Radio Electricité

Guy Janvier
020 - Connaissance
Aéronefs JAR-FCL
Radioélectricité
VERSION 2
ËOITION 1998 Reproduction intereHte
414466
Programme officiel 0_
Ce programme est extrait du programme des connaissances théoriques CPL(A), IR(A)
et ATPL(A) défini dans l'annexe à l'arrêté du 26 juillet 1999.
Les programmes figurant en première colonne s'appliquent à la licence ATPL, CPL ou à l'IR
respectivement lorsqu'ils sont marqués dans la deuxième, troisième ou quatrième colonne
correspondante.
AVION
ATPL CPL IR
021020000 ELECTRICITE X X X
021020300 Les semi-conducteurs X X

- principe des semi-conducteurs
- résistance (propriétés et application)
- redresseur (fonction et application)
- transistor (fonction et application)
- diode (fonction et application)
021020500 Théorie de base de la propagation des ondes radio X X X
021020501 Principes de base X X X
- ondes électromagnétiques
- longueur d'onde, amplitude, déphasage, fréquence
- bandes de fréquence, bande latérale, bande latérale unique
- battements
- porteuse, modulation, démodulation
- types de modulation (amplitude, fréquence, impulsion,
multiplexage)
- circuits oscillants
021 020502 Antennes X X X
- caractéristiques
- polarisation
- types d'antennes
021020503 Propagation des ondes X X X
- ondes de sel
- ondes d'espace
- propagation selon les bandes de fréquence
- analyse de fréquence
- fading
- facteurs affectant la propagation (réflexion, absorption,
interférence, crépuscule, côte, montagne, parasite)
1
Sommaire
CONNAISSANCE AVION
Semi-conducteurs
Radioélectricité
Pages
01 : PROP AGA TION DES ONDES ELECTROMAGNETIQUES .................... 5

01.01 Ondes électromagnétiques....................................................................... 5
01.02 Propagation des ondes électromagnétiques - Généralités ........................ 7
01.03 Propagation dans l'environnement terrestre............................................. Il
01.04 Résumé des conditions de propagation des différentes gammes d'ondes 22
02 : ANTENNES ............................................................................................................ 25
02.01 Généralités .............................................................................................. 25
02.02 Le doublet ............................................................................................... 25
02.03 Antennes directives.. .......................... ...... ............................................... 27
02.04 Particularités des antennes d'émission..................................................... 31
03: PRINCIPAUX COURANTS ET SIGNAUX UTILISES............................... 33

03.01 Courant continu ...................................................................................... 33
03.02 Courant alternatif sinusoïdal................................................................... 33
03.03 Signaux rectangulaires ............................................................................ 34
03.04 Signaux en dent de scie........................................................................... 34
03.05 Impulsions............................................................................................... 34
03.06 Spectre de fréquence ............................................................................... 35
03.07 Modulation.............................................................................................. 36
03.08 Phénomène de battement......................................................................... 41
04 : SEMI-CONDUCTEURS - DIODES ET TRANSISTORS ............................ 43

04.01 Généralités .............................................................................................. 43
04.02 Jonction PN............................................................................................. 46
04.03 Transistors ... :........................................................................................... 51
Ins'f:H:l1t ';)t" '* * ./

m~z 3
Sommaire
05 : FONCTIONS RADIOELECTRJQUES ........................................................... 57

05.01 Généralités ............................................................................................... . 57
05.02 Alimentation............................................................................................. . 57.
05.03 Amplificatenr ........................................................................................... . 58
05 .04 ' ' tenrs d
Genera '
e sIgnaux .
........................................................................... .. 60
05.05 Multiplicatenrs ......................................................................................... . 61
05.06 Modulatenrs ............................................................................................ .. 62
05.07 Démodulatenrs ........................................................................................ .. 62
05.08 Changenr de fréquence (mélangeuse) ..................................................... .. 63
05.09 Filtrage .................................................................................................... .. 63
06: ANALOGIQUE - NUMERJQUE ...................................................................... 65

06.01 Signaux analogiques ................................................................................ . 65
06.02 Signaux numériques ................................................................................ .. 66
07 : EMlSSION - RECEPTI ON ............................................................................... 71

07.01 L'émettenr................................................................................................. . 71
07.02 Le réceptenr ............................................................................................. .. 74
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4 Les contrevenants s'exposent à des poursuites.
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Chapitre 01 :
PROPAGATION DES ONDES

ELECTROMAGNETIQUES
01.01 ONDES ELECTROMAGNETIQUES
1 - Propriétés
Une onde électromagnétique est caractérisée. par la présence d'un champ

électromagnétique. Ce champ est composé d'un champ électrique "10" et d'un champ
magnétique "H" indissociables et perpendiculaires entre eux ; ils sont également tous les
deux perpendiculaires à la direction de propagation "P".
~~----------~p
Les champs électrique et magnétique sont altematifS et sinusoïdaux, leurs amplitudes

sont en phases (à 10 max correspond H max). . .
Dans le vide (milieu diélectrique parfait) :
- le rapport entre 10 et H est:

.,
~=377obms
.,
IHI
- la vitesse de propagation est:
c =3.108 mis
/
In,U",1 m- **
merOlOz 5
Propagation des ondes électromagnétiques
- - - - - -
01 -
Les propriétés caractérisant l'onde électromagnétique sont donc:
- sa fréquence F en hertz
- sa période T en seconde Ts =~
lk
C
- sa vitesse de propagation v dans le milieu concerné:
vrnls = .Je Il
Dans l'air on considère que v # c= 3.108 mis
- sa longueur d'onde Â en mètre, qui correspond à la distance parcourue pendant un

temps =T:
- sa polarisation, celle-ci est liée au plan contenant le champ électrique E (si le plan de E
est vertical, la polarisation est dite verticale).
E.
V/m
p
direction de
propagation
HA/m
L'énergie d'une onde électromagnétique est d'autant plus grande que sa fréquence est
élevée.
2 • Classification des ondes électromagnétiques
Les ondes électromagnétiques couvrent une très large gamme de fréquences. leurs
caractéristiques sont différentes en fonction de leurs fréquences, c'est pourquoi elles sont
regroupées par familles.
La reproduction du présent document par une personne non autorisée est formellement interdits.
------'-----'--~-'----
01
Ces familles sont dans l'ordre croissant de fréquence:
- ondes hertziennes,
- infrarouge,
- lumière visible
- ultra violet,
- rayons X,
- rayons gama,
- rayons cosmiques.
3 - Ondes hertziennes
Ce sont les ondes hertziennes qui sont utilisées pour les systèmes de radionavigation et de
radiocommunication.
Les ondes hertziennes qui vont de 3 KHz à 3.105 MHz sont également divisées en
gammes de fréquences:
ONDES HERTZIENNES
Fréquence F 3 KHz 30 KHz 300KHz 3 MHz 30MHz 300MHz 3000MHz 3.IO'MHz 3.IO'MHz
Longueur 100 km 10 km 1 km 100m 10m lm 10em lem 1 mm

dtondeÂ
VLF LF MF HF VHF UHF SHF EHF
VeryLow Low Medium High Very Ultra Superior Extra

Frequency Frequency Frequency Frequency High High High Higb
Désignations Frequency Frequency Frequency Frequency
Myriamélri· Kilométri- Hectométri· Déeamétri- Métriques Décimétri- Centimélri- Millimétri-

ques ques ques ques ques ques ques
01.02 PROPAGATION DES ONDES ELECTROMAGNETIQUES-

GENERALITES
1 - Différents milieux de propagation
Un milieu de transmission homogène est caractérisé par sa constante diélectrique s et son

coefficient de perméabilité Il.
Ces coefficients déterminent les réactions du milieu vis-à-vis des champs électriques et
magnétiques et notamment la vitesse de propagation des ondes dans le milieu considéré.
c
v=-- c = 3.10 8 mis
Jiïl
On donne aussi comme caractéristique du milieu la conductibilité cr qui détermine
l'absorption sous forme de chaleur.
Les contrevenants s'exposent à des poursuites. 7
-------
01
Les différents milieux de propagation peuvent se classer de la manière suivante:
- diélectriques parfaits,
- milieux complexes,
- conducteurs parfaits.
2 - Propagation dans les diélectriques
L'absorption produite par un milieu de propagation donné est due aux chocs entre les
électrons libres de la matière et les molécules qui la constituent.
Un diélectrique parfait étant caractérisé par l'absence d'électrons libres à une

conductibilité cr = 0 et l'onde qui s'y propage ne subit aucune absorption. Ce milieu est
analogue à un milieu transparent en optique.
L'air sec est un très bon diélectrique, ce qui permet de considérer que l'affaiblissement de
l'onde n'est dû qu'à sa dispersion dans l'espace au cours de la propagation. La puissance
vane . de 2
. en fionctIOn 1'
.cl
3 - Propagation dans les conducteurs
Lorsqu'une onde électromagnétique pénètre dans un bon conducteur tel le cuivre,

l'absorption est très importante et le champ devient négligeable après un parcours de
quelques millimètres à quelques microns selon la fréquence. Un conducteur parfait est
analogue à un milieu parfaitement opaque en optique. Les ondes électromagnétiques qui
se propagent dans un diélectrique et qui arrivent sur un milieu conducteur peuvent être:
- diffractées,
- réfléchies.
a) Diffraction
Les ondes peuvent contourner certains obstacles par le phénomène de diffraction. Ce

phénomène est dû aux déviations qu'éprouvent les ondes hertziennes en rasant les
bords d'un obstacle de dimensions inférieures ou égales à la longueur d'onde. Ce
contournement des obstacles permet une propagation très au-delà de l'horizon pour
les ondes de grande longueur (VLF, LF, MF).
Onde directe
_-:;;;..--.~ Onde diffractée
0 1
------
b) Réflexion
Pour que la réflexion se produise, il est simplement nécessaire que la surface du

milieu conducteur soit de grande dimension devant la longueur d'onde dans le
sens de la polarisation. Comme en optique, l'angle de réflexion r est égal à l'angle
d'incidence i.
4 - Milieux complexes
Ces milieux sont imparfaitement diélectriques ou imparfaitement conducteurs. Deux

milieux sont particulièrement intéressants au point de vue propagation : le sol et
l'ionosphère.
a) Réflexion à la surface d'un conducteur imparfait
Une partie de l'onde électromagnétique est réfléchie et une autre partie est transmise.
La partie transmise est d'autant plus faible que le réflecteur est un solide bon
conducteur (métal). L'onde transmise subit un changement de direction de
propagation et se trouve absorbée après un parcours dans le conducteur d'autant plus
réduit que la fréquence est élevée.
r' TRANSMISSION
b) Réfraction
Lorsqu'une onde électromagnétique passe d'un milieu (1) à un milieu (2), il peut y
avoir réfleldon dans le milieu (1) et transmission à travers le milieu (2).
C'est le cas lorsque le milieu (1) est l'air et le milieu (2) un conducteur imparfait.
En traversant la surface de séparation, l'onde transmise change de direction de
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0 1
-------
propagation. Ce phénomène est appelé REFRACTION et obéit à la loi de
Descartes:
sm!
--=n
sin r'
n est l'indice de réfraction du milieu (2) par rapport au milieu (1).
La réfraction se manifeste également lorsqu'une onde électromagnétique passe d'un

milieu diélectrique (J) à un autre milieu diélectrique (2). Le cas le plus intéressant se
rencontre dans la haute atmosphère où il existe des charges électriques libres qui en
font un milieu de propagation, différent de l'air. Les ondes électromagnétiques
subissent dans ce milieu une suite de réfractions continues qui, sous certaines
conditions, est équivalente à une réflexion avec retour au sol.
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é_tiq_u_e_s_. __ 01 __
01.03 PROPAGATION DANS L'ENVIRONNEMENT TERRESTRE
1 - Environnement terrestre
Il est constitué comme l'indique la figure Ci-après:
o-----~------Ionosphère
-----=:,,~---~.-- Stratosphère
~~;::;~:::::-~"'-_--...:\- Troposphère
TERRE
2 - Onde de sol
Les valeurs de champ à la surface du sol varient puisque les ondes sont soumises à
différents phénomènes en se propageant au-dessus du sol:
- la réflexion au-dessus des sols conducteurs et des mers,
- l'absorption au-dessus des sols diélectriques,
- la diffraction qui permet une propagation au-delà de l'horizon optique pour les VLF,
LFetMF.
Propagation limitée à l'horizon optique pour les fréquences VHF et supérieures.
la reproduction du présent document par une personne non autorisée est formellement interdite.
Les contrevenants s'exposent à des poursuites.
11
tfi_o_m_8_g_n_é_tl_·q_u_es__.
__P_ro_P_8_g_8_t_io_n_d_e_s_o_nd_e_s_él_e_c_ ·_·0 1
Horizon optique
o
d représente la plus grande distance permettant la vue directe entre les points A et A' pour
la hauteur considérée.
d#.J2 Rh avec d, R et h utilisant la même unité.
En pratique on utilise la formule suivante:
d NM = 1,23 ..jfïft
ou d NM = 1,23 (~hA ft + ~hA' ft) Si A n'est pas au niveau de la mer
3 - On de directe
C'est l'onde qui permet la liaison directe entre deux stations situées dans la troposphère
et/ou la stratosphère. Ses caractéristiques sont stables et l'affaiblissement réduit.
4 - Onde d'espace
a) Ionosphère
Il existe dans l'atmosphère, entre 60 et 500 km d'altitude, des charges électriques

libres qui en font une région plus conductrice que le milieu de propagation
diélectrique des altitudes inférieures. Les ondes électromagnétiques subissent dans
cette région une suite de réfractions qui dans certaines conditions est équivalente à
une réflexion et permet le retour au sol.
On désigne sous le nom d'IONOSPHERE la portion de l'atmosphère où les charges

électriques libres se manifestent avec une densité appréciable.
12 Les contrevenants s'exposent à des poursurtes.
__
P_ro_p_a_g_a_t_io_n_d_e_s_·_on_d_e_s_él_e_c_tfi_Om_·_a_g_n_ét_iq_u_e_s__ 01 __
Causes d'ionisation
Les causes d'ionisation de la haute atmosphère sont:
- la PHOTOIONISATION due aux rayons lumineux et ultraviolets du soleil,
- l'IONISATION PAR PARTICULES SOLAIRES (ions et électrons),
- les METEORITES.
Variations des causes d'ionisation
On conçoit que la PHOTOIONISATION liée aux rayons lumineux soit une cause
d'ionisation d'autant plus importante que le soleil approche du ZENITH. L'ionisation
est donc plus importante le JOUR que la NUIT et l'ETE que l'HIVER. Des variations
importantes se produisent au lever et au coucher du soleil.
L'activité solaire est aussi une cause de variations qui agit sur l'IONISATION PAR
PARTICULES ELECTRISEES. Au cycle solaire de période 11 ans correspond un
cycle de variation de l'ionisation dont les maxima coïncident. Des variations
temporaires et erratiques se superposent à ce cycle et créent des anomalies
d'ionisation.
Formation de plusieurs couches
La constitution de l'atmosphère change lorsque l'altitude augmente et l'azote,

l'oxygène moléculaire ou dissocié, l'ozone, l'hydrogène et les gaz rares s'étagent en
une suite compliquée d'équilibres différents. Certains de ces gaz s'ionisent plus
facilement que d'autres, d'où l'apparition dans l'ionosphère de régions ou couches où
l'ionisation est plus importante.
Ces couches de l'ionosphère sont repérées par les lettres D, E et F et leurs ionisations
sont différentes.
Dans ces régions où la pression atmosphérique est très faible, le libre parcours moyen
entre atomes est relativement important et le processus de recombinaison entre ion
(+E) et électron (-e) est très lent. Ceci explique un décalage entre les variations des
causes d'ionisation et les variations propres de l'ionisation.
les contrevenants s'exposent à des poursuites.
13
---~--
01
ALTITUDE ET JONISATION DES COUCHES DE VIONOSPHERE
Z (km)
600
JOUR (Hiver)
500
JOUR (Eté)
400 \
NUIT
1
300 .. ;'
200
) F
.
/
,1
,/ .
100 . ~ .-=:~
--0-
\
• .;. D Jour
.
,.
+ ___':,-__->r.,,-_ _+,_ _:-';,,-_-Jo..N (électrons/m3)

109 101 1Ol! 101
b) Effet d'une couche ionisée
- REFRACTION
La constante diélectrique de l'ionosphère est inférieure à celle de l'air et l'onde

électromagnétique passant de l'air à l'ionosphère est soumise à la réfraction.
La réfraction diminue lorsque la fréquence de l'onde est plus élevée. Les

fréquences basses peuvent retourner au sol, les fréquences très élevées partent vers
l'espace interplanétaire après avoir subi une légère déviation.
- ABSORPTION
On sait que l'absorption dans l'ionosphère est d'autant plus grande que la
fréquence est basse pour une pression et une ionisation donnée. On sait aussi que
pour une fréquence donnée et une ionisation donnée, l'absorption est d'autant plus
grande que la pression est élevée. Il en découle que la plus basse des couches
ionisées apportera une très grande absorption sur les très basses fréquences (VLF)
et les basses fréquences (LF). Les fréquences élevées la traverseront avec une
absorption réduite ou nulle.
Propagationées ondes électromagnétiques
----'----~--
01
-CONDITONS DE RETOUR AU SOL
- Fréq uence critique
La fréquence critique est la fréquence la plus élevée susceptible d'être réfléchie

à incidence normale (c'est-à-dire à angle d'incidence nul) par une couche
d'ionisation donnée.
Les fréquences critiques des différentes couches ionisées se situent entre

0,7 MHz et 12 MHz.
- Angle critique
Si on considère une fréquence f> fc, l'angle d'incidence critique est l'angle
le plus petit qui permet à cette fréquence d'être réfléchie sur une couche
donnée. Si l'angle d'incidence est plus faible que ic, la couche est traversée, si
l'angle d'incidence est supérieur à ie, il Y a réflexion.
Couche ionisée
DISTANCE DE SAUT
c) Tableau récapitulatif
D E F
JOUR NUIT JOUR NUIT JOUR NUIT
ALTITUDE (km) 60/80 - 110 80/110 250/450 250
REFLECHIES
VLF-LF - HF
VLF - LF
HF HF
HF - VF
ONDES
REFRACTEES 2: HF - 2:VHF 2: HF 2:VHF 2:VHF
fc 200 à 900KHz - 3 MHz 1 MHz 6à 12 MHz 4à5MHz
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15
-'--'-------
01 -
d) Prévisions ionosphériques
- FREQUENCE MAXIMUM UTILISABLE - MUF -
On connaît approximativement les fréquences critiques des différentes couches

ionisées en fonction des conditions journalières et saisonnières. Il est donc
possible de faire des prévisions variables pour assurer les liaisons à grande
distance en ondes décamétriques. .
Lorsqu'une liaison doit s'effectuer et que le trajet entre émetteur et récepteur peut
s'envisager avec un seul saut sur la couche E ou la couche F, on recherche dans les
tables ou les courbes de prévision, la fréquence critique de la couche choisie.
Connaissant la hauteur de la couche, on en tire l'angle d'incidence minimurn qui
est l'angle critique et on applique la formule:
f= --.!L
cosi c
La fréquence trouvée est la plus élevée permettant d'effectuer la liaison. EUe est
appelée FREQUENCE MAXIMUM UTILISABLE (maximum usable frequency,
MUF).
- FREQUENCE OPTIMUM DE TRAFIC - FOT-
Pour les longs parcours, on divise l'arc de grand cercle joignant les stations en
tronçons réguliers représentant les sauts nécessaires. On tient compte que les
réflexions sur mer sont préférables au point de vue absorption. On recherche les
fréquences critiques des différents points de réflexion sur les couches en fonction
des conditions locales de chacun de ces points, on recherche les MUF, on prend la
plus petite et on en tire la fréquence optimum de trafic (FOT) .
. FOT # 0,85 MUF
Cette formule permet d'obtenir une FOT suffisamment éloignée des valeurs
critiques et toujours supérieure à la fréquence la plus basse utilisable LUF (Lowest
Usable Frequency) plus difficile à évaluer.
- PREVISIONS
Différents organismes publient des graphiques généralement valables un mois qui

permettent de trouver les fréquences à utiliser pour effectuer des liaisons dans des
régions données et pour des portées définies. La Division des Prévisions
Ionosphériques du Centre National d'Etudes des Télécommunications publie en
France ce genre de graphique dont un exemple est donné ci-après.
16 les contrevenants s'exposent à des poursuites.
\J
\5'W 0" 3Q"E 45:"E 165Cf. d
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DCTOBRE 1993 (Q
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13" 13351 kHz
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17 .. F916kHz
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prélérenllelle. (pour affichage
8U sol
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f
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7".111
sur codeul <1 Aerocull ,,~ (1)
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~
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EXEMPLCffAm[
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...• ici AF 194 Sur
13 Meg.
45"5 Antenne06
.- Seniice' Prévisions Ionosphériques

-l
0 1
------ -
MHz
EUROPE
1500 km
20 MUF
15
6 12 18 24 Heure locale
On retiendra que pour effectuer des liaisons à grande distance (supérieures à

2 000 km) en ondes décamétriques, il faut utiliser généralement les fréquences
suivantes:
de JOUR: f> 10 MHz
deNUIT: f<10MHz
5 - Anomalies de propagation
a) Fading
Ce phénomène est une interférence due à la réception d'une émission dont les ondes
ont suivi des trajets différents. Il est surtout sensible en ondes kilométriques et
hectométriques la NUIT, lorsque le signal reçu en onde d'espace est d'amplitude
non négligeable par rapport à l'onde de sol. Les conditions de réflexion sur
l'ionosphère étant généralement fluctuantes, le déphasage entre l'onde de sol et l'onde
d'espace est continuellement variable. Le signal résultant est donc instable en
amplitude et en phase. Les dispositifs ANTIFADING des récepteurs pallient dans
une certaine mesure la fluctuation d'amplitude.
b) Fading sélectif
Ce phénomène affecte les liaisons radiotéléphoniques (A3) en ondes décamétriques.

Il se produit lorsque les conditions de réflexion sont très instables. Il résulte de trajets
d'absorptions différentes pour la fréquence portenseet les bandes de fréquences
latérales (fc dans le spectre de l'émission). Le spectre de l'onde reçue est alors
différent du spectre de l'onde émise et il y a déformation pIns ou moins importante de
l'information. Il est possible d'atténuer fortement cet inconvénient en utilisant des
liaisons en Bande Latérale Unique (BLU).
La reproduction du présent document par une personne non autorisée est fonnellement interdite.
-~----
01 -
c) Zones de silence
C'est la zone dans laquelle on ne reçoit plus l'onde de sol et pas encore l'onde
d'espace lorsqu'on effectue des liaisons en ondes décamétriques sur des fréquences
supérieures à la fréquence critique de la couche utilisée. Cette Zone est d'autant plus
large que l'angle critique est grand, Cette zone est une couronne théoriquement
circulaire centrée sur l'émetteur.
1>le
lire onde d'espace
Onde de sol
Les obstacles conducteurs peuvent également générer des zones de silence si leurs
dimensions sont supérieures à la longueur d'onde de l'émission.
d) Perturbation ionosphérique à début brusque (PIDB)
On observe assez souvent des orages ionosphériques de durée très variable (quelques
minutes à plusieurs jours) pendant lesquels l'ionosphère est profondément perturbée.
Les orages sont en relation étroite avec les éruptions solaires qui produisent des
émissions anormales de rayons ultraviolets et de particules électrisées. Il y a
augmentation brutale de l'ionisation des différentes couches et apparition des
phénomènes suivants :
- interruption de toutes les liaisons par ondes décamétriques sur une partie du globe,
l'état normal revenant progressivement après un temps variable de quelques
minutes à quelques heures. Ceci résulte de la réflexion par la couche D de tous les
signaux se réfléchissant normalement sur les couches E et F,
- renforcement d'ondes d'espace sur les grandes longueurs d'ondes.
e) Changement de direction de propagation (effet heilitag)
Au lever et au coucher du soleil, des variations importantes se manifestent dans

l'iouisation des couches. Une couche peut se comporter comme un plan incliné et le
rayon réfléchi sort du plan défini par la verticale et le rayon incident.
Lorsque la réception de l'onde d'espace est importante, ce phénomène est une cause
d'erreur pour la radiogouiométrie. Des erreurs allant jusqu'à 20 ou 30 degrés peuvent
se produire dans ces conditions en Gonio LF et MF.
19
0 1
- - - - - - -
1) Superréfraction
En atmosphère standard, l'indice de réfraction de la troposphère varie légèrement

avec l'altitude car pression, température et humidité décroissent régulièrement
lorsque l'altitude augmente.
Par suite de différents phénomènes météorologiques, la distribution de la température

et de l'humidité, donc celle de l'indice de réfraction, s'écarte des lois de décroissance
standard. Des zones d'inversion de température amènent des brusques variations de
l'indice de réfraction et pour des angles d'incidence importants, les VHF et UHF
peuvent être réfléchies. Il en résulte des portées anormalement grandes pour ces
ondes. Ce phénomène irrégulier apparaît surtout l'été au-dessns des mers chaudes.
6 - Le bruit radioélectrique
La portée des ondes radioélectriques se trouve limitée non seulement par la valeur
absolue du champ électromagnétique utile au lieu de réception, mais surtout par le rapport
entre l'amplitude du signal utile S et l'amplitude du bruit parasite b.
Plus le rapport : à la sortie du récepteur est grand, plus l'information contenue dans le
signal utile est clairement perçue.
a) Origines du bruit
Le bruit perçu à la sortie d'un récepteur est dû à des causes internes et à des causes
externes.
Causes internes
Les bruits internes au récepteur proviennent des mouvements électroniques

irréguliers dans les tubes électroniques, les transistors ou les éléments de circuits,
particulièrement les résistances. Les bruits internes peuvent être minimisés par un
choix judicieux des composants et une réalisation soignée des circuits.
Causes externes
Les bruits externes au récepteur ont des origines artificielles comme les parasites
industriels ou des origines naturelles comme les parasites atmosphériques.
Le bruit d'un récepteur travaillant dans une gamme donnée est directement lié à la
largeur de bande passante.
Plus la bande passante des fréquences reçues sera large, plus on recevra de bruits; il
est donc nécessaire de la limiter au minimum nécessaire.
b) Parasites artificiels
Les parasites artificiels sont engendrés par les appareillages électriques tels que les
moteurs, contacteurs, tubes luminescents, systèmes d'allumage des moteurs et en
général tous les circuits créant des arcs électriques.
0 1
--,--------- -
Il est possible de réduire les parasites industriels par un choix judicieux du type de
matériel employé et par le blindage des dispositifs susceptibles d'en produire.
c) Parasites naturels
Parasites extra-terrestres
Ils sont produits par le SOLEIL, la VOIE LACTEE ou d'autres étoiles et des régions
du ciel .hors de portée des télescopes, d'où le développement de la
RADIOASTRONOMIE.
Ces parasites se rencontrent dans les bandes de fréquence élevées, tels les VHF et
UHF. Le niveau des parasites extra-terrestres est assez faible.
Parasites de précipitation (Troposphère)
Ils se manifestent à bord des avions et sont dus aux décharges statiques lorsque
l'avion vole dans la pluie ou la neige électriquement chargée.
Ils sont surtout gênants dans la bande HF et peuvent interdire temporairement toute
réception.
Parasites atmosphériques (Troposphère)
Ils se présentent sous la forme de perturbations électriques apériodiques ou

oscillatoires fortement amorties. Leur encombrement spectral est très important et
leur durée est généralement brève. Ils sont produits pas des décharges électriques
dans les orages (cumulo-nimbus) et leur amplitude à la source est extrêmement
importante.
Les parasites atmosphériques sont des signaux complexes dont les composantes
fondamentales se situent sur les très basses fréquences et dont le spectre s'étend
jusqu'à la gamme HF.
Le niveau des parasites atmosphériques est plus important:
a) sur les fréquences basses

b) la nuit que le jour (de jour la couche D absorbe)
c) l'été que l'hiver (orages)
d) aux latitudes basses (orages)
e) au-dessus des terres
La reproduction du présent document par une personne non aulorisée est formellement Interdtte.
21
---'-------
01 -
~ (J'VI
1000
100
ARTWICIEI,s IyILLE) ~
10
0,1
__; -____ ~ __ ~ ____ ~ ____ ~ __ ~ ____ ~ ________ ~ __________ ~ __ ~f
10 IUiz 100kHz 1 MHz 10 MH. 100 MHz 1000 Mnz
NIVEAUX DES BRUITS DANS UNE BANDE DE l' KHz - LATITUDES TEMPEREES
01.04 RESUME DES CONDITIONS DE PROPAGATION DES

DIF'FERENTES GAMMES D'ONDES
1 . Ondes myriamétriques . VLF
Les ondes VLF se propagent à très grimde distance dans l'équivalent d'un guide d'ondes
sphérique borné par la surface du sol d'une part et par les premières couches ionisées de la
haute atmosphère d'autre part. Compte tenu de la grande valeur de la longueur d'onde
relativement à la hauteur moyenne de ce guide, seul un mode principal est transmis avec
une atténuation faible à grande distance, ceci évitant les interférences des modes ou même
les combinaisons de multiples trajets qui affectent la propagation des fréquences plus
élevées.
Cependant l'atténuation et la vitesse de propagation sont affectées par les caractéristiques

électriques des parois du guide : '
- conductivité des sols,

- hauteur et densité des premières couches ionisées, dépendant elles-mêmes de
l'éclairement et du rayonnement solaire,
- intensité et orientation relative du champ maguétique terrestre.
Le niveau des parasites atmosphériques est très important dans cette gamme.
__P_li_op_8_g_8_t_io_n_d_es_o_n_d_es_é_le_c_tli_o_m_8_g_n_é_ti_q_Ue_s_ _ O1 __
Les antennes sont de très grandes dimensions et de mauvais rendement. TI est
pratiquement impossible d'obtenir un effet directif.
Les ondes sont obligatoirement de polarisation VERTICALE. Seules ces ondes pénètrent
suffisamment l'eau de mer pour permettre des liaisons à faible profondeur.
2 • Ondes kilométriques· LF
Bonne propagation de l'onde de sol (DIFFRACTION). La nature du terrain intervient sur

la portée qui est supérieure de 10 à 30 % sur mer.
L'onde d'espace est absorbée de JOUR par la couche D. Une onde réfléchie par la couche
E apparaît la nuit et augmente la portée. Le champ total résultant la NUIT est stable et
dépend surtout de l'onde de sol à petite distance de l'émetteur. A moyenne distance, les
ondes de sol et d'espace peuvent être d'amplitudes comparables et un FADING important
peut se manifester. A grande distance, l'onde d'espace est prépondérante, son niveau est
souvent fluctuant mais la portée est plus grande que le JOUR (2 à 3 fois).
De JOUR sur TERRE, une portée de 1 000 km peut être obtenue avec une pnissance
rayonnée de l'ordre de 10 kW.
Le niveau des parasites atmosphériques est important dans cette gamme.
Les antennes sont de dimensions importantes (~) et de rendement assez faible (20 à
30%).
TI est difficile d'obtenir un effet directif.
3 • Ondes hectométriques· MF
L'effet de diffraction est encore assez importante dans cette gamme. La portée est notablement
supérieure sur MER que sur TERRE (+ 30 % à 300 kHz. multipliée par trois à 2 MHz).
L'onde d'espace est absorbée le JOUR par la couche D et réfléchie la NUIT par la couche
E. La portée, notablement augmentée de nuit par la réflexion sur l'ionosphère, ne permet
qu'une utilisation radiogoniométrique prudente à cause de l'incertitude sur le trajet de
l'onde d'espace.
L'influence des obstacles terrestres devient sensible et des absorptions ou des réflexions
parasites peuvent intervenir.
Dejour sur terre, une portée de quelques centaines de kilomètres peut être obtenue avec
une puissance rayonnée de l'ordre de 1 kW.
Le niveau des parasites atmosphériques est encore élevé dans cette gamme.
Des effets directifs modérés peuvent être obtenus avec des antennes de rendement moyen
(50 %).
Polarisation VERTICALE.
------
01 -
4 - Ondes déca métriques - HF
L'onde de sol est assez vite absorbée et les portées sont peu intéressantes.
L'onde d'espace existe toujours soit par réflexion sur la couche E, soit par réflexion sur la
couche F sous rayonnement oblique. Un saut sur la couche F peut atteindre 4 000 km et
par bonds successifs l'onde peut se propager à des distances considérables.
La puissance d'émission devient un paramètre secondaire car le problème essentiel d'une liaison
est le choix de la fréquence compte tenu de la portée à obtenir et de l'état de l'ionosphère. Les
prévisions ionosphériques sont indispensables (choix de la MUF et de la FOl).
Les fréquences à utiliser de JOUR et de NUIT pour une liaison donnée sont différentes à
cause des variations de l'ionosphère.
Le niveau des parasites atmosphériques est souvent assez faible dans cette garmne.
Les antennes peuvent être assez directives sans encombrement prohibiti[ Leur rendement
est satisfaisant (:::: 80 %).
Les ondes sont de POLARISATION VERTICALE ou HORIZONTALE.
5 - Ondes métriques - VHF
La propagation de ces ondes est quasi optique: dNM = 1,23 ~ hft

Les obstacles terrestres produisent des réflexions généralement pénalisantes en radionavigation.
L'ionosphère est traversée par ces fréquences, sauf anomalies passagères.
Les antennes peuvent produire des rayonnements directifs avec des dimensions modérées.
Leur rendement est bon.
Les puissances utilisées sont faibles ( :::: 10 W).
Les parasites atmosphériques sont très réduits dans cette garmne mais quelques parasites
extra-terrestres.
Ondes de POLARISATION VERTICALE ou HORIZONTALE.
6 - Ondes décimétriques - UHF

Portée quasi-optique.
Absorption importante par le SOL.
Pas de réflexion sur l'ionosphère.
Antennes directives aisément réalisables.
Très faible niveau des parasites atmosphériques mais parasites extra-terrestres.
Réflexions par de nombreux obstacles (RADAR).
Polarisation VERTICALE ou HORIZONTALE.
7 - Ondes centimétriques - SHF

Idem UHF, plus :
Portée optique.
Réflexion par petits obstacles (RADAR météorologique).
Antennes
-------:--- 02 -
Chapitre 02 :
ANTENNES
02.01 GENERALITES
Les antennes sont des transformateurs d'énergies :
- à l'émission énergie électrique .. énergie électromagnétique,
- à la réception énergie électromagnétique .. énergie électrique.
Des théorèmes de réciprocité permettent de démontrer qu'il y a symétrie des propriétés d'une
antenne à l'émission et à la réception.
02.02 LE DOUBLET
L'étude des propriétés des antennes se fait à partir d'un DOUBLET qui est un élément de
conducteur parcouru par un coUrant de haute fréquence. Sa longueur est petite devant la
longueur d'onde et l'on considère que la valeur maximale du courant est la même tout le long
de l'élément.
1 - Diagramme de rayonnement
Lorsqu'une énergie électrique est appliquée à un doublet, un champ électrique et un

champ magnétique apparaissent dans le milieu diélectrique qui l'environne. TI s'agit d'un
rayonnement électromagnétique.
Si le doublet est vertical, le champ électrique e et la polarisation de l'onde sont verticaux .

. n sont horizontaux pour un doublet horizontal.
La mesure du champ électromagnétique, produit par une puissance d'émission constante,
=
dans toutes les directions autour de l'antenne (distance constante) permet de counaître
la répartition du rayonnement.
La représentation du rayonnement est appelée DIAGRAME DE RAYONNEMENT.

Comme il faut représenter un volume, on utilise des coupes suivant deux plans
perpendiculaires. .
/.
lmütu!,.. '* *
merJ)l(Jz
Antennes
--'-------
02 ---'"
Doublet
vertical
J Plan
polarisation l P yertical
verticale
P Plan
horizontal
La longueur du vecteur (e ou e') correspond à l'amplitude du champ mesuré et

l'orientation du vecteur à la direction dans l'espace.
L'amplitude étant la même pour toutes les directions dans le plan horizontal, on dit que
l'antenne est OMNIDIRECTIONNELLE.
On appelle SURFACE D'ONDE, l'ensemble des points atteints par l'onde à un instant
donné. Le FRONT D'ONDE est le plan tangent à la surface d'onde en un point donné de
l'espace.
2 - Action du sol ou d'un réflecteur au pied de l'antenne
La présence d'un sol conducteur ou d'un réflecteur entraîne une réflexion des ondes qui
viennent renforcer le rayonnement au-dessus du sol. La partie non réfléchie est absorbée
et le diagramme de rayonnement d'un doublet vertical situé au-dessus du sol ou d'un
réflecteur est le suivant:
Antennes
-----------'.
02 -
~ "- ...". ,
Plan horizontal
"
02.03 ANTENNES DIRECTIVES
1 - Principe
Si l'on prend 2 antennes distantes de iJ2 alimentées par des courants de même amplitude
et en phase.
Les champs rayonnés se combinent et donnent un champ résultant dont le diagramme de

rayonnement est le suivant:
Plan horizontal
A~M~
----=-~---
02 -
Pour D= 0,1 1. et un déphasage de 7t
Plan horizontal
La combinaison des deux émissions revient à renforcer les champs dans des directions
privilégiées, le diagramme de rayonnement est dit DIRECTIF. Les éléments (longueur
antenne, déphasage, distance, etc... ) permettant de réaliser une émission directive, n'étant
pas parfaits, il y a toujours des lobes secondaires en plus des lobes principaux.
_ _"7
Lobes principaux
Lobes secondaires
2 - Gain d'antenne
Dans les directions privilégiées des champs plus importants qu'avec une antenne
omnidirectionnelle sont reçus pour une même puissance d'émission. Le gain d'une
antenne est calculé par rapport au doublet.
Gain d'une antenne directive en considérant la puissance P nécessaire pour obtenir les
mêmes amplitudes de champs daus la direction privilégiée qu'avec un doublet P ref.
ou en décibels:
Gdb =10 log P ;efw

w
Si la même puissance était utilisée, le gain s'exprimerait en considérant les amplitudes des
champs:
E V/m
Gdb=201og ErefVI m
------ 02
Antennes
-
3 - Angle d'ouverture
Emax
Emax
fi
Dans un diagramme directif les champs ont une amplitude variant suivant la direction
avec un maximum dans la (ou les) direction(s) privilégié(s) & max. il est définie une
valeur limite E
ax
7ï
au dessous de laquelle le signal est considéré comnie insuffisant.
Cette limite pennet de définir l'angle d'ouverture dans lequel le champ reçu est supérieur
• Emax
a ..fi .
4 - Exemples d'antennes directives
- Réseau d'antennes
En réalisant un réseau d'antennes alignées, on obtient un diagramme d'autant plus

directif (angle d'ouverture faible) que le nombre d'antennes est important. Exemple
7 antennes distantes de '),j2.
x
x
Il est possible de supprimer un lobe en plaçant un deuxième réseau réflecteur (idem

miroir) à nne distance de '),j4.
Réseau réflecteur Réseau rayonnant

. 'x-/"
xx
x
x
~
::=t"/2
.
Exemple d'utilisation = ILS
Antennes
~-----
02 -
- Antenne YAGI
Brins directeurs
Antenne longueur ïJ2
Antenne
-
Direction
privilégiée
Réflecteur l> ïJ2
Brins directeurs longueur

de plus en plus petite < ïJ2
Réflecteur
Le diagramme de rayonnement a la même forme que celui d'un réseau avec réflecteur.
On augmente la directivité en augmentant le nombre de brins directeurs.

Utilisation en VHF, UHF.
Exemple d'utilisation = télévision.
- Antenne cornet à réflecteur parabolique
Utilisée en ondes très courtes (minimum UHF) le cornet placé à l'extrémité du guide
d'onde, en regard du centre de la parabole, constitue l'antenne. Sa section variable
permet l'adaptation progressive entre l'impédance du guide d'onde et celle du milieu de
propagation.
i:::~~~~§~~GUide d'ondes·
Réflecteur
(parabole métallique)
.Cornet (an~enn&J
* nn guide d'ondes est un tube rectangulaire dans lequel les ondes se déplacent par
réflexion entre l'émetteur/récepteur et l'antenne.
L'émission déjà directive du cornet est réfléchie et concentrée par la parabole. L'angle
d'ouverture du diagramme de rayonnement est de 2 à 3°.
Exemple d'utilisation: radar
30 les' contrevenants s'exposent à des poursuites.
Antennes
------
02 -
- Antenne à fente
Utilisées également en ondes très courtes, elles sont constituées par des fentes (longueur
«Â.) ménagées dans la paroi d'un guide d'ondes. Un grand nombre de fentes est
équivalent à un réseau et permet un effet directif très prononcé. Ces fentes peuvent
également être réalisées sur une surface permettant d'obtenir un faisceau très étroit,
comme avec une parabole. Il est même possible de déplacer le diagrarmne directif sans
bouger l'antenne, simplement en modifiant la phase d'alimentation des différentes
antennes.
Emax
Fente ,A E'max
Rotation du 1
diagramme
...... 1
+A+ ---. ....... 1
-. ....... -A+
......
Les commandes de déphasage sont numériques, pas à pas, avec des pas suffisannnent
petits pour donnerl'impression d'une rotation continue.
Exemples d'utilisation = radars, MLS.
02.04 PARTICULARITES DES ANTENNES D'EMISSION
A l'émission des puissances plus ou moins importantes sont en jeu, aussi recherche-t-on un
rendement maximum. Le rendement maximum est obtenu lorsque l'antenne travaille en
ONDES STATIONNAIRES, c'est-à-dire lorsque le courant est maximum au point
d'alimentation et nul à l'extrémité et inversement pour la teusion.
..
Une telle répartition 1 et U apparaît lorsque la longueur de l'antenne est en rapport avec Â., sur
la figure R. = Â.l2. On obtient le même résultat avec des longueurs de Â.l4, 3 Â.l4, Â. etc...
Si l'antenne ne travaille pas en ondes stationnaires, une partie du signal n'est pas émise et
retoume vers l'émetteur (ondes réfléchies).
31
------ 02
Antennes
-
A fréquences élevées (VHF et au-dessus) dans une bande d'utilisation, la variation relative de
fréquence à f est faible ; il en va de même pour Â. aussi une antenne est-elle pratiquement
f
adaptée pour toute la bande de fréquence d'utilisation (ex: 108 MHz à 118 MHz).
Pour les fréquences inférieures ce n'est plus le cas aussi serait-il souhaitable de modifier la
longueur de l'antenne pour l'adapter à la fréquence de travail. En pratique il est plus simple
d'avoir une antenne de longueur fixe dont on modifie la longueur apparente en ajoutant des
selfs ou des capacités. Ceci s'appelle l'accord de l'antenne qui donne une longueur apparente
adaptée à la fréquence du signal à émettre.
- Une self (inductance) à la base de l'antenne la rallonge.
- Une capacité (condensateur) à l'extrémité de l'antenne la rallonge.
- Une capacité à la base de l'antenne la raccourcit.
Nota: Les lignes qui acheminent le signal de l'émetteur à l'antenne ne doivent pas rayonner,
elles travaillent en ONDES PROGRESSIVES.
32 1 oC! O'V\ntrOUQn~nt<! ~'A~Rnt il nAJ:: nnlln:tuites._
Principaux courants et signaux utilisés
------
03" -
Chapitre 03 :
PRINCIPAUX COURANTS ET SIGNAUX UTILISES
03.01 COURANT CONTINU
Uv U - tension en Volt (V)

Constant
1 - courant en ampère (A)
,Variable
R - résistance en ohm (0)
P - puissance en Watt (W)

o tm
Rappel Uv =Rn lA
Exemple d'utilisation =alimentation montages électroniques, etc...
03.02 COURANT ALTERNATIF SINUSOÏDAL
Uv A - amplitude correspond à U max
+Umax +-...,......... Z - impédance en ohm (0)

_ 01
Umax
A U efficace (U eff) = ..fi
Valeur moyenne d'une alternance :

Umax
Umoy="--"""';;;
- Umax +-___~.J./ 1t
T Tsec période en seconde
FHz fréquence en Hertz = _1_

Tsec
=
Pulsation 0) en radian/seconde Iïlradlsec 2 1t F
Phase <P, décalage du signal à l'origine (rot + <P)
=
Valeur instantanée de tension ui U max sin (rot + <P)
Exemples d'utilisation : production et transport d'énergie électrique, oscillation, ondes

électromagnétiques, etc... .
__.
L"l.titut "'. '* *
m,ermoz 3
~-----
03 -
03.03 SIGNAUX RECTANGULAIRES
Omaxi Amplitude Av = U max - U mini
A Période Tsec = tl + t2
h t2
'-- Fréquence FHz
. Omini
T tl
Rapport cyclique r = -
t2
Exemples d'utilisation = comptage d'objets, circuits logiques, etc...
03.04 SIGNAUX EN DENT DE SCIE

Omaxi
Amplitude Av =U maxi - U mini
Période T sec
Fréquence FHz
omini
tz Croissance linéaire de tension (tl # 1)
T puis retour à U mini (t2 « 1)
Les dents de scie peuvent être croissantes ou décroissantes, il est également possible d'avoir
des dents de scie symétriques.
Exemples d'utilisation = balayage d'écran cathodique, modulation de la fréquence d'émission
dans les sondes basse altitude.
03.05 IMPULSIONS
omax! Amplitude Av =U maxi - U mini
Période de récurrence Th
il-
A
Fréquence de récurrence FR = _1_
'--
Th
omini Durée de l'impulsion e «Th
fi
"
En regnne d" Impul'SIOns, la pmssance
. , fiaI'ble. Le rapport --.
moyenne est tres Puissance
- - -moyenne
"---
Pmssance de crête
.
est proportionne l'a - e .
TR
------
03 -
03.06 SPECTRE DE FREQUENCE
Le théorème de FOURIER permet de démontrer que tout signal périodique correspond à la

somme d'un ou plusieurs signaux sinusoïdaux.
Une des composantes a la même fréquence que le signal, c'est la FONDAMENTALE.
Les autres composantes ont des fréquences multiples (2 f, 3 f, ... n Q, ce sont les
HARMONIQUES.
La représentation graphique (amplitude/fréquence) de l'ensemble des composantes est appelée

SPECTRE DE FREQUENCE.
Exemple Y = 5 sin rot + 2 sin (3 rot -1t/2)

, YI " '/2 '
- Spectre de fréquence
Av
Y1
5
Y2
F 2F 3F fHz
- Forme du signal
, S(Jf11f11~ dt III. f()l"m~ '5sin (.0) t .,. 2$ill ( 3wt - f J
35
- - - - - -
03
-
Autres exemples de spectres:
- courant alternatif sinusoïdal = une composante, la fondamentale;
signal rectangulaire périodique = spectre s'étalant théoriquement jusqu'à l'infini mais

l'amplitude des harmoniques diminue avec la fréquence.
03.07 MODULATION
La modulation sert à placer un signal information sur un signal porteur qui permet de le
"transporter" .
Le signal information a en général une fréquence inférieure à 15 KHz (exemple: parole

gamme 300 Hz à 3 000 Hz).
Le signal porteur est la plupart du temps une onde hertzienne.
La porteuse (onde hertzienne) a ses caractéristiques propres : amplitude, période, fréquence.

On jouera sur l'une d'elles pour placer (modulation) le signal information.
C'est pourquoi l'on trouve trois types de modulation différents :
- modulation d'amplitude - "A",
- modulation de fréquence - "F",
- modulation en impulsions - "P".
REPRESENTATION:
(Voir page suivante)
PARTICULARITES DE CHAQUE TYPE DE MODULATION:
1 - Modulation d'amplitude AM (Amplitude Modulation)
Caractérisée par la lettre A qui est complétée par un chiffre et une lettre, exemples:
Ao - porteuse seule
AJA - télégraphie porteuse coupée au rythme du morse
MA - télégraphie porteuse modulée à fréquence audible (- 1000 Hz) coupée au

rythme du morse
------
03
-
Op
Porteuse
fréquence fo
o t
Ui
Information I~
I~--~I---~
o t
1
Upm
1 1 \ \
Umaxi '- - - -;:;. =;::-.,........-11,.-- -;=- - - _1- - - - __ ~ - - - - _1
Porteuse .; .,. ~ 1 r-" ,.." 1 1 \
modulée Uo./ "" 'f:.. -=-'--
- -.1,
- - - __ ~ '"
T
Umini
."
71 fi 7\7\ h-r 7F '" ,... ;-
o t
Upm fo fmaxi fo fmini fo

Porteuse r" (lf1
modulée
"F"
0 t
IJ \) V 'v
v"
Dpm
1-- .,.,.-/ -....-.- -=..-".- "'--~-'-r-- r- r- -,....- - - - - - - - - -- - - - -- -
Porteuse
modulée ? 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- ~ r::::- - - - - - - -- -- -?".....
"r-
"P"
1-1-1-1-1-1-
Ol-I-!-I-
1- 1- 1-1-1-
1-1-1-1-1-1-1-1-1-1- 1-
1-!="rr-lF"n-rr-
'iJ::.1L
If
.1L-Y:::1l:
r: . . . 1-1-1-
1-
".. .
1-
t
J.....I-L- ' - ' - ....
,,1-1-- 1- i- - - f-- 1-1- 1- V- ~- - - - - - - - "::,.
''- J.-.L--
l - - - -...-=::...-. - L-.b- =-l-1.-
________ -- _________ _
- - - - - -
03
-
A3 - radiodiffusion et téléphonie porteuse modulée par la musique et/ou la parole
A4-As - transmission d'images
Formule du signal porteur (fo, 000) modulé en amplitude par un signal information
sinusoïdal de fréquence F et pulsation Q ..
Uv = U o sin mot (1 + m sin 1.1 t)

Uo m Uom
ou Uv = U o cos mot + -2- cos (000 - 1.1) t + -2- cos (000 + 1.1) t
Tauxdemodulation m= Umax-U o = Uo-Umini <1

Uo Uo
m s'exprime en pourcentage (exemple: 0,8 ~ 80 %)
La deuxième formule permet de retrouver les composantes du spectre de fréquence du

signal modulé.
Uo cos oot correspond au signal porteur, porteuse - fo
U 0 m cos (000 - 1.1) t , raie latérale inférieure fréquence (fo - F)

2
U m cos (000 + 1.1) t , raie latérale supérieure fréquence (fo + F)
2
Av
Uo
fo-F fo fo+F fHz
Bande occupée - "B"

1. B
.1
La bande de fréquence occupée par un tel signal va de (fo - F) à (fo + F) elle est donc de
2 F. Si le signal modulant comporte plusieurs fréquences:
Le spectre représenté ci-dessus comporte 2 bandes latérales, il est appelé DBL (Double
Bande Latérale).
Mais l'information étant contenue dans chaque bande latérale, il est possible d'en
supprimer une. BLU (Bande Latérale Unique).
------
03 -
Il est également possible de transmettre 2 informations différentes, une sur chaque bande
latérale. BU (Bande Latérale Indépendante).
Pour diminuer l'énergie dépensée à l'émission il est possible de réduire l'amplitude de la

porteuse voir de la supprimer.
Pour traduire ces différentes possibilités on utilise la lettre placée après le chiffre,
exemples:
AIA - morse sans modulation
A2A - morse modulé
ME - radiotéléphonie
Compte tenu des bandes occupées relativement faibles, la modulation d'amplitude peut
être utilisée avec des porteuses de fréquence basse (à partir des LF).
2 - Modulation de fréquence FM (Frequency Modulation)
Caractérisée par la lettre F qui est complétée par un chiffre et une lettre, exemples:
Fo - porteuse seule
FIA - télégraphie par déplacement de fréquence
F3E - radiotéléphonie
F4A - transmission d'images
Formule du signal modulé en fréquence par un signal information sinusoïdal de fréquence

F et pulsation Q.
Uv = U o sin (rot + m sin ru)
Index de modulation m = f » 1 Â
F
M(déviation de fréquence) = fmaxi - fo = fo - fmini
2 M (excursion de fréquence) = f maxi - f mini
Le spectre de fréquence comporte une infinité de raies latérales mais leur amplitude
s'atténue en s'écartant de fo aussi en pratique calcule-t-on la bande occupée avec la
formule suivante:
BHz =2 (M+ 2 F maxi)
Exemple: radiodiffusion F maxi = 15 KHz B = 180 KHz
Bande occupée nécessitant une porteuse de fréquence élevée, VHF et au-dessus.
39
- - - - - - .
03 -
3 - Modulation en impulsion
Caractérisée par la lettre P (pulse) complétée par un chiffre et une lettre.
PON - impulsions non modulées
Représentation d'une impulsion
Exemple:
une impulsion de durée

,n 6#1 J.I sec
comporte 1 000 alternances de

la porteuse si celle-ci à une
• fréquence de 1 000 MHz .
Le rapport T~ est de l'ordre de Moo à X 000'
La modulation en impulsions peut-être obtenue en modifiant:
- l'amplitude des impulsions,
- la largeur des impulsions,
. - la période de récurrence des impulsions.
n est également possible d'utiliser simultanément deux de ces modifications.

La formule pratique de la bande occupée est:
2
(ex: si 6= 10,6 B=-- =2MHz)
10- 6
Bande occupée nécessitant une porteuse de fréquence très élevée, UHF et au-dessus.
40 les contrevenants slexposent à des poursuites.
------
03 -
4 • Avantages et inconvénients des différents types de modulation
Type de modulation Avantages Inconvénients
- Bande occupée étroite - Pas de protection contre les

- Fréquence porteuse basse parasites qui affectent
Amplitude l'amplitude
(LF - MF - HF) possible
A - Possibilités portées importantes

- Procédés de modulation
simples
- Possibilités d'élimination des - Bande occupée importante

Fréquence parasites par écrêtage
- Porteuse de fréquence élevée
- Puissance d'émission stable et VHF et au-dessus
F bon rendement
- Portée optique
- Possibilités de plusieurs - Bande occupée très importante

Impulsion informations sur une même
- Porteuse de fréquence très
porteuse (multiplex)
élevée UHF et au-dessus
P - Puissances d'émission (crête)
- Portée optique
très élevées
03.08 PHENOMENE DE BATTEMENT
Le phénomène de battement apparaît lorsque l'on mélange dans un circuit deux signaux
sinusoïdaux de fréquences peu différentes. Le résultat est un signal modulé en amplitude. la
variation d'amplitude est sinusoïdale avec une fréquence FHz = f2 - ft.
,/
- i' ,/ i'
/ '\ 1 "\
/
..... /' "
/ ....." V
V
..... " ..... v
1
t= 12-ft
Le phénomène de battement est notamment utilisé dans les radiocompas (BFO) et dans les
radio-sondes basse altitude.
__S_e_m_i-_c_on_d_u_c_t_e_u_rs_-_D_io_d_e_s_e_t_tr_8_n_S/_·S_to_r._S___ 04 __
Chapitre 04 :
SEMI-CONDUCTEURS - DIODES ET TRANSISTORS
04.01 GENERALITES
l - Définition
Un corps semi-conducteur est un élément à structure cristalline offrant une grande

RESISTMTE électrique à l'état pur, mais qui, en présence de certaines impuretés,
présente une résistivité différente suivant la polarité de la différence de potentiel qui lui
est appliquée.
A la température ambiante normale 15°C ( ::::: 3000 K) les résistivités des corps solides
conducteurs, isolant et semi-conducteurs, sont données dans le tableau suivant:
.
Corps Résistivité
Conducteur P::::: 10.8 n. m
Isolant p> 10 8 n. m
Semi-conducteur 104>p> 10-5n.m
La résistivité d'un conducteur croit avec la température. La résistivité d'un semi-

conducteur décroit lorsque la température augmente.
La présence de certaines impuretés diminue la résistivité des corps semi-conducteurs.

Les semi-conducteurs donnant lieu aux applications pratiques les plus importantes sont
le GERMANlUM (Ge) et le SILICIUM (Si). Les études faites ci-après pour le germanium
sont applicables aux autres semi-conducteurs.
2 - Structure cristalline d'un semi-conducteur
Les corps semi-conducteurs sont des corps simples dont le nombre d'électrons répartis
autour du noyau est tel que la dernière couche électronique comporte quatre électrons.
Par exemple l'atome du silicium comprend 14 électrons et la figure suivante en donne

une représentation plane.
Les corps semi-conducteurs sont tous TETRAVALENTS et la classification des corps

simples de MENDELEEV les situe donc dans le groupe IV.
Inst:fl:ut~· * * ,,/ .
merlJlOz 4
- - - - - -
04
Semi-conducteurs - Diodes et transistors
-
Couche m comportant
~ 4 électrons .
;-::-Z-:....;..
'" ...."
.
"If1"
/- -~. Couche saturée
\"l,"
avec 8 électrons
. . \ 1
NOYAU " • Couche k saturée
\..
. ,."
--
, ---- :::.-'
..'
l "
-- ..JII"
1
avec 2 électrons
Les quatre électrons de la dernière couche déterminent les liaisons de valence avec les
atomes voisins et la structure cristalline d'un bloc stable d'un matériau semi-conducteur
peut être représentée par la figure ci-après où les couches électroniques intermédiaires ne
figurent pas et où tous les atomes sont représentés dans le même plan.
Noyau
_ Electron
~~~~~:: LIAISON
DE VALENCE
Toutes les liaisons sont satisfaites et à la température de O°K, l'agitation moléculaire est
nulle; le corps est stable et parfaitement isolant. A la température normale, l'agitation
moléculaire perturbe les liaisons et quelques électrons se trouvent libérés. La rupture
d'une liaison par libération d'un électron crée une "lacune" dans la structure cristalline.
L'absence d'un électron correspondant à un défaut de charge négative dans une région
donnée, donc à l'apparition d'une charge positive fictive appelée "TROU", susceptible
d'attirer par la suite un électron libre dans un processus de recombinaison.
Plus la température s'élève, plus l'agitation moléculaire croit et plus grand est le nombre
d'électrons libres et de trous dans le matériau. La résistivité décroît mais ne devient
jamais aussi faible que pour les conducteurs, d'où le nom de semi-conducteur.
------
04
-
3 - Conduction par TROUS
Appliquons une différence de potentiel à un bloc de germanium pur sous température

normale. Le champ électrique qui apparaît dans le matériau crée un déplacement ordonné
des électrons libres et un courant passe. Si une liaison de valence se rompt, un trou
apparaît et sous l'effet du champ électrique l'électron se déplace. Le risque de
recombinaison étant grand, l'électron peut être capté par un trou voisin et ainsi de suite.
Tout se passe comme si les trous se déplaçaient en sens inverse des électrons
temporairement libres. Le courant électrique dans le matériau est dû au déplacement de
trous et au déplacement de certains électrons restants libres.
......
DEPLACEMENT D'ELECTRONS LIBRES
..
Champ
électrique
DEPLACEMENT DE TROUS
Le courant électrique reste faible dans un semi-conducteur pur parce que le processus de
recombinaison est important.
L'introduction de certaines impuretés favorise la naissance de TROUS ou d'électrons

libres et diminue la résistivité du matériau. Ce procédé s'appelle le DOPAGE.
4 - Semi-conducteur type N
On réalise un semi-conducteur type N en introduisant une impureté qui favorise

l'apparition d'électrons libres (Négatifs).
L'ARSENIC ou le PHOSPHORE sont les impuretés qui conviennent car ces corps
simples ont cinq électrons sur leur dernière couche électronique. Une faible proportion
d'impureté ne change pas la structure cristalline du semi-conducteur, mais pour chaque
atome d'arsenic introduit, un électron est facilement libéré puisque quatre liaisons de
valence seulement peuvent être établies avec des atomes voisins. Les atomes d'ARSENIC
ou de PHOSPHORE sont dits "DONNEURS". La résistivité est d'autant plus faible que
le DOPAGE est important.
Le passage du courant dans ce semi-conducteur est dû à un déplacement majoritaire

d'électrons libres.
45
------
04
-
Electron
facilement
Atome'L-_ _~+-:::;"""'~ libéré
dl arsenic
5 - Semi-conducteur type P
L'impureté introduite est alors de l'INDIUM ou de l'ALUMlNIUM et favorise l'apparition
de TROUS. Il n'y a que trois électrons sur la dernière couche électronique de l'INDIUM
et chaque atome d'impureté fait apparaître un trou supplémentaire. Les atomes
d'impuretés sont dits "ACCEPTEURS". La résistivité est plus faible si le dopage est
important.
Le passage du courant dans un semi-conducteur du type P est dû à un déplacement
majoritaire de TROUS (positifs).
Chaque morceau de semi-conducteur DOPE est électriquement neutre, c'est-à-dire que la
somme des charges négatives de tous les électrons est égale à la somme de toutes les
charges positives des noyaux.
Trou
Atome d'indium
04.02 JONCTION PN
Si on accole un morceau de germanium P à un morceau de germanium N, un déplacement de
charges électriques va se produire dans la région du contact.
En effet, les électrons libres majoritaires de la région N vont tenter de se recombiner avec les
TROUS majoritaires de la région P. La région N perd des charges négatives et se charge
positivement; la région P accueille des charges négatives et se charge négativement. Cette
double charge fait apparaître dans le solide un champ électrique dont le sens s'oppose au
------
04
-
déplacement d'autres électrons. Seules les zones proches des surfaces en contact sont
chargées. Le champ électrique interne établit une véritable barrière de potentiel (11Vo)
s'opposant aux déplacements des électrons de la zone N vers la zone P et des trous de la zone
P vers la zone N.
Sans polarisation: Cathode L-1

~---"";Nt--:.:
~ode
Ge P
- - - - H--i ++ +
Electrons -- -
- ---ttl-J ++
-_!.+ _:. + +
+
+ Trous
majoritaires ____ majoritaires
----:+1-1 + + +
-~.
Sens du champ électrique interne
Appliquons une différence de potentiel continue à une telle jonction PN. Si le pôle positif de
la source est appliquée au Ge P, le sens du champ électrique &1 créé dans le solide par la
source extérieure va s'opposer au sens du champ interne &0' Si la valeur du champ &1 est
supérieure à &0' les électrons majoritaires vont se déplacer du Ge N vers le Ge P et les trous
majoritaires se déplacer du Ge P au Ge N. Le courant électrique dans le circuit est
représentatif de la somme des mouvements de ces charges dans le solide.
Avec polarisation directe: conduction
Ge N +- Ge P
-.::-- - :
. . .:
c!J' =~ !/e'
:f1. :•
Symbole
Si le pôle négatif de la source est appliqué au Ge P, le champ électrique &1 créé dans le solide
par la source extérieure est de même sens que le champ interne &0 et le champ résultant
interdit tout déplacement d'électrons majoritaires du Ge N vers le Ge P, de même que tout
déplacement de trous majoritaires est interdit du Ge P vers le Ge N. Le courant électrique dans
le circuit est alors pratiquement NUL.
Avec polarisation inverse: blocage
GeN +-GeP
---.
Ou,
- -+
:+
=-~.
4-
i;- -t-
1'#0
Symbole '----~.. 1/1/1------'

La reproduction du présent docu'ment par une personne non autorisée est fonnellement interdite.
47
------
04
-
Q
- sans polarisation
_ _ avec polarisation directe
-- _. avec polarisation Inverse Trous
-_.-- , , ..... d
Electrons
Vv
AVo d
---- ---- .-
Un courant très faible peut toutefois être décelé. TI est dû au déplacement des charges
minoritaires créées par la libération d'électrons et de trous dans le matériau à cause de
l'agitation moléculaire ou par l'énergie des photons du rayonnement lumineux si la jonction est
éclairée.
1 • Courbe et coefficient caractéristiques d'une jonction PN
Cette courbe met en évidence la dissymétrie de résistance interne d'une jonction PN.
La jonction PN ayant des caractéristiques similaires à celles des tubes à vide à deux
électrodes a pris le même nom DIODE.
1(mA)
Caractéristique 1 =f (U)
Courant direct
--------,-
04 -
Lorsque le pôle positif de la source est appliqué au Ge P le courant passe facilement et la
courbe caractéristique 1 = f (U) fait apparaître un courant direct. Ce qui revient à dire que
pour la zone rectiligne de la courbe, la résistance interne de la JONCTION PN est faible:
Ri en ohms
U en volts
1 len ampères
Lorsque le pôle négatif de la source est appliqué au Ge P, un très faible courant inverse
passe (quelques microampères) pour des tensions comprises entre zéro et quelques
dizaines de volts résistance interne forte. Au-delà, le courant inverse devient important.
Le courant inverse dû au déplacement des charges minoritaires peut prendre des valeurs
élevées lorsque la tension inverse donne une vitesse importante aux charges en
déplacement. Elles créent par chocs la libération d'autres électrons et d'autres trous qui
prennent à leur tour une grande vitesse et cet effet cumulatif qui s'appelle AVALANCHE
correspond au claquage de la jonction (destruction) et doit être évité.
Toutefois, pour certaines jonctions spécialement construites et dont le coude de la

caractéristique inverse est bien défini, l'effet d'avalanche est utilisé dans des montages
régulateurs de tension. Ces jonctions spéciales s'appellent DIODES ZENER. Le courant
Iz max ne doit pas être dépassé sinon il y a claquage de la jonction.
Influence de la température
L'agitation moléculaire croit avec la température ainsi que la libération de trous et

d'électrons dans chaque partie de la jonction. Le courant inverse croit considérablement et
l'effet de résistance dissymétrique s'atténue. Les diodes ne sont plus utilisables au-delà
d'une certaine température :
- Ge (Germanium) 75°C
- Si (Silicium)
L'échauffement peut-être dû au fonctionnement normal à une température extérieure

standard. Aussi définit-on une puissance maximum admissible PmaxW = Uv lA qui
correspond à l'équilibre thermique de la diode (échauffement =refroidissement).
2 • Utilisations
Diodes normales
L'utilisation principale des diodes à semi-conducteurs est le redressement.
Redressement simple alternance.
Vs Q Q
------
04 -
Redressement bi-alternances (montage en pont)
VEqp
+-
-- +
-+ ---- z,
~ l
Vs fYY\
Diodes ZENER
- Régulation de tension
+ Vv
1+lz l R YR
VE YE
--- Vs + Ys
Izl
t
Si VE tend à augmenter la tension inverse aux bornes de la diode zener (VZ = Vs)
tend à augmenter entraînant une forte augmentation de Iz d'où une augmentation
de VR = R (I + Iz) et Vz = Vs n'augmente pratiquement pas.
- Circuit écrêteur
+~i-~Y~s__~______ -+______4
o
-Vz+------\-----I t
------
04
-
04.03 TRANSISTORS
1 - Constitution
Le transistor est formé de trois parties semi-conductrices constituant une double jonction.
La partie centrale est appelée BASE et son DOPAGE est opposé à celui des parties
extrêmes. L'une des parties extrêmes est appelé EMETTEUR et l'autre COLLECTEUR.
On rencontre des transistors PNP ou NPN.
Transistor PNP TrariSistor NPN
-1:r+ GeP -- Ge N
C
++ .-
B --
- Ge N +~ Ge P B
++t --
Symbole Ge P -
- -
GeN Symbole
++
Le rôle de l'émetteur est d'émettre des charges électriques, la base commande le passage
des charges électriques, le collecteur reçoit des charges électriques.
Le dopage de la région centrale (base) est toujours plus faible que celui des régions
extrêmes.
Exemple de réalisation d'un transistor de faible puissance
Le transistor est réalisé à partir d'un morceau de Ge N de faibles dimensions (exemples:

2,7 x 2,7 x 0,2 mm). Sur les deux faces opposées on effectue deux soudures à l'indium.
L'apport de l'indium modifie localement le germanium et deux régions Ge P apparaissent.
L'ensemble est monté dans un boîtier étanche opaque car la résistivité des semi-
conducteurs dépend de l'éclairement.
Collecteur
Base
•--IC:::=~!~~~~î'l-Y
-~ 50 r
Epaisseur
de la oase
Bottier d'un
transistor
Les contrevenants s'exposent a des poursuites.
51
- - ' - - - - - -
04 -
2 - Fonctionnement (effet transistor)
Soit un transistor PNP. Le COLLECTEUR et la BASE sont portés à des potentiels

négatifs par rapport à l'EMETTEUR. La tension base-émetteur est généralement de
quelques dixièmes de volts. La tension collecteur-émetteur est généralement de quelques
volts pour les transistors de faible puissance.
t-++ e 1
+-
... -_ ......
tg.
-±----
lt~
{
".-
- B
11 l V
VB
+
J. E
+
e
Les champs El et E2 sont dus aux déplacements des charges lors de la constitution du
transistor.
Laissons l'interrupteur II ouvert et fermons l'interrupteur 1. Le champ E4 créé dans le
transistor par la tension. V c appliquée entre émetteur et collecteur renforce la barrière El
et aucun électron ne peut circuler entre base et collecteur ; de même, aucun trou ne peut
se déplacer entre collecteur et base. Le courant dans le circuit émetteur-collecteur est très
faible puisqu'il est le seul courant inverse de la jonction B-C.
Fermons l'interrupteur II. Le champ E3 est appliqué entre émetteur et base et s'il est
supérieur à E2 , les électrons libres de la base vont se déplacer vers l'émetteur et les trous
de l'émetteur vont venir vers la base. La base étant plus faiblement dopée que l'émetteur,
il y a un faible apport d'électrons vers l'émetteur et un afflux important de trous vers la
base. Les trous issus de l'émetteur arrivant en grande quantité dans la base sont alors
soumis au champ émetteur-collecteur qui est beaucoup plus important que celui qui existe
entre émetteur et base. Ils passent sans difficulté de la base vers le collecteur puisque la
barrière El empêche le déplacement d'électrons de B vers C et de trous de C vers B mais
pas de trous de B vers C. L'application d'une tension VB entre base et émetteur a facilité le
passage du courant dans le circuit émetteur-collecteur. Le déplacement des charges entre
émetteur et base crée un faible courant lB dans le circuit de la source V B et un courant le
beaucoup plus important dans le circuit de la source Ve . Une faible variation de lB crée
une forte variation de le.
Dans un transistor le courant de base lB commande efficacement le courant de

collecteur le.
------
04
-
Si la polarité des tensions appliquées au transistor est inversée, le transistor est parcouru
par un courant intense et se détruit.
3 - Courbe caractéristique
Si lB est le courant dans le circuit de la source VB et si V e est la tension entre le collecteur
et l'émetteur, il est clair que le courant le est fonction de lB et de ve .
La courbe le = f (IIç) obtenue pour une valeur constante de lB est généralement la plus
représentative. Différentes courbes sont obtenues pour différentes valeurs de lB'
Pour lB' = 0, le courant le est très faible (courant inverse de la jonction B-C) et très peu
variable pour une large plage de variation de Ve .
Pour différentes valeurs de lB on obtient des valeurs de le d'autant plus importantes que lB
est grand.
le (mAI
...
iilI
8
=;;
7
~ lB =125 pA
6 l'
5 \ lB =100pA
4 ~ IB=75pA
Ale 3
BI
l '" Ais
~ 18= 50 pA
2 :1 .~ Is=25pA
1 1
1
IB= 01
12345678910 Ye (yolts)
La zone utilisable est limitée par la puissance calorifique P max = V C • le que le transistor
peut dissiper (ex = 10 mw).
4 - Coefficient caractéristique
Le coefficient le plus représentatif du transistor est le coefficient d'amplification en

courant.
On remarque, dans la famille de courbes le = f(ll e) que pour une valeur constante de V e
(exemple 3 volts), une variation donnée de lB (point A vers point B) correspond à une
variation l1 le de le.
Semi-conducteurs -Diodes et transistors
-----..:------
04 -
Le rapport de ces deux variations est le coefficient d'amplification en courant 13.
13 = oÔ le (sans dimension)
oÔIB
Ce rapport peut-être compris entre quelques dizaines et quelques centaines.
5 - Différents montages possibles
a) Emetteur commun (EC), c'est le montage le. plus utilisé. Entre un transistor PNP et
NPN seules les polarisations changent.
>(!-_-iSortie le+Ale
Zu Zu AVe
Entrée
AVa + Sortie
+
+
Les paramètres de ce montage sont:
= oÔle gain en courant (élevé)

• 13 oÔIB
oÔVc
• Gu = 6V gain en tension (élevé)
B
= (oÔVc x oÔld
• Gp gain en p1:lissance (élevé)
(oÔ VB x oÔI B)
= oÔVB impédance d'entrée qqKQ (moyenne)

• Ze
oÔIB
oÔVc
• Zs = impédance de sortie qqKQ (moyenne)
61e
A noter que les variations d1:l signal de sortie sont en opposition avec le signal
d'entrée, déphasage de 1t.
Utilisations :
• Amplification en courant, en tension 01:1 en pmssance.

Voir fonction amplification.
----'----
04
-
_ Commutation: fonctionnement avec deux états
le # 0 et Ve max (ex. sur les courbes Ve = 7 V Ic = 0,2 mA)
le max et Ve # 0 (Ve = 0,3 V Ic=4mA)
La commutation sert en logique (états 0 et 1), en comptage, en génération de

signaux rectangulaires, etc...
b) Montage base commune (Bq
lE +AIE E-:--;~C_.!.'!le~+A~I'!..t--r--,
lu AVe
PNP B Sortie
/Hc # 1 gain en courant

/HE
= Il Vc gain en tension (élevé)

- Gu Il V E
= (lllc·IlVC> gain en puissance (moyen)

-Op
(illE' Il VE )
= Il VE impédance d'entrée qqlOn à qqlOOn (faible)

- Ze
illE
- Zs = impédance de sortie qql00Kn (élevée)
Signal de sortie en phase avec le signal d'entrée.
Utilisation:
Adaptation d'impédances dans le sens augmentation d'impédance (Ze faible,

Zs élevée).
55
------------
04 -
c) Montage collecteur commun (CC)
PNP
lB + AIB
B
AVa RE (Zu)
Entrée AVE
Sortie
+
• Qi = LUE gain en COUIlIl1t (élevé)

~IB
~VE
- # lgllln
' en tensIon
.
• Gv =-
~VB
(~IE x~ VE )
• Gp = gain en puisslll1ce (moyen)
(~IBx~VB)
= ~VB impédlll1ce d'entrée qq100Kn (élevée)

• Ze ~IB
impédlll1ce de sortie qq10n à qql00n (faible)
Signal de sortie en phase avec le signal d'entrée.

Utilisation:
Adaptation d'impédlll1ces, dlll1s le sens abaisseur d'impédlll1ces (Ze élevée, Zs faible).
Qi Gv Ze Zs Déphasage
Montage Gp
VS/VE
Moyenne Moyenne
EC Elevé (B) Elevé Elevé 1t
qqKn qqKn
Faible
qql0n Elevé
BC #1 Elevé Moyen 0
à qql00Kn
qql00n
Faible
Elevée qqlOn
CC Elevé #1 Moyen 0
qql00Kn à
qq100n
Fonctions radioélectriques
------'
05 -
Chapitre 05 :
FONCTIONS RADIOELECTRIQUES
05.01 GENERALITES
Les systèmes électroniques ou radioélectriques sont constitués de sous-ensembles qui

assurent des "fonctions" complémentaires. Leur représentation se fait sous forme de schémas
synoptiques dans lesquels chaque fonction est représentée par un rectangle. Les rectangles
sont reliés entre eux par des flèches indiquant le cheminement du signal.
Fonction 1 Fonction 2 Fonction 4 Utilisation

.,
Fonction 3
05.02 ALIMENTATION
Cette fonction existe dans tous les systèmes, c'est en effet l'alimentation qui fournit l'énergie
nécessaire au fonctionnement. Cette énergie se présente sous forme continue, elle peut-être
assurée par des piles ou des batteries, sinon elle est fabriquée à partir d'énergie alternative
,---
(115 V / 400 Hz à bord ou 220 V/50 Hz tension secteur).
_....... ~. -..-' .. :-
--'-~
(220V) Transformateur Filtrage

Redresseur
adaptateur stabilisation (12V)
l '-(Vmaxi=30V) ~ (Vmoy=19V) c::co.

L______ ---------- J
L'alimentation peut délivrer une ou plusieurs tensiqns continues positives ou négatives, elle
est caractérisée par ces tensions et les courants maximum correspondants (exemple; 12 V -
500 mA).
lns;t#:ttï .... *' *' ./'

merrnoz 5'
------
05
-
05.03 AMPLIFICATEUR
Les signaux sont souvent de très faible amplitude (exemple: à la réception tensions recueillies
à l'antenne) aussi faut-il pour les rendre utilisables les amplifier. C'est le rôle de
l'amplificateur qui, pour un signal faible à l'entrée, délivre un signal fort en sortie.
~O------~1~_____ A_m_p_lffi_lca_t_e_ur____ ~------_V-!~

L'amplificateur est caractérisé par plusieurs données:
- La grandeur amplifiée:
- tension: U
- courant: 1
- puissance: P
- La fréquence des signaux qu'il peut amplifier:
- BF ou AF (Basse Fréquence ou Audio Fréquence)

Signaux sonores 15 Hz - 15 000 Hz
- RF (Radio Frequency) fréquences correspondant aux ondes électromagnétiques
LF-MF-HF
- VHF, UHF, etc...
- Flou IF Fréquence intermédiaire
- Le gain:
Gv = -Vs (gam ' ) ou G1 = -Is (gam

. en tension . en courant) ou Gp = -Ps
-( ' en pU1ssance
gam . )
Ve le Pe
Le gain peut s'exprimer en décibel- db
Vs Is Ps
Gdb=20Iog- ou Gdb=20log- ou Gdb=10log--
Ve le Pe
Nota: origine du décibel
Par nature nos sens nous procurent des sensations approximativement proportionnelles au
logarithme de J'excitation qu'ils reçoivent; ainsi une sensation auditive ou visuelle est
proportionnelle au logarithme de la puissll.11ce acoustique ou lumineuse. Aussi pour
comparer ces deux puissances utilise-t-on la formuIe :
P2
N Bel =Iog--
Pl
------
05
-
Mais le Bel étant trop grand pour les valeurs habituelles on emploie plutôt le décibel.
P2
Ndb=IOlog-
PI
Le décibel rend compte d'un rapport de puissances, ce n'est pas une unité. Par extension, il
est utilisé également pour des rapports de tensions (exemple: le gain d'un amplificateur)
mais comme ce sont des tensions, il faut tenir compte de : .
u 2 V2
P=- et la formule devient Ndb=2010g-
R VI
- Courbe de réponse
La courbe de réponse traduit le comportement d'un circuit en fonction de la fréquence.

Exemple pour un amplificateur
Gain db
Gmaxi - - - - -.=-------___
-3db
fC1 fC2 f
Bande passante
On considère que lorsque le gain chute de 3 db par rapport au gain mrod, l'amplification
n'est plus suffisante, ceci permet de déterminer une fréquence de coupure basse fCI et une
fréquence de coupure haute fC2. La partie entre les deux fc est appelée bande passante.
Suivant la largeur de cette bande passante, l'amplificateur sera dit:
- sélectif: bande étroite,
- apériodique: bande large.
- Adaptation
L'adaptation concerne l'impédance de sortie (Zs) de l'amplificateur et celle de l'utilisation

(Zu). Dans tous les cas on cherche à disposer d'un signal maximmn dans l'utilisation pour
cela il faut :
- amplificateurs de tension: Zu »Zs,
- amplificateurs de puissance: Zu = Zs.
les contrevenants s'exposent à des poursuites. 59
- - - - - -
05
-
05.04 GENERATEURS DE SIGNAUX
Pennettent la création des différents types de signaux :
- sinusoïdal,
- rectangulaire, n..n
- impulsion,
- dent de scie.
GENERATEUR
n..n Ys
Les générateurs les plus courants sont ceux qui produisent des signaux sinusoïdaux. Ils sont
aussi appelés OSCILLATEURS. Leur fonctionnement est basé sur les circuits oscillants et les
quartz.
- Circuit oscillant
).-;
L,--§===C+==_O~t:
Dans un tel circuit si l'on charge la capacitéC (K - fermé) puis on ouvre K. La capacité va
se décharger dans la selfL qui, à son tour, restituera l'énergie à C, etc... S'il n'y avait pas de
résistance (RL) il n'y aurait pas de perte et cela pourrait durer indéfiniment, en pratique il
faut compenser les pertes dues à RL et compléter périodiquement la charge du
condensateur.
La fréquence correspondant aux charges et décharges est dite fréquence de résonance, elle
dépend de L et C.
1
FHz = 21t .JLC
Tsec =21t .JLC
Lorsque l'oscillation est entretenue le signal obtenu est sinusoïdal.
60 les contrevenants s'exPosent à des poursuites.
------
05
-
- Quartz·
Lorsque l'on taille des lames de quartz on constate que celles-ci présentent des propriétés
piézo-électriques :
- effet direct : un écrasement ou une élongation suivant l'axe mécanique fait apparaître
une tension sur l'axe électrique;
- effet inverse: une tension appliquée sur l'axe électrique fait apparaître une déformation
suivant l'axe mécanique.
Les lames de quartz sont également capables de vibrer sur une fréquence qui est propre à
chaque lame et fonction de sa taille et de ses dimensions.
Ces propriétés sont utilisées dans les oscillateurs, les fréquences de vibrations des lames de
quartz peuvent aller jusqu'à 30 MHz.
La qualité principale d'un générateur de signaux est sa stabilité qui se traduit par le rapport
de M écart maximum entre F et Fo et Fo
Stabilité = Â F
Fo
Les meiJ1eurs résultats de stabilité sont obtenus avec des lames de quartz, jusqu'à 10 - 8.
05.05 MULTIPLICATEURS
La fonction des multiplicateurs est en partant d'un signal sinusoïdal de fréquence F d'obtenir
un signal ayant une fréquence 2 F, 3 F, 4 F ou 5 F. En pratique on ne dépasse pas 5 F par
étage multiplicateur. Les multiplicateurs permettent par exemple d'obtenir un signal VHF en
bénéficiant de la stabilité des quartz.
r---.... F !E-----...-IIL..._ _ _3_ _ ~x :---C\"'~-~{\ C\ 3F
C7 Vü
61
----'-----
05
-
05.06 MODULATEURS
Le modulateur a pour rôle de placer un signal information sur un signal porteur. On trouve
trois types de modulateurs :
- amplitude - A
- fréquence - F
- impulsion - P
DAMA hl
uv V.lrv U VEI (porleuse)
Vs
Vu (lnlo) MODULATEUR +
05.07 DEMODULATEURS
La démodulation a pour but de récupérer le signal information qui se trouve sur une porteuse.
Il y a donc des démodulateurs pour :
- la modulation d'amplitude (démodulateur aussi appelé détecteur),
- la modulation de fréquence,
- la modulation en impulsion.
En modulation de fréquence on utilise un discriminateur qui a pour fonction de transformer la

modulation de fréquence en modulation d'amplitude, ensuite un détecteur récupère le signal
information.
-L
FM 7\/\
~
/
VEI
Discriminateur
/r Détecteur
VE2 r .,,----....
AM
DEMODULATEUR -A- et of-
------
05
-
05.08 CHANGEUR DE FREQUENCE (MELANGEUSE)
Cette fonction pennet à partir de deux signaux VEI - VE2 de fréquences différentes fi et f2
d'obtenir un signal Vs de fréquence FI (fi - 1'2) ou (1'2 - fi) qui conserve la modulation des
signaux d'entrée.
h~Vo-E_l_.-tr----------.
Vs F.I.=lh-Id
CHANGEUR de F I---~
h '\MMJVI Yu
05.09 FILTRAGE
Le filtrage offre la possibilité de sélectionner une ou plusieurs composantes du spectre de

fréquence d'un signal périodique complexe.
On réalise trois sortes de filtres :
- Passe bas,
- Passe bande,
- Passe haut.
Gdb
Passe Bas Passe Bande Passe Haut
o IC2 IC3 1
Ci-dessus, les courbes de réponse des 3 sortes de filtres avec les fréquences de coupure.
63
------
05
-
Exemple de filtre Passe Haut
Ys
FI LTRE PASSE HAUT
te f fc f
Spectre de YE Spectre de Ys
Analogique - Numérique
------
06 -
Chapitre 06 :
ANALOGIQUE .. NUMERIQUE
06.01 SIGNAUX ANALOGIQUES
Les signaux électriques représentatifs des principaux phénomènes physiques (son, lumière,
etc..) sont dits analogiques parce que leur amplitude est une fonction continue du temps.
Exemple le son produit par une flûte pour une note donnée est une sinusoïde pure.
A
Ces signaux analogiques sont déformés (distorsion) si la courbe d'amplitude est modifiée.
Cette modification peut être provoquée par :
- des signaux parasites,
- des couplages entre les circuits dans les équipements,
- les bruits internes des composants et circuits électriques dus à l'agitation électronique.
Lors de la réalisation des ensembles électroniques, de bons choix techniques (blindage,

filtrage, disposition, choix des composants, refroidissement, etc ..) permettent de limiter mais
pas d'éliminer ces déformations (en particulier celles dues aux bruits internes).
Pour qu'un signal analogique soit "utilisable" il est nécessaire que le niveau de parasitage
(bruit) reste faible ce que l'on traduit par le rapport sign~l en db.
. brult
/'
Institut ~- '* *'
merrnoz 6~
------
06
- •
Plus ce rapport est grand, meilleur est la qualité du signal (en analogique pour une très bonne
qualité signal = 60 db). .
bruit
Pour améliorer ce rapport il faut utiliser un signal "insensible" aux déformations en

amplitude = le NUMERIQUE.
Mais le traitement des signaux numériques nécessite des équipements plus complexes qu'il n'a
été possible de réaliser couramment que grâce aux dernières évolutions de la teclmologie
électronique.
06.02 SIGNAUX NUMERIQUES
Un signal numérique est un signal qui peut en amplitude avoir deux valeurs, une valeur basse
(ex: OV) et une valeur haute (ex: SV). L'incidence des parasites et des bruits internes sur un
tel signal est très faible puisque ce n'est plus la valeur précise de l'amplitude du signal qui
compte mais son état (bas ou haut).
A A
04--------+--------~-
t t
Etat bas Etat haut
o t
En transformant (codage) les signaux analogiques en signaux numériques, par exemple pour
leur transmission, l'on pourra pratiquement supprimer leur sensibilité aux parasites et obtenir
un rapport signallbruit compris entre 60 db et 100 db.
1 - Principe du codage
Le codage permet la transformation analogique ~ numérique.
Il se fera par échantillonnage à une fréquence Fe, période Te. Pour chaque valeur de
l'échantillonnage durant la période correspondante Te, il sera possible d'utiliser un
nombre d'impulsions plus ou moins important en fonction de la précision à obtenir.
Chaque impulsion est appelée BIT (Binary digit ou chiffre binaire).
------
06
-
Le nombre de "bits" utilisé pour chaque échantillon définit le nombre de niveaux qu'il est
possible de coder. C'est un système binaire et le nombre de possibilités est donné par : 2n .
n (nombre de signaux, bits) nombre de niveaux
1 2
2 4
3 8
4 16
5 32
8 256
10 1024
16 65536
Le codage couramment utilisé est celui à 8 bits appelé OCTET.
2 - Fonction conversion ANALOGIQUE/NUMERIQUE : CAN
(en anglais ADC Analogie Digital Converter)
~V-E----··~I~_____ C_.A_._N_.____ ~------~·-V~

Il effectue l'échantillonnage et génère le signal numérique correspondant au signal
analogique.
A l'autre bout de la châme il faudra restituer le signal analogique, ce sera le rôle du
convertisseur numérique/analogique.
3 - Fonction conversion NUMERIQUE/ANALOGIQUE: CNA
(en anglais: DAC)
~V-E--~·-~I____ c_.N_.A_·__ ~r---~·-V~

En plus de la conversion numérique/analogique le CNA comporte un filtre passe-bas pour
éliminer les marches dues à l'échantillonnage.
Les figures suivantes donnent le codage et l'évolution du signal en utilisant un
échantillonnage à 3 bits (3 impulsions PI, Pz, P3).
67
-_----.:.-~--
06 -
Tables de vérité binaire 3 bits
Niveaux PI P2 P3
0 0 0 0
1 0 0 1
2 0 1 0
3 0 1 1
4 1 0 0
5 1 0 1
6 1 1 0
7 1 1 1
la reproduction du prêsent document par une personne non autorisée est formellement interdite.
------'---
06
-
Signal
. analogique
Signal d'catrée
7Y
6Y 6
5Y 5
, 4Y 4
3Y 3
2Y 2 t
IV 1 Echantillonnage
(3 bits)
OY 0
Bits
Ninau haut 1-",..,..".".-nTTr-T,-:,m..".h,-------..,"TT-
Quantification Convertisseur AIN

3 5 6- 6 7 6 6 5 3 1 0 0 O" 1 3 5
T
Bits 011 101110 110 111 110 110101 011 001000000000001011101
Codage
Signal
numérique
- - - Traitement du signai
ll"I~0IITTIll~0..
r.0.. 11~07.11~1~11~0r.,..
,0r.10Mlt.0~11~0~0~1..
00~0r.00~0~0..
00iliO~01"'0~11..1..0~1 1
3566766531000135 t
Décodage Converllsseur NIA
n ~
6Y 6
5Y 5
4V '
3V 3
2Y 2
1Y 1
.OY 0
Filtre passe-bas
Signal
analogique j
Signal dB sortie
69
__E_m_'_is_s-'io_n_-_R_é_c_e_p_ti_o_n__________ 07--
Chapitre 07 :
EMISSION - RECEPTION
07.01 L'EMETTEUR
1 - Schéma synoptique (ou bloc diagramme) d'un émetteur
\ 1/
Ampli. de Ampli. de Accord

Oscillateur Multiplicateur tension puissance antenne
RF RF
I- - - ----, ---- - - - - - - - ' - - - - - - - ï

I 1 1
Modulateur Modulaleur A 1
1 1 ampli. P.
F 1 OF 1
1
1 1 Modulation 1
1 1 de FREQUENCE 1
1 F.M. 1
1
1 Ampli. de 1 Ampli. de 1
tension tension 1
1 OF 1 BF
1 1 Modulation 1
~
1 1 d'AMPlITUDE Oscillateur l'
1 1 A.M. 1000 Hz 1
1 1 1
A3
1
1 Micro
1
L ______ ...J1 • • +~
1
1
i 1
1
L ________Micro_ _ _ _ _ _ _ _ 1
1
Alimentation
a) Oscillateur et multiplicateur
Génération du signal porteur.
lnstJtut 'lOI.-. ** ,/
mermoz 71
Emission - Réception
- - - - - -
07 -
h) Amplificateur de tension RF
Le signal généré étant de faible niveau, il est nécessaire de l'amplifier. Cet

amplificateur est sélectif en modulation d'amplitude (porteuse seule), il est à large
bande passante en modulation de fréquence (porteuse modulée).
c) Chaine de modulation BF
- FM modulation de fréquence: si l'émetteur travaille en modulation de fréquence

celle-ci se fera au niveau de l'oscillateur.
Micro : capteur de son, transforme l'énergie mécanique des vibrations des

molécules d'air en énergie électrique (signal information).
Amplificateur de teusion BF : nécessaire car le' signal électrique fournit par le

micro est trop faible pour assurer directement la modulation.
Modulateur F : modifie la fréquence de l'oscillateur en fonction du signal

information.
- AM modulation d'amplitude: si l'émetteur travaille en modulation d'amplitude

celle-ci sera appliquée sur les étages de sortie, en général sur l'amplificateur de
puissance.
Micro: idem FM.
Oscillateur 1 000 Hz et manipulateur : pour travailler en A2., morse modulée en

amplitude à fréquence audible.
Amplificateur de tension BF : permet d'amener le signal information au niveau

adapter pour attaquer l'amplificateur de puissance.
Amplificateur de puissance / modulateur A: pour moduler l'étage de P.RF il faut

une énergie équivalente à celle qu'il délivre d'où la nécessité d'un amplificateur de
puissance.
Nota: La modulation en impulsion s'effectue par blocages et déblocages soit d'un

étage amplificateur de tension RF, soit de l'oscillateur.
d) Amplificateur de puissance RF
Il amplifie le signal modulé pour obtenir le niveau d'énergie nécessaire à l'émission.
e) Circuit d'accord antenne
Utilisé sur les émetteurs LF - MF - HF pour accorder l'antenne fixe sur la fréquence
de travail.
f) Antenne
Transforme l'énergie électrique en onde électromagnétique.
72 Les contrevenants s'ex osent à des poursuites.
------
07
-
g) Alimentation
Reliée à tous les étages pour fournir l'énergie électrique nécessaire à leur
fonctionnement.
2 - Qualités d'un émetteur
a) Stabilité
Aptitude à conserver le réglage sur la fréquence choisie. S'exprime par le rapport
Il F glissement relatif de fréquence

Fo
Ordre de grandeur en radiocommunication 10 - 6, la stabilité dépend essentiellement
de l'oscillateur.
b) Fidélité
Aptitude à transmettre l'information sans déformation. Dépend de la chaîne de

modulation.
c) Absence de rayonnements harmoniques
Les rayonnements harmoniques sont dUs aux déformations du signal qni se

produisent principalement au niveau de l'amplificateur de puissance RF. Ces
déformations engendrent des émissions parasites sur des harmoniques de la porteuse
Fo : 2Fo, 3Fo, 4Fo, etc...
Pour éliminer ces rayonnements les circuits de sortie de l'émetteur sont réglés en
filtre Passe bas avec fréquence de coupure juste supérieure à la fréquence maxi de la
bande occupée par l'émission.
On se fixe pour norme que la puissance de l'ensemble des ces rayonnements

harmoniques doit être inférieure d'au moins 40 db à celle du rayonnement principal.
73
- - - - - -
07 -
07.02 LERECEPTEUR
1 • Schéma synoptique d'un récepteur superhétérodyne
\lI Circuil Antlfading (CAG)

t +
FR
Ampli. de
Mélangeuse
FI Ampli. de
Démodulaleur
- Ampli. de
1-
U. RF r- U. FI U. OF
Fl
Réglage de (~
fréquence Oscillaleur
local
t t t
A2
A3
G
AI
Ampli. de
P. BF
Alimentation r-- Casque Hall

parlm
Les récepteurs superhétérodynes sont basés sur le changement de fréquences. TI permet

d'obtenir un gain important et constant pour toutes les fréquences reçues FR grâce aux
étages amplificateurs FI qui travaillent toujours dans les mêmes conditions (fréquence
fixe).
a) Antenne
Recueille toutes les ondes électromagnétiques présentes dans son voisinage et les
transforme en signaux électriques.
b) Amplificateur de tension RF
C'est un amplificateur de tension sélectif, il amplifie le signal RF choisi : FR. Son

gain est variable en fonction de sa polarisation (voir antifading).
c) Oscillateur local
Génère un signal sinusoïdal Ft qui mélangé à FR donnera par exemple Ft - FR =FI.
d) Réglage de fréquence
Commande de recherche des stations permet de choisir FR, il modifie simultanément

l'accord des circuits de l'amplificateur RF et celui des circuits de l'oscillateur local
afin que la différence (Ft - FR) donne toujours FI.
-'--------
07
.-
Courbe de réponse de l'ampli RF
FR h' h,
.~
Le réglage de fréquence décale la courbe de réponse centrée sur la fréquence FR.
e) Mélangeuse
Effectue le changement de fréquence FR ~ FI fréquence intermédiaire qui garde la

modulation de FR.
1) Amplificateur de tension FI
Amplificateur de tension sélectif réglé sur une fréquence fixe. Deux fréquences FI
sont utilisées: 472 KHz LF - MF - HF
10 MHz VHF dans ce cas on fait un double changement de

fréquence :
FR ~ 1ère FI (10 MHz) ~ 2ème FI (472 KHz)
Le gain très important de l'amplificateur FI est variable en fonction de la polarisation

(voir antifading).
g) BFO (Beat Frequency Oscillator)
Cet oscillateur génère un signal peu différent de la FI (environ 1 000 Hz) de façon à
ce que, mélangé à celle-ci, il y est création d'un battement à fréquence audible. Cette
pseudo-modulation permet "d'écouter" l'Ao (l 000 Hz continu) et l'Al (1 000 Hz
coupé au rythme du morse).
Si le BFO est laissé en marche pour la réception d'ondes modulées A2 ou A3 il

produira un sifflement 1 000 Hz permanent (tant que la porteuse est présente) qui se
superposera à la modulation du signal information.
75
------
07
-
h) Démodulation
Permet de recueillir le signal information placé sur la modulation (A ou F) qui est

envoyé vers la partie BF (basse fréquence ou AF audio frequency).
En plus du signal BF la démodulation donne une composante continue

proportionnelle à l'amplitude du signal RF.
Cette composante continue est isolée et envoyée dans le circuit antifading.
i) Circuit antifading ou CAG (Contrôle Automatique du Gain)
La tension continue provenant de la démodulation va servir à modifier la polarisation

des amplificateurs RF et FI de tel sorte que si elle est faible le gain augmente et que
si elle est forte il diminue. n en résulte que le signal à l'entrée de la démodulation est
pratiquement constant quelque soit l'amplitude à l'antenne de FR, d'où le nom
d'antifading. Ce circuit est particulièrement important dans les récepteurs ILS.
j) Amplificateur de U et de P • BF
Le niveau du signal information disponible après la démodulation est encore faible et

afin de lui permettre d'avoir l'énergie suffisante pour déplacer la membrane du haut
parleur ou du casque il est nécessaire de l'amplifier en tension puis en puissance.
k) Haut parleur ou casque
Transformateur d'énergie électrique en énergie mécanique qui restitue les vibrations

sonores des molécules d'air.
1) Alimentation
fournit l'énergie à tous les étages du récepteur.
2 • Qualités d'un récepteur
a) Sensibilité
Aptitude à recevoir des signaux aussi faibles que possible. Elle s'exprime par la
valeur de la tension antenne minimum, du signal RF modulé, nécessaire pour obtenir
une puissance de sortie BF de 50 m W en respectant le rapport sign~ > 6 db.
bruit
La sensibilité des récepteurs de trafic est de l'ordre de 1 Il V à 5 Il Velle dépend des

performances des étages RF et FI.
b) Sélectivité
Aptitude à séparer l'émission désirée des autres signaux.
------
07
-
La courbe de réponse des amplificateurs RF et FI doit encadrer au plus près le spectre
de fréquence de l'émission désirée pour rejeter les signaux (parasites ou autres
émissions) qui ne sont pas dans cette bande.
Gdb
Gmaxi Spectre de
rénlission désirée
~ IlIIaUliaise sélecti,lté
FHZ
sélecti,ité
En général on se fixe la moitié du gain maxi~al (soit - 3 db) pour déterminer la

largeur de bande passante B ou B'.
c) Fidélité
Aptitude à restituer l'information sans déformation.
Cette qualité est principalement liée à la partie BF du récepteur dans la mesure ou la

bande passante RF et FI est suffisante pour le spectre de J'émission désirée.
d) Stabilité
Aptitude à conserver le réglage sur la fréquence sélectée.
Comme pour l'émetteur elle est exprimée par le glissement relatif de fréquence Il. F
Fo
qui est de l'ordre de 10. 5 pour les récepteurs de trafic. Cette qualité dépend
essentiellement de l'oscillateur local.
77
---------~-

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Guy Janvier

021020300 Les semi-conducteurs X X

01 : PROP AGA TION DES ONDES ELECTROMAGNETIQUES .................... 5

03: PRINCIPAUX COURANTS ET SIGNAUX UTILISES............................... 33

04 : SEMI-CONDUCTEURS - DIODES ET TRANSISTORS ............................ 43

Ins'f:H:l1t ';)t" '* * ./

05 : FONCTIONS RADIOELECTRJQUES ........................................................... 57

06: ANALOGIQUE - NUMERJQUE ...................................................................... 65

07 : EMlSSION - RECEPTI ON ............................................................................... 71

PROPAGATION DES ONDES

01.01 ONDES ELECTROMAGNETIQUES

Une onde électromagnétique est caractérisée. par la présence d'un champ

Les champs électrique et magnétique sont altematifS et sinusoïdaux, leurs amplitudes

Dans le vide (milieu diélectrique parfait) :

- le rapport entre 10 et H est:

- sa longueur d'onde Â en mètre, qui correspond à la distance parcourue pendant un

2 • Classification des ondes électromagnétiques

Longueur 100 km 10 km 1 km 100m 10m lm 10em lem 1 mm

VLF LF MF HF VHF UHF SHF EHF

VeryLow Low Medium High Very Ultra Superior Extra

Myriamélri· Kilométri- Hectométri· Déeamétri- Métriques Décimétri- Centimélri- Millimétri-

01.02 PROPAGATION DES ONDES ELECTROMAGNETIQUES-

1 - Différents milieux de propagation

Un milieu de transmission homogène est caractérisé par sa constante diélectrique s et son

2 - Propagation dans les diélectriques

Un diélectrique parfait étant caractérisé par l'absence d'électrons libres à une

3 - Propagation dans les conducteurs

Lorsqu'une onde électromagnétique pénètre dans un bon conducteur tel le cuivre,

Les ondes peuvent contourner certains obstacles par le phénomène de diffraction. Ce

_-:;;;..--.~ Onde diffractée

Pour que la réflexion se produise, il est simplement nécessaire que la surface du

Ces milieux sont imparfaitement diélectriques ou imparfaitement conducteurs. Deux

a) Réflexion à la surface d'un conducteur imparfait

n est l'indice de réfraction du milieu (2) par rapport au milieu (1).

La réfraction se manifeste également lorsqu'une onde électromagnétique passe d'un

Il est constitué comme l'indique la figure Ci-après:

- la réflexion au-dessus des sols conducteurs et des mers,

- l'absorption au-dessus des sols diélectriques,

Propagation limitée à l'horizon optique pour les fréquences VHF et supérieures.

d#.J2 Rh avec d, R et h utilisant la même unité.

En pratique on utilise la formule suivante:

ou d NM = 1,23 (~hA ft + ~hA' ft) Si A n'est pas au niveau de la mer

Il existe dans l'atmosphère, entre 60 et 500 km d'altitude, des charges électriques

On désigne sous le nom d'IONOSPHERE la portion de l'atmosphère où les charges

Les causes d'ionisation de la haute atmosphère sont:

- la PHOTOIONISATION due aux rayons lumineux et ultraviolets du soleil,

- l'IONISATION PAR PARTICULES SOLAIRES (ions et électrons),

Variations des causes d'ionisation

Formation de plusieurs couches

La constitution de l'atmosphère change lorsque l'altitude augmente et l'azote,

+ ___':,-__->r.,,-_ _+,_ _:-';,,-_-Jo..N (électrons/m3)

b) Effet d'une couche ionisée

La constante diélectrique de l'ionosphère est inférieure à celle de l'air et l'onde

La réfraction diminue lorsque la fréquence de l'onde est plus élevée. Les

- Fréq uence critique

La fréquence critique est la fréquence la plus élevée susceptible d'être réfléchie

Les fréquences critiques des différentes couches ionisées se situent entre

JOUR NUIT JOUR NUIT JOUR NUIT

ALTITUDE (km) 60/80 - 110 80/110 250/450 250

fc 200 à 900KHz - 3 MHz 1 MHz 6à 12 MHz 4à5MHz

- FREQUENCE MAXIMUM UTILISABLE - MUF -

On connaît approximativement les fréquences critiques des différentes couches

- FREQUENCE OPTIMUM DE TRAFIC - FOT-

+ _':,-->r.,,-_ _+,_ _:-';,,-_-Jo..N (électrons/m3)

; - ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ __ ~ ~f