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Circuits de mise en
forme
Chapitre 4 Circuit de mise en forme
Chapitre 4 :
Circuit de mise en forme
Partie 1 : Ecrêteurs-limiteurs
I- Ecrêteurs-limiteurs
Dans les systèmes de radar, les ordinateurs et autres systèmes électroniques, on désire
parfois supprimer une tension ou un courant plus grand ou plus petit qu’une valeur spécifiée,
comme le montrent les exemples ci-dessous.
Ve(t) Vs(t)
Vmax Vmax
écrêteur
Ve(t) ou Vs(t)
0 0
t limiteur t
-Vmax
(a)
Ve(t) Vs(t)
Vmax
écrêteur
0 Ve(t) ou Vs(t)
limiteur 0
t t
-Vmax
-Vmax
(b)
Figure 4-1 : Différents types d’écrêteurs : (a) inférieur, (b) supérieur.
Les termes écrêteur et limiteur sont souvent confondus de sorte que l’un est utilisé
indifféremment pour l’autre.
Pour concevoir de tels écrêteurs, on utilise le plus souvent des diodes et des transistors. La
figure 4-2 illustre les circuits les plus courants d’écrêtage d’un signal à 0V.
Ve(t) Vs(t)
Vmax Vmax
D
Ve(t) R Vs(t)
0 0
t t
-Vmax
Ve(t) Vs(t)
Vmax R
0 Ve(t) D Vs(t)
0
t t
-Vmax -Vmax
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
VCC
Ve(t) Vs(t)
T
Vmax Vmax
Ve(t) R Vs(t)
t t
-Vmax
Figure 4-2 : Ecrêteur à 0V les plus courants.
Exemple 4-1 :
id(t)
id(t) Vs(t)
R
D E
Ve(t) Vs(t)
E
0 0
E Ve(t) E Ve(t)
Figure 4-3 : Circuit écrêteur simple.
L’équation de maille du circuit écrêteur de la figure 4-3 s’écrit, lorsque la diode D est
passante :
Ve (t) R * id (t) Vd E................................................................................................. (4-1)
Lorsque la diode D est idéal (Vd=0), alors le courant id(t) d’après l’équation (4-1) sera :
V (t) E ..................................................................................................................
i (t) e (4-2)
d
R
D’où les graphes des fonctions id(t) = f(Ve(t)) et Vs(t) = g(Ve(t)) de la figure 4-3 :
Si Ve(t) E id (t) 0 : D est bloquée (c.o), R*id(t) = 0 et Vs(t) = Ve(t) ;
La figure 4-4 représente un circuit écrêteur double et les graphes des fonctions id(t) = f(Ve(t))
et Vs(t) = g(Ve(t)) pour différents états de diode.
Si Ve (t) 0 et Ve (t) E1 : D1 est passante et D2 est bloquée;
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
R
D1 D2
Ve(t) Vs(t)
E1
E2
id(t)
Vs(t)
E1
E2
E2 0 E1 Vi(t) 0 E1 Ve(t)
-E2
Ve(t) Vs(t)
Vmax
E1
0
t
E2
-Vmax
Ve(t) Vs(t)
Vmax R1 Vmax
D E
Ve(t) R2 Vs(t)
0 0
t E t
R2
-Vmax *V
max
R1 R2
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
Il existe plusieurs façons d’écrêter un signal à un niveau autre que 0V. Les circuits les plus
utilisés comportent une diode en série avec une pile, comme le montre l’exemple illustré à la
figure 4-6.
D’où le graphe de fonction Vs(t) = f(Ve(t)) de la figure 4-6 :
Si Ve (t) E id (t) 0 : D est passante (c.c), Vd = 0 et Vs(t) = E;
La figure 4-7 représente l’allure de la tension Vs(t), aux bornes de la cellule (R et C),
lorsque RC est grande devant la période T du signal appliqué (RC >> T). Pendant le premier
quart d’alternance positive, le condensateur se charge à travers la diode, à la valeur crête du
signal appliqué et Vs(T/4) = Vmax. Au-delà de t = T/4, le condensateur ne se décharge que
faiblement pendant une période du signal appliqué et, par la suite, la diode ne conduira que
pendant un intervalle de temps τ court devant la période T : τ = (t1-t2) << T.
Vs(t)
Vs(t) Vmax
Vmax V0 ΔV
V1
0 τ
t
0 t1 t2 t
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
La tension Vs(t) aux bornes du condensateur, décroit de sa valeur maximale Vmax à une
valeur minimale V1. Si td est le temps de décharge du condensateur dans la charge R, la
tension V1 = Vs(td) s’écrira :
(4-3)
Avec td T T et R *C T .
La tension redressé Vs(t) est la somme d’une tension continue V0 et d’une tension
d’ondulation, d’amplitude crête à crête : ΔV. V0 est la valeur moyenne de Vs(t) sur une
T
période T du signal appliqué au dispositif : V Vmax V1 Vmax * et
R*C
On définit le taux d’ondulation de la tension redressée par :
T
V V0 V /Vma ….......….……..…….………………………..………….…… (4-4)
x R *C
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V1 S1 V1
V2 S2 V2
Vs
Vs
-VDD
(a) (b)
Figure IV-9 : Représentation d’un amplificateur opérationnel et son symbole.
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-VDD
-Vsat
Figure IV-10 : Caractéristiques Vs = f(V2-V1).
La tension de sortie d’un A.O.P, varie entre deux extrêmes de la tension de saturations (±
Vsat), qui délimite la zone de fonctionnement de l’amplificateur : Vsat = VCC-δ, δ est de l’ordre
du volt.
Dans la pratique, il est fréquent qu’on considère l’amplificateur opérationnel avec ses
caractéristiques essentielles idéales qui sont :
Gain infini ;
Impédance d’entrée infini ;
Impédance de sortie nulle.
Ces caractéristiques justifient le modèle très simple de l’amplificateur opérationnel indiqué
qu’à la figure IV-11.
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
Vs
Vsat
Zcm +VCC
Rs
ɛ ɛ
V1 Ze V1
ɛ
A.o.d*ɛ Vs
V2 Vs
V2 Zcm
-VDD
-Vsat
En régime linéaire (Vs < Vsat), les entrées inverseurs et non inverseurs sont au même potentiel.
Le courant différentiel d’entrée id est nul :
id 0................................................................................................................................... (IV-6)
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
La sortie du comparateur prend deux états haut et bas en fonction de la différence entre les
deux signaux appliqués aux entrées (figure IV-12). Le basculement s’effectue au moment où ɛ
= V+ – V_ est égal à zéro. De plus, les niveaux VH et VB sont en général voisines des tensions
d’alimentation VCC et –VDD.
Vs
+VCC VH
V_< V+
V+
Vs V+ V_
V_
-VDD VB
V_> V+
Figure IV-12 : Amplificateur opérationnel comparateur.
Remarque : les valeurs des tensions V+ et V_, doivent être comprises entre VH et VB.
* VM Vm (IV-8)
R1
Ve
R1 R2
Vs(t)
Ve(t)
VH
VB t
(c)
R1
0 Ve (t) *Vs (t) ....................................................................................... (IV-10)
R1 R2
R1
VH *Vs M ….......…..…………...….........………………………………..…… (IV-11)
R1 R2
R1
VB *Vsm ….......…..…………...…….....………………………………...…… (IV-12)
R1 R2
Vs
R2 VM
R1
ɛ Vs VB VH Vi
Vi
Vm
(a) (b)
Vs(t)
Vi(t)
VsM
VH
VB t
Vsm
(c)
La figure IV-14 montre un autre montage du comparateur à hystérésis, dont la formule peut
s’écrire :
R2 R1
*Ve (t) *Vs (t) .............................................................................. (IV-13)
R1 R2 R1 R2
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
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Chapitre 4 Circuit de mise en forme
V R1 *V
B 2R sm
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