TER Champ proche

Introduction à la microscopie à effet tunnel

AMEUR Nour-El-Houda , KARIOUH Mohamed

Master de physique fondamentale parcours CUCIPhy et Instrumentation Nucléaire

Professeur encadrant : Sophie Marsaudon
11 Novembre 2022

Sommaire

1 Introduction 2

2 Principe et théorie 2
2.1 Description théorique de l’effet tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.1.1 Dans le cas d’une barrière carrée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.1.2 Dans le cas d’une barrière trapézoïdale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Structure électronique dans un solide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2.1 Isolant, Conducteur et Semi-conducteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2.2 Jonction Métal-Isolant-Métal (MIM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3 Principe du STM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.3.1 Composition du microscope à effet tunnel (STM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.3.2 Mode Image . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.3.3 Mode Spectroscopique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

3 Exploitation des résulats et discussion 8

3.1 Fabrication des pointes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.2 Expérience de microscopie à effet tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.3 Etude spectrométrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4 Conclusion 14

1
1 Introduction

Élaboré par les chercheurs Gerd Binnig et Heinrich Rohrer en 1981 à Zurich, le microscope à effet tunnel ou STM
(Scanning Tunneling Microscope) est un outil reposant sur le phénomène quantique qui décrit la capacité d’une
particule quantique à pouvoir franchir une barrière de potentiel, c’est l’effet tunnel.

Cette invention a été récompensée par le prix Nobel de physique en 1986 et a révolutionné la conception des
nouveaux microscopes et le développement des nanotechnologies.

Durant ce TER, nous allons expliquer dans un premier temps les principes physiques utilisés, puis nous allons ap-
pliquer ces principes dans le cas du STM et pour finir, exploiter les résultats obtenus afin de décrire les dimensions
atomiques et les propriétés physique du graphite.

2 Principe et théorie
2.1 Description théorique de l’effet tunnel
2.1.1 Dans le cas d’une barrière carrée
L’effet tunnel est un des phénomènes les plus important de la mécanique quantique. Lorsqu’un électron passe
à travers une barrière de potentiel V0 et possède une énergie inférieure à cette barrière E<V0 , on remarque que
l’électron rebondit sur la barrière mais on observe également une probabilité non nulle de retrouver l’électron
après la barrière. En effet la caractéristique onde-corpusculaire de l’électron ainsi que d’autres facteurs tels que
l’épaisseur de la barrière de potentiel ou encore l’énergie fournit à l’électron permettent d’observer ce phénomène.

Nous allons étudier dans un premier temps au cas d’une barrière de potentiel carré représenté sur la figure 1
ci-contre : [2]

F IGURE 1 – Représentation théorique de l’effet tunnel d’une barrière potentiel carrée en 1D

Soit un électron de masse m et d’énergie E inférieur à V0 se mouvant dans un potentiel V(x) :


 0 si x < 0
V (x) = V0 si 0 < x < a
0 si x > a


On résoud l’équation de Scröndinger indépendante du temps dans les régions (1) (2) (3) :

2
-Dans la région (1) ; x < 0 et V(x)=0 -Dans la région (2) ; 0 < x < a et - Dans la région (3) ; x > a et V(x)=0
V(x) = V0
2 2
ℏ ∂
ℏ
(− 2m ∂2
. ∂x
2
(− 2m . ∂x 2 )Φ(x) = EΦ(x)
2 )Φ(x) = EΦ(x)

2
2 2 ∂ 2
∂2 2
ℏ
(− 2m ∂
. ∂x 2 + V0 − E)Φ(x) = 0
( ∂x 2 + k )Φ(x) = 0
( ∂x 2 + k )Φ(x) = 0
√
2mE
√ avec k = ℏ
2mE
avec k = ∂ 2
2
( ∂x 2 − α )Φ(x) = 0
ℏ
Solution générale :
Solution générale : Φ(x) = F eikx + Ge−ikx
√
Φ(x) = Aeikx + Be−ikx 2m(V0 −E)
avec α = ℏ De la même façon que pour le cas
x < 0, à l’aide de la densité de cou-
On peut justifier les parties incidente →
−
rant de probabilité J on a :
et réfléchie de Φ(x) à l’aide de la
− Solution générale :
→
densité de courant de probabilité J Φ(x) = Ceαx + De−αx ΦF (x) = F eikx
représente l’onde transmise à tra-
ΦA (x) = Aeikx vers la barrière −→
représente l’onde incidente. −→ La solution Φ(x) = Ceαx est physi-
Cepandant, auncune discontinuité
quement pas possible, on pose donc
de potentiel ne peut produire une
ΦB (x) = Be−ikx C=0.
réflexion pour x > a. On pose donc
représente l’onde réfléchie. ←− G=0

La fonction d’onde dans la région L’onde est atténuée ↘ La fonction d’onde dans la région
1: 3:
Φ1 (x) = Aeikx + Be−ikx La fonction d’onde dans la région 2 : Φ3 (x) = F eikx
Φ2 (x) = De−αx

Pour résumé, on a donc :

Φ1 (x) = Aeikx + Be−ikx (région 1 : x < 0 )

Φ2 (x) = De−αx (région 2 : 0 < x < a)

Φ3 (x) = F eikx (région 3 : x > a)

√ √
2mE 2m(V0 −E)
avec k = ℏ et α = ℏ

En utilisant les relations de continuité en x = 0 et en x = a de la fonction d’onde Φ et de sa dérivée ∂Φ

∂x ,
on peut retrouver l’expression du facteur de transmission T(E) qui par définition est la valeur absolue du
rapport entre la densité de courant transmis et la densité de courant incident : T = | JJtransmis
incident
|,
on obtient ainsi :

( 4k
α )
2
16k 2 α2 −2αa
T (E) = ≈[ ]e (1)
( 4k
α )
2 + [1 + ( αk )2 ]2 sinh2 (αa) k 2 + α2

3
2.1.2 Dans le cas d’une barrière trapézoïdale

F IGURE 2 – – Schématisation de l’effet tunnel pour une barrière trapézoïdale

Durant ce TER, nous manipulons un microscope à effet tunnel (STM) dont la barrière n’est pas carrée mais trapé-
zoïdale (voir figure 2). En se plaçant dans l’approximation quasi-classique B.K.W (Brillouin, Kramers, Wentzel),
le calcul de la transparence pour une barrière V(x) quelconque est le suivant :
Ra p
T(E)=exp[−( ℏ2 0
2m V (x) − E dx)]

Pour une barrière trapézoïdale et en appliquant une tension faible devant la hauteur de la barrière (en
énergie), l’expression du courant en fonction de la tension d’après le calcul de Simmons (J. Appl. Phys.
34, 1793, 1963) est :

e2 α −2αa
I= ℏ 4π 2 a V e

I ∝ V e−2αa (2)
En théorie, on doit retrouver une variation linéaire de l’intensité en fonction de la tension et une variation
exponentielle en fonction de la distance.

4
2.2 Structure électronique dans un solide
2.2.1 Isolant, Conducteur et Semi-conducteur
Il existe 3 catégories afin de classer les matériaux solides : les isolants, les semi-conducteurs et les conducteurs.
La conductivité électrique σ est obtenue suite au déplacement des électrons à l’intérieur des différentes bandes
d’énergie dans un solide à savoir la bande de conduction et la bande de valence, on appelle bande interdite ou gap
la l’espacement énergétique séparant ces 2 zones. Dans le cas d’une bande d’énergie vide, cette dernière n’étant
pas peuplée d’électrons, ne participe pas à la formation d’un courant électrique. De manière analogue, une bande
pleine ne participe pas non plus. L’électron se déplace uniquement en présence d’un trou dans sa bande d’énergie.
De ce fait, un matériau dont la bande d’énergie est vide ou pleine est un isolant. Cette configuration peut être
obtenue pour des énergies de gap supérieures à 9 eV, en effet, l’agitation thermique à température ambiante (T
= 300K) ne permet pas le passage des électrons de la bande de valence à la bande de conduction par rupture de
liaison électronique.
Un semi-conducteur peut être considéré comme un isolant pour une température de 0K. Cependant, le gap d’éner-
gie est plus faible (environ 1 eV) et de par l’agitation thermique à température ambiante, la bande de conduction
est légèrement peuplé d’électrons.
Un conducteur ne présente pas de gap énergétique. La bande de conduction est partiellement pleine et on observe
un recouvrement entre les bandes de valence et de conduction.
Le schéma ci-contre résume la représentation des bandes d’énergie dans un solide [5] :

F IGURE 3 – – Représentation des bandes d’énergie dans un solide

Le niveau d’énergie de Fermi (ϵF ) est une caractéristique indispensable afin de déterminer la probabilité d’occu-
pation des électrons dans les niveaux d’énergie, cette probabilité est donnée par la distribution de Fermi-Dirac :
1
F (ϵ) = ϵ−ϵF
1+e kB T

À température ambiante, la probabilité d’occupation des niveaux d’énergie par les électrons est de 12 , les électrons
occupent les niveaux d’énergie jusqu’au niveau de Fermi, De plus, Φ est le travail d’extraction du matériau, il
correspond à l’énergie minimale nécessaire pour déplacer un électron du matériau au niveau du vide.

5
2.2.2 Jonction Métal-Isolant-Métal (MIM)
Le système que nous étudions est divisé en 3 régions : la pointe métallique du microscope (Platine ou Tungsten),
l’air (isolant) puis la surface de l’échantillon (graphite). En se plaçant à température ambiante, les électrons de la
pointe occupent les états jusqu’à l’énergie ϵF 1 et les électrons du graphite occupent les états jusqu’à l’énergie ϵF 2
avec ϵF 1 < ϵF 1 .

La pointe balaye la surface de l’échantillon et en se rapprochant, un transfert d’électrons par effet tunnel s’effectue
entre la pointe et l’échantillon. Ce transfert n’étant pas polarisé, on applique une différence de potentiel V entre la
pointe et l’échantillon afin de favoriser une orientation de la propagation des électrons, cela à pour conséquence
la formation d’une barrière de potentiel trapézoïdale (voir figure 4). Afin d’observer l’effet tunnel, il faut que la
distance pointe-surface soit de l’ordre de quelques Angström (distance atomique) car le coefficient de transparence
varie exponentiellement avec l’épaisseur de la barrière de potentiel ( équation 1 ).

F IGURE 4 – – Courant tunnel suite à l’application d’une DDP sur une jonction Métal-Isolant-Métal

Selon le modèle de J.Bardeen (Phys. Rev. Lett. (1961) 6, p 57-60), on effectue une combinaison linéaire de deux
fonctions d’onde ψP (région 1 de la figure 1) et ψS (région 3 de la figure 1) afin de décrire la fonction d’onde du
système.

Par ailleurs, en s’appuyant sur les résultats de Tersoff et Hamann (Phy. Rev. Lett. (1983) 50, 25, p 1998-
2001) s’appliquant pour des tensions V faibles avec une distance a et une barrière V fixées, on obtient :

I ∝ V ρp (ϵF 1 )ρs (ϵF 2 , →

−
r) (3)

On retrouve une dépendance linéaire du courant avec les densités locales d’état sur la pointe ρp et sur la
surface ρs au niveau de Fermi.

Sachant que la densité d’états au niveau de Fermi de la pointe ρp (ϵF 1 ) est constante et que le courant
décroît exponentiellement avec la distance, on obtient la relation suivante :
√
I ∝ V ρs (→
−
r , EF )e−Ba Φ
(4)
− 21
B = 1,025 eV .Å−1 et Φ est le travail d’extraction du matériau décrit précédemment

En dérivant la relation précédente (4) par rapport à V, on obtient la conductance différentielle qui est
proportionnelle à la densité locale d’états de l’échantillon :

dI
σ(V )|0K = ∝ ρs (5)
dV 0K

6
2.3 Principe du STM
2.3.1 Composition du microscope à effet tunnel (STM)
Afin de mettre en pratique ce que l’on a étudié dans la partie théorique, on utilise un microscope à effet tunnel dont
la schématisation est présentée figure 5 (Référence [4]). On utilise des céramiques piézoélectriques afin d’effectuer
un déplacement tridimensionnel.

(a) Schéma du montage [4] (b) Photo du montage

F IGURE 5 – Éléments du microscope à effet tunnel

2.3.2 Mode Image

Parmi les deux modes d’utilisation que présente le STM, le premier est appelé "mode Image" et permet de repré-
senter numériquement l’échantillon en déplaçant la pointe parallèlement au plan (x,y) de l’échantillon. De plus, en
utilisant une boucle de contre réaction, on étudie les variation du courant I(t) par rapport à une valeur de consigne
I0 , et on enregistre sur l’ensemble de la surface, la hauteur du piezo sur l’axe z (normal au plan (x,y)).
On obtient ainsi une cartographie des irrégularités de la surface de l’échantillon à analyser (voir figure 6).

F IGURE 6 – Schématisation du déplacement de la pointe en fonction du courant tunnel en mode image

7
2.3.3 Mode Spectroscopique
Un second mode est également utilisé intitulé "mode spectroscopique". Dans ce mode, on retire la boucle de contre
réaction et la pointe est fixé en un point de l’échantillon (x,y), deux possibilités d’étude se présentent :
En variant linéairement la tension V et en se plaçant à hauteur constante, on mesure ainsi la I(V) et on déduit la
dI
conductance différentiel, σ(V ) = dV . Cela nous permet d’étudier la densité locale d’états.
On peut également faire varier la hauteur de la pointe en fixant la tension V constante, on mesure ainsi I(z).
À partir de ce résultat, on en déduit la nature de l’interaction pointe-surface en se référant à l’équation (2).

3 Exploitation des résulats et discussion

3.1 Fabrication des pointes
On réalise les pointes à l’aide de deux matériaux, dans un premier temps avec du Platine puis dans un second
temps avec du Tungsten.
La création de la pointe en Tungstène se fait par attaque chimique contrôlée suivant les réactions d’oxydoréduction
suivantes :

W(s) + 8HO− −→ W O42− + 4H2 0 + 6e−



H2 O + e− −→ 1
2 H2(g) + HO
−

En effet, on plonge un fil de Tungstène dans une solution constituée à 80% de NaOH et 20% de glycérol.
On alimente la solution à l’aide d’un générateur délivrant une tension sinusoïdale de 20V crête à crête et de
fréquence 10KHz et on suit l’évolution de la réaction à l’aide d’un ampèremètre
Ce matériau est un bon conducteur pas cher mais l’inconvénient est qu’il s’oxyde rapidement (on observe une
teinte sombre sur le matériau).

D’autre part, la réalisation de la pointe de platine se fait manuellement à l’aide d’une pince représentée en bleu
sur la figure 7 (b) (Référence [3]), le platine est un meilleur conducteur et qui s’oxyde moins que le Tungstène, en
revanche, il coûte plus cher.

(a) Tungstène (b) Platine [3]

F IGURE 7 – Réalisation des pointes de Platine et de Tungstène

(Référence [3] )

8
3.2 Expérience de microscopie à effet tunnel
À l’aide du logiciel de traitement d’images Gwyddion , nous avons pu étudier la surface de l’échantillon.
En zoomant sur une partie de notre échantillon jusqu’à avoir une surface de 250 nm x 250 nm , nous pouvons
voir des marches ; ce sont des différences d’épaisseur (hauteur) de l’échantillon (figure 8 (a)). De plus, en utilisant
l’outil "display a 3D view of data" du logiciel permettant de faire une modélisation en 3D de cette surface, on
obtient les résultats suivants : :

(b) Modélisation en 3D d’un ensemble de marches sur

(a) Balayage d’ensemble (250 nm x 250 nm) l’échantillon

F IGURE 8 – Représentation des marches

Grâce à cette modélisation, nous sommes capables de bien identifier les marches et ainsi de bien les visualiser.
nous pouvons dénombrer 3 marches de hauteurs différentes et qui correspondent à des nombres différents d’em-
pilements de plans.

Nous avons également tracé les différentes positions de la hauteur z de notre échantillon en fonction de la distance
x afin d’obtenir un profil de coupe transversale de la surface au niveau d’une marche, grâce à l’outil "extract profils
along arbitrary lines" du logiciel nous obtenons le profil de trois coupes voisines (représentées par les trois traits
tracés sur la capture d’écran à gauche ci-dessous) :

F IGURE 9 – Coupes transversales de la surface de l’échantillon

Nous observons bien la marche (différence de hauteur entre les deux surfaces claires séparées par le creux
sombres), nous remarquons que la hauteur de la marche est très proche pour les trois coupes.
A partir de ces résultats nous pouvons estimer la hauteur de cette marche.
Nous pouvons en faire une moyenne sur les trois coupes pour trouver la valeur approximative de la hauteur de la
marche , nous trouvons ainsi que hmoyenne = 18, 50nm. L’incertitude sur cette mesure est calculée en comparant
cette valeur moyenne à la hauteur de la marche sur les trois coupes, nous estimons une incertitude de 0, 25nm.
Finalement nous trouvons : hmoyenne = 18, 50nm ± 0, 25nm .

9
Cette hauteur est grande par rapport à la hauteur théorique d’une marche ( distance entre deux plans consécutifs de
graphite) qui est de 0,335 nm , en effet, nous pouvons supposer que lorsque l’on a arraché des plans du Graphite
avec le scotch, et lorsque l’on a nettoyé la surface , nous avons arraché plusieurs plans moins adhérents de certains
endroits en laissant d’autres sur d’autres zones de la surface créant ainsi des marches profondes .
18,5
Sur cette marche, nous pouvons calculer le nombre de plans présents : 0,335 = 55 , notre marche a donc 55 plans
consécutifs de graphite .

Le graphite est constitué d’un empilement de réseaux hexagonaux d’atomes de Carbone, comme illustré sur la
figure ci dessous.

F IGURE 10 – Vue en 3D des plans de graphite avec les valeurs théoriques des distances interatomiques et de l’angle spatial

Par la suite, nous avons effectué des zooms sur notre surface, afin de pouvoir mesurer la taille du réseau atomique
de notre maille. Nous diminuons ainsi l’échelle du balayage jusqu’à quelques nanomètres (3,9 nm x 3,9 nm) (voir
figure 11 (a)).

Afin de trouver la valeur de la distance interatomique, nous avons effectué une moyenne de distance sur une ligne
de 6 atomes sur trois régions différentes (voir figure 11 (b)) pour en déduire les incertitudes en utilisant l’outil
"measure distances and directions between two points".

(a) Balayage intermédiaire (3,9 nm x 3,9 nm) (b) Moyenne sur une ligne de 6 atomes consécutifs

F IGURE 11 – Mesure des distances inter-atomiques

En prenant une période de 5, nous trouvons alors que la distance moyenne entre deux atomes est de :
Rmoyenne = 1,22
5 = 0, 244nm = 2, 44 Å
En comparant cette valeur moyenne à celle trouvé a partir de chaque mesure , nous trouvons une incertitude de
0,04 Å. On obtient finalement : Rmoyenne = 1,22
5 = 2, 44 ± 0, 4 Å.

10
Nous trouvons alors une distance entre deux atomes sur des bords opposés de l’hexagone atomique , ce qui
coïncide avec la théorie où cette distance est de l’ordre de 0, 25nm = 2, 5 Å.
Nous calculons l’erreur relative sur cette mesure, nous trouvons : %erreur = 2, 4% .

Afin d’obtenir une meilleure précision sur cette mesure de distance interatomique et afin de mesurer les angles
spatiales, nous allons encore zoomer sur notre échantillon jusqu’à avoir une échelle de 0,98 nm x 0,98 nm , nous
obtenons les figures suivantes :

(a) Balayage au niveau atomique (0,98 nm x 0,98 nm) (b) Modélisation en 3D de la surface

F IGURE 12 – Balayage au niveau atomique et modélisation 3D

Nous pouvons observer clairement le réseau des hexagones atomiques caractéristiques du Graphite.(voir figures
12(a)).

Nous pouvons ainsi mesurer la distance entre deux atomes adjacents en utilisant l’outil "measure distances and
directions between two points" . Les résultats sont présentés sur la figure ci-dessous.

F IGURE 13 – Mesures de la distance interatomique

Nous trouvons une distance moyenne de : rmoyenne = 125, 5pm = 1, 255 Å, en comparant cette valeur aux
mesures trouvées, nous estimons une incertitude de 0, 075 Å.
Donc finalement la distance moyenne entre deux atomes voisins dans un réseau hexagonal de noyaux de Carbone
est de : 1, 255 ± 0, 075 Å.
En comparant ce résultat à la valeur théorique qui est de 1, 4 Å, nous trouvons une erreur relative de 12, 5%.

11
Ensuite, nous effectuons une transformée de Fourier FFT , en utilisant l’outil "2D FFT filtering". Nous pouvons
relever les valeurs de l’angle spatial entre les atomes au sein de l’hexagone atomique, nous trouvons les résultats
suivants :

F IGURE 14 – Transformée de Fourier de l’image zoomée de l’échantillon

Nous trouvons ainsi en moyenne que : ϕ = 127, 8° avec une incertitude de 0, 2° estimée en comparant cette valeur
moyenne aux valeurs mesurées.
On a donc : ϕ = 127, 8° ± 0, 2 °
La valeur théorique de cet angle et de 120°, l’erreur relative de notre mesure est de 6, 5%

3.3 Etude spectrométrique

Le logiciel Gwyddion nous permet également de faire de la spectrométrie. Nous pouvons ainsi tracer les courbes
de l’intensité I en fonction de la hauteur Z et aussi de la tension V .
Tout d’abord, nous avons procédé à l’étude de l’évolution du courant tunnel en fonction de la tension appliquée
entre le pointe et la surface. Nous avons tracé la courbe I=f(V) à différents endroits de la surface (figure 15
(a). Nous remarquons que les deux courbes ont presque la même allure qu’une fonction polynomiale d’ordre 3
(f(x)=x3 ), nous effectuons ainsi une régression polynomiale de la courbe rouge car elle représente moins d’irré-
gularités (figure 15 (b) :

(a) Courbes I(V) à différents endroits (b) Ajustement polynomiale de la courbe I(V)

F IGURE 15 – Représentation graphique du courant I en fonction de la tension V

Nous observons alors que l’intensité est bien une fonction polynomiale de la tension. A partir de ces résultats nous
dI
pouvons tracer la densité locale d’états en fonction de la tension V. Cette densité est donnée par : σ(V ) = dV .
Pour avoir des valeurs précises de la densité, nous allons dériver l’équation du fit polynomiale une fois par rapport
à la tension .

12
Nous obtenons alors : σ(V ) = 5, 6.10−8 V 2 + 2, 96.10−9 .V + 1, 59.10−8
En traçant cette expression en fonction de V nous trouvons :

F IGURE 16 – Densité locale des états en fonction de la tension V

Nous trouvons alors des valeurs très faible de la densité σ qui varient entre 0 et 5, 3.10−7 .
Nous observons que pour des valeurs de tension comprises entre -0,3V et 0,3V, la densité est très faible voir nulle.
Nous pouvons en déduire que sur cet intervalle, il existe une relation linéaire entre la tension et l’intensité I . Ceci
est dû à l’existence d’un gap d’énergie ou une bande d’énergie interdite sur cet intervalle de tension qui résulte en
l’absence d’états sur ce domaine et ainsi la densité locale d’états est nulle.
Ce comportement est en effet un comportement d’un matériau semi-conducteur.

D’autre part, nous avons étudié l’évolution de l’intensité en fonction de la hauteur de la surface z , nous avons
tracé la courbe I(Z) à différents endroits de la surface (figure 17 (a)). De plus, afin de trouver la valeur du travail
de sortie (ou travail d’extraction) du graphite, nous effectuons une régression exponentielle sur l’une des courbes
pour retrouver la proportionnalité représentée par la formule (4) (figure 17 (b)) . Nous obtenons :

(a) Évolution de l’intensité I en fonction de la hauteur z (b) Ajustement exponentielle de la courbe I(z)

F IGURE 17 – Représentation graphique du courant I en fonction de la distance z

Nous observons un comportement exponentiel pour toutes ces courbes, ce qui coïncide avec la théorie (voir rela-
tion (2) ) ; l’intensité présente une variation exponentielle avec la distance Z .

A partir de l’équation de régression nous trouvons le travail d’extraction : ϕ = 4, 37eV .

Pour le graphite la valeur théorique du travail d’extraction est compris entre 4,5 eV et 4,7 eV, nous trouvons ainsi
une erreur relative de 2, 8%

13
4 Conclusion
A travers ce TER, nous avons effectué l’étude du fonctionnement d’un microscope à champ proche. Nous avons
préparé les pointes de Tungstène et de Platine pour étudier la surface d’un échantillon en graphite. A l’aide du lo-
giciel de traitement d’images Gwyddion, nous avons étudié une marche pour estimer sa hauteur et ainsi le nombre
de plans dont elle se compose.
Ensuite, nous avons procédé à l’étude du réseau atomique à un échelle intermédiaire puis à un échelle plus petite
afin d’estimer les distances interatomiques. Nous avons également pu observer la maille hexagonale d’atomes de
Carbon qui est une caractéristique du réseau du graphite, puis, à l’aide d’une transformée de Fourier de notre
image nous avons mesuré l’angle spatial entre deux atomes d’un cycle hexagonal.
Finalement, nous avons effectué une étude spectrométrique. Nous avons tracé les courbes de l’évolution de l’in-
tensité en fonction de la tension afin d’en extraire l’expression de la densité locale des lieux σ , nous avons trouvé
que cette densité est nulle au niveau d’un domaine de tension car à ce niveau-là il existe un niveau d’énergie inter-
dite. Nous avons également tracé l’évolution de l’intensité en fonction de la hauteur et vérifié la loi exponentielle
entre l’intensité afin d’en déduire la valeur du travail d’extraction .
Par l’intermédiaire de ce TER nous avons pu expérimenter pour la première fois l’effet tunnel d’un point de
vue quantique. Cette expérience nous a aidé à bien comprendre le fonctionnement d’un STM et à consolider
nos connaissances. On pourrait répéter l’expérience en utilisant une pointe supraconductrice afin de réaliser des
jonctions supraconducteur-Isolant-Supraconducteur (SIS) en se plaçant à basse température (entre 1K et 30K), on
obtiendrait ainsi une amélioration de la résolution en énergie de la mesure.
Cela constitue la base de la microscopie à effet Josephson.

Références

[1] S. Marsaudon TER de Champ Proche (2022)

[2] B. Pons TD de Physique Atomique, page 1 (2022)
[3] V. Mironov Fundamentals of Scanning Probe Microscopy, page 42 (2014)
[4] V. Dubost, Étude par microscopie tunnel de la transition isolant/métal, page 71 (2010)
[5] optique-ingenieur.org, Physique des semi-conducteurs
[6] Handbook du logiciel Gwyddion, Guide utilisateur de Gwyddion

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