Propriétés Electriques PDF

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C hapitre 18 Propriétés électriques
Le fonctionnement des cartes mémoire flash modernes (et flash
disques durs) qui sont utilisés pour stocker des informations numériques
reposent sur les propriétés électriques uniques du silicium, un matériau
Researchers,
Andrew
Photo
Syred/
Inc.
semiconducteur. (La mémoire flash est abordée à la section 18.15.)
(a) Micrographie électronique à balayage d'un système intégré
circuit composé de silicium et d'interconnexions métalliques.
Les composants de circuits intégrés sont utilisés pour stocker des
informations dans
(un)
un format numérique. (b) Trois types de cartes
100 µm
mémoire flash différents. (c) Une carte mémoire flash insérée dans un
caméra. Cette carte mémoire servira à stocker des images
photographiques (et dans certains cas la localisation GPS).
autorisation
Corporation
l'aimable
SanDisk
Avec
de
(b)
iStockphoto
GaryPhoto/
©
(c)
• 725
POURQUOI ETUDIER les propriétés électriques des matériaux ?
La prise en compte des propriétés électriques des les comportements électriques des différents matériaux sont
matériaux est souvent importante lorsque les décisions de sélection divers. Certains doivent être hautement conducteurs
et de traitement des matériaux sont prises lors de la conception d'électricité (par exemple, les fils de connexion), tandis
d'un composant ou d'une structure. Par exemple, lorsque l'on que d'autres nécessitent une isolation électrique (par
considère un boîtier de circuit intégré, le exemple, l'encapsulation de l'emballage de protection).
Objectifs d'apprentissage Après
avoir étudié ce chapitre, vous devriez être capable de faire ce qui suit : 1. Décrire les
quatre structures de bande d'électrons possibles (b) Sur la courbe extrinsèque, notez les régions gelées,
tures pour matériaux solides. extrinsèques et intrinsèques.
2. Décrivez brièvement les événements d'excitation 6. Pour une jonction p–n , expliquez la rectification
électronique qui produisent des électrons/trous processus en termes de mouvements d'électrons et de trous.
libres dans (a) les métaux, (b) les semiconducteurs 7. Calculez la capacité d'un condensateur à plaques parallèles.
(intrinsèques et extrinsèques) et (c) les isolants.
3. Calculez les conductivités électriques de 8. Définir la constante diélectrique en termes de
les métaux, les semiconducteurs (intrinsèques et extrinsèques) permittivités.
et les isolants compte tenu de leurs densités et mobilités de 9. Expliquez brièvement comment la capacité de stockage de
porteurs de charge. charge d'un condensateur peut être augmentée
4. Distinguer les matériaux semiconducteurs intrinsèques et par l'insertion et la polarisation d'un matériau
extrinsèques . 5. (a) Sur un tracé diélectrique entre ses plaques.
du logarithme de la concentration de porteurs (électron, trou) en 10. Nommez et décrivez les trois types de polarisation.
fonction de la température absolue, tracez des courbes
schématiques pour les matériaux semiconducteurs 11. Décrivez brièvement les phénomènes de ferroélectricité et
intrinsèques et extrinsèques. de piézoélectricité.
18.1 PRÉSENTATION
L'objectif principal de ce chapitre est d'explorer les propriétés électriques des matériaux, c'està
dire leurs réponses à un champ électrique appliqué. Nous commençons par le phénomène de
conduction électrique : les paramètres par lesquels il s'exprime, le mécanisme de conduction par
les électrons et comment la structure des bandes d'énergie électronique d'un matériau influence
sa capacité à conduire. Ces principes sont étendus aux métaux, aux semiconducteurs et aux
isolants. Une attention particulière est portée aux caractéristiques des semiconducteurs puis aux
dispositifs semiconducteurs. Les caractéristiques diélectriques des matériaux isolants sont également traitées.
Les dernières sections sont consacrées aux phénomènes de ferroélectricité et de piézoélectricité.
Conduction électrique
18.2 LOI D'OHM
L'une des caractéristiques électriques les plus importantes d'un matériau solide est la facilité avec
Loi d'Ohm laquelle il transmet un courant électrique. La loi d'Ohm relie le courant I ou taux de temps de
passage de charge à la tension appliquée V comme suit :
Expression
V = EST (18.1)
de la loi d'Ohm
où R est la résistance du matériau traversé par le courant. Les unités pour V, I et R sont,
respectivement, les volts (J/C), les ampères (C/s) et les ohms (V/A). La valeur de R est influencée
par la configuration de l'éprouvette et, pour de nombreux matériaux, est indépendante de
726 •
18.3 Conductivité électrique • 727
Resistance variable Figure 18.1 Représentation schématique de
l'appareil utilisé pour mesurer la résistivité électrique.
Ampèremètre je
Batterie
je
Aire de la section DANS Spécimen
transversale, A
Voltmètre
résistivité électrique actuel. La résistivité électrique r est indépendante de la géométrie de l'échantillon mais liée à R par
l'expression
Résistivité électrique
dépendance à la
résistance, à la section = AD
r (18.2)
transversale de je
l'échantillon et à la distance entre
points de mesure où l est la distance entre les deux points auxquels la tension est mesurée et A est la surface de la
section transversale perpendiculaire à la direction du courant. Les unités pour r sont les ohmmètres
Résistivité
( #m). De l'expression de la loi d'Ohm et de l'équation 18.2,
électrique
dépendance de la
ET
tension appliquée, =
r (18.3)
du courant, de la Le
section transversale de
l'échantillon et de la La figure 18.1 est un diagramme schématique d'un montage expérimental pour mesurer la résistivité
électrique.
distance entre les points de mesure
18.3 CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE
électrique Parfois, la conductivité électrique s est utilisée pour spécifier le caractère électrique d'un matériau.
conductivité C'est simplement l'inverse de la résistivité, ou
Relation
1
réciproque entre électrique s = (18.4)
r
conductivité et
résistivité
et indique la facilité avec laquelle un matériau est capable de conduire un courant électrique. Les unités
pour s sont des ohmmètres réciproques [( #m)1 ].1 Les discussions suivantes sur les propriétés
électriques utilisent à la fois la résistivité et la conductivité.
En plus de l'équation 18.1, la loi d'Ohm peut être exprimée comme
Expression
de la loi d'Ohm en termes
J = s (18.5)
de densité de courant,
de conductivité et de
champ électrique appliqué dans laquelle J est la densité de courant le courant par unité de surface d'échantillon I / A et est
l'intensité du champ électrique, ou la différence de tension entre deux points divisée par la distance qui
les sépare c'estàdire,
Intensité du V
= (18.6)
champ électrique je
1
Les unités SI pour la conductivité électrique sont les siemens par mètre (S/m), dans lesquels 1 S/m 1 ( #m)1 . Nous avons choisi d'utiliser
( #m)1 sur la base de la convention ces unités sont traditionnellement utilisées dans les textes d'introduction à la science et à l'ingénierie
des matériaux.
728 • Chapitre 18 / Propriétés électriques
La démonstration de l'équivalence des deux expressions de la loi d'Ohm (équations 18.1 et 18.5) est
laissée en devoir.
Les matériaux solides présentent une gamme étonnante de conductivités électriques, s'étendant
sur 27 ordres de grandeur ; probablement aucune autre propriété physique ne présente cette ampleur
de variation. En fait, une façon de classer les matériaux solides est selon la facilité avec laquelle ils
conduisent un courant électrique ; dans ce système de classification, il existe trois groupes : les
métal conducteurs, les semiconducteurs et les isolants. Les métaux sont de bons conducteurs, ayant
généralement des conductivités de l'ordre de 107 ( #m)1 . A l'autre extrême se trouvent les matériaux
de très faibles conductivités, comprises entre 1010 et 1020 ( #m)1 ; ce sont des isolants électriques.
isolant Les matériaux avec des conductivités intermédiaires, généralement de 106 à 104 ( #m)1 , sont
appelés semiconducteurs. Les plages de conductivité électrique pour les différents types de
semiconducteur
matériaux sont comparées dans le diagramme à barres de la figure 1.8.
18.4 CONDUCTION ÉLECTRONIQUE ET IONIQUE
Un courant électrique résulte du mouvement de particules chargées électriquement en réponse à
des forces qui agissent sur elles à partir d'un champ électrique appliqué de l'extérieur. Les particules
chargées positivement sont accélérées dans la direction du champ, les particules chargées
négativement dans la direction opposée. Dans la plupart des matériaux solides, un courant provient
du flux d'électrons, appelé conduction électronique. De plus, pour les matériaux ioniques, un
conduction ionique mouvement net d'ions chargés est possible qui produit un courant; c'est ce qu'on appelle la conduction
ionique. La présente discussion traite de la conduction électronique; la conduction ionique est traitée
brièvement dans la section 18.16.
18.5 STRUCTURES DES BANDES D'ÉNERGIE DANS LES SOLIDES
Dans tous les conducteurs, semiconducteurs et de nombreux matériaux isolants, seule la conduction
électronique existe, et l'amplitude de la conductivité électrique dépend fortement du nombre
d'électrons disponibles pour participer au processus de conduction. Cependant, tous les électrons de
chaque atome n'accélèrent pas en présence d'un champ électrique. Le nombre d'électrons disponibles
pour la conduction électrique dans un matériau particulier est lié à la disposition des états ou niveaux
d'électrons par rapport à l'énergie et à la manière dont ces états sont occupés par les électrons. Une
exploration approfondie de ces sujets est compliquée et implique des principes de mécanique
quantique qui dépassent la portée de ce livre ; le développement qui s'ensuit omet certains concepts
et en simplifie d'autres.
Les concepts relatifs aux états d'énergie des électrons, à leur occupation et aux configurations
d'électrons résultantes pour les atomes isolés ont été discutés dans la section 2.3. En guise
d'examen, pour chaque atome individuel, il existe des niveaux d'énergie discrets qui peuvent être
occupés par des électrons, disposés en couches et souscouches. Les coques sont désignées par
des nombres entiers (1, 2, 3, etc.) et les souscoques par des lettres (s, p, d et f). Pour chacune des
souscouches s, p, d et f , il existe respectivement un, trois, cinq et sept états. Les électrons de la
plupart des atomes ne remplissent que les états ayant les énergies les plus basses deux électrons
de spin opposé par état, conformément au principe d'exclusion de Pauli. La configuration électronique
d'un atome isolé représente la disposition des électrons dans les états autorisés.
Faisons maintenant une extrapolation de certains de ces concepts aux matériaux solides. Un
solide peut être considéré comme étant constitué d'un grand nombre, disons N, d'atomes initialement
séparés les uns des autres qui sont ensuite réunis et liés pour former l'arrangement atomique
ordonné que l'on trouve dans le matériau cristallin. A des distances de séparation relativement
grandes, chaque atome est indépendant de tous les autres et a les niveaux d'énergie atomique et la
configuration électronique comme s'il était isolé. Cependant, comme les atomes se trouvent à
proximité les uns des autres, les électrons subissent l'action ou sont perturbés par les électrons et les noyaux de l'atome.
18.5 Structures des bandes d'énergie dans les solides • 729
Figure 18.2 Représentation schématique de
l'énergie des électrons en fonction de la séparation
interatomique pour un agrégat de 12
Bande d'énergie
2s État électronique
électronique 2s atomes (N 12). Lors d'une approche
(12 états)
rapprochée, chacun des états atomiques 1s
et 2s se divise pour former une bande
États énergétiques individuels autorisés d'énergie électronique composée de 12 états.
Énergie
1s État électronique
Bande d'énergie
électronique 1s
(12 états)
Séparation interatomique
atomes adjacents. Cette influence est telle que chaque état atomique distinct peut se diviser en une série
bande d'énergie électronique d'états électroniques étroitement espacés dans le solide pour former ce qu'on appelle une bande d'énergie
électronique. L'étendue de la séparation dépend de la séparation interatomique (Figure 18.2) et commence
par les couches d'électrons les plus externes car elles sont les premières à être perturbées lorsque les atomes
fusionnent. Dans chaque bande, les états d'énergie sont discrets, mais la différence entre les états adjacents
est extrêmement faible. À l'espacement d'équilibre, la formation de bandes peut ne pas se produire pour les
souscouches d'électrons les plus proches du noyau, comme illustré à la figure 18.3b. De plus, des écarts
peuvent exister entre des bandes adjacentes, comme également indiqué sur la figure ; normalement, les
énergies situées dans ces bandes interdites ne sont pas disponibles pour l'occupation des électrons. La
manière conventionnelle de représenter les structures de bandes d'électrons dans les solides est illustrée à la figure 18.3a.
Bande d'énergie
Énergie
Bande interdite d'énergie
Bande d'énergie
Énergie
Séparation
interatomique
Espacement
interatomique
d'équilibre
(un) (b)
Figure 18.3 (a) La représentation conventionnelle de la structure des bandes d'énergie des électrons pour un matériau solide à la séparation interatomique d'équilibre.
( b ) Énergie électronique par rapport à la séparation interatomique pour un agrégat d'atomes, illustrant comment la structure de la bande d'énergie à la séparation
à l'équilibre en ( a ) est générée.
(Tiré de ZD Jastrzebski, The Nature and Properties of Engineering Materials, 3e édition. Copyright © 1987 par John Wiley & Sons, Inc.
Réimprimé avec l'autorisation de John Wiley & Sons, Inc.)
Bande
de conduction
Bande Bande
vide Bande vide de conduction
vide vide
Si
Écart de bande
Écart de bande Écart de bande
États vides Bande Bande Bande
Si remplie de valence de valence
remplie remplie
États remplis
(un) (b) (c) (d)
Figure 18.4 Les différentes structures de bandes d'électrons possibles dans les solides à 0 K. (a) La structure de bande d'électrons trouvée dans les métaux tels que le
cuivre, dans laquelle il existe des états d'électrons disponibles audessus et adjacents aux états remplis, dans la même bande. (b) La structure des bandes d'électrons de
métaux tels que le magnésium, dans laquelle il y a un chevauchement de bandes externes remplies et vides. (c) La structure de la bande d'électrons caractéristique des
isolants ; la bande de valence remplie est séparée de la bande de conduction vide par une bande interdite relativement grande ( 2 eV). (d) La structure de bande
électronique trouvée dans les semiconducteurs, qui est la même que pour les isolants, sauf que la bande interdite est relativement étroite ( 2 eV).
Le nombre d'états dans chaque bande est égal au total de tous les états apportés par les atomes
N. Par exemple, une bande s est constituée de N états et une bande p de 3N états.
En ce qui concerne l'occupation, chaque état d'énergie peut accueillir deux électrons qui doivent avoir
des spins de direction opposée. De plus, les bandes contiennent les électrons qui résidaient dans les
niveaux correspondants des atomes isolés ; par exemple, une bande d'énergie 4s dans le solide
contient les électrons 4s de ces atomes isolés . Bien sûr, il y a des bandes vides et, éventuellement,
des bandes qui ne sont que partiellement remplies.
Les propriétés électriques d'un matériau solide sont une conséquence de sa structure de bandes
d'électrons, c'estàdire de la disposition des bandes d'électrons les plus externes et de la manière dont
elles sont remplies d'électrons.
Quatre types différents de structures de bande sont possibles à 0 K. Dans la première (figure
18.4a), une bande la plus externe n'est que partiellement remplie d'électrons. L'énergie correspondant
L'énergie de Fermi à l'état de remplissage le plus élevé à 0 K est appelée énergie de Fermi Ef, comme indiqué. Cette
structure de bande d'énergie est caractérisée par certains métaux, en particulier ceux qui ont un seul
électron de valence s (par exemple, le cuivre). Chaque atome de cuivre possède un électron 4s ;
cependant, pour un solide composé d' atomes N , la bande 4s est capable d'accueillir des électrons 2N .
Ainsi, seule la moitié des positions d'électrons disponibles dans cette bande 4s sont remplies.
Pour la deuxième structure de bande, également trouvée dans les métaux (Figure 18.4b), il y a un
chevauchement d'une bande vide et d'une bande pleine. Le magnésium a cette structure de bande.
Chaque atome de Mg isolé possède deux électrons 3s . Cependant, lorsqu'un solide se forme, les
bandes 3s et 3p se chevauchent. Dans ce cas et à 0 K, l'énergie de Fermi est prise comme l'énergie
en dessous de laquelle, pour N atomes, N états sont remplis, deux électrons par état.
bande de valence Les deux dernières structures de bande sont similaires; une bande (la bande de valence) qui est
bande de conduction complètement remplie d'électrons est séparée d'une bande de conduction vide, et une bande interdite
d'énergie se trouve entre elles. Pour les matériaux très purs, les électrons peuvent ne pas avoir
bande interdite d'énergie d'énergie dans cet écart. La différence entre les deux structures de bandes réside dans l'amplitude de
la bande interdite ; pour les matériaux isolants, la bande interdite est relativement large (figure 18.4c),
alors que pour les semiconducteurs, elle est étroite (figure 18.4d). L'énergie de Fermi pour ces deux
structures de bande se situe dans la bande interdite, près de son centre.
18.6 CONDUCTION EN TERMES DE BANDE ET ATOMIQUE
MODÈLES DE COLLAGE
À ce stade de la discussion, il est essentiel de comprendre un autre concept, à savoir que seuls les
électrons avec des énergies supérieures à l'énergie de Fermi peuvent être sollicités et accélérés en
présence d'un champ électrique. Ce sont les électrons qui participent
18.6 Conduction en termes de modèles de bandes et de liaisons atomiques • 731
Figure 18.5 Pour un métal,
occupation des états
électroniques (a) avant et (b) après une
États vides excitation électronique.
Si Si
Énergie
Excitation
électronique
États remplis
(un) (b)
électron libre dans le processus de conduction, qui sont appelés électrons libres. Une autre entité électronique chargée
trou appelée trou se trouve dans les semiconducteurs et les isolants. Les trous ont des énergies inférieures
à Ef et participent également à la conduction électronique. La discussion qui s'ensuit montre que la
conductivité électrique est une fonction directe du nombre d'électrons libres et de trous. De plus, la
distinction entre conducteurs et nonconducteurs (isolants et semiconducteurs) réside dans le nombre
de ces porteurs de charge d'électrons et de trous libres.
Les métaux
Pour qu'un électron devienne libre, il doit être excité ou promu dans l'un des états d'énergie vide et
disponible audessus de Ef. Pour les métaux ayant l'une ou l'autre des structures de bande illustrées sur
les figures 18.4a et 18.4b, il existe des états d'énergie vacants adjacents à l'état rempli le plus élevé à Ef.
Ainsi, très peu d'énergie est nécessaire pour promouvoir les électrons dans les états vides bas, comme
le montre la figure 18.5. Généralement, l'énergie fournie par un champ électrique est suffisante pour
exciter un grand nombre d'électrons dans ces états conducteurs.
Pour le modèle de liaison métallique discuté à la section 2.6, il a été supposé que tous les électrons
de valence ont une liberté de mouvement et forment un gaz d'électrons qui est uniformément réparti dans
tout le réseau des noyaux ioniques. Bien que ces électrons ne soient liés localement à aucun atome
particulier, ils doivent subir une certaine excitation pour devenir des électrons conducteurs véritablement
libres. Ainsi, bien qu'une fraction seulement soit excitée, cela donne encore naissance à un nombre
relativement important d'électrons libres et, par conséquent, à une conductivité élevée.
Isolateurs et semiconducteurs
Pour les isolants et les semiconducteurs, les états vides adjacents au sommet de la bande de valence
remplie ne sont pas disponibles. Pour devenir libres, les électrons doivent donc être promus à travers la
bande interdite d'énergie et dans des états vides au bas de la bande de conduction. Ceci n'est possible
qu'en fournissant à un électron la différence d'énergie entre ces deux états, qui est approximativement
égale à l'énergie de la bande interdite Eg. Ce processus d'excitation est illustré à la figure 18.6.2. Pour
de nombreux matériaux, cette bande interdite est large de plusieurs électronvolts. Le plus souvent,
l'énergie d'excitation provient d'une source non électrique telle que la chaleur ou la lumière, généralement la première.
Le nombre d'électrons excités thermiquement (par l'énergie thermique) dans la bande de conduction
dépend de la largeur de la bande interdite d'énergie et de la température. A une température donnée,
plus Eg est grand, plus la probabilité qu'un électron de valence soit promu dans un état d'énergie dans la
bande de conduction est faible ; il en résulte moins d'électrons de conduction. En d'autres termes, plus
la bande interdite est grande, plus la conductivité électrique est faible à une température donnée. Ainsi,
la distinction entre semiconducteurs et isolants réside
2
Les amplitudes de l'énergie de la bande interdite et les énergies entre les niveaux adjacents dans les bandes de valence et de
conduction de la figure 18.6 ne sont pas à l'échelle. Alors que l'énergie de la bande interdite est de l'ordre de l'électronvolt, ces
niveaux sont séparés par des énergies de l'ordre de 1010 eV.
Figure 18.6 Pour un isolant ou un semi
conducteur, occupation des états électroniques (a) groupe groupe
avant et (b) après une excitation électronique de la Conduction Conduction
bande de valence dans la
Électron libre
bande de conduction, dans laquelle un électron
libre et un trou sont générés. écart écart
Groupe Groupe
Excitation
Par exemple
Énergie
électronique
Trou dans
groupe groupe
Valence Valence la bande de

valence
(un) (b)
dans la largeur de la bande interdite ; pour les semiconducteurs, il est étroit, alors que pour les
matériaux isolants, il est relativement large.
L'augmentation de la température d'un semiconducteur ou d'un isolant entraîne une augmentation
de l'énergie thermique disponible pour l'excitation des électrons. Ainsi, plus d'électrons sont promus
dans la bande de conduction, ce qui donne lieu à une conductivité améliorée.
La conductivité des isolants et des semiconducteurs peut également être considérée du point de
vue des modèles de liaison atomique discutés dans la section 2.6. Pour les matériaux électriquement
isolants, la liaison interatomique est ionique ou fortement covalente. Ainsi, les électrons de valence sont
étroitement liés ou partagés avec les atomes individuels. En d'autres termes, ces électrons sont très
localisés et ne sont en aucun cas libres de se promener dans le cristal. La liaison dans les semi
conducteurs est covalente (ou principalement covalente) et relativement faible, ce qui signifie que les
électrons de valence ne sont pas aussi fortement liés aux atomes. Par conséquent, ces électrons sont
plus facilement éliminés par excitation thermique qu'ils ne le sont pour les isolants.
18.7 MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE
Lorsqu'un champ électrique est appliqué, une force est exercée sur les électrons libres ; par conséquent,
ils subissent tous une accélération dans une direction opposée à celle du champ, en raison de leur
charge négative. Selon la mécanique quantique, il n'y a pas d'interaction entre un électron en
accélération et des atomes dans un réseau cristallin parfait. Dans de telles circonstances, tous les
électrons libres devraient accélérer tant que le champ électrique est appliqué, ce qui donnerait naissance
à un courant électrique qui ne cesse d'augmenter avec le temps. Or, on sait qu'un courant atteint une
valeur constante à l'instant où un champ est appliqué, indiquant qu'il existe ce qu'on pourrait appeler
des forces de frottement, qui s'opposent à cette accélération du champ extérieur. Ces forces de
frottement résultent de la diffusion des électrons par les imperfections du réseau cristallin, notamment
les atomes d'impuretés, les lacunes, les atomes interstitiels, les dislocations et même les vibrations
thermiques des atomes euxmêmes. Chaque événement de diffusion amène un électron à perdre de
l'énergie cinétique et à changer sa direction de mouvement, comme représenté schématiquement sur
la figure 18.7. Il y a cependant un mouvement net d'électrons dans la direction opposée au champ, et
ce flux de charge est le courant électrique.
Le phénomène de diffusion se manifeste par une résistance au passage d'un courant électrique.
Plusieurs paramètres sont utilisés pour décrire l'étendue de cette diffusion ; ceuxci incluent la vitesse
mobilité de dérive et la mobilité d'un électron. La vitesse de dérive yd représente la vitesse moyenne des
électrons dans la direction de la force imposée par le champ appliqué.
Il est directement proportionnel au champ électrique comme suit :
Vitesse de dérive
des électrons
dépendance à la
m = moi (18.7)
mobilité des électrons
et à l'intensité du La constante de proportionnalité me s'appelle la mobilité électronique et est une indication de la
champ électrique fréquence des événements de diffusion ; ses unités sont les mètres carrés par voltseconde (m2 /V# s).
18.8 Résistivité électrique des métaux • 733
Figure 18.7 Diagramme schématique montrant
Événements de diffusion
le trajet d'un électron qui est dévié par des
événements de diffusion.
Mouvement net des électrons
La conductivité s de la plupart des matériaux peut être exprimée comme
Conductivité
électrique
dépendance à la s = n me (18.8)
concentration, à
où n est le nombre d'électrons libres ou conducteurs par unité de volume (par exemple, par mètre cube) et |
la charge et
e| est l'amplitude absolue de la charge électrique d'un électron (1,6 1019 C). Ainsi, la conductivité
à la mobilité des électrons
électrique est proportionnelle à la fois au nombre d'électrons libres et à la mobilité des électrons.
Vérification du concept 18.1 Si un matériau métallique est refroidi jusqu'à sa température de fusion à une vitesse
extrêmement rapide, il forme un solide non cristallin (c'estàdire un verre métallique). La conductivité électrique du
métal non cristallin seratelle supérieure ou inférieure à celle de son homologue cristallin ?
Pourquoi?
[La réponse peut être trouvée sur www.wiley.com/college/callister (Student Companion Site).]
18.8 RÉSISTIVITÉ ÉLECTRIQUE DES MÉTAUX
Comme mentionné précédemment, la plupart des métaux sont de très bons conducteurs d'électricité ; les
conductivités à température ambiante pour plusieurs des métaux les plus courants sont données dans le
tableau 18.1. (Le tableau B.9 de l'annexe B énumère les résistivités électriques d'un grand nombre de
Tableau 18.1
Conductivité électrique
Température ambiante Métal [( # m) ] 1
Électrique
Argent 6,8 107
Conductivités pour
Neuf métaux communs Cuivre 6.0 107
et alliages Or 4.3 107
Aluminium 3.8 107
Laiton (70 Cu–30 Zn) 1.6 107
Fer 1.0 107
Platine 0,94 107
Acier au carbone ordinaire 0,6 107
Acier inoxydable 0,2 107
Figure 18.8 La résistivité électrique en fonction Température (°F)
de la température pour le cuivre et trois alliages –400 –300 –200 –100 0 +100
6
cuivrenickel, dont l'un a été déformé. Les
contributions thermiques, d'impuretés et de
déformation à la résistivité sont indiquées à 100 C. Avec + 3,32 at% Ni
5
[Adapté de JO Linde, Ann. Physik, 5, 219 (1932);
et CA Wert et RM Thomson, Physics of Solids, 2e
édition, McGrawHill Book Company, New York,
1970.] 4 Avec + 2,16 at% Ni
Résistivité
électrique
Ω.m)
(10–
8
3 Déformé
Avec + 1,12 at% Ni
2
1
Cuivre "pur"
ça
0
–250 –200 –150 –100 –50 0 +50
Température (°C)
métaux et alliages.) Encore une fois, les métaux ont des conductivités élevées en raison du grand nombre
d'électrons libres qui ont été excités dans des états vides audessus de l'énergie de Fermi. Ainsi n a une
grande valeur dans l'expression de la conductivité, Équation 18.8.
À ce stade, il convient de discuter de la conduction dans les métaux en termes de résistivité, l'inverse
de la conductivité ; la raison de ce changement devrait apparaître dans la discussion qui s'ensuit.
Parce que les défauts cristallins servent de centres de diffusion pour les électrons de conduction dans
les métaux, l'augmentation de leur nombre augmente la résistivité (ou diminue la conductivité). La
concentration de ces imperfections dépend de la température, de la composition et du degré d'écrouissage
d'une éprouvette métallique. En fait, il a été observé expérimentalement que la résistivité totale d'un métal
est la somme des contributions des vibrations thermiques, des impuretés et de la déformation plastique,
c'estàdire que les mécanismes de diffusion agissent indépendamment les uns des autres. Cela peut être
représenté sous forme mathématique comme suit :
Règle de Matthiessen
pour un métal, la
résistivité électrique rtotal = rt + ri + rd (18.9)
totale est égale à la
somme des contributions
thermiques, dans laquelle rt , ri et rd représentent respectivement les contributions individuelles thermiques, d'impuretés
d'impuretés et de déformation et de résistivité à la déformation. L'équation 18.9 est parfois connue sous le nom de règle de Matthiessen.
La règle de Matthiessen L'influence de chaque variable r sur la résistivité totale est démontrée à la figure 18.8, qui est un graphique
de la résistivité en fonction de la température pour le cuivre et plusieurs alliages cuivrenickel à l'état recuit
et déformé. La nature additive des contributions individuelles de résistivité est démontrée à 100 C.
Influence de la température Pour le
métal pur et tous les alliages cuivrenickel illustrés à la figure 18.8, la résistivité augmente linéairement avec
Dépendance de la la température audessus d'environ 200 C. Ainsi,
contribution de la
résistivité thermique
rt = r0 + aT (18.10)
à la température
18.8 Résistivité électrique des métaux • 735
Figure 18.9 Résistivité
50 électrique à température
ambiante en fonction de la
composition pour les alliages cuivrenickel.
40
30
Résistivité
électrique
(10–
µm)
8
20
dix
0
0 dix 20 30 40 50
Composition (% en poids de Ni)
où r0 et a sont des constantes pour chaque métal particulier. Cette dépendance de la composante de
résistivité thermique à la température est due à l'augmentation avec la température des vibrations
thermiques et d'autres irrégularités du réseau (par exemple, les lacunes), qui servent de centres de
diffusion d'électrons.
Influence des impuretés
Pour les ajouts d'une seule impureté qui forme une solution solide, la résistivité de l'impureté ri est liée
à la concentration d'impureté ci en termes de fraction atomique (at%/100) comme suit :
Contribution à la
résistivité des
impuretés (pour une ri = Aci (1 ci ) (18.11)
solution solide)
dépendance où A est une constante indépendante de la composition qui est fonction à la fois de l'impureté et des
à la concentration
métaux hôtes. L'influence des ajouts d'impuretés de nickel sur la résistivité à température ambiante du
en impuretés (fraction atomique)
cuivre est démontrée à la figure 18.9, jusqu'à 50 % en poids de Ni ; dans cette gamme de composition,
le nickel est totalement soluble dans le cuivre (figure 9.3a). Encore une fois, les atomes de nickel dans
le cuivre agissent comme des centres de diffusion, et l'augmentation de la concentration de nickel dans
le cuivre entraîne une amélioration de la résistivité.
Pour un alliage à deux phases constitué de phases a et b, une expression de règle de mélanges
peut être utilisé pour approximer la résistivité comme suit :
Contribution de la
résistivité des ri = raVa + rbVb (18.12)
impuretés (pour alliage
à deux phases)
dépendance aux fractions où Vs et rs représentent les fractions volumiques et les résistivités individuelles pour les phases
volumiques et aux
respectives.
résistivités des deux phases
Influence de la déformation plastique
La déformation plastique augmente également la résistivité électrique en raison du nombre accru de
dislocations de diffusion d'électrons. L'effet de la déformation sur la résistivité est également représenté
sur la figure 18.8. De plus, son influence est beaucoup plus faible que celle de l'augmentation de la
température ou de la présence d'impuretés.
Vérification du concept 18.2 Les résistivités électriques à température ambiante du plomb pur et de l'étain pur sont
respectivement de 2,06 107 et 1,11 107 # m.
(a) Faites un graphique schématique de la résistivité électrique à température ambiante par rapport à la composition
pour toutes les compositions entre plomb pur et étain pur.
(b) Sur ce même graphique, tracez schématiquement la résistivité électrique en fonction de la composition à 150
°C. (c) Expliquez les formes de ces deux courbes ainsi que toute différence entre elles.
Conseil : Vous pouvez consulter le diagramme de phase plombétain, Figure 9.8.
18.9 CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES ALLIAGES COMMERCIAUX
Les propriétés électriques et autres du cuivre en font le conducteur métallique le plus largement utilisé. Le
cuivre à haute conductivité sans oxygène (OFHC), ayant une teneur extrêmement faible en oxygène et
autres impuretés, est produit pour de nombreuses applications électriques. L'aluminium, dont la conductivité
n'est qu'environ la moitié de celle du cuivre, est également fréquemment utilisé comme conducteur électrique.
L'argent a une conductivité plus élevée que le cuivre ou l'aluminium ; cependant, son utilisation est limitée
sur la base du coût.
Il est parfois nécessaire d'améliorer la résistance mécanique d'un alliage métallique sans altérer
significativement sa conductivité électrique. L'alliage en solution solide (section 7.9) et le travail à froid
(section 7.10) améliorent la résistance aux dépens de la conductivité ; ainsi, un compromis doit être fait
pour ces deux propriétés. Le plus souvent, la résistance est améliorée en introduisant une seconde phase
qui n'a pas un effet aussi néfaste sur la conductivité. Par exemple, les alliages cuivrebéryllium sont durcis
par précipitation (section 11.9) ; même ainsi, la conductivité est réduite d'environ un facteur 5 par rapport à
celle du cuivre de haute pureté.
Pour certaines applications, telles que des éléments chauffants de four, une résistivité électrique élevée
est souhaitable. L'énergie perdue par les électrons diffusés est dissipée sous forme d'énergie thermique.
De tels matériaux doivent avoir non seulement une résistivité élevée, mais également une résistance à
l'oxydation à des températures élevées et, bien sûr, une température de fusion élevée. Le nichrome, un
alliage nickelchrome, est couramment utilisé dans les éléments chauffants.
MATÉRIAUX DE IMPORTANCE
Fils électriques en aluminium
des incendies se sont déclarés dans ces bâtiments et les enquêtes
Le cuivre
est normalement
bâtiments uetilisé
résidentiels pour le câblage
t commerciaux. électrique
Cependant, dans
entre ont révélé que l'utilisation de l'aluminium posait un risque
1965 et 1973, le prix du cuivre a considérablement augmenté et, d'incendie accru sur le câblage en cuivre.
par conséquent, des câbles en aluminium ont été installés dans Lorsqu'il est correctement installé, le câblage en aluminium
de nombreux bâtiments construits ou rénovés au cours de cette peut être aussi sûr que le cuivre. Ces problèmes de sécurité se
période, car l'aluminium était un conducteur électrique moins posaient aux points de connexion entre l'aluminium et le cuivre ;
coûteux. Un nombre anormalement élevé un câblage en cuivre a été utilisé pour la connexion
18.9 Caractéristiques électriques des alliages commerciaux • 737
les bornes des équipements électriques (disjoncteurs, prises, als peuvent couver ou un incendie peut se propager sans être détecté
interrupteurs, etc.) auxquels le câblage en aluminium était attaché. pendant une période prolongée.
Les signes avantcoureurs suggérant des problèmes de
Au fur et à mesure que les circuits électriques sont allumés et connexion possibles incluent des plaques frontales chaudes sur les
éteints, le câblage électrique se réchauffe puis se refroidit. interrupteurs ou les prises, l'odeur de plastique brûlé à proximité des
Ce cyclage thermique fait que les fils se dilatent et se contractent prises ou des interrupteurs, des lumières qui scintillent ou s'éteignent
alternativement. Les quantités de dilatation et de contraction de rapidement, des parasites inhabituels à la radio/télévision et des
l'aluminium sont supérieures à celles du cuivre l'aluminium a un disjoncteurs qui se déclenchent pendant aucune raison apparente.
coefficient de dilatation thermique plus élevé que le cuivre (section Plusieurs options s'offrent à vous pour sécuriser les bâtiments
19.3).3 Par conséquent, ces différences de dilatation et de contraction câblés en aluminium4. La plus évidente (et aussi la plus coûteuse)
entre les fils d'aluminium et de cuivre peuvent entraîner le desserrage consiste à remplacer tous les fils d'aluminium par du cuivre. La
des connexions. . Un autre meilleure option suivante consiste à installer une unité de réparation
de connecteur à sertir à chaque connexion aluminiumcuivre. Avec
le facteur qui contribue au desserrage des connexions de fils de cette technique, un morceau de fil de cuivre est attaché à la branche
cuivrealuminium est le fluage (Section 8.12); des contraintes de fil d'aluminium existante à l'aide d'un manchon métallique
mécaniques existent au niveau de ces connexions de fils, et spécialement conçu et d'un outil de sertissage électrique ; le manchon
l'aluminium est plus sensible à la déformation par fluage à métallique est appelé « connecteur à épissure parallèle COPALUM
température ambiante ou proche que le cuivre. ». L'outil de sertissage réalise essentiellement une soudure à froid
Ce relâchement des connexions compromet le contact électrique fil à entre les deux fils. Enfin, la connexion est enfermée dans un manchon
fil, ce qui augmente la résistance électrique au niveau de la connexion isolant. Une représentation schématique d'un dispositif COPALUM
et conduit à un échauffement accru. L'aluminium s'oxyde plus est illustrée à la Figure 18.10. Seuls des électriciens qualifiés et
facilement que le cuivre, et ce revêtement d'oxyde augmente encore spécialement formés sont autorisés à installer ces COPALUM
la résistance électrique au niveau de la connexion.
En fin de compte, une connexion peut se détériorer au point que des connecteurs.
arcs électriques et/ou une accumulation de chaleur peuvent enflammer Deux autres options moins souhaitables sont les dispositifs CO/
tout matériau combustible à proximité de la jonction. Dans la mesure ALR et le pigtailing. Un dispositif CO/ALR est simplement un
où la plupart des prises, interrupteurs et autres connexions sont interrupteur ou une prise murale conçu pour être utilisé avec un
dissimulés, ces matériaux câblage en aluminium. Pour le pigtailing, une torsion
Tableau 18.2 Compositions, conductivités électriques et coefficients de dilatation thermique des alliages d'aluminium
et de cuivre utilisés pour le câblage électrique
Composition (% Électrique Coefficient de Thermique

1 1
Nom de l'alliage Désignation de l'alliage en poids) Conductivité [( # m) ] Extension ( C)
Aluminium 1350 99,50 Al, 0,10 Si, 3,57 107 23,8 106
(conducteur 0,05 Cu, 0,01 Mn,
électrique 0,01 Cr, 0,05 Zn,
grade) 0,03 Ga, 0,05 B
Cuivre C11000 99,90 Cu, 0,04 O 5,88 107 17,0 106

(poix tactile
électrolytique)
3
Les valeurs de coefficient de dilatation thermique, ainsi que les compositions et autres propriétés des alliages d'aluminium et de cuivre utilisés
pour le câblage électrique, sont présentées dans le tableau 18.2.
4
Une discussion sur les diverses options de réparation peut être téléchargée à partir du site Web suivant : http://
www.cpsc.gov/cpscpub/pubs/516.pdf. (Consulté en mai 2013.)
(a continué)
on utilise un écrou de fil de connexion, qui utilise une graisse
qui inhibe la corrosion tout en maintenant une conductivité
électrique élevée à la jonction.
Jonctions isolées
Isolation du
COPALUM
fil d'aluminium
Fil d'aluminium blanc
Réceptacle typique
Fil d'aluminium noir
Fil d'aluminium
de mise à la terre
autorisation
l'aimable
Fernez
John
Avec
de
Queues de cochon
Isolation du
en fil de cuivre
fil d'aluminium
Figure 18.10 Schéma d'un connecteur COPALUM Deux jonctions de fils de cuivre et de fils d'aluminium (situées
dispositif utilisé dans les circuits électriques à fil d'aluminium. dans une boîte de jonction) qui ont subi un échauffement excessif.
(Reproduit avec l'autorisation de la US Consumer Product Celui de droite (dans l'écrou de fil jaune) a complètement échoué.
Safety Commission.)
Semiconductivité
La conductivité électrique des matériaux semiconducteurs n'est pas aussi élevée que celle des métaux ;
semi Néanmoins, ils ont des caractéristiques électriques uniques qui les rendent particulièrement utiles.
conducteur intrinsèque Les propriétés électriques de ces matériaux sont extrêmement sensibles à la présence de concentrations
même infimes d'impuretés. Les semiconducteurs intrinsèques sont ceux dont le comportement électrique
semi est basé sur la structure électronique inhérente au matériau pur. Lorsque les caractéristiques électriques
conducteur extrinsèque sont dictées par des atomes d'impuretés, le semiconducteur est dit extrinsèque.
18.10 SEMICONDUCTION INTRINSÈQUE
Les semiconducteurs intrinsèques sont caractérisés par la structure de bande électronique représentée
sur la figure 18.4d : à 0 K, une bande de valence complètement remplie, séparée d'une bande de
conduction vide par une bande interdite interdite relativement étroite, généralement inférieure à 2 eV. Les
deux semiconducteurs élémentaires sont le silicium (Si) et le germanium (Ge), ayant des énergies de
bande interdite d'environ 1,1 et 0,7 eV, respectivement. Les deux se trouvent dans le groupe IVA du
tableau périodique (figure 2.8) et sont liés de manière covalente.5 De plus, une multitude de matériaux
semiconducteurs composés présentent également un comportement intrinsèque. Un tel groupe est formé
entre les éléments des groupes IIIA et VA, par exemple l'arséniure de gallium (GaAs) et l'antimoniure
d'indium (InSb); ceuxci sont fréquemment appelés composés III – V. Les composés composés d'éléments
des groupes IIB et VIA présentent également un comportement semiconducteur ; ceuxci comprennent
le sulfure de cadmium (CdS) et le tellurure de zinc (ZnTe). Au fur et à mesure que les deux éléments
formant ces composés deviennent plus largement séparés par rapport à leurs positions relatives dans le
tableau périodique (c'estàdire que les électronégativités deviennent plus dissemblables, figure 2.9), la
liaison atomique devient plus ionique et l'amplitude de l'énergie de la bande interdite augmente. les
matériaux ont tendance à devenir plus isolants. Le tableau 18.3 donne les bandes interdites pour certains semiconducteurs com
5
Les bandes de valence dans le silicium et le germanium correspondent à des niveaux d'énergie hybrides sp3 pour l'atome isolé ; ces bandes
de valence hybridées sont complètement remplies à 0 K.
18.10 Semiconduction intrinsèque • 739
Tableau 18.3
Bande interdite Mobilité des électrons Mobilité des trous (m2 /V# Conductivité électrique
Énergies de bande
Matériel (eV) s) (m2 /V# s) (Intrinsèque)( # m)1
interdite, mobilités
des électrons et Élémentaire
des trous et Ge 0,67 0,39 0,19 2.2
conductivités
Et 1.11 0,145 0,050 3.4 104
électriques intrinsèques
Composés III–V 0,006
à température ambiante
AlP
pour les matériaux semiconducteurs 2.42 0,045 —
AlSb 1,58 0,02 0,042 —
AsGa 1.42 0,80 0,04 3 107
Écart 2.26 0,011 0,0075 —
InP 1,35 0,460 0,015 2,5 106 2 104
InSb 0,17 8.00 0,125
Composés II–VI 0,040
CDS 2.40 0,005 —
CdTe 1,56 0,105 0,010 —
ZnS 3,66 0,060 — —
ZnTe 2.4 0,053 0,010 —
Source : Ce matériel est reproduit avec la permission de John Wiley & Sons, Inc.
Vérification du concept 18.3 Lequel de ZnS et CdSe a la plus grande énergie de bande interdite Eg ? Citez la ou les raisons
de votre choix.
Concept de trou Dans les
semiconducteurs intrinsèques, pour chaque électron excité dans la bande de conduction, il reste
un électron manquant dans l'une des liaisons covalentes, ou dans le schéma de bande, un état
6 Sous l'influence d'un champ
d'électron vacant dans la bande de valence, comme le montre la figure 18.6b.
électrique, la position de cet électron manquant dans le réseau cristallin peut être considérée comme se déplaçant
par le mouvement d'autres électrons de valence qui remplissent à plusieurs reprises la liaison incomplète (Figure
18.11). Ce processus est accéléré en traitant un électron manquant de la bande de valence comme une particule
chargée positivement appelée trou. On considère qu'un trou a une charge de même grandeur que celle d'un
électron, mais de signe opposé (1,6 1019 C). Ainsi, en présence d'un champ électrique, les électrons et les trous
excités se déplacent dans des directions opposées. De plus, dans les semiconducteurs, les électrons et les trous
sont diffusés par les imperfections du réseau.
Conductivité
électrique pour un
semi Conductivité intrinsèque Parce
conducteur intrinsèque qu'il existe deux types de porteurs de charge (électrons libres et trous) dans un semiconducteur
dépendance aux intrinsèque, l'expression de la conduction électrique, l'équation 18.8, doit être modifiée pour inclure
concentrations
un terme pour tenir compte de la contribution du courant de trou. Par conséquent, nous écrivons
d'électrons/trous et aux
mobilités
d'électrons/trous s = n e me + p e mh (18.13)
6
Des trous (en plus des électrons libres) sont créés dans les semiconducteurs et les isolants lorsque des transitions d'électrons se produisent
d'états remplis dans la bande de valence à des états vides dans la bande de conduction (Figure 18.6). Dans les métaux, les transitions
électroniques se produisent normalement d'un état vide à un état plein dans la même bande (figure 18.5), sans création de trous.
Figure 18.11 Modèle de liaison électronique de la
conduction électrique dans le silicium intrinsèque :
Et Et Et Et
(a) avant excitation, (b) et (c) après excitation (les
mouvements ultérieurs des électrons libres et des trous en
réponse à un champ électrique externe).
Et Et Et Et
Et Et Et Et
(un)
Champ Champ
Et Et Et Et Et Et Et Et
Électron libre
Trou Électron libre
Trou
(b) (c)
où p est le nombre de trous par mètre cube et mh est la mobilité des trous. La grandeur de mh est toujours
inférieure à moi pour les semiconducteurs. Pour les semiconducteurs intrinsèques, chaque électron promu à
travers la bande interdite laisse un trou dans la bande de valence ; ainsi,
n = p = est (18.14)
où ni est connu comme la concentration de porteurs intrinsèques. En outre,
Pour un semi
conducteur s = n e (moi + mh) = p e (moi + mh) (18h15)
intrinsèque, conductivité
en termes de = est e (moi + mh)
concentration de porteurs intrinsèques
Les conductivités intrinsèques à température ambiante et les mobilités des électrons et des trous pour plusieurs
matériaux semiconducteurs sont également présentées dans le tableau 18.3.
EXEMPLE DE PROBLÈME 18.1
Calcul de la concentration de porteurs intrinsèques à température ambiante pour
Arséniure de gallium
Pour l'arséniure de gallium intrinsèque, la conductivité électrique à température ambiante est de 3 107 ( # m)1 ; les mobilités
des électrons et des trous sont respectivement de 0,80 et 0,04 m2 /V# s. Calculer la concentration de porteurs intrinsèques
ni à température ambiante.
18.11 Semiconduction extrinsèque • 741
Solution
Étant donné que le matériau est intrinsèque, la concentration de porteurs peut être calculée à l'aide de l'équation 18.15 comme
s
est =
e (me +
mh) 3 * 107 ( # m)1
=
(1,6 * 1019 C)[(0,80 + 0,04) m2 /V# s] = 2,2 *
1012 m3
18.11 SEMICONDUCTION EXTRINSEQUE
Pratiquement tous les semiconducteurs commerciaux sont extrinsèques , c'estàdire que le comportement
électrique est déterminé par des impuretés qui, lorsqu'elles sont présentes à des concentrations même infimes,
introduisent des électrons ou des trous en excès. Par exemple, une concentration en impuretés de 1 atome dans
1012 est suffisante pour rendre le silicium extrinsèque à température ambiante.
Semiconduction extrinsèque de type n Pour illustrer
comment la semiconduction extrinsèque est accomplie, considérons à nouveau le silicium semiconducteur
élémentaire. Un atome de Si a quatre électrons, dont chacun est lié de manière covalente à l'un des quatre
atomes de Si adjacents. Maintenant, supposons qu'un atome d'impureté avec une valence de 5 soit ajouté en
tant qu'impureté de substitution ; les possibilités incluraient des atomes de la colonne du groupe VA du tableau
périodique (c'estàdire P, As et Sb). Seuls quatre des cinq électrons de valence de ces atomes d'impuretés
peuvent participer à la liaison car il n'y a que quatre liaisons possibles avec des atomes voisins. L'électron non
lié supplémentaire est faiblement lié à la région autour de l'atome d'impureté par une faible attraction
électrostatique, comme illustré sur la figure 18.12a. L'énergie de liaison de cet électron est relativement faible
(de l'ordre de 0,01 eV) ; ainsi, il est facilement éliminé de l'atome d'impureté, auquel cas il devient un électron
libre ou conducteur (figures 18.12b et 18.12c).
L'état d'énergie d'un tel électron peut être vu du point de vue du schéma du modèle de bande d'électrons.
Pour chacun des électrons faiblement liés, il existe un seul niveau d'énergie, ou état d'énergie, qui est situé dans
la bande interdite juste en dessous du bas de la bande de conduction (Figure 18.13a). L'énergie de liaison des
électrons correspond à l'énergie nécessaire pour exciter l'électron de l'un de ces états d'impureté à un état dans
la bande de conduction. Chaque événement d'excitation (Figure 18.13b) fournit ou cède un seul électron à la
bande de conduction ; une impureté de ce type est appelée à juste titre un donneur. Parce que chaque électron
donneur est excité à partir d'un niveau d'impureté, aucun trou correspondant n'est créé dans la bande de valence.
A température ambiante, l'énergie thermique disponible est suffisante pour exciter un grand nombre
État donateur d'électrons des états donneurs ; en outre, certaines transitions intrinsèques de bande de valence–conduction se
produisent, comme dans la figure 18.6b, mais à un degré négligeable. Ainsi, le nombre d'électrons dans la bande
de conduction dépasse de loin le nombre de trous dans la bande de valence (ou n p), et le premier terme du côté
droit de l'équation 18.13 dépasse le second, c'estàdire
Pour un semi
conducteur s n e moi (18.16)
extrinsèque de type
n, dépendance de Un matériau de ce type est dit semiconducteur extrinsèque de type n . Les électrons sont porteurs majoritaires
la conductivité à la
de par leur densité ou concentration ; les trous, en revanche, sont les porteurs de charge minoritaires. Pour les
concentration et à la
semiconducteurs de type n, le niveau de Fermi est décalé vers le haut dans la bande interdite, au voisinage de
mobilité des électrons
l'état donneur; sa position exacte est fonction à la fois de la température et de la concentration du donneur.
Figure 18.12 Modèle de semiconduction extrinsèque
de type n (liaison électronique). (a) Un atome d'impureté Et Et Et Et
(4+) (4+) (4+) (4+)
tel que le phosphore, ayant cinq électrons de valence,
peut se substituer à un atome de silicium.
Il en résulte un électron de liaison supplémentaire, qui
est lié à l'atome d'impureté et en orbite autour de Et Et Et
(4+) P (5+) (4+) (4+)
lui. (b) Excitation pour former un électron libre. (c) Le
mouvement de cet électron libre en réponse à un
champ électrique.
Et Et Et Et
(4+) (4+) (4+) (4+)
(un)
Champ Champ

(4+) (4+) (4+) (4+) (4+) (4+) (4+) (4+)
Électron libre
Et Et Et Et Et Et

(4+) P (5+) (4+) (4+) (4+) P (5+) (4+) (4+)

(4+) (4+) (4+) (4+) (4+) (4+) (4+) (4+)
(b) (c)
Semiconduction extrinsèque de type p Un
effet opposé est produit par l'addition au silicium ou au germanium d'impuretés de substitution
trivalentes telles que l'aluminium, le bore et le gallium du groupe IIIA du tableau périodique.
L'une des liaisons covalentes autour de chacun de ces atomes est dépourvue d'un électron ;
une telle déficience peut être considérée comme un trou faiblement lié à l'atome d'impureté. Ce
trou peut être libéré de l'atome d'impureté par le transfert d'un électron d'une liaison adjacente,
comme illustré à la figure 18.14. Essentiellement, l'électron et le trou échangent leurs positions.
Un trou en mouvement est considéré comme étant dans un état excité et participe au
processus de conduction, de manière analogue à un électron donneur excité, comme décrit précédemment.
Les excitations extrinsèques, dans lesquelles des trous sont générés, peuvent également être
représentées à l'aide du modèle de bande. Chaque atome d'impureté de ce type introduit un niveau d'énergie dans le
Figure 18.13 (a) Schéma de bande
d'énergie électronique pour un niveau groupe
d'impureté donneur situé dans la Conduction
bande interdite et juste en dessous du bas Electron libre dans la
de la bande de conduction. (b) État donateur
bande de conduction
Excitation à partir d'un état donneur
dans lequel un électron libre est généré Énergie
bande
Écart
de
Par exemple
dans la bande de conduction.
groupe
Valence
(un) (b)
18.11 Semiconduction extrinsèque • 743
Champ
(4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ )
Et Et B Et Et Et B Et
(4+ ) (4+ ) (3 +) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (3 +) (4+ )
Trou
(4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ )
(un) (b)
Figure 18.14 Modèle de semiconduction de type p extrinsèque (liaison électronique). (a) Un atome d'impureté tel que le bore, ayant trois
électrons de valence, peut se substituer à un atome de silicium. Il en résulte une déficience d'un électron de valence, ou un trou associé à
l'atome d'impureté. (b) Le mouvement de ce trou en réponse à un champ électrique.
bande interdite, audessus mais très proche du sommet de la bande de valence (Figure 18.15a). On imagine qu'un trou
est créé dans la bande de valence par l'excitation thermique d'un électron de la bande de valence dans cet état d'électron
d'impureté, comme le montre la figure 18.15b.
Avec une telle transition, une seule porteuse est produite un trou dans la bande de valence ; un électron libre n'est créé
ni dans le niveau d'impureté ni dans la bande de conduction. Une impureté de ce type est appelée accepteur car elle est
capable d'accepter un électron de la bande de valence, laissant derrière elle un trou. Il s'ensuit que le niveau d'énergie
dans la bande interdite introduit par ce type d'impureté est appelé un état accepteur.
état accepteur
Pour ce type de conduction extrinsèque, les trous sont présents à des concentrations beaucoup plus élevées que
les électrons (c'estàdire, p n), et dans ces circonstances, un matériau est appelé type p car les particules chargées
positivement sont principalement responsables de la conduction électrique. Bien sûr, les trous sont les porteurs
majoritaires, et les électrons sont présents en concentrations minoritaires. Cela donne lieu à une prédominance du
deuxième terme sur le membre droit de l'équation 18.13, soit
Pour un semi
conducteur
s p e mh (18.17)
extrinsèque de
type p, dépendance
de la conductivité Pour les semiconducteurs de type p, le niveau de Fermi est positionné dans la bande interdite et proche du niveau
à la concentration et accepteur.
à la mobilité des trous Les semiconducteurs extrinsèques (à la fois de type n et p) sont produits à partir de matériaux qui sont initialement
d'une pureté extrêmement élevée, ayant généralement une teneur totale en impuretés sur le
Figure 18.15 (a) Schéma de bande
d'énergie pour un niveau d'impureté accepteur
groupe
situé dans la bande interdite et juste au
Conduction
dessus du sommet de la bande de
valence. (b) Excitation d'un électron dans le
niveau accepteur, laissant derrière lui un
trou dans la bande de valence.
bande
Écart
de
Par exemple
Énergie
État accepteur Trou dans
la bande de valence
groupe
Valence
(un) (b)
ordre de 107 at%. Des concentrations contrôlées de donneurs ou d'accepteurs spécifiques sont ensuite
intentionnellement ajoutées, en utilisant diverses techniques. Un tel procédé d'alliage dans des matériaux
se doper semiconducteurs est appelé dopage.
Dans les semiconducteurs extrinsèques, un grand nombre de porteurs de charge (soit des électrons,
soit des trous, selon le type d'impureté) sont créés à température ambiante par l'énergie thermique disponible.
En conséquence, des conductivités électriques à température ambiante relativement élevées sont obtenues
dans les semiconducteurs extrinsèques. La plupart de ces matériaux sont conçus pour être utilisés dans
des appareils électroniques devant fonctionner dans des conditions ambiantes.
Vérification du concept 18.4 À des températures relativement élevées, les matériaux semiconducteurs dopés donneur
et accepteur présentent un comportement intrinsèque (Section 18.12). Sur la base des discussions de la section 18.5
et de cette section, faites un tracé schématique de l'énergie de Fermi en fonction de la température pour un semi
conducteur de type n jusqu'à une température à laquelle il devient intrinsèque. Notez également sur ce tracé les
positions énergétiques correspondant au haut de la bande de valence et au bas de la bande de conduction.
Vérification du concept 18.5 Le Zn agiratil en tant que donneur ou en tant qu'accepteur lorsqu'il sera ajouté au
composé semiconducteur GaAs ? Pourquoi? (Supposons que Zn est une impureté de substitution.)
[Les réponses peuvent être trouvées sur www.wiley.com/college/callister (Student Companion Site).]
18.12 LA DÉPENDANCE EN TEMPÉRATURE DE LA CONCENTRATION EN PORTEURS
La figure 18.16 trace le logarithme de la concentration de porteurs intrinsèque ni en fonction de la
température pour le silicium et le germanium. Quelques caractéristiques de cette intrigue méritent d'être notées.
Premièrement, les concentrations d'électrons et de trous augmentent avec la température car, avec
l'augmentation de la température, plus d'énergie thermique est disponible pour exciter les électrons de la
valence vers la bande de conduction (voir Figure 18.6b). De plus, à toutes les températures, la concentration
en porteurs dans Ge est supérieure à celle dans Si. Cet effet est dû à la plus petite bande interdite du
germanium (0,67 contre 1,11 eV, tableau 18.3) ; ainsi, pour Ge, à n'importe quelle température donnée, plus
d'électrons seront excités à travers sa bande interdite.
Cependant, le comportement concentrationtempérature des porteurs pour un semiconducteur
extrinsèque est très différent. Par exemple, la concentration d'électrons en fonction de la température pour
le silicium qui a été dopé avec 1021 m3 d'atomes de phosphore est représentée sur la figure 18.17. [À titre
de comparaison, la courbe en pointillés indiquée concerne le Si intrinsèque (tiré de la figure 18.16)].7 Trois
régions sont notées sur la courbe extrinsèque. Aux températures intermédiaires (entre environ 150 K et 475
K) le matériau est de type n (dans la mesure où P est une impureté donneuse), et la concentration
8 Les électrons dans la bande de
électronique est constante ; c'est ce qu'on appelle la région de température extrinsèque.
conduction sont excités à partir de l'état donneur de phosphore (voir Figure 18.13b), et parce que la
concentration d'électrons est approximativement égale à la teneur en P (1021 m3 ), pratiquement tous les
atomes de phosphore ont été ionisés (c'estàdire qu'ils ont électrons donnés). De plus, les excitations
intrinsèques à travers la bande interdite sont insignifiantes par rapport à ces excitations extrinsèques du
donneur. La plage de températures sur laquelle cette région extrinsèque existe dépend de la concentration
en impuretés ; De plus, la plupart des dispositifs à semiconducteurs sont conçus pour fonctionner dans cette plage de température
À basse température, en dessous d'environ 100 K (Figure 18.17), la concentration d'électrons chute
considérablement avec la diminution de la température et se rapproche de zéro à 0 K. Audessus de ces
températures, l'énergie thermique est insuffisante pour exciter les électrons du donneur P
7
Notez que les formes de la courbe Si de la Figure 18.16 et de la courbe ni de la Figure 18.17 ne sont pas les mêmes, même si des paramètres
identiques sont tracés dans les deux cas. Cette disparité est due à la mise à l'échelle des axes du tracé : les axes de température (c'estàdire
horizontaux) pour les deux tracés sont mis à l'échelle linéairement ; cependant, l'axe de concentration des porteurs de la figure 18.16 est
logarithmique, alors que ce même axe de la figure 18.17 est linéaire.
8
Pour les semiconducteurs dopés en donneur, cette région est parfois appelée région de saturation ; pour les matériaux dopés à l'accepteur, elle est
souvent appelée région d'épuisement .
18.13 Facteurs affectant la mobilité du transporteur • 745
1028
1026
Température (°C) –
1024 200 –100 0 100 200 300
Ge 3 × 1021
1022
Et
1020
Région
intrinsèque
1018
2 × 1021
1016
Concentration
d'électrons
(m–
3)
Concentration
intrinsèques
porteurs
(m–
de
3)
1014 Région
gelée
Région extrinsèque
1012 1 × 1021
1010
dans
108
106 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 100 200 300 400 500 600
T (K) Température (K)
Figure 18.16 Concentration de porteurs intrinsèques Figure 18.17 Concentration électronique en fonction de la température
(échelle logarithmique) en fonction de la température pour pour le silicium (type n) dopé avec 1021 m3 d'une impureté donneuse et
le germanium et le silicium. pour le silicium intrinsèque (ligne pointillée).
(Tiré de CD Thurmond, « The Standard Thermodynamic Les régimes de température de congélation, extrinsèques et intrinsèques
Functions for the Formation of Electrons and Holes in Ge, Si, sont notés sur ce graphique.
GaAs, and GaP », Journal of the Electrochemical Society, 122, (De SM Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology.
[8], 1139 (1975). Réimprimé avec la permission de The Copyright © 1985 par Bell Telephone Laboratories, Inc. Reproduit
Société électrochimique, Inc.) avec la permission de John Wiley & Sons, Inc.)
niveau dans la bande de conduction. C'est ce qu'on appelle la région de température de congélation dans
la mesure où les porteurs chargés (c'estàdire les électrons) sont "gelés" aux atomes dopants.
Enfin, à l'extrémité supérieure de l'échelle de température de la figure 18.17, la concentration
d'électrons augmente audessus de la teneur en P et se rapproche asymptotiquement de la courbe
intrinsèque à mesure que la température augmente. C'est ce qu'on appelle la région de température
intrinsèque parce qu'à ces températures élevées, le semiconducteur devient intrinsèque, c'estàdire que
les concentrations de porteurs de charge résultant des excitations d'électrons à travers la bande interdite
deviennent d'abord égales puis submergent complètement la contribution du porteur donneur avec l'augmentation de la températ
Vérification du concept 18.6 Sur la base de la Figure 18.17, à mesure que le niveau de dopant augmente, vous
attendriezvous à ce que la température à laquelle un semiconducteur devienne intrinsèque augmente, reste
essentiellement la même ou diminue ? Pourquoi?
18.13 FACTEURS QUI AFFECTENT LA MOBILITÉ DU TRANSPORTEUR
La conductivité (ou résistivité) d'un matériau semiconducteur, en plus de dépendre des concentrations
d'électrons et/ou de trous, est également fonction des mobilités des porteurs de charge (Équation 18.13),
c'estàdire de la facilité avec laquelle les électrons et les trous sont transportés à travers le cristal. De plus,
les amplitudes des mobilités des électrons et des trous sont influencées par la présence de ces mêmes
défauts cristallins qui sont responsables de la diffusion des électrons dans les métaux les vibrations
thermiques (c'estàdire la température) et les impuretés.
Figure 18.18 Pour le silicium, dépendance des
mobilités des électrons et des trous à température
ambiante (échelle logarithmique) sur la concentration en
0,1
dopant (échelle logarithmique). Électrons
(Adapté de WW Gärtner, « Temperature Depend ence
of Junction Transistor Parameters », Proc. of the IRE,
45, 667, 1957. Copyright © 1957 IRE maintenant IEEE.) des trous
Mobilité
(m2/
Vs)
0,01
0,001
1019 1020 1021 1022 1023 1024 1025
Concentration d'impuretés (m–3)
atomes. Nous explorons maintenant la manière dont la teneur en impuretés dopantes et la température
influencent les mobilités des électrons et des trous.
Influence de la teneur en dopant La figure
18.18 représente la dépendance à la température ambiante des mobilités des électrons et des trous dans
le silicium en fonction de la teneur en dopant (à la fois accepteur et donneur) ; notez que les deux axes de
ce graphique sont mis à l'échelle de manière logarithmique. A des concentrations de dopant inférieures à
, 1020 m3 , les deux mobilités de porteurs sont à leurs niveaux maximum et indépendantes de la
environ
concentration de dopant. De plus, les deux mobilités diminuent avec l'augmentation de la teneur en
impuretés. Il convient également de noter que la mobilité des électrons est toujours supérieure à la mobilité des trous.
Influence de la température Les
dépendances en température des mobilités des électrons et des trous pour le silicium sont présentées dans les
figures 18.19a et 18.19b, respectivement. Des courbes pour plusieurs teneurs en impuretés dopantes sont
présentées pour les deux types de porteurs ; notez que les deux ensembles d'axes sont mis à l'échelle de manière
logarithmique. À partir de ces tracés, notez que, pour des concentrations de dopant de 1024 m3 et moins, les
mobilités des électrons et des trous diminuent en amplitude avec l'augmentation de la température ; encore une
fois, cet effet est dû à une diffusion thermique accrue des porteurs. Pour les électrons et les trous et les niveaux
de dopant ,inférieurs à 1020
la dépendance dm 3la mobilité à la température est indépendante de la concentration accepteur/
e
donneur (c'estàdire qu'elle est représentée par une seule courbe). Aussi, pour des concentrations supérieures
à 1020 , les courbes des deux tracés sont décalées vers des valeurs de mobilité progressivement inférieures avec l'augmentation
m3 de niveau de dopant. Ces deux derniers effets sont cohérents avec les données présentées dans la figure 18.18.
Ces traitements antérieurs discutaient de l'influence de la température et de la teneur en dopants sur
la concentration et la mobilité des porteurs. Une fois que les valeurs de n, p, me et mh ont été déterminées
pour une concentration spécifique de donneur/accepteur et à une température spécifiée (à l'aide des figures
18.16 à 18.19), le calcul de s est possible à l'aide des équations 18.15, 18.16 ou 18.17.
Vérification du concept 18.7 Sur la base de la courbe de concentration d'électrons en fonction de la température pour
le silicium de type n illustrée à la figure 18.17 et de la dépendance du logarithme de la mobilité des électrons à la
température (figure 18.19a), tracez un tracé schématique du logarithme de la conduction électrique tivité en fonction
de la température pour le silicium qui a été dopé avec 1021 m3 d'une impureté donneuse. Maintenant, expliquez
brièvement la forme de cette courbe. Rappelons que l'équation 18.16 exprime la dépendance de la conductivité sur
la concentration et la mobilité des électrons.
18.13 Facteurs affectant la mobilité du transporteur • 747
<1020 m–3 0,1 <1020 m–3
1022 m–3
1022 m–3
0,1
Mobilité
trous
des
(m2/
Vs)
1023 m–3
électronique
Mobilité
(m2/
Vs)
1023 m–3
0,01
1024 m–3
1024 m–3
0,01 1025 m–3 1025 m–3
0,001
200 300 400 500 600 200 300 400 500 600
Température (K) Température (K)
(a) (b)
Figure 18.19 Dépendance à la température des mobilités (a) des électrons et (b) des trous pour le silicium qui a été dopé avec diverses
concentrations de donneurs et d'accepteurs. Les deux ensembles d'axes sont mis à l'échelle de manière logarithmique.
(Tiré de WW Gärtner, « Temperature Dependence of Junction Transistor Parameters », Proc. of the IRE, 45, 667, 1957. Copyright © 1957
IRE maintenant IEEE.)
Détermination de la conductivité électrique du silicium intrinsèque à 150 C Calculer la
conductivité électrique du silicium intrinsèque à 150 C (423 K).
Solution
Ce problème peut être résolu à l'aide de l'équation 18.15, qui nécessite la spécification de valeurs pour ni ,
me et mh. D'après la figure 18.16, ni pour Si à 423 K est de 4 1019 m3 . De plus, les mobilités intrinsèques
des électrons et des trous sont tirées des courbes de 1020 m3 des figures 18.19a et 18.19b, respectivement ;
à 423 K, me 0,06 m2 /V s et mh 0,022 m2 /V s (sachant que les axes de mobilité et de température sont mis
à l'échelle de manière logarithmique). Enfin, à partir de l'Équation 18.15, la conductivité est
donnée par s = ni 0 e
0(me + mh) = (4 * 1019 m3 )(1.6 * 1019 C)(0.06 m2 /V# s + 0.022
m2 / V# s) = 0,52 ( # m)1
Calculs de conductivité électrique à température ambiante et à température
élevée pour le silicium extrinsèque Au silicium de haute pureté
sont ajoutés 1023 m3 d'atomes d'arsenic.
(a) Ce matériau estil de type n ou de type
p ? (b) Calculez la conductivité électrique à température ambiante de ce matériau. (c)
Calculer la conductivité à 100 C (373 K).
Solution
(a) L'arsenic est un élément du groupe VA (figure 2.8) et, par conséquent, agit comme un donneur dans le silicium, qui
signifie que ce matériau est de type n.
(b) À température ambiante (298 K), nous sommes dans la région de température extrinsèque de la figure 18.17, ce
qui signifie que pratiquement tous les atomes d'arsenic ont cédé des électrons (c'estàdire n 1023 m3 ). De plus,
dans la mesure où ce matériau est de type n extrinsèque, la conductivité peut être calculée à l'aide de l'équation
18.16. Par conséquent, il est nécessaire de déterminer la mobilité électronique pour une concentration de
donneur de 1023 m3 . Nous pouvons le faire en utilisant la Figure 18.18 : à 1023 m3 = 0,07 m2 /V#s (rappelez
vous que les deux axes de la Figure 18.18 sont mis à l'échelle , me logarithmiquement). Ainsi, la conductivité est
juste s = n 0 e 0 me = (1023 m3 )(1.6 * 1019 C)(0.07 m2 /
V#s) = 1120
( # m)1
(c) Pour résoudre la conductivité de ce matériau à 373 K, nous utilisons à nouveau l'équation 18.16 avec la mobilité
des électrons à cette température. D'après la courbe 1023 m3 de la Figure 18.19a, à 373 K, me 0,04 m2 /V s, ce
qui conduit à s = n 0 e 0 me = (1023 m3 )
(1,6 * 1019
C)(0,04 m2 / V#s) # m)1 = 640 (
EXEMPLE DE CONCEPTION 18.1
Dopage des impuretés de l'accepteur dans le silicium
Un matériau de silicium de type p extrinsèque est souhaité ayant une conductivité à température ambiante de 50 ( #
m)1 . Spécifiez un type d'impureté d'accepteur qui peut être utilisé, ainsi que sa concentration en pourcentage
atomique, pour obtenir ces caractéristiques électriques.
Solution
Premièrement, les éléments qui, lorsqu'ils sont ajoutés au silicium, le rendent de type p se situent un groupe à gauche
du silicium dans le tableau périodique. Il s'agit notamment des éléments du groupe IIIA (figure 2.8) : bore, aluminium,
gallium et indium.
Étant donné que ce matériau est extrinsèque et de type p (c'estàdire p n), la conductivité électrique est fonction
à la fois de la concentration et de la mobilité des trous selon l'équation 18.17. De plus, on suppose qu'à température
ambiante, tous les atomes dopants accepteurs ont accepté des électrons pour former des trous (c'estàdire que l'on
est dans la région extrinsèque de la figure 18.17), c'estàdire que le nombre de trous est approximativement égal à le
nombre d'impuretés acceptrices Na.
Ce problème est compliqué par le fait que mh dépend de la teneur en impuretés selon la figure 18.18. Par
conséquent, une approche pour résoudre ce problème est l'essai et l'erreur : supposez une concentration d'impuretés,
puis calculez la conductivité en utilisant cette valeur et la mobilité de trou correspondante à partir de sa courbe de la
figure 18.18. Ensuite, sur la base de ce résultat, répétez le processus, en supposant une autre concentration
d'impuretés.
Par exemple, sélectionnons une valeur Na (c'estàdire une valeur p ) de 1022 m3 . A cette concentration, la
mobilité des trous est d'environ 0,04 m2 /V s (Figure 18.18) ; ces valeurs donnent une conductivité de s = p 0 e 0
mh = (1022 m3 )(1.6 * 1019 C)(0.04 m2 /V# s) # m)1 = 64 (
18.14 L'effet Hall • 749
qui est un peu élevé. La diminution de la teneur en impuretés d'un ordre de grandeur à 1021 m3 n'entraîne
qu'une légère augmentation d'environ 0,045 m2 /V# s (hFigure 18.18) ; ainsi, la conductivité résultante est
s = (1021 m3 )(1,6 * 1019 C)(0,045 m2 /V# s) = 7,2
( # m)1
Avec un réglage fin de ces nombres, une conductivité de 50 ( # m)1 est atteinte lorsque Na = p 8 * 1021
m3 ; à cette valeur de Na , mh reste à environ 0,04 m2 /V# s.
Il devient ensuite nécessaire de calculer la concentration d'impureté accepteur en pourcentage atomique.
Ce calcul nécessite d'abord la détermination du nombre d'atomes de silicium par mètre cube, NSi, à l'aide de
l'équation 4.2, qui est donnée comme suit :
NArSi
NSi =
COMME
(6,022 * 1023 atomes/mol)(2,33 g/cm3 )(106 cm3 /m3 )
=
28,09 g/mol
= 5 * 1028 m3
La concentration des impuretés de l'accepteur en pourcentage atomique (C a ) est juste le rapport de Na et
En NSi multiplié par 100, ou
Déjà
C un =
* 100
Et + NSi
= 8 * 1021 m3
* 100 = 1,60 * 105 (8 * 1021 m3 ) +
(5 * 1028 m3 )
Ainsi, un matériau de silicium ayant une conductivité électrique de type p à température ambiante de
50 ( m)1 doit contenir 1,60 105 at% de bore, d'aluminium, de gallium ou d'indium.
18.14 L'EFFET HALL
Pour certains matériaux, il est parfois souhaitable de déterminer le type de porteur de charge majoritaire,
la concentration et la mobilité du matériau. De telles déterminations ne sont pas possibles à partir d'une
effet Hall simple mesure de conductivité électrique ; une expérience à effet Hall doit également être menée. Cet
effet Hall est le résultat du phénomène par lequel un champ magnétique appliqué perpendiculairement
à la direction de mouvement d'une particule chargée exerce une force sur la particule perpendiculaire à
la fois au champ magnétique et aux directions de mouvement de la particule.
Pour démontrer l'effet Hall, considérons la géométrie de l'échantillon illustrée à la figure 18.20 un
échantillon parallélépipédique ayant un coin situé à l'origine d'un système de coordonnées cartésiennes.
En réponse à un champ électrique appliqué de l'extérieur, les électrons et/ou les trous se déplacent
dans la direction x et donnent naissance à un courant Ix. Lorsqu'un champ magnétique est imposé dans
la direction z positive (notée Bz), la force résultante sur les porteurs de charge les fait dévier dans la
direction y les trous (porteurs chargés positivement) vers la face droite de l'échantillon et les électrons
(négativement porteurs chargés) sur la face gauche, comme indiqué sur la figure. Ainsi, une tension,
dite tension de Hall VH, s'établit dans
Figure 18.20 Démonstration schématique de l'effet Ix
Hall. Les porteurs de charge positifs et/ou négatifs
X
qui font partie du courant Ix sont déviés par
le champ magnétique Bz et donnent lieu à la tension
de Hall, VH.
Bz
Avec
− +
VH
d
et
la direction y . L'amplitude de VH dépend de Ix, Bz et de l'épaisseur d de l'éprouvette comme suit :
Dépendance de la
tension de Hall sur le
coefficient de Hall, RHIxBz
l'épaisseur de l'éprouvette VH = d (18.18)
et les paramètres de
courant et de champ
magnétique illustrés à la Figure 18.20
Dans cette expression, RH est appelé coefficient de Hall, qui est une constante pour un matériau donné.
Pour les métaux, dans lesquels la conduction se fait par les électrons, RH est négatif et est donné par
Coefficient de Hall pour 1
les métaux
HR = (18.19)
n e
Ainsi, n peut être déterminé car RH peut être trouvé à l'aide de l'équation 18.18 et l'amplitude de e, la
charge d'un électron, est connue.
De plus, d'après l'équation 18.8, la mobilité électronique me est juste
s
moi = (18.20a)
non et
ou, en utilisant l'Équation 18.19,
Pour les métaux, mobilité
des électrons en termes
de coefficient de Hall et moi = HR s (18.20b)
de conductivité
Ainsi, l'amplitude de me peut également être déterminée si la conductivité s a également été mesurée.
Pour les matériaux semiconducteurs, la détermination du type de porteur majoritaire et le calcul de
la concentration et de la mobilité des porteurs sont plus compliqués et ne sont pas abordés ici.
18.15 Dispositifs semiconducteurs • 751
Calcul de la tension de Hall La
1
conductivité électrique et la mobilité électronique de l'aluminium sont respectivement de 3,8 107 et
( # m) 0,0012 m2 /V# s. Calculer la tension de Hall d'une éprouvette d'aluminium de 15 mm d'épaisseur
pour un courant de 25 A et un champ magnétique de 0,6 tesla (imposé dans une direction perpendiculaire
au courant).
Solution
La tension de Hall VH peut être déterminée à l'aide de l'équation 18.18. Cependant, il est d'abord nécessaire de
calculer le coefficient de Hall (RH) à partir de l'équation 18.20b comme
moi
HR =
s
0,0012 m2 /V#
= s = 3,16 * 1011 V# m/A# tesla 3,8
* 107 ( # m)1
Maintenant, l'utilisation de l'équation 18.18 conduit à
RHIxBz
VH =
d
(3.16 * 1011 V# m/A# tesla)(25 A)(0.6 tesla) 15
=
* 103 m
= 3,16 * 108V
18.15 DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS
Les propriétés électriques uniques des semiconducteurs permettent leur utilisation dans des dispositifs pour
exécuter des fonctions électroniques spécifiques. Les diodes et les transistors, qui ont remplacé les tubes à
vide ionisés à l'ancienne, en sont deux exemples familiers. Les avantages des dispositifs à semiconducteurs
(parfois appelés dispositifs à semiconducteurs) incluent la petite taille, la faible consommation d'énergie et
l'absence de temps de préchauffage. Un grand nombre de circuits extrêmement petits, chacun composé de
nombreux dispositifs électroniques, peuvent être incorporés sur une petite puce de silicium. L'invention des
dispositifs semiconducteurs, qui a donné naissance à des circuits miniaturisés, est responsable de
l'avènement et de la croissance extrêmement rapide d'une foule de nouvelles industries au cours des dernières années.
Le redresseur de la jonction de
diode
redressement p–n A , ou diode, est un dispositif électronique qui permet au courant de circuler
dans une seule direction; par exemple, un redresseur transforme un courant alternatif en courant
continu. Avant l'avènement du redresseur semiconducteur à jonction p–n , cette opération était
jonction de redressement réalisée à l'aide de la diode du tube à vide. La jonction de redressement p–n est constituée d'un
seul morceau de semiconducteur dopé de type n d'un côté et de type p de l'autre (figure 18.21a).
Si des morceaux de matériaux de type n et p sont assemblés, il en résulte un mauvais redresseur
car la présence d'une surface entre les deux sections rend le dispositif très inefficace. Aussi, des
monocristaux de matériaux semiconducteurs doivent être utilisés dans tous les dispositifs car
des phénomènes électroniques néfastes au fonctionnement se produisent aux joints de grains.
Avant l'application de tout potentiel à travers l' échantillon p–n , les trous sont les porteurs
dominants du côté p et les électrons prédominent dans la région n, comme illustré sur la figure
18.21a. Un potentiel électrique externe peut être établi à travers un p–n
côté p côté n
+ + +
+
+ + +
+ +
+
(un)
Zone de recombinaison
Flux de trou Flux d'électrons
+
+
+
+
+
+ + –
+ + +
Actuel,
je
+
+
+
SI Polarisation directe
Batterie
Panne
(b)
Flux de trou Flux d'électrons – –V0 0 +
+ –
Tension, V
ET +V0
+ + Biais inverse
+ +
– + +
+ +
+ +
+
Batterie
–
(c)
Figure 18.21 Pour une jonction de redressement p–n , Figure 18.22 Les caractéristiques couranttension d'une
représentations des distributions d'électrons et de trous pour (a) jonction pn pour les polarisations directes et inverses. Le
pas de potentiel électrique, (b) polarisation directe et (c) phénomène de claquage est également mis en évidence.
polarisation inverse.
jonction avec deux polarités différentes. Lorsqu'une batterie est utilisée, la borne positive peut être
connectée au côté p et la borne négative au côté n; c'est ce qu'on appelle un biais vers l'avant. La polarité
polarisation directe opposée (moins à p et plus à n) est appelée polarisation inverse.
La réponse des porteurs de charge à l'application d'un potentiel polarisé en direct est démontrée
polarisation inverse
sur la figure 18.21b. Les trous du côté p et les électrons du côté n sont attirés par la jonction. Lorsque les
électrons et les trous se rencontrent près de la jonction, ils se recombinent et s'annihilent continuellement,
selon
énergie électron + trou h (18.21)
Ainsi pour cette polarisation, un grand nombre de porteurs de charge circulent à travers le semi
conducteur et vers la jonction, comme en témoignent un courant appréciable et une faible résistivité. Les
caractéristiques couranttension pour la polarisation directe sont indiquées dans la moitié droite de la figure 18.22.
Pour la polarisation inverse (Figure 18.21c), les trous et les électrons, en tant que porteurs
majoritaires, sont rapidement éloignés de la jonction ; cette séparation des charges positives et négatives
(ou polarisation) laisse la région de jonction relativement exempte de porteurs de charge mobiles. La
recombinaison ne se produit pas dans une mesure appréciable, de sorte que la jonction est maintenant
hautement isolante. La figure 18.22 illustre également le comportement couranttension pour la
polarisation inverse.
Le processus de redressement en termes de tension d'entrée et de courant de sortie est illustré à
la figure 18.23. Alors que la tension varie de manière sinusoïdale avec le temps (Figure 18.23a), le flux
de courant maximal pour la tension de polarisation inverse IR est extrêmement faible par rapport à
+V0
0
Tension,
V
Jonction 1 Jonction 2
Inverser
l'avant
vers
–V0 Emetteur Base Collecteur

p n p
Temps –
+
(un)
–
+
Charger
polarisation
Tension
directe
de polarisation
Tension
inverse
de
SI
Tension Tension
d'entrée de sortie
Actuel,
je
0
dix
Inverser
l'avant
vers
ET
0,1
(mV)
Tension
sortie
de
(mV)
Tension
d'entrée
Temps
(b)
Temps Temps
Figure 18.23 (a) Tension en fonction du temps pour
l'entrée d'une jonction de redressement p–n . Figure 18.24 Schéma de principe d'un transistor à jonction p–n–p et de ses
(b) Courant en fonction du temps, montrant le circuits associés, y compris les caractéristiques tensiontemps d'entrée et de
redressement de la tension en (a) par une jonction sortie montrant l'amplification de la tension.
de redressement p–n ayant les caractéristiques (Adapté de AG Guy, Essentials of Materials Science, McGrawHill
tension–courant illustrées à la figure 18.22. Book Company, New York, 1976.)
celle pour le biais direct IF (Figure 18.23b). De plus, la correspondance entre IF et IR et la tension maximale imposée
( V0) est notée sur la figure 18.22.
À des tensions de polarisation inverse élevées parfois de l'ordre de plusieurs centaines de volts un grand
nombre de porteurs de charge (électrons et trous) sont générés. Il en résulte une augmentation très brutale du
courant, phénomène appelé claquage, également représenté sur la figure 18.22 ; ceci est discuté plus en détail
dans la section 18.22.
Le transistor
Les transistors, qui sont des dispositifs semiconducteurs extrêmement importants dans les circuits microélectroniques
d'aujourd'hui, sont capables de deux types principaux de fonction. Premièrement, ils peuvent effectuer la même
opération que leur précurseur de tube à vide, la triode, c'estàdire qu'ils peuvent amplifier un signal électrique. De
plus, ils servent de dispositifs de commutation dans les ordinateurs pour le traitement et le stockage des informations.
transistor à jonction
Les deux principaux types sont le transistor à jonction (ou bimodal) et le transistor à effet de champ métaloxyde
MOSFET semiconducteur (en abrégé MOSFET).
Transistors à jonction
Le transistor à jonction est composé de deux jonctions p – n disposées dos à dos dans la configuration n – p
– n ou p – n – p ; cette dernière variété est discutée ici. La figure 18.24 est une représentation schématique d'un
transistor à jonction pnp avec ses circuits associés.
Une très fine région de base de type n est prise en sandwich entre les régions d'émetteur et de collecteur de type p .
Le circuit qui comprend la jonction émetteurbase (jonction 1) est polarisé en direct, tandis qu'une tension de
polarisation inverse est appliquée à travers la jonction basecollecteur (jonction 2).
La figure 18.25 illustre la mécanique de fonctionnement en termes de mouvement des porteurs de charge.
Étant donné que l'émetteur est de type p et que la jonction 1 est polarisée en direct, un grand nombre de trous
pénètrent dans la région de base. Ces trous injectés sont des porteurs minoritaires dans la base de type n,
Type p Type n Type p

+ + + + + +
+ + + +
+ + +
+ +
+
+ + + +
(un)
Jonction 1 Jonction 2
Émetteur Base Collectionneur
+ + + +
+ +
+ Source Portail Drain
+ + + + + + + –
+ + +
+ + Couche isolante SiO2
+ +
Canal de type p
Type p Si Type p Si
– +
(b)
Figure 18.25 Pour un transistor à jonction (type p–n–p ), Substrat Si de type n
les distributions et les directions du mouvement
des électrons et des trous (a) lorsqu'aucun potentiel
n'est appliqué et (b) avec une polarisation appropriée Figure 18.26 Vue schématique en coupe d'un transistor
pour l'amplification de tension. MOSFET.
et certains se combinent avec les électrons majoritaires. Cependant, si la base est extrêmement étroite
et que les matériaux semiconducteurs ont été correctement préparés, la plupart de ces trous seront
balayés à travers la base sans recombinaison, puis à travers la jonction 2 et dans le collecteur de type
p . Les trous font maintenant partie du circuit émetteurcollecteur. Une petite augmentation de la tension
d'entrée dans le circuit émetteurbase produit une forte augmentation du courant à travers la jonction
2. Cette forte augmentation du courant de collecteur se reflète également par une forte augmentation
de la tension à travers la résistance de charge, qui est également indiquée dans le circuit (Figure 18.24).
Ainsi, un signal de tension qui traverse un transistor à jonction subit une amplification ; cet effet est
également illustré à la Figure 18.24 par les deux tracés tensiontemps.
Un raisonnement similaire s'applique au fonctionnement d'un transistor n–p–n , sauf que elec
des trons au lieu de trous sont injectés à travers la base et dans le collecteur.
Le MOSFET
Une variété de MOSFET9 consiste en deux petits îlots de semiconducteur de type p qui sont
créés dans un substrat de silicium de type n, comme illustré en coupe transversale sur la figure 18.26 ;
les îles sont reliées par un canal étroit de type p. Des connexions métalliques appropriées (source et
drain) sont réalisées sur ces îlots ; une couche isolante de dioxyde de silicium est formée par l'oxydation
superficielle du silicium. Un dernier connecteur (gate) est ensuite façonné à la surface de cette couche
isolante.
La conductivité du canal est modifiée par la présence d'un champ électrique imposé à la grille.
Par exemple, l'imposition d'un champ positif sur la grille chasse les porteurs de charge (dans ce cas
des trous) hors du canal, réduisant ainsi la conductivité électrique. Ainsi, une petite modification du
champ à la grille produit une variation de courant relativement importante entre la source et le drain. À
certains égards, le fonctionnement d'un MOSFET est donc très similaire à celui décrit pour le transistor
à jonction. La principale différence est que le courant de grille est extrêmement faible par rapport au
courant de base
9
Le MOSFET décrit ici est un type p en mode d'appauvrissement. Un type n en mode déplétion est également possible, dans lequel les régions n et p de la figure
18.26 sont inversées.
d'un transistor à jonction. Par conséquent, les MOSFET sont utilisés lorsque les sources de signal à amplifier
ne peuvent pas supporter un courant appréciable.
Une autre différence importante entre les MOSFET et les transistors à jonction est que bien que les
porteurs majoritaires dominent dans le fonctionnement des MOSFET (c . trous dans la région de base de type
n, figure 18.25).
Vérification du concept 18.8 Vous attendriezvous à ce que l'augmentation de la température infl uence le fonctionnement
des redresseurs et des transistors à jonction p–n ? Expliquer.
Les semiconducteurs dans les ordinateurs
En plus de leur capacité à amplifier un signal électrique imposé, les transistors et les diodes peuvent
également agir comme des dispositifs de commutation, une fonctionnalité utilisée pour les opérations
arithmétiques et logiques, ainsi que pour le stockage d'informations dans les ordinateurs. Les nombres et les
fonctions informatiques sont exprimés en termes de code binaire (c'estàdire de nombres écrits en base 2).
Dans ce cadre, les nombres sont représentés par une série de deux états (parfois désignés 0 et 1). Désormais,
les transistors et les diodes d'un circuit numérique fonctionnent comme des interrupteurs qui ont également
deux états : activé et désactivé, ou conducteur et non conducteur ; "off" correspond à un état de nombre
binaire et "on" à l'autre. Ainsi, un nombre unique peut être représenté par une collection d'éléments de circuit
contenant des transistors commutés de manière appropriée.
Mémoire Flash (SolidState Drive) Une
technologie de stockage d'informations relativement nouvelle et en évolution rapide qui utilise des
dispositifs à semiconducteurs est la mémoire flash. La mémoire flash est programmée et effacée
électroniquement, comme décrit au paragraphe précédent. De plus, cette technologie flash est non volatile,
c'est àdire qu'aucune alimentation électrique n'est nécessaire pour conserver les informations stockées. Il n'y
a pas de pièces mobiles (comme avec les disques durs magnétiques et les bandes magnétiques ; Section
20.11), ce qui rend la mémoire flash particulièrement intéressante pour le stockage général et le transfert de
données entre appareils portables, tels que les appareils photo numériques, les ordinateurs portables, les
téléphones portables, les lecteurs audio numériques. , et consoles de jeux. De plus, la technologie flash est
conditionnée sous forme de cartes mémoire [voir les figures d'ouverture du chapitre (b) et (c)], de disques SSD
et de clés USB. Contrairement à la mémoire magnétique, les boîtiers flash sont extrêmement durables et sont
capables de résister à des températures extrêmes relativement larges, ainsi qu'à l'immersion dans l'eau.
De plus, avec le temps et l'évolution de cette technologie de mémoire flash, la capacité de stockage continuera
d'augmenter, la taille de la puce physique diminuera et le prix de la mémoire baissera.
Le mécanisme de fonctionnement de la mémoire flash est relativement compliqué et dépasse le cadre
de cette discussion. Essentiellement, les informations sont stockées sur une puce composée d'un très grand
nombre de cellules mémoire. Chaque cellule est constituée d'un réseau de transistors similaires aux MOSFET
décrits précédemment dans ce chapitre ; la principale différence est que les transistors de mémoire flash ont
deux grilles au lieu d'une seule comme pour les MOSFET (Figure 18.26). La mémoire flash est un type spécial
de mémoire morte programmable , effaçable électroniquement ( EEPROM). L'effacement des données est
très rapide pour des blocs entiers de cellules, ce qui rend ce type de mémoire idéal pour les applications
nécessitant des mises à jour fréquentes de grandes quantités de données (comme pour les applications
notées au paragraphe précédent). L'effacement conduit à un effacement du contenu de la cellule afin qu'il
puisse être réécrit ; cela se produit par un changement de charge électronique à l'une des portes, qui se
produit très rapidement, c'estàdire en un « éclair », d'où le nom.
Circuits microélectroniques Au
cours des dernières années, l'avènement des circuits microélectroniques, dans lesquels des
millions de composants et de circuits électroniques sont intégrés dans un très petit espace,
a révolutionné le domaine de l'électronique. Cette révolution a été précipitée, en partie, par
la technologie aérospatiale, qui nécessitait des ordinateurs et des appareils électroniques
de petite taille et à faible consommation d'énergie. En raison du raffinement des techniques
de traitement et de fabrication, il y a eu une dépréciation étonnante du coût des circuits intégrés.
Par conséquent, les ordinateurs personnels sont devenus abordables pour de larges segments de la
circuit intégré population dans de nombreux pays. En outre, l'utilisation de circuits intégrés s'est infiltrée dans de
nombreuses autres facettes de notre vie : calculatrices, communications, montres, production et contrôle
industriels et toutes les phases de l'industrie électronique.
Des circuits microélectroniques peu coûteux sont produits en masse en utilisant des techniques de
fabrication très ingénieuses. Le processus commence par la croissance de monocristaux cylindriques
relativement grands de silicium de haute pureté à partir desquels de fines tranches circulaires sont
découpées. De nombreux circuits microélectroniques ou intégrés, parfois appelés puces, sont préparés
sur une seule plaquette. Une puce est rectangulaire, généralement de l'ordre de 6 mm (1 4 po) de côté,
et contient des millions d'éléments de circuit : diodes, transistors, résistances et condensateurs. Des
photographies agrandies et des cartes élémentaires d'une puce à microprocesseur sont présentées à la figure 18.27 ;
Figure 18.27 (a) Micrographie
électronique à balayage d'un
circuit intégré. (b)
Une carte de points de silicium
pour le circuit intégré cidessus,
montrant les régions où les atomes
de silicium sont concentrés. Le silicium
dopé est le matériau semiconducteur à
partir duquel sont fabriqués les éléments
de circuits intégrés. (c) Une carte de points
(un)
en aluminium. L'aluminium métallique est un conducteur électrique
et, en tant que tel, câble les éléments
du circuit ensemble. Environ 200.
Remarque : la discussion de la section
4.10 mentionne qu'une image est générée
sur une micrographie électronique à balayage
lorsqu'un faisceau d'électrons balaye la
surface de l'échantillon examiné. Les
électrons de ce faisceau provoquent l'émission
de rayons X par certains des atomes de la
surface de l'échantillon ; l'énergie d'un photon (b)
de rayons X dépend de l'atome particulier
à partir duquel il rayonne. Il est possible
de filtrer sélectivement tous les rayons X sauf
les rayons X émis par un type d'atome.
Lorsqu'ils sont projetés sur un tube à rayons
cathodiques, de petits points blancs sont
produits qui indiquent les emplacements du Callister,
William
D.
©
Jr.
type d'atome particulier; ainsi, une carte de points de l'image est générée.
(c)
100 µm
ces micrographies révèlent la complexité des circuits intégrés. À l'heure actuelle, des puces à microprocesseurs
avec des densités approchant le milliard de transistors sont produites, et ce nombre double environ tous les 18
mois.
Les circuits microélectroniques sont constitués de nombreuses couches qui se trouvent à l'intérieur ou
sont empilées sur la tranche de silicium selon un motif détaillé avec précision. En utilisant des techniques
photolithographiques, de très petits éléments pour chaque couche sont masqués conformément à un motif microscopique.
Les éléments de circuit sont construits par l'introduction sélective de matériaux spécifiques [par diffusion (section
5.6) ou implantation ionique] dans des régions non masquées pour créer des zones localisées de type n, de
type p, à haute résistivité ou conductrices. Cette procédure est répétée couche par couche jusqu'à ce que le
circuit intégré total ait été fabriqué, comme illustré dans le schéma MOSFET (Figure 18.26). Les éléments des
circuits intégrés sont illustrés à la figure 18.27 et à la photographie d'ouverture de chapitre (a).
Conduction électrique en ionique
Céramiques et en Polymères
La plupart des polymères et des céramiques ioniques sont des matériaux isolants à température ambiante et,
par conséquent, ont des structures de bande d'énergie électronique similaires à celle représentée sur la figure
18.4c ; une bande de valence remplie est séparée d'une bande de conduction vide par une bande interdite
relativement importante, généralement supérieure à 2 eV. Ainsi, aux températures normales, seuls très peu
d'électrons peuvent être excités à travers la bande interdite par l'énergie thermique disponible, ce qui explique
les très faibles valeurs de conductivité ; Le tableau 18.4 donne les conductivités électriques à température
ambiante de plusieurs de ces matériaux. (Les résistivités électriques d'un grand nombre de matériaux céramiques
et polymères sont fournies dans le tableau B.9, annexe B.) De nombreux matériaux sont utilisés sur la base de
leur capacité à isoler, et donc une résistivité électrique élevée est souhaitable. Avec l'augmentation de la
température, les matériaux isolants connaissent une augmentation de la conductivité électrique, qui peut à
terme être supérieure à celle des semiconducteurs.
Tableau 18.4 1
Matériel Conductivité électrique [( # m) ]
Chambre Typique
Graphite 3 104 –2 105
Température Électrique
Conductivités pour Céramique
Treize non métalliques
Béton (sec) 109
Matériaux
Un verre de soda au citron 1010–1011
Porcelaine 1010–1012
Verre borosilicaté ~1013
Oxyde d'aluminium 1013
Silice fondue 1018
Polymères
Phénolformaldéhyde 10 9–1010
Le polyméthacrylate de méthyle) 1012
Nylon 6,6 1012–1013
Polystyrène 1014
Polyéthylène 1015–1017
Polytétrafluoroéthylène 1017
18.16 CONDUCTION DANS LES MATÉRIAUX IONIQUES
Les cations et les anions dans les matériaux ioniques possèdent une charge électrique et, par
conséquent, sont capables de migration ou de diffusion lorsqu'un champ électrique est présent. Ainsi,
un courant électrique résulte du mouvement net de ces ions chargés, qui sont présents en plus du
courant dû à tout mouvement d'électrons. Les migrations d'anions et de cations se font dans des
directions opposées. La conductivité totale d'un matériau ionique stotal est donc égale à la somme des
contributions électroniques et ioniques, comme suit :
Pour les matériaux
=
ioniques, la total sélectronique + sionique (18.22)
conductivité est égale à
la somme des L'une ou l'autre contribution peut prédominer, selon le matériau, sa pureté et sa température.
contributions électroniques et ioniques
Une mobilité mI peut être associée à chacune des espèces ioniques comme suit :
Calcul de la = niedi
moi (18.23)
mobilité d'une kT
espèce ionique
où nI et DI représentent respectivement la valence et le coefficient de diffusion d'un ion particulier ; e,
k et T désignent les mêmes paramètres que ceux expliqués précédemment dans le chapitre.
Ainsi, la contribution ionique à la conductivité totale augmente avec l'augmentation de la température,
tout comme le composant électronique. Cependant, malgré les deux contributions de conductivité, la
plupart des matériaux ioniques restent isolants, même à des températures élevées.
18.17 PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES DES POLYMÈRES
La plupart des matériaux polymères sont de mauvais conducteurs d'électricité (tableau 18.4) en raison
de l'indisponibilité d'un grand nombre d'électrons libres pour participer au processus de conduction ; les
électrons dans les polymères sont étroitement liés par des liaisons covalentes. Le mécanisme de la
conduction électrique dans ces matériaux n'est pas bien compris, mais on pense que la conduction
dans les polymères de haute pureté est électronique.
Polymères conducteurs Des
matériaux polymères ont été synthétisés qui ont des conductivités électriques comparables à celles des
conducteurs métalliques ; ils sont appelés à juste titre polymères conducteurs.
Des conductivités aussi élevées que 1,5 107 (m)1 ont été atteintes dans ces matériaux ; en volume,
cette valeur correspond au quart de la conductivité du cuivre, soit au double de sa conductivité en poids.
Ce phénomène est observé dans une dizaine de polymères dont le polyacétylène, le
polyparaphénylène, le polypyrrole et la polyaniline. Chacun de ces polymères contient un système de
liaisons simples et doubles alternées et/ou d'unités aromatiques dans la chaîne polymère.
Par exemple, la structure de la chaîne du polyacétylène est la suivante :
Unité de
répétition
H H H H
C C C C
CC C C
H H H H
Les électrons de valence associés aux liaisons alternées à chaîne simple et double sont délocalisés,
ce qui signifie qu'ils sont partagés entre les atomes du squelette de la chaîne polymère de la même
manière que les électrons d'une bande partiellement remplie pour un métal sont partagés par les
noyaux ioniques . De plus, la structure de bande d'un polymère conducteur est caractéristique
18.18 Capacité • 759
de celle d'un isolant électrique (figure 18.4c) à 0 K, une bande de valence pleine séparée d'une bande
de conduction vide par une bande interdite d'énergie interdite. Sous leurs formes pures, ces polymères,
qui ont typiquement des énergies de bande interdite supérieures à 2 eV, sont des semiconducteurs ou
des isolants. Cependant, ils deviennent conducteurs lorsqu'ils sont dopés avec des impuretés
appropriées telles que AsF5, SbF5 ou l'iode. Comme pour les semiconducteurs, les polymères
conducteurs peuvent être de type n (c'estàdire à dominante d'électrons libres) ou de type p (c'està
dire à dominante de trous), selon le dopant. Cependant, contrairement aux semiconducteurs, les
atomes ou molécules dopants ne remplacent ni ne remplacent aucun des atomes de polymère.
Le mécanisme par lequel un grand nombre d'électrons libres et de trous sont générés dans ces
polymères conducteurs est complexe et mal compris. En termes très simples, il apparaît que les atomes
dopants conduisent à la formation de nouvelles bandes d'énergie qui chevauchent les bandes de
valence et de conduction du polymère intrinsèque, donnant naissance à une bande partiellement remplie,
et la production à température ambiante d'une concentration élevée. d'électrons libres ou de trous.
L'orientation des chaînes polymères, soit mécaniquement (Section 15.7), soit magnétiquement, lors de
la synthèse aboutit à un matériau hautement anisotrope ayant une conductivité maximale le long de la
direction d'orientation.
Ces polymères conducteurs ont le potentiel d'être utilisés dans une foule d'applications dans la
mesure où ils ont de faibles densités et sont flexibles. Des batteries rechargeables et des piles à
combustible sont fabriquées à l'aide d'électrodes polymères. À bien des égards, ces batteries sont
supérieures à leurs homologues métalliques. D'autres applications possibles incluent le câblage dans
les composants aéronautiques et aérospatiaux, les revêtements antistatiques pour les vêtements, les
matériaux de blindage électromagnétique et les appareils électroniques (par exemple, les transistors,
les diodes). Plusieurs polymères conducteurs présentent le phénomène d' électroluminescence, c'est à
dire l'émission de lumière stimulée par un courant électrique. Les polymères électroluminescents sont
utilisés dans des applications telles que les panneaux solaires et les écrans plats (voir l'article sur les
matériaux d'importance sur les diodes électroluminescentes au chapitre 21).
Comportement diélectrique
diélectrique Un matériau diélectrique est un matériau qui est électriquement isolant (non métallique) et présente ou
peut être amené à présenter une structure dipolaire électrique , c'estàdire qu'il existe une séparation
Dipôle électrique
des entités chargées électriquement positives et négatives au niveau moléculaire ou atomique. Ce
concept de dipôle électrique a été introduit dans la section 2.7. Du fait des interactions dipolaires avec
les champs électriques, des matériaux diélectriques sont utilisés dans les condensateurs.
18.18 CAPACITÉ
Lorsqu'une tension est appliquée aux bornes d'un condensateur, une plaque devient chargée
positivement et l'autre chargée négativement, le champ électrique correspondant étant dirigé du positif
capacitance vers les plaques négatives. La capacité C est liée à la quantité de charge stockée sur l'une ou l'autre
des plaques Q par
Capacité en termes de
Q
charge stockée et de C = (18.24)
DANS
tension appliquée
où V est la tension appliquée aux bornes du condensateur. Les unités de capacité sont les cou lombs
par volt, ou farads (F).
Maintenant, considérons un condensateur à plaques parallèles avec un vide dans la région entre le
plaques (Figure 18.28a). La capacité peut être calculée à partir de la relation
Capacité pour
condensateur à UN
plaques parallèles, dans un C = P0 l (18h25)

vide
Figure 18.28 Un condensateur à plaques parallèles
(a) lorsqu'un vide est présent et (b) lorsqu'un matériau
D0 = 0 diélectrique est présent.
(D'après KM Ralls, TH Courtney et J. Wulff,
DANS Introduction à la science et à l'ingénierie des matériaux.
Copyright © 1976 par John Wiley & Sons, Inc. Re
imprimé avec la permission de John Wiley & Sons, Inc.)
je Vide = V
l
(un)
D = 0 + P
DANS
Diélectrique
P
(b)
où A représente l'aire des plaques et l la distance qui les sépare. Le paramètre P0, appelé permittivité
permittivité d'un vide, est une constante universelle ayant la valeur de 8,85 1012 F/m.
Si un matériau diélectrique est inséré dans la région à l'intérieur des plaques (Figure 18.28b), alors
Capacité pour
UN
condensateur à C = P l (18.26)
plaques parallèles,
avec matériau diélectrique
où P est la permittivité de ce milieu diélectrique, qui est supérieure à P0. La permittivité relative Pr,
constante diélectrique souvent appelée constante diélectrique, est égale au rapport
P
Définition de la Pr = (18.27)
constante diélectrique P0
qui est supérieur à l'unité et représente l'augmentation de la capacité de stockage des charges lors de
l'insertion du milieu diélectrique entre les plaques. La constante diélectrique est une propriété matérielle
de première considération pour la conception des condensateurs. Les valeurs Pr d'un certain nombre de
matériaux diélectriques sont données dans le tableau 18.5.
18.19 Vecteurs de champ et polarisation • 761
Tableau 18.5
Constante diélectrique
Constantes diélectriques
Matériel 60Hz 1 MHz Rigidité diélectrique (V/mil) a
et résistances pour
Certains diélectriques
Céramique
Matériaux
Céramique titanate — 50–300
15 à 10 000
Mica — 5.4–8.7 1000–2000
— 5,5–7,5 200–350
Stéatite (MgO–SiO2)
Un verre de soda au citron 6.9 6.9 250
Porcelaine 6.0 6.0 40–400
Silice fondue 4.0 3.8 250
Polymères
Phénolformaldéhyde Nylon 5.3 4.8 300–400
6,6 4.0 3.6 400
Polystyrène 2.6 2.6 500–700
Polyéthylène 2.3 2.3 450–500
Polytétrafluoroéthylène a One 2.1 2.1 400–500
mil 0,001 in. Ces valeurs de rigidité diélectrique sont des valeurs moyennes, l'amplitude dépendant de l'épaisseur
et de la géométrie de l'échantillon, ainsi que du taux d'application et de la durée du champ électrique appliqué.
18.19 VECTEURS DE CHAMP ET POLARISATION
Peutêtre que la meilleure approche pour expliquer le phénomène de capacité est à l'aide de
vecteurs de champ. Pour commencer, pour chaque dipôle électrique, il existe une séparation entre
une charge électrique positive et une charge électrique négative, comme le montre la figure 18.29.
Un moment dipolaire électrique p est associé à chaque dipôle comme suit :
Moment dipolaire p = qd (18.28)

électrique
où q est l'amplitude de chaque charge dipolaire et d est la distance de séparation entre eux. Un
moment dipolaire est un vecteur dirigé de la charge négative vers la charge positive, comme
indiqué sur la figure 18.29. En présence d'un champ électrique e, qui est aussi une grandeur
vectorielle, une force (ou couple) vient s'appuyer sur un dipôle électrique pour l'orienter avec le
champ appliqué ; ce phénomène est illustré à la figure 18.30. Le processus d'alignement dipolaire
polarisation est appelé polarisation.
–q
Force
+q
p d
–q +q
+q Force
–q
Figure 18.29 Représentation (un) (b)

schématique d'un dipôle électrique généré
par deux charges électriques (de magnitude Figure 18.30 (a) Forces imposées (et couple)
q) séparées par la distance d ; le vecteur de agissant sur un dipôle par un champ électrique.
polarisation p associé est également représenté. (b) Alignement final du dipôle avec le champ.
Encore une fois, pour revenir au condensateur, la densité de charge surfacique D, ou quantité de
charge par unité de surface de plaque de condensateur (C/m2 ), est proportionnelle au champ
électrique. Lorsqu'il y a un vide, alors
Déplacement
diélectrique D0 = P0 (18.29)
(densité de charge
de surface) dans le vide
où la constante de proportionnalité est P0. De plus, une expression analogue existe pour le cas
diélectrique, c'estàdire
Déplacement
diélectrique en présence D = P (18h30)
d'un milieu diélectrique
diélectrique Parfois, D est aussi appelé déplacement diélectrique.
L'augmentation de la capacité, ou constante diélectrique, peut être expliquée à l'aide d'un modèle
déplacement
simplifié de polarisation au sein d'un matériau diélectrique. Considérez le condensateur de la figure
18.31a la situation de vide où une charge de Q0 est stockée sur la plaque supérieure et Q0 sur la
plaque inférieure. Lorsqu'un diélectrique est introduit et qu'un champ électrique est appliqué, tout le
solide à l'intérieur des plaques devient polarisé (Figure 18.31c). À la suite de cette polarisation, il y a
une accumulation nette de charge négative de magnitude Q à la surface diélectrique près de la plaque
chargée positivement et, de la même manière, un surplus
Figure 18.31 Représentations schématiques de (a) la charge
stockée sur les plaques de condensateur pour le vide, (b) la +Q0 Zone de plaque, A
disposition des dipôles dans un diélectrique non polarisé et ++ +++
(c) la capacité accrue de stockage de charge résultant de la
polarisation d'un matériau diélectrique.
(Adapté de AG Guy, Essentials of Materials Science,
+
McGrawHill Book Company, New York, 1976.) DANS
Vide je
Q0
(un)
+ + + Q0 + Q'
– + – + – + Charge
++++ +++++ négative
+ + + nette, "Q" à la surface
+ + +
+ + + + + + + + +
+ + + + Région
viceprésident sans
(b) + + + + + +
frais nets

+ + + + + +
Charge
positive nette,
+Q' = PA
en surface
Q0 Q '
(c)
18.19 Vecteurs de champ et polarisation • 763
de charge Q à la surface adjacente à la plaque négative. Pour la région de diélectrique retirée de ces
surfaces, les effets de polarisation ne sont pas importants. Ainsi, si chaque plaque et sa surface diélectrique
adjacente sont considérées comme une seule entité, la charge induite par le diélectrique ( Q ou Q ) peut
être considérée comme annulant une partie de la charge qui existait à l'origine sur la plaque pour un vide
(Q0 ou Q0). La tension imposée aux bornes des plaques est maintenue à la valeur du vide en augmentant
la charge sur la plaque négative (ou inférieure) d'une quantité Q et celle sur la plaque supérieure de Q . Les
électrons sont amenés à circuler de la plaque positive à la plaque négative par la source de tension externe
de sorte que la tension appropriée est rétablie. Ainsi, la charge sur chaque plaque est maintenant Q0 Q ,
ayant été augmentée d'une quantité Q .
En présence d'un diélectrique, la densité de charge entre les armatures, qui est égale à la densité de
charge surfacique sur les armatures d'un condensateur, peut également être représentée par
Déplacement
diélectrique
dépendance à D = P0 + P (18.31)
l'intensité du champ
électrique et à la
où P est la polarisation, ou l'augmentation de la densité de charge audessus de celle pour un vide en
polarisation (du milieu diélectrique)
raison de la présence du diélectrique ; ou, à partir de la Figure 18.31c, PQ /A, où A est l'aire de chaque
plaque. Les unités de P sont les mêmes que pour D (C/m2 ).
La polarisation P peut également être considérée comme le moment dipolaire total par unité de
volume du matériau diélectrique, ou comme un champ électrique de polarisation dans le diélectrique qui
résulte de l'alignement mutuel des nombreux dipôles atomiques ou moléculaires avec le champ appliqué
extérieurement e. Pour de nombreux matériaux diélectriques, P est proportionnel à e par la relation
Polarisation d'un
milieu diélectrique
P = P0(Pr – 1) (18.32)
dépendance à la
constante diélectrique
et à l'intensité du
auquel cas Pr est indépendant de l'amplitude du champ électrique.
champ électrique
Le tableau 18.6 répertorie les paramètres diélectriques avec leurs unités.
Tableau 18.6
Les unités SI
Primaire et dérivé
Unités pour divers Quantité Symbole Dérivé Primaire
Paramètres électriques
Potentiel électrique DANS volt kg m2 /s2 C
et vecteurs de champ
Courant électrique je ampère C/s
Intensité du champ électrique volt/mètre kg m/s2 C

Résistance R ohm kg m2 /s C2
Résistivité r ohmmètre kg m3 /s C2
Conductivitéa s (ohmmètre)1 s C2 /kg m3
Charge électrique Q coulomb C
Capacitance C un cheval s2 C2 /kg m2
Permittivité P farad/mètre s2 C2 /kg m3
Constante diélectrique Pr adimensionnelle sans dimension
Déplacement diélectrique D faradvolt/m2 C/m2
Polarisation électrique P faradvolt/m2 C/m2
a Les unités SI dérivées pour la conductivité sont les siemens par mètre (S/m).
Calculs des propriétés d'un condensateur
Considérons un condensateur à plaques parallèles ayant une surface de 6,45 104 m2 (1 pouce2 ) et
une séparation des plaques de 2 103 m (0,08 pouce) à travers lequel un potentiel de 10 V est appliqué.
Si un matériau ayant une constante diélectrique de 6,0 est positionné dans la région entre les plaques,
calculez ce qui suit :
(a) La capacité (b)
L'amplitude de la charge stockée sur chaque plaque (c) Le
déplacement diélectrique D (d) La
polarisation
Solution
(a) La capacité est calculée à l'aide de l'équation 18.26 ; cependant, la permittivité P du milieu diélectrique
doit d'abord être déterminée à partir de l'équation 18.27, comme suit :
P = PrP0 = (6.0)(8.85 * 1012 F/m)
= 5,31 * 1011 F/m
Ainsi, la capacité est donnée par
UN
C = P
je
= (5.31 * 1011 F/m) a 6.45 *
* 1103
04 m
mb2 20
= 1,71 * 1011 F
(b) Parce que la capacité a été déterminée, la charge stockée peut être calculée en utilisant
Équation 18.24, selon
Q = CV = (1,71 * 1011 F)(10 V) = 1,71 * 1010 C
(c) Le déplacement diélectrique est calculé à partir de l'équation 18.30, ce qui donne
DANS
= (5.31 * 1011 F/m)(10 V) 2
D = P = P
je
* 103 m
= 2,66 * 107 C/m2
(d) À l'aide de l'Équation 18.31, la polarisation peut être déterminée comme suit :
DANS
P = D P0 = D P0 l
(8.85 * 1012 F/m)(10 V)
= 2,66 * 107 C/m2 2 *
103 m
= 2,22 * 107 C/m2
18.20 TYPES DE POLARISATION
Encore une fois, la polarisation est l'alignement des moments dipolaires atomiques ou
moléculaires permanents ou induits avec un champ électrique appliqué de l'extérieur. Il existe
trois types ou sources de polarisation : électronique, ionique et d'orientation. Les matériaux
diélectriques présentent généralement au moins un de ces types de polarisation, selon le
matériau et le mode d'application du champ externe.
18.20 Types de polarisation • 765
Polarisation électronique
électronique La polarisation électronique peut être induite à un degré ou à un autre dans tous les atomes. Elle
polarisation résulte d'un déplacement du centre du nuage d'électrons chargé négativement par rapport au noyau
positif d'un atome par le champ électrique (figure 18.32a). Ce type de polarisation se retrouve dans
tous les matériaux diélectriques et n'existe que lorsqu'un champ électrique est présent.
Polarisation ionique
polarisation ionique La polarisation ionique ne se produit que dans les matériaux ioniques. Un champ appliqué agit pour
déplacer les cations dans une direction et les anions dans la direction opposée, ce qui donne lieu à
un moment dipolaire net. Ce phénomène est illustré à la Figure 18.32b. L'amplitude du moment
dipolaire pour chaque paire d'ions pi est égale au produit du déplacement relatif di et de la charge
de chaque ion, ou
Moment dipolaire
électrique pour une paire pi = qdi (18.33)
d'ions
Polarisation d'orientation
polarisation Le troisième type, la polarisation d'orientation, ne se trouve que dans les substances qui possèdent
d'orientation des moments dipolaires permanents. La polarisation résulte d'une rotation des moments permanents
dans la direction du champ appliqué, comme représenté sur la Figure 18.32c. Cette tendance à
l'alignement est contrecarrée par les vibrations thermiques des atomes, de sorte que la polarisation
diminue avec l'augmentation de la température.
Champ Figure 18.32 (a) Polarisation électronique qui résulte de la
Aucun champ appliqué
distorsion d'un nuage atomique d'électrons par un champ électrique. (b)
Polarisation ionique résultant des déplacements relatifs d'ions chargés
électriquement en réponse à un champ électrique. ( c ) Réponse des
+ + dipôles électriques permanents (flèches) à un champ électrique
appliqué, produisant une polarisation d'orientation.
(un)
(Tiré de OH Wyatt et D. DewHughes, Metals, Ceramics
and Polymers, Cambridge University Press, 1974.
Réimprimé avec la permission de Cambridge University Press.)
+ + + +
+ + + + + +
+ + + +
++ + ++ +
(b)
(c)
La polarisation totale P d'une substance est égale à la somme des polarisations électronique, ionique,
et les polarisations d'orientation (Pe, Pi et Po, respectivement), ou
La polarisation totale
d'une substance est P = Ven + Pi + Po (18.34)
égale à la somme des
polarisations électroniques, Il est possible qu'une ou plusieurs de ces contributions à la polarisation totale soient soit absentes
ioniques et d'orientation soit négligeables par rapport aux autres. Par exemple, la polarisation ionique n'existe pas dans les
matériaux liés par covalence dans lesquels aucun ion n'est présent.
Vérification du concept 18.9 Pour le titanate de plomb solide (PbTiO3), quel(s) type(s) de polarisation est (sont)
possible(s) ? Pourquoi? Remarque : Le titanate de plomb a la même structure cristalline que le titanate de baryum
(Figure 18.35).
18.21 DÉPENDANCE EN FRÉQUENCE DE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE
Dans de nombreuses situations pratiques, le courant est alternatif (ca), c'estàdire qu'une tension appliquée
ou un champ électrique change de direction avec le temps, comme indiqué sur la figure 18.23a. Considérons
un matériau diélectrique soumis à la polarisation par un champ électrique alternatif. A chaque inversion de
direction, les dipôles tentent de se réorienter avec le champ, comme l'illustre la figure 18.33, dans un
processus nécessitant un temps fini. Pour chaque type de polarisation, il existe un temps de réorientation
minimum qui dépend de la facilité avec laquelle les dipôles particuliers sont capables de se réaligner.
fréquence de relaxation La fréquence de relaxation est prise comme l'inverse de ce temps minimum de réorientation.
Un dipôle ne peut pas continuer à changer de direction d'orientation lorsque la fréquence du champ
électrique appliqué dépasse sa fréquence de relaxation et, par conséquent, il ne contribuera pas à la
constante diélectrique. La dépendance de Pr à la fréquence du champ est représentée schématiquement
sur la figure 18.34 pour un milieu diélectrique qui présente les trois
+ +++++ – –––––
Orientation
+ + + + diélectrique,
Constante
r
+ + + +
Ionique
– ––––– + +++++
(un) (b)
Électronique
Figure 18.33 Orientations des dipôles pour
(a) une polarité d'un champ électrique
alternatif et (b) la polarité inversée. 104 108 1012 1016
Fréquence (Hz)
(De Richard A. Flinn et Paul K.
Cheval de Troie, Matériaux d'ingénierie et Figure 18.34 Variation de la constante diélectrique avec la fréquence
leurs applications, 4e édition. Copyright d'un champ électrique alternatif. Les contributions de polarisation
© 1990 par John Wiley & Sons, Inc. Adapté électronique, ionique et d'orientation à la constante
avec la permission de John Wiley & Sons, Inc.) diélectrique sont indiquées.
18.24 Ferroélectricité • 767
types de polarisation; notez que l'axe des fréquences est mis à l'échelle de manière logarithmique. Comme
l'indique la figure 18.34, lorsqu'un mécanisme de polarisation cesse de fonctionner, il y a chute brutale de la
constante diélectrique ; sinon, Pr est pratiquement indépendant de la fréquence. Le tableau 18.5 donne les
valeurs de la constante diélectrique à 60 Hz et 1 MHz ; ceuxci fournissent une indication de cette dépendance
en fréquence à l'extrémité inférieure du spectre de fréquences.
L'absorption d'énergie électrique par un matériau diélectrique soumis à un champ électrique alternatif
est appelée perte diélectrique. Cette perte peut être importante à des fréquences de champ électrique au
voisinage de la fréquence de relaxation pour chacun des types de dipôles opérationnels pour un matériau
spécifique. Une faible perte diélectrique est recherchée à la fréquence d'utilisation.
18.22 RIGIDITÉ DIÉLECTRIQUE
Lorsque des champs électriques très élevés sont appliqués à travers des matériaux diélectriques, un grand
nombre d'électrons peuvent soudainement être excités aux énergies dans la bande de conduction. En
conséquence, le courant à travers le diélectrique par le mouvement de ces électrons augmente
considérablement ; Parfois, la fusion, la combustion ou la vaporisation localisée produit une dégradation
irréversible et peutêtre même une défaillance du matériau. Ce phénomène est connu sous le nom de claquage
résistance diélectrique diélectrique. La rigidité diélectrique, parfois appelée résistance au claquage, représente l'amplitude d'un champ
électrique nécessaire pour produire un claquage. Le tableau 18.5 présente les rigidités diélectriques de
plusieurs matériaux.
18.23 MATÉRIAUX DIELECTRIQUES
Un certain nombre de céramiques et de polymères sont utilisés comme isolants et/ou dans les condensateurs.
De nombreuses céramiques, notamment le verre, la porcelaine, la stéatite et le mica, ont des constantes
diélectriques comprises entre 6 et 10 (tableau 18.5). Ces matériaux présentent également un degré élevé de
stabilité dimensionnelle et de résistance mécanique. Les applications typiques incluent les lignes électriques
et l'isolation électrique, les bases d'interrupteurs et les prises de lumière. Les céramiques de titane (TiO2) et
de titanate, telles que le titanate de baryum (BaTiO3), peuvent être conçues pour avoir des constantes
diélectriques extrêmement élevées, ce qui les rend particulièrement utiles pour certaines applications de condensateurs.
L'amplitude de la constante diélectrique pour la plupart des polymères est inférieure à celle des
céramiques car ces dernières peuvent présenter des moments dipolaires plus importants : les valeurs Pr des
polymères sont généralement comprises entre 2 et 5. Ces matériaux sont couramment utilisés pour l'isolation
des fils, câbles, moteurs, générateurs, et ainsi de suite et, en plus, pour certains condensateurs.
Autres caractéristiques électriques des matériaux
Deux autres caractéristiques électriques relativement importantes et nouvelles que l'on trouve dans certains
matériaux méritent une brève mention : la ferroélectricité et la piézoélectricité.
18.24 FERROÉLECTRICITÉ
ferroélectrique Le groupe de matériaux diélectriques appelés ferroélectriques présente une polarisation spontanée , c'està
dire une polarisation en l'absence de champ électrique. Ils sont l'analogue diélectrique des matériaux
ferromagnétiques, qui peuvent présenter un comportement magnétique permanent. Il doit exister dans les
matériaux ferroélectriques des dipôles électriques permanents, dont l'origine est expliquée pour le titanate de
baryum, l'un des ferroélectriques les plus courants. La polarisation spontanée est une conséquence du
positionnement des ions Ba2 et O2 au sein de la cellule unitaire, ,
, Ti4 comme
représenté sur la figure 18.35. Les
ions Ba2 sont situés aux coins de la cellule unitaire, qui est de symétrie tétragonale (un cube légèrement
allongé dans une direction).
Le moment dipolaire résulte des déplacements relatifs des ions O2 et Ti4 à partir de leurs positions symétriques,
comme le montre la vue latérale de la cellule unitaire. Les ions O2 sont situés près, mais légèrement en
dessous, des centres de chacune des six faces, tandis que l' ion Ti4
Illustration 18.35 A
titanate de baryum
(BaTiO3) cellule
unitaire (a) dans une
projection
isométrique, et (b) en
regardant une face,
qui montre les 0,403 nm
0,009 nm
déplacements des ions Ti4 et O2
du centre de
la face.
0,006 nm
0,006 nm
0,398 nm
0,398 nm
Ti4+ Ba2+ O2–
(un) (b)
est déplacé vers le haut à partir du centre de la cellule unitaire. Ainsi, un moment dipolaire ionique permanent
est associé à chaque cellule unitaire (figure 18.35b). Cependant, lorsque le titanate de baryum est chauffé au
dessus de sa température de Curie ferroélectrique [120 C (250 F)], la cellule unitaire devient cubique et tous les
ions prennent des positions symétriques dans la cellule unitaire cubique; le matériau a maintenant une structure
cristalline pérovskite (figure 12.6), et le comportement ferroélectrique cesse.
La polarisation spontanée de ce groupe de matériaux résulte d'interactions entre des dipôles permanents
adjacents dans lesquels ils s'alignent mutuellement, tous dans la même direction. Par exemple, avec le titanate
de baryum, les déplacements relatifs des ions O2 et Ti4 sont dans la même direction pour toutes les cellules
unitaires dans une certaine région de volume de l'échantillon. D'autres matériaux présentent de la ferroélectricité;
ceuxci comprennent le sel de Rochelle (NaKC4H4O6 .4H2O), le phosphate monopotassique (KH2PO4), le
niobate de potassium (KNbO3) et le zirconatetitanate de plomb (Pb[ZrO3, TiO3]). Les ferroélectriques ont des
constantes diélectriques extrêmement élevées à des fréquences de champ appliquées relativement basses ;
par exemple, à température ambiante, Pr pour le titanate de baryum peut atteindre 5 000. Par conséquent, les
condensateurs fabriqués à partir de ces matériaux peuvent être nettement plus petits que les condensateurs
fabriqués à partir d'autres matériaux diélectriques.
18.25 PIEZOÉLECTRICITÉ
Un phénomène inhabituel présenté par quelques matériaux céramiques (ainsi que certains polymères) est la
piézoélectricité littéralement, l'électricité de pression. La polarisation électrique (c'estàdire un champ ou une
tension électrique) est induite dans le cristal piézoélectrique à la suite d'une contrainte mécanique (changement
dimensionnel) produite par l'application d'une force externe (Figure 18.36). Inverser le signe de la force (par
exemple, de la tension à la compression) inverse la direction du champ. L'effet piézoélectrique inverse est
également affiché par ce groupe de matériaux, c'estàdire qu'une contrainte mécanique résulte de l'imposition
d'un champ électrique.
piézoélectrique Les matériaux piézoélectriques peuvent être utilisés comme transducteurs entre les énergies électriques
et mécaniques. L'une des premières utilisations de la céramique piézoélectrique était dans les systèmes de
sonar, dans lesquels des objets sousmarins (par exemple, des sousmarins) sont détectés et leurs positions
déterminées à l'aide d'un système d'émission et de réception à ultrasons. Un cristal piézoélectrique est amené à osciller
18.25 Piézoélectricité • 769
s Figure 18.36 (a) Dipôles dans un matériau piézoélectrique. (b)
Une tension est générée lorsque le matériau est soumis à une
contrainte de
+ + + + + + compression. (© 1989 par AddisonWesley Publishing Company, Inc.)
+ + + + + +

P + + + + + +
P
+ + + + + +
DANS
+ + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +
s
(un) (b)
par un signal électrique, qui produit des vibrations mécaniques à haute fréquence qui sont transmises à travers
l'eau. Lorsqu'ils rencontrent un objet, les signaux sont réfléchis et un autre matériau piézoélectrique reçoit cette
énergie vibratoire réfléchie, qu'il reconvertit ensuite en un signal électrique. La distance entre la source ultrasonore
et le corps réfléchissant est déterminée à partir du temps écoulé entre les événements d'envoi et de réception.
Plus récemment, l'utilisation de dispositifs piézoélectriques a connu une croissance spectaculaire en raison
de l'augmentation de l'automatisation et de l'attrait des consommateurs pour les gadgets sophistiqués modernes.
Les dispositifs piézoélectriques sont utilisés dans de nombreuses applications d'aujourd'hui, y compris l'automobile
équilibrage des roues, avertisseurs sonores de ceinture de sécurité, indicateurs d'usure de la bande de roulement,
entrée de porte sans clé et capteurs d'airbag ; informatique/électronique — microphones, hautparleurs,
microactionneurs pour disques durs et transformateurs pour ordinateurs portables ; commercial/consommateur—
têtes d'impression à jet d'encre, jauges de contrainte, soudeuses à ultrasons et détecteurs de fumée ; médical—
pompes à insuline, thérapie par ultrasons et dispositifs d'extraction de la cataracte par ultrasons.
Les matériaux céramiques piézoélectriques comprennent les titanates de baryum et de plomb (BaTiO3 et
PbTiO3), le zirconate de plomb (PbZrO3), le zirconatetitanate de plomb (PZT) [Pb(Zr,Ti)O3] et le niobate de
potassium (KNbO3). Cette propriété est caractéristique des matériaux ayant des structures cristallines compliquées
avec un faible degré de symétrie. Le comportement piézoélectrique d'un échantillon polycristallin peut être amélioré
en le chauffant audessus de sa température de Curie puis en le refroidissant à température ambiante dans un fort
champ électrique.
MATÉRIEL DE IMPORTANCE
Têtes d'impression à jet d'encre céramique piézoélectriques
et son réservoir sont représentés par des zones bleues dans ces
Les mtête
atériaux
piézoélectriques
à jet qui as ont
d'impression uctilisés
des dans uen
omposants t utype
d'encre
n mode
de schémas. De courtes flèches horizontales dans le piézoélectrique
fonctionnement représentés dans les schémas des figures 18.37a à notent la direction du moment dipolaire permanent.
18.37c. L'un des composants de la tête est un disque bicouche flexible
composé d'une céramique piézoélectrique (région orange) liée à un Le fonctionnement de la tête d'impression (c'estàdire l'éjection
matériau déformable non piézoélectrique (région verte) ; encre liquide des gouttelettes d'encre de la buse) est le résultat de l'effet
piézoélectrique inverse, c'estàdire que le disque bicouche est amené à fléchir
(a continué)
d'avant en arrière par l'expansion et la contraction de la couche la polarisation de tension force le disque bicouche à se plier dans la
piézoélectrique en réponse aux changements de polarisation d'une direction opposée vers la buse afin d'éjecter une goutte d'encre
tension appliquée. Par exemple, la figure 18.37a montre comment (Figure 18.37b). Enfin, la suppression de la tension entraîne le retour
l'imposition d'une tension de polarisation directe fait fléchir le disque du disque à sa configuration non pliée (Figure 18.37c) en préparation
bicouche de manière à tirer (ou aspirer) l'encre du réservoir dans la d'une autre séquence d'éjection.
chambre de la buse. Inverser
Disque déformable non
piézoélectrique
Disque Encrer
Matériau bicouche
piézoélectrique
Polarisation directe Biais inverse
Buse
(Tirer) (Pousser)
Réservoir d'encre
(un) (b)
Goutte d'encre
Pas de biais
(Se rétracter)
(c)
Figure 18.37 Séquence de fonctionnement d'une tête d'impression à jet d'encre en céramique piézoélectrique (schéma). (a) L'imposition
d'une tension de polarisation directe attire l'encre dans la chambre de la buse lorsque le disque bicouche fléchit dans une direction. (b)
Éjection d'une goutte d'encre en inversant la polarisation de tension et en forçant le disque à fléchir dans la direction opposée. (c) La
suppression de la tension rétracte le disque bicouche dans sa configuration non pliée en vue de la séquence suivante.
(Images fournies avec l'aimable autorisation d'Epson America, Inc.)
RÉSUMÉ
Loi d'Ohm • La facilité avec laquelle un matériau est capable de transmettre un courant électrique s'exprime en termes de
Électrique conductivité électrique ou de son inverse, la résistivité électrique (équations 18.2 et 18.3). • La relation entre
Conductivité la tension appliquée, le courant
et la résistance est la loi d'Ohm (équation 18.1). Une expression équivalente, l'équation 18.5, relie la densité de
courant, la conductivité et l'intensité du champ électrique.
• Sur la base de sa conductivité, un matériau solide peut être classé comme un métal, un semiconducteur ou
un isolant.
Électronique et ionique • Pour la plupart des matériaux, un courant électrique résulte du mouvement des électrons libres,
Conduction qui sont accélérés en réponse à un champ électrique appliqué.
• Dans les matériaux ioniques, il peut également y avoir un mouvement net des ions, ce qui contribue également
bution au processus de conduction.
Sommaire • 771
Bande d'énergie • Le nombre d'électrons libres dépend de la structure de la bande d'énergie des électrons du
Structures en solides matériel.
Conduction en termes de • Une bande d'électrons est une série d'états d'électrons étroitement espacés par rapport à l'énergie, et une telle bande peut
bande et atomique exister pour chaque souscouche d'électrons trouvée dans l'atome isolé. • La structure des bandes d'énergie des électrons
Modèles de liaison fait référence à la manière dont les bandes les plus externes sont disposées les unes par rapport aux autres puis remplies
d'électrons.
Pour les métaux, deux types de structure de bande sont possibles (Figures 18.4a et 18.4b) les états d'électrons
vides sont adjacents à ceux remplis.
Les structures de bande pour les semiconducteurs et les isolants sont similaires les deux ont un interdit
bande interdite d'énergie qui, à 0 K, se situe entre une bande de valence pleine et une bande de conduction
vide. L'amplitude de cette bande interdite est relativement large ( 2 eV) pour les isolants (figure 18.4c) et
relativement étroite ( 2 eV) pour les semiconducteurs (figure 18.4d). • Un électron devient libre en étant excité
d'un état rempli à un état vide disponible à une énergie plus élevée.
Des énergies relativement faibles sont nécessaires pour les excitations électroniques dans les métaux (Figure 18.5),
donnant lieu à un grand nombre d'électrons libres.
Des énergies plus importantes sont requises pour les excitations d'électrons dans les semiconducteurs et les
isolants (figure 18.6), ce qui explique leurs concentrations d'électrons libres plus faibles et leurs valeurs de
conductivité plus faibles.
Mobilité électronique • Les électrons libres soumis à l'action d'un champ électrique sont diffusés par les imperfections du réseau cristallin.
L'amplitude de la mobilité des électrons est indicative de la fréquence de ces événements de diffusion. • Dans de nombreux
matériaux, la conductivité électrique
est proportionnelle au produit de la
la concentration d'électrons et la mobilité (selon l'équation 18.8).
Résistivité électrique des • Pour les matériaux métalliques, la résistivité électrique augmente avec la température, la teneur en impuretés et la
métaux déformation plastique. La contribution de chacun à la résistivité totale est additive, selon la règle de Matthiessen, équation
18.9.
• Contributions thermiques et des impuretés (pour les solutions solides et les alliages à deux phases)
sont décrites par les équations 18.10, 18.11 et 18.12.
Intrinsèque • Les semiconducteurs peuvent être soit des éléments (Si et Ge), soit des composés liés par covalence. • Avec ces matériaux,
Semiconduction
en plus des électrons libres, des trous (électrons manquants dans la bande de valence) peuvent également participer au
Extrinsèque processus de conduction (Figure 18.11).
Semiconduction • Les semiconducteurs sont classés comme intrinsèques ou extrinsèques.
Pour le comportement intrinsèque, les propriétés électriques sont inhérentes au matériau pur et les concentrations
d'électrons et de trous sont égales. La conductivité électrique peut être calculée à l'aide de l'équation 18.13 (ou
de l'équation 18.15).
Le comportement électrique est dicté par les impuretés pour les semiconducteurs extrinsèques.
Les semiconducteurs extrinsèques peuvent être de type n ou p selon que les électrons ou les trous,
respectivement, sont les porteurs de charge prédominants. • Les impuretés donneuses introduisent
des électrons en excès (Figures 18.12 et 18.13) ; accepteur je suis
les puretés introduisent des trous en excès (figures 18.14 et 18.15).
• La conductivité électrique sur un semiconducteur de type n peut être calculée en utilisant
La température Équation 18.16 ; pour un semiconducteur de type p, l'équation 18.17 est utilisée.
Dépendance du
transporteur • Avec l'augmentation de la température, la concentration de porteurs intrinsèques augmente considérablement
Concentration (Figure 18.16).
Facteurs qui affectent • Pour les semiconducteurs extrinsèques, sur un graphique de la concentration des porteurs majoritaires en fonction de la
Mobilité des transporteurs température, la concentration des porteurs est indépendante de la température dans la région extrinsèque
(Figure 18.17). L'ampleur de la concentration de porteurs dans cette région est approximativement égale au
niveau d'impureté. • Pour les semi
conducteurs extrinsèques, les mobilités des électrons et des trous (1) diminuent lorsque la teneur en impuretés
augmente (Figure 18.18) et (2) en général, diminuent lorsque la température augmente (Figures 18.19a et 18.19b).
L'effet Hall • À l'aide d'une expérience à effet Hall, il est possible de déterminer le type de porteur de charge (c.àd., électron ou
trou), ainsi que la concentration et la mobilité des porteurs.
Semiconducteur • Un certain nombre de dispositifs semiconducteurs utilisent les caractéristiques électriques uniques de ces
Dispositifs matériaux pour exécuter des fonctions électroniques spécifiques. • La
jonction de redressement p–n (Figure 18.21) est utilisée pour transformer le courant alternatif en courant continu.
• Un autre type de dispositif semiconducteur est le transistor, qui peut être utilisé pour l'amplification de signaux
électriques, ainsi que pour les dispositifs de commutation dans les circuits informatiques.
Les transistors à jonction et MOSFET (figures 18.24, 18.25 et 18.26) sont possibles.
Électrique • La plupart des céramiques et polymères ioniques sont des isolants à température ambiante. Les conductivités
Conduction en ionique électriques varient entre environ 109 et 1018 (m)1 ; à titre de comparaison, pour la plupart des métaux, s est de
Céramique et dans l'ordre de 107 ( m)1 .
Polymères
• On dit qu'un dipôle existe lorsqu'il existe une séparation spatiale nette d'entités chargées positivement et
Comportement diélectrique
négativement au niveau atomique ou moléculaire.
Capacitance
• La polarisation est l'alignement des dipôles électriques avec un champ électrique. • Les
Vecteurs de champ et
matériaux diélectriques sont des isolants électriques qui peuvent être polarisés lorsqu'un
Polarisation
champ est présent.
• Ce phénomène de polarisation explique la capacité des diélectriques à augmenter la capacité de stockage de
charge des condensateurs. • La capacité dépend de la
tension appliquée et de la quantité de charge stockée selon l'équation 18.24. • L'efficacité de stockage de charge
d'un condensateur est
exprimée en termes de con diélectrique
permittivité constante ou relative (Équation 18.27).
• Pour un condensateur à plaques parallèles, la capacité est fonction de la permittivité du matériau entre les plaques,
ainsi que de la surface des plaques et de la distance de séparation des plaques selon l'équation 18.26.
• Le déplacement diélectrique à l'intérieur d'un milieu diélectrique dépend de l'électricité appliquée
champ trique et la polarisation induite selon l'Équation 18.31.
• Pour certains matériaux diélectriques, la polarisation induite par un champ électrique appliqué est
décrit par l'équation 18.32.
Types de polarisation • Les types de polarisation possibles incluent électronique (Figure 18.32a), ionique (Figure 18.32b) et orientation
Fréquence (Figure 18.32c) ; tous les types n'ont pas besoin d'être présents dans un diélectrique particulier. • Pour les
Dépendance de la champs électriques alternatifs, si un type de polarisation spécifique contribue à la polarisation totale et la constante
Constante diélectrique diélectrique dépend de la fréquence ; chaque mécanisme de polarisation cesse de fonctionner lorsque la
fréquence du champ appliqué dépasse sa fréquence de relaxation (figure 18.34).
Autre électrique • Les matériaux ferroélectriques présentent une polarisation spontanée, c'estàdire qu'ils se polarisent dans
Caractéristiques de absence de champ électrique.
Matériaux • Un champ électrique est généré lorsque des contraintes mécaniques sont appliquées à un élément piézoélectrique
matériel.
Sommaire • 773
Résumé de l'équation
Équation Page
Nombre Équation Résoudre pour Nombre
18.1 V = EST Tension (loi d'Ohm) 726
AD
18.2 = 727
r Résistivité électrique
je
1
18.4 s = Conductivité électrique 727
r
18.5 J = s La densité actuelle 727
DANS
18.6 = Intensité du champ électrique 727

je
Conductivité électrique (métal); conductivité pour semiconducteur
18.8, 18.16 s = n e me 733, 741
extrinsèque de type n
18.9 rtotal = rt + ri + rd Pour les métaux, résistivité totale (règle de Matthiessen) 734
18.10 rt = r0 + aT Contribution de la résistivité thermique 734
18.11 ri = Aci (1 ci ) Contribution à la résistivité des impuretés alliage monophasé 735
18.12 ri = raVa + rbVb Contribution à la résistivité des impuretés alliage à deux phases 735
18.13 s = n e me + p e

Conductivité pour semiconducteur intrinsèque 739, 740
18h15 mh = ni e (me
18.17 + mh) s _ p e mh Conductivité pour semiconducteur extrinsèque de type p 743
Q
18.24 C = Capacitance 759
DANS
UN
18h25 C = P0 l Capacité pour un condensateur à plaques parallèles dans le vide 759
UN Capacité pour un condensateur à plaques parallèles avec un
18.26 C = P 760
je milieu diélectrique entre les plaques
P
18.27 Pr = Constante diélectrique 760
P0
18.29 D0 = P0 Déplacement diélectrique dans le vide 762
18h30 D = P Déplacement diélectrique dans un matériau diélectrique 762
18h31 D = P0 + P Déplacement diélectrique 763
18h32 P = P0(Pr – 1) Polarisation 763

Liste des symboles
Symbole Signification
Zone de plaque pour un condensateur à plaques parallèles ; constante
UN
indépendante de la concentration
un Constante indépendante de la température
Là Concentration en termes de fraction atomique
|et| Amplitude absolue de la charge d'un électron (1,6 1019 C)
je Courant électrique
Distance entre les points de contact utilisés pour mesurer la tension (Figure
je
18.1) ; distance de séparation des plaques pour un condensateur à
plaques parallèles (Figure 18.28a)
n Nombre d'électrons libres par unité de volume
dans Concentration de porteurs intrinsèques
p Nombre de trous par unité de volume
Q Quantité de charge stockée sur une plaque de condensateur
R Résistance
J Température
Et, Vb Fractions volumiques des phases a et b
P Permittivité d'un matériau diélectrique Permittivité
P0 d'un vide (8,85 1012 F/m)
moi _ Mobilités des électrons et des
ra, rb trous Résistivités électriques des phases a et b
r0 Constante indépendante de la concentration
Traitement/Structure/Propriétés/Résumé des performances
En ce qui concerne le traitement, au chapitre 5, nous avons discuté des principes de diffusion
tels qu'ils s'appliquent aux semiconducteurs (en particulier le silicium). Dans certains cas, le
dopage des atomes d'impuretés (qui rend le semiconducteur extrinsèque) est réalisé par
diffusion. La carte conceptuelle suivante illustre ces relations :
Sommaire • 775
Silicium
Semiconducteurs
t3 > t2 > t1 (Traitement)
t3
t2
t1
Concentration
d'espèces
diffusantes
Distance
Cx C0
Cs C0 1 erfa x 21Dt b =
Diffusion à l'état non stationnaire
(Chapitre 5)
Diffusion dans Dopage des semi
semiconducteurs conducteurs
m1 Spécification de composition
C1 = * 100 m1 + m2 (Chapitre 4) (Chapitre 5) (Chapitre 18)
Et Et Et Et

Dépendance à la température du (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ )
coefficient de diffusion
(Chapitre 5) Et Et B Et
(4 +) (4 +) (3 +) (4 +)
Trou
Et Et Et Et

D = D0 exp Qd RTb (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ )
L'un des éléments structurels importants des semiconducteurs est la structure de bande
électronique. Nous avons discuté de ce concept ainsi que des structures de bandes pour les matériaux
intrinsèques et extrinsèques. La structure des bandes est due, dans une certaine mesure, à la liaison
interatomique covalente (ou principalement covalente), qui, à son tour, est une conséquence de la
configuration électronique du semiconducteur (chapitre 2). Ces relations sont notées dans la carte
conceptuelle suivante :
Silicium
Semiconducteurs
(Structure)
Configuration Liaison Électron intrinsèque Structure de bande
électronique : Si interatomique covalente structure de bande électronique

(Chapitre 2) 2 (Chapitre 2) (bande interdite étroite) extrinsèque (niveaux
1s 22s 2p6 3s 2 3p2 (Chapitre 18) donneur/accepteur)
(Chapitre 18)
HH
groupe groupe
Conduction Conduction
écart
Groupe
Par exemple Par exemple
bande
Écart
de
groupe groupe
Valence Valence
Pour la semiconduction intrinsèque et extrinsèque, la conductivité électrique est fonction à
la fois de la concentration des porteurs et de la mobilité des porteurs (électrons et/ou trous). La
concentration et la mobilité des porteurs dépendent de la température et de la teneur en impuretés.
Nous notons ces relations dans la carte conceptuelle suivante :
1028
1026
1024
1022
Et
1020
1018
1016
Silicium
1014
Semiconducteurs
1012
(Propriétés)
Concentration
intrinsèques
porteurs
(m–
de
3)
1010
108
106
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
T (K)
Dépendance à la température,
concentration de porteurs
(Chapitre 18)
Semiconduction intrinsèque Semiconduction extrinsèque
Conductivité électrique
(Chapitre 18) (Chapitre 18)
(définitions)
(Chapitre 18) groupe
groupe
1 Le
Conduction
Conduction
s = =
r ET
écart
Groupe
Par exemple
groupe groupe
Valence Valence
Mobilités électron/trou, facteurs
qui affectent
(Chapitre 18) 0,1
Électrons
des trous
0,01
Mobilité
(m2/
Vs)
0,001
1019 1020 1021 1022 1023 1024 1025
Concentration d'impuretés (m–3)
Sommaire • 777
Une utilisation courante des matériaux semiconducteurs est dans les composants de circuits intégrés.
Dans notre discussion sur les jonctions de redressement et les transistors deux de ces composants nous
avons détaillé leurs caractéristiques électriques et leurs mécanismes de fonctionnement, selon la carte
conceptuelle suivante :
Flux de trou Flux d'électrons
+ –
+ +
+ +
–
+ +
+ +
+ +
+
Batterie
jonctions de redressement p–
n (caractéristiques électriques,
mécanique de fonctionnement)
(Chapitre 18)
Silicium
Semiconducteurs
Circuits intégrés
(Performance)
(Chapitre 18)
Transistors — jonction, MOSFET
(caractéristiques électriques,
mécanique de fonctionnement)
(Chapitre 18)
Émetteur Base Collectionneur
+ + + +
+ +
+
+ + + + + + –
+
+ + +
+ + + +
– +
Ceci conclut le commentaire sur le traitement/la structure/les propriétés/les performances des semi
conducteurs au silicium. Pour la plupart, les composants individuels trouvés dans les interrelations
précédentes sont de nature conceptuelle, c'estàdire qu'ils représentent les aspects scientifiques (par
opposition à l'ingénierie) des matériaux. Un diagramme relationnel transformation/structure/propriétés/
performances de ces matériaux pris du point de vue de l'ingénierie des matériaux est présenté à la figure
18.38.
Traitement Structure Propriétés Performance
Dopage Structure de bande Type de Conductivité Circuit intégré

d'impureté extrinsèque conductivité (n ou p) électrique
Croissance de
Photolithographie
monocristaux
Câblage
d'interconnexion
Figure 18.38 Diagramme schématique qui résume les éléments de traitement, la structure, les propriétés et les performances
des semiconducteurs au silicium, qui comprend des composants de l'ingénierie des matériaux.
Termes et concepts importants
état accepteur (niveau) Électron libre de Loi d'Ohm
capacité bande polarisation permittivité
de conduction directe polarisation
conductivité, diélectrique ferroélectrique à énergie de Fermi piézoélectrique
électrique Isolant de polarisation, polarisation
constante diélectrique trou électronique,
déplacement diélectrique à effet Hall polarisation ionique, orientation
rigidité diélectrique circuit intégré semi redressement jonction
diode conducteur intrinsèque relaxation fréquence
dipôle, état conduction ionique résistivité, polarisation
donneur électrique transistor à jonction inverse
(niveau) Mobilité des métaux selon électrique bande
dopage électronique bande la règle de valence semiconducteur
d'énergie bande de Matthiessen
d'énergie interdite semiconducteur extrinsèque MOSFET
LES RÉFÉRENCES
Bube, RH, Electrons in Solids, 3e édition, Academic Press, Kittel, C., Introduction to Solid State Physics, 8e édition, Wiley,
San Diego, 1992. Hoboken, NJ, 2005. Un traitement avancé.
Hummel, RE, Propriétés électroniques des matériaux, 4e édition, Livingston, J., Propriétés électroniques des matériaux d'ingénierie,
Springer, New York, 2011. Wiley, New York, 1999.
Irene, EA, Science des matériaux électroniques, Wiley, Hoboken, NJ, Pierret, RF, Fondamentaux des dispositifs semiconducteurs, Addison
2005. Wesley, Boston, 1996.
Jiles, DC, Introduction aux propriétés électroniques des matériaux, 2e Rockett, A., La science des matériaux des semiconducteurs, Springer,
édition, CRC Press, Boca Raton, FL, 2001. NewYork, 2008.
Kingery, WD, HK Bowen et DR Uhlmann, Introduction to Ceramics, 2e Solymar, L. et D. Walsh, Propriétés électriques des matériaux, 8e
édition, Wiley, New York, 1976. Chapitres 17 et 18. édition, Oxford University Press, New York, 2010.
QUESTIONS ET PROBLÈMES
Problème disponible (à la discrétion de l'instructeur) dans WileyPLUS
Loi d'Ohm 18.4 Démontrer que les deux expressions de la loi d'Ohm, les
équations 18.1 et 18.5, sont équivalentes. 18.5 (a) À l'aide
Conductivité électrique 18.1
(a) Calculer la conductivité électrique d'un spécimen cylindrique de des données du tableau 18.1, calculez la résistance d'un fil
silicium de 7,0 mm (0,28 po) de diamètre et de 57 mm (2,25 d'aluminium de 5 mm (0,20 po) de diamètre et de 5 m (200
po) de longueur dans lequel un courant de 0,25 A passe dans po) de longueur. (b) Quel serait le flux de
une direction axiale. courant si la chute de potentiel aux extrémités du fil était de
Une tension de 24 V est mesurée entre deux sondes séparées 0,04 V ? (c) Quelle est la densité de courant ? (d) Quelle
de 45 mm (1,75 po). (b) Calculez la résistance
est l'amplitude du champ électrique aux
sur l'ensemble des 57 mm (2,25 pouces) de l'échantillon.
extrémités du fil ?
18.2 Un fil d'aluminium de 10 m de long doit subir une chute de
tension inférieure à 1,0 V lorsqu'un courant de 5 A le traverse. Conduction électronique et ionique
À l'aide des données du tableau 18.1, calculez le diamètre 18.6 Quelle est la distinction entre conduction électronique et
minimal du fil. ionique ?
18.3 Un fil d'acier ordinaire au carbone de 3 mm de diamètre doit
offrir une résistance maximale de 20 . À l'aide des données Structures des bandes d'énergie dans
du tableau 18.1, calculez la longueur de câble maximale. les solides 18.7 Comment la structure électronique d'un
atome différent de celui d'un matériau solide?
Questions et problèmes • 779
Conduction en termes de bande et atomique Composition (à% Zn)
Modèles de liaison 0 dix 20 30
18.8 En termes de structure de bande d'énergie électronique,
7
discutez des raisons de la différence de
conductivité entre les métaux, les semiconducteurs et les
isolants. 6
Mobilité des électrons 5
18.9 Indiquez brièvement ce que l'on entend par vitesse de
dérive et mobilité d'un électron libre. 4
Résistivité
électrique
(10–
µm)
8
18.10 (a) Calculez la vitesse de dérive des électrons dans le
silicium à température ambiante et lorsque l'amplitude du 3
champ électrique est de 500 V/m.
(b) Dans ces circonstances, combien de temps fautil à un 2
électron pour traverser une longueur de cristal de 25 mm
(1 po) ?
1
18.11 À température ambiante, la conductivité électrique et la
mobilité électronique de l'aluminium sont respectivement
de 3,8 107 ( #m)1 et 0,0012 m 2/V#s . (a) Calculez le 0
0 dix 20 30 40
nombre d'électrons libres par mètre cube pour l'aluminium
Composition (% poids Zn)
à température ambiante. (b) Quel est le nombre d'électrons
libres par atome d'aluminium ? Supposons une densité de Figure 18.39 Résistivité électrique à température ambiante en
2,7 g/cm3 . 18.12 (a) Calculez le nombre d'électrons libres fonction de la composition pour les alliages cuivrezinc.
[Adapté de Metals Handbook: Properties and Selection:
par mètre cube pour l'argent, en supposant qu'il y a 1,3 électron Nonferrous Alloys and Pure Metals, Vol. 2, 9e édition, H. Baker
libre par atome d'argent. La conductivité électrique et la (rédacteur en chef), 1979. Reproduit avec l'autorisation
masse volumique de l'Ag sont respectivement de 6,8 107 d'ASM International, Materials Park, OH.]
( #m)1 et 10,5 g/cm3 . (b) Maintenant, calculez la mobilité
per contenant une très petite quantité d'étain en solution
électronique pour Ag.
solide et une phase P, constituée d'environ 37 % en poids
de Sn. Calculez la conductivité à température ambiante
de cet alliage à partir des données suivantes :
Résistivité électrique des métaux
18.13 À partir de la figure 18.39, estimez la valeur de A dans
l'équation 18.11 pour le zinc en tant qu'impureté dans les Résistivité électrique ( # Densité
alliages cuivrezinc. Phase m) 1,88 (g/cm3 )
un 108 5,32 107 8,94
18.14 (a) À l'aide des données de la figure 18.8, déterminez les
valeurs de r0 et a de l'équation 18.10 pour le cuivre pur. P 8.25
Prendre la température T en degrés Celsius. (b) Déterminez
la valeur de A dans 18.17 Un fil métallique cylindrique de 3 mm (0,12 po) de
diamètre est nécessaire pour transporter un courant de 12
l'Équation 18.11 pour le nickel en tant qu'impureté dans le
A avec une chute minimale de 0,01 V par pied (300 mm)
cuivre, en utilisant les données de la Figure 18.8. (c) En
de fil. Parmi les métaux et alliages répertoriés dans le
utilisant les
tableau 18.1, lesquels sont des candidats possibles ?
résultats des parties (a) et (b), estimez la résistivité
électrique du cuivre contenant 2,50 at% Ni à 120 C. Semiconduction intrinsèque
18.18 (a) À l'aide des données présentées à la figure 18.16,
18.15 Déterminer la conductivité électrique d'un alliage Cu–Ni déterminez le nombre d'électrons libres par atome pour le
qui a une résistance à la traction de 275 MPa (40 000 psi). germanium et le silicium intrinsèques à la température
Voir Figure 7.16. ambiante (298 K). Les densités pour Ge et Si sont
18.16 Le bronze d'étain a une composition de 89 % en poids de respectivement de 5,32 et 2,33 g/cm3.
Cu et 11 % en poids de Sn et se compose de deux phases (b) Maintenant, expliquez la différence entre ces valeurs
à température ambiante : une phase a, qui est cop d'électrons libres par atome.
18.19 Pour les semiconducteurs intrinsèques, la concentration de 18.27 (a) Expliquez pourquoi aucun trou n'est généré par l'excitation
porteurs intrinsèques ni dépend de la température, comme suit : électronique impliquant une impureté donneuse
atome.
Par exemple
(b) Expliquez pourquoi aucun électron libre n'est généré par
(18.35a) l'excitation électronique impliquant un atome d'impureté accepteur.
ni expa 2kTb
ou, en prenant les logarithmes naturels,
18.28 Prédisez si chacun des éléments suivants agira comme un
Par exemple
donneur ou un accepteur lorsqu'il sera ajouté au matériau semi
Inni 2kT (18.35b) conducteur indiqué. Supposons que les éléments d'impureté sont
substitutionnels.
Ainsi, un tracé de lnni en fonction de 1/T (K)1 devrait être linéaire
et donner une pente de Eg/2k. En utilisant ces informations et les Impureté Semiconducteur
données présentées dans la figure 18.16, déterminez les énergies N Et
de bande interdite pour le silicium et le germanium et comparez
B Ge
ces valeurs avec celles données dans le tableau 18.3.
S InSb
Dans CDS
18.20 Expliquez brièvement la présence du facteur 2 dans le
dénominateur de l'Équation 18.35a. Comme ZnTe
18.21 A température ambiante, le conducteur électrique tandis que
ité de PbS est de 25 ( # m)1 , l'électron et 18.29 (a) La conductivité électrique à température ambiante d'un
les mobilités des trous sont de 0,06 et 0,02 m2 /V# s, échantillon de silicium est de 500 ( #m)1 .
La concentration du trou est connue pour être de 2,0 1022
respectivement. Calculer la concentration de porteurs intrinsèques
m3 . En utilisant les mobilités d'électrons et de trous pour le
pour le PbS à température ambiante.
silicium dans le tableau 18.3, calculez la concentration d'électrons.
18.22 Estil possible que des semiconducteurs composés présentent
un comportement intrinsèque ? Expliquez votre réponse.
(b) Sur la base du résultat de la partie (a), le spécimen estil
18.23 Pour chacune des paires de semiconducteurs suivantes,
intrinsèque, extrinsèque de type n ou extrinsèque de type p ?
décidez laquelle a la plus petite énergie de bande interdite, Eg,
Pourquoi?
puis citez la raison de votre choix. (a) C (diamant) et Ge (b) AlP et
18.30 Germanium auquel 1024 m3 As atomes ont
InAs été ajouté est un semiconducteur extrinsèque à la pièce
température, et pratiquement tous les atomes d'As peuvent être
(c) GaAs et ZnSe considérés comme étant ionisés (c'estàdire qu'il existe un porteur
de charge pour chaque atome d'As). (a) Ce
(d) ZnSe et CdTe
matériau estil de type n ou de type p ? (b)
(e) CdS et NaCl
Calculez la conductivité électrique de ce matériau, en supposant
des mobilités d'électrons et de trous de 0,1 et 0,05 m2 /V#s,
Semiconduction extrinsèque
respectivement.
18.24 Définir les termes suivants en ce qui concerne les matériaux semi
18.31 Les caractéristiques électriques suivantes ont été déterminées
conducteurs : intrinsèque, extrinsèque, composé, élémentaire.
pour l'antimoniure de gallium intrinsèque et extrinsèque de type p
Donnez un exemple de chacun.
(GaSb) à température ambiante :
18.25 Un semiconducteur de type n est connu pour avoir Si la
une concentration d'électrons de 5 1017 m3 la vitesse . 1
S( # m) n(m3 ) p(m3 )
de dérive des électrons est de 350 m/s dans un champ électrique
Intrinsèque 8,9 104 8,7 1023 8,7 1023
de 1000 V/m, calculer la conductivité de ce matériau.
Extrinsèque 2.3 105 7.6 1022 1.0 1025
(type p)
18.26 (a) Dans vos propres mots, expliquez comment les impuretés
donneuses dans les semiconducteurs donnent naissance à des Calculer les mobilités des électrons et des trous.
électrons libres en nombre supérieur à ceux générés par les
excitations bande de valence–bande de conduction. La dépendance à la température de la
concentration des porteurs
(b) Expliquez également comment les impuretés de l'accepteur
donnent lieu à des trous en nombre supérieur à ceux générés par 18.32 Calculer la conductivité du silicium intrinsèque à 80 C.
les excitations bande de valencebande de conduction.
18.33 À des températures proches de la température cet alliage qui fait 35 mm d'épaisseur. Quel champ
ambiante, la dépendance à la température de la magnétique faudraitil imposer pour produire une tension de
conductivité pour le germanium intrinsèque est donnée par Hall de 3,5 107 V ?
Dispositifs semiconducteurs
Par exemple
(18.36)
s = CT 3>2 expa 2kTb 18.43 Décrivez brièvement les mouvements des électrons et des trous
dans une jonction p–n pour les polarisations directe et inverse ;
où C est une constante indépendante de la température
puis expliquez comment ceuxci conduisent à la rectification.
et T est en Kelvins. À l'aide de l'équation 18.36, calculez
la conductivité électrique intrinsèque du germanium à 18.44 Quelle est l'énergie de la réaction décrite par
175 °C. Équation 18.21 dissipée ?
18.34 À l'aide de l'équation 18.36 et des résultats du problème 18.45 Quelles sont les deux fonctions qu'un transistor
18.33, déterminez la température à laquelle la conductivité peut fonctionner dans un circuit électronique?
électrique du germanium intrinsèque est de 40 ( #m)1 . 18.46 Indiquer les différences de fonctionnement et d'application
18.35 Estimez la température à laquelle GaAs a une conductivité des transistors à jonction et des MOSFET.
électrique de 1,6 103 ( #m)1 , en supposant la dépendance
Conduction dans les matériaux ioniques
à la température pour s de l'Équation 18.36. Les données
présentées dans le tableau 18.3 peuvent s'avérer utiles. 18.47 Nous notons dans la section 12.5 (figure 12.20) que dans
FeO (wüstite), les ions de fer peuvent exister à la fois dans
les états Fe2 et Fe3 . Le nombre de chacun de ces types
18.36 Comparez la dépendance à la température de la
conductivité pour les métaux et les semiconducteurs d'ions dépend de la température et de la pression d'oxygène
intrinsèques. Expliquez brièvement la différence de comportement. ambiante. Par ailleurs, on note également que pour
conserver l'électroneutralité, une lacune Fe2 est créée pour
deux ions Fe3 formés ; par conséquent, afin de refléter
Facteurs affectant la mobilité des porteurs
l'existence de ces lacunes, la formule de la wüstite est
18.37 Calculez la conductivité électrique à température ambiante souvent représentée par Fe (1x) O, où x est une petite
du silicium qui a été dopé avec 1023 m3 d'atomes d'arsenic. fraction inférieure à l'unité.
18.38 Calculez la conductivité électrique à température ambiante Dans ce matériau Fe(1x)O non stoechiométrique , la
du silicium qui a été dopé avec 2 1024 m3 d'atomes de bore. conduction est électronique et, en fait, il se comporte comme
un semiconducteur de type p, c'estàdire que les ions Fe3
agissent comme des accepteurs d'électrons, et il est
18.39 Estimez la conductivité électrique à 75 C du silicium qui a relativement facile d'exciter un électron de la valence bande dans
été dopé avec 1022 m3 d'atomes de phosphore.
un état accepteur Fe3 avec formation d'un trou. Déterminer
la conductivité électrique d'un spécimen de wüstite avec
18.40 Estimez la conductivité électrique à 135 C du silicium qui une mobilité de trou de 1,0 105 m2 /V#s, et pour lequel
a été dopé avec 1024 m3 d'atomes d'aluminium. la valeur de x est 0,040.
Supposons que les états accepteurs sont saturés (c'està
dire qu'il existe un trou pour chaque ion Fe3). La wüstite a
L'effet Hall la structure cristalline du chlorure de sodium avec une
18.41 Un métal hypothétique est connu pour avoir une résistivité longueur de bord de cellule unitaire de 0,437 nm.
électrique de 3,3 108 ( #m). On fait passer un courant de 18.48 À des températures comprises entre 540 C (813 K) et
25 A dans une éprouvette de ce métal de 15 mm d'épaisseur. 727 C (1 000 K), l'énergie d'activation et la préexponentielle
Lorsqu'un champ magnétique de 0,95 tesla est imposé du coefficient de diffusion de Na dans NaCl sont
simultanément dans une direction perpendiculaire à celle respectivement de 173 000 J/mol et de 4,0 104 m2/ s .
du courant, une tension de Hall de 2,4 107 V est mesurée. Calculer la mobilité d'un ion Na à 600 C (873 K).
Calculez ce qui suit : ( a) la mobilité des électrons de ce
métal ( b)
Capacité 18,49
le nombre d'électrons libres par mètre cube /
Un condensateur à plaques parallèles utilisant un matériau
V#s, respectivement. Un courant de 40 A est passé à
diélectrique ayant un Pr de 2,2 a un espacement des
travers un échantillon de plaques de 2 mm (0,08 in.). Si un autre matériau ayant une
constante électrique de matrice de 3,7 est utilisé et que la
capacité doit être inchangée, quel doit être le nouvel
espacement entre les plaques ?
18.50 Un condensateur à plaques parallèles avec des dimensions de (b) Pour l'argon gazeux, le LiF solide, le H2O liquide et le Si
38 mm sur 65 mm (11 po sur 221 po) et une
2 séparation des solide, quel(s) type(s) de polarisation est (sont) possible(s) ?
plaques de 1,3 mm (0,05 po) doit avoir une capacité minimale Pourquoi? 18.57
de 70 pF (7 1011 F) lorsque un potentiel alternatif de 1000 V est
(a) Calculez l'amplitude du moment dipolaire associé à chaque
appliqué à une fréquence de 1 MHz. Lequel des matériaux
cellule unitaire de BaTiO3, comme illustré à la Figure 18.35. (b)
énumérés dans le tableau
Calculez la polarisation maximale
18.5 sont des candidats possibles ? Pourquoi?
possible pour ce matériau.
18.51 Considérons un condensateur à plaques parallèles ayant une
surface de 3225 mm2 (5 po2 ), une séparation des plaques de 1
mm (0,04 po) et un matériau ayant une constante diélectrique Dépendance en fréquence de la constante diélectrique 18,58 La
de 3,5 positionné entre les plaques. (a) Quelle est la constante diélectrique d'un verre sodocalcique mesurée à des
capacité de ce condensateur ? (b) Calculez le champ fréquences très élevées (de l'ordre de 1015 Hz) est d'environ
2,3. Quelle fraction de la constante diélectrique à des fréquences
électrique qui doit être appliqué pour que 2 108 C soit stocké
relativement basses (1 MHz) est attribuée à la polarisation
sur chaque plaque.
ionique ? Négliger toute contribution de polarisation d'orientation.
18.52 Dans vos propres mots, expliquez le mécanisme par lequel la
capacité de stockage de charge est augmentée par l'insertion
d'un matériau diélectrique dans les plaques d'un condensateur.
Ferroélectricité
18.59 Expliquez brièvement pourquoi le comportement ferroélectrique
Vecteurs de champ et polarisation
de BaTiO3 cesse audessus de sa température de Curie
Types de polarisation 18.53 ferroélectrique.
Pour CaO, les rayons ioniques des ions Ca2 et O2 sont respectivement
Problème de feuille de
de 0,100 et 0,140 nm. Si un champ électrique appliqué de
calcul 18.1SS Pour un semiconducteur intrinsèque dont la
l'extérieur produit une expansion de 5% du réseau, calculez le
moment dipolaire pour chaque paire Ca2O2 . Supposons que conductivité électrique dépend de la température selon l'équation
ce matériau soit complètement non polarisé en l'absence de 18.36, générer une feuille de calcul qui permet à l'utilisateur de
champ électrique. déterminer la température à laquelle la conductivité électrique
est une valeur spécifiée, étant donné les valeurs de la constante
18.54 La polarisation P d'un matériau diélectrique placé à l'intérieur
C et de la bande énergie d'écart Par ex.
d'un condensateur à plaques parallèles doit être de 4,0 106 C/
m2 .
(a) Quelle doit être la constante diélectrique si un champ
PROBLÈMES DE CONCEPTION
électrique de 105 V/m est appliqué ? (b) Quel
Résistivité électrique des métaux 18.D1
sera le déplacement diélectrique D ?
Un alliage 90 % en poids Cu–10 % en poids Ni est connu pour avoir
18.55 Une charge de 2,0 1010 C doit être stockée sur chaque plaque
une résistivité électrique de 1,90 107 #m à température ambiante
d'un condensateur à plaques parallèles ayant une surface de
(25 C). Calculez la composition d'un alliage cuivrenickel qui
650 mm2 (1,0 in.2 ) et une séparation des plaques de 4,0 mm
donne une résistivité à température ambiante de 2,5 107 #m.
(0,16 in.). (a) Quelle
tension est nécessaire si un matériau ayant une constante La résistivité à température ambiante du cuivre pur peut être
diélectrique de 3,5 est placé à l'intérieur des plaques ? (b) Quelle déterminée à partir des données du tableau 18.1 ; supposons
tension serait que le cuivre et le nickel forment une solution solide.
nécessaire si un aspirateur était utilisé ?
18.D2 À l'aide des informations contenues dans les figures 18.8 et
(c) Quelles sont les capacités des parties (a) et (b) ? (d) Calculez 18.39, déterminez la conductivité électrique d'un alliage à 85 %
en poids de Cu et à 15 % en poids de Zn à 100 C (150 F).
le déplacement diélectrique pour la partie (a). (e) Calculer la
polarisation
18.D3 Estil possible d'allier le cuivre au nickel pour atteindre une
pour la partie (a).
limite d'élasticité minimale de 130 MPa (19 000 psi) tout en
18.56 (a) Pour chacun des trois types de polarisation, décrivez maintenant une con 106 ( #m)1 ? Si non, pourquoi ? Si la
brièvement le mécanisme par lequel les dipôles sont induits et/ concentration de conductivité est de 4,0, quelle
ou orientés par l'action d'un champ électrique appliqué. nickel est nécessaire ? Voir Figure 7.16b.
Semiconduction extrinsèque (b) Dans une atmosphère de H2O (pression de 1 atm),
l'expression de B (encore une fois, en unités de m2 /h) est
Facteurs affectant la mobilité des porteurs
18.D4 Spécifiez un type d'impureté donneuse et une 0,70 eV
(18.38b)
concentration (en pourcentage en poids) qui produiront B = 215 exp kT b
un matériau de silicium de type n ayant une conductivité
électrique à température ambiante de 200 ( #m)1 . Calculez le temps nécessaire pour faire croître une
couche d'oxyde de 100 nm d'épaisseur (dans une
18.D5 Une conception de circuit intégré nécessite la atmosphère de H2O) à la fois à 700 C et à 1000 C, et
diffusion du bore dans du silicium de très haute comparez ces temps avec ceux calculés dans la partie (a).
pureté à une température élevée. Il est nécessaire
qu'à une distance de 0,2 m de la surface du silicium wa 18.D7 Le matériau semiconducteur de base utilisé dans
fer, la conductivité électrique à température ambiante soit pratiquement tous les circuits intégrés modernes est
1000 ( #m)1 . La concentration de B au
le silicium. Cependant, le silicium a certaines limitations
la surface du Si est maintenue à un niveau constant et restrictions. Rédigez un essai comparant les
de 1,0 1025 m3 ; de plus, on suppose que la propriétés et les applications (et/ou les applications
concentration de B dans le matériau Si d'origine potentielles) du silicium et de l'arséniure de gallium.
est négligeable et qu'à température ambiante, les Conduction dans les matériaux ioniques
atomes de bore sont saturés. Préciser la
18.D8
dLoit
température à laquelle ce traitement thermique de diffusion e problème 18.47 a noté que FeO (wüstite) peut se
comporter comme un semiconducteur en vertu de la
avoir lieu si la durée du traitement doit être de 1 h. Le
transformation de Fe2 en Fe3 et de la création de
coefficient de diffusion pour la diffusion de B dans Si est
lacunes Fe2 ; le maintien de l'électroneutralité nécessite
fonction de la température comme
que pour deux ions Fe3, une lacune soit formée.
347 000 J>mol L'existence de ces lacunes se reflète dans la formule
D(m2 >s) = 2,4 * 104 exp RT b chimique de cette wüstite non stoechiométrique sous la
forme Fe(1x)O, où x est un petit nombre ayant une valeur
Dispositifs semiconducteurs inférieure à l'unité. Le degré de non stoechiométrie (c'est
àdire la valeur de x) peut être modifié en changeant la
18.D6 L'une des procédures de production des température et la pression partielle d'oxygène. Calculer
circuits intégrés est la formation d'une fine la valeur de x nécessaire pour produire un matériau
couche isolante de SiO2 à la surface des puces
Fe(1x) O ayant une conductivité électrique de type p de
(voir Figure 18.26). Ceci est accompli en oxydant 1200 ( #m)1 ; supposons que la mobilité des trous est de
la surface du silicium en la soumettant à une 1,0 105 m2 /V# s, que la structure cristalline de FeO est
atmosphère oxydante (c'estàdire de l'oxygène le chlorure de sodium (avec une longueur de bord de
gazeux ou de la vapeur d'eau) à une température cellule unitaire de 0,437 nm) et que les états accepteurs
élevée. La vitesse de croissance du film d'oxyde sont saturés.
est parabolique , c'estàdire que l'épaisseur de
la couche d'oxyde (x) est fonction du temps (t)
FONDAMENTAUX DE L'INGÉNIERIE
selon l'équation suivante :
QUESTIONS ET PROBLÈMES
x2 = Bt (18.37) 18.1FE Pour un métal qui a un conducteur électrique quelle est
ité de 6,1 107 ( #m)1 , un fil la résistance de
Ici, le paramètre B dépend à la fois de la température et de 4,3 mm de diamètre et de 8,1 m de long ?
de l'atmosphère oxydante. (a) Pour une
(A) 3,93 105 (B)
atmosphère d' O2 à une pression de 1 atm, la dépendance
2,29 103 (C) 9,14
à la température de B (en unités de m2 /h) est la suivante :
103 (D) 1,46 1011
1,24 eV
(18.38a) 18.2FE Quelle est la valeur/gamme typique de conductivité
B = 800 exp kT b électrique pour les matériaux semiconducteurs ?
où k est la constante de Boltzmann (8,62 105 eV/atome) (A) 107 ( #m )1 (B)
et T est en K. Calculez le temps nécessaire pour faire 1020 à 107 ( #m)1 (C) 106
croître une couche d'oxyde (dans une atmosphère d' O2)
à 104 ( #m)1 (D) 1020 à
de 100 nm d'épaisseur à la fois à 700 C et à 1000 C.
1010 ( #m)1
18.3FE Un alliage métallique à deux phases est connu pour être (C) Au milieu de la bande interdite
composé de phases a et b qui ont des fractions massiques de 0,64
(D) Dans la bande interdite juste en dessous du bas de la
et 0,36, respectivement. En utilisant la résistivité électrique à bande de conduction
température ambiante et les données de densité suivantes,
calculez la résistivité électrique de cet alliage à température 18.5FE La conductivité électrique à température ambiante d'un
ambiante. spécimen de semiconducteur est de 2,8 104 ( #m)1 . 1022 m3 et
les mobilités Si la concentration d'électrons est de 2,9
des électrons et des trous sont respectivement de 0,14 et 0,023
Phase Résistivité ( #m) Densité (g/cm3 )
m2 /V#s, calculez
un 1,9 108 8.26 la concentration des trous.
b 5.6 107 8.60
(A) 1,24 1024 m3
(A) 2.09 107 #m (B) 2.14 (B) 7,42 1024 m3
107 #m (C) 3.70 107 #m (C) 7,60 1024 m3
(D) 5.90 107 #m (D) 7,78 1024 m3
18.4FE Pour un semiconducteur de type n, où est le
Niveau de Fermi situé ?
(A) Dans la bande de valence
(B) Dans la bande interdite juste audessus du sommet de valence
groupe

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Aire de la section DANS Spécimen

États vides Bande Bande Bande

Si remplie de valence de valence

(un) (b) (c) (d)

avant et (b) après une excitation électronique de la Conduction Conduction

Valence Valence la bande de

Composition (% Électrique Coefficient de Thermique

Cuivre C11000 99,90 Cu, 0,04 O 5,88 107 17,0 106

AlSb 1,58 0,02 0,042 —

AsGa 1.42 0,80 0,04 3 107

Écart 2.26 0,011 0,0075 —

InP 1,35 0,460 0,015 2,5 106 2 104

InSb 0,17 8.00 0,125

CdTe 1,56 0,105 0,010 —

ZnS 3,66 0,060 — —

ZnTe 2.4 0,053 0,010 —

Et Et Et Et Et Et Et Et

Et Et Et Et Et Et

Et Et Et Et Et Et Et Et

Et Et Et Et Et Et Et Et

(4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ )

Et Et B Et Et Et B Et

(4+ ) (4+ ) (3 +) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (3 +) (4+ )

Et Et Et Et Et Et Et Et

(4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ ) (4+ )

<1020 m–3 0,1 <1020 m–3

0,01 1025 m–3 1025 m–3

–V0 Emetteur Base Collecteur

Type p Type n Type p

Émetteur Base Collectionneur

plaques parallèles, dans un C = P0 l (18h25)

Un verre de soda au citron 6.9 6.9 250

Porcelaine 6.0 6.0 40–400

Silice fondue 4.0 3.8 250

Phénol­formaldéhyde Nylon 5.3 4.8 300–400

6,6 4.0 3.6 400

Polystyrène 2.6 2.6 500–700

Polyéthylène 2.3 2.3 450–500

Polytétrafluoroéthylène a One 2.1 2.1 400–500

Moment dipolaire p = qd (18.28)

Figure 18.29 Représentation (un) (b)

Intensité du champ électrique volt/mètre kg m/s2 C

Capacitance C un cheval s2 C2 /kg m2

Permittivité P farad/mètre s2 C2 /kg m3

Constante diélectrique Pr adimensionnelle sans dimension

Déplacement diélectrique D farad­volt/m2 C/m2

Polarisation électrique P farad­volt/m2 C/m2

Ti4+ Ba2+ O2–

18.1 V = EST Tension (loi d'Ohm) 726

18.5 J = s La densité actuelle 727

18.6 = Intensité du champ électrique 727

18.9 rtotal = rt + ri + rd Pour les métaux, résistivité totale (règle de Matthiessen) 734

18.10 rt = r0 + aT Contribution de la résistivité thermique 734

18.11 ri = Aci (1 ­ ci ) Contribution à la résistivité des impuretés ­ alliage monophasé 735

18.12 ri = raVa + rbVb Contribution à la résistivité des impuretés ­ alliage à deux phases 735

18.13 s = n e me + p e

18.17 + mh) s _ p e mh Conductivité pour semi­conducteur extrinsèque de type p 743

18.29 D0 = P0 Déplacement diélectrique dans le vide 762

18h30 D = P Déplacement diélectrique dans un matériau diélectrique 762

18h31 D = P0 + P Déplacement diélectrique 763

18h32 P = P0(Pr – 1) Polarisation 763

Et Et Et Et

Phénolformaldéhyde Nylon 5.3 4.8 300–400

Déplacement diélectrique D faradvolt/m2 C/m2

Polarisation électrique P faradvolt/m2 C/m2

18.11 ri = Aci (1 ci ) Contribution à la résistivité des impuretés alliage monophasé 735

18.12 ri = raVa + rbVb Contribution à la résistivité des impuretés alliage à deux phases 735

18.17 + mh) s _ p e mh Conductivité pour semiconducteur extrinsèque de type p 743