesprincipesdeconversiondesignaux
numriquesensignauxanalogiques.
Cetteleonprsentequelquesprincipesdeconversionnumrique/analogiqueainsiqueles
caractristiquestypiquesliesdesralisationspratiques.
______________________________________________________
PLANDELALEONXV
1.Principesdeconversionnumrique/analogique 2.Ralisationspratiques
2.1. Caractristiques gnrales des convertisseurs N/A
1.1. Convertisseur numrique/analogique 2.2. Exemple de convertisseur numrique / analogique : le
1.2. Le convertisseur potentiomtrique DAC 800
1.3.Le convertisseur rsistances pondres
1.4.Le convertisseur sources de courant pondres
3.1. Exercice 3.1.convertisseur potentiomtrique
3.2. Exercice 3.2. reconnaissance de principe de
conversion
3.3. Exercice 3.3.Fiche technique du DAC 800
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.PRINCIPESDECONVERSIONNUMRIQUE/
ANALOGIQUE
_____________
1.1. Convertisseur Numrique/Analogique
1.2. Le convertisseur potentiomtrique
1.3.Le convertisseur rsistances pondres
1.4.Le convertisseur sources de courant pondres
1.1. Convertisseurnumrique/analogique
On dispose d'un mot numrique de n bits, que l'on voudrait "convertir" en
une tension analogique, en considrant un code binaire :
La tension de sortie est rapporte une autre tension, dite de rfrence :

1.2. Le convertisseur potentiomtrique
Le principe de conversion est le suivant :
L'inconvnient de ce type de convertisseur est le grand nombre de

composants. Les interrupteurs sont raliss en technologie MOS.
(Cf. Ex. 3.1 : CONVERTISSEUR POTENTIOMTRIQUE)
1.3. Leconvertisseurrsistancespondres
L'amplificateur oprationnel est mont ici en sommateur pondr par les
rsistances :
Ce montage est dit commutation de tension, de manire similaire, on
obtient un montage commutation de courant.
1.4. Le convertisseur sources de courant pondres
Usuellement, les sources de courant de ces convertisseurs sont ralises

au moyen de transistors bipolaires.
______________________________________________________
2.RALISATIONS PRATIQUES
_____________
2.1. Caractristiques gnrales des convertisseurs N/A
2.2. Exemple de convertisseur numrique / analogique : le DAC 800
2.1. Caractristiques gnrales des convertisseurs n / a
* La rsolution est donne par la taille en bits du mot.

Par exemple, un convertisseur de 12 bits avec une tension de rfrence de
10 V prsente une rsolution de 2.44 mV.
* L'erreur de dcalage (offset)
Dcalage en Volt entre la rponse relle et la rponse idale.
* L'erreur de gain
Variation de gain entre le gain rel et le gain idal.
* La non-linarit intgrale
Ecart maximal entre la fonction de transfert relle et idale.

* La non-linarit diffrentielle.
Ecart maximal entre un pas de quantification rel et le pas correspondant

idal.
* La non-monotonicit
Ce dfaut peut prendre beaucoup d'importance dans les systmes

boucls, o une contre-raction doit tre ngative. Un convertisseur non-
monotone peut causer des instabilits.
2.2. Exemple de convertisseur numrique / analogique : le

DAC 800
ExtraitdelafichetechniqueduDAC800:

(Cf. Ex. 3.2 FICHE TECHNIQUE DU DAC 800)
______________________________________________________
3.EXERCICES
_____________
3.1. Exercice: Convertisseur potentiomtrique
3.2. Exercice: Fiche technnique du DAC 800
3.1. Exercice 3.1.

Pourquoi est-il ncessaire de placer un amplificateur mont en suiveur la
sortie du convertisseur potentiomtrique du point 1.2 ?
3.2. Exercice

- Etudiez la fiche technique du convertisseur DAC 800.
- Etudiez les applications typiques prsentes dans la notice.
______________________________________________________
4.CORRIGS
_____________
Exercice 3.1: Convertisseur potentiomtrique
Exercice 3.2: Fiche technique du DAC 800
Exercice 3.1.
La rsistance de sortie du montage est indtermine dans la mesure o

elle dpend de l'tat des commutateurs. Un dcouplage permet de
s'affranchir de ce problme.
Exercice 3.2.
Voir la fiche technique du DAC 800.
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FIN DE LA LECON Numro XV
______________________________________________________
LeonXVI:CONVERTISSEURSANALOGIQUE/
NUMRIQUE
Le but de cette leon est de montrer quelques principes et problmes de

la conversion analogique / numrique.
Danscetteleon,onintroduitleconceptdeconvertisseuranalogique/numrique,une
discussionsurlanaturedessignauxlectroniques,ainsiquelethormed'chantillonnagede
Shannon.Cedernierpermetcecernerunelimitationphysiquelarapiditd'chantillonnage
dessignauxanalogiques.Onpasseenrevuelesprincipauxtypesdeconvertisseurs,en
discutantleursperformances.Lechapitre9del'ouvrage"Thorieettraitementdesignaux",
[3]estconsacrlaquestiondel'chantillonnagedesignauxlectriques.
______________________________________________________
PLANDELALEONXVI
1.ConversionN/Aetsignauxlectriques 2.Echantillonnagedesignaux
1.1. Le convertisseur Analogique/Numrique (CAN)
1.2. Classification morphologique des signaux
1.3.Remarque scientifique: electricit et physique
3.Principesdeconversion 4.Ralisationspratiquesdeconvertisseurs
3.1. Convertisseurs intgration analogique 4.1. Caractristiques gnrales des convertisseurs
3.2. Convertisseurs intgration numrique A/N
3.3. Convertisseurs approximations successives 4.2. Exemple de convertisseur A/N : le ADC 0800
3.4. Convertisseurs Flash
Exercice 5.1
Exercice 5.2: ApplicationduthormedeShannon
Exercice 5.3: Analyseduconvertisseursimplerampe
Exercice 5.4: Analyseduconvertisseurintgrationnumrique
Exercice 5.5: Analysedutrackingconverter
Exercice 5.6: Analyseduconvertisseurapproximations
successives
Exercice 5.7: Analyseduconvertisseurflash
Exercice 5.8: Fichetechniquedel'ADC0800
_________________________________________________________________
____________________________________
______________________________________________________
1.CONVERSIONA/NETSIGNAUXLECTRIQUES
_____________
1.1. Le convertisseur Analogique/Numrique (CAN)
1.2. Classification morphologique des signaux
1.3.Remarque scientifique: electricit et physique
1.1. LeconvertisseurAnalogique/Numrique(CAN)
*Ondisposed'unsignalanalogique,dontonvoudraitconvertirlavaleurenunmot
numrique,codenbinaire:
*Danslecasd'unconvertisseurditratiomtrique,lemotbinaireensortieestproportionnelau
rapportdelatensiond'entreunetensionderfrence:
Sileconvertisseurn'estpasspcifiratiomtrique,latensionderfrencedoittrefixe.
1.2. Classificationmorphologiquedessignaux
Nousprsentonsiciuneclassificationmorphologiquedesignaux,selonqu'ilssontcontinus
oudiscrets,dansuntempscontinuoudiscret.
Classificationmorphologiquedessignaux:
Lesignalanalogiquepeuttypiquementsortird'unamplificateuroprationnel:ilvolue
danssagammedetensionetdansuntempscontinu.
Lesignalnumriqueesttypiquementcequisepropagedanslessystmesinformatiques,o
l'informationestcodedansuntempsdiscret.
Unsignalquantifivoluedansuntempscontinu,maisnepeutprendrequedesvaleursde
tensionquantifies.
Typiquement,c'estlesignalqu'ontrouvelasortied'unconvertisseurnumrique/
analogique.
Unsignalchantillonncorrespondladiscrtisationdutempsappliqueunsignal
analogique.
L'chantillonnaged'unsignalanalogiqueestsouventunetapedelaconversionanalogique/
numrique.
L'chantillonneurbloqueurleplussimpleestconstitud'uninterrupteurdequalitetd'un
condensateursechargeantlatensionvoulue.
1.3. Remarquescientifique:lectricitetphysique
Remarquonsquelesdistinctionsprsentesprcdemmentconcernantlanaturedessignaux
lectroniquessontdesoutilstechniques,permettantd'indiquerosetrouvel'informationque
l'onvhicule.Dupointdevuedelaphysiqueclassique,touscessignauxlectriquessont
analogiques.Maisquesontcessignauxdanslescadresdesautresphysiques?Ici,nousnous
contenteronsd'uneremarquegnralesousformed'unmicropanoramapouvantpeuttre
servirl'tudiantphysiciensituerl'ingnierielectronique
*NousavonsdrivlemodledeKirchhoffdel'lectromagntisme.Cemodlerelvedonc
delaphysiqueclassique,cettatdefaits'estillustraveclebonfonctionnementdel'analogie
lectromcanique.LemodledeKirchhoffsesituedoncdansuneapprocheclassique
objectiviste,c'estdireobservantdesfaits,sansinteractionavecunobservateur:
*Oronlesait,enphysiqueditemoderne,l'observateurinterfreaveclesystmeobserv.
Lesproblmesdesemiconducteursetd'optiqueutilisentgnralementlaphysiquequantique.
Lesrelationsd'incertitude,lanoncommutativitdesobservablesexprimentuntatderelation
entreobservateuretobserv:
*Danslanouvellephysique,leparadigmedelathermodynamiqueestenrichiparl'intgration
delanotiond'information:
Onvoitque,bienqu'amarrelaphysiqueclassiqueparlemodledeKirchhoff,l'ingnierie
lectroniqueabordecequ'ilyadeplusrcentenphysique:lathoriedel'information.Cette
informationreprsentecequ'onobtientd'unsystmeenluifournissantdel'nergie:dela
nguentropiepourl'observateur,del'entropiepourl'observ.Cettequestion,del'ordredulien
entrephysiqueetlectricitactuellesestlaissel'espritdecuriositetderecherchedu
lecteur.(Brillouin,Prigogine,...)
______________________________________________________
2.CHANTILLONNAGEDESIGNAUX
_____________
Auchapitre9dutraitd'lectricitVol6:traitementdesignal([12]),ilesttraitlaquestion
del'chantillonnagedesignaux.Dupointdevueinstrumental,nousdevonssimplement
indiquericique:
Lacadenced'chantillonnaged'unsignaldoittreaumoinsdeuxfoispluslevequela
plushautefrquencecontenuedanslesignalchantillonner.
CersultatestconnusouslenomdethormedeShannon.Ilsignifieaussibiensrqu'un
signaldoitvoirsonspectrelimitpourpouvoirtrechantillonn:ilyatoujoursunfiltre
lectroniquedevantunchantillonneur.
(Cf. Ex. 5.1 : APPLICATION DU Thorme DE SHANNON)
______________________________________________________
3.PRINCIPESDECONVERSION
_____________
3.1. Convertisseurs intgration analogique

3.2. Convertisseurs intgration numrique
3.3. Convertisseurs approximations successives
3.4. Convertisseurs Flash
3.1. Convertisseursintgrationanalogique
Principedel'intgrateursimplerampe:
Latensionderfrenceestintgreparl'amplificateuroprationnel,puiscomparela
tensionconvertir.Lemontagelogiqueenavalcompteletempsquemetlasortiede
l'intgrateurrejoindrelatensiond'entre.
(Cf. Ex. 5.2 : ANALYSE DU CONVERTISSEUR SIMPLE RAMPE)
3.2. Convertisseursintgrationnumrique
Lecompteurpartdezro,etcomptejusqu'cequ'ilatteigneunevaleurtrsprochedecelle
correspondantlatensiond'entre.
(Cf. Ex. 5.3 : ANALYSE DU CONVERTISSEUR INTGRATION NUMRIQUE)
Trackingconverter:
Ici,lecompteurnedoitpascomptertoutlemot,commeauparavant.Ilestcapabledecompter
oudcompterpouratteindresavaleur.
(Cf. Ex. 5.4 : ANALYSE DU TRACKING CONVERTER)

3.3. Convertisseursapproximationssuccessives
LeregistreAestchargsriellementparun"1",lemotestconvertienanalogique.Sila
valeurnumriqueesttoujourstroppetite,ilfautplacerun"1",sinonilfautplacerun"0"dans
leregistreB.LecontenuduregistreBesttransfrdansleregistreA,puislecycle
recommence.
(Cf. Ex. 5.5 : ANALYSE DU CONVERTISSEUR APPROXIMATIONS SUCCESSIVES)
ExtraitdelafichetechniqueduDAC800:
3.4.Convertisseursflash
Convertisseurflash3bits:
Latensionconvertirestcompareplusieursseuilsderfrence.Lecodeobtenuestdutype
:
Ledcodeurraliseunelogiquecombinatoirepourtransformercemotenbinaire.
(Cf. Ex. 5.6 : ANALYSE DU CONVERTISSEUR FLASH )
______________________________________________________
4.RALISATIONSPRATIQUESDE
CONVERTISSEURS
_____________
4.1. Caractristiques gnrales des convertisseurs A/N
4.2. Exemple de convertisseur A/N : le ADC 0800
4.1. CaractristiquesgnraledesconvertisseursA/N
Lescaractristiquesgnralesdesconvertisseursanalogique/numriquesontdummetype
quecellescorrespondantauxconvertisseursN/A.Onpeutdoncsereporterlaleon
prcdente.Nousavonsvunanmoinsqueletempsdelaconversionanalogique/numrique
peuttreplusoumoinsimportant;c'estdoncunlmentessentieldanslechoixdu
convertisseur.
4.2. ExempledeconvertisseurA/N:leADC0800
ExtraitdelafichetechniqueduconvertisseurADC0800deNationalSemiconductors:
( Cf. Ex. 5.7 FICHE TECHNIQUE DE L'ADC 0800)
______________________________________________________
5.EXERCICES
_____________

Exercice 5.5: Analyseduconvertisseurapproximationssuccessives
5.1. Exercice: ApplicationduthormedeShannon

Onveutchantillonnerunsignalpriodiquerectangulairede100Hz.Aquellefrquence
minimumdoitonchantillonnercesignal,sionveutconserverl'informationqu'ontrouve
danssasecondeharmonique?Quelestleproblme?
5.2. Exercice: Analyseduconvertisseursimplerampe

Principedel'intgrateursimplerampe:
Latensionderfrenceestintgreparl'amplificateuroprationnel,puiscomparela
tensionconvertir.Lemontagelogiqueenavalcompteletempsquemetlasortiede
l'intgrateurrejoindrelatensiond'entre.
Reprsentezenfonctiondutempslessignauximportants(sortieintgrateur,entre,sortie
comparateur,sortienumrique).
Exprimezmathmatiquementlasortienumrique,enfonctiondesvaleursdecomposants,de
lafrquenceetdelarfrence.
Quelestletempsrequispouruneconversion?
5.3. Exercice: Analyseduconvertisseurintgrationnumrique

Lecompteurpartdezro,etcomptejusqu'cequ'ilatteigneunevaleurtrsprochedecelle
correspondantlatensiond'entre.
Reprsentezenfonctiondutempslessignauximportants.
Ointervientlarfrence?
Exprimezmathmatiquementlasortienumrique,enfonctiondelafrquenceetdela
rfrence.
5.4. Exercice: Analysedutrackingconverter

Trackingconverter:
Ici,lecompteurnedoitpascomptertoutlemot,commeauparavant.Ilestcapabledecompter
oudcompterpouratteindresavaleur.
Reprsentezenfonctiondutempslessignauximportants.
Ointervientlarfrence?
Exprimezmathmatiquementlasortienumrique,enfonctiondelafrquenceetdela
rfrence.
Quelgenredeproblmespeutposercesystmeasservi?
Quellepentemaximumdusignald'entrepeutsuivrececonvertisseur?
5.5. Exercice: Analyseduconvertisseurapproximationssuccessives
LeregistreAestchargsriellementparun"1",lemotestconvertienanalogique.Sila
valeurnumriqueesttoujourstroppetite,ilfautplacerun"1",sinonilfautplacerun"0"dans
leregistreB.LecontenuduregistreBesttransfrdansleregistreA,puislecycle
recommence.
Simulezsurpapierlesoprationspourunconvertisseur3bits,avecrfrence10Voltset
entre5.78V.
Exprimezmathmatiquementlasortienumrique,enfonctiondelarfrence.
Quesepassetilsipourcausedebruit,lecomparateurfournituneindicationerroneau
milieud'uneconversion?Commentminimiserlesrisques?
5.6. Exercice: Analyseduconvertisseurflash

Convertisseurflash3bits:
Latensionconvertirestcompareplusieursseuilsderfrence.Lecodeobtenuestdutype
:
Ledcodeurraliseunelogiquecombinatoire,pourtransformercemotenbinaire.
Ralisezlatabledevritdudcodeursortiebinaire,pour3bits.
ParKarnaugh,trouvezuneexpressionsimpledecedcodeur.
Exprimezmathmatiquementlasortienumrique,enfonctiondelarfrence.
5.7. Exercice: Fichetechniquedel'ADC0800

Etudiezlafichetechniquedececonvertisseur
Etudiezlesapplicationstypiquesprsentesdanslanotice.
______________________________________________________
6.CORRIGS
_____________

Exercice 5.5: Analyseduconvertisseurapproximationssuccessives
Exercice 5.1. ApplicationduthormedeShannon

La fondamentale est 100 Hz, la premire harmonique 200 Hz et la
seconde 400 Hz. En vertu du thorme de Shannon, on pourrait
chantillonner 1 KHz par exemple. Mais pour cela, il faudrait pouvoir
liminer les harmoniques d'ordre suprieur, ce qui n'est pas forcemment
ralisable. En placant un filtre en amont du convertisseur, on peut
amliorer la situation, mais en gnral, c'est un problme de traitement de
signal.
Exercice 5.2. Analyseduconvertisseursimplerampe
Indication:
Pour chaque mesure, il faut un temps dpendant de la constante

d'intgration ainsi que de la valeur mme convertir:
Exercice 5.3. Analyseduconvertisseurintgrationnumrique

Indication:
Demme,avecunehorlogedefrquencef,letempsd'intgrationdpenddumotconverti:
Exercice 5.4. Analysedutrackingconverter
Indication:
Leconvertisseurn'intgrepaschaquemesure,maissuitlasortie.Silesproblmesde
stabilitdecesystmeasservisontmatriss,onpeuttoujoursliresasortieuneprcisionqui
dpenddelaqualitdurglageainsiquedelarapiditdevariationdel'entre.Lapente
maximaledumotensortiedpenddelafrquenced'horloge.
Exercice 5.5. Analyseduconvertisseurapproximationssuccessives
Indication:
Ceconvertisseurprsentel'avantaged'unfaibleetfixetempsdeconversion:pour8bits,8
foislaprioded'horloge.Leproblmeestlasensibilitaubruit:uneerreurdtruitlersultat,
cequin'estpaslecasaveclesconvertisseursintgrationquiprsententuneimmunitau
bruitimportante.Chaqueapplicationdoitrsoudresesproblmes:sileserreurssont
intolrablesetquecesystmeengnretrop,ondoitchangerdetypedeconversion.Sice
convertisseurestinsrdansunsystmepeusensibleauxerreurs(systmeasservipar
exemple),ilprsentel'avantagedelarapidit.
Exercice 5.6. Analyseduconvertisseurflash
Indication:
Le convertisseur "flash" est un systme combinatoire, donc fonctionnant

la vitesse des composants eux-mme. L'inconvnient est le grand nombre
de composants.
Exercice 5.7. Fichetechniquedel'ADC0800
Voir la fiche technique de l'ADC0800

_________________________________________________________________
FIN DE LA LECON Numro XVI

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______________________________________________________

Le but de cette leon est de rappeler ou d'introduire quelques notions et

Il est d'abord signifi les trois notions de "rsistance": la rsistance comme

ainsi qu'une source de tension, gnrant une diffrence de potentiel

Lorsqu'on branche ce conducteur aux bornes de la source, il rsulte un

La loi d'Ohm exprime que certains matriaux ont un comportement

Sous l'appellation "rsistance", il faut distinguer trois dfinitions:

La rsistance dynamique est dfinie comme le rapport des accroissements

Par exemple, dans le cas de la caractristique courant-tension d'un diple

1.3.3. Symbole associ :

1.4. La rsistance comme composant physique

1.5. Rsistance d'une tige conductrice :

( Cf. Ex. 5.1 : RSISTANCE, PARAMETRES GOMTRIQUES )

1.6. Association de rsistances :

( Cf. Ex. 5.2 : ASSOCIATION DE RSISTANCES )

Dans la deuxime leon, il est trait des caractristiques courant-tension

2.1.3. Rseau (de Kirchhoff)

Noeud d'un rseau : Jonction de plusieurs connexions.

Mettre en quations un systme lectrique donn revient donc trouver

On obtient le systme d'quations suivant :

( Cf. Ex. 5.3 : APPLICATION DES RELATIONS DE KIRCHHOFF )

2.3. Loi des mailles : justification physique

on pratique l'approximation dite quasi-statique. Nous reviendrons sur ce

La diffrence de potentiel est donc une notion relevant de

Deux fils de cuivre servent

- Modle constantes localises :

On considre une rsistance et

- Modle constantes rparties :

On considre dans ce modle

2.5. Loi des noeuds : justification physique

La charge totale intrieure la surface ne peut tre modifie qu'au

d'o l'on obtient, pour le flux total :

2.5.3. Rsum : la loi des noeuds

son sous-produit de Kirchhoff :

la relation causale existant entre le champ lectrique et la force subie par

L'outil le plus labor sort du cadre de ce cours : on utilise la modlisation

Source de courant continu :

Il convient de noter qu'en lectronique analogique, la plupart du temps les

( Cf. Ex. 5.4 : RSOLUTION PAR KIRCHHOFF D'UN DIPLE LECTRIQUE. )

- Selon le courant que rclame le circuit,

- Le schma quivalent du diple

Nous remarquons que la rsistance de sortie de la source peut provenir de

Reprsentation de Norton de la mme source affine :

( Cf. Ex. 5.5 : DUALIT NORTON-THVENIN )

Il peut s'agir de la reprsentation de

A la fin de la leon est prsent le

Source courant commande :

3.2.2. Reprsentation de quadriples l'aide d'une source

( Cf. Ex. 5.6 : REPRSENTATION DE QUADRIPLES L'AIDE D'UNE SOURCE COMMANDE )

Soit un gnrateur de tension, avec rsistance de sortie Ri dbitant dans

et le maximum de puissance correspond :

3.4.2. Sources de courant en parallle

La mise en parallle de sources

3.4.3. Sources de tension en parallle

4.1. Systme linaire et principe de superposition

4.1.2. Principe de superposition

4.1.3. Consquence du principe de superposition

4.2. Thormes de Thvenin et de Norton

Exemple. Soit le diple suivant:

On dtermine les paramtres selon les rgles nonces plus haut :

4.2.2. Thorme de Norton

Exemple: Soit le circuit suivant:

( Cf. Ex. 5.9 : QUIVALENTS DE THVENIN ET DE NORTON )

5.1. Rsistance, paramtres gomtriques