Ecole Hassania Des Travaux Publics

Examen Modélisation des composants électronique 2023

1ère session-1GE
Durée 1h30

Exercice 1 :

On considère une jonction pn orienté selon ox. La zone de contact se trouve en x=0 et la
zone n est située dans le domaine des x positifs. Ceci conduit au profil de charge électrique
𝜌(𝑥) suivant :

𝜌(𝑥) = 0 pour −∞ < 𝑥 < −𝑥𝑝 (zone quasi-neutre) Zone I

𝜌(𝑥) = −𝑞𝑁𝐴 pour −𝑥𝑝 < 𝑥 < 0 (zone de déplétion) Zone II
𝜌(𝑥) = 𝑞𝑁𝐷 pour 0 < 𝑥 < 𝑥𝑛 (zone de déplétion) Zone III
𝜌(𝑥) = 0 pour 𝑥𝑛 < 𝑥 < +∞ (zone quasi-neutre) Zone IV

1. Ecrire l’équation de Poisson

2. Résoudre cette équation dans les différentes zones et déduire le champ électrique
3. Démontrer la relation qui existe entre 𝑁𝐴 𝑥𝑝 et 𝑁𝐷 𝑥𝑛
4. En déduire la valeur du potentiel électrique 𝑉(𝑥) en utilisant les conditions aux
limites suivantes : 𝑉(−𝑥𝑝 ) = 𝑉𝑝 et 𝑉(𝑥𝑛 ) = 𝑉𝑛
5. Calculer la valeur du potentiel de diffusion de la jonction
6. En utilisant les relations précédentes, donner la largeur de la zone de déplétion en
fonction de 𝑞, 𝜀, 𝑁𝐴 , 𝑁𝐷 et 𝑉
7. Comment sont modifiés les résultats précédents lorsque l'on applique une tension 𝑉𝑎
à la jonction comptée positivement lorsque le potentiel de la zone p est supérieur à
celui de la zone n.

Exercice 2:

1. Un échantillon de Ge est dopé avec 2,5 1013 𝑐𝑚−3 d'atomes donneurs qui peuvent
être supposés complètement ionisés à température ambiante.𝑛𝑖 = 2,5 1013 𝑐𝑚−3

En utilisant les lois d’action de masse et de neutralité électrique, prouver que la

concentration en électrons libres de cet échantillon à température ambiante, s’écrit
1
sous la forme 𝑛 = 2 [𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 + √(𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 )2 + 4𝑛𝑖2 ] et calculer sa valeur.

2. Supposons qu'un semi-conducteur de type n est uniformément éclairé, produisant un

taux de génération d'excès uniforme g. Montrez qu'en régime permanent, la
variation de la conductivité du SC est donnée par 𝛥𝜎 = 𝑞(𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )𝜏𝑝 𝑔.

1
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Exercice 3 :

Une structure PIN consiste en une région intrinsèque entre deux régions dopées. Dans ce
problème, les deux régions dopées ont la même concentration d'impuretés (𝑁𝐴 = 𝑁𝐷 =
1015 𝑐𝑚−3). La largeur de la région intrinsèque est d= 2 μ𝒎. La figure montre le profil de
la densité de charge dans la structure PIN.

1) Dessinez qualitativement les profils du champ électrique et du potentiel le long de la

structure PIN. Tracez aussi le diagramme de bande en équilibre.
2) Calculez le potentiel de diffusion entre les deux extrémités de la structure PIN.
3) Calculez la largeur(xp=xn) des zones de charges d’espace dans les zones dopées.
4) Calculez le champ électrique dans les zones intrinsèques

Données
q=1,6×10−19 A s; ε0= 8,85 × 10−14 F cm−1 ; ε r= 11.7 ; kB = 1,38×10-23 J.K-1 =8,62×10-5 eV.K-1 ;
𝜌 𝑑𝑛
h= 6,62×10−34 J s ; ∇𝐸⃗ = 𝜀 ; 𝐿𝑛 = √𝐷𝑛 𝜏𝑛 ; 𝐽𝑛 = 𝑞𝜇𝑛 𝑛𝐸 + 𝑞𝐷𝑛 𝑑𝑥 ;

Bonne chance

2
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Correction Examen Modélisation des composants électronique

Exercice 1 :

Regarder cours chapitre 2 entre P25 et P43

Exercice 2 :

1)

2)
La conductivité totale s’écrit 𝜎 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 + 𝑞𝑝𝜇𝑝

- Avant illumination : 𝑛𝑛 = 𝑛𝑛0 , 𝑝𝑛 = 𝑝𝑛0

- Après illumination : 𝑛𝑛 = 𝑛𝑛0 + ∆𝑛 = 𝑛𝑛0 + 𝜏𝑝 𝑔, et 𝑝𝑛 = 𝑝𝑛0 + ∆𝑝 = 𝑝𝑛0 + 𝜏𝑝 𝑔

∆𝜎 = [𝑞𝜇𝑛 (𝑛𝑛0 + ∆𝑛) + 𝑞𝜇𝑝 (𝑝𝑛0 + ∆𝑝)] − (𝑞𝜇𝑛 𝑛𝑛0 + 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝑛0 ) = 𝑞(𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )𝜏𝑝 𝑔

Exercice 3

1)

3
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2- Le potentiel de diffusion est donnée par :

3- La tension de diffusion est également donnée par l'intégrale du champ électrique, qui
peut être calculée géométriquement :

𝑁𝐴
• On a 𝑥𝑝 = 𝑥𝑛 et 𝐸0 = 𝑞 𝑥𝑝 donc :
𝜀

4- Le champs électrique dans la région intrinsèque est uniforme et égale à :