16/02/2023

Transistor bipolaire en régime dynamique :

Amplificateur petits signaux
Introduction
Ic (mA)
ICmax 16 140µA le point de fonctionnement
S
14
du montage est désigné par
120µA QO (VCEO, ICO).
12
100µA
10
ICO Q
8 x o 80µA
60µA QO est fixe
6
4 40µA

2 I B =20µA la zone active d’amplification

B Vce est limitée par les points de
VCEO saturation S et de blocage B.
Caractéristiques de sortie d’un transistor bipolaire

l’amplitude du courant alternatif

injecté dans le montage doit être
IB = IB0 + IBsin(wt) = IB0 + ib(t)  Ic = IB = IB0 + IBsin(wt) faible pour avoir des faibles
 Ic = IC0 + ICsin(wt) = IC0 + ic(t) oscillations du point de repos QO

Transistor en régime dynamique

ic
 v be  h11i b  h12 v ce
transistor comme un quadripôle ib

 i c  h 21i b  h 22 v ce
vce
vbe
Représentation à l’aide
Quadripôle
des paramètres hybrides
iB iC C
B

h11
Le schéma équivalent v BE  iB 1
+
h22
v CE
en dynamique h12 v CE
-
E E

VBE Impédance d'entrée du transistor

h11  iC
I B B
iB C
VCE Cte

I C v BE  iB
h 21    Gain en courant du transistor
h11 v CE
I B VCE Cte

E E
VBE Terme de réaction interne, sa valeur
h12 
VCE est très faible (h12 ≈ 0) Schéma équivalent simplifié avec termes
I B C te

h12 et h22 étant très faibles

I C Admittance de sortie du transistor

h 22 
VCE I B Cte (h22 ≈ 0)

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Montage amplificateur émetteur commun

Rôle des condensateurs :

Cle et Cls: capacité de liaison respectivement à l’entrée et à la sortie.

Ce : capacité de couplage

En régime statique : toutes les capacités sont des circuits ouverts

Vs
En régime dynamique : toutes les capacités sont des circuits fermés

 Etude statique (en régime continu)

Le rôle de ce schéma de :


• déterminer la droite de charge et d’attaque ;

• fixer le point de fonctionnement statique ;

• fixer les éléments du montage (les résistances, l’alimentation Vcc)

 VBE E bb  
IB   IC  VCE  Vcc
R b  (1  )R e R b  (1  )R e R e (1  )  Rc  R e (1  )  Rc 
C’est l’équation la droite de charge
C’est l’équation la droite d’attaque

Montage émetteur commun

 Etude dynamique (en régime variable)
En régime dynamique, l’alimentation Vcc ainsi que toutes les capacités, sont considérées comme des circuits fermés
à la fréquence du travail comme indique la figure ci-après

Vs

Vs

On a :
•Re est court-circuité, E est à la masse
•R1 et R2 sont en parallèle. On pose Rb = R1//R2
•Rc et Ru sont en parallèle. On pose Rcu = Rc//Ru

On remplace maintenant le transistor par son schéma équivalent à l’aide des paramètres hybrides :

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Montage émetteur commun

Gain en tension A V 
Vs Vs  RcRu
Av  
Ve
Ve Rc  Ru  RcRuh11

is is Rb  Rc
Gain en en courant Ai  Ai  
ie i e R b  h11  Rc  Ru  RcRu

Ve
Ze 
Impédance d’entrée ie
Définition : l’impédance d’entrée c’est l’impédance vue entre les bornes de l’entrée de l’amplificateur
R b h11
Ze 
R b  h11
Par définition, on a

VS
Impédance de sortie ZS 
iS
Définition : l’impédance de sortie c’est l’impédance
vue entre les bornes de la sortie de l’amplificateur en
isolant la charge et en court-circuitant les sources de
tension et ouvrant les sources de courant.
Rc
Zs n’est pas fonction de la charge Ru Zs 
  Rc

Montage émetteur commun

Cas de montage sans capacité de couplage Ce

absence de Ce, la résistance Re ne

sera pas court-circuitée comme
indique la figure suivante :

On a :
• Re existe entre l’émetteur E et la masse Vs
• R1 et R2 sont en parallèle
• Rc et Ru sont en parallèle

On remplace maintenant le transistor par son schéma équivalent à l’aide des paramètres hybrides (on prend  = +)

Vs   Rcu
AV  
Ve h11  (1   )R e 

iS R b R C
Ai  
i e Ru  Rc h11  R b  (1   )R e 

Ve R b h11  (1   )R e 
Ze  
ie h11  R b  (1   )R e 
VS
ZS   RC
iS

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Montage amplificateur collecteur commun

Vs Vs

Vs

Montage collecteur commun

Vs   Rcu
Gain en tension AV  
Ve h11  (1   )R e 

iS  R b R CU
Ai  
Gain en en courant i e Ruh11  R b  (1   )R e 

Ve R b h11  (1   )R e 
Ze  
Impédance d’entrée i e h11  R b  (1   )R e 

VS
Impédance de sortie ZS   RC
iS

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Montage amplificateur Base commune

ie iS
βib
ib
Vs

Transistor fonctionnant en régime petits signaux

Cas d’amplitude d’entrée faible. Les fluctuations

restent dans la zone normale d’amplification

Cas d’amplitude d’entrée grande. Les fluctuations

restent dans la zone normale d’amplification