Electronique Analogique S5

PLAN DE TRAVAIL
➢Chapitre 1 : Amplificateurs à transistors en
basses fréquences

➢Chapitre 2 : Amplificateurs à transistors en

haut fréquences

➢ Chapitre 3 : Amplificateurs différentiel

➢Chapitre 4 : Amplificateurs opérationnel et

ses applications

➢Chapitre 5 : Contre reaction

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Amplificateurs : c’est un systeme

électrique augmentant la tension et
/ou l’intensite d’un signal électrique
➢ Ampli de courant :E(t) et S(t) sont des
courants.

➢ Ampli à transconductance :E(t) est

une tension et S(t) est un courant.

➢ Ampli à transrésistance :E(t) est un

courant et S(t) est une tension.

➢ Ampli de tension :E(t) et S(t) sont des

tensions c’est le plus utilisé dans notre
programme.
Amplificateurs à Amplificateurs à
transistors bipolaire éffet de champ

Amplificateurs à transistors en basses

fréquences
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Notation Bases Shéma

Grandeur continue Grandeur variable

(regime statique) en (regime dynamique) en
lettres majuscules lettres minuscules
(symbole et indice): 𝑉𝐷 (symbole et indice): 𝒗𝒅

Remarque important
Pour fixer le point de fonctionnement ( 𝑰𝑩0 𝑽𝐵𝐸0 𝑰𝐶0 𝑽𝐶𝐸0 )
On doit déterminer la droit de charge
statique et la droit d’attaque statique
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Point de fonctionnement Q

Effet de Saturation Effet de Blocage

conséquence

Il faut choisir le point de

fonctinnement au milieu
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Application

➢ Droite de charge statique(𝑰𝐶 =f(𝑽𝐶𝑬 ))

La loi des mailles donne :
𝑹𝑬 𝑰𝑬 + 𝑽𝑪𝑬 + 𝑹𝑪 𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑪

Or : 𝑰𝑪 ˷- 𝑰 𝑬 Voir cour S4

Donc : (𝑹𝐸 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑪 - 𝑽𝑪𝑬

𝑽𝑪𝑪 −𝑉𝐶𝑬 L’équation de la

𝑰𝑪 =
𝑹𝑬 + 𝑹𝐶 droit de charge
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Application
➢ Droit de charge dynamique(regime variable):
Avec :
𝐂𝐃 :condensateur de découplage
𝐂𝐋 : condensateur de laison
Remarque important 1

Régime statique(ῳ=0) Régime dynamique(ῳ= ∞)

𝒁𝑪 0
𝒁𝑪 ∞
Donc le condensateur Donc le condesateur est
est remplacé par remplacé par

Remarque 𝟏
➢ Le montage sans 𝑹𝒖 𝒊𝒄 =- 𝒗𝒄𝒆
𝑹𝑪
𝟏
➢ Le montage avec 𝑹𝒖 𝒊𝒄 =- 𝒗
𝑹𝒄 𝑹𝒖 𝒄𝒆
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Remarque
Paramétres H
On peut considerer le transistore seul en émetteur 𝒗𝒃𝒆
commun comme un quadripôle en regime dynamique 𝒉𝟏𝟏 = ( 𝒗𝒄𝒆=𝟎 )
𝒊𝒃
caractérisé par ses paramétres hybrides 𝒉𝒊𝒋

𝒊𝒄
Avec: 𝒉𝟐𝟏 = (𝒗𝒄𝒆=𝟎 )
𝒊𝒃
➢ 𝐡𝟏𝟏 = tan Ψ: correspond à la résistance 𝒗𝒃𝒆
dynamique de la jonction B-E sa valeur est 𝒉𝟏𝟐 = (𝒊 =0)
𝒗𝒄𝒆 𝒃
l’ordre de qlq kΩ
𝒊𝒄
➢ 𝐡𝟐𝟏 = 𝛃= tan φ: est le gain en courant E-C 𝒉𝟐𝟐 = (𝒊 =0)
𝒗𝒄𝒆 𝒃
à sortie court-circuitée

➢ 𝐡𝟏𝟐 =tan θ: il est généralement négligé

➢ 𝐡𝟐𝟐 =tan τ: a typiquement une valeur de

10e-6 10e-4 et il est souvent négligé
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transistore Avec les

paramétres
universels
➢ Le transistor fonctionne Shéma équivalent
conditions
en regime actif
(Régime dynamique)
➢ Ce shéma est valable
en petit signaux

➢ Ce shéma est valable

en BF
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Shéma équivalent
montage Application
(Régime dynamique)

➢ Relier toutes les sources de tension

continue à la masse(exp:Vcc).

➢ Court-circuiter sauf indication

contraire tous les condensateurs de
laison et de découplage.

➢ Remplacer les transistors par leurs

shémas équivalent(paramétres
hybrides).
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Caractéristique fonctionnelles

Shéma fonctionnel d’un amplificateur

𝒗𝒔
➢ Gain en tension : 𝑨𝒗 =
𝒗𝒆
𝒗𝒔
➢ Gain à vide : 𝑨𝒗𝟎 = 𝑹 ∞
𝒗𝒆 𝒖
𝒊𝒔
➢ Gain en courant : 𝑨𝒊 =
𝒊𝒆
𝒗𝒆
➢ Impédance d’éntrée : 𝒁𝒆 =
𝒊𝒆
𝒗𝒔
➢ Impédance de sortie : 𝒁𝒔 = 𝒆 =𝟎
𝒊𝒔 𝒈
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Montage fondamentaux à transistors bipolaires

Emetteur commun Collecteur commun Base commune

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Application 1 : Amplificateur Emetteur

commun(EC)

Shéma équivalent du montage

Remarque important 2
On a dans ce cas le montage est Emetteur
commun parceque tout simplement l’entrée
entre la base et la masse,la sortie entre le
collecteur et la masse

Cherchons les Caractéristique

fonctionnelles de notre amplificateur
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Impédance d’etrée

𝒗𝒆
𝒁𝒆 = = 𝑹𝒑 (𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 )
𝒊𝒆

Impédance de sortie

𝒗𝒔
𝒁𝒔 = 𝒆𝒈 = 𝟎 = 𝑹𝒄
Gain en tension Gain en tension Gain en courant 𝒊𝒔
𝒗𝒔 à vide (𝑹 ∞)
𝒖
𝑨𝒗 = 𝑹𝒑 𝑹𝒄 𝜷
𝒗𝒆 𝑹𝒄 𝜷 𝒊𝒔
𝑨𝒗𝟎 =− 𝑨𝒊 = =
𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒆 𝑹𝒄 + 𝑹𝒖 𝑹𝒑 + 𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏

𝒗𝒔 = −𝑹𝒆𝒒 𝜷𝒊𝒃 𝒗𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃

𝑹𝒆𝒒 𝜷
𝑨𝒗 = − 𝑹𝒆𝒒 𝜷𝒊𝒃 𝒉𝟏𝟏 𝒁𝑬
𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒔 = 𝒊𝒆 = 𝟏 + + 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃
𝑹𝒖 𝑹𝒑 𝑹𝒑
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Impédance d’etrée
démonstration
𝒁𝑬 = 𝑹𝑬 𝑪𝑬 𝒊𝒆 = 𝒊𝒃 + 𝒊𝟐

Gain en tension Gain en tension 𝒗𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃

à vide (𝑹 ∞)
𝒖
𝒗𝒔 = −𝑹𝒆𝒒 𝜷𝒊𝒃 𝒗𝒆
𝒗𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃 𝒊𝒃 =
𝟏 𝟏 𝟏 𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏
= +
𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝒄 𝑹𝒖 𝑹𝒆𝒒 𝑹𝒄 𝑹𝒖
𝒗𝒆 𝒗𝒆
𝒊𝟐 = 𝒊𝒆 = + 𝒊𝒃
𝑹𝒑 𝑹𝒑
𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝒄
Gain en courant

𝒗𝒔 𝒊𝒆 = 𝒊𝒃 + 𝒊𝟏
𝑹𝒄 𝜷 𝒊𝒔 = −
𝑨𝒗𝟎 =− 𝑹𝒖
𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 𝒗𝒆
𝒊𝟏 =
𝑹𝒑 = 𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝑹𝒑
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Remarque important 3

La différence entre l’amplificateur Emetteur

commun découplé et non découplé

découplé Non découplé

On ici la résistance 𝑹𝑬 en
parallele avec le condensateur
de découplage𝑪𝑫
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𝒁𝑬 = 𝑹𝑬 𝑹𝒆𝒒 𝜷 𝑹𝒆𝒒 𝜷 𝑹𝑬 = 𝟎 𝑹𝒆𝒒 𝜷

𝑹𝒆𝒒 𝜷 𝑨𝒗 = −
𝑨𝒗 = − 𝑨𝒗 = − 𝑨𝒗 = − 𝒉𝟏𝟏
𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝑬 𝜷 𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷

Gain en tension avec

Gain en tension sans découplage (𝐑 𝐄 non découplée) découplage parfait

Remarque sur l’effet de la capacité 𝑪𝑬

Gain en courant avec découplage parfait Gain en courant court-circuit et avec

découplage parfait

𝒁𝑬 = 𝟎 𝒁𝑬 = 𝟎 𝑹𝒑 𝜷
𝑹𝒑 𝑹𝒄 𝜷 𝑹𝒑 𝑹𝒄 𝜷
𝑨𝒊 = 𝑨𝒊 = 𝑨𝒊 =
𝑹𝒄 + 𝑹𝒖 𝑹𝒑 + 𝒉𝟏𝟏 + 𝒁𝑬 𝜷 + 𝟏 𝑹𝒄 + 𝑹𝒖 𝑹𝒑 + 𝒉𝟏𝟏 𝑹𝒑 + 𝒉𝟏𝟏
𝑹𝒖 = 𝟎
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Remarque important 4
Pour calculer l’impédance de sortie il
faut bien suivre les étapes suivants :

➢ Étape1: je remplacer la charge ➢ Étape2 𝒆𝒈 = 𝒇 𝒊𝒃 : ➢ Étape3:on tracer le

𝑹𝒖 𝒗𝒔 shéma équivalent pour
par le calculer de 𝒁𝒔

𝒆𝒈 = 𝒌𝒊𝒃 𝒆𝒈 = 𝒌𝒊𝒃 + 𝒌′
𝒁𝒔 ≠ 𝒇 𝒍𝒂 𝒄𝒉𝒂𝒓𝒈𝒆 𝑹𝒖

par
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Application 2 : Amplificateur collecteur

commun(CC)

Shéma équivalent du montage

Remarque important 5
On a dans ce cas le montage est collecteur
commun parceque tout simplement l’entrée
entre la base et la masse,la sortie entre
l’Emetteur et la masse

Cherchons les Caractéristique

fonctionnelles de notre amplificateur
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Impédance d’etrée

𝑹𝒆 = 𝑹𝒑 Τ/ 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏

Impédance de sortie

𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒕𝒉
𝑹𝒔 = 𝑹𝑬 Τ/
𝜷+𝟏
Gain en tension Gain en tension
à vide (𝑹 ∞)
𝒖
𝒗𝒔 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏 Gain en courant
𝑨𝒗 = = ≈𝟏 𝒗𝒔 𝑹𝑬 𝜷 + 𝟏
𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏 𝑨𝒗𝟎 = = ≈𝟏
𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝑬 𝜷 + 𝟏
𝒊𝒔 𝑹𝑬 𝜷 + 𝟏
𝑨𝒊 = = −
𝒊𝒆 𝑹𝒖 + 𝑹𝑬 ൣ 𝟏 + 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏
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Impédance d’etrée
démonstration
𝒗𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃

𝒗𝒆
Gain en tension Gain en tension 𝒊𝒃 =
à vide (𝑹 ∞) 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏
𝒖
𝒗𝒆
𝒊𝒆 = 𝒊𝒃 +
𝒗𝒔 = 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃 𝒗𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃 𝟏 𝟏 𝟏 𝑹𝒑
= +
𝑹𝒆𝒒 𝑹𝑬 𝑹𝒖 𝒊𝒆 𝟏 𝟏
= +
𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝒆𝒒 𝜷 + 𝟏 𝑹𝒑
𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝑬
Gain en courant
𝑹𝑬
Diviseur de courant : 𝒊𝒔 = − 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃
𝑹𝑬 + 𝑹𝒖
𝒗𝒆
𝒊𝒆 = 𝒊𝒃 + 𝒊′ 𝒊′ =
Avec 𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝑬 Τ/ 𝑹𝒖 𝑹𝒑
𝑹𝒑 = 𝑹𝟏 Τ/ 𝑹𝟐
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Impédance de
sortie(méthode de thévnin)

A’ 𝒗𝒔
𝑹𝒈
𝑹𝒔 = ቇ 𝒆𝒈 = 𝟎
𝒊𝒔
𝑬𝒕𝒉 A’ B’

B’ 𝑹𝒑

𝑹𝒑
𝑬𝒕𝒉 = 𝒆𝒈 = 0 𝑹𝒕𝒉 = 𝑹𝒈 Τ/ 𝑹𝒑
𝑹𝒑 +𝑹𝒈 𝒗𝒔 = −𝑹𝒆𝒒 𝒊𝒃 𝒗𝒔 = 𝑹𝑬 𝒊′ 𝒊 𝒔 + 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃 = 𝒊′
𝒊𝒔 𝟏 𝟏
= + 𝜷+𝟏
𝒗𝒔 𝑹𝑬 𝑹𝒆𝒒
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Les caractérestique d’un amplificateur collecteur commun

✓ Gain en tension ✓ Gain en courant ✓ Impédance d’etrée ✓ Impédance

quaisiment égal à l’unité 1 important élvée de sortie faible
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Application : Amplificateur Base commune(BC)

Shéma équivalent du montage

Remarque important 6
On a dans ce cas le montage est base
commune parceque tout simplement l’entrée
entre la base et la masse,la sortie entre
l’Emetteur et la masse

Cherchons les Caractéristique

fonctionnelles de notre amplificateur
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Impédance d’etrée
𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏
𝑹𝒆 = Τ
= 𝑹𝑬 /
𝒊𝒆 𝜷+𝟏
𝒉𝟏𝟏
𝑹𝒆 ≈
𝜷+𝟏
Impédance de sortie
𝒗𝒔
𝑹𝒔 = 𝒆 = 𝟎 = 𝑹𝒄
𝒊𝒔 𝒈
Gain en tension Gain en tension
à vide (𝑹 Gain en courant
𝒖 ∞)
𝒗𝒔 𝑹𝒆𝒒 𝜷 𝒊𝒔 𝑹𝒄 𝑹𝑬 𝜷
𝑨𝒗 = = 𝒗𝒔 𝑹𝒄 𝜷 𝑨𝒊 = = −
𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏 𝑨𝒗𝒐 = = 𝒊𝒆 𝑹𝒄 + 𝑹𝒖 ൣ 𝜷 + 𝟏 𝑹𝑬 + 𝒉𝟏𝟏
𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏
𝒊𝒔 𝑹𝒄
𝑨𝒊 = ≈ −
𝒊𝒆 𝑹𝒄 + 𝑹𝒖
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Impédance d’etrée
démonstration 𝒗𝒆
𝒊𝒆 = − 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃 +
𝑹𝑬
𝒗𝒆
𝒊𝒃 = −
𝒉𝟏𝟏
Gain en tension Gain en tension
𝒊𝒆 𝜷 + 𝟏 𝟏
à vide (𝑹 ∞) = +
𝒖 𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏 𝑹𝑬
𝒗𝒔 = −𝑹𝒆𝒒 𝜷𝒊𝒃 𝒗𝒆 = −𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 𝟏 𝟏 𝟏 Impédance de sortie
= +
𝑹𝒆𝒒 𝑹𝒄 𝑹𝒖 𝒊𝒃 = 𝟎 𝑹𝒔 = 𝑹𝒄
𝒆𝒈 = 𝟎
Gain en courant
𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝒄
𝑹𝒄
𝒗𝒆 𝒊𝒔 = 𝜷𝒊
𝑹𝒄 + 𝑹𝒖 𝒃

𝒊𝒆 = − 𝜷 + 𝟏 𝒊𝒃 + 𝒊′

𝒗 𝒉𝟏𝟏
𝒆 𝒊𝒆 = − 𝜷 + 𝟏 + 𝒊𝒃
avec 𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝒄 Τ/ 𝑹𝒖 Diviseur de courant 𝒊′ = 𝑹
𝑹𝑬 𝑬
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Les caractérestique d’un amplificateur base commune

✓ Même gain en tension ✓ Gain en courant ✓ Impédance ✓ Impédance de

que pour l’émetteur inférieur à l’unité d’etrée très faible sortie moyenne
commun
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Transistor à effet de champ (TEC)

Remarque

Comme pour le transistor bipolaire

on superpose le régime dynamique
shéma
au régime statique de polarisation.

Dans la zone linéaire le TEC se

comporte comme une source de
courant commandée par la tension 𝒗𝑮𝑺

𝒊𝒅𝒔
𝒈𝒎 = 𝒗 =𝟎
𝒗𝒈𝒔 𝒅𝒔 transconductance

𝒊𝒅𝒔
𝒈𝒅𝒔 = 𝒗𝒈𝒔 = 𝟎 Conductance de drain
𝒗𝒅𝒔
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Montage fondamentaux à effet de champ

Source commune Drain commun Grille commune

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Shéma équivalent
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Application 1 : Amplificateur TEC Source commune

Shéma équivalent du montage

Remarque important 7
On a dans ce cas le montage est Source
commune parceque tout simplement l’entrée
entre la Grille et la masse,la sortie entre le
Drain et la masse.

Cherchons les Caractéristique

fonctionnelles de notre amplificateur
you got this Amplificateurs à transistors en basses fréquences

Impédance d’etrée

𝒗𝒆
𝑹𝒆 = = 𝑹𝑮
𝒊𝒆

Impédance de sortie

𝒗𝒔
𝑹𝒔 = 𝒆𝒈 = 𝟎 = 𝑹𝑫 Τ/ 𝒓𝒅𝒔
𝒊𝒔
Gain en tension
Gain en tension
à vide (𝑹𝒖 ∞)
𝒗𝒔
𝑨𝒗 = = − 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 ≈ − 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖
𝒗𝒆 𝒗𝒔
𝑨𝒗𝟎 = = −𝑹𝑫 𝒈𝒎
𝒗𝒆
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démonstration Impédance de sortie

𝒆𝒈 = 𝟎 𝒗𝒆 = 𝟎 𝒗𝒈𝒔 = 𝟎

Gain en tension

𝒗𝒔 = − 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 𝒈𝒎 𝒗𝒈𝒔 𝒗𝒆 = 𝒗𝒈𝒔 = 𝑹𝑮 𝒊𝒆 𝒗𝒔 = 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 𝒊𝒔

Gain en tension
à vide (𝑹𝒖 ∞)
𝟏 𝟏 𝟏
= +
𝑹𝒆𝒒 𝑹𝑫 𝑹𝒖

𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝑫
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Application 2 : Amplificateur TEC Drain commun

Shéma équivalent du montage

Remarque important 8
On a dans ce cas le montage est Drain
commun parceque tout simplement l’entrée
entre la Grille et la masse,la sortie entre le
Source et la masse.

Cherchons les Caractéristique

fonctionnelles de notre amplificateur
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Impédance d’etrée

𝒗𝒆
𝑹𝒆 = = 𝑹𝑮
𝒊𝒆

Impédance de sortie

𝟏 𝟏
𝑹𝒔 = 𝑹𝑺 Τ/ 𝒓𝒅𝒔 Τ/ ≈ 𝑹𝑺 Τ/
𝒈𝒎 𝒈𝒎

Gain en tension Gain en tension

à vide (𝑹𝒖 ∞)

𝒗𝒔 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 𝒈𝒎 𝒗𝒔 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 𝒈𝒎
𝑨𝒗 = = ≈𝟏 𝑨𝒗𝟎 = = ≈𝟏
𝒗𝒆 𝟏 + 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 𝒈𝒎 Τ
𝒗𝒆 𝟏 + 𝒓𝒅𝒔 / 𝑹𝑫 𝒈𝒎
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démonstration Impédance de sortie

𝒆𝒈 = 0 𝒗𝒆 = 𝟎 𝒗𝒈𝒔 = −𝒗𝒔

𝟏
Gain en tension 𝒊𝒔 = 𝒗𝒔 𝒈𝒎 +
𝑹𝑺 Τ/ 𝒓𝒅𝒔
𝒗𝒆 = 𝒗𝒈𝒔 + 𝒗𝒔
Gain en tension
𝒗𝒆 = ቀ𝟏 + 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 𝒈𝒎 𝒗𝒈𝒔 𝒗𝒔 = 𝒓𝒅𝒔 Τ/ 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 𝒈𝒎 𝒗𝒈𝒔
à vide (𝑹𝒖 ∞)
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
= + +
𝑹𝒆𝒒 𝒓𝒅𝒔 𝑹𝑫 𝑹𝒖
𝒗𝒔
𝒗𝒆 𝟏 𝟏 𝟏
= +
𝑹𝒆𝒒 𝒓𝒅𝒔 𝑹𝑫
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Application 3 : Amplificateur TEC Grille commune

Shéma équivalent du montage

Remarque important 9
On a dans ce cas le montage est Grille
commune parceque tout simplement l’entrée
entre la Source et la masse,la sortie entre le
Drain et la masse.

Cherchons les Caractéristique

fonctionnelles de notre amplificateur
you got this Amplificateurs à transistors en basses fréquences

Impédance d’etrée

𝒗𝒆 𝟏
𝑹𝒆 = = 𝑹𝑺 Τ/
𝒊𝒆 𝒈𝒎

Impédance de sortie

𝒗𝒔
𝑹𝒔 = 𝒆 = 𝟎 = 𝑹𝑫
𝒊𝒔 𝒈

Gain en tension Gain en tension

à vide (𝑹𝒖 ∞)
𝒗𝒔
𝑨𝒗 = = 𝒈𝒎 𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 𝒗𝒔
𝒗𝒆 𝑨𝒗𝟎 = = 𝒈𝒎 𝑹𝑫
𝒗𝒆
you got this Amplificateurs à transistors en basses fréquences

démonstration Impédance d’etrée

𝒗𝒆
𝒊𝒆 = − 𝒈𝒎 𝒗𝒈𝒔
𝑹𝑺

𝒗𝒆 = −𝒗𝒈𝒔
Gain en tension Gain en tension
à vide (𝑹𝒖 ∞)
𝟏
𝒊𝒆 = 𝒗𝒆 + 𝒈𝒎
𝒗𝒔 = − (𝑹𝑫 Τ/ 𝑹𝒖 ൯𝒊𝒅 𝒗𝒆 = −𝒗𝒈𝒔 𝟏 𝟏 𝟏 𝑹𝑺
= +
𝑹𝒆𝒒 𝑹𝑫 𝑹𝒖
Impédance de sortie
𝒊𝒅 = 𝒈𝒎 𝒗𝒈𝒔
𝒆𝒈 = 𝟎 𝒗𝒆 = −𝒗𝒈𝒔 = 𝟎
𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝑫

𝑹𝒔 = 𝑹𝑫
 À retenir

Etude statique Etude dynamique

✓ Donner le shéma
✓ Donner l’expression de la
dynamique faible
droite d’attaque et la droit
signaux du montage.
de charge.
✓ Le gain en tension.
✓ Déterminer le point de
fonctionnemt.
✓ Le gain en courant.

✓ La résistance d’entrée.

✓ La résistance de sortie.
Exercices d’application
Fin de chapiter 1