UNIVERSITE CADI AYYAD Année universitaire 2020-2021

FACULTE DES SCIENCES SEMLALIA

DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

Phys. Matériaux. SMP- S5. TD N° 3

Corrigé.

A. Diffraction des rayons X

Exercice 1

1) La condition de diffraction de Bragg s ’écrit: 𝟐. 𝒅𝒉𝒌𝒍 . 𝒔𝒊𝒏𝜽 = 𝒏. 𝝀 

Avec " 𝒏" un entier. On déduit de (1), que les angles de Bragg sont:
𝒏. 𝝀
𝜽𝒉𝒌𝒍 = 𝑨𝒓𝒄𝒔𝒊𝒏( )
𝟐. 𝒅𝒉𝒌𝒍
• Les angles 𝜽𝒉𝒌𝒍 dépendent du paramètre" 𝒏". Seules certaines directions de l’espace sont donc
possibles.

𝟏.𝝀
2) Reflexion du Premier ordre, 𝒏 = 𝟏. On a d’une part, 𝜽𝟏𝟏𝟎 = 𝑨𝒓𝒄𝒔𝒊𝒏(𝟐.𝒅 )
𝟏𝟏𝟎
𝒂 𝟐,𝟐𝟗× 𝟐
Et daure part : 𝒅𝟏𝟏𝟎 = , car le réseau est cubique. D’où : 𝜽𝟏𝟏𝟎 = 𝑨𝒓𝒄𝒔𝒊𝒏 = 𝟑𝟒, 𝟓°
𝟐 𝟐.𝟐,𝟖𝟔

L’angle entre le faisceau incident et le faisceau diffracté est: 𝟐. 𝜽𝟏𝟏𝟎 = 𝟔𝟗°

Exercice 2.
𝟐.𝒅𝒉𝒌𝒍 .𝒔𝒊𝒏𝜽
1) La condition de diffraction de Bragg s’écrit : 𝟐. 𝒅𝒉𝒌𝒍 . 𝒔𝒊𝒏𝜽 = 𝒏. 𝝀 𝒏= ,
𝝀
𝟐.𝒅𝒉𝒌𝒍 .
Et comme: 𝒔𝒊𝒏𝜽 ≤ 𝟏 ⟹ 𝒏 ≤ 𝝀
Les ordres « n » de diffractions possibles d’une famille de plans réticulaire de distances 𝒅𝒉𝒌𝒍
sont donc, tel que :
𝟐.𝒅 .
𝒏 ≤ 𝝀𝒉𝒌𝒍 , (1)
Dans le cas de la famille réticulaire de distance dhkl = 3,10 Å, on trouve d’après (1) que :
𝒏 ≤ 𝟒, 𝟎𝟐𝟒
Comme n est entier, les ordres de diffractions possibles sont donc n = 1, 2, 3 et 4.

Remarque : Pour augmenter le nombre de diffractions, il faut irradier le cristal par un

rayonnement X de longueur d’onde plus petite que celle du cuivre.

2) La diffraction du 1er ordre d’une famille réticulaire de distance dhkl aura lieu, en absence de
𝝀.
toute extinction systématique, d’après (1) si : 𝒅𝒉𝒌𝒍 > .
𝟐
𝝀. 𝟏,𝟓𝟒𝟎𝟔
Dans le cas présent : = = 𝟎, 𝟕𝟕𝟎𝟑. Å.
𝟐 𝟐

Par conséquent la famille de distance réticulaire dhkl = 0,75.Å ne peut diffracter à aucun ordre
puisque 0,75 < 0,7703.

Exercice 3.
Rappels - cours:
La sphère d'Ewald : c’est une construction géométrique utilisée dans la description théorique de
la diffraction par un solide. Dans une géométrie de diffraction donnée, elle permet de déterminer

1
graphiquement les points du réseau réciproque, c'est-à-dire les familles de plans cristallins,
1
donnant lieu à la diffraction. C’est une sphère de rayon 𝑅 = 𝜆
2
Sphère de résolution : c’est une sphère de rayon 𝑅′ = 𝜆 centrée en un point origine du réseau
réciproque.
Pour avoir une réflexion, il faut que le nœud correspondant du réseau réciproque puisse couper la
sphère d’Ewald lorsque le cristal prend toutes les orientations dans l’espace par rapport au
faisceau incident. Cette condition s’exprime par :
𝑛 2. 𝑠𝑖𝑛𝜃 2
𝑟 ∗ 𝑛𝑘𝑛𝑘𝑛𝑙 = = ≤
𝑑𝑕𝑘𝑙 𝜆 𝜆

La figure 3.a montre l’état de diffraction d’un cristal à un instant t donné.

1) Les nœuds de la figure ci-dessus sont de type (0 k l) puisqu’ils appartiennent au plan

réciproque (𝑏 ∗ , 𝑐 ∗ ). D’après la figure, l’axe de rotation est perpendiculaire au plan (𝑏 ∗ , 𝑐 ∗ ), il
s’agit alors de l’axe Ox.
Sur la figure 3.b on a tracé les rangées réticulaires représentées par les différents nœuds du
réseau réciproque et qui sont normales aux plans (hkl) correspondant.

Figure 3.a

2
 Figure 3.b.

2) Les familles de plans réticulaires ne diffractant à aucun ordre sont celles dont les premiers nœuds
des rangées réciproques qui lui sont normales, sont en dehors de la sphère de résolution. Ces
familles sont : (041), (043), (034) et (014).
Si on a besoin de la diffraction de ces familles, il faut irradier le cristal par un rayonnement X
de longueur d’onde plus petite. Dans ces conditions, la sphère de résolution devient plus grande
et peut contenir certains nœuds qui étaient auparavant en dehors de la 1ère sphère de résolution.

3) Les familles de plans réticulaires ne diffractant qu’au 1er et 2ème ordre sont celles dont seuls les
deux premiers nœuds des rangées réciproques (qui lui sont normales) sont dans la sphère de
résolution. Il existe une seule famille répondant à cette condition, il s’agit de la famille (011).

4) Les familles de plans réticulaires ne diffractant qu’au 1er ordre sont celles dont seuls les
premiers nœuds des rangées réciproques sont dans la sphère de résolution. Les familles
répondant à cette condition, sont : (031) (021) (032) (023) (012) (013).
5) La famille qui est en train de diffracter est celle dont l’un des nœuds se trouve exactement sur la
sphère d’Ewald. Il s’agit de la famille (013). Comme c’est le 1er nœud qui se trouve sur la
sphère d’Ewald, la famille est donc en train de diffracter au 1er ordre.

𝟏.𝝀
Dans ce cas on peut écrire que : 𝟐. 𝒅𝟎𝟏𝟑 . 𝒔𝒊𝒏𝜽𝟏(𝟎𝟏𝟑) = 𝟏. 𝝀, soit 𝜽𝟏(𝟎𝟏𝟑) = 𝑨𝒓𝒄𝒔𝒊𝒏(𝟐.𝒅 )
𝟎𝟏𝟑
𝒂
Sachant que la maille est cubique on a : 𝒅𝒉𝒌𝒍 =
𝒉𝟐 +𝒌𝟐 +𝒍𝟐
𝟒,𝟓𝟕𝟐
Soit : 𝒅𝒉𝒌𝒍 = . Å = 𝟏, 𝟒𝟒𝟓. Å
𝟏+𝟗

𝟏,𝟓𝟒
A.N: 𝜽𝟏(𝟎𝟏𝟑) = 𝑨𝒓𝒄𝒔𝒊𝒏 = 𝟑𝟐, 𝟏𝟖° ;
𝟐×𝟏,𝟓𝟒

3
6) La famille trouvée à la question 5) est la famille (013), d’après la figure de diffraction, elle ne
peut pas diffracter au 2ème ordre puisque le 2ème nœud de la rangée [013]* est en dehors de la
sphère de résolution et par conséquent il ne peut traverser la sphère d’Ewald. En effet, dans ces
conditions on aurait:
𝟐.𝝀 𝝀 𝟏,𝟓𝟒𝟎
𝒔𝒊𝒏𝜽𝟏(𝟎𝟏𝟑) = 𝟐.𝒅 =𝒅 = 𝟏,𝟒𝟒𝟓 = 𝟏, 𝟎𝟔𝟔‼!, ce qui est impossible
𝟎𝟏𝟑 𝟎𝟏𝟑

Pour faire diffracter l’ordre 2 de la famille (013), il faut irradier le cristal par un rayonnement X
de longueur d’onde plus petite (dans la pratique on irradiera le cristal par la radiation kα1 du
molybdène de longueur d’onde  = 0,710 Å au lieu de la radiation kα1 du cuivre couramment
utilisée de longueur d’onde = 1,5406 Å).

B. Facteur de structure

Rappels sur la notion de facteur de structure.

𝑁

𝐹 𝐻 = 𝐹 𝑕𝑘𝑙 = 𝑓𝑗 𝑒 𝑖2𝜋𝐻 .𝑟𝑗 = 𝑓𝑗 . 𝑒 𝑖2𝜋.(𝑕.𝑥 𝑗 +𝑘.𝑦 𝑗 +ℓ.𝑧 𝑗 )

𝑗 =1 𝑗

Avec N étant le nombre d’atomes contenus dans la maile (pour une maille cubique centré N =2)
(𝑥𝑗 , 𝑦𝑗 , 𝑧𝑗 ) sont les cordonnées réduites de l’atome j dans la maille et 𝑓𝑗 est le facteur de diffusion
atomique de l’atome j.
On peut factoriser le facteur de structure en deux termes, un terme de motif et un terme
de réseau : 𝑭 𝒉𝒌𝒍 = 𝑭𝑴 𝑹
𝒉𝒌𝒍 𝑭𝒉𝒌𝒍

Exercice 1
1) a-. Système cubique centré :
1 1 1
Il est caractérisée par deux nœuds par maille, le premier en (0, 0, 0) et le deuxième en (2 , 2 , 2).

Cela signifie que, si on a un atome situé en (𝑥𝑗 , 𝑦𝑗 , 𝑧𝑗 ), on aura également un atome, équivalent,
1 1 1
en (𝑥𝑗 + 2 , 𝑦𝑗 + 2 , 𝑧𝑗 + 2). L’expression du facteur de structure c’écrit dans ce cas :

𝐹 𝑕𝑘𝑙 = 𝑓. [1 + 𝑒𝑖𝜋 𝑕 +𝑘+𝑙 ]

Dans ce cas 𝐹 𝑕𝑘𝑙 = 0 si : 𝑒 𝑖𝜋 𝑕 +𝑘+𝑙
= −1, condition qui peut être réalisé si :
𝑕 + 𝑘 + 𝑙 = 2𝑛 + 1 , avec n entier.

b-. Système cubique à faces centrées :

Il est caractérisée par 4 nœuds par maille, le premier en (0, 0, 0) et les trois autres en positions
1 1 1 1 1 1
respectives (0, 2 , 2), , 0, 2 𝑒𝑡 (2 , 2 , 0).
2

4
 L’expression du facteur de structure c’écrit dans ce cas :

𝐹 𝑕𝑘𝑙 = 𝑓. [1 + 𝑒𝑖𝜋 𝑘+𝑙 + 𝑒𝑖𝜋 𝑕+𝑙 + 𝑒𝑖𝜋 𝑕+𝑘 ]

Dans ce cas 𝐹 𝑕𝑘𝑙 = 0 si 𝑕 , 𝑘 𝑒𝑡 𝑙 sont de parités différentes, c.à.d si est paire, 𝑘 𝑒𝑡 𝑙
sont impaires.

2. La première famille de plans réticulaire (càd celle qui se trouve au début du spectre de
diffraction) est celle ayant  le plus petit. Il s’agit donc de la famille ayant 𝑑𝑕𝑘𝑙 le plus grand.
Puisque (pour la première famille de plans réticulaire n = 1).
𝜆
𝑠𝑖𝑛𝜃 = 2.𝑑
𝑕 𝑘𝑙
𝑎
Dans le cas particulier d’une maille cubique : 𝑑𝑕𝑘𝑙 =
2
𝑕2 + 𝑘2 + 𝑙

𝑑𝑕𝑘𝑙 le plus grand correspond donc à 𝑕2 + 𝑘 2 + 𝑙 2 le plus petit soit 𝑕2 + 𝑘 2 + 𝑙 2 = 1 ce

qu’on peut avoir pour 𝑕 = 1 , 𝑘 = 0 𝑒𝑡 𝑙 = 0. La famille recherchée est donc la famille
100 . Noter que les plans 010 et 001 sont équivalents au plan 100 .
La 2ème famille s’obtiendrait pour 𝑕2 + 𝑘 2 + 𝑙 2 = 2 ce qu’on peut avoir pour
𝑕 = 1 , 𝑘 = 1 𝑒𝑡 𝑙 = 0. La 2ème famille recherchée est donc la famille 110 et familles
équivalentes 011 𝑒𝑡 101 . La 3ème famille s’obtiendrait pour 𝑕2 + 𝑘 2 + 𝑙 2 = 3 ce qu’on
peut avoir pour 𝑕 = 1 , 𝑘 = 1 𝑒𝑡 𝑙 = 1. La 3ème famille recherchée est donc la famille 111 .
a- Les familles diffractant dans un matériau cristallisé de symétrie cubique centrée sont celles du
cubique simple aux quelles il faut retrancher les familles réticulaires pour les quelles 𝑕 + 𝑘 +

𝑙 = 2𝑛 + 1. Dans ces conditions, la famille réticulaire qui diffracte la 1ère (càd celle qui se
trouve au début du spectre de diffraction) dans un matériau ayant une maille cubique centrée est
la famille 110 .

b- Les familles diffractant dans un matériau cristallisé de symétrie cubique à faces centrées, sont
celles du cubique simple aux quelles, il faut retrancher les familles réticulaires pour lesquelles
𝑕 , 𝑘 𝑒𝑡 𝑙 sont de parité différente. Dans ces conditions, la famille réticulaire qui diffracte la 1 ère
(càd celle qui se trouve au début du spectre de diffraction) dans un matériau ayant une maille
cubique à faces centrées est la famille 111 .

5
Exercice 2

3. Prenons le cas de la réflexion 200 qui n’est pas visible sur le cliche de GaAs. On a :
𝑖𝜋
𝐺𝑎𝐴𝑠
𝐹200 = 4 𝑓𝐺𝑎 + 𝑓𝐴𝑠 . 𝑒 2 ×2 = 4(𝑓𝐺𝑎 − 𝑓𝐴𝑠 )
𝐼𝑛𝑃
De même, 𝐹200 = 4(𝑓𝐼𝑛 − 𝑓𝑃 )
4. Explication :
On ne voit pas la raie 200 dans le cas de GaAs car la différence 𝑓𝐺𝑎 − 𝑓𝐴𝑠 est trop faible pour
donner lieu à une intensité visible, ce qui n’est pas le cas dans InP ou la différence 𝑓𝐼𝑛 − 𝑓𝑃 est
plus grande. En effet, les numéros atomiques de Ga et As sont très proches (respectivement 31 et
33), donc les facteurs de diffusion atomiques ont des valeurs très similaires. On parle alors de
pseudo-extinction, car il y a diffraction dans la direction correspondante mais elle n’est pas
suffisamment intense pour être détectée. Pour InP, les deux éléments In et P sont beaucoup plus
éloignés dans le tableau périodique, si bien que le phénomène de pseudo-extinction n’est pas
observe.

C. Défaut

Exercice I :
Rappels : Le nombre 𝑛 de défauts ponctuels est fonction de la température. Il est donné par la
relation:
𝑛 𝐸𝑓
𝑐 = = exp⁡ (− )
𝑁 𝑘. 𝑇

Où N est le nombre de nœuds du réseau, 𝐸𝑓 est l'énergie de formation d’un défaut (de l'ordre de
1 𝑒𝑉 pour défaut lacunaire et 7 𝑒𝑉 pour un interstitiel). 𝑘 est la constante de Boltzmann qui
vaut :𝑘 = 1,38. 10−23 𝐽/𝐾.

La masse d’une mole d’aluminium est 𝑀 = 27 𝑔

𝑚 27 𝑔
Or 𝜌 = 𝑉 ⟹ 𝑉1𝑚𝑜𝑙 = 2,7.10 6 = 10−5 . 𝑚3 car 𝜌 = 2,7 = 2,7. 106 𝑔/𝑚3
𝑐𝑚 3
et par conséquent : Dans : 10−5 . 𝑚3 ⟶ ℵ = 6,023. 1023 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑒𝑠 𝑑 ′ 𝑎𝑙𝑢𝑚𝑖𝑛𝑖𝑢𝑚
ℵ=6,023.10 23
Et dans : 1 𝑚3 ⟶ = 6,023.1028 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑒𝑠 𝑑 ′ 𝑎𝑙𝑢𝑚𝑖𝑛𝑖𝑢𝑚
10 −5
6
Or le nombre de lacunes par 𝑚3 est de 7,6. 1023 , c.à.d que dans : 1 𝑚3 ⟶ 7,6. 1023 ,

Par conséquent la concentration en lacune étant le nombre de lacune par rapport au nombre totale
d’atome d’aluminium est:
7,6. 1023
𝑐= = 1,262. 10−5
6,023.1028
𝐸
Or 𝑐 = exp − 𝑘.𝑇𝑓 ⟹ 𝐸𝑓 = −𝑘. 𝑇. 𝑙𝑛𝑐
A.N : 𝐸𝑓 = −1,38. 10−23 . 773. 𝑙𝑛1,262 − 5𝑙𝑛10
= −1,38. 10−23 . 773. −11,28 = 12033,83. 10−23 𝐽 = 1,2. 10−19 𝐽 = 0,75 𝑒𝑉
Soit : 𝐸𝑓 = 0,75 𝑒𝑉 .

Exercice II: Centres colorés.

7
 c
a
a a b
b
Lacune initiale
Lacune déformée
E
E

E E1a
1 E1
Absorptio b

E n Emission
0
E0
b
D. Propriété de conduction des semi-conducteurs

Exercice 1 : Propriété de conduction des semi-conducteurs

1) Sachant que : n  N (T ) exp( EC  EF ) et E  EV
p  N (T ) exp( F )
c v
kT kT
Eg Eg
ni  n  p  N c N v (T ) exp(  ) Ce qui implique que : ni  N c N v (T ) exp( 
2
)
kT , 2kT
A.N : n  1018. exp(  1,35
)  5.10 6.cm 3
2  0,026
i

2) Soit i: la conductivité électrique intrinsèque, 𝝁𝒏 < 0, la mobilité des électrons et 𝝁𝒑 > 0, celle
des trous (la mobilité est définie comme le coefficient de proportionnalité entre la vitesse, des
porteurs de charges, et le champ électrique).
N.B : 𝝈𝒔𝒆𝒎𝒊𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 = 𝝈é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏𝒔 + 𝝈𝒕𝒓𝒐𝒖𝒔, avec 𝝈é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏𝒔= 𝝈n > 0 et 𝝈𝒕𝒓𝒐𝒖𝒔= 𝝈p > 0

8
   q( p. p  n.n )  e.ni (  p  n ) et la résistivité 
1 
 Si 
1
 [e.ni (  p   n )]

Données : ni  5.106.cm3 à T = 300 K ; e  1,6.1019 C

Mobilité des électrons (en valeur absolue) :  n = 8000 (cm2.V-1.s-1.)

Mobilité des trous : µp = 400 (cm2.V-1.s-1.)
A.N :
  e.ni (  p  e )  1,6.1019.5.106  (8400)  67,20.1010. 1.cm 1
1 1
 Si    150000..k.cm !!!
[e.ni (  p   e ) 67,20.1010

II- 1. Le semi-conducteur est dopé de type N avec une densité des donneurs :
N D  5.1015.cm3 . A température ambiante, dans le cas d’un semi conducteur de type N,
l’équation de la neutralité des charges électriques se simplifie en considérant que N A est
négligeable et que toutes les impuretés (donatrices) sont ionisées ND  ND

L’équation de neutralité des charges s’écrit (voir cours) :

2
ni
n0  p 0  N D   ND (1)
n0
Où, n0 = concentration en électron libre à l’équilibre et ni = concentration intrinsèque tel que :
( ni  ni  pi  n0  p0 ).
2

D’après (1) : n02  n0 N D  ni2  0 (2)

(2) est une équation du second degré en n0 qui admet deux solutions car :

  N D2  4ni2 > 0
ND   N D  N D2  4ni2
n0   0 et n0   0 , seule solution acceptable.
2 2

N D  N D2  4ni2
Donc nous retenons la solution : n0  0
2
Comme ND  ni alors n0  N D .   e.n0 e et

1 1 1
    3,2..cm
 e.n0 e 1,6.10 .5.1015.4000
19

2) La température est portée à T1 = 400K. Dans ces conditions, la concentration intrinsèque

vaut : ni  5.109.cm3 . Sachant que : ni 2  n  p

9
 2 2
ni ni 25.1018
La concentration en trous est donc : p   15
 5.103.cm 3 .
n ND 5.10

On constate que, même, à T=400K, ni  p , le caractère type N, du semi conducteur est

conservé.

Exercise 2 :

𝟏
1) Les porteurs majoritaires sont des électrons, avec : 𝝈 = 𝝈 = 𝟏𝟎 𝛀−𝟏 𝒄𝒎−𝟏
2) La conductivité du silicium dopé est : 𝝈 = 𝒆(𝒏𝒏 𝝁𝒏 + 𝒏𝒑 𝝁𝒑 )
3) En négligeant la concentration des trous, on écrit :
𝝈
𝝈 = 𝒆 𝒏𝒏 𝝁𝒏 + 𝒏𝒑 𝝁𝒑 ≈ 𝒆. 𝒏𝒏 𝝁𝒏 ⟹ 𝒏𝒏 =
𝒆. 𝝁𝒏
𝟏𝟎
A.N : 𝒏𝒏 = 𝟏,𝟔.𝟏𝟎−𝟏𝟗 .𝟏𝟎𝟑 ≈ 𝟔, 𝟐𝟓 𝟏𝟎𝟏𝟔. 𝒄𝒎−𝟑

𝒏𝟐 (𝟏,𝟓.𝟏𝟎𝟏𝟎 )𝟐
Comme : 𝒏𝟐𝒊 = 𝒏𝒏 𝒏𝒑 ⟹ 𝒏𝒑 = 𝒏𝒊 = = 𝟑, 𝟔. 𝟏𝟎𝟑 𝒄𝒎−𝟑
𝒏 𝟔,𝟐𝟓 𝟏𝟎𝟏𝟔

10